KR100848748B1

KR100848748B1 - Ｒｆｉｃ 태그와 그 사용 방법

Info

Publication number: KR100848748B1
Application number: KR1020070058374A
Authority: KR
Inventors: 이사오 사까마; 미노루 아시자와
Original assignee: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Priority date: 2006-11-10
Filing date: 2007-06-14
Publication date: 2008-07-25
Also published as: TWI332633B; CN101178783A; US7508347B2; JP4950627B2; EP1921570A2; EP1921570A3; EP1921570B1; KR20080042660A; JP2008123222A; CN101178783B; TW200821949A; US20080111760A1

Abstract

본 발명의 RFIC 태그(1A)는 IC 칩(5)과 금속 박판(10A)으로 구성되어 있다. IC 칩(5)은 금속 박판(10A)의 슬릿부(10a)의 대략 중앙에 탑재되어 있다. 금속 박판(10A)은 길이 방향에 있어서의 양단부의 접속부(10c)를 금속 부재(2)에, 용접에 의해 밀착시키고, L자 형상의 슬릿(6A)을 갖는 슬릿부(10a)의 하면을 금속 부재(2)의 표면으로부터 소정 높이만큼(h) 들어 올려져 있다. 전체의 길이(L2 + L1 + L2)는 통신 파장(λ)의 1/4 이하의 길이이다.

RFIC 태그, IC 칩, 금속 박판, 접속부, 슬릿부

Description

ＲＦＩＣ 태그와 그 사용 방법{RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT TAG AND METHOD OF USING THE RFIC TAG}

도1의 (a)는 본 발명의 제1 실시예의 형태의 RFIC 태그의 개략적인 구성도이고, RFIC 태그를 금속 부재(금속물)에 설치한 상태를 나타내는 사시도.

도1의 (b)는 제1 실시예의 IC 칩을 제거한 상태의 RFIC 태그의 평면도.

도1의 (c)는 도1의 (a)에 있어서의 X1-X1에서의 화살표 단면도.

도1의 (d)는 제1 실시예의 RFIC 태그의 등가 회로도.

도2의 (a)는 본 발명의 제1 실시 형태의 변형예의 RFIC 태그의 개략적인 구성도이고, 다리부의 설정 각도가 다른 RFIC 태그의 사시도.

도2의 (b)는 다리부 및 접속부가 슬릿부의 길이 방향 단부측의 양방의 폭 방향 단부, 계 4군데로부터 폭 방향으로 연장한 RFIC 태그의 사시도.

도3의 (a)는 본 발명의 제1 실시 형태의 또 다른 변형예의 RFIC 태그의 개략적인 구성도이고, 다리부에 대해 접속부를 슬릿부의 하방에 위치하도록 내측으로 직각으로 구부린 RFIC 태그의 사시도.

도3의 (b)는 도3의 (a)에 있어서 다리부의 설정 각도가 다른 설치 형상의 RFIC 태그의 사시도.

도4의 (a)는 본 발명의 제1 실시 형태의 또 다른 변형예에서, 슬릿부의 하면 에 스페이서 부재를 배치한 RFIC 태그이고, 접속부가 길이 방향으로 연장한 것의 측면도.

도4의 (b)는 접속부를 슬릿부의 하방측으로 구부려 배치한 것의 측면도.

도5의 (a)는 도2의 (a)에 도시한 RFIC 태그의 변형의 사시도.

도5의 (b)는 도5의 (a)에 도시한 RFIC 태그의 변형의 사시도.

도6의 (a)는 도5의 (a)에 도시한 RFIC 태그의 변형을 도시하는 사시도.

도6의 (b)는 도6의 (a)에 도시한 RFIC 태그를 회로 기판에 설치한 상태를 나타내는 사시도.

도6의 (c)는 도3의 (a)에 도시한 RFIC 태그를 회로 기판에 적용하는 상태를 나타내는 사시도.

도7의 (a)는 액정을 봉입하는 상부 및 하부 유리 기판의 단면도.

도7의 (b)는 상부 유리 기판에 설치하는 공통 전극을 안테나로 한 RFIC 태그의 개요도.

도7의 (c)는 도7의 (b)에 있어서의 A부의 오목부의 확대 사시도.

도7의 (d)는 오목부에 ITO막을 형성 후의 사시도.

도8의 (a)는 본 발명의 제2 실시 형태의 소형 인렛을 도시하는 사시도.

도8의 (b)는 도8의 (a)에 있어서의 X2-X2 화살표 단면도.

도9의 (a)는 볼트의 헤드에 오목부를 형성하여 소형 인렛을 설치하는 사용 방법을 설명하는 도면으로, 볼트의 헤드의 평면도.

도9의 (b)는 도9의 (a)에 있어서의 X3-X3 화살표 종단면도.

도9의 (c)는 도9의 (a)에 도시한 볼트보다도 소경의 볼트인 경우의 볼트의 헤드의 평면도.

도10의 (a)는 코인에 오목부를 형성하여 소형 인렛을 설치하는 사용 방법을 설명하는 도면으로, 코인의 사시도.

도10의 (b)는 도10의 (a)에 있어서의 X4-X4 화살표 종단면도.

도11의 (a)는 평면 형상이 다른 슬릿을 형성한 소형 인렛의 평면도.

도11의 (b)는 소형 인렛을 금속 부재에 설치한 경우의 등가 회로도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, 1I, 1K : RFIC 태그

2 : 금속 부재

4 : 회로 기판

4a : 배선 패턴 영역

4b : 회로 패턴 영역

5 : IC 칩

5a, 5b : 신호 입출력 전극

6A : 슬릿

10A : 금속 박판

10a : 슬릿부

10b : 다리부

10c : 접속부

21 : 스페이서 부재

31 : 상부 유리 기판

32 : 공통 전극

33 : 하부 유리 기판

35 : 밀봉재

36 : 화소 전극

[문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-309811호 공보

본 발명은 금속물에 설치하는 RFIC 태그와 그 사용 방법에 관한 것이다.

