KR101247109B1 - High temp process tube assy of vertical furnace equipment - Google Patents
High temp process tube assy of vertical furnace equipment Download PDFInfo
- Publication number
- KR101247109B1 KR101247109B1 KR1020110040238A KR20110040238A KR101247109B1 KR 101247109 B1 KR101247109 B1 KR 101247109B1 KR 1020110040238 A KR1020110040238 A KR 1020110040238A KR 20110040238 A KR20110040238 A KR 20110040238A KR 101247109 B1 KR101247109 B1 KR 101247109B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tube
- gas
- flange
- gas supply
- main tube
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000003556 assay Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 17
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
본 발명은 태양전지 제조용 확산장치에 구비되는 고온 튜브 어세이에 관한 것으로서, 내부가 비어 있고 하부가 개방된 메인튜브와 상기 메인튜브에 대응되게 형성되어 상기 메인튜브의 하단을 지지하는 중공형 튜브플랜지 및 상기 메인튜브 내에 소스 가스를 공급 또는 배출시키는 가스공급부로 구성하되, 탄화규소로 이루어진 메인튜브와 석영 소재의 튜브플랜지를 분리 구성함으로써, 고온의 확산 공정에서도 메인튜브의 변형을 방지할 수 있을 뿐 아니라, 제작이 용이하고, 내구성이 높은 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이에 관한 것이다.The present invention relates to a high-temperature tube assay provided in the diffusion device for manufacturing a solar cell, the hollow tube flange formed to correspond to the main tube and the main tube is empty and the bottom is open to support the bottom of the main tube And a gas supply unit for supplying or discharging the source gas in the main tube, by separating the main tube made of silicon carbide and the tube flange made of quartz, thereby preventing deformation of the main tube even in a high temperature diffusion process. Rather, it relates to a high temperature tube assay of a vertical heat treatment apparatus that is easy to manufacture and has high durability.
Description
본 발명은 태양전지 제조용 확산장치에 설치되는 고온 튜브 어세이에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 메인튜브와 튜브플랜지를 분리 형성하고 메인튜브를 탄화규소(silicon carbide)로 형성함으로써, 고온의 확산 공정에서도 메인튜브의 변형이 방지될 수 있는 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이에 관한 것이다.
The present invention relates to a high temperature tube assay installed in a diffusion device for manufacturing a solar cell, and more particularly, by separating and forming a main tube and a tube flange and forming a main tube from silicon carbide, A high temperature tube assay of a vertical heat treatment apparatus in which deformation of the main tube can be prevented.
일반적으로 태양전지(Solar Cell)는 빛 에너지를 직접 전기 에너지로 변환하는 반도체 소자의 하나로서, 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)를 가공하여 전자(electron)와 정공(hole)이 각각 구비되는 다른 극성의 N(negative)형 반도체 및 P(positive)형 반도체를 접합시키고 전극을 형성함으로써, P-N접합에 의한 태양광 발전의 원리를 이용하여 빛 에너지에 의한 전자의 이동을 통해 전기 에너지를 생산하게 되는 광전지 중의 하나이다.In general, a solar cell is a semiconductor device that converts light energy directly into electrical energy, and processes a silicon wafer to process electrons and holes of different polarities, respectively. It is one of the photovoltaic cells that produce electrical energy through the movement of electrons by light energy using the principle of photovoltaic power generation by PN junction by joining (negative) type semiconductor and P (positive) type semiconductor. .
상기와 같은 태양전지는 전력 생산을 위해 다수개의 모듈(module)과 태양전지 패널(panel)로 구성되는 태양전지 어레이(array)의 가장 최소 단위의 기본 소자로서, 다결정(poly crystal) 및 단결정(single crystal) 실리콘 태양전지 또는 비정질 실리콘 태양전지와 같은 실리콘계 태양전지와 화합물 반도체 태양전지 등으로 크게 분류된다.Such a solar cell is a basic element of the smallest unit of a solar array, which is composed of a plurality of modules and a solar panel for power generation, and is a poly crystal and a single crystal. crystals are broadly classified into silicon-based solar cells such as silicon solar cells or amorphous silicon solar cells, and compound semiconductor solar cells.
