KR100852508B1 - Vertical furnace having improved structure for dropping temperature - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 프로세스 튜브의 외관에 한 개의 포트와 외관 측면에는 수직방향으로 4개의 노즐 및 외관 상부에 원형 노즐을 각각 형성하여 포트와 노즐을 통해 불활성가스인 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)이 프로세스 튜브 표면인 SiC 라이너 튜브와 프로세스 튜브 사이에 흐르도록 함과 동시에 상기 프로세스 튜브 외관으로부터 흐르는 불활성가스가 SiC 라이너 튜브 외부로 흐르도록 SiC 라이너 튜브를 지지하는 석고블록의 구조를 개선함으로써, 종형열처리장치의 산화공정시 히터에 의해 800 ~ 1200℃의 높은 온도로 상승된 SiC 라이너 튜브의 열을 빠른시간내에 효율적으로 낮춰 생산성을 향상시킨 온도 하강을 위한 개선된 구조를 갖는 종형열처리장치에 관한 것이다.According to the present invention, one port is formed on the exterior of the process tube and four nozzles are formed in the vertical direction on the exterior side, and circular nozzles are formed on the exterior, respectively, so that inert gas (N 2 ) or argon (Ar) is formed through the ports and the nozzles. Vertical heat treatment device by improving the structure of the gypsum block to support the SiC liner tube to flow between the process tube surface and the SiC liner tube and the process tube and at the same time the inert gas flowing from the process tube exterior flows out of the SiC liner tube It relates to a vertical heat treatment apparatus having an improved structure for the temperature drop to improve the productivity by efficiently reducing the heat of the SiC liner tube raised to a high temperature of 800 ~ 1200 ℃ by the heater during the oxidation process of the.
종래의 종형열처리장치는 도 2에 도시한 바와 같이 SiC 라이너 튜브의 열 손 실을 막기 위해 SiC 라이너 튜브를 지지하는 석고블록(1)이 밀폐되도록 형성함으로써, 히터에 의해 상승된 SiC 라이너 튜브의 높은 온도(800 ~ 1200℃)의 열을 배출시키는데 한계가 있어 SiC 라이너 튜브의 온도를 낮추는데 많은 시간이 소요되어 생산성 효율이 저하되는 문제점이 발생하고 있는 실정이다.Conventional vertical heat treatment apparatus is formed to seal the gypsum block (1) supporting the SiC liner tube to prevent heat loss of the SiC liner tube as shown in Figure 2, thereby raising the high Since there is a limit in discharging the heat of the temperature (800 ~ 1200 ℃), it takes a lot of time to lower the temperature of the SiC liner tube is a problem that the productivity efficiency is deteriorated.
또한, 도 3에 도시한 바와 같이 프로세스 튜브(2)는 공정가스가 흐르도록 하는 기능만 할 뿐, 프로세스 튜브(2) 외부 둘레에 형성된 SiC 라이너 튜브(도시 생략)의 상승된 온도를 낮추는데 아무런 대응을 할 수 없도록 구성되어 있다.In addition, as shown in FIG. 3, the
이에 종형열처리장치의 산화공정 후, 높은 온도로 상승된 SiC 라이너 튜브의 온도를 하강시키는데 소요되는 시간을 단축시켜 생산성 효율을 극대화시키는 기술이 필요한 실정이다.Therefore, after the oxidation of the vertical heat treatment apparatus, a situation that requires a technology to maximize the productivity efficiency by reducing the time required to lower the temperature of the SiC liner tube raised to a high temperature.