최근, 무선파에 의해 작동하는 IC 칩을 구비한 RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit) 태그와, 리더, 라이터 또는 리더/라이터(이하, 총칭하여 리더/라이터라 칭함)와의 사이에서 무선파에 의해 데이터의 교신을 행하는 RFIC 시스템이 보급되어 있다. 이 RFIC 시스템은 RFIC 태그 및 리더/라이터 각각에 구비한 안테나를 이용하여 데이터의 교신을 행하기 때문에, RFIC 태그를 리더/라이터로부터 이격해도 통신 가능하고, 또한 오염 등에 강하다는 장점으로부터, 공장의 생산 관리, 물류의 관리, 입퇴실 관리 등의 다양한 용도로 이용되도록 되어 오고 있다.

다이폴 안테나를 구비하는 UHF대나 SHF대에서 작동하는 RFIC 태그는 금속물 상에 직접 배치하는 등 금속에 근접시키면 작동하지 않는다. 그로 인해, 상기 RFIC 태그를 금속물에 설치하는 경우에는, RFIC 태그와 금속물과의 사이에 플라스틱이나 고무 등으로 이루어지는 스페이서를 배치함으로써 금속물과 안테나와의 사이에 일정한 거리를 두어 금속의 영향을 억제하는 방법이 이용된다.

그러나, 스페이서를 얇게 하여 금속물의 표면과 안테나와의 간격을 작게 하면 RFIC 태그가 작동하지 않게 되고, 한편, 스페이서를 두껍게 하여 금속물과 안테나와의 간격을 크게 하면 통신 거리는 커지지만, RFIC 태그가 금속물의 표면으로부터 돌출해 버려, 금속물의 취급 중에 주변의 물품이나 금속물끼리가 접촉하여 RFIC 태그가 파손되어 버릴 우려가 증가한다는 문제가 있었다.

그 점을 개선하기 위해, 일본 특허 공개 제2005-309811호 공보(도2, 도4, 도6, 도7 참조)에는, 상기 다이폴 안테나의 금속물로의 설치면에 연자성재(軟磁性材)를 구비하고, 또는 상기 다이폴 안테나의 금속물로의 설치면에 상기 금속물측으로부터 연자성재와 스페이서를 구비하고, 또는 상기 다이폴 안테나의 금속물로의 설치면에 상기 금속물측으로부터 스페이서와 연자성재와 스페이서를 구비하는 RFIC 태그가 기재되어 있다.

그러나, 일본 특허 공개 제2005-309811호 공보에 기재된 종래 기술의 RFIC 태그는 IC 칩을 다이폴 안테나에 설치하여, 그것을 금속물에 설치하는 것이고, 통신 파장을 λ라 하면 반파장(λ/2)의 길이의 안테나 길이가 필요하게 되어 RFIC 태그가 커져 버리는 단점이 있었다.

본 발명은 상기 문제점에 비추어 이루어진 것이며, 그 주된 목적은, 금속물 상에 설치 가능하고, 종래보다도 소형인 RFIC 태그를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 제1 태양에 의한 RFIC 태그는, 무선파에 의해 작동하는 IC 칩을 도전성의 박판 또는 박막에 탑재하고, 도전성의 박판 또는 박막은 그 양단부측에 형성된 접속부가 금속물과 전기적으로 접속 또는 정전 용량적으로 접속하도록 설치됨으로써 금속물이 IC 칩의 안테나를 구성하고, 도전성의 박판 또는 박막은, 중간부에 안테나의 임피던스와 IC 칩의 임피던스를 매칭시키기 위한 임피던스 매칭용의 회로를 구비하고, 적어도 임피던스 매칭용의 회로 부분을 금속물로부터 소정의 간격을 두어 설치되는 것을 특징으로 한다. 그리고, 도전성의 박판 또는 박막의 임피던스 매칭용의 회로 부분의 길이는 발신 또는 수신하고자 하는 전파의 파장을 λ라 했을 때 λ/2보다도 짧은 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 금속물의 금속 표면을 IC 칩의 안테나로서 작용시킬 수 있으므로, IC 칩이 탑재된 도전성의 박판 또는 박막의 임피던스 매칭용의 회로 부분의 길이가, IC 칩의 통신 파장(λ)의 1/2보다 짧아도 IC 칩이 탑재된 박판을 RFIC 태그로서 통신 가능하게 한다.

또한, 본 발명의 제2 태양에 의한 RFIC 태그는, 무선파에 의해 작동하는 IC 칩과 임피던스 매칭용의 회로를 갖는 소형 안테나를 포함하여 이루어지는 소형 인렛의 형태의 RFIC 태그이며, 소형 안테나의 소정의 단부에 형성된 접속부를 금속물과 전기적으로 접속, 또는 정전 용량 결합에 의해 접속하고, 금속물이 상기 IC 칩의 안테나를 구성하고, 소형 안테나는, 적어도 임피던스 매칭용의 회로 부분을 금 속물로부터 소정의 간격을 두어 설치되는 것을 특징으로 한다. 그리고, 소형 안테나의 임피던스 매칭용의 회로 부분의 길이는 발신 또는 수신하고자 하는 전파의 파장을 λ라 했을 때 λ/2보다도 짧은 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 금속물의 금속 표면을 IC 칩의 안테나로서 작용시킬 수 있으므로, 소형 인렛의 소형 안테나의 길이가, IC 칩의 통신 파장(λ)의 1/2보다 짧게 해도 RFIC 태그로서 통신 가능하게 한다. 본 발명은 RFIC 태그의 사용 방법도 포함한다.

