KR100856481B1 - 광발광성 다공성 실리콘을 이용한 니트로 방향족 폭발물탐지용 화학센서 - Google Patents

광발광성 다공성 실리콘을 이용한 니트로 방향족 폭발물탐지용 화학센서 Download PDF

Info

Publication number
KR100856481B1
KR100856481B1 KR1020060078524A KR20060078524A KR100856481B1 KR 100856481 B1 KR100856481 B1 KR 100856481B1 KR 1020060078524 A KR1020060078524 A KR 1020060078524A KR 20060078524 A KR20060078524 A KR 20060078524A KR 100856481 B1 KR100856481 B1 KR 100856481B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
porous silicon
organometallic compound
prepared
chemical sensor
explosives
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020060078524A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070098414A (ko
Inventor
손홍래
고기오
조성하
조성동
김범석
Original Assignee
손홍래
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 손홍래 filed Critical 손홍래
Publication of KR20070098414A publication Critical patent/KR20070098414A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100856481B1 publication Critical patent/KR100856481B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/22—Fuels; Explosives
    • G01N33/227—Explosives, e.g. combustive properties thereof

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)

Abstract

본 발명은 광발광성 다공성 실리콘을 이용하여, 초극미량의 니트로 방향족 화합물을 즉시 감지할 수 있는 폭발물 탐지용 화학센서에 관한 것이다.
본 발명의 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서는 종래의 다공성 실리콘의 제조방법에서 최적의 기공크기 및 형태를 조절하여 제조된 다공성 실리콘; 또는 상기 다공성 실리콘 표면에 유기금속화합물을 고착시켜 다공성 표면을 안정화시켜 제조된 다공성 실리콘;으로 이루어지며, 종래의 화학센서보다 니트로 방향족 폭발물에 대한 탐지도를 높일 수 있다.
광발광성, 다공성 실리콘, 니트로 방향족 폭발물, 탐지도