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종형열처리장치의 산화공정 후 상승된 온도를 낮추는데 소요되는 시간적인 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 프로세스 튜브 외관 측면과 상부면에 4개의 노즐 및 원형노즐을 각각 형성함과 동시에 SiC 라이너 튜브를 지지하는 석고블록의 구조를 개선함으로써, 상기 프로세스 튜브 외관으로부터 흐르는 불활성가스가 석고블록을 통해 SiC 라이너 튜브 외관으로 흐르도록 하여 높은 온도로 상승된 SiC 라이너 튜브의 온도를 효율적으로 낮춰 생산성 효율을 극대화시킨 온도 하강을 위한 개선된 구조를 갖는 종형열처리장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention is to solve the time problem required to lower the elevated temperature after the oxidation process of the vertical heat treatment apparatus as described above, the object of the present invention is to provide four nozzles and circular nozzles on the side and top surface of the process tube By improving the structure of the gypsum block that supports the SiC liner tube while forming each of them, the temperature of the SiC liner tube raised to a high temperature by allowing the inert gas flowing from the process tube exterior to flow through the gypsum block to the SiC liner tube exterior. It is to provide a vertical heat treatment apparatus having an improved structure for the temperature drop to maximize the productivity efficiency by lowering the efficiency efficiently.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 온도 하강을 위한 개선된 구조를 갖는 종형열처리장치는 히터와, 상기 히터 내부에 중앙에 위치하는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼가 거치되도록 하는 보트와, 내부에 공정가스가 흘러 상기 웨이퍼 표면에 산화공정이 가능하도록 한 상기 웨이퍼 외곽에 형성된 원기둥 형상의 프로세스 튜브와, 상기 히터로부터 발산되는 열을 전달받아 상기 프로세스 튜브 전체에 균일한 온도를 제공하도록 프로세스 튜브 외곽에 형성된 원기둥 형상의 SiC 라이너 튜브와, 상기 SiC 라이너 튜브를 지지하도록 SiC 라이너 튜브 하단부에 형성된 석고블록과, 상기 석고블록을 지지하도록 하단부에 형성된 플레이트로 구성된 종형열처리장치에 있어서, 상기 석고블록은 SiC 라이너 튜브를 지지함은 물론, SiC 라이너 튜브의 좌우 유동을 막기 위해 석고블록 내주면의 높이를 외주면 보다 낮게 형성한 단층구조 형상으로 이루어진 6개의 지지부 및, 상기 6개 각각의 지지부 사이에 상기 프로세스 튜브 외관으로부터 흐르는 불활성가스가 SiC 라이너 튜브 외부로 흐를 수 있도록 유로 역할을 하는 굴곡진 형상의 6개의 불활성가스 유로로 구성된 것을 특징으로 한다.A vertical heat treatment apparatus having an improved structure for lowering the temperature of the present invention for achieving the above object comprises a heater, a wafer centrally located in the heater, a boat for mounting the wafer, and a process gas therein. A cylindrical process tube formed on the outside of the wafer to allow oxidation process on the surface of the wafer, and a cylindrical shape formed on the outside of the process tube to provide uniform temperature to the entire process tube by receiving heat emitted from the heater. In the vertical heat treatment apparatus consisting of a SiC liner tube, a gypsum block formed at the lower end of the SiC liner tube to support the SiC liner tube, and a plate formed at the lower end to support the gypsum block, the gypsum block supports the SiC liner tube Of course, to prevent the left and right flow of the SiC liner tube Six supports formed of a single-layer structure having a high block inner circumferential surface lower than the outer circumferential surface, and between each of the six support portions, an inert gas flowing from the exterior of the process tube serves as a flow path to flow out of the SiC liner tube. It is characterized by consisting of six inert gas flow path of the curved shape.