본 발명에 따르면, 금속물 상에 설치 가능한 소형의 RFIC 태그를 제공할 수 있다.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명을 실시하기 위한 실시예의 RFIC 태그를 설명한다.

(제1 실시 형태)

우선, 본 발명에 관한 제1 실시 형태의 RFIC 태그를, 도1의 (a), 도1의 (b), 도1의 (c), 및 도1의 (d)를 참조하면서 설명한다. 도1의 (a)는 제1 실시 형태의 RFIC 태그를 금속 부재(금속물)에 설치한 상태를 나타내는 사시도이고, 도1의 (b)는 IC 칩을 제거한 상태의 RFIC 태그의 평면도이고, 도1의 (c)는 도1의 (a)에 있어서의 X1-X1 화살표 단면도이고, 도1의 (d)는 RFIC 태그의 등가 회로도이다.

RFIC 태그(1A)는 IC 칩(5)과 직사각형의 도전성인, 예를 들어 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속 박판(도전성의 박판)(10A)으로 구성되어 있다. 도1의 (a)에 도시하는 바와 같이 IC 칩(5)은 금속 박판(10A)의 길이 방향에 있어서의 중간부의 임피던스 매칭용의 회로를 설치한 부분(이하, 슬릿부라 칭함)(10a)의 대략 중앙에 탑재되어 있다. 금속 박판(10A)은 길이 방향에 있어서의 양단부측의 접속부(10c)를 금속 부재(2)에, 도시하지 않은 도전성 접착제 또는 납땜 등의 용접에 의해 밀착시키고, 슬릿부(10a)의 하면을 금속 부재(2)의 표면으로부터 소정 높이(h), 예를 들어 100 ㎛ 이상으로 되도록 대략 직각으로 구부린 다리부(10b)에 의해 들어 올려져 있다.

도1의 (b)에 도시하는 바와 같이 슬릿부(10a)는, 길이 방향의 대략 중앙 부분에서, 측면측으로부터 대략 절반 폭까지 베이고, 또한 길이 방향으로 직각으로 절곡되어, 전체적으로 평면 형상이 L자 형상으로 베인 슬릿(6A)을 갖고 있다. 사각 프레임으로 도시한 5a, 5b의 위치에, IC 칩(5)의 안테나로의 급전용의 단자인 신호 입출력 전극(5a, 5b)이 대응하도록, 즉 슬릿(6A)을 걸치도록 IC 칩(5)을 금속 박판(10A)에, 예를 들어 초음파 접합으로 전기적으로 접속하여 탑재한다[도1의 (c) 참조].

여기서, 금속 박판(10A)의 두께는, 예를 들어 100 ㎛로 한다. 슬릿부(10a)가 금속 부재(2)의 표면으로부터 소정의 높이를 확보할 수 있는 통상의 강도를 갖고 있으면 좋고, 금속 박판(10A)의 재질에 의해 적절하게 결정하면 좋다.

또한, 슬릿부(10a)의 길이 방향의 길이(L1)는, 상기 L자 형상의 슬릿(6A)의 길이 방향의 길이, 예를 들어 약 3.5 ㎜[도1의 (b) 참조]의 길이 방향의 양측에 IC 칩(5)의 폭 등의 여유를 갖게 한 길이, 예를 들어 7 ㎜ 이상으로 한다. 접속 부(10c)의 길이(L2)는, 예를 들어 약 5 ㎜로 한다. 그렇게 하면, 전체의 길이(L2 + L1 + L2)는 약 17 ㎜[파장(λ)의 단위로 환산하여 λ/7 이하]로 할 수 있다. 여기서, 길이(L1)를 약 20 ㎜로 하여 전체의 길이(L2 + L1 + L2)를 약 30 ㎜로 하면 통신 거리가 비교적 길어지는 것을 실험으로부터 알았다.

또한, 슬릿부(10a)의 하면의 금속 부재(2)의 표면으로부터의 높이(h)가 100 ㎛ 이상이면 통신 가능한 것을 확인하고 있다. 이 높이(h)는 값이 커질수록 통신 거리가 증대된다.

덧붙여, 상기 예시한 수치는, IC 칩(5)의 길이 방향의 폭이 약 0.5 ㎜이고, IC 칩(5)의 통신 주파수는 2.45 ㎓인 경우이다. 슬릿(6A)의 길이, 즉 슬릿부(10a)의 길이(L1)는 임피던스 매칭의 정도에 의해 적절하게 설정하는 것이다. 또한, 접속부(10c)는 금속 부재(2)의 표면과의 납땜 등에 의한 전기적 접속의 경우에는 길이(L2)에 의미는 없지만, 절연성의 접착제 등으로 접착한 경우에는 정전 용량 결합에 의한 접속으로 되므로, 길이(L2)를 약 5 ㎜로 한다.

IC 칩(5)의 신호 입출력 전극(5a, 5b)을, 슬릿(6A)을 걸친 슬릿부(10a)의 금속 박판에 각각 전기적 접속함으로써, 슬릿(6A)의 형성에 의해 생긴 스터브(6a)[도1의 (b) 참조]의 부분을, 안테나로 되는 슬릿부(10a) 및 금속 부재(2)와, IC 칩(5)과의 사이에 직렬로 접속하는 것이 되고, 스터브(6a)의 부분이 직렬로 접속한 인덕턴스 성분으로서 작용한다. 이 인덕턴스 성분에 의해, IC 칩(5) 내의 용량성(capacitive) 성분을 상쇄하고, 안테나와 IC 칩(5)의 임피던스 매칭을 취할 수 있다.

즉, IC 칩(5)은 충분한 면적의 금속 부재(2)를 안테나로 할 수 있는 동시에, IC 칩(5)의 임피던스와, 슬릿부(10a) 및 금속 부재(2)에 의해 형성된 안테나의 임피던스를 매칭시킬 수 있다. 이러한 슬릿(6A)을 포함하는 슬릿부(10a)를 임피던스 매칭 회로라 칭한다.

