KR102341256B1 - Semiconductor reaction by-product collecting trap apparatus - Google Patents

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KR102341256B1
KR102341256B1 KR1020210123129A KR20210123129A KR102341256B1 KR 102341256 B1 KR102341256 B1 KR 102341256B1 KR 1020210123129 A KR1020210123129 A KR 1020210123129A KR 20210123129 A KR20210123129 A KR 20210123129A KR 102341256 B1 KR102341256 B1 KR 102341256B1
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김기남
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Abstract

According to the present invention, provided is a semiconductor reaction by-product collecting trap device, which includes: a chamber having a collecting space therein; an inlet unit in which an inlet is formed to introduce gas into the chamber; a collecting unit provided in the trapping space and having a plate capable of collecting reaction by-products in contact with the gas introduced into the inlet; and a discharge unit formed with the outlet so that unreacted gas is discharged to the outside while moving the collecting unit. The semiconductor reaction by-product collecting trap device of the present invention is provided between a process chamber and a vacuum pump, by solidifying the gas discharged from the process chamber and collecting the gas as a reaction by-product, so as to secure the durability of the vacuum pump by preventing failures or damage of the vacuum pump.

Description

반도체 반응부산물 포집 트랩장치{Semiconductor reaction by-product collecting trap apparatus}Semiconductor reaction by-product collecting trap apparatus

본 발명은 반도체 반응부산물 포집 트랩장치에 관한 것으로, 반도체 박막 증착 공정 진행 시 프로세스 챔버에서 진공 펌프로 배출되는 가스 중 반응 부산물(파우더)을 포집하기 위한 반도체 반응부산물 포집 트랩장치에 관한 것이다.The present invention relates to a trap device for trapping semiconductor reaction by-products, and to a trap device for trapping reaction by-products (powder) of a reaction in a gas discharged from a process chamber to a vacuum pump during a semiconductor thin film deposition process.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세서 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른 바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.In general, a semiconductor manufacturing process is largely composed of a pre-process (fabrication process) and a post-process (assembly process), and the pre-process means depositing a thin film on a wafer in various processor chambers, and depositing It refers to a process of manufacturing a semiconductor chip (Chip) by repeatedly performing a process of selectively etching the thin film and processing a specific pattern. It refers to the process of assembling into a finished product by separating it with a lead frame and combining it with a lead frame.

이때, 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세서 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세서 가스를 사용하여 고온에서 수행된다. At this time, the process of depositing a thin film on the wafer or etching the thin film deposited on the wafer uses harmful gases such as silane, arsine, and boron chloride and a processor gas such as hydrogen in the processor chamber. is carried out at high temperature.

이때, 공정에 사용되고 남은 가스는 프로세스 챔버에서 진공펌프로 배출되는데 배출되는 가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 반응부산물(파우더)로 변하게 된다. At this time, the remaining gas used in the process is discharged from the process chamber to the vacuum pump. When the discharged gas comes into contact with the atmosphere or the ambient temperature is low, it is solidified and changed into a reaction by-product (powder).

즉, 가스가 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제가 발생한다. That is, when the gas flows into the vacuum pump, the vacuum pump malfunctions and the exhaust gas flows backward, thereby contaminating the wafer in the process chamber.

이에 따라, 프로세서 챔버와 진공펌프 사이에 구비되어 반응부산물을 포집할 필요가 있다. 다양한 장치 및 방법들이 있었으나, 구조가 복잡하고, 관리가 용이하지 않아 주기적으로 교체하거나 청소해야 하는 문제가 있었다.Accordingly, it is necessary to collect reaction by-products provided between the processor chamber and the vacuum pump. There have been various devices and methods, but there is a problem in that the structure is complicated and maintenance is not easy, so that it needs to be replaced or cleaned periodically.

대한민국 공개특허 10-2006-0079307Republic of Korea Patent Publication 10-2006-0079307 대한민국 등록특허 10-2067074Republic of Korea Patent Registration 10-2067074 대한민국 등록특허 10-1447629Republic of Korea Patent Registration 10-1447629

상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은, 프로세스 챔버와 진공 펌프 사이에 구비되어, 프로세스 챔버에서 배출되는 가스를 고형화시켜 반응부산물로 포집함으로써, 진공 펌프의 고장 또는 손상을 방지하여 진공펌프의 내구성을 확보할 수 있는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치를 제공하기 위함이다.An object of the present invention, devised to solve the above-described problems, is provided between the process chamber and the vacuum pump, and solidifies the gas discharged from the process chamber and collects it as a reaction by-product, thereby preventing failure or damage of the vacuum pump This is to provide a trap device for collecting semiconductor reaction by-products that can secure the durability of the vacuum pump.

또한, 본 발명의 목적은, 분리벽을 통해 챔버의 포집공간을 상부와 하부로 분리하고, 포집공간을 격벽을 통해 다수의 구획공간으로 분할함으로써, 각각의 구획공간을 가스가 차례대로 통과하면서 각각의 구획공간에서 반응부산물이 골고루 포집할 수 있는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치를 제공하기 위함이다.In addition, an object of the present invention is to separate the collection space of the chamber into upper and lower portions through a partition wall, and divide the collection space into a plurality of partition spaces through the partition wall, so that the gas passes through each partition space in turn. This is to provide a trap device for collecting semiconductor reaction by-products that can evenly collect reaction by-products in the compartment space of

