KR100849913B1 - 수성 세정 조성물 및 이를 이용하는 방법 - Google Patents
수성 세정 조성물 및 이를 이용하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100849913B1 KR100849913B1 KR1020060099538A KR20060099538A KR100849913B1 KR 100849913 B1 KR100849913 B1 KR 100849913B1 KR 1020060099538 A KR1020060099538 A KR 1020060099538A KR 20060099538 A KR20060099538 A KR 20060099538A KR 100849913 B1 KR100849913 B1 KR 100849913B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- hydroxylamine
- composition
- substrate
- hydroxylammonium
- mixtures
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- -1 hydroxylamine salt compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 30
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- WCYJQVALWQMJGE-UHFFFAOYSA-M hydroxylammonium chloride Chemical compound [Cl-].O[NH3+] WCYJQVALWQMJGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine hydrochloride Substances Cl.ON WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 claims description 5
- VGYYSIDKAKXZEE-UHFFFAOYSA-L hydroxylammonium sulfate Chemical compound O[NH3+].O[NH3+].[O-]S([O-])(=O)=O VGYYSIDKAKXZEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910000378 hydroxylammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidine-2-thione Chemical compound SC1=NCCS1 WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VKXMUYIAJVLZOM-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminophenyl)sulfanyl-3-sulfanylpropan-2-ol Chemical compound NC1=CC=CC=C1SCC(O)CS VKXMUYIAJVLZOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KVFLEGRBTUDZRD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethylsulfanyl)-3-sulfanylpropan-2-ol Chemical compound OCCSCC(O)CS KVFLEGRBTUDZRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CWIYBOJLSWJGKV-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical group CC1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 CWIYBOJLSWJGKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XMYXFZHMOVKTFV-UHFFFAOYSA-N NO.NO.NO.OC(CC(O)=O)(CC(O)=O)C(O)=O Chemical compound NO.NO.NO.OC(CC(O)=O)(CC(O)=O)C(O)=O XMYXFZHMOVKTFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YIVSWULVVGTVFT-UHFFFAOYSA-L hydroxyazanium;oxalate Chemical compound O[NH3+].O[NH3+].[O-]C(=O)C([O-])=O YIVSWULVVGTVFT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- XBUFCZMOAHHGMX-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;phosphoric acid Chemical compound ON.ON.ON.OP(O)(O)=O XBUFCZMOAHHGMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CRJZNQFRBUFHTE-UHFFFAOYSA-N hydroxylammonium nitrate Chemical compound O[NH3+].[O-][N+]([O-])=O CRJZNQFRBUFHTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- 241000220259 Raphanus Species 0.000 description 7
- 235000006140 Raphanus sativus var sativus Nutrition 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N diethylhydroxylamine Chemical compound CCN(O)CC FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229940035024 thioglycerol Drugs 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 244000132059 Carica parviflora Species 0.000 description 2
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 2
- 229920001174 Diethylhydroxylamine Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylguanidine Chemical compound CN(C)C(=N)N(C)C KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 description 1
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 description 1
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N ammonium thiosulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])(=O)=S XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001853 inorganic hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052605 nesosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010815 organic waste Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010909 process residue Substances 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/40—Monoamines or polyamines; Salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
- C11D3/0073—Anticorrosion compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/62—Quaternary ammonium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/06—Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/10—Salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
본 명세서에는 에싱 후 및/또는 에칭 후 포토레지스트를 제한하는 일 없는 것 등을 비롯하여 기판으로부터 잔류물을 제거하기 위한 수계(aqueous-based) 조성물 및 이 조성물을 이용하는 방법이 개시되어 있다. 한 실시양태에서, 본 발명은 물: 히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 하나 이상; 및 부식 억제제(단, 이 부식 억제제는 수용성 유기 산을 함유하지 않아야 함)를 포함하고, 첨가된 유기 용매를 실질적으로 함유하지 않는 조성물을 제공한다.
세정 조성물
Description
다수의 단계가 마이크로일렉트로닉 구조체의 제조에 연관되어 있다. 집적 회로를 제조하는 제조 도식 내에서는 반도체의 상이한 표면의 선택적 에칭이 경우에 따라 필요하다. 역사적으로, 물질을 선택적으로 제거하기 위해서, 아주 광범위하게 상이한 유형의 에칭 공정이 다양한 정도로 성공적으로 이용되고 있다. 더구나, 마이크로일렉트로닉 구조체 내에서, 상이한 층들의 선택적 에칭은 집적 회로 제조 공정에서 임계적 및 결정적 단계인 것으로 간주되고 있다.
점차적으로, 반응성 이온 에칭(RIE: reactive ion etching)은 비아(via), 금속 라인 및 트렌치(trench) 형성 동안 패턴 전사를 위한 선택적 공정으로 되고 있다. 실제 예를 들면, 복잡한 반도체 장치, 예컨대 고급(advanced) DRAMS 및 마이크로프로세서는, 인터커넥트 배선(interconnect wiring)의 다층을 필요로 하는 것으로, RIE를 이용하여 비아, 금속 라인 및 트렌치 구조체를 생성한다. 비아는, 층간 유전체를 경유하도록 사용되어, 규소, 규화물(silicide) 또는 금속 배선의 한 레벨과 배선의 다른 레벨 간의 접촉을 제공한다. 금속 라인은 장치 인터커넥트로서 사 용되는 전도성 구조체이다. 트렌치 구조체는 금속 라인 구조체의 형성에 사용되고 있다. 비아, 금속 라인 및 트렌치 구조체는 전형적으로 금속 및 합금, 예컨대 Al, Al/Cu, Cu, Ti, TiN, Ta, TaN, W, TiW, 규소 또는 규화물, 예컨대 텅스텐, 티탄 또는 코발트의 규화물을 노출시킨다. RIE 공정은 전형적으로 비아, 금속 라인 및/또는 트렌치 구조체를 리쏘그래피 방식으로 한정하는 데 사용되는 포토레지스트 및 반사방지 코팅 물질로부터 유래하는 가능한 유기 물질 뿐만 아니라 재스퍼터링 처리된 산화물 물질을 포함할 수 있는 (복잡한 혼합물의) 잔류물을 잔류케 한다.