또한, 임피던스 매칭은 슬릿(6A)의 L자의 코너까지의 각 길이에 의해 결정되는 스터브(6a)의 인덕턴스 성분에 의해 결정된다.

본 실시 형태에 따르면, RFIC 태그(1A)의 설치 부재인 금속 부재(2)가 RFIC 태그(1A)의 안테나로서 작용하므로, RFIC 태그(1A)의 슬릿부(10a)의 길이 방향의 길이는 통신 파장(λ)의 1/4 이하의 길이라도 좋고, 전체 길이에서도 최소 약 17 ㎜, 통신 거리를 늘리기 위해 바람직하게는 약 30 ㎜로 해도, 파장(λ)의 1/4 이하의 길이로 되어 소형의 RFIC 태그(1A)로 통신이 가능하게 된다. 즉, 본 실시 형태에 따르면, 금속물의 표면을 IC 칩(5)의 안테나로서 작용시킬 수 있으므로, 임피던스 매칭 회로를 포함한 IC 칩(5)이 탑재된 금속 박판의 길이가, IC 칩(5)의 통신 파장(λ)의 1/2보다 짧아도 IC 칩(5)이 탑재된 금속 박판을 RFIC 태그로서 통신 가능하게 할 수 있다.

또한, 슬릿부(10a)의 하면과 금속 부재(2)와의 간극을 100 ㎛ 이상 확보하여, 임피던스 매칭 회로로서 기능시키면 좋으므로, 금속 부재(2)의 표면으로부터의 돌출이 작아서 사용시에 RFIC 태그(1A)가 걸리기 어렵다.

또한, 본 실시 형태의 RFIC 태그(1A)가 적용되는 금속 부재(2)로서는, 알루미늄(Al), 탄소 강, 스테인레스 강, 구리(Cu) 등의 도전성 금속이다. 덧붙여, 자 성체, 비자성체의 차이와는 관계없이 스테인레스 강에 적용 가능하다.

또한, 본 실시 형태에서는 금속 박판(10A)으로 했지만, 그것에 한정되는 것은 아니다. 도전성의 금속 박판 대신에, 예를 들어 수지판의 표면에 도금이나 증착, 스퍼터링 등에 의해 도전성 금속의 박막을 형성한 도전성의 박판, 도전성의 수지로 이루어지는 박판이라도 좋다.

(제1 실시 형태의 다양한 변형예)

다음에, 제1 실시 형태의 변형예를 설명한다. 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.

도2의 (a)는, 금속 박판(10B)의 다리부(10b)의 설정 각도가 RFIC 태그(1A)와는 달리, 하방으로 비스듬히 끝이 퍼지는 다리부(10b)의 설정 각도로 한 설치 형상의 RFIC 태그(1B)이다. 금속 박판(10B)의 다리부(10b)를 도2의 (a)에 도시하는 바와 같은 각도 설정으로 함으로써, 금속 박판(10B)에 경질 재료를 사용한 경우에, 굽힘 가공에 의한 파단을 방지할 수 있는 이점이 있다.

도2의 (b)는, 금속 박판(10C)의 다리부(10b) 및 접속부(10c)가, 슬릿부(10a)의 길이 방향에 있어서의 단부측의 양방의 폭 방향 단부, 계 4군데로부터 폭 방향으로 연장한 RFIC 태그(1C)이다. 이러한 다리부(10b), 접속부(10c)의 배치 구성으로 함으로써 중간부의 슬릿부(10a)와 금속 부재(2)와의 간격을 더욱 확실하게 확보할 수 있다.

도3의 (a)는, 금속 박판(10D)의 다리부(10b)에 대해 접속부(10c)를 슬릿부(10a)의 하방에 위치하도록 내측으로 직각으로 구부린 점이 RFIC 태그(1A)와는 다를 뿐이고, 그 밖에는 동일하다. 이러한 설치 형상으로 함으로써, 제1 실시 형태로부터 길이 방향으로 콤팩트하게 할 수 있다. 또한, 금속 박판 대신에 도전성의 금속막을 상면측에 형성한 박판을 이용하는 경우, 이러한 접속부(10c)의 형상으로 함으로써 금속 부재(2)와 전기적 접속이 쉬워진다. 도3의 (b)는, 도3의 (a)에 있어서 다리부(10b)의 설정 각도가 다르고, 하방으로 비스듬히 끝이 퍼지는 다리부(10b)의 설정 각도로 한 설치 형상의 RFIC 태그(1E)이다.

도4의 (a)는, RFIC 태그(1A)의 슬릿부(10a)의 하면(설치면)에 절연재로 구성된 스페이서 부재(21)를 배치하여 금속 부재(2)에 설치한 RFIC 태그(1F)이다. 도4의 (b)는, RFIC 태그(1D)의 슬릿부(10a)의 하방에, 절연재로 구성된 스페이서 부재(21)를 배치하여 금속 부재(2)에 설치한 RFIC 태그(1G)이다.

스페이서 부재(21)의 재질로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌(PP) 등의 수지 박판이 좋고, 도시하지 않은 점착재로 슬릿부(10a)의 하면에 접착한다. 또한, 스페이서 부재(21)로서, 세라믹이나, 반도체의 패키지 재료에 사용되는 에폭시 수지를 사용하고, RFIC 태그(1F) 전체를 칩 저항, 칩 콘덴서라 불리는 부품과 동일 형태의 패키지 부품으로 함으로써, 더욱 취급하기 쉽게 할 수 있다.