또한, 본 발명의 목적은, 포집공간을 이동하는 가스를 다수의 플레이트에 접촉 반응시켜 반응부산물을 포집하고, 다음으로 이동하는 다른 포집공간에서는 가스를 다수의 플레이트 접촉 반응과 동시에 저온으로 반응시켜 최종적으로 반응부산물을 포집하여 포집효율성을 향상시킨 반도체 반응부산물 포집 트랩장치를 제공하기 위함이다.In addition, an object of the present invention is to collect reaction by-products by contact-reacting the gas moving in the collection space to a plurality of plates, and reacting the gas at a low temperature simultaneously with the contact reaction of a plurality of plates in another collection space moving next to the final This is to provide a trap device for trapping reaction by-products in a semiconductor that improves the collection efficiency by collecting reaction by-products.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 반응부산물 포집 트랩장치에 따르면, 내부에 포집공간을 구비한 챔버; 상기 챔버의 내부로 가스가 유입되도록 유입구가 형성된 유입부; 상기 포집공간에 구비되어, 상기 유입구로 유입된 가스와 접촉하여 반응부산물을 포집할 수 있는 플레이트가 형성된 포집부; 및 상기 포집부를 이동하면서 미 반응한 가스가 외부로 배출되도록 배출구가 형성된 배출부;를 포함한다.According to the semiconductor reaction by-product trap device of the present invention for achieving the object as described above, the chamber having a collecting space therein; an inlet having an inlet for introducing gas into the chamber; a collecting unit provided in the collecting space and having a plate capable of collecting reaction by-products in contact with the gas introduced into the inlet; and a discharge unit formed with an outlet so that unreacted gas is discharged to the outside while the collecting unit is moved.

또한, 상기 포집부는, 상기 가스의 이동방향으로 구비된 지지대 및 상기 지지대에 이격되어 다수 구비되는 제1플레이트를 포함하고, 상기 제1플레이트는, 상기 포집공간을 이동하는 가스와 접촉 반응하여, 반응부산물을 포집하는 것을 특징으로 한다.In addition, the collecting unit includes a support provided in the moving direction of the gas and a plurality of first plates spaced apart from the support, and the first plate reacts with the gas moving in the collecting space in contact with the reaction, It is characterized in that by-products are collected.

또한, 상기 챔버의 포집공간을 상부와 하부로 구획하여 상기 가스로부터 반응부산물을 포집가능한 포집공간을 형성시키고, 상하부의 포집공간을 연통시키는 연결공이 형성된 분리벽;을 더 포함하고, 상기 분리벽으로 분리된 챔버의 하부 포집공간은, 상부 포집공간보다 저온상태인 것을 특징으로 한다.In addition, a separation wall is formed to divide the collection space of the chamber into an upper portion and a lower portion to form a collection space capable of collecting reaction by-products from the gas, and a connection hole for communicating the upper and lower portions of the collection space is formed; The lower collecting space of the separated chamber is characterized in that it is in a lower temperature than the upper collecting space.

또한, 상기 지지대는, 일단과 타단이 관통형성되어, 내부로 냉각수의 유입 및 순환이 이루어지고, 상기 제1플레이트는, 상기 냉각수에 의해 저온상태로 상기 가스와 접촉 반응하여 반응부산물을 포집하는 것을 특징으로 한다.In addition, the support is formed through one end and the other end, the inflow and circulation of cooling water is made inside, and the first plate reacts with the gas in a low temperature state by the cooling water to collect reaction by-products. characterized.

또한, 상기 챔버의 하측면에 상기 하부 포집공간과 연통되게 구비되되 상기 연결공과 대응되는 위치에 구비되는 포집함;을 더 포함하고, 상기 하부 포집공간으로 이동하는 가스는, 변화하는 온도차에 의해 반응부산물로 포집되는 상기 포집함에 포집되는 것을 특징으로 한다.In addition, the lower surface of the chamber is provided in communication with the lower collecting space, the collecting box is provided at a position corresponding to the connection hole; further comprising, the gas moving to the lower collecting space, reacts by a changing temperature difference It is characterized in that it is collected in the collecting box that is collected as a by-product.

또한, 상기 포집공간을 구획하여 반응부산물을 분리 포집하는 다수의 구획공간으로 분할하고, 상기 가스의 이동유로를 축소시킬 수 있도록 관통공이 형성된 격벽;을 더 포함한다.In addition, it divides the collecting space into a plurality of compartments for separating and collecting reaction by-products, and a partition wall having a through hole to reduce the flow path of the gas.

또한, 상기 지지대는, 다수개가 상기 관통공을 관통하도록 구비되고, 상기 제1플레이트는, 각각의 지지대에 다수개 구비되고, 상기 관통공의 크기보다 작게 형성되고, 상기 포집부는, 상기 지지대에 구비되되 상기 관통공을 통과하기 직전 또는 직후에 가스와 접촉 반응할 수 있도록 상기 관통공에 인접하여 구비되고, 상기 관통공의 크기와 대응하거나 더 크게 형성되어 상기 관통공의 이동유로를 축소시키며 반응부산물을 포집하는 제2플레이트를 더 포함한다.In addition, the support is provided with a plurality of passes through the through hole, the first plate is provided with a plurality of each support, is formed smaller than the size of the through hole, and the collecting unit is provided in the support However, it is provided adjacent to the through-hole so that it can react with the gas immediately before or immediately after passing through the through-hole, and is formed to correspond to or larger than the size of the through-hole, thereby reducing the flow path of the through-hole and reacting by-products It further includes a second plate to collect the.

또한, 상기 포집부는, 상기 지지대에 구비되는 제2플레이트를 더 포함하고, 상기 제2플레이트는, 상기 지지대와 연통되어 상기 냉각수가 순환할 수 있는 순환공간이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the collecting unit may further include a second plate provided on the support, wherein the second plate communicates with the support to form a circulation space through which the coolant can circulate.

또한, 상기 포집공간의 상부와 하부를 각각 구획하여 반응부산물을 분리 포집하는 다수의 구획공간으로 분할하고, 상기 가스의 이동유로를 축소시킬 수 있도록 관통공이 형성된 격벽;을 더 포함하고, 상기 연결공은, 다수의 상부 구획공간 중, 상기 가스가 이동하는 마지막 상부 구획공간에 형성되고, 상기 배출부는, 다수의 하부 구획공간 중, 상기 가스가 이동하는 마지막 하부 구획공간에 구비되고, 상기 배출구는, 상기 마지막 하부 구획공간의 상부에 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, a partition wall having a through hole formed so as to partition the upper part and the lower part of the collection space, respectively, to divide the reaction by-products into a plurality of partition spaces to separate and collect, and to reduce the flow path of the gas; further comprising, the connection hole is formed in the last upper partition space in which the gas moves among the plurality of upper partition spaces, and the discharge unit is provided in the last lower partition space in which the gas moves among the plurality of lower partition spaces, and the outlet is It is characterized in that it is formed in the upper part of the last lower partition space.