RIE 또는 다른 에칭 공정 처리 후, 플라즈마 포토레지스트 잔류물 세정은 전형적으로 패턴화 포토레지스트를 반응성 제제, 전형적으로 활성화된 반응성 가스(들), 예컨대 산화성 공정을 위한 산소 함유 기체 또는 환원성 공정을 위한 수소 함유 기체(이들에 국한되는 것은 아님)를 함유하고 있는 플라즈마로 에싱(ashing) 처리함으로써 수행한다. RIE 공정과 마찬가지로, 플라즈마 에칭 또는 플라즈마 에싱 세정은 유기 물질(예를 들면, 잔류 포토레지스트, 반사방지 물질 등) 및 플라즈마 에칭 화학 및 처리되는 기판에 따라 좌우되는 플라즈마 에칭 관련된 부산물, 예컨대 티탄, 구리 또는 관련 금속의 산화물 또는 할로겐화물을 비롯한 잔류물의 배합물을 잔류케 한다.
그러므로, 잔류물, 예를 들면 플라즈마 및/또는 RIE를 사용하는 선택적 에칭 공정 및 산화성 또는 환원성 에싱 공정으로부터 결과로 형성되는 잔류물 등을 제거할 수 있는 선택적 세정 조성물 및 방법을 제공하는 것이 바람직하다. 더구나, 잔류물, 예컨대 에칭 및 에싱 잔류물을 제거할 수 있는 선택적 세정 조성물 및 공정 을 제공하는 것이 바람직하며, 상기 조성물 및 방법은 그 세정 조성물에 노출될 수도 있는 금속, 고 유전 상수("고 k") 물질(예를 들면, 유전 장수가 4.1보다 큰 물질), 규소, 규화물 및/또는 저 유전 상수("저 k") 물질(예를 들면, 유전 상수가 4.0 미만 또는 3.5 미만 또는 3.0 미만인 물질)을 비롯한 레벨간 유전 물질, 예컨대 침착된 산화물과 비교하여 잔류물에 대한 높은 선택성을 나타낸다. 그러한 민감성 저 k 필름 또는 다공성 저 k 필름, 예컨대 하이드로겐 실세스퀴옥산(HSQ), 메틸실세스퀴옥산(MSQ), FOX, BLACK DIAMONDTM 필름(Applied Materials, Inc. 제품) 및 TEOS(테트라에틸오르토실리케이트)(이들에 국한되는 것은 아님)과 상용성이 있고 함께 사용할 수 있는 조성물을 제공하는 것이 바람직하다. 상기 내용 이외에도, 그 조성물은 조성물의 폐기 처분이 환경에 유해한 영향을 미치지 않도록 수계인 것이 바람직하다.
본 명세서에 개시된 수계 조성물은 이 조성물에 노출될 수도 있는 금속, 저 k 유전 물질, 다공성 저 k 유전 물질 및/또는 고 k 유전 물질을 임의의 바람직하지 못할 정도로 공격하는 일 없이 기판으로부터 잔류물, 예컨대 플라즈마 에칭 후 잔류물, 에싱 후 잔류물 또는 기타 잔류물(이들에 국한되는 것은 아님)을 선택적으로 제거할 수 있다. 게다가, 본 명세서에 개시된 조성물은 특정 유전 물질, 예컨대 규소 산화물 또는 금속 라인 또는 구리를 포함하는 층간의 최소 에칭 속도를 나타낼 수 있다. 본 명세서에 개시된 세정 조성물은 반도체 제조에 있어서 유기 폐기물을 감소시키고 소유 비용을 감소시키도록 첨가된 유기 용매를 실질적으로 함유하지 않는다. 한 양태에서, 본 발명은 기판으로부터 잔류물을 제거하는 조성물을 제공하며, 상기 조성물은 물; 히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물, 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 하나 이상; 및 부식 억제제(단, 이 부식 억제제는 수용성 유기 산을 포함하지 않아야 함)를 포함하며, 첨가된 유기 용매를 실질적으로 함유하지 않는다.
또한, 본 명세서에서는 기판으로부터 에칭 및/또는 에싱 잔류물을 비롯한 잔류물을 제거하는 방법도 개시되어 있으며, 이 방법은 기판을 본 명세서에 개시된 세정 조성물과 접촉시키는 단계를 포함한다. 본 명세서에 기술된 한 양태에서, 본 발명은 패턴을 한정하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 포토레지스트를 기판의 적어도 일부에 코팅하는 단계, 포토레지스트 상에 패턴을 리쏘그래피 방식으로 한정하는 단계; 패턴을 기판의 적어도 일부에 전사시키는 단계; 패턴을 기판 내로 에칭하여 패턴화된 기판을 형성시키는 단계; 패턴화된 기판을 활성화 반응성 기체에 노출시켜 포토레지스트의 적어도 일부를 제거하여 잔류물을 제공하는 단계; 및 패턴화된 기판을 물; 히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 하나 이상의 성분; 및 부식 억제제(단, 이 부식 억제제는 수용성 유기 산을 함유하지 않아야 함)를 포함하고 첨가된 유기 용매를 실질적으로 함유하고 있지 않는 조성물과 접촉시킴으로써 잔류물을 제거하는 단계를 포함한다.
다른 양태에서, 본 발명은 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 기판을 물; 히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물 및 이들의 혼 합물 중에서 선택된 하나 이상; 및 부식 억제제(단, 이 부식 억제제는 수용성 유기 산을 함유하지 않아야 함)를 포함하고 첨가된 유기 용매를 실질적으로 함유하고 있지 않는 조성물과 접촉시키는 단계를 포함한다.
본 발명은 잔류물, 예를 들면 공정 처리 잔류물, 예컨대 에칭, 예컨대 반응성 이온 에칭, 플라즈마 에칭 및 플라즈마 에싱(이들에 국한되는 것은 아님)에 의해 발생된 잔류물 등을 선택적으로 제거하기 위한 수계 조성물 및 이 조성물을 이용하는 방법을 제공한다. 개시된 세정 조성물은 수계이고, 첨가된 유기 용매를 실질적으로 함유하지 않는다. 즉, 상기 조성물은 첨가된 유기 용매 1% 이하 또는 0.5% 이하 또는 0.1% 이하를 함유한다. 세정 조성물은 이면 금속, 유전체 또는 양 층을 부식시키는 일 없이 그리고 동시에 첨가된 유기 용매에 대한 필요성을 제거하여 소유 비용을 감소시키면서 기판으로부터 포토레지스트, 에칭, 에싱 또는 다른 공정 처리 잔류물을 제거하는 데 유용하다.