Description

광발광성 다공성 실리콘을 이용한 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서{CHEMICAL SENSOR SENSITIVE TO NITROAROMATIC COMPOUNDS USING PHOTOLUMINESCENT POROUS SILICON}
도 1은 본 발명에서 전류세기에 따라 제조된 다공성 실리콘의 광발광 강도를 나타낸 것이고,
도 2a는 본 발명에서 제조된 다공성 실리콘의 측면을 FESEM(Field Emission Scanning Electron Microscopy)으로 관찰한 사진이고,
도 2b는 상기 다공성 실리콘의 정면을 FESEM으로 관찰한 사진이고,
도 3은 본 발명에서 전류세기에 따라 제조된 다공성 실리콘의 표면을 FESEM으로 관찰한 사진이고,
(a)는 50㎃/15분의 조건 하에서 제조된 다공성 실리콘 칩의 표면이고,
(b)는 300㎃/5분의 조건 하에서 제조된 다공성 실리콘 칩의 표면이고,
(c)는 50㎃/15분의 조건 하에서 제조된 다공성 실리콘 칩의 기공 깊이이고, (d)는 300㎃/5분의 조건 하에서 제조된 다공성 실리콘 칩의 기공 깊이이다.
도 4는 본 발명에서 제조된 유기금속화합물의 미고착 다공성 실리콘 및 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘의 표면을 FESEM으로 관찰한 사진이고,
도 5는 도 4의 다공성 실리콘의 측면을 FESEM으로 관찰한 사진이고,
도 6은 본 발명의 다공성 실리콘이 자외선에 대한 안정도를 비교한 것이고,
도 7a는 본 발명의 유기금속화합물이 다공성 실리콘의 표면에 고착된 다공성 실리콘 칩이 2,4,6-트리니트로톨루엔(TNT)에 대한 소광효과를 비교한 것이고,
도 7b는 상기 다공성 실리콘 칩이 2,4,6-트리니트로톨루엔(TNT)에 대한 탐지도를 나타낸 것이고,
도 8은 본 발명의 유기금속화합물이 다공성 실리콘의 표면에 고착된 다공성 실리콘 칩이 2,4-디니트로톨루엔(DNT)에 대한 탐지도를 나타낸 것이고,
도 9는 본 발명의 유기금속착화합물이 다공성 실리콘의 표면에 고착된 다공성 실리콘 칩이 피크르산(PA)에 대한 탐지도를 나타낸 것이고,
도 10은 본 발명의 유기금속착화합물이 다공성 실리콘의 표면에 고착된 다공성 실리콘 칩이 니트로벤젠(NB)에 대한 탐지도를 나타낸 것이다.
본 발명은 광발광성 다공성 실리콘을 이용하여 초극미량의 니트로 방향족 화합물을 즉시 감지할 수 있는 폭발물 탐지용 화학센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 종래의 다공성 실리콘의 제조방법에서 최적의 기공크기 및 형태를 조절하여 제조된 다공성 실리콘; 또는 상기 다공성 실리콘 표면에 유기금속화합물을 고착시켜 다공 성 표면을 안정화시켜 제조된 다공성 실리콘;으로 이루어지며, 종래의 화학센서보다 니트로 방향족 폭발물에 대한 탐지도를 증가시킨, 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서에 관한 것이다.
현재 폭발물 탐지 방법에는 휴대용 금속 탐지기, 질량분석기가 장착된 가스 크로마토그래피, 라만 분광기, 핵사중극 공명장치, 에너지 분산성의 X-레이 회절기(energy-dispersive X-ray diffraction), 중성자 활성 분석기 등이 있으며, 이러한 방법은 폭발물의 물리적 특성을 탐지하는 센서로서, 폭발물과 물성이 비슷한 화합물이 있으면 탐지 신호를 발생하여 거짓신호를 주기 때문에 신뢰성이 떨어진다.
일례로, 금속탐지기는 그 폭발물의 성분을 분석하여 탐지하는 것이 아니라 단순히 폭발물 주위를 에워싸고 있는 금속을 탐지하는 것에 불과하기 때문에 만약 폭발물이 플라스틱이나 천연소재 같은 다양한 합성수지를 이용하여 제조된 경우, 기존의 금속 탐지기는 폭발물 탐지기로서의 역할을 수행할 수 없다.
따라서, 초극미량의 폭발물 성분을 탐지하는 화학적 성질을 이용한 화학센서가 필요하나, 아직까지 체계적이거나 보편화되지 못하고 있는 실정이다.
현재 화학센서를 이용한 탐지 방법은 전자부유(electron rich)화합물로부터 전자부족 분석물질(electron deficient analyte)인 폭발물 성분으로 전자가 이동함으로써 형광이 감소함을 측정하는 것으로 실현된다.
따라서, 초극미량의 폭발물 성분을 탐지하기 위한 화학센서는 전자부족(electron deficient) 화합물에 대하여 보다 민감하게 반응할 수 있는 신규한 전자부 유(electron rich) 화합물의 개발이 요구되며, 이로부터 니트로 방향족 폭발물의 탐지한계를 낮추기 위한 연구가 주목된다.
이에, 본 발명자들은 폭발물 성분 탐지용 화학센서로 사용될 수 있는 전자부유 화합물을 탐색한 결과, 다공성 실리콘(porous silicon, PSi)을 착안하였다.
다공성 실리콘은 마이크로칩의 제조에 사용되는 실리콘웨이퍼를 직접 전기화학적으로 부식하여 합성되며, 부식은 나노미터 스케일의 독특한 광학적 성질을 갖는 크리스탈을 생성하도록 한다. 따라서, 다공성 실리콘은 높은 표면적을 가질 뿐 아니라 나노 크기의 기공을 갖는 다공성 표면을 가지고 있어 감지도(sensitivity)를 증가시킬 수 있는 소재로서 적합하다. 이에, 광발광성(photoluminescence) 및 광학적 반사성(optical reflectivity)의 광학적 특성으로 인하여 화학센서로 응용 가능하다.
이와 같은 독특한 광학성질 및 전자적 특성으로 인하여, 다공성 실리콘은 다이오드, 트랜지스터, LED(light-emitting diodes), 및 대형 평면 디스플레이 등의 다양한 전자기기에 응용될 수 있다[대한민국 특허공개 제1996-59829호 및 제1999-016619호].
그러나, 초극미량의 니트로 방향족 화합물을 즉시 감지 할 수 있을 정도의 낮은 탐지한계를 갖는 화학센서로서 활용된 예는 없다.
이에, 본 발명자들은 초극미량의 니트로 방향족 화합물을 즉시 감지 할 수 있을 정 도로 탐지한계를 만족하기 위하여, 다공성 실리콘의 기공크기와 부식 변수들 사이의 관계를 확립하고, 다공성 실리콘의 표면에 다양한 유기금속화합물을 고착시켜 다공성 실리콘의 표면을 안정화시킴으로써, 니트로 방향족 화합물 등의 폭발물에 대한 탐지한계를 낮출 수 있음을 확인함으로써, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 광발광성 다공성 실리콘으로 이루어진 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 다공성 실리콘 표면에 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘으로 이루어진 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 다공성 실리콘 또는 그 표면에 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 광발광성 다공성 실리콘; 또는 상기 광발광성 다공성 실리콘의 표면에 유기금속화합물이 고착되어 제조된 다공성 실리콘;으로 이루어진 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서를 제공한다.
상기에서 유기금속화합물은 상기 다공성 실리콘 표면의 Si-H와 하이드로실릴 반응(hydrosilylation)으로 제조될 수 있는 비닐기를 갖는 화합물이 바람직하며, 보 다 구체적으로는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하는 것이다.