RFIC 태그(1F, 1G)에서는, 슬릿부(10a)의 하방에 스페이서 부재(21)가 배치되기 때문에, 슬릿부(10a)에 외력이 가해져도 슬릿부(10a)와 금속 부재(2)의 표면과의 간격이 변화되지 않는 이점이 있다. 즉, 금속 박판(10A, 10D)이 구부러져 소성 변형되고, 통신 가능 거리가 변화되는 것을 방지할 수 있다.

도5의 (a)는 도2의 (b)에 도시한 RFIC 태그(1C)의 변형이고, 금속 박판(10F)의 다리부(10b) 및 접속부(10c)가, 슬릿부(10a)의 길이 방향에 있어서의 단부측의 한쪽의 폭 방향 단부, 계 2군데로부터 폭 방향으로 연장한 RFIC 태그(1H)이다. 이 경우에는, 금속 박판(10F)의 외팔보 빔형의 강도만으로 높이(h)가 확보되어 있으므로, RFIC 태그(1A)보다도 금속 박판(10F)의 판 두께를 증대시키는 것이 바람직하다.

RFIC 태그(1H)의 경우, RFIC 태그(1A)보다도 길이 방향으로 콤팩트하게 금속 부재(2)에 설치할 수 있다.

도5의 (b)는 RFIC 태그(1H)의 변형이고, 금속 박판(10F)의 접속부(10c)가, 또한 슬릿부(10a)의 하방측으로 절곡되어 형성된 RFIC 태그(1I)이다. 이 경우에는, 금속 박판(10G)의 외팔보 빔형의 강도만으로 높이(h)가 확보되어 있으므로, RFIC 태그(1A)보다도 금속 박판(10G)의 판 두께를 증대시키는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우, RFIC 태그(1C) 및 RFIC 태그(1H)보다도 폭 방향으로 콤팩트하게 금속 부재(2)에 설치할 수 있다.

도6의 (a)는, 도5의 (a)에 도시한 RFIC 태그(1H)의 또 다른 변형인 평면 형상이 역ㄷ자 형상의 평판 형상의 금속 박판(10H)을 이용한 RFIC 태그(1K)를, 슬릿부(10a)를 금속 부재(2)와 중첩되지 않도록 금속 부재(2)에 설치한 상태를 나타내는 도면이다.

RFIC 태그(1K)를 이와 같이 금속 부재(2)의 모서리로부터 슬릿부(10a)를 돌출시켜 설치함으로써, 금속 부재(2)끼리를 중첩해도 IC 칩(5)이 금속 부재(2) 사이 에 끼워져, 금속 부재(2)로부터 강하게 압박되는 일이 없으므로, IC 칩(5)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.

도6의 (b)는 RFIC 태그(1K)를 프린트 기판 등의 회로 기판(4)에 설치한 상태를 나타내는 도면이다. 도6의 (b)에서는, 회로 기판(4)의 모서리부로부터 안쪽 위치에, 예를 들어 그라운드로 하는 RFIC 태그(1K)보다 충분히 큰 배선 패턴 영역(금속물)(4a)이 배치되고, 그 주위에 회로 패턴 영역(4b)이 배치되어 있는 경우에, RFIC 태그(1K)를 슬릿부(10a)가 배선 패턴 영역(4a)과 중첩되지 않도록 회로 기판(4)에 설치한 것이다.

이와 같이, 작은 RFIC 태그(1K)를 회로 기판(4) 상에 형성되어 있는 큰 배선 패턴(4a)에 접속함으로써, RFIC 태그(1K)는 충분한 통신 거리를 얻을 수 있다.

도6의 (c)는, RFIC 태그(1D)를 회로 기판(4)에 적용하는 상태를 나타내는 도면이다. 도6의 (c)에서는, 회로 기판(4)의 모서리부로부터 안쪽 위치의 배선 패턴 영역(4a)에, RFIC 태그(1D)를, 슬릿부(10a)가 배선 패턴 영역(4a)으로부터 뜬 상태로 설치한 것이다. 이러한 RFIC 태그(1D)의 회로 기판(4)으로의 설치하는 방법에 있어서는, 도6의 (b)의 경우에 비교하여 슬릿부(10a)의 위치가, 배선 패턴 영역(4a)에 위치해도 좋으므로, 용이하게 RFIC 태그(1D)를 회로 기판(4)에 설치할 수 있다.

지금까지의 제1 실시 형태 및 상기한 각 변형예에서는, IC 칩(5)을 금속 박판 상에 탑재한 RFIC 태그로 했지만, 이하에 설명하는 변형예에서는, 금속 박막 상에 IC 칩(5)을 탑재하고, RFIC 태그를 구성하는 예이다. 여기서는, 액정 패널의 액정층을 봉입하는 유리 기판 중 공통 전극(금속물)을 설치하는 유리 기판에 IC 칩(5)을 탑재하여 RFIC 태그로 하고, 공통 전극을 그 안테나로 하는 구성을 예로 설명한다.

도7의 (a)는 액정을 봉입하는 상부 및 하부 유리 기판의 단면도이고, 도7의 (b)는 상부 유리 기판에 설치하는 공통 전극을 안테나로 한 RFIC 태그의 개요도이고, 도7의 (c)는 도7의 (b)에 있어서의 A부에 형성하는 오목부의 ITO(Indium-Tin-0xide)막 형성 전의 확대 사시도이고, 도7의 (d)는 오목부에 ITO막을 형성 후의 사시도이다.

도7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 상부 유리 기판(31)과 하부 유리 기판(33)과의 사이에 간극을 형성하고, 사방 주위를 밀봉재(35)로 둘러싸고, 간극 내에 액정을 주입하여 액정층(37)으로 한다. 상부 유리 기판(31)의 내면측에는, 미리 공통 전극(금속물)(32)을 형성하고 있다. 또한, 하부 유리 기판(33)의 내면측에는 미리 TFT(Thin Film Transistor)(34)와 화소 전극(36)을 형성하고 있다.