세정 조성물은 물; 히드록실아민 또는 히드록실아민 염 화합물; 및 부식 억제제(단, 이 부식 억제제는 수용성 유기 산을 포함하지 않아야 함)를 포함한다. 특정 실시양태에서, 세정 조성물은 물; 히드록실아민 또는 히드록실아민 염 화합물; 부식 억제제(단, 이 부식 억제제는 수용성 유기 산을 포함하지 않아야 함); 및 기타 성분(단, 이 기타 성분은 조성물의 스트립핑 및 세정 성능에 악영향을 미치지 않아야 하고 또한 기판 표면의 이면을 손상시키지도 않아야 함)으로 주구성되어 있다. 또다른 실시양태에서, 세정 조성물은 물; 히드록실아민 또는 히드록실아민 염 화합물; 및 부식 억제제(단, 이 부식 억제제는 수용성 유기 산을 포함하지 않아야 함)로 구성된다.
일반적으로, 히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물 또는 양자를 함유하는 수성 용액은 집적 회로의 제조에서 통상적으로 사용되는 인터커넥트 금속, 예컨대 구리와 상용성이 없는 것으로 여겨지고 있다. 본 명세서에 개시된 세정 조성물은 Cu 및 저 k 유전체를 제한하는 일 없는 것을 비롯하여 플라즈마 에칭 후 및 에싱 후 잔류물을 기판으로부터 제거할 수 있다는 점은 놀랍고도 예기치 못한 것이다. 추가로, 기판이 구리를 포함하는 실시양태의 경우, 세정 조성물은 부식 억제제를 첨가함으로써 Cu 부식을 감소시킬 때 예기치 못한 결과를 갖게 된다.
마이크로일렉트로닉 장치에 유용한 기판을 포함하는 세정 방법에서, 처리하고자 하는 전형적인 잔류물은 예를 들면 유기 화합물, 예컨대 에칭 및/또는 에싱 처리된 포토레지스트 물질, 에싱 처리된 포토레지스트 잔류물, UV- 또는 X-선 경화 포토레지스트, C-F-함유 중합체, 저분자량 및 고분자량 중합체, 및 다른 유기 에칭 잔류물; 무기 화합물, 예컨대 금속 산화물, 화학 기계적 평탄화(CMP: chemical mechanical planarization) 슬러리로부터 유래한 세라믹 입자, 및 다른 무기 에칭 잔류물; 금속 함유 화합물, 예컨대 유기금속 잔류물 및 금속 유기 화합물; 이온성 및 중성의 경질 및 중질 무기 (금속) 화학종, 수분, 및 불용성 물질을, 공정 처리, 예컨대 평탄화 공정 및 에칭 공정에 의해 발생된 입자를 비롯하여 포함한다. 한가지 구체적인 실시양태에서, 제거된 잔류물은 공정 처리 잔류물, 예컨대 이온 에칭, 플라즈마 에칭, 및/또는 플라즈마 에싱에 의해 생성된 잔류물이다.
잔류물은 전형적으로 금속, 규소, 실리케이트 및/또는 레벨간 유전 물질, 예를 들면 침착된 규소 산화물 및 유도화된 규소 산화물, 예컨대 HSQ, MSQ, FOX, TEOS 및 SOG(spin-on glass), 화학 침착 유전 물질 및/또는 고 k 물질, 예컨대 하프늄 실리케이트, 하프늄 산화물, 바륨 스토론튬 티타네이트(BST), TiO2, Ta2O5도 포함하는 기판 내에 존재하며, 여기서 잔류물과 금속, 규소, 규화물, 레벨간 유전 물질, 저 k 물질 및/또는 고 k 물질은 양자 모두 세정 조성물과 접촉하게 된다. 본 명세서에 개시된 조성물 및 방법은 금속, 규소, 이산화규소, 레벨간 유전 물질, 저 k 물질 및/또는 고 k 물질을 유의적으로 공격하는 일 없이 에칭 후 및/또는 에싱 후 잔류물, 예컨대 포토레지스트, BARC, 갭 필, 및/또는 공정 처리 잔류물을 선택적으로 제거하기 위한 것이다. 특정한 실시양태에서, 기판은 금속, 예컨대 구리, 구리 합금, 티탄, 질화티탄, 탄탈, 질화탄탈, 텅스텐, 및/또는 티탄/텅스텐 합금(이들에 국한되는 것은 아님)을 함유할 수 있다. 한 실시양태에서, 본 명세서에 개시된 조성물은 민감한 저 k 필름을 함유하는 기판에 적합할 수 있다.
본 명세서에 개시된 조성물은 물 약 40 중량% 내지 약 99 중량% 또는 약 75 중량% 내지 약 95 중량% 또는 약 90 중량% 내지 약 95 중량%를 함유할 수 있다. 그것은 부수적으로 다른 요소의 성분, 예를 들면 히드록실아민을 포함하는 수성 용액 등으로서 존재할 수 있거나, 또는 별도로 첨가할 수 있다. 물의 일부 예들로는 탈이온수, 초정제수, 증류수, 재증류수, 또는 낮은 금속 함량을 지닌 탈이온수를 들 수 있지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
본 명세서에 개시된 조성물은 히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 하나 이상 약 1 중량% 내지 약 30 중량%, 또는 약 5 중량% 내지 약 20 중량%, 또는 약 5 중량% 내지 약 15 중량%를 함유할 수 있다. 본 명세서에 개시된 세정 조성물에 사용될 수 있는 히드록실아민의 예로는 히드록실아민 또는 히드록실아민의 알킬-치환된 유도체, 예컨대 디에틸 히드록실아민(이에 국한되는 것이 아님)을 들 수 있다. 히드록실아민 염 화합물은 전형적으로 히드록실아민을 산, 예컨대 질산, 황산, 염산, 인산 또는 다른 산(이들에 국한되는 것은 아님)과 접촉시킴으로써 생성된다. 히드록실아민 염 화합물의 예로는 히드록실암모늄 설페이트, 히드록실암모늄 니트레이트, 히드록실암모늄 포스페이트, 히드록실암모늄 클로라이드, 히드록실암모늄 옥살레이트, 히드록실암모늄 시트레이트 등을 들 수 있다. 히드록실아민 염 화합물의 추가 예로는 알킬-치환된 유도체, 예컨대 디에틸 히드록실암모늄 염 등(이에 국한되는 것은 아님)을 들 수 있다.