Figure 112006059063126-pat00001
니트로 방향족 폭발물은 2,4,6-트리니트로톨루엔, 2,4-디니트로톨루엔, 피크르산 및 니트로벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.
또한 본 발명은 실리콘웨이퍼를 전기화학적 방법으로 에칭하여 제조되는 다공성 실리콘의 제조방법에 있어서, 상기 전기화학적 방법이 전류세기 50∼300 ㎃/㎠ 및 에칭 시간 5∼15분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘의 제조방법을 제공한다.
바람직하게는 상기 전기화학적 방법이 전류세기 200∼300 ㎃/㎠로 수행되는 것이다.
또한 본 발명은 상기 다공성 실리콘의 표면에 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘의 제조방법을 제공한다.
보다 구체적으로는 상기 제조방법으로 제조된 다공성 실리콘을 유기금속화합물이 헥산, 톨루엔 및 하이드로테트라퓨란으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 유기용매에 용해되어 준비된 용액에 혼합한 후, 하이드로실릴 반응(hydrosilylation)으로 제조되는 것이다.
상기 하이드로실릴 반응이 광반응 또는 열반응으로 수행되는 것이 바람직하다.
또한 상기 유기금속화합물은 상기 다공성 실리콘 표면의 Si-H와 하이드로실릴 반응(hydrosilylation)으로 제조될 수 있는 비닐기를 갖는 화합물이면 가능하고, 더욱 바람직하게는 화학식 1로 표시되는 디비닐테트라페닐실올 또는 화학식 2로 표시되는 메틸비닐테트라페닐실올을 사용하는 것이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.
본 발명은 광발광성 다공성 실리콘 또는 그 표면에 유기금속화합물이 고착되어 제조된 다공성 실리콘;으로 이루어진 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서를 제공한다.
즉, 본 발명의 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서는 종래의 다공성 실리콘의 제조방법에서 최적의 기공크기 및 형태를 조절하여 제조된 다공성 실리콘; 또는 상기 다공성 실리콘 표면에 유기금속화합물을 고착시켜 다공성 표면을 안정화시켜 제조된 다공성 실리콘;으로 이루어지며, 종래의 화학센서보다 니트로 방향족 폭발물에 대한 탐지도를 높일 수 있다.
상기 니트로 방향족 폭발물은 2,4,6-트리니트로톨루엔(TNT), 2,4-디니트로톨루엔(DNT), 피크르산(PA) 및 니트로벤젠(NB)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하 나에 대하여 탐지도를 관찰한다.
이에, 본 발명은 실리콘웨이퍼를 전기화학적 방법으로 에칭하여 제조되는 종래의 다공성 실리콘의 제조방법에 있어서, 상기 전기화학적 방법이 전류세기 50∼300 ㎃/㎠ 및 에칭 시간 5∼15분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘의 제조방법을 제공한다.
상기 50∼300 ㎃/㎠의 전류세기에 따라 제조된 다공성 실리콘의 경우, 광발광 강도가 우수하며, 더욱 바람직하게는 200∼300 ㎃/㎠로 실시하고, 가장 바람직하게는 300 ㎃/㎠로 실시하여 제조된 다공성 실리콘의 광발광 세기가 우수하다(도 1).
즉, 전류세기가 증가하고 에칭시간이 감소할수록, 다공성 실리콘의 표면에 많은 크랙 현상이 확인됨으로써, 기공 크기가 크고 기공의 깊이가 얕은 것을 확인할 수 있다(도 2a, 도 2b 및 도 3).
특히, 전류세기 300 ㎃/㎠로 실시하여 제조된 다공성 실리콘의 경우, 기공의 깊이가 얕고, 기공 크기가 커짐으로써, 니트로 방향족 폭발물에 대한 탐지도가 증가하고(도 7a, 도 7b, 도 8 내지 도 10), 이러한 특성은 큰 분자인 유기금속화합물이 보다 용이하게 표면 고착화시킬 수 있도록 한다.
본 발명은 상기 다공성 실리콘의 표면에 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘의 제조방법을 제공한다.
보다 구체적으로는 상기 제조된 다공성 실리콘을 준비하고, 유기금속화합물이 헥 산, 톨루엔 및 하이드로테트라퓨란으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 유기용매에 용해된 용액에 혼합한 후, 하이드로실릴 반응(hydrosilylation)으로 제조된다.
즉, 다공성 실리콘의 표면은 실리콘-하이드라이드(Si-H)로 노출되어 있는데, 이러한 Si-H 작용기는 산화반응에 민감하다. 따라서, 상기 Si-H 작용기와 반응할 수 있는 비닐기를 갖는 화합물과 하이드로실릴 반응(hydrosilylation)하여 산화방지 효과를 갖는, 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘을 제조할 수 있다.
상기 유기금속화합물이라 함은 상기 다공성 실리콘 표면의 Si-H와 하이드로실릴 반응(hydrosilylation)으로 제조될 수 있는 비닐기를 갖는 화합물이면 사용할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 바람직한 일례로 화학식 1로 표시되는 디비닐테트라페닐실올 및 화학식 2로 표시되는 메틸비닐테트라페닐실올을 이용하여 상세히 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
화학식 1
Figure 112006059063126-pat00003
상기 디비닐테트라페닐실올은 하기 반응식 1에 의하여 제조된다.
Figure 112006059063126-pat00004
상기 화학식 1의 디비닐테트라페닐실올의 경우, 하기 반응식 2의 광반응 또는 반응식 3의 열반응에 의해 다공성 실리콘의 표면 상에서 하이드로실릴 반응이 수행된다.
광반응에 의한 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘의 제조
Figure 112006059063126-pat00005
열반응에 의한 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘의 제조
Figure 112006059063126-pat00006
또한, 유기금속화합물인 화학식 2로 표시되는 메틸비닐테트라페닐실올의 경우, 광반응 또는 열반응에 의해, 하기 반응식 4와 같은 거동을 보인다.
Figure 112006059063126-pat00007
상기 제조된 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘은 미고착된 경우보다 더 많은 기공이 형성되며(도 4), 니트로 방향족 폭발물에 대한 소광효과가 향상되므로, 폭발물에 대한 탐지도가 현저히 증가된다(표 1). 즉, 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘은 유기금속화합물로서 사용된 비닐테트라페닐실올 또는 메틸비닐테트라페닐실올의 유기그룹이 코아-쉘의 껍데기 층과 유사한 기능을 하여, 다공성 실리콘 표면의 안정화에 기여한다. 그 결과로서, 유기금속화합물 중, 디비닐테트라페닐실올이 광발광성 다공성 실리콘의 표면에 고착된 다공성 실리콘은 공기와 자외선에 대하여 상당히 안정된 결과를 보이며(도 6), 폭발물에 대한 탐지도의 증가 즉, 니트로 방향족 폭발물에 대한 탐지한계를 낮출 수 있다(도 7a, 도 7b, 도 8 내지 도 10).