또한, 본 발명의 프로세스 튜브는 외관에 불활성가스인 질소가스(N2) 또는 아르곤(Ar)이 유입될 수 있도록 한 개의 포트(PORT)를 추가 형성하고 포트를 통해 유 입된 불활성가스의 통로 역할을 하도록 프로세스 튜브 외관에 형성된 노즐로 구성되되, 상기 프로세스 튜브 외관에 형성되는 노즐은 프로세스 튜브 하단부 외관 둘레를 감싸도록 원형의 노즐이 형성되고 상기 원형 노즐과 연결되어 수직으로 4개의 노즐이 프로세스 튜브 상단부까지 형성되며, 수직으로 형성된 4개의 노즐 표면에는 프로세스 튜브의 하부에서 상부로 갈수록 직경의 크기가 커지도록 형성된 불활성가스의 통로역할을 하는 다수의 홀로 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the process tube of the present invention forms an additional port (PORT) to allow the introduction of inert gas nitrogen gas (N 2 ) or argon (Ar) in the appearance and serves as a passage of the inert gas introduced through the port. It consists of a nozzle formed on the outer surface of the process tube, wherein the nozzle formed on the outer surface of the process tube is formed with a circular nozzle to surround the outer surface of the lower end of the process tube and is connected to the circular nozzle and four nozzles vertically to the upper end of the process tube Four nozzles are formed vertically, characterized in that composed of a plurality of holes to act as a passage of the inert gas formed so that the size of the diameter from the bottom of the process tube toward the top.
또한, 본 발명의 프로세스 튜브는 상부면에 다수 개의 홀이 형성된 원형노즐을 형성하고, 포트를 통해 유입된 불활성가스인 질소가스(N2) 또는 아르곤(Ar)이 상기 원형노즐까지 흐를 수 있도록 통로역할을 하는 노즐이 프로세스 튜브 외관에 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the process tube of the present invention forms a circular nozzle having a plurality of holes formed in the upper surface, the passage so that nitrogen gas (N 2 ) or argon (Ar), which is an inert gas introduced through the port, flows to the circular nozzle. It is characterized in that the nozzle acts on the exterior of the process tube.
본 발명의 온도 하강을 위한 개선된 구조를 갖는 종형열처리장치는 산화공정 후 상승된 온도를 효과적으로 빠른 시간 내에 낮추도록 함으로써 생산성 효율을 극대화시켰다는 이점이 있다.The vertical heat treatment apparatus having the improved structure for lowering the temperature of the present invention has an advantage of maximizing productivity efficiency by effectively lowering the elevated temperature after the oxidation process in a short time.
이하, 본 발명에 의한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 종형열처리장치의 내부를 개략적으로 나타낸 단면도, 도 4는 본 발명의 종형열처리장치의 SiC 라이너 튜브 하단부에 형성되는 석고블록을 나타낸 사시도, 도 5는 본 발명의 종형열처리장치의 프로세스 튜브를 나타낸 사시도, 도 6은 도 5의 프로세스 튜브 외관에 주입되는 불활성가스의 흐름을 나타낸 흐름도, 도 7은 도 5의 프로세스 튜브의 다른 실시예도, 도 8은 도 7의 프로세스 튜브 외관에 주입되는 불활성가스의 흐름을 나타낸 흐름도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the interior of the vertical heat treatment apparatus of the present invention, Figure 4 is a perspective view showing a gypsum block formed on the lower end of the SiC liner tube of the vertical heat treatment apparatus of the present invention, Figure 5 is a vertical heat treatment apparatus of the present invention 6 is a perspective view illustrating a process tube, FIG. 6 is a flowchart illustrating a flow of inert gas injected into the exterior of the process tube of FIG. 5, FIG. 7 is another embodiment of the process tube of FIG. 5, and FIG. Flow chart showing the flow of inert gas.