또한, 본 명세서에 개시된 조성물은 부식 억제제(단, 본 명세서에 사용된 부식 억제제는 수용성 유기 산을 함유하지 않아야 함) 약 0.1 중량% 내지 약 15 중량%, 또는 약 0.2 중량% 내지 약 10 중량%, 또는 약 0.5 중량% 내지 약 5 중량%를 함유한다. 용어 "수용성 유기 산"이란 "COOH" 또는 카르복실기를 함유하는 화합물을 기술한 것이다. 유사한 용도로 해당 기술 분야에 공지된 임의의 부식 억제제, 예컨대 본 명세서에 참고 인용되어 있는 미국 특허 제5,417,877호에 개시된 것들을 사용할 수 있다. 부식 억제제는, 예를 들면 페놀 또는 트리아졸일 수 있다. 구체적인 부식 억제제의 예로는 말레산 무수물, 프탈산 무수물, 벤조트리아졸(BZT), 레조르시놀, 카르복시벤조트리아졸, 디에틸 히드록실아민, 및 락트산 및 시트르산과 이들 산의 염, 등을 들 수 있다. 사용될 수 있는 부식 억제제의 추가 예로는 카테콜, 피로갈롤, 및 갈산의 에스테르를 들 수 있다. 적합한 부식 억제제의 또다른 예로는 프록토즈, 암모늄 티오설페이트, 및 테트라메틸구아니딘을 들 수 있다. 특정한 실시양태에서, 부식 억제제는 머캅토기 함유 화합물, 예컨대 2-머캅토-5-메틸벤즈이미다졸 및 2-머캅토티아졸린(이에 국한되는 것은 아님)이다. 부식 억제제의 또다른 예로는 화합물의 α-위치 및 β-위치의 한쪽에 히드록실기를 보유하는 머캅토기 함유 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물의 구체적인 예로는 3-머캅토-1,2-프로판디올(이것은 티오글리세롤이라고 칭하기도 함), 3-(2-아미노페닐티오)-2-히드록시프로필머캅탄, 3-(2-히드록시에틸티오)-2-히드록시프로필머캅탄 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
특정한 실시양태에서, 본 명세서에 개시된 조성물은 하나 이상의 추가 성분 또는 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 단 이들 첨가제는 조성물의 스트립핑 및 세정 성능에 악영향을 미치지 않고 또한 기판 표면의 이면에 손상을 가하지 않아야 한다. 이러한 첨가제의 예로는 조성물의 총 중량을 기준으로 하여 총 5 중량%까지의 양으로 존재하는 계면활성제, 킬레이트제, 화학 개질제, 염료, 살생물제, 및/또는 기타 첨가제를 들 수 있으며 이에 국한되는 것은 아니다.
조성물이 히드록실아민만을 포함하는(즉, 히드록실아민 염 화합물을 포함하지 않은) 경우인 실시양태에서, 본 명세서에 개시된 조성물은 약 8 내지 약 12 또는 약 8 내지 약 10에 해당하는 pH 범위를 가질 수 있다. 조성물이 히드록실아민 염 화합물만을 포함하는(즉, 히드록실아민을 포함하지 않는) 경우인 실시양태에서, 본 명세서에 개시된 조성물은 약 3 내지 약 7 또는 약 3 내지 약 5에 해당하는 pH 범위를 가질 수 있다.
본 명세서에 개시된 조성물은 저 k 필름, 예컨대 HSQ, FOX, MSQ 및 SILKTM(이것은 Dow Chemical, Inc.에 의해 제조됨)(이들에 국한되는 것은 아님), 그리고 기타 필름과 상용성이 있다. 그 제제는 또한 상대적으로 기판, 예를 들면 구리, 티탄 또는 이들 양자를 모두 함유하는 기판 등의 이면을 상대적으로 낮게 부식시키면서 에칭 후 및/또는 에싱 후 포토레지스트 및 플라즈마 에칭 잔류물, 예컨대 유기 잔류물, 유기금속 잔류물, 무기 잔류물, 금속 산화물, 또는 포토레지스트 복합체를 저온에서 스트리핑 처리하는 데 유용하다. 더구나, 상기 조성물은 다양한 저 k 물질, 다공성 저 k 물질 및 고 k 물질과 상용성이 있다.
제조 공정 동안에는 포토레지스트 층을 기판에 코팅시킨다. 포토리쏘그래피 공정을 이용하여, 포토레지스트 층에 패턴을 한정시킨다. 특정 실시양태에서는, 그 패턴화된 포토레지스트 층을 플라즈마 에칭, 예컨대 RIE로 처리하여 패턴을 기판으로 전사시킨다. 이어서, 패턴화된 포토레지스트 층을 습식 화학 수단 및/또는 건식 제거 공정(예를 들면, 플라즈마 에칭, 플라즈마 에싱 또는 양자)으로 제거한다. RIE를 이용하여 패턴을 기판에 전사시키는 실시양태에서, 에칭 잔류물은 습식 화학 및/또는 건식 제거 공정 이전에 발생하게 된다. 기판이 예싱 처리되지 않는 경우, 세정하고자 하는 주요 잔류물은 에칭 잔류물 및 포토레지스트 잔류물 모두이다. 기 판을 에싱 처리한 실시양태에서, 세정하고자 하는 주요 잔류물은 에싱 처리된 잔류물, 예컨대 에싱 처리된 포토레지스트 및 에칭 잔류물(에칭 단계를 수행하는 경우)이다.
본 명세서에 기술된 방법은 필름 또는 잔류물로서 존재하는 금속, 유기 또는 유기금속 중합체, 무기 염, 산화물, 수산화물 또는 이들의 복합물 또는 배합물을 갖는 기판을 기술된 조성물과 접촉시킴으로써 수행할 수 있다. 실제 조건, 예를 들면 온도, 시간 등은 제거하고자 하는 잔류물의 성질 및 두께에 따라 좌우된다. 일반적으로, 기판은 20℃ 내지 85℃, 또는 20℃ 내지 60℃, 또는 30℃ 내지 50℃에 해당하는 온도 범위에서 조성물을 함유하고 있는 용기 내에서 접촉 또는 침지시킨다. 기판을 조성물에 노출시키기 위한 전형적인 시간은, 예를 들면 0.1 분 내지 60 분, 또는 1 분 내지 30 분, 또는 1 분 내지 15 분의 범위일 수 있다. 조성물과 접촉시킨 후, 기판은 세정한 후 건조시킬 수 있다. 건조는 전형적으로 불활성 대기 하에 수행한다. 특정한 실시양태에서, 탈이온수를 함유하는 세정액 또는 탈이온수와 다른 첨가제를 함유하는 세정액은 기판을 본 명세서에 기술된 조성물과 접촉시키기 전에, 동안에 및/또는 이후에 사용할 수 있다. 그러나, 조성물은 에칭 후 및/또는 에싱 후 포토레지스트, 에싱 또는 에칭 잔류물 및/또는 다른 공정 처리 잔류물을 제거하기 위한 세정 유체를 이용하는 해당 기술 분야의 임의의 공지된 방법에 사용할 수 있다.