이하, 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다.
하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1> 다공성 실리콘 칩의 제조 1
테프론 재질의 에칭 셀에 1∼10 Ω㎝의 저항을 가진 n-type 실리콘 웨이퍼(phosphorous doped, 실트론 사)를 0.2 ㎠의 넓이로 잘라 테프론 셀과 O-링 실(seal) 사이에 넣은 후, 에칭액을 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 주입 후 300W 텅스텐 램프로 빛을 주면서 O-형으로 구부린 양(+)전극인 플래티늄 와이어 및 음(-)전극인 알루미늄 호일에 흘려 웨이퍼를 부식(etching)하였다.
이때, 에칭액은 순수 에탄올(피셔 과학사) 및 48 wt% HF(피셔 과학사)을 1:1로 혼합하여 제조하고, 정전압(galvanostat) 기기를 이용하여 전류세기 50 ㎃/㎠로 15분 동안 에칭하여 다공성 실리콘을 제조하였다.
상기 다공성 실리콘을 제조한 후, 에탄올로 세척하고 N2 가스로 건조시킨 후, 플라 스크에 넣고 1 시간 정도 감압하여 다공성 실리콘 기공에 남아있을 불순물들을 제거하였다.
<실시예 2∼7> 다공성 실리콘 칩의 제조 2∼7
전류세기를 5, 100, 200, 300, 400 및 500 ㎃/㎠로 수행한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 다공성 실리콘을 제조하였다. 단, 전류세기가 높아짐에 따라 반비례 조건으로 시간을 조절하였다.
<실시예 8> 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘 칩의 제조 8
단계 1: 디비닐테트라페닐실올(Divinyltetraphenylsilole; DVTPS)의 합성
정제된 디에틸에테르를 준비하고 디페닐아세틸렌(18g, 100 mmole)과 리튬( 2.76g, 400 mmole)을 준비하였다. 슈랭크 라인(vacuum line)을 설치하여 진공상태로 유지시키고, 250㎖ 둥근 플라스크에 디페닐아세틸렌(18g, 100 mmole)과 리튬(2.76g, 400 mmole)을 넣고 정제된 디에틸에테르 120㎖를 첨가하여 한 시간 반 동안 교반하였다. 노란색 침전물이 생기면 액체 질소로 급속냉각시켜 고체상태일 때 SiCl4(23㎖, 200 mmol)를 첨가하여 서서히 침투하듯 반응시키고 상온이 될 때까지 30분 정도 방치한 다음 디에틸에테르를 충분히 넣고 교반시킨 후 12시간 방치하여 노란색 침전물과 녹색의 용액을 분리하였다. 상기 용액을 케뉼라(cannulation)를 이용하여 다른 플라스크로 이동시켜서 결정이 생길 때까지 용매를 과압하에서 증발시켰 다. 결정이 생기면 물 중탕 하에서 다시 녹인 다음에 -20℃에서 재결정하였다.
디비닐테트라페닐실올의 합성은 디클로로테트라페닐실올(3.0g, 6.6 mmol)을 THF 120 ㎖에 넣고 3∼4 시간동안 상온에서 교반시킨 후, 액체 질소로 급속냉각(-197℃)시켜 고체상태로 제조하였다. 반응 용액을 냉각시킨 후 비닐마그네슘 브로마이드(C2H3BrMg, 알드리치사)(6.0 g, 13.2 mmol)을 첨가하여 서서히 침투하듯 반응시킨 후, 3-4 시간동안 상온에서 교반하였다. 후에 반응하지 않고 남은 비닐마그네슘 브로마이드를 제거하기 위하여 염산을 과량으로 첨가한 비닐마그네슘 브로마이드의 양만큼 첨가하여 1 시간동안 교반시켜 제거하였다[1H-NMR(300.40 MHz, CDCl3/TMS) : δ=6.80-7.10(m, 20H, Ph), 5.92-6.47(m, 3H,=CH)이고, 13C-NMR(125.84 MHz, CDCl3/TMS):δ=155.97, 139.30, 138.78, 138.51, 137.50, 131.18, 129.87, 129.20, 127.81, 127.48, 126.35, 125.70, GC/MS: calcd. DVTPS(C48H6Ph4Si) 438.00, found 438.2[M+], UV-vis : λabs = 364.50 nm].
단계 2: Photolytic hydrosilylation
단계 1에서 제조된 디비닐테트라페닐실올 0.5g을 헥산 50㎖에 녹인 후 상기 실시예에서 상기 300 ㎃/㎠에 5분을 에칭하여 제조된 다공성 실리콘 칩을 첨가하였다. 상기 용액에 300W의 텅스텐 램프의 빛과 UV-light(306 nm)을 사용하여 상온에서 14시간동안 반응하였다. 반응이 끝난 후에 다공성 실리콘 칩을 에탄올과 메틸렌클로 라이드로 다공성 실리콘 칩의 표면에 남아있을 유기물들을 제거하기 위해 30분 정도 세척하였고, 마지막으로 하이드로플로라이드로 추가 세척하였다. 세척 후 샘플은 질소가스를 불어줌으로써 건조하여, 형광성 유기금속화합물인 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘을 제조하였다.
<실시예 9> 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘 칩의 제조 9
상기 단계 2에서 헥산 대신에, 용매를 톨루엔 50㎖에 실시하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 3과 동일하게 실시하여 형광성 유기금속화합물인 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘을 제조하였다.
<실시예 10> 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘 칩의 제조 10
상기 단계 2에서 헥산 대신에, 용매를 테트라하이드로퓨란 50㎖에 실시하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 3과 동일하게 실시하여 형광성 유기금속화합물인 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘을 제조하였다.
상기 실시예 3 내지 5에서 광반응으로 인해 형광성 유기금속화합물인 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘에 대하여, 적외선 분광기(Nicolet 5700 FTIR spectrometer)를 사용하여 확인한 결과, 다공성 실리콘에 대응하여 υ(CHx)=2800∼3000 nm 피크를 확인함으로써, 상기 유기금속화합물이 고착되었음을 확인하였다[미도시].
또한, 합성된 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘에 대하여, 광학기기(Ocean Optics 2000 spectrometer)를 이용하여 광발광성을 측정한 결과, 용매로서 헥산을 사용한 경우가 광발광성이 우수함을 확인하였다[미도시].
<실시예 11> 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘 칩의 제조 11