공통 전극(32)은 큰 패턴의 ITO의 투명 전극이고, 스퍼터링에 의해 상부 유리 기판(31) 상에 형성되는 일이 많다.

도7의 (a) 내지 도7의 (d)에 나타낸 본 변형예에서는, 도7의 (b)에 도시하는 바와 같이 공통 전극(32)을 형성할 때에, 동시에 RFIC 태그(1L)의 금속 박막(도전성의 박막)(10L)도 스퍼터링에 의해 상부 유리 기판(31) 상에 형성한다.

금속 박막(10L)은, 길이 방향의 양단부가 L자형으로 구부러져 공통 전극(32)에 연결되는 접속부(10c)와, 중앙부의 L자 형상으로 베인 슬릿(6A)을 갖는 슬릿 부(10a)를 갖고 있다. 슬릿부(10a)의 길이는, 예를 들어 최소 7 ㎜, 바람직하게는 20 ㎜로 한다. 그리고, IC 칩(5)의 안테나로의 급전용의 단자인 도시 생략한 신호 입출력 전극(5a, 5b)을, 슬릿(6A)을 걸치도록 IC 칩(5)을 금속 박막(10L)에, 예를 들어 초음파 접합으로 전기적으로 접속하여 탑재한다.

IC 칩(5)을 탑재하는 상부 유리 기판(31)의 부분은, 도7의 (b)에 있어서의 A부를 확대한 도7의 (c)에 도시하는 바와 같이[단, IC 칩(5)은 제거한 상태], 직사각형의 오목부(27)를 형성하고, 또한 오목부(27)의 바닥부(27c)로부터 상부 유리 기판(31)의 표면 부분에 걸쳐 연결되는 평면 형상이 L자형의 홈(28)을 형성한다. 바닥부(27c)의 직사각형의 사이즈는 IC 칩(5)과 대략 동일한 치수이고, 그 상부 유리 기판(31)의 평활한 표면 부분으로부터의 깊이는 IC 칩(5)의 두께를 커버할 수 있는 것으로 한다.

금속 박막(10L)의 길이 방향에 있어서의 오목부(27)의 측벽은 경사면(27a)이고, 또한, 금속 박막(10L)의 폭 방향에 있어서의 오목부(27)의 측벽은 한쪽이 수직면(27b)이고 다른 쪽이 경사면(27a)으로 되어 있다. 바닥부(27c)에 형성한 L자형의 짧은 부분을 구성하는 홈(28)의 단부는 수직면(27b)에 맞닿아 폐쇄되어 있다. 홈(28)의 측벽은 수직면으로 구성되어 있다.

이러한 오목부(27) 및 홈(28)은 상부 유리 기판(31)을 제조할 때에, 예를 들어 형(型)을 이용하여 형성한다.

오목부(27) 및 홈(28)을 형성 후에, 도7의 (c)에 화살표로 나타내는 바와 같이 ITO의 스퍼터링에 의해 공통 전극(32)을 형성하는 동시에 금속 박막(10L)을 형 성한다. 도7의 (d)는, 금속 박막(10L)이 형성된 후의 상태를 나타내고, 금속 박막(10L)의 형성시에 홈(28)의 측벽 및 오목부(27)의 수직면(27b)에는 이방성 디포지션에 의해 ITO의 금속 박막(10L)이 형성되지 않으므로, 홈(28)의 측벽 및 오목부(27)의 수직면(27b)에 의해 슬릿(6A)이 형성되는 것이 된다.

이와 같이 오목부(27)를 형성하고, 그것에 IC 칩(5)을 탑재한 것에 의해, IC 칩(5)의 상면이 오목부(27)의 깊이 내에 들어가고, 상부 유리 기판(31)의 표면은 돌출이 없는 평활한 표면으로 할 수 있다.

도7의 (a) 내지 도7의 (d)에 나타낸 본 변형예에 따르면, RFIC 태그(1L)가 접속부(10c)를 통해 전기적으로 접속하고 있는 큰 패턴의 공통 전극(32)이 IC 칩(5)의 안테나로서 작용하므로, RFIC 태그(1L)의 슬릿부(10a)의 길이 방향의 길이는, 통신 파장(λ)의 1/4 이하의 길이라도 좋고, 최소 약 7 ㎜, 통신 거리를 늘리기 위해 바람직하게는 약 20 ㎜로 해도 파장(λ)의 1/4 이하의 길이로 되어 소형의 RFIC 태그(1L)로 통신이 가능하게 된다. 즉, 본 실시 형태에 따르면, ITO의 투명 전극인 공통 전극(32)을 IC 칩(5)의 안테나로서 작용시킬 수 있으므로, 임피던스 매칭 회로를 포함한 IC 칩(5)이 탑재된 금속 박막(10L)의 길이가, IC 칩(5)의 통신 파장(λ)의 1/2보다 짧아도 IC 칩(5)이 탑재된 금속 박막(10L)을 RFIC 태그로서 통신 가능하게 할 수 있다.

또한, 도7의 (b)의 슬릿(6A)은, 홈(28)과 수직면(27b)을 상부 유리 기판(31)에 형성함으로써 ITO의 스퍼터링에 의해 형성되도록 했지만, 슬릿(6A)을 포토레지스트에 의한 마스킹으로 형성해도 좋다.

(제2 실시 형태)

다음에, 본 발명에 관한 제2 실시 형태의 소형 인렛의 형태를 한 RFIC 태그를, 도8의 (a)와 도8의 (b)를 참조하면서 설명한다. 도8의 (a)는, 본 실시 형태의 소형 인렛을 금속 부재(금속물)에 설치한 상태를 나타내는 사시도이고, 도8의 (b)는 도8의 (a)에 있어서의 X2-X2 화살표 단면도이다. 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.