또한, 상기 관통공은, 어느 하나의 구획공간이 인접한 구획공간들 중 하나 또는 둘의 구획공간과만 연통되도록 형성되되, 유입부에서 배출부까지의 거리가 최대가 되도록 형성되고, 상기 가스는, 다수의 구획공간을 순차적으로 각각 이동하여 상기 포집부에 의해 각각의 구획공간에서 분리되어 포집되는 것을 특징으로 한다.In addition, the through hole is formed so that any one partition space communicates with only one or two partition spaces among adjacent partition spaces, and is formed so that the distance from the inlet to the outlet is maximized, and the gas is It is characterized in that the plurality of compartments are sequentially moved to be separated and collected in each compartment by the collecting unit.

이상 살펴본 바와 같은 본 발명의 효과는, 프로세스 챔버와 진공 펌프 사이에 구비되어, 프로세스 챔버에서 배출되는 가스를 고형화시켜 반응부산물로 포집함으로써, 진공 펌프의 고장 또는 손상을 방지하여 진공펌프의 내구성을 확보할 수 있는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치를 제공할 수 있다.As described above, the effect of the present invention is provided between the process chamber and the vacuum pump and solidifies the gas discharged from the process chamber and collects it as a reaction by-product, thereby preventing failure or damage of the vacuum pump and securing the durability of the vacuum pump. It is possible to provide a trap device for collecting and trapping semiconductor reaction by-products.

또한, 본 발명의 효과는, 분리벽을 통해 챔버의 포집공간을 상부와 하부로 분리하고, 포집공간을 격벽을 통해 다수의 구획공간으로 분할함으로써, 각각의 구획공간을 가스가 차례대로 통과하면서 각각의 구획공간에서 반응부산물이 골고루 포집할 수 있는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치를 제공할 수 있다.In addition, the effect of the present invention is to separate the collection space of the chamber into upper and lower portions through the partition wall, and divide the collection space into a plurality of partition spaces through the partition wall, so that the gas passes through each partition in turn, each It is possible to provide a trap device for trapping semiconductor reaction by-products that can evenly collect reaction by-products in the compartment space of the .

또한, 본 발명의 효과는, 포집공간을 이동하는 가스를 다수의 플레이트에 접촉 반응시켜 반응부산물을 포집하고, 다음으로 이동하는 다른 포집공간에서는 가스를 다수의 플레이트 접촉 반응과 동시에 저온으로 반응시켜 최종적으로 반응부산물을 포집하여 포집효율성을 향상시킨 반도체 반응부산물 포집 트랩장치를 제공할 수 있다.In addition, the effect of the present invention is that the gas moving in the collection space is reacted with a plurality of plates to collect reaction by-products, and in another collection space that moves next, the gas is reacted at a low temperature simultaneously with the contact reaction of the plurality of plates to finally It is possible to provide a trap device for trapping reaction by-products by collecting the reaction by-products and improving the collection efficiency.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 반응부산물 포집 트랩장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 반응부산물 포집 트랩장치를 나타낸 분해사시도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 반응부산물 포집 트랩장치의 각 구획공간을 이동하는 가스의 이동경로를 나타낸 사시도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 반응부산물 포집 트랩장치의 상부 포집공간에 구비되는 포집부를 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 반응부산물 포집 트랩장치의 하부 포집공간에 구비되는 포집부를 나타낸 사시도이다. 1 is a perspective view showing a trap device for collecting semiconductor reaction by-products according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view showing a trap device for trapping semiconductor reaction by-products according to a preferred embodiment of the present invention.
3 to 5 are perspective views illustrating the movement path of gas moving through each compartment of the semiconductor reaction by-product trap device according to a preferred embodiment of the present invention.
6 and 7 are perspective views illustrating a collecting unit provided in an upper collecting space of a semiconductor reaction by-product collecting trap device according to a preferred embodiment of the present invention.
8 is a perspective view illustrating a collecting unit provided in a lower collecting space of a trap device for collecting semiconductor reaction by-products according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 본 발명의 실시예들에 의하여 반도체 반응부산물 포집 트랩장치를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings for explaining a semiconductor reaction by-product trap device according to embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 반응부산물 포집 트랩장치는, 챔버(10), 유입부(20), 포집부(30) 및 배출부(40)를 포함한다.1 to 5 , the trap apparatus for collecting and trapping semiconductor reaction by-products according to the present invention includes a chamber 10 , an inlet unit 20 , a collecting unit 30 , and an outlet unit 40 .

먼저, 챔버(10)는, 상부로 가스가 유입되고, 하부로 미 반응 가스가 배출된다. First, in the chamber 10, gas is introduced to the upper part, and unreacted gas is discharged to the lower part.

이때, 챔버(10)의 내부에서 배출되는 미 반응 가스는 진공펌프로 이동된다. At this time, the unreacted gas discharged from the inside of the chamber 10 is moved to the vacuum pump.

또한, 챔버(10)는 내부에서 가스의 반응부산물을 포집할 수 있도록 포집공간이 형성되되, 상하로 분리되고, 상부와 하부의 포집공간이 다수개의 구획공간으로 분리된다. In addition, the chamber 10 is formed with a collecting space so as to collect reaction by-products of the gas therein, and is separated vertically, and the upper and lower collecting spaces are divided into a plurality of compartment spaces.

본 발명의 반도체 반응부산물 포집 트랩장치는, 분리벽(11) 및 격벽(12)을 더 포함한다. The semiconductor reaction by-product trap device of the present invention further includes a partition wall 11 and a partition wall 12 .

분리벽(11)은, 챔버(10)의 포집공간을 상부와 하부로 구획하여 가스로부터 반응부산물을 포집가능한 포집공간을 형성시킨다. The partition wall 11 divides the collection space of the chamber 10 into upper and lower portions to form a collection space capable of collecting reaction by-products from the gas.