실리콘계 태양전지는 대략 200㎛의 얇은 두께의 실리콘 웨이퍼(이하 '기판'이라 함)를 제조한 후, 이 기판을 여러 가공 공정을 통해 처리함으로써 제작되어 진다.Silicon-based solar cells are fabricated by fabricating a silicon wafer (hereinafter referred to as a substrate) of approximately 200 μm in thickness and then processing the substrate through various processing processes.
이러한 태양전지 제조공정은 광 흡수율을 높이기 위한 텍스처링공정(Texturing,표면조직화공정), P-N접합을 형성시키는 확산공정(도핑공정), 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하는 산화막 제거공정, 광반사 손실을 줄이기 위한 반사 방지막 코팅공정, 전후면 전극 인쇄공정, 및 P-N접합 분리를 위한 P-N접합 분리공정 등으로 이루어진다.Such solar cell manufacturing processes include texturing (surface organization) to increase light absorption, diffusion (doping) to form PN junctions, oxide film removal to remove impurities from the wafer surface, and light reflection loss. Antireflection coating process, front and back electrode printing process, and PN junction separation process for PN junction separation.
상기 제조공정 중 확산(도핑)공정은 극성이 다른 N형 반도체 층과 P형 반도체 층으로 구성된 P-N접합을 형성하기 위해 의도적으로 첨가물을 고온에서 P형 실리콘 기판에 확산시켜 P층과 N층을 적층 형성하는 단계이다.In the manufacturing process, the diffusion (doping) process intentionally diffuses an additive to a P-type silicon substrate at a high temperature to form a PN junction composed of an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer having different polarities, thereby stacking the P layer and the N layer. Forming.
이러한 확산공정은 고온의 튜브(가열로,furnace) 내에 다수개의 기판을 투입하고 소스 가스를 투입하여 기판에 P-N접합을 유도하는 것이다.In this diffusion process, a plurality of substrates are introduced into a high temperature tube (furnace) and a source gas is introduced to induce P-N bonding to the substrate.
따라서 확산공정은 태양전지의 광전 변환 효율에 큰 영향을 미치는 중요한 공정 중의 하나로서, 균일한 에미터층 형성을 위하여 확산 튜브 내에서의 소스 가스의 오염 방지는 물론 신속하고 균일한 확산이 중요할 뿐 아니라, 태양전지의 생산성 확보를 위해 소스 가스의 신속한 투입과 배기를 통한 공정 효율의 향상 또한 중요하다.Therefore, the diffusion process is one of the important processes having a great influence on the photoelectric conversion efficiency of the solar cell. In order to form a uniform emitter layer, it is important not only to prevent contamination of the source gas in the diffusion tube but also to rapidly and uniformly diffuse it. In order to secure the productivity of solar cells, it is also important to improve process efficiency through rapid input and exhaust of source gas.
이러한 확산공정에 사용되는 튜브는 그 설치 형태에 따라 Vertical type(기립형) 튜브와 Horizontal type(수평형) 튜브로 크게 분류된다.Tubes used in this diffusion process are largely classified into vertical type (standing type) tube and horizontal type (horizontal type) tube according to the installation form.
여기서 종래의 Vertical type(기립형)은 통상적으로 석영(쿼츠,quartz) 소재로 일체형으로 제작되어 지고 있다.Here, the conventional vertical type (standing type) is usually manufactured in one piece of quartz (quartz, quartz) material.
그러나 상기와 같은 종래의 기립형 튜브에 적용되는 석영은 용융점이 대략 1200℃에서 형성되기 때문에 튜브가 지속적으로 고온의 확산공정에 노출되다 보면 변형이 발생되어 사용할 수 없게 된다.However, since the quartz applied to the conventional standing tube as described above has a melting point formed at approximately 1200 ° C., when the tube is continuously exposed to a high temperature diffusion process, deformation occurs and cannot be used.