상기 실시예 3의 단계 2에서, 디비닐테트라페닐실올 0.5g을 톨루엔 50㎖에 녹인 후 24시간 동안 환류반응하여 실시(thermal hydrosilylation)하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 3과 동일하게 실시하여 형광성 유기금속화합물인 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘을 제조하였다.
상기 실시예 6에서 열반응으로 인해 형광성 유기금속화합물인 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘에 대하여, 상기 유기금속화합물의 고착여부를 분석하기 위하여, 적외선 분광기(Nicolet 5700 FTIR spectrometer)를 사용하여 측정한 결과, 특성피크를 확인[υ(CHx)=2800∼3000 nm, υ(CHx)=1500nm, υ(Si-O-CH3)=750nm, υ(Si-CH3)=1200nm]함으로써, 상기 유기금속화합물의 고착을 확인하였다.
또한, 합성공정이 광반응 또는 열반응에 따라 합성된 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘에 대하여, 광학기기(Ocean Optics 2000 spectrometer)를 이용하여 광발광성을 측정한 결과, 열반응으로 합성한 경우, 높은 발광성을 확인하였다[미도시].
< 실시예 12> 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘 칩의 제조 12
단계 1: 메틸비닐테트라페닐실올(Methylvinyltetraphenylsilole)의 합성
메틸클로로테트라페닐실올의 합성: 디페닐아세틸렌(17.8g, 100 mmole), 리튬(2.76g, 400 mmole) 및 증류된 순수한 디에틸에테르 용매 120㎖를 준비하였다. 실험에 앞서, 슈랭크 라인(vacuum line)을 설치하여 진공상태로 유지시키고, 아르곤 가스를 흘려보내주면서 상기 시료를 넣었다. 250㎖ 둥근 플라스크에 디페닐아세틸렌(17.8 g, 100 mmole)과 리튬(2.76g, 400 mmole)을 넣고 정제된 디에틸에테르 120㎖를 첨가하고 2∼3 시간동안 교반하였다. 이때, 진공 펌프와 아르곤 가스를 이용하여 잔여 산소를 제거하는 동시에 진공 상태로 유지시켰다. 노란색 침전물이 플라스크 벽면에 생기면 액체 질소를 이용하여 -197℃ 상태로 플라스크 안의 반응물을 급속냉각시켜 고체상태일 때 메틸트리클로로실란(MeSiCl3, 29.35㎖, 250 mmole)를 첨가하여 서서히 침투하듯 한 방울씩 첨가하였다. 상온이 될 때까지 30분 정도 방치한 다음, 디에틸에테르를 충분히 넣고 교반시킨 후 12시간 방치하여 침전물 층과 녹색의 용액 층으로 분리하였다. 상기 용액을 케뉼라(cannulation)를 이용하여 다른 플라스크로 이동시켜서 결정이 생길 때까지 용매를 과압하에서 증발시켰다. 어느 순간부터 플라스크의 벽면에 메틸트리클로로실란 결정이 붙게 되는데 이때, 물중탕에 결정을 다시 녹이고 -20℃ 냉각 상태에서 24시간 이상 보관하면 메틸클로로테트라페닐실올의 결정을 얻었다.
메틸비닐테트라페닐실올의 합성: 상기 제조된 메틸클로로테트라페닐실올(4.35g, 10 mmole)을 상온에서 정제된 THF 용매 100 ㎖에 녹인 다음, 드라이아이스와 아세톤을 이용하여 -78℃에서 약 30분 정도 고체상태로 냉각시켜, 반응용액을 냉각시킨 후, 냉각 장치를 제거하고 비닐마그네슘브로마이드(C2H3MgBr, 1.35 ㎖, 10 mmole, 알드리치사)를 아르곤 가스 하에서 한 방울씩 떨어뜨려 침투하듯이 첨가하여, 3 시간동안 교반하였다.
반응하지 않고 남은 비닐마그네슘 브로마이드를 제거하기 위하여 염산을 과량으로 첨가한 비닐마그네슘 브로마이드의 양만큼 첨가하여 1 시간동안 교반시켜 제거하였다. 분별깔때기를 이용하여 work-up시켜준 후, 유기층만을 분리하여 다시 디에틸에테르에 녹여 감압 하에서 결정화 시켜, 순수한 메틸메틸비닐테트라페닐실올을 얻었다.
단계 2: Photolytic hydrosilylation
단계 1에서 제조된 메틸비닐테트라페닐실올 0.5g을 헥산 50㎖에 녹인 후 상기 실시예에서 상기 300 ㎃/㎠에 5분을 에칭하여 제조된 다공성 실리콘 칩을 첨가하였다. 상기 용액에 300W의 텅스텐 램프의 빛과 UV-light(306 nm)을 사용하여 상온에서 14시간동안 반응하였다. 반응이 끝난 후에 다공성 실리콘 칩을 에탄올과 메틸렌클로라이드로 다공성 실리콘 칩의 표면에 남아있을 유기물들을 제거하기 위해 30분 정도 세척하였고, 마지막으로 하이드로플로라이드로 추가 세척하였다. 세척 후 샘플 은 질소가스를 불어줌으로써 건조하여, 형광성 유기금속화합물인 메틸비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘을 제조하였다.
< 실시예 13> 유기금속화합물이 고착된 다공성 실리콘 칩의 제조 13
상기 실시예 12의 단계 2에서, 메틸비닐테트라페닐실올 0.5g을 톨루엔 50㎖에 녹인 후 24시간 동안 환류반응하여 실시(thermal hydrosilylation)하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 12와 동일하게 실시하여 형광성 유기금속화합물인 메틸비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘을 제조하였다.
<실험예 1> 다공성 실리콘 칩의 광발광성 측정
상기 실시예 1 내지 7에서 제조된 다공성 실리콘 칩에 대한 광발광성을 측정하기 위하여 하기와 같이 실시하였다.
상기 실시예 1 내지 7에서 제조된 다공성 실리콘 칩의 표면에 여기 소스(excitation source)로서, blue LED(λmax = 480 ㎚)를 45°각도로 조사하는 방법으로 광학기기(Ocean Optics 2000 spectrometer)를 이용하여 다공성 실리콘의 고유 발광성을 측정하였다.
도 1은 본 발명에서 전류세기에 따라 제조된 다공성 실리콘의 광발광 강도를 나타낸 것으로서, 전류세기 50∼300 ㎃/㎠로 수행하여 제조된 다공성 실리콘 칩이 높은 광발광 세기를 나타냄을 확인하였다.
상기 결과로부터, 300 ㎃/㎠로 5분 동안 실시하여 제조된 다공성 실리콘 칩의 경 우, 특히 광발광 세기가 우수함을 확인하였다.
<실험예 2> 다공성 실리콘 칩의 표면 측정
상기 실시예 1에서 제조된 다공성 실리콘 칩의 표면을 FESEM(Field Emission Scanning Electron Microscopy)를 이용하여 측정하였다.
도 2a 및 도 2b는 실시예 1에서 제조된 다공성 실리콘 칩의 측면 및 정면을 관찰한 결과로서, 다공성 실리콘의 표면에는 기공 형성이 관찰되었으며, 상기 기공은 일정한 기공의 깊이를 갖는 것을 확인하였다.
또한, 실시예 1에서 제조된 다공성 실리콘 칩과 광발광 세기가 높은 조건인 300 ㎃/5분의 조건 하에서 제조된 다공성 실리콘 칩의 표면을 측정하여 비교하였다.
도 3은 본 발명에서 전류세기에 따라 제조된 다공성 실리콘의 표면을 관찰한 사진이다.
보다 상세하게는 300 ㎃/5분의 조건 하에서 제조된 다공성 실리콘 칩(b)의 경우, 상대적으로 작은 전류인 50 ㎃/15분의 조건 하에서 제조된 다공성 실리콘 칩(a)보다 표면에 많은 크랙(crack) 현상을 확인하였다.
또한, 기공의 깊이는 에칭 시간에 따라 비례하므로 5분 동안 전류를 흘려준 다공성 실리콘 칩(d)보다 15분 동안 전류를 흘려준 다공성 실리콘 칩(c)의 경우, 기공의 깊이가 3배정도 더 큼을 확인하였다.