그리고, 분리벽(11)은, 상하부의 포집공간을 연통시키는 연결공(13)이 형성된다. And, the dividing wall 11 is formed with a connection hole 13 for communicating the upper and lower collection spaces.

이와 같이, 분리벽(11)을 통해 포집공간을 상부와 하부로 분리함으로써, 가스가 상부에서 하부로 원활하게 이동할 수 있다. As described above, by separating the collection space into upper and lower portions through the separation wall 11 , the gas may smoothly move from the upper portion to the lower portion.

또한, 분리벽(11)을 통해서, 상부와 하부의 포집공간 온도차를 조절할 수 있다. In addition, through the partition wall 11, it is possible to adjust the temperature difference between the upper and lower collection spaces.

즉, 분리벽(11)으로 분리된 챔버(10)의 하부 포집공간은, 상부 포집공간보다 저온상태일 수 있다. That is, the lower collecting space of the chamber 10 separated by the dividing wall 11 may be in a lower temperature state than the upper collecting space.

여기서, 가스는, 고온이기 때문에 낮은 온도에서 더 빠르게 반응하여 반응부산물로 고형화된다. 이때, 상부 포집공간이 온도가 낮으면, 가스가 챔버(10)에 유입되자마다 반응하고 반응부산물이 유입구(21)에 쌓이게 되므로 가스의 순환을 방해할 뿐만 아니라 막힘을 유발할 수 있다. Here, since the gas is high temperature, it reacts faster at a low temperature and is solidified as a reaction by-product. At this time, when the temperature of the upper collecting space is low, it reacts whenever gas flows into the chamber 10 and reaction by-products are accumulated in the inlet 21 , thereby preventing gas circulation and causing clogging.

이에 따라, 챔버(10)는 분리벽(11)에 의해 상부와 하부로 분리되고, 상부 포집공간보다 하부 포집공간을 더 낮은 온도상태로 환경을 조절함으로써, 상부 포집공간에서 반응하지 못한 가스를 낮은 온도상태의 하부 포집공간으로 이동시켜 보다 효율적인 가스의 반응을 유도할 뿐만 아니라, 반응에 의해 고형화되는 반응부산물이 상부 포집공간과 하부 포집공간에 분리되어 골고루 포집될 수 있다. Accordingly, the chamber 10 is separated into an upper part and a lower part by the dividing wall 11, and by controlling the environment of the lower collecting space to a lower temperature state than the upper collecting space, the gas that has not reacted in the upper collecting space is reduced to a lower level. In addition to inducing a more efficient gas reaction by moving it to the lower collecting space in a temperature state, the reaction by-products solidified by the reaction can be separated into the upper and lower collecting space and collected evenly.

격벽(12)은, 포집공간을 구획하여 반응부산물을 분리 포집하는 다수의 구획공간으로 분할한다. The partition wall 12 divides the collection space into a plurality of partition spaces for separating and collecting reaction by-products.

또한, 격벽(12)은, 가스가 이동하는 방향의 포집공간 수직단면적을 축소 즉, 가스의 이동유로를 축소시킬 수 있도록 판형상으로 형성되되 가스가 인접한 구획공간으로 이동될 수 있도록 관통공(16)이 형성된다. In addition, the partition wall 12 is formed in a plate shape to reduce the vertical cross-sectional area of the collection space in the direction in which the gas moves, that is, to reduce the flow path of the gas. ) is formed.

더불어, 격벽(12)은, 판형상으로 형성됨에 따라, 가스와 접촉하여 반응부산물을 더 포집할 수 있으며, 각각의 구획공간에서 반응부산물을 골고루 포집할 수 있다. In addition, as the partition wall 12 is formed in a plate shape, it is possible to further collect reaction by-products in contact with the gas, and it is possible to evenly collect reaction by-products in each compartment space.

또한, 격벽(12)에 의해 고형화된 반응부산물이 쌓여 관통공(16)을 막을 수 있으므로, 관통공(16)은 구획공간의 저면으로부터 이격되어 중간 또는 상부에 형성될 수 있다. In addition, since reaction by-products solidified by the partition wall 12 may be accumulated to block the through hole 16, the through hole 16 may be formed in the middle or upper portion spaced apart from the bottom surface of the partition space.

아울러 관통공(16)은 어느 하나의 구획공간이 인접한 구획공간들 중 하나 또는 둘의 구획공간과만 연통되도록 형성되되, 유입부에서 배출부까지의 거리가 최대가 되도록 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the through-hole 16 is formed so that any one partition space communicates with only one or two partition spaces among the adjacent partition spaces, it is preferable that the distance from the inlet to the outlet is maximized.

또한, 관통공(16)은, 가스의 이동방향을 'ㄷ'과 같은 방향으로 이동할 수 있게 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. In addition, the through hole 16 may be formed to move the gas in the same direction as 'C', but is not limited thereto.

이에 따라, 가스는, 다수의 상부 구획공간(14)과 하부 구획공간(15)을 순차적으로 각각 하나씩 이동하여 포집부(30)에 의해 각각의 상부 구획공간(14)과 하부 구획공간(15)에서 분리되어 포집된다. Accordingly, the gas sequentially moves one by one through the plurality of upper compartments 14 and lower compartments 15, respectively, by the collecting unit 30 to each of the upper compartments 14 and the lower compartments 15. separated from and collected.

이때, 분리벽(11)에 형성된 연결공(13)은, 다수의 상부 구획공간(14) 중, 가스가 이동하는 마지막 상부 구획공간(14)에 형성된다. 이에 따라, 가스는, 상부 구획공간(14)을 전체적으로 이동한 후에 하부 구획공간(15)으로 이동할 수 있다. At this time, the connection hole 13 formed in the partition wall 11 is formed in the last upper partition space 14 in which the gas moves among the plurality of upper partition spaces 14 . Accordingly, the gas may move to the lower partition space 15 after moving the upper partition space 14 as a whole.