실시예
하기 실시예는 본 명세서에 개시된 조성물 및 방법을 추가 예시하기 위해 제 시된 것이다. 비교 실시예와 함께 다양한 예시 조성물의 실시예 및 이용가능한 경우 각 조성물에 대한 pH 수준은 하기 표 1에 기재되어 있다. 표 1에서, 모든 양은 중량%로 주어지고, 100 중량%까지 첨가한다. 본 명세서에 개시된 조성물은 실온에서 용기 내의 성분들을 함께 모든 고체가 용해될 때까지 혼합함으로써 제조하였다. 하기 실시예서, pH 측정은 주위 온도에서 5% 수성 용액을 이용하여 실시하였다. 기판은 조성물에 노출시키기 전에 현상, 에칭 및 에싱 처리된 포지티브 레지스트로 코팅하였다. 하기 표에서, "N.T."는 시험되지 않았다는 것을 의미한다.
표 2는 규소 웨이퍼 시험 기판으로부터 잔류물을 제거하기 위한 다양한 예시의 조성물의 효과를 예시하기 위한 것이다. 웨이퍼는 저 k의 규소 산화물 함유 필름, 예컨대 오가노실리케이트 유리(OSG) 필름 또는 JSR LKD-5109TM 다공성 MSQ(JSR, lnc. 제공), 질화티탄 차단층, 구리 금속화 층, BARC 층, 및 플라즈마 에칭 및 에싱 공정을 이용하여 에칭 및 에싱 처리한 포토레지스트 패턴을 보유하였다. 이어서, 기판은 그 기판을 다양한 예시 조성물 중에 함침시킴으로써 처리하였다. 이 절차에서는, 1 이상의 시험 웨이퍼를 각각의 예시 조성물 400 ml가 함유되어 있는 600 밀리리터(ml) 비이커 중에 배치하였다. 그 600 ml 비이커는 추가로 1분 당 400회 회전하는 1 인치 교반봉을 포함하였다. 이어서, 용기내 웨이퍼(들)가 함유된 예시 조성물을 표 2에 제시된 시간과 온도로 가열하였다. 예시 조성물에 노출시킨 후, 웨이퍼(들)를 탈이온수로 세정하고 질소 가스로 건조시켰다. 웨이퍼를 절단하여 에지를 제공한 후, 웨이퍼 상의 다양한 예비 결정된 위치에서 주사 전자 현미 경(SEM)을 이용하여 검사하고, 세정 성능의 결과 및 층간 유전체(ILD) 이면에 대한 손상을 시각적으로 해석하여 표 2에 제시된 바와 같은 다음의 방식으로 코드화하였다. 즉, 세정에 대하여 "+++"은 매우 우수함을 나타내고, "++"은 우수함을 나타내며, "+"은 양호함을 나타내고, "-"은 불량함을 나타내며, ILD 손상에 대하여 "++"는 손상이 전혀 없음을 나타내고, "+"는 손상이 거의 없음을 나타내며, "-"는 손상이 매우 심각함을 나타내었다.
구리 또는 밀도화되어 있는 도핑 처리된 테트라에틸오르토실리케이트(TEOS)를 함유하는 블랭킷 규소 웨이퍼의 에칭 속도에 대한 요약은 하기 표 3에 제시되어 있다. 하기 모든 에칭 속도에서, 측정은 25℃, 50℃ 및 65℃의 온도 간격으로 5 분, 10 분, 20 분, 40 분 및 60 분에서 수행하였다. 두께 측정은 각 시간 간격에서 측정하고, 각 예시 조성물에 대한 결과에 대하여 "LST(least square fit)" 모델을 이용하여 그래프화하였다. 각 조성물의 "LST" 모델의 계산된 기울기는 옹거스트롱/분(Å/분)으로 제공되는 형성된 에칭 속도이다. 구리 에칭 속도 또는 TEOS 에칭 속도를 측정할 때, 웨이퍼는 상부에 침착된 공지의 두께의 블랭커 층을 보유하였다. Cu 에칭 속도의 경우, 웨이퍼의 초기 두께는 CDE ResMap 273 Four Point Probe를 사용하여 측정하였다. 초기 두께를 측정한 후, 시험 웨이퍼를 예시 조성물에 함침시켰다. 5 분 후, 시험 웨이퍼를 시험 용액으로부터 제거하고, 3 분 동안 탈이온수로 세정하고, 질소 하에 완전 건조시켰다. 각 웨이퍼의 두께를 측정하고, 필요한 경우, 시험 웨이퍼에 대하여 절차를 반복하였다. TEOS 에칭 속도의 경우, 초기 두께는 FilmTek 2000 SE Spectroscopic Ellipsometer/Reflectomer를 사용하여 측정하 였다. 시험 용액 약 200 ml를 교반하면서 250 ml 비이커에 배치하고, 필요한 경우 특정 온도로 가열하였다. 단지 1개의 웨이퍼만을 용액 함유 비이커에 배치하는 경우, 가짜 웨이퍼(dummy wafer)를 비이커 내에 배치하였다. 5 분 후, 각 시험 웨이퍼를 탈이온수로 3 분 세정하고, 질소 하에 건조시켰다. 이어서, 기판을 110℃의 온도에서 대략 10 분 동안 소성 처리하였다. 각 웨이퍼의 측정값을 취하고, 필요한 경우, 절차를 반복하였다.