따라서 튜브를 주기적으로 교체해야되는 문제점이 있었으며, 또한 튜브의 교체에 수천만원의 비용이 들기 때문에 고가의 튜브 교체 비용에 따른 유지 보수비용이 현저히 증가되는 문제점이 있었다.
Therefore, there was a problem that the tube should be replaced periodically, and also because the cost of the replacement of the tube costs tens of thousands of won, there was a problem that the maintenance cost significantly increased due to the expensive tube replacement cost.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 메인튜브와 튜브플랜지를 분리 구성하여 제작이 용이하도록 하고, 또한 메인튜브를 탄화규소로 제작함으로써, 고온의 확산 공정에서도 메인튜브가 변형없이 원래의 형태를 유지할 수 있게 하여 내구성이 높은 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이를 제공하고자 하는 것이다.
The present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is to separate the main tube and the tube flange to make it easy to manufacture, and also to produce the main tube of silicon carbide, even in high temperature diffusion process The main tube is to maintain its original shape without deformation to provide a high temperature tube assay of a durable vertical heat treatment apparatus.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 내부가 비어 있고 하부가 개방된 메인튜브와, 상기 메인튜브에 대응되게 형성되어 상기 메인튜브의 하단을 지지하는 중공형 튜브플랜지, 및 상기 튜브플랜지의 측면에 결합되어 상기 메인튜브 내에 소스가스를 공급 또는 배기시키는 가스공급부를 포함하여 구성된다.In order to achieve the above object, the present invention provides a main tube having an empty inside and an open bottom, and a hollow tube flange formed to correspond to the main tube to support a lower end of the main tube, and coupled to a side surface of the tube flange. It is configured to include a gas supply for supplying or exhausting the source gas in the main tube.
여기서 상기 메인튜브는 탄화 규소로 형성되는 것이 바람직하다.Here, the main tube is preferably formed of silicon carbide.
또한 상기 튜브플랜지는 석영으로 형성될 수 있다.In addition, the tube flange may be formed of quartz.
한편 상기 가스공급부는 상기 튜브플랜지의 측면에 결합되는 가스공급관과 상기 가스공급관과 연결하되 상기 메인튜브 내부로 상향 연장 형성되는 가스배출관 및 상기 튜브플랜지의 측면에 결합되는 가스배출관으로 구성될 수 있다.The gas supply unit may include a gas supply pipe coupled to the side of the tube flange and a gas discharge tube connected to the gas supply tube and extending upwardly into the main tube and coupled to the side of the tube flange.
또 상기 튜브플랜지의 상단부에는 둘레를 따라 일정 깊이의 안착홈을 형성하고, 상기 안착홈에는 상기 메인튜브의 하단 외주에 밀착되어 메인튜브의 위치를 결정하는 위치결정링이 설치된다.In addition, at the upper end of the tube flange, a seating groove having a predetermined depth is formed along a circumference, and the seating groove is installed in close contact with the outer circumference of the bottom of the main tube to determine the position of the main tube.
또한 상기 메인튜브와 튜브플랜지의 결합면에는 링 형상의 가스순환로를 형성하고, 상기 가스순환로에는 외부 가스의 유입을 차단하는 보조가스가 공급되게 할 수 있다.In addition, a ring-shaped gas circulation path may be formed on the coupling surface of the main tube and the tube flange, and the auxiliary gas may be supplied to the gas circulation path to block inflow of external gas.
또 상기 튜브플랜지의 하단면에는 링 형상의 가스순환로를 형성하고, 상기 가스순환로에는 외부 가스의 유입을 차단하는 보조가스가 공급되게 할 수 있다.In addition, a ring-shaped gas circulation path may be formed on a lower surface of the tube flange, and the auxiliary gas may be supplied to the gas circulation path to block the inflow of external gas.
한편 상기 가스순환로는 상기 튜브플랜지의 상단면과 하단면에 일정 깊이의 홈을 배치하여 형성되게 할 수 있다.
Meanwhile, the gas circulation path may be formed by disposing a groove having a predetermined depth on the top and bottom surfaces of the tube flange.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 메인튜브가 지속적으로 고온의 확산공정에 노출되어도, 변형 없이 본 형태를 유지하게 되어 공정 불량을 방지할 수 있는 효과가 있고, 또한 메인튜브를 반영구적으로 사용할 수 있어 교체에 따른 유지 보수 비용을 현저히 절감할 수 있는 효과가 있다.