유입부(20)는, 챔버(10)의 내부로 가스가 유입되도록 유입구(21)가 형성된다. The inlet 20 is formed with an inlet 21 so that gas flows into the chamber 10 .

이때, 유입부(20)는, 상부에서 챔버(10)의 내부로 삽입되어 구비되고, 다수의 상부 구획공간(14) 중 어느 하나의 상부 구획공간(14)과 연통되도록 유입구(21)가 형성된다. At this time, the inlet 20 is provided by being inserted into the chamber 10 from the top, and the inlet 21 is formed to communicate with any one of the upper partitioning spaces 14 among the plurality of upper partitioning spaces 14 . do.

포집부(30)는, 챔버(10)의 내부에 구비되어, 유입구(21)로 유입된 가스와 접촉하여 반응부산물을 포집할 수 있는 플레이트가 형성된다. The collecting unit 30 is provided in the chamber 10 and comes into contact with the gas introduced into the inlet 21 to form a plate capable of collecting reaction by-products.

이때, 플레이트는 가스의 이동을 방해하여 체류시간을 증가시키며 가스와 접촉할 수 있도록 가스의 이동방향에 대향하게 구비되며, 판형상의 원형 또는 다각형으로 형성된다. At this time, the plate is provided opposite to the movement direction of the gas so as to increase the residence time by interfering with the movement of the gas and to be in contact with the gas, and is formed in a circular or polygonal plate shape.

배출부(40)는, 포집부(30)를 이동하면서 미 반응한 가스가 외부로 배출되도록 배출구(41)가 형성된다. In the discharge unit 40, the discharge port 41 is formed so that the unreacted gas is discharged to the outside while the collecting unit 30 is moved.

이때, 배출부(40)는, 하부에서 챔버(10)의 내부로 삽입되어 구비되고, 다수의 하부 구획공간(15) 중 어느 하나의 하부 구획공간(15)과 연통되도록 배출구(41)가 형성된다. 특히, 배출구(41)는 배출부(40)의 상부 즉, 하부 구획공간(15)의 상부에 대응하는 위치에 형성됨으로써, 가스는 하부 구획공간(15)의 하부 및 중간부에서 체류시간이 늘어나 최대한 포집부(30)에 포집되고, 포집된 반응부산물이 배출구(41)로 배출되지 않도록 할 수 있으며, 진공펌프의 손상을 방지할 수 있다. At this time, the discharge unit 40 is provided by being inserted into the chamber 10 from the bottom, and the discharge port 41 is formed so as to communicate with any one of the lower partition spaces 15 among the plurality of lower partition spaces 15 . do. In particular, the outlet 41 is formed in a position corresponding to the upper portion of the discharge unit 40, that is, the upper portion of the lower partition space 15, so that the gas is increased in residence time in the lower portion and the middle portion of the lower partition space (15). It is possible to prevent the collected reaction by-products from being discharged to the discharge port 41 and to prevent damage to the vacuum pump.

또한, 배출부(40)는, 다수의 하부 구획공간(15) 중, 가스가 이동하는 마지막 하부 구획공간(15)에 구비되는 것이 바람직하나, 이에 한정하지 않는다. In addition, the discharge unit 40 is preferably provided in the last lower partition space 15 in which the gas moves among the plurality of lower partition spaces 15 , but is not limited thereto.

한편, 포집부(30)는, 분리벽(11)으로 분리된 상부 포집공간과 하부 포집공간에 각각 다수개 구비된다. 그리고 포집부(30)는, 격벽(12)으로 분리된 구획공간을 관통하여 구비된다. Meanwhile, a plurality of collecting units 30 are provided in the upper collecting space and the lower collecting space separated by the dividing wall 11 , respectively. And the collecting unit 30 is provided through the partition space separated by the partition wall (12).

이러한, 포집부(30)는, 도 6 내지 도 8과 같이, 가스와 접촉할 수 있도록 하는 지지대(31) 및 제1플레이트(32)를 포함한다. This, the collecting unit 30, as shown in FIGS. 6 to 8, includes a support 31 and a first plate 32 to be in contact with the gas.

지지대(31)는, 가스의 이동방향으로 다수개로 구비된다. 이때, 지지대(31)는 관통공(16)을 관통하여 다수의 구획공간에 구비될 수 있다. The support 31 is provided in plurality in the movement direction of the gas. In this case, the support 31 may be provided in a plurality of compartments through the through hole 16 .

제1플레이트(32)는, 지지대(31)에 이격되어 다수 구비된다. The first plate 32 is provided with a plurality of spaced apart from the support 31 .

또한, 제1플레이트(32)는, 포집공간을 이동하는 가스와 접촉 반응하여, 반응부산물을 포집할 수 있도록, 가스와 접촉 가능한 판형상으로 형성된다. 이때, 제1플레이트(32)는 원형 또는 다각형으로 형성될 수 있다. In addition, the first plate 32 is formed in a plate shape contactable with the gas so as to react with the gas moving in the collection space to collect the reaction by-products. In this case, the first plate 32 may be formed in a circular or polygonal shape.

그리고, 제1플레이트(32)는, 다수의 지지대(31)에 각각 구비될 수 있다. In addition, the first plate 32 may be provided on each of the plurality of supports 31 .

이때, 제1플레이트(32)는, 관통공(16)의 크기보다 작게 형성되고, 지지대(31)에 구비될 때 다른 지지대(31)와 다른 위치에 구비될 수 있다. 그리고, 제1플레이트(32)는 하나의 지지대(31)에 구비되되 다른 지지대(31)에 간섭되지 않도록 구비될 수 있다. At this time, the first plate 32 is formed smaller than the size of the through hole 16 , and when provided on the support 31 , may be provided at a different position from the other supports 31 . Also, the first plate 32 may be provided on one supporter 31 so as not to interfere with the other supporter 31 .

이에 따라, 가스는, 다수의 제1플레이트(32)를 지그재그의 형식으로 원활하게 통과하면서 다수의 제1플레이트(32)에 각각 접촉할 수 있다. Accordingly, the gas may be in contact with each of the plurality of first plates 32 while smoothly passing through the plurality of first plates 32 in a zigzag form.