따라서, 본 발명의 300 ㎃/㎠로 5분 동안 실시하여 제조된 다공성 실리콘 칩은 높은 전류세기 및 짧은 에칭시간으로 수행된 것으로서, 기공 깊이가 얕고, 기공 크기가 큰 것으로 확인되었다.
도 4는 본 발명에서 제조된 유기금속화합물의 미고착 다공성 실리콘 및 고착된 다공성 실리콘의 표면을 비교하기 위한 사진이다.
사용된 다공성 실리콘은 300 ㎃/㎠로 5분 동안 전기화학적 부식하여 합성된 것을 사용하고, (a)는 미고착된 다공성 실리콘이고, (b), (c) 및 (d)는 표면에 유기금속화합물 중, 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘에 대한 FESEM으로 관찰된 표면사진이다.
그 결과, 표면에 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘의 경우, 더 많은 기공을 확인하였다.
도 5는 본 발명에서 제조된 유기금속화합물의 미고착 다공성 실리콘 및 고착된 다공성 실리콘의 측면을 FESEM으로 관찰된 사진으로서, 다공성 실리콘은 300 ㎃/㎠로 5분 동안 전기화학적 부식하여 합성된 것을 사용하고, (a)는 미고착된 다공성 실리콘이고, (b)는 표면에 유기금속화합물 중, 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘에 대한 결과로서, 기공이 전류의 흐름에 따라 형성됨을 확인할 수 있다.
<실험예 3> 자외선에 대한 안정도 측정
상기 실시예에서 제조된 다공성 실리콘에 대하여, 니트로 방향족 화합물의 탐지도를 측정하기 전에, 기공크기와 탐지도의 상관관계를 알아보기 위하여 자외선에 대한 안정도를 측정하였다.
상기 실시예 1에서 50 ㎃/㎠에서 15 분 동안 제조된 다공성 실리콘에 합성공기를 불어주면서 자외선(λmax = 380 ㎚)으로 광 발광성을 측정하였다.
실시예 5에서 제조된 300 ㎃/㎠에서 5 분 동안 제조된 다공성 실리콘에 합성공기를 불어주면서 자외선(λmax = 480 ㎚)으로 광 발광성을 측정하였다.
또한, 실시예 11에서 제조된 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘에 합성공기를 불어주면서 자외선(λmax = 380 ㎚)으로 광 발광성을 측정하였다. 이때, 광 발광성의 소광효과를 [I/Io]로 하여 발광영역인 400 ∼ 900 nm 사이에서 발광밴드의 면적(area) 차이로 산출하였다.
도 6은 본 발명의 다공성 실리콘이 자외선에 대한 안정도를 비교한 것으로서, 자외선에 대한 안정도를 확인하였으며, 실시예 5에서 제조된 다공성 실리콘의 경우 30분 동안에 6.3%의 소광효과를 보였으며, 480 nm의 자외선 영역 하에서 비교적 안정하였다.
특히, 실시예 11에서 제조된 디비닐테트라페닐실올이 고착된 다공성 실리콘의 경우, 30분 동안 0.00%로 유지됨으로써, 공기와 자외선에 대하여 상당히 안정된 결과를 확인하였다.
<실험예 4> 소광효과 측정
상기 실시예에서 제조된 다공성 실리콘이 폭발물 성분인 니트로 방향족 화합물에 대한 탐지도를 측정하기 위하여 하기와 같이 수행하였다.
실험에 사용된 다공성 실리콘은 실시예 1, 실시예 5, 실시예 11 및 실시예 12에서 제조된 다공성 실리콘이며, 니트로 방향족 화합물로는 니트로벤젠(NB) (99%, 알드리치사), 2,4-디니트로톨루엔(DNT) (97%, 알드리치사) 및 피크르산(PA) (98%, 알드리치사)를 사용하였으며, 2,4,6-트리니트로톨루엔(TNT)은 실험실에서 합성하여 사용하였다.
실험방법은 상기 니트로 방향족 화합물은 U-자형 유리관에 DNT(0.4 g), TNT(0.4 g), PA(0.4 g) 또는 NB (0.3 ㎖)를 넣고 유리솜으로 막아 니트로 방향족 화합물의 증기만을 측정할 수 있게 설치하였다. 이때, 상기 니트로 방향족 화합물의 증기(vapor)를 불어주는데 합성공기(80% N2, 20% O2, 100 mLmin-1)를 30분 동안 불어 줌으로써 다공성 실리콘의 안정성을 높인 후 사용하였고, 플로우 미터를 사용하여 공기의 압력을 조정, 측정하였다.
이때, 측정 시간은 TNT, DNT 및 PA의 경우는 30분 동안 실시하였으며, 액체 상태인 NB는 50초 동안 실시하였다. 이에, 실험결과를 하기 표 1 및 도 7a 내지 도 10에 기재하였다.
Figure 112006059063126-pat00008
상기 표 1의 결과로부터, 유기금속화합물이 다공성 실리콘 표면에 미고착된 실시예 1 및 실시예 5의 경우, 전류세기가 증가할수록 다공성 실리콘 칩의 소광효과가 우수하여 폭발물에 대한 탐지도가 증가되었다. 즉, 실시예 1보다 전류세기를 증가시켜 기공의 깊이를 얕고 크기를 증가시킨 실시예 5의 다공성 실리콘(도 3) 칩이 2 배정도의 탐지도가 증가하였다.
또한, 전류세기 조건이 동일하나, 다공성 실리콘 표면에 유기금속화합물의 고착 여부에 따라, 유기금속화합물이 고착된 실시예 11 및 실시예 12의 다공성 실리콘 칩이 소광효과가 향상되므로, 폭발물에 대한 탐지도가 증가되었다. 상기 결과로부터, 실시예 11 및 실시예 12의 다공성 실리콘 칩은 유기금속화합물로서 사용된 디비닐테트라페닐실올 또는 메틸비닐테트라페닐실올의 유기그룹이 코아-쉘의 껍데기 층과 유사한 기능을 하여, 다공성 실리콘 표면의 안정화에 크게 기여하는 것으로 확인하였다. 따라서, 유기금속화합물이 고착됨으로써, 다공성 실리콘 칩의 표면 안정성을 높임으로써, 폭발물에 대한 탐지도의 증가 즉, 니트로 방향족 폭발물에 대한 탐지한계도 낮출 수 있다.
도 7a는 유기금속화합물 중, 디비닐테트라페닐실올이 광발광성 다공성 실리콘의 표면에 고착된 다공성 실리콘이 2,4,6-트리니트로톨루엔(TNT)에 대한 소광효과를 비교한 것이고, 도 7b는 상기 다공성 실리콘 칩이 2,4,6-트리니트로톨루엔(TNT)에 대한 탐지도를 나타낸 것이다.
도 8은 2,4-디니트로톨루엔(DNT), 도 9는 피크르산(PA) 및 도 10은 니트로벤젠(NB)에 대한 탐지도를 나타낸 것이다.
상기 결과로부터, 본 발명의 디비닐테트라페닐실올이 광발광성 다공성 실리콘의 표면에 고착된 다공성 실리콘 칩은 니트로 방향족 폭발물에 대한 탐지도가 니트로벤젠 > 2,4,6-트리니트로톨루엔 > 피크르산 > 2,4-디니트로톨루엔의 순서로 높았다. 이러한 결과는 니트로 방향족 화합물의 전자부족성질 정도에 의존하는 것이다.
또한, 유기금속화합물 중, 메틸비닐테트라페닐실올이 광발광성 다공성 실리콘의 표면에 고착된 다공성 실리콘 칩도 니트로 방향족 폭발물에 대한 탐지도가 니트로벤젠 > 2,4,6-트리니트로톨루엔 > 피크르산 > 2,4-디니트로톨루엔의 순서로 높은 결과를 확인하였다(미도시).
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은
첫째, 종래의 다공성 실리콘의 제조방법에서 최적의 기공크기 및 형태를 조절하여 제조된 다공성 실리콘으로 이루어진 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서를 제공하였고,
둘째, 상기 다공성 실리콘 표면에 유기금속화합물을 고착시켜 다공성 표면을 안정화시켜 제조된 다공성 실리콘으로 이루어진 것으로 종래의 화학센서보다 니트로 방향족 폭발물에 대한 탐지한계를 낮출 수 있는 화학센서를 제공하였다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (12)