As described above, the present invention maintains the present form without deformation even when the main tube is continuously exposed to a high temperature diffusion process, thereby preventing the process defect, and also can use the main tube semi-permanently. There is an effect that can significantly reduce the maintenance cost of the replacement.
도 1은 본 발명의 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이의 분해도,
도 2는 본 발명의 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이의 측면도,
도 3은 도 2의 부분 확대도,
도 4는 본 발명의 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이의 일 실시예의 부분 절개 평면도,
도 5는 도 4의 B-B 단면도,
도 6은 도 4의 C-C 단면도이다.1 is an exploded view of a high temperature tube assay of the vertical heat treatment apparatus of the present invention,
Figure 2 is a side view of a high temperature tube assay of the vertical heat treatment apparatus of the present invention,
3 is a partially enlarged view of FIG. 2;
4 is a partial cutaway plan view of one embodiment of a high temperature tube assay of a vertical heat treatment apparatus of the present invention;
5 is a sectional view taken along the line BB of Fig. 4,
6 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 4.
이하 본 발명에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이의 분해도를 나타낸 것이고, 도 2는 본 발명의 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이의 측면도를 나타낸 것이며, 도 3은 도 2의 부분 확대도를 나타낸 것이다.Figure 1 shows an exploded view of the high temperature tube assay of the vertical heat treatment apparatus of the present invention, Figure 2 shows a side view of the high temperature tube assay of the vertical heat treatment apparatus of the present invention, Figure 3 is a partially enlarged view of FIG. Is shown.
도시된 바와 같이 본 발명의 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이는 메인튜브(10)와 튜브플랜지(50) 및 가스공급부(30)로 구성된다.As shown, the high temperature tube assay of the vertical heat treatment apparatus of the present invention includes a
메인튜브(10)는 내부가 비어 있고, 하부가 개방된 원통 형상으로 구비되며, 탄화규소(SIC,Silicon Carbide)로 형성되는 것이 바람직하다.The
탄화규소는 탄소와 규소의 화합물로서, 화학적으로 극히 비활성일 뿐 아니라, 녹는점이 2700℃ 이상이기 때문에 고온의 확산공정에서도 안정적인 공정 수행이 가능하며, 반영구적으로 사용할 수 있는 것이다.Silicon carbide is a compound of carbon and silicon, and is not only chemically extremely inert, but also has a melting point of 2700 ° C. or more, so that stable processes can be performed even at a high temperature diffusion process and can be used semi-permanently.
한편 메인튜브(10)의 하단 외주에는 둘레를 따라 외측 방향으로 돌출 형성된 플랜지부(15)가 구비된다.On the other hand, the lower outer periphery of the
플랜지부(15)는 하기에서 설명하는 튜브플랜지(50)의 상단면에 안착되는 부분이다.The