또한, 제1플레이트(32)는, 지지대(31)에 끼워져 구비될 수 있도록 끼움홈(33)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1플레이트(32)를 지지대(31)에 구비시킬 때, 구획공간의 크기에 따라 개수 및 제1플레이트(32) 간의 간격을 조절할 수 있다. In addition, the first plate 32, the fitting groove 33 may be formed so that it can be provided by being fitted to the support (31). Accordingly, when the first plate 32 is provided on the support 31 , the number and the interval between the first plates 32 can be adjusted according to the size of the partition space.

상술한 바와 같이, 상부 포집공간보다 하부 포집공간이 낮은 온도상태가 될 수 있도록, 하부 포집공간에 구비되는 포집부(30)의 지지대(31)는, 일단과 타단이 관통형성되어, 내부로 냉각수의 유입 및 순환이 이루어질 수 있다. As described above, one end and the other end of the support member 31 of the collecting unit 30 provided in the lower collecting space is formed through the lower collecting space so that the lower collecting space can be in a lower temperature state than the upper collecting space, and the cooling water enters the inside. of inflow and circulation can be made.

이에 따라, 하부 포집공간에 구비되는 제1플레이트(32)는, 냉각수에 의해 저온상태로 가스와 접촉 반응하여 반응부산물을 포집하되, 상부 포집공간에서 반응하지 못한 가스로부터 반응부산물을 포집할 수 있다. Accordingly, the first plate 32 provided in the lower collecting space collects reaction by-products by reacting with the gas in a low-temperature state by cooling water, but collecting reaction by-products from the gas that did not react in the upper collecting space. .

본 발명에 따른 반도체 반응부산물 포집 트랩장치는, 포집함(17)을 더 포함한다. The trap device for collecting semiconductor reaction by-products according to the present invention further includes a collecting box (17).

포집함(17)은, 챔버(10)의 하측면에 하부 포집공간과 연통되게 구비되되 연결공(13)과 대응되는 위치에 착탈가능하게 구비된다. 즉, 포집함(17)은, 하부 포집공간의 하측면이 하부로 내입되도록 구비된다.The collecting box 17 is provided in communication with the lower collecting space on the lower side of the chamber 10 and is detachably provided at a position corresponding to the connection hole 13 . That is, the collecting box 17 is provided so that the lower surface of the lower collecting space is inserted into the lower part.

이때, 연결공(13)은, 격벽(12)에 의해 다수 구획공간으로 분할됨에 따라, 상부 구획공간(14) 중 가스가 마지막으로 이동되는 마지막 상부 구획공간(14)에 형성됨으로써, 포집함(17)은 마지막 상부 구획공간(14)의 하부에 형성된 첫번째 하부 구획공간(15)과 연통되게 구비되는 것이 바람직하나, 이에 한정하지 않는다. At this time, as the connection hole 13 is divided into a plurality of partition spaces by the partition wall 12, the gas is formed in the last upper partition space 14 in which the gas is finally moved among the upper partition spaces 14, thereby collecting ( 17) is preferably provided in communication with the first lower partition space 15 formed in the lower portion of the last upper partition space 14, but is not limited thereto.

하부 포집공간으로 즉, 첫번째 하부 구획공간(15)으로 이동하는 가스는, 변화하는 온도차에 의해 반응이 활발하게 이루어지기 때문에 반응부산물로 많이 포집되고, 첫번째 하부 포집공간에 쌓이게 된다. 이때, 포집함(17)이 하부 포집공간과 연통되어 구비되어 포집함(17)으로 반응부산물을 포집할 수 있어 쌓이는 것을 방지할 수 있다. Since the gas moving to the lower collecting space, that is, into the first lower compartment 15, is actively reacted by the changing temperature difference, a lot of it is collected as reaction by-products and is accumulated in the first lower collecting space. At this time, the collecting box 17 is provided in communication with the lower collecting space to collect reaction by-products with the collecting box 17, thereby preventing accumulation.

즉, 저온에 의해 포집되는 반응부산물은 연결공(13)과 대응되는 위치에 구비된 포집함(17)에 포집된다. That is, the reaction by-products collected by the low temperature are collected in the collecting box 17 provided at the position corresponding to the connection hole 13 .

그리고, 포집함(17)을 챔버(10)로부터 분리하여, 포집함(17)만 별도로 반응부산물을 제거할 수 있다. And, by separating the collecting box 17 from the chamber 10, only the collecting box 17 can separately remove reaction by-products.

한편, 포집부(30)는, 제2플레이트(34)를 더 포함한다. Meanwhile, the collecting unit 30 further includes a second plate 34 .

제2플레이트(34)는, 상기 지지대(31)에 구비되되 관통공(16)을 통과하기 직전 또는 직후에 가스와 접촉 반응할 수 있도록 관통공(16)에 인접하여 구비된다. The second plate 34 is provided on the support 31 and is provided adjacent to the through hole 16 so as to react with the gas immediately before or immediately after passing through the through hole 16 .

이때, 제2플레이트(34)는, 가스와 접촉할 때, 관통공(16)으로 곧바로 이동하지 못하고 우회하여 이동할 수 있도록 관통공(16)의 크기와 대응하거나 더 크게 형성된다. At this time, the second plate 34, when in contact with the gas, is formed to correspond to the size of the through hole 16 or to be larger than the size of the through hole 16 so that it cannot move directly to the through hole 16 but can move around it.

이에 따라, 제2플레이트(34)는, 관통공(16)의 이동유로를 축소시키며 반응부산물을 포집할 수 있다. Accordingly, the second plate 34 may reduce the flow path of the through hole 16 and collect reaction by-products.

또한, 제2플레이트(34)는, 제1플레이트(32)의 사이에 구비될 수도 있고, 다수개의 제1플레이트(32) 다음에 다수개 구비될 수 있다. 그리고, 다수개 제2플레이트(34) 다음에 또 제1플레이트(32)가 다수개 구비될 수 있다. In addition, the second plate 34 may be provided between the first plates 32 , or a plurality of second plates 34 may be provided after the plurality of first plates 32 . In addition, a plurality of first plates 32 may be provided after the plurality of second plates 34 .