  1. 실리콘웨이퍼를 전류세기 200∼300 ㎃/㎠ 및 에칭 시간 5∼15분 동안 전기화학적 방법으로 에칭하여 제조된, 광발광성 다공성 실리콘; 또는
    상기 광발광성 다공성 실리콘 상에, 다공성 실리콘 표면의 Si-H와 하이드로실릴 반응(hydrosilylation)으로 제조될 수 있는 비닐기를 갖는 유기금속화합물이 고착되어 제조된 다공성 실리콘;으로 이루어진 것을 특징으로 하는 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기금속화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서.
    화학식 1
    Figure 112006059063126-pat00009
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기금속화합물이 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 니트로 방향족 폭발물 탐지용 화학센서.
    화학식 2
    Figure 112006059063126-pat00010
  5. 삭제
  6. 실리콘웨이퍼를 전류세기 200∼300 ㎃/㎠ 및 에칭 시간 5∼15분 동안 전기화학적 방법으로 에칭하여 제조하는 것을 특징으로 하는 니트로 방향족 폭발물 탐지 화학센서용 다공성 실리콘의 제조방법.
  7. 삭제
  8. 제6항의 제조방법으로 제조된 다공성 실리콘을 준비하고,
    다공성 실리콘 표면의 Si-H와 하이드로실릴 반응(hydrosilylation)으로 제조될 수 있는 비닐기를 갖는 유기금속화합물이 헥산, 톨루엔 및 하이드로테트라퓨란으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 유기용매에 용해된 용액을 준비하고,
    상기 다공성 실리콘을 상기 유기금속화합물이 함유된 용액에 혼합한 후, 광반응 또는 열반응으로 수행되는 하이드로실릴 반응으로, 다공성 실리콘 표면상에 유기금속화합물이 고착되는 것을 특징으로 하는 니트로 방향족 폭발물 탐지 화학센서용 다공성 실리콘의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제8항에 있어서, 상기 유기금속화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 제조방법.
    화학식 1
    Figure 112007048157769-pat00011
  12. 제8항에 있어서, 상기 유기금속화합물이 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 제조방법.
    화학식 2
    Figure 112007048157769-pat00012
KR1020060078524A 2006-03-31 2006-08-21 광발광성 다공성 실리콘을 이용한 니트로 방향족 폭발물탐지용 화학센서 Active KR100856481B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060029368 2006-03-31
KR20060029368 2006-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070098414A KR20070098414A (ko) 2007-10-05
KR100856481B1 true KR100856481B1 (ko) 2008-09-04