도 1 및 도 4에 도시한 바와 같이 본 발명의 온도 하강을 위한 개선된 구조를 갖는 종형열처리장치는, 히터(10); 상기 히터(10) 내부에 중앙에 위치하는 웨이퍼(20); 상기 웨이퍼(20)가 거치되도록 하는 보트(30); 내부에 공정가스가 흘러 상기 웨이퍼(20) 표면에 산화공정이 가능하도록 한 상기 웨이퍼(20) 외곽에 형성된 원기둥 형상의 프로세스 튜브(40); 상기 히터(10)로부터 발산되는 열을 전달받아 상기 프로세스 튜브(40) 전체에 균일한 온도를 제공하도록 프로세스 튜브(40) 외곽에 형성된 원기둥 형상의 SiC 라이너 튜브(50); 상기 SiC 라이너 튜브(50)를 지지함과 동시에 내부 일측면이 타공된 구조를 형성하는 석고블록(60); 상기 석고블록(60)을 지지하도록 하단부에 형성된 플레이트(70)로 구성된다.1 and 4, the vertical heat treatment apparatus having the improved structure for the temperature drop of the present invention, the
상기 프로세스 튜브(40)는 도 5 내지 도 6에 도시한 바와 같이 외관에 불활성가스인 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)이 유입될 수 있도록 외관 아래쪽에 한 개의 포트(PORT)(41)를 추가 형성하고, 상기 포트(41)를 통해 유입된 불활성가스의 통로 역할을 하도록 프로세스 튜브(40) 외관에 형성된 노즐(42)로 구성된다.As shown in FIGS. 5 to 6, the
상기 프로세스 튜브(40) 외관에 형성되는 노즐(42)은 상기 포트(41)를 통해 유입된 불활성가스가 프로세스 튜브(40) 주위의 온도를 하강시키기 위해 프로세스 튜브(40) 둘레 전체에 흐를 수 있도록 프로세스 튜브(40) 하단부 외관 둘레를 감싸도록 원형의 노즐(42a)이 형성되고, 상기 원형 노즐(42a)과 연결되어 수직으로 4개의 노즐(42b)이 프로세스 튜브(40) 상단부까지 형성되되, 수직으로 형성된 4개의 노즐(42b)에는 불활성가스의 통로역할을 하는 다수의 홀(43)이 형성된다.The
상기 노즐(42b)에 형성된 홀(43)의 직경은 프로세스 튜브(40)의 하부에서 상부로 갈수록 크게 형성함으로써, 포트(41)를 통해 유입된 불활성가스가 수직으로 형성된 노즐(42b)을 통해 프로세스 튜브(40) 상부까지 흐를 수 있도록 한다.The diameter of the
상기 프로세스 튜브(40) 외관에 형성된 노즐(42)(42a)(42b)은 용접방법을 통해 부착시키되 이외에 프로세스 튜브(40) 외관에 노즐(42)(42a)(42b)을 부착시킬 수만 있다면 다른 방법을 사용하여도 무방하다.The
또한, 상기 수직으로 형성된 노즐(42b)의 경우 본 발명은 4개의 노즐(42b)을 형성하였으나, 노즐(42b)의 개수는 선택적으로 변경 가능하다.In addition, in the case of the vertically formed
상기 프로세스 튜브(40) 외관에 형성되는 노즐(42)(42a)(42b)의 경우 다른 실시예가 가능하다. Other embodiments are possible in the case of the
즉, 도 7 내지 도 8에 도시한 바와 같이 프로세스 튜브(40) 상부면에 다수 개의 홀(44)이 형성된 원형노즐(45)을 형성하고, 포트(41)를 통해 유입된 불활성가스인 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)이 상기 원형노즐(45)까지 흐를 수 있도록 통로역할 을 하는 노즐(46)이 프로세스 튜브(40) 외관에 형성된다.That is, as shown in FIGS. 7 to 8, a
상술한 바와 같이 프로세스 튜브(40)로부터 순환되는 불활성가스는 모터(도시 생략)의 구동을 통해 히터(10)의 상부 중앙부근에 형성된 홀(11)을 통해 외부로 배출되도록 하며, 상기 홀(11)로 배출되는 불활성가스의 배출제어는 상기 홀(11)을 열고 닫을 수 있는 종래의 온/오프 밸브를 통해 배출제어하도록 한다.As described above, the inert gas circulated from the
상기 SiC 라이너 튜브(50)를 지지하는 석고블록(60)은 도 4에 도시한 바와 같이 SiC 라이너 튜브(50) 하단부를 지지함은 물론, SiC 라이너 튜브(50)의 좌우 유동을 막기 위해 석고블록(60) 내주면의 높이를 외주면 보다 낮게 형성한 단층구조 형상으로 이루어진 6개의 지지부(61) 및, 상기 6개 각각의 지지부(61) 사이에 상기 프로세스 튜브(40) 외관으로부터 흐르는 불활성가스가 SiC 라이너 튜브(50) 외부로 흐를 수 있도록 유로 역할을 하는 굴곡진 형상의 6개의 불활성가스 유로(62)로 구성된다.The
상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 온도 하강을 위한 개선된 구조를 갖는 종형열처리장치의 온도 하강 방법을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the temperature drop method of the vertical heat treatment apparatus having an improved structure for the temperature drop of the present invention configured as described above are as follows.