확산공정에 사용되는 튜브는 통상적으로 설치 형태에 따라 Vertical type(기립형) 튜브와 Horizontal type(수평형) 튜브로 분류되는 데, 본 발명의 고온 튜브 어세이는 Vertical type(기립형)으로서, 메인튜브(10)가 튜브플랜지(50) 상부에 기립 설치되며, 도 2에 도시된 바와 같이, 내부에는 피 처리물인 다수의 기판이 탑재된 보트(100)가 지지부재(110) 위에 설치된다.Tubes used in the diffusion process are generally classified into vertical type (standing) tubes and horizontal type (horizontal type) tubes according to the installation type. The high temperature tube assay of the present invention is a vertical type (standing type). The
한편 메인튜브(10) 하단에는 튜브플랜지(50)가 설치된다.Meanwhile, a
튜브플랜지(50)는 메인튜브(10) 하부에서 메인튜브(10)를 지지할 수 있도록 메인튜브(10)에 대응되게 형성되는 것으로서, 내부가 비어 있고 상부와 하부가 개방된 중공형으로 형성된다.The
여기서 튜브플랜지(50)는 석영(쿼츠,quartz)로 형성될 수 있다.In this case, the
튜브플랜지(50)의 상단에는 메인튜브(10)의 플랜지부(15)와 밀착되도록 둘레를 따라 외측 방향으로 돌출 형성된 상부플랜지부(20)가 구비되며, 이때 상부플랜지부(20)는 메인튜브(10)의 플랜지부(15)보다 외측으로 더 돌출되도록 형성된다.The
또한 상부플랜지부(20)의 외주에는 도 3에 도시된 바와 같이, 'ㄴ'자 형태로 절취된 안착홈(22)이 형성된다.In addition, the outer periphery of the
따라서 안착홈(22)은 상부플랜지부(20)의 둘레를 따라 원형 링 형태로 구비되는 것이다.Therefore, the
여기서 안착홈(22)에는 위치결정링(70)이 설치된다.Here, the
위치결정링(70)은 사각형 또는 직사각형 단면 형상을 가지도록 구비될 수 있으며, 내주면 하부는 안착홈(22)의 내측면에 밀착되고, 상부는 메인튜브(10)의 플랜지부(15)의 외주면에 밀착되도록 형성되어 튜브플랜지(50) 상부에서 메인튜브(10)의 위치를 결정함과 동시에 측면 방향으로의 이탈을 방지하게 되는 것이다.Positioning
즉 튜브플랜지(50)의 상부플랜지부(20)에 위치결정링(70)을 설치하고, 위치결정링(70) 내측에 메인튜브(10)의 플랜지부(20)가 끼워지도록 메인튜브(10)를 설치하면 되는 것이다.That is, the
또한 튜브플랜지(50)의 하단에는 외주를 따라 돌출 형성되는 하부플랜지부(40)가 형성된다.In addition, a
하부플랜지부(40)는 확산공정 수행을 위하여 메인튜브(10)를 밀폐시킬 수 있도록 튜브플랜지(50)의 하부를 개폐하는 개폐도어(도시하지 않음)가 결합되는 부분이다.The
한편 가스공급부(30)는 튜브플랜지(50)에 설치되는 것으로서, 가스공급관(31)과 가스분사관(33) 및 가스배출관(35)으로 구성된다.On the other hand, the
가스공급관(31)은 메인튜브(10) 내에 소스가스를 공급하는 것으로서, 튜브플랜지(50)의 외측면에 수평으로 돌출 형성될 수 있으며, 일단은 별도로 구비되는 가스공급장치(도시하지 않음)와 연결되며, 타단에는 가스분사관(33)이 연결된다.
가스분사관(33)은 메인튜브(10) 내부에 소스가스를 분사시키는 역할을 하는 것으로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 하단이 튜브플랜지(50) 내부에서 가스공급관(31)과 연결되며, 메인튜브(10)의 내주면 일측을 따라 상향 연장되도록 설치된다.
이때 가스분사관(33)의 외주면에는 소스가스를 분사하는 다수의 노즐이 설치될 수 있을 것이다.At this time, the outer peripheral surface of the
한편 가스배출관(35)은 공정이 완료된 후 메인튜브(10) 내의 가스를 외부로 배출하는 것으로서, 가스공급관(31)과 마찬가지로 튜브플랜지(50)의 외주면에 수평으로 돌출 형성될 수 있으며, 배출펌프(도시하지 않음)와 연결될 수 있을 것이다.Meanwhile, the
이하 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이의 일실시예를 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a high temperature tube assay of the vertical heat treatment apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6.
도 4는 본 발명의 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이의 일 실시예의 부분 절개 평면도를 나타낸 것이고, 도 5는 도 4의 B-B 단면도를 나타낸 것이며, 도 6은 도 4의 C-C 단면도를 나타낸 것이다.Figure 4 is a partial cutaway plan view of an embodiment of a high temperature tube assay of the vertical heat treatment apparatus of the present invention, Figure 5 is a B-B cross-sectional view of Figure 4, Figure 6 is a C-C cross-sectional view of FIG.