본 실시 형태에서 말하는 소형 인렛은, IC 칩과, IC 칩의 임피던스 매칭용의 회로를 형성할 수 있는 길이 및 폭의 소형 안테나를 갖고, 베이스로 되는 필름 등의 위에 이들을 고정한 것을 말한다.

도8의 (a)에 도시하는 바와 같이 소형 인렛(3A)은, Al 등의 전기 도체의 금속 박막으로 구성된 직선 형상의 소형 안테나(11A)가, 예를 들어 절연체인 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌(PP) 등으로 이루어지는 베이스 필름(13)의 표면에 성막, 인쇄 등에 의해 형성되고, 소형 안테나(11A)의 길이 방향에 있어서의 양단부에 형성한 접속부(11b)와의 중간부의, L자 형상의 슬릿(6A)을 형성하여 임피던스 매칭용의 회로를 설치한 부분(이하, 슬릿부라 칭함)(11a)에 IC 칩(5)이 탑재된 것이다. 이때, IC 칩(5)의 신호 입출력 전극(5a, 5b)[도8의 (b) 참조]은, 슬릿(6A)을 걸쳐 초음파 접합, 공정(共晶) 접합, 이방성 도전막을 통하는 등에 의해 소형 안테나(11A)와 전기적으로 접속되어 있다.

소형 안테나(11A)는, 길이(L2 + L1 + L2)가 약 30 ㎜와, 송수신에 이용되는 2.45 ㎓의 전파의 파장을 λ라 했을 때 파장(λ)의 1/4 이하의 길이이다. 이러한 구성의 소형 인렛(3A)은, 도8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 또한 슬릿부(11a)의 하면측(설치면측)에 도시하지 않은 점착재로 접착된 절연재로 구성된 스페이서 부재(21)를 갖고, 금속 부재(2)의 표면에, 소형 인렛(3A)의 이면에 도포 부착된 점착재(15)에 의해 접착된다. 이때 소형 안테나(11A)의 양방의 접속부(11b)가 베이스 필름(13) 및 점착재(15)를 통해 금속 부재(2)와 정전 용량 결합으로 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는,「소형 안테나의 소정의 단부」로서 소형 안테나(11A)의 양방의 소정의 길이(L2)의 접속부(11b)가 금속 부재(2)와 정전 용량 결합에 의해 접속되어 있다.

도8의 (a)에 도시하는 바와 같이 슬릿부(11a)는, 길이 방향의 대략 중앙 부분에서, 측면측으로부터 대략 절반 폭까지 베이고, 또한 길이 방향으로 직각으로 절곡되어, 전체적으로 평면 형상이 L자 형상으로 베인 슬릿(6A)을 갖고 있다.

여기서, 소형 안테나(11A)의 두께는, 예를 들어 20 ㎛, 베이스 필름(13)의 두께는, 예를 들어 20 ㎛, 스페이서 부재(21)의 두께는, 예를 들어 80 ㎛ 이상으로 한다.

또한, 슬릿부(11a)의 길이 방향의 길이(L1)는, 상기 L자 형상의 슬릿(6A)의 길이 방향의 길이, 예를 들어 약 3.5 ㎜의 길이 방향의 양측에 IC 칩(5)의 폭 등의 여유를 갖게 한 7 ㎜ 이상의 길이로 한다. 접속부(11b)의 길이(L2)는, 예를 들어 약 5 ㎜로 한다. 그렇게 하면, 전체의 길이(L2 + L1 + L2)는, 약 17 ㎜[파장(λ)의 단위로 환산하여 λ/7 이하]로 할 수 있다. 여기서, 길이(L1)를 약 20 ㎜로 하여 전체의 길이(L2 + L1 + L2)를 약 30 ㎜로 하면 통신 거리가 비교적 길어지는 것 을 실험으로부터 알았다.

덧붙여, 슬릿부(11a)의 하면과 금속 부재(2)의 표면과의 간격(t1)이 100 ㎛ 이상이면 통신 가능한 것을 확인하고 있다. 이 간격(t1)이 커질수록 통신 거리가 증대된다.

또한, 접속부(11b)가 금속 부재(2)와 정전 용량 결합으로 접속하는 경우에는, 접속부(11b)의 하면과 금속 부재(2)의 표면과의 간격(t2)은 0 < t2 < 300 ㎛를 만족시키면 통신 가능한 것을 확인하고 있다. 이 간격(t2)이 커질수록 접속부(11b)의 면적을 증대시킬 필요가 있다. 즉, 접속부(11b)의 길이 방향의 길이(L2)를 증대시킬 필요가 있다.

덧붙여, 상기 예시한 수치는, IC 칩(5)의 길이 방향의 폭이 약 0.5 ㎜이고, IC 칩(5)의 통신 주파수는 2.45 ㎓인 경우이다. 슬릿(6A)의 길이(약 3.5 ㎜)는, 즉, 슬릿부(11a)의 길이는 임피던스 매칭의 정도에 의해 적절하게 설정하는 것이다.

또한, 접속부(11b)와 금속 부재(2)의 표면과의 간격(t2)은, 300 ㎛까지는 정전 용량 결합상 문제가 없는 것을 알고 있으므로, 베이스 필름(13)과 점착재(15)의 양방의 합계 두께[간격(t2)]를 300 ㎛ 이하로 하고, 도8의 (a)에 도시하는 바와 같이 적극적으로 스페이서 부재(21)를 슬릿부(11a)의 하면에 배치하지 않고, 금속 부재(2)에 접착해도 좋다. 이것에 의해, 슬릿부(11a)의 하면과 금속 부재(2)의 표면과의 간격(t1)을 100 ㎛ 이상 확보할 수 있으므로 통신 가능한 것을 확인하고 있다.