먼저, 산화공정을 통해 히터(10) 내부 공간에 형성된 SiC 라이너 튜브(50)가 높은 온도(800 ~ 1200℃)로 상승한 상태에서 상승된 온도를 하강시키기 위해 상기 히터(10) 상부 중앙부분에 형성된 배출홀(11)을 통해 과열된 공기가 배출되도록 모터(도시 생략)를 구동시킨다.First, the
상기 모터 구동과 동시에 프로세스 튜브(40) 외관 아래쪽에 형성된 포트(41) 를 통해 불활성가스가 유입되고 유입된 불활성가스는 외관 측면에 수직으로 형성된 노즐(42b)의 홀(43) 또는 외관 상부에 형성된 원형노즐(45)의 홀(44)을 통해 프로세스 튜브(40) 외부로 배출된다.At the same time as driving the motor, an inert gas is introduced through a
상기 프로세스 튜브(40) 외관으로부터 배출된 불활성가스는 상기 모터(도시 생략)의 구동에 의해 히터(10) 내부 공간의 공기의 흐름에 따라 SiC 라이너 튜브(50)를 지지하고 있는 석고블록(60)의 불활성가스 유로(62)를 통해 SiC 라이너 튜브(50) 외부로 흘러 상기 히터(10) 상부 중앙에 형성된 배출홀(11)을 통해 외부로 배출되도록 한다.The inert gas discharged from the exterior of the
본 발명은 특정한 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적사상의 범주내에서는 수정 및 변형 실기가 가능함은 물론이다.Although the present invention has been described with reference to specific embodiments, the present invention is not limited thereto, and modifications and variations may be made within the scope of the technical idea of the present invention.
도 1은 본 발명의 종형열처리장치의 내부를 개략적으로 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing the interior of the vertical heat treatment apparatus of the present invention.
도 2는 종래의 종형열처리장치의 석고블록을 나타낸 사시도.Figure 2 is a perspective view showing a gypsum block of the conventional vertical heat treatment apparatus.
도 3은 종래의 종형열처리장치의 프로세스 튜브를 나타낸 사시도.Figure 3 is a perspective view showing a process tube of a conventional vertical heat treatment apparatus.
도 4는 본 발명의 종형열처리장치의 SiC 라이너 튜브 하단부에 형성되는 석고블록을 나타낸 사시도.Figure 4 is a perspective view showing a gypsum block formed on the lower end of the SiC liner tube of the vertical heat treatment apparatus of the present invention.
도 5는 본 발명의 종형열처리장치의 프로세스 튜브를 나타낸 사시도.5 is a perspective view showing a process tube of the vertical heat treatment apparatus of the present invention.
도 6은 도 5의 프로세스 튜브 외관에 주입되는 불활성가스의 흐름을 나타낸 흐름도.6 is a flow chart showing a flow of inert gas injected into the process tube exterior of FIG.
도 7은 도 5의 프로세스 튜브의 다른 실시예도.7 is another embodiment of the process tube of FIG.
도 8은 도 7의 프로세스 튜브 외관에 주입되는 불활성가스의 흐름을 나타낸 흐름도.FIG. 8 is a flowchart illustrating a flow of inert gas injected into an exterior of a process tube of FIG. 7.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
40 : 프로세스 튜브 41 : 포트40: process tube 41: port
42, 42a, 42b, 45, 46 : 노즐 43, 44 : 홀42, 42a, 42b, 45, 46:
50 : SiC 라이너 튜브 60 : 석고블록50: SiC liner tube 60: Gypsum block
62 : 불활성가스 유로62: inert gas flow path
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