한편, 포집부(30)는, 도 6 및 도 7과 같이, 상부 포집공간에 구비되는 상부 포집부(30a)와 도 8과 같이, 하부 포집공간에 구비되는 하부 포집부(30b)로 구분할 수 있다. Meanwhile, the collecting unit 30 can be divided into an upper collecting unit 30a provided in the upper collecting space as shown in FIGS. 6 and 7 and a lower collecting unit 30b provided in the lower collecting space as shown in FIG. 8 . have.

즉, 하부 포집부(30b)의 제2플레이트(34)는, 냉각수가 유입되는 지지대(31)와 연통되어 냉각수가 순환할 수 있는 순환공간이 형성되며, 상부 포집부(30a)의 제2플레이트(34) 두께보다 더 두껍게 형성된다. That is, the second plate 34 of the lower collecting unit 30b communicates with the support 31 through which the cooling water flows to form a circulation space through which the cooling water can circulate, and the second plate of the upper collecting unit 30a is communicated with the second plate 34 . (34) is formed thicker than the thickness.

이처럼, 하부 포집부(30b)는, 제1플레이트(32)와 제2플레이트(34)로 반응부산물을 포집할 수 있는 동시에, 냉각수에 의한 저온으로도 반응부산물을 포집할 수 있어, 상부 포집공간에서 미 반응한 가스를 최종적으로 포집할 수 있다. In this way, the lower collecting part 30b can collect reaction by-products with the first plate 32 and the second plate 34, and at the same time, can collect reaction by-products even at a low temperature by cooling water, so that the upper collecting space The unreacted gas can be finally collected.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. 더불어, 상술하는 과정에서 기술된 구성의 작동순서는 반드시 시계열적인 순서대로 수행될 필요는 없으며, 각 구성 및 단계의 수행 순서가 바뀌어도 본 발명의 요지를 충족한다면 이러한 과정은 본 발명의 권리범위에 속할 수 있음은 물론이다.Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the claims described later rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are interpreted as being included in the scope of the present invention. should be In addition, the operation sequence of the components described in the above process does not necessarily have to be performed in a time-series order, and if the gist of the present invention is satisfied even if the execution order of each configuration and step is changed, such a process may fall within the scope of the present invention. Of course you can.

10 : 챔버 11 : 분리벽
12 : 격벽 13 : 연결공
14 : 상부 구획공간 15 : 하부 구획공간
16 : 관통공 17 : 포집함
20 : 유입부 21 : 유입구
30 : 포집부 31 : 지지대
32 : 제1플레이트 33 : 끼움홈
34 : 제2플레이트 40 : 배출부
41 : 배출구10: chamber 11: dividing wall
12: bulkhead 13: connector hole
14: upper compartment space 15: lower compartment space
16: through hole 17: trap
20: inlet 21: inlet
30: collecting unit 31: support
32: first plate 33: fitting groove
34: second plate 40: discharge part
41: outlet

Claims (10)