표 4에 제시된 산화물 및 저 k 유전체 에칭 속도는 밀도화되어 있는 도핑 미처리된 테트라에틸오르토실리케이트(TEOS), 플루오로실리케이트(FSG), CORALTM(Novellus, Inc. 제조), 회사명(WaferNet, Inc.)로부터 구입된 일반명 산화물 필름인 열적 산화물(Tox), BLACK DIAMONDTM 필름(Applied Material에 의해 제조됨), 및 다공성 메틸실세스퀴옥산(MSQ) 필름인 JSR LEB-043TM(JSR의 제품)의 공지된 두께의 층을 갖고 있는 다양한 규소 웨이퍼 기판으로부터 얻었다. 모든 에칭 속도는 FilmTek 2000 SE Spectroscopic Ellipsometer/Reflectomer를 사용하여 측정하였고, 상기 언급한 밀도화되어 있는 도핑 처리되지 않은 테트라에틸오르토실리케이트(TEOS)의 경우와 같은 동일한 공정을 이용하였다. Tox 필름을 갖는 기판을 제외하고는, 기판을 110℃의 온도에서 대략 10 분 동안 소성 처리하였다. 각 웨이퍼의 측정값을 취하고, 필요한 경우, 절차를 반복하였다.
실시예 | 탈이온수 | 히드록실아민 또는 히드록실아민 염 화합물 | 부식 억제제 | pH |
실시예 1 | 84 | 히드록실아민(15) | 티오글리세롤(1) | 9.02 |
실시예 2 | 83 | 히드록실아민(15) | 티오글리세롤(2) | 8.97 |
실시예 3 | 91.5 | 히드록실암모늄 설페이트(7.5) | 티오클리세롤(1) | 3.85 |
실시예 4 | 91.5 | 히드록실암모늄 클로라이드(7.5) | 티오클리세롤(1) | 3.68 |
비교 실시예 1 | 96.25 | 히드록실아민(3.75) | 무 | 8.46 |
비교 실시예 2 | 92.5 | 히드록실아민(7.5) | 무 | N.T. |
비교 실시예 3 | 85 | 히드록실아민(15) | 무 | N.T. |
비교 실시예 4 | 92.5 | 히드록실암모늄 설페이트(7.5) | 무 | 4 |
비교 실시예 5 | 92.5 | 히드록실암모늄 클로라이드(7.5) | 무 | 3.88 |
비교 실시예 6 | 85 | 히드록실암모늄 클로라이드(15) | 무 | N.T. |
비교 실시예 7 | 70 | 히드록실암모늄 클로라이드(30) | 무 | N.T. |
Cu/OSG | Cu/JSR LKD-5109TM | Cu/p JSR LKD-5109TM | ||||||
온도(℃) | 시간(분) | 세정 | ILD 손상 | 세정 | ILD 손상 | 세정 | ILD 손상 | |
실시예 1 | 50 | 5 | N.T. | N.T. | +++ | ++ | +++ | ++ |
15 | ++ | ++ | +++ | ++ | +++ | + | ||
30 | ++ | ++ | +++ | ++ | ++ | - | ||
실시예 2 | 50 | 2 | N.T. | N.T. | +++ | ++ | - | ++ |
5 | +++ | ++ | +++ | ++ | N.T. | N.T. | ||
15 | +++ | ++ | +++ | ++ | +++ | ++ | ||
30 | N.T. | N.T. | N.T. | N.T. | +++ | + | ||
실시예 3 | 50 | 15 | + | ++ | - | ++ | - | ++ |
30 | + | ++ | - | ++ | +++ | ++ | ||
실시예 4 | 50 | 15 | - | ++ | - | ++ | - | ++ |
30 | - | ++ | - | ++ | - | ++ |
실시예 | Cu | TEOS (밀도화되어 있는 p-도핑 처리된 것) | ||||
25℃ | 50℃ | 65℃ | 25℃ | 50℃ | 65℃ | |
실시예 1 | 2 | 3 | 5 | N.T. | 1 | 8 |
실시예 2 | 1.6 | 4 | 5 | N.T. | 1 | 8 |
실시예 3 | 1.6 | 1.4 | 5 | N.T. | N.T. | < 1 |
실시예 4 | 2.5 | 2.6 | 9 | N.T. | N.T. | < 1 |
비교 실시예 1 | 23 | 20 | 28 | < 1 | N.T. | N.T. |
비교 실시예 2 | 40 | 102 | 128 | N.T. | N.T. | N.T. |
비교 실시예 3 | 101 | > 207 | 342 | N.T. | N.T. | N.T. |
비교 실시예 4 | 192 | > 224 | >225 | < 1 | N.T. | N.T. |
비교 실시예 5 | 8 | 160 | >220 | < 1 | N.T. | N.T. |
비교 실시예 6 | 14 | 27 | 42 | N.T. | N.T. | N.T. |
비교 실시예 7 | 12 | 24 | 42 | N.T. | N.T. | N.T. |
에칭 속도(Å/분) | |||||||
T(℃) | TEOS (미도핑 처리되고, 밀도화되어 있는 것) | FSG(8-12 ohm 규소 상의 10K Å) | CORALTM(저 저항 규소 상의 5KÅ) | Tox(8-12 ohm 규소 상의 1KÅ) | BLACK DIAMONDTM | JSR LEB-043TM(저 저항 규소 상의 5K Å) | |
실시예 1 | 50 | < 1 | < 1 | < 1 | < 1 | < 1 | < 1 |
실시예 2 | 50 | N.T. | N.T. | N.T. | N.T. | N.T. | < 1 |
본 발명은 잔류물, 예를 들면 플라즈마 및/또는 RIE를 사용하는 선택적 에칭 공정 및 산화성 또는 환원성 에싱 공정으로부터 결과로 형성되는 잔류물 등을 제거할 수 있는 선택적 세정 조성물 및 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 잔류물, 예컨대 에칭 및 에싱 잔류물을 제거할 수 있는 선택적 세정 조성물 및 공정을 제공하는 것이 바람직하며, 상기 조성물 및 방법은 그 세정 조성물에 노출될 수도 있는 금속, "고 k" 물질, 규소, 규화물 및/또는 "저 k" 물질을 비롯한 레벨간 유전 물질, 예컨대 침착된 산화물과 비교하여 잔류물에 대한 높은 선택성을 나타낸다. 또한, 본 발명은 그러한 민감성 저 k 필름 또는 다공성 저 k 필름, 예컨대 하이드로겐 실세스퀴옥산(HSQ), 메틸실세스퀴옥산(MSQ), FOX, BLACK DIAMONDTM 필름 및 TEOS(테트라에틸오르토실리케이트)와 상용성이 있고 함께 사용할 수 있는 조성물을 제공하며, 또한, 조성물의 폐기 처분이 환경에 유해한 영향을 미치지 않도록 수계인 조성물을 제공할 수 있다.