Family

ID=38804467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060078524A Active KR100856481B1 (ko) 2006-03-31 2006-08-21 광발광성 다공성 실리콘을 이용한 니트로 방향족 폭발물탐지용 화학센서

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100856481B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102308208B (zh) 2008-12-23 2014-12-03 3M创新有限公司 具有微孔有机硅酸盐材料的有机化学传感器
BRPI0918200A2 (pt) * 2008-12-23 2015-12-08 3M Innovative Properties Co elemento de detecção e método de detecção de analitos químicos orgânicos
KR101348989B1 (ko) 2012-03-21 2014-01-10 재단법인 국방기술품질원 전투화에 탈부착이 가능한 지뢰탐지장치
KR102206152B1 (ko) * 2018-10-15 2021-01-22 국방과학연구소 루게이트 다공질 실리콘 양자점의 제조방법 및 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서
KR102170809B1 (ko) * 2018-10-15 2020-10-27 국방과학연구소 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름의 제조 방법 및 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름 기반 폭발물 탐지용 화학센서

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030043264A (ko) * 2001-11-27 2003-06-02 박철홍 전자결핍성화합물과 특이반응하는 폴리치환된 실롤-저몰나노와이어 및 그 제조방법
US20050101026A1 (en) * 2001-09-15 2005-05-12 Sailor Michael J. Photoluminescent polymetalloles as chemical sensors

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050101026A1 (en) * 2001-09-15 2005-05-12 Sailor Michael J. Photoluminescent polymetalloles as chemical sensors
KR20030043264A (ko) * 2001-11-27 2003-06-02 박철홍 전자결핍성화합물과 특이반응하는 폴리치환된 실롤-저몰나노와이어 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070098414A (ko) 2007-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kaur et al. Pentacenequinone derivatives: aggregation-induced emission enhancement, mechanism and fluorescent aggregates for superamplified detection of nitroaromatic explosives
Fan et al. Solid-state fluorescence-based sensing of TATP via hydrogen peroxide detection
Sil et al. Arylene–vinylene terpyridine conjugates: highly sensitive, reusable and simple fluorescent probes for the detection of nitroaromatics
Chen et al. Wide-range thermochromic luminescence of organoboronium complexes
Xiang et al. POSS-based organic–inorganic hybrid nanomaterials: Aggregation-enhanced emission, and highly sensitive and selective detection of nitroaromatic explosives in aqueous media
Cui et al. Tailoring the structures and compositions of one-dimensional organic nanomaterials towards chemical sensing applications
KR100856481B1 (ko) 광발광성 다공성 실리콘을 이용한 니트로 방향족 폭발물탐지용 화학센서
Yuan et al. Metal-free phenylpropiolate–azide polycycloaddition: efficient synthesis of functional poly (phenyltriazolylcarboxylate) s
Raichure et al. Multi-stimuli distinct responsive D–A based fluorogen oligomeric tool and efficient detection of TNT vapor
Han et al. Supramolecular TADF Materials from Calix [3] Acridan and Guest‐Linked Polymers for Rapid and Visual Detection of Trace Benzene
Gaspar et al. Luminescent oxygen probes based on TbIII complexes chemically bonded to polydimethylsiloxane
Yang et al. A series of highly quantum efficiency PMMA luminescent films doped with Eu-complex as promising light-conversion molecular devices
Qian et al. Scaffold-like 3D networks fabricated via the organogelation of β-diketone-boron for fluorescent sensing organic amine vapors
Fan et al. Sensitive and fast fluorescence-based indirect sensing of TATP
Hong et al. Re (I) complex doped nanofibers for oxygen optical sensing
CN115745978B (zh) 基于色酮的有机小分子、方法及基于有机小分子双发射强度及寿命的双比率型温度传感器
Zhang et al. Highly efficient fluorescent film probe of hydrogen peroxide vapor
Kong et al. Surface-enhanced Raman scattering of graphene oxide chemically modified by perylene diimide
Ahmed et al. Highly sensitive fluorescent probes for the quantitative determination of singlet oxygen (1O2)
CN109060739B (zh) 一种检测过氧化氢的方法
Wu et al. A Novel Ratiometric Cationic Iridium (III) Complex Phosphorescent Probe for Hydrogen Peroxide
CN113563278B (zh) 四苯乙烯功能化的联噻唑衍生物及其铱配合物的制备方法与应用
CN110054591A (zh) 一种光致发光材料及其制备方法与应用
AU2022259719B2 (en) Detection method
CN112724963A (zh) 用于甲醛检测的点亮型式荧光探针

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601

AMND Amendment
E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

J201 Request for trial against refusal decision
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PJ0201 Trial against decision of rejection

St.27 status event code: A-3-3-V10-V11-apl-PJ0201

PB0901 Examination by re-examination before a trial

St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PB0901

B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
E801 Decision on dismissal of amendment
PB0601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial

St.27 status event code: N-3-6-B10-B17-rex-PB0601

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20071115

Effective date: 20080515

PJ1301 Trial decision

St.27 status event code: A-3-3-V10-V15-crt-PJ1301

Decision date: 20080515

Appeal event data comment text: Appeal Kind Category : Appeal against decision to decline refusal, Appeal Ground Text : 2006 0078524

Appeal request date: 20071115

Appellate body name: Patent Examination Board

Decision authority category: Office appeal board

Decision identifier: 2007101011752

PS0901 Examination by remand of revocation

St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PS0901

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
PS0701 Decision of registration after remand of revocation

St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PS0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120928

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141105

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150804

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160718

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170828

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180822

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 14

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 15

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 16

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 17

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 18

U11 Full renewal or maintenance fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 18