내부에 포집공간을 구비한 챔버;
상기 챔버의 내부로 가스가 유입되도록 유입구가 형성된 유입부;
상기 포집공간에 구비되어, 상기 유입구로 유입된 가스와 접촉하여 반응부산물을 포집할 수 있는 플레이트가 형성된 포집부; 및
상기 포집부를 이동하면서 미 반응한 가스가 외부로 배출되도록 배출구가 형성된 배출부;를 포함하고,
상기 챔버의 포집공간을 상부와 하부로 구획하여 상기 가스로부터 반응부산물을 포집가능한 포집공간을 형성시키고, 상하부의 포집공간을 연통시키는 연결공이 형성된 분리벽;을 더 포함하고,
상기 분리벽으로 분리된 챔버의 하부 포집공간은, 상부 포집공간보다 저온상태로 구성되고,
상기 챔버의 하측면에 상기 하부 포집공간과 연통되게 구비되되 상기 연결공과 대응되는 위치에 구비되는 포집함;을 더 포함하고,
상기 하부 포집공간으로 이동하는 가스는, 변화하는 온도차에 의해 반응부산물로 포집되는 상기 포집함에 포집되는 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치.
a chamber having a collecting space therein;
an inlet having an inlet for introducing gas into the chamber;
a collecting unit provided in the collecting space and having a plate capable of collecting reaction by-products in contact with the gas introduced into the inlet; and
Including a;
The chamber further includes a partition wall, which divides the collection space into upper and lower portions to form a collection space capable of collecting reaction by-products from the gas, and has a connection hole for communicating the upper and lower collection spaces;
The lower collecting space of the chamber separated by the dividing wall is configured in a lower temperature than the upper collecting space,
Further comprising; a collecting box provided on the lower side of the chamber in communication with the lower collecting space and provided at a position corresponding to the connecting hole,
The gas moving to the lower collecting space is collected in the collecting box, which is collected as reaction by-products due to a changing temperature difference.
 청구항 1에 있어서,
상기 포집공간의 상부와 하부를 각각 구획하여 반응부산물을 분리 포집하는 다수의 구획공간으로 분할하고, 상기 가스의 이동유로를 축소시킬 수 있도록 관통공이 형성된 격벽;을 더 포함하고,
상기 연결공은, 다수의 상부 구획공간 중, 상기 가스가 이동하는 마지막 상부 구획공간에 형성되고,
상기 배출부는, 다수의 하부 구획공간 중, 상기 가스가 이동하는 마지막 하부 구획공간에 구비되고,
상기 배출구는, 상기 마지막 하부 구획공간의 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치.
The method according to claim 1,
It further comprises; partitioning the upper part and the lower part of the collection space into a plurality of partition spaces for separating and collecting reaction by-products, respectively, and a barrier rib having a through hole to reduce the flow path of the gas;
The connection hole is formed in the last upper partition space in which the gas moves among the plurality of upper partition spaces,
The discharge unit is provided in the last lower partition space in which the gas moves among the plurality of lower partition spaces,
The outlet is a semiconductor reaction by-product trap device, characterized in that formed in the upper portion of the last lower compartment.
 청구항 2에 있어서,
상기 관통공은, 어느 하나의 구획공간이 인접한 구획공간들 중 하나 또는 둘의 구획공간과만 연통되도록 형성되되, 유입부에서 배출부까지의 거리가 최대가 되도록 형성되고,
상기 가스는, 다수의 구획공간을 순차적으로 각각 이동하여 상기 포집부에 의해 각각의 구획공간에서 분리되어 포집되는 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치.
3. The method according to claim 2,
The through-hole is formed so that any one partition space communicates with only one or two partition spaces of the adjacent partition spaces, and is formed so that the distance from the inlet to the outlet is maximized,
The gas is a semiconductor reaction by-product trapping device, characterized in that by sequentially moving each of the plurality of compartments to be separated in each compartment by the collecting unit to be collected.
 내부에 포집공간을 구비한 챔버;
상기 챔버의 내부로 가스가 유입되도록 유입구가 형성된 유입부;
상기 포집공간에 구비되어, 상기 유입구로 유입된 가스와 접촉하여 반응부산물을 포집할 수 있는 플레이트가 형성된 포집부; 및
상기 포집부를 이동하면서 미 반응한 가스가 외부로 배출되도록 배출구가 형성된 배출부;를 포함하고,
상기 포집부는,
상기 가스의 이동방향으로 구비된 지지대 및
상기 지지대에 이격되어 다수 구비되는 제1플레이트를 포함하고,
상기 제1플레이트는, 상기 포집공간을 이동하는 가스와 접촉 반응하여, 반응부산물을 포집하고,
상기 포집공간을 구획하여 반응부산물을 분리 포집하는 다수의 구획공간으로 분할하고, 상기 가스의 이동유로를 축소시킬 수 있도록 관통공이 형성된 격벽;을 더 포함하고,
상기 지지대는, 다수개가 상기 관통공을 관통하도록 구비되고,
상기 제1플레이트는, 각각의 지지대에 다수개 구비되고, 상기 관통공의 크기보다 작게 형성되고,
상기 포집부는, 상기 지지대에 구비되되 상기 관통공을 통과하기 직전 또는 직후에 가스와 접촉 반응할 수 있도록 상기 관통공에 인접하여 구비되고, 상기 관통공의 크기와 대응하거나 더 크게 형성되어 상기 관통공의 이동유로를 축소시키며 반응부산물을 포집하는 제2플레이트를 더 포함하는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치.
a chamber having a collecting space therein;
an inlet having an inlet for introducing gas into the chamber;
a collecting unit provided in the collecting space and having a plate capable of collecting reaction by-products in contact with the gas introduced into the inlet; and
Including a;
The collection unit,
a support provided in the direction of movement of the gas; and
It includes a first plate spaced apart from the support and provided in plurality,
The first plate reacts in contact with the gas moving in the collection space to collect reaction by-products,
It further includes; partitioning the collecting space into a plurality of compartment spaces for separating and collecting reaction by-products, and a barrier rib having a through hole to reduce the flow path of the gas;
The support is provided so that a plurality of them pass through the through hole,
The first plate is provided in plurality on each support and is formed smaller than the size of the through hole,
The collecting part is provided on the support and is provided adjacent to the through-hole so as to react with the gas immediately before or immediately after passing through the through-hole, and is formed to correspond to or larger than the size of the through-hole. The semiconductor reaction by-product trap device further comprising a second plate for collecting reaction by-products while reducing the flow path of the.
 청구항 4에 있어서,
상기 챔버의 포집공간을 상부와 하부로 구획하여 상기 가스로부터 반응부산물을 포집가능한 포집공간을 형성시키고, 상하부의 포집공간을 연통시키는 연결공이 형성된 분리벽;을 더 포함하고,
상기 분리벽으로 분리된 챔버의 하부 포집공간은, 상부 포집공간보다 저온상태인 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치.
5. The method according to claim 4,
The chamber further includes a partition wall, which divides the collection space into upper and lower portions to form a collection space capable of collecting reaction by-products from the gas, and has a connection hole for communicating the upper and lower collection spaces;
The trap device for trapping semiconductor reaction by-products, characterized in that the lower collecting space of the chamber separated by the dividing wall is in a lower temperature than the upper collecting space.
 청구항 5에 있어서,
상기 격벽은 상기 포집공간의 상부와 하부를 각각 구획하여 상기 다수의 구획공간으로 분할하고,
상기 연결공은, 다수의 상부 구획공간 중, 상기 가스가 이동하는 마지막 상부 구획공간에 형성되고,
상기 배출부는, 다수의 하부 구획공간 중, 상기 가스가 이동하는 마지막 하부 구획공간에 구비되고,
상기 배출구는, 상기 마지막 하부 구획공간의 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치.
6. The method of claim 5,
The partition wall divides the upper and lower portions of the collection space into the plurality of partition spaces,
The connection hole is formed in the last upper partition space in which the gas moves among the plurality of upper partition spaces,
The discharge unit is provided in the last lower partition space in which the gas moves among the plurality of lower partition spaces,
The outlet is a semiconductor reaction by-product trap device, characterized in that formed in the upper portion of the last lower compartment.
 청구항 6에 있어서,
상기 관통공은, 어느 하나의 구획공간이 인접한 구획공간들 중 하나 또는 둘의 구획공간과만 연통되도록 형성되되, 유입부에서 배출부까지의 거리가 최대가 되도록 형성되고,
상기 가스는, 다수의 구획공간을 순차적으로 각각 이동하여 상기 포집부에 의해 각각의 구획공간에서 분리되어 포집되는 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 포집 트랩장치.7. The method of claim 6,
The through-hole is formed so that any one partition space communicates with only one or two partition spaces of the adjacent partition spaces, and is formed so that the distance from the inlet to the outlet is maximized,
The gas is a semiconductor reaction by-product trapping device, characterized in that by sequentially moving each of the plurality of compartments to be separated in each compartment by the collecting unit to be collected. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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