도 4에 도시된 바와 같이 메인튜브(10)와 튜브플랜지(50)는 원통형으로 형성되며, 튜브플랜지(50)의 외주면에는 가스공급관(31)과 가스배출관(35)이 일정각도를 형성하도록 외측 방향으로 돌출 형성된다.As shown in Figure 4, the
또한 튜브플랜지(50)의 외주면에는 제1보조가스공급관(80)과 제2보조가스공급관(85)이 이 돌출 형성될 수 있다.In addition, the first auxiliary
제1,2보조가스공급관(81,85)은 메인튜브(10) 내의 소스가스가 외부로 누출되거나 외부 공기가 내부로 유입되는 것을 차단하기 위해 튜브플랜지(50)의 상단과 하단에 N₂커튼을 형성하기 위한 것이다.The first and second auxiliary
즉 제1,2보조가스공급관(80,85)은 플랜지부(15)와 상부플랜지부(20)의 결합면과, 하부플랜지부(40)와 개폐도어의 결합면에 보조가스로서 N₂가스를 주입하여 소스가스의 누출을 차단할 수 있는 N₂커튼을 형성하는 것이다.That is, the first and second auxiliary
여기서 제1,2보조가스공급관(80,85)은 별도로 설치되는 N₂가스공급장치(도시하지 않음)와 연결된다.Here, the first and second auxiliary
튜브플랜지(50)의 상부플랜지부(20)와 하부플랜지부(40)에는 도3,5,6에 도시된 바와 같이, 가스순환로(25,45)가 각각 형성된다.
가스순환로(25,45)는 제1,2보조가스공급관(80,85)으로부터 N₂가스가 유입되어 충진됨으로써 N₂커튼이 형성되는 부분으로서, 상부플랜지부(20)의 상면과 하부플랜지부(40)의 하면을 따라 링 형상을 이루도록 일정 깊이의 홈을 배치하여 형성시킬 수 있을 것이다.
그러나 가스순환로(25,45)는 삼각형, 사각형 또는 반원형 등 다양한 형태의 홈을 배치하여 형성할 수 있으며, 또한 상부플랜지부(20)와 플랜지부(15)에 상기와 같은 홈을 마주보도록 각각 설치하여 유로가 형성되도록 할 수 있으며, 또 하부프랜지부(40)와 개폐도어의 결합면에도 상기와 같이 홈을 마주보도록 각각 설치하여 유로가 형성되도록 할 수 있을 것이다.However, the
여기서 제1보조가스공급관(80)은 도 5에 도시된 바와 같이 튜브플랜지(50)의 상부플랜지부(20)에 형성된 가스순환로(20)와 연통되도록 설치되며, 제2보조가스공급관(85)은 도 6에 도시된 바와 같이 튜브플랜지(50)의 하부플랜지부(40)에 형성된 가스순환로(45)와 연통되도록 설치되는 것이다.Here, the first auxiliary
즉 제1보조가스공급관(80)은 상측 연통공(82,83)을 통해 가스순환로(25)에 가스를 충진시키게 되고, 제2보조가스공급관(85)은 하측 연통공(86,87)을 통해 가스순환로(45)에 보조가스를 공급할 수 있도록 설치되는 것이다.That is, the first auxiliary
따라서 제1보조가스공급관(80)과 제2보조가스공급관(85)은 튜브플랜지(50)의 상부플랜지부(20)와 하부플랜지부(40)의 가스순환로(25,45)에 보조가스를 각각 주입하여 N₂커튼을 형성함으로써, 메인튜브(10) 내의 소스 가스의 외부 누출이나 또는 외부 가스의 유입을 차단하는 것이다.Accordingly, the first auxiliary
따라서 본 발명은 탄화규소로 이루어진 메인튜브(10)와 석영 소재의 튜브플랜지(50)를 분리 구성함으로써, 제작이 용이하고, 고온의 확산 공정에 지속적으로 노출되어도 메인튜브(10)의 변형이 방지되어 확산 공정이 안정적으로 이루어질 수 있으며, 또한 가스순환로(25,45)에 형성되는 N₂커튼을 통해 메인튜브(10) 내의 소스 가스의 누출이나 외부 가스의 유입을 효과적으로 차단하여 기밀성을 향상시킬 수 있게 되는 것이다. Therefore, the present invention separates the
이상, 상기의 실시 예는 단지 설명의 편의를 위해 예시로서 설명한 것에 불과하므로 특허청구범위를 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술범주 내에서 다양한 변형 적용이 가능할 것이다.