Claims (16)
- 기판으로부터 잔류물을 제거하는 조성물로서,물; 히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 아민 화합물; 및 머캅토기 함유 부식 억제제로 구성되고, 상기 구성성분 이외에 추가하여 첨가된 유기 용매를 함유하지 않는 조성물.
- 제1항에 있어서, 아민 화합물이 히드록실아민이고, 또 히드록실아민은 히드록실아민, 히드록실아민의 알킬 치환 유도체, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 것인 조성물.
- 제2항에 있어서, 조성물의 pH는 8 내지 12 범위인 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, 히드록실아민 염 화합물을 포함하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 히드록실아민 염 화합물은 히드록실암모늄 설페이트, 히드록실암모늄 니트레이트, 히드록실암모늄 포스페이트, 히드록실암모늄 클로라이드, 히드록실암모늄 옥살레이트, 히드록실암모늄 시트레이트, 히드록실아민 염 화합물의 알킬 치환된 유도체, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 것인 조성물.
- 제4항에 있어서, 조성물의 pH는 3 내지 7 범위인 것인 조성물.
- 물 75 중량% 내지 95 중량%;히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 아민 화합물 1 중량% 내지 15 중량%; 및머캅토기 함유 부식 억제제 0.1 중량% 내지 15 중량%로 구성되고,상기 구성성분 이외에 추가하여 첨가된 유기 용매를 함유하지 않는 조성물을 기판과 접촉시키는 단계를 포함하는 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법.
- 삭제
- 제7항에 있어서, 머캅토기 함유 부식 억제제는 2-머캅토-5-메틸벤즈이미다졸, 3-머캅토-1,2-프로판디올, 2-머캅토티아졸린, 3-(2-아미노페닐티오)-2-히드록시프로필머캅탄, 3-(2-히드록시에틸티오)-2-히드록시프로필머캅탄, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 것인 방법.
- 제7항에 있어서, 아민화합물이 히드록실아민이고, 또 히드록실아민은 히드록실아민, 히드록실아민의 알킬 치환 유도체, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 것인 방법.
- 제7항에 있어서, 아민화합물이 히드록실아민 염 화합물인 것인 방법.
- 제11항에 있어서, 히드록실아민 염 화합물은 히드록실암모늄 설페이트, 히드록실암모늄 니트레이트, 히드록실암모늄 포스페이트, 히드록실암모늄 클로라이드, 히드록실암모늄 옥살레이트, 히드록실암모늄 시트레이트, 히드록실아민 염 화합물의 알킬 치환된 유도체, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 것인 방법.
- 물; 히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 아민 화합물; 및 머캅토기 함유 부식 억제제로 구성되고, 상기 구성성분 이외에 추가하여 첨가된 유기 용매를 함유하지 않는 조성물과 기판을 접촉시키는 단계를 포함하는 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법.
- 기판 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계;포토레지스트 상에 패턴을 리쏘그래피 방식으로 한정하는 단계;패턴을 기판의 적어도 일부에 전사시키는 단계;패턴을 기판내로 에칭하여 패턴화된 기판을 형성시키는 단계;패턴화된 기판을 활성화 반응성 기체에 노출시켜 포토레지스트의 적어도 일부를 제거하여 잔류물을 제공하는 단계;물; 히드록실아민, 히드록실아민 염 화합물 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 아민 화합물; 및 머캅토기 함유 부식 억제제로 구성되고, 상기 구성성분 이외에 추가하여 첨가된 유기 용매를 함유하지 않는 조성물과 기판을 접촉시켜서 기판으로부터 잔류물을 제거하는 단계를 포함하는 패턴을 한정하는 방법.
- 제1항에 있어서, 머캅토기 함유 부식억제제가 2-머캅토-5-메틸벤즈이미다졸, 3-머캅토-1,2-프로판디올, 2-머캅토티아졸린, 3-(2-아미노페닐티오)-2-히드록시프로필머캅탄, 3-(2-히드록시에틸티오)-2-히드록시프로필머캅탄 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 것인 조성물.
- 제15항에 있어서, 머캅토기 함유 부식억제제가 3-머캅토-1,2-프로판디올인 것인 조성물.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/249,207 US7879782B2 (en) | 2005-10-13 | 2005-10-13 | Aqueous cleaning composition and method for using same |
US11/249,207 | 2005-10-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070041371A KR20070041371A (ko) | 2007-04-18 |
KR100849913B1 true KR100849913B1 (ko) | 2008-08-04 |
Family
ID=37726650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060099538A KR100849913B1 (ko) | 2005-10-13 | 2006-10-12 | 수성 세정 조성물 및 이를 이용하는 방법 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7879782B2 (ko) |
EP (1) | EP1775339B1 (ko) |
JP (2) | JP4880416B2 (ko) |
KR (1) | KR100849913B1 (ko) |
CN (1) | CN1949084A (ko) |
AT (1) | ATE533833T1 (ko) |
SG (2) | SG136953A1 (ko) |
TW (1) | TWI297106B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180088452A (ko) * | 2016-01-05 | 2018-08-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8551682B2 (en) | 2007-08-15 | 2013-10-08 | Dynaloy, Llc | Metal conservation with stripper solutions containing resorcinol |
TWI446400B (zh) * | 2007-10-05 | 2014-07-21 | Schott Ag | Fluorescent lamp with lamp cleaning method |
US8361237B2 (en) * | 2008-12-17 | 2013-01-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics |
KR20120092501A (ko) * | 2009-06-25 | 2012-08-21 | 램 리서치 아게 | 반도체 웨이퍼의 처리 방법 |
US8518865B2 (en) * | 2009-08-31 | 2013-08-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same |
JP5646882B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-12-24 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
US8530356B2 (en) | 2011-10-07 | 2013-09-10 | Applied Materials, Inc. | Method of BARC removal in semiconductor device manufacturing |
US9502231B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist layer and method |
US9256128B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9543147B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of manufacture |
US9245751B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-reflective layer and method |
CN109545667A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-29 | 德淮半导体有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
WO2024115457A1 (en) | 2022-11-29 | 2024-06-06 | Arteco N.v. | Heat-transfer fluids with low electrical conductivity comprising hydroxylamine or oxime functionality, methods for their preparation and uses thereof |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5419779A (en) * | 1993-12-02 | 1995-05-30 | Ashland Inc. | Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine |
JP2003129089A (ja) | 2001-10-24 | 2003-05-08 | Daikin Ind Ltd | 洗浄用組成物 |
JP3410403B2 (ja) | 1999-09-10 | 2003-05-26 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
JP2005528660A (ja) | 2002-06-06 | 2005-09-22 | イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド | 半導体プロセス残留物除去組成物および方法 |
US20060172905A1 (en) | 2005-02-03 | 2006-08-03 | Rovito Roberto J | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6187730B1 (en) * | 1990-11-05 | 2001-02-13 | Ekc Technology, Inc. | Hydroxylamine-gallic compound composition and process |
US6121217A (en) * | 1990-11-05 | 2000-09-19 | Ekc Technology, Inc. | Alkanolamine semiconductor process residue removal composition and process |
US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
US7144848B2 (en) | 1992-07-09 | 2006-12-05 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal |
JP2911792B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
TW426816B (en) | 1996-04-17 | 2001-03-21 | Ekc Technology Inc | Hydroxylamine-gallic compound composition and process |
DE69734868T2 (de) * | 1996-07-25 | 2006-08-03 | Dupont Air Products Nanomaterials L.L.C., Tempe | Zusammensetzung und verfahren zum chemisch-mechanischen polieren |
US20040134873A1 (en) | 1996-07-25 | 2004-07-15 | Li Yao | Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same |
US5780406A (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6030932A (en) | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
US5817610A (en) * | 1996-09-06 | 1998-10-06 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6245155B1 (en) * | 1996-09-06 | 2001-06-12 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Method for removing photoresist and plasma etch residues |
US5709756A (en) * | 1996-11-05 | 1998-01-20 | Ashland Inc. | Basic stripping and cleaning composition |
US6033993A (en) | 1997-09-23 | 2000-03-07 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for removing residues from a semiconductor substrate |
JP3773227B2 (ja) * | 1997-10-16 | 2006-05-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
US6432209B2 (en) * | 1998-03-03 | 2002-08-13 | Silicon Valley Chemlabs | Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates |
US6417112B1 (en) * | 1998-07-06 | 2002-07-09 | Ekc Technology, Inc. | Post etch cleaning composition and process for dual damascene system |
US6020297A (en) * | 1999-04-06 | 2000-02-01 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Colorless polymaleates and uses thereof in cleaning compositions |
US6361712B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-03-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Composition for selective etching of oxides over metals |
US6413923B2 (en) * | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
JP4639567B2 (ja) | 2001-09-28 | 2011-02-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト剥離液組成物 |
JP2003155586A (ja) | 2001-11-16 | 2003-05-30 | Sumitomo Chem Co Ltd | 電子部品用洗浄液 |
US6866792B2 (en) | 2001-12-12 | 2005-03-15 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for chemical mechanical planarization of copper |
US6951710B2 (en) | 2003-05-23 | 2005-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof |
US7384900B2 (en) | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
US7435712B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
US20050205835A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Tamboli Dnyanesh C | Alkaline post-chemical mechanical planarization cleaning compositions |
-
2005
- 2005-10-13 US US11/249,207 patent/US7879782B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-10-05 EP EP06020949A patent/EP1775339B1/en not_active Not-in-force
- 2006-10-05 AT AT06020949T patent/ATE533833T1/de active
- 2006-10-07 SG SG200716919-6A patent/SG136953A1/en unknown
- 2006-10-07 SG SG200606994-2A patent/SG131867A1/en unknown
- 2006-10-11 JP JP2006277877A patent/JP4880416B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-11 TW TW095137426A patent/TWI297106B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-10-12 KR KR1020060099538A patent/KR100849913B1/ko active IP Right Grant
- 2006-10-13 CN CNA2006101359356A patent/CN1949084A/zh active Pending
-
2011
- 2011-05-25 JP JP2011117262A patent/JP5449256B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5419779A (en) * | 1993-12-02 | 1995-05-30 | Ashland Inc. | Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine |
JP3410403B2 (ja) | 1999-09-10 | 2003-05-26 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
JP2003129089A (ja) | 2001-10-24 | 2003-05-08 | Daikin Ind Ltd | 洗浄用組成物 |
JP2005528660A (ja) | 2002-06-06 | 2005-09-22 | イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド | 半導体プロセス残留物除去組成物および方法 |
US20060172905A1 (en) | 2005-02-03 | 2006-08-03 | Rovito Roberto J | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180088452A (ko) * | 2016-01-05 | 2018-08-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
KR102027793B1 (ko) * | 2016-01-05 | 2019-10-02 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1775339B1 (en) | 2011-11-16 |
SG131867A1 (en) | 2007-05-28 |
EP1775339A1 (en) | 2007-04-18 |
ATE533833T1 (de) | 2011-12-15 |
CN1949084A (zh) | 2007-04-18 |
US7879782B2 (en) | 2011-02-01 |
KR20070041371A (ko) | 2007-04-18 |
TW200715074A (en) | 2007-04-16 |
TWI297106B (en) | 2008-05-21 |
JP2011168795A (ja) | 2011-09-01 |
US20070087948A1 (en) | 2007-04-19 |
SG136953A1 (en) | 2007-11-29 |
JP5449256B2 (ja) | 2014-03-19 |
JP4880416B2 (ja) | 2012-02-22 |
JP2007107001A (ja) | 2007-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100849913B1 (ko) | 수성 세정 조성물 및 이를 이용하는 방법 | |
KR100822156B1 (ko) | 잔재물을 제거하기 위한 수성 세정 조성물 및 이것을사용하는 방법 | |
US7674755B2 (en) | Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC | |
JP4499751B2 (ja) | フォトレジスト、エッチ残留物及びbarcを除去するための配合物及び同配合物を含む方法 | |
KR100700998B1 (ko) | 기판으로부터 잔사를 제거하기 위한 조성물 및 그의 사용방법 | |
KR100770624B1 (ko) | 탈거 및 세정용 조성물 및 이의 용도 | |
EP1688798B1 (en) | Aqueous based residue removers comprising fluoride | |
JP4373457B2 (ja) | フォトレジストのための組成物及び方法 | |
JP7022100B2 (ja) | ポストエッチング残留物洗浄組成物及びその使用方法 | |
EP1965418A1 (en) | Formulation for removal of photoresist, etch residue and barc | |
KR102321217B1 (ko) | 에칭 후 잔여물 세정 조성물 및 이의 사용 방법 | |
KR20060041148A (ko) | 세정액 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130628 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140627 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160629 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180628 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190627 Year of fee payment: 12 |