As described above, the above embodiments are merely described as examples for convenience of description, and thus are not intended to limit the scope of the claims, and various modifications may be applied within the technical scope of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 탄화규소 메인튜브(SIC Process tube)
15 : 플랜지부
20 : 상부플랜지부 22 : 안착홈
25,45 : 가스순환로 30 : 가스공급부
31 : 가스공급관 33 : 가스분사관
35 : 가스배출관 40 : 하부플랜지부
50 : 튜브플랜지 70 : 위치결정링
80 : 제1보조가스공급관
82,83,86,87 : 연통공
85 : 제2보조가스공급관 100 : 보트
110 : 지지부재Description of the Related Art [0002]
10: silicon carbide main tube (SIC Process tube)
15: flange
20: upper flange 22: seating groove
25,45: gas circulation path 30: gas supply unit
31: gas supply pipe 33: gas injection pipe
35: gas discharge pipe 40: lower flange portion
50: tube flange 70: positioning ring
80: first auxiliary gas supply pipe
82,83,86,87: Communist
85: second auxiliary gas supply pipe 100: boat
110: Support member
Claims (8)
상기 메인튜브에 대응되게 형성되어 상기 메인튜브의 하단을 지지하는 중공형 튜브플랜지; 및
상기 튜브플랜지의 측면에 결합되어 상기 메인튜브 내에 소스가스를 공급 또는 배출시키는 가스공급부;를 포함하여 구성하되,
상기 튜브플랜지에는 제1보조가스공급관 및 제2보조가스공급관이 돌출 형성되고,
상기 메인튜브와 튜브플랜지의 결합면에는 링 형상의 가스순환로를 형성하고, 상기 가스순환로는 상기 튜브플랜지에 형성된 연통공에 의해 상기 제1보조가스공급관과 연결되어 외부 가스의 유입을 차단하는 보조가스가 공급되게 하며,
상기 튜브플랜지의 하단면에는 링 형상의 가스순환로를 형성하고, 상기 가스순환로는 상기 튜브플랜지에 형성된 연통공에 의해 상기 제2보조가스공급관과 연결되어 외부 가스의 유입을 차단하는 보조가스가 공급되게 한 것을 특징으로 하는 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이.A main tube which is empty inside and whose bottom is opened;
A hollow tube flange formed to correspond to the main tube and supporting a lower end of the main tube; And
And a gas supply unit coupled to a side surface of the tube flange to supply or discharge a source gas into the main tube.
A first auxiliary gas supply pipe and a second auxiliary gas supply pipe protrude from the tube flange,
A ring-shaped gas circulation path is formed on the coupling surface of the main tube and the tube flange, and the gas circulation path is connected to the first auxiliary gas supply pipe by a communication hole formed in the tube flange to block inflow of external gas. To be supplied,
A ring-shaped gas circulation path is formed on the bottom surface of the tube flange, and the gas circulation path is connected to the second auxiliary gas supply pipe by a communication hole formed in the tube flange to supply an auxiliary gas to block inflow of external gas. High temperature tube assay of a vertical heat treatment apparatus, characterized in that.
상기 가스공급부는,
상기 튜브플랜지의 측면에 결합되는 가스공급관과 상기 가스공급관과 연결하되 상기 메인튜브 내부로 상향 연장 형성되는 가스분사관 및 상기 튜브플랜지의 측면에 결합되는 가스배출관으로 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이.The method of claim 1,
The gas supply unit,
Vertical heat treatment comprising: a gas supply pipe coupled to the side of the tube flange and the gas supply pipe connected to the gas supply pipe and extending upwardly into the main tube; and a gas discharge pipe coupled to the side of the tube flange. High temperature tube assay of the device.
상기 튜브플랜지의 상단부에는 둘레를 따라 일정 깊이의 안착홈을 형성하고, 상기 안착홈에는 상기 메인튜브의 하단 외주에 밀착되어 메인튜브의 위치를 결정하는 위치결정링이 설치되는 것을 특징으로 하는 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이.The method of claim 1,
The upper end of the tube flange forms a seating groove having a predetermined depth along the circumference, the mounting groove is in close contact with the outer periphery of the lower end of the main tube is positioned vertically characterized in that the positioning ring for determining the position of the main tube High Temperature Tube Assay in Heat Treatment Equipment.
상기 가스순환로는 상기 튜브플랜지의 상단면과 하단면에 일정 깊이의 홈을 배치하여 형성되게 한 것을 특징으로 하는 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이.
The method of claim 1,
The gas circulation path is a hot tube assay of the vertical heat treatment apparatus, characterized in that formed by placing a groove of a predetermined depth on the top and bottom surfaces of the tube flange.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110040238A KR101247109B1 (en) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | High temp process tube assy of vertical furnace equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110040238A KR101247109B1 (en) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | High temp process tube assy of vertical furnace equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120122202A KR20120122202A (en) | 2012-11-07 |
| KR101247109B1 true KR101247109B1 (en) | 2013-04-01 |
Family
ID=47508496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110040238A KR101247109B1 (en) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | High temp process tube assy of vertical furnace equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101247109B1 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100852508B1 (en) * | 2007-08-09 | 2008-08-18 | (주)이노시티 | Vertical furnace having improved structure for dropping temperature |
| JP2010283336A (en) * | 2009-05-01 | 2010-12-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Heat treatment apparatus |
-
2011
- 2011-04-28 KR KR1020110040238A patent/KR101247109B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100852508B1 (en) * | 2007-08-09 | 2008-08-18 | (주)이노시티 | Vertical furnace having improved structure for dropping temperature |
| JP2010283336A (en) * | 2009-05-01 | 2010-12-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Heat treatment apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120122202A (en) | 2012-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8652259B2 (en) | Scalable, high-throughput, multi-chamber epitaxial reactor for silicon deposition | |
| US8968473B2 (en) | Stackable multi-port gas nozzles | |
| US8845809B2 (en) | Scalable, high-throughput, multi-chamber epitaxial reactor for silicon deposition | |
| KR101157201B1 (en) | Apparatus for forming a cigs layer | |
| US20110277690A1 (en) | Multi-channel gas-delivery system | |
| KR20080100057A (en) | Manufacturing method of crystalline silicon solar cell and manufacturing apparatus and system for the same | |
| TW201611312A (en) | Relative dopant concentration levels in solar cells | |
| KR101247109B1 (en) | High temp process tube assy of vertical furnace equipment | |
| KR101045216B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20100032161A (en) | Method and apparatue for manufacturing of solar cell | |
| CN105244417A (en) | Crystalline silicon solar cell and preparation method thereof | |
| US20100083900A1 (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
| KR101508251B1 (en) | Diffusion furnace for making solar battery | |
| KR20130069310A (en) | Substrate holder unit and substrate processing apparatus using the same | |
| KR20100113774A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20120032193A (en) | Vacuum diffusion apparatus for in-line furnace to manufacture solar cell | |
| CN117040401B (en) | PERC efficient battery piece and battery piece yield improvement process | |
| KR101204786B1 (en) | Wafer supporting boat for manufacturing solar cell | |
| KR101184339B1 (en) | Opening and closing device for tube of horizontal diffusion apparatus | |
| KR20120032194A (en) | Loading device of diffusion apparatus for manufacturing solar cell | |
| KR101232597B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR101356536B1 (en) | Solar cell manufacturing system | |
| KR101243028B1 (en) | Isolation device for flexible thin solar cell | |
| KR101026125B1 (en) | Solar cell using electrode including impurity and method for fabricating the same | |
| KR101080637B1 (en) | Gas injecting device for substrate processing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160308 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170213 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180312 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190226 Year of fee payment: 7 |