IC 칩(5)의 신호 입출력 전극(5a, 5b)을, 슬릿(6A)을 걸친 양측에 위치하는 슬릿부(11a)의 금속 박막과 전기적 접속함으로써, 슬릿(6A)의 형성에 의해 생긴 스터브(6a)의 부분을, 안테나로 되는 슬릿부(11a) 및 금속 부재(2)와, IC 칩(5)과의 사이에 직렬로 접속함으로써 스터브(6a)의 부분이 직렬로 접속한 인덕턴스 성분으로서 작용한다. 이 인덕턴스 성분에 의해, IC 칩(5) 내의 용량성 성분을 상쇄하고, 안테나와 IC 칩(5)의 임피던스 매칭을 취할 수 있다.

즉, IC 칩(5)은 충분한 면적의 금속 부재(2)를 안테나로 할 수 있는 동시에, IC 칩(5)의 임피던스와, 슬릿부(11a) 및 금속 부재(2)에 의해 형성된 안테나의 임피던스를 매칭시킬 수 있다. 이러한 슬릿(6A)을 포함하는 슬릿부(11a)를 임피던스 매칭 회로라 칭한다.

또한, 임피던스 매칭은 슬릿(6A)의 L자형의 코너까지의 각 길이에 의해 결정되는 스터브(6a)의 인덕턴스 성분에 의해 결정된다.

본 실시예에 따르면, 소형 인렛(3A)의 설치 부재인 금속 부재(2)가 소형 인렛(3A)의 안테나로서 작용하므로, 소형 안테나(11A)의 슬릿부(11a)의 길이 방향의 길이는 통신 파장(λ)의 1/4 이하의 길이라도 좋고, 전체 길이(L2 + L1 + L2)에서도 최소 약 17 ㎜, 통신 거리를 늘리기 위해 바람직하게는 약 30 ㎜로 해도 파장(λ)의 1/4 이하의 길이로 되어 소형 인렛(3A)으로 통신이 가능하게 된다. 즉, 본 실시 형태에 따르면, 금속물의 표면을 IC 칩(5)의 안테나로서 작용시킬 수 있으므로, 임피던스 매칭 회로를 포함한 IC 칩(5)이 탑재된 소형 인렛(3A)의 길이가, IC 칩(5)의 통신 파장(λ)의 1/2보다 짧아도 IC 칩(5)이 탑재된 금속 박판을 RFIC 태 그로서 통신 가능하게 할 수 있다.

또한, 슬릿부(11a)의 하면과 금속 부재(2)와의 간극을 100 ㎛ 이상 확보하여, 임피던스 매칭 회로로서 기능시키면 좋으므로, 금속 부재(2)의 표면으로부터의 돌출이 작아서 소형 인렛(3A)이 걸리기 어렵다.

또한, 본 실시 형태의 소형 인렛(3A)이 적용되는 금속 부재(2)로서는, 알루미늄(Al), 탄소 강, 스테인레스 강, 구리(Cu) 등의 도전성 금속이다. 덧붙여, 자성체, 비자성체의 차이와는 관계없이 스테인레스 강에 적용 가능하다.

이러한 소형 인렛(3A)을, 라벨 용지의 점착재 도포면측에 접착하여 라벨을 접착할 때에 동시에 접착되도록 하고, 이 라벨을 강재 등의 이력 관리용에 이용할 수 있다. 특히 원자력용이나 선박용의 강재는 품질 관리가 중요하고, 구입했을 때의 치수의 강관이나 강판을 재단한 나머지의 단재(端材)에는 소재 출하시의 품질 증명의 마킹이 부여되지 않는 측인 경우가 많다. 그 경우에도, 재단 전에 품질 증명의 내용을 소형 인렛(3A) 부착의 라벨을 접착하여, IC 칩(5)에 품질 증명의 내용을 기억시켜 두면, 단재를 이용하는 경우의 품질 체크시에는 리더/라이터를 라벨 상에 대는 것만으로 용이하게 판별을 할 수 있다.

(제2 실시 형태의 제1 변형예)

다음에, 제2 실시 형태의 제1 변형예를, 도9의 (a), 도9의 (b)를 참조하면서 설명한다. 제2 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.

제2 실시 형태에서는, 소형 인렛(3A)을 금속 부재(2)의 표면에 설치하는 것 이었지만, 본 변형예는 금속물에 형성한 오목부에 소형 인렛(3A)을 매립하여 이용하는 방법이다.

도9의 (a)는, 볼트의 헤드에 오목부를 형성하여 소형 인렛을 설치하는 사용 방법을 설명하는 도면으로, 볼트의 헤드의 평면도이다. 도9의 (b)는, 도9의 (a)에 있어서의 X3-X3 화살표 종단면도이다. 단, 도9의 (a)에서는, 도면을 알기 쉽도록 밀봉재(17)를 충전 전의 상태에서 도시하고 있다.

본 변형예에서는, 도전성 금속, 예를 들어 탄소 강이나 스테인레스 강 등의 볼트(금속물)(7)의 헤드에 대략 원통형의 오목부(25)를 형성하고, 또한 오목부(25)의 주위벽에 직경 방향 외측으로 돌출하도록 대향하는 위치에 어깨부(26)를 형성하고, 이 어깨부(26)에 소형 인렛(3A)의 접속부를 도전성 접착제(16)로 고정한다. 그리고, 오목부(25)에 밀봉재(17)를 충전하고, 볼트(7)의 헤드를 평탄하게 한다.

밀봉재(17)는 절연성의 재료이고, 에폭시 수지, 저온 유리[밀폐식(hermetic) 밀봉] 등을 적용할 수 있다.

이와 같이 소형 인렛(3A)을 금속물의 오목부(25) 내에 설치하여 사용하는 경우에는, 오목부(25)의 주위벽의 영향을 피하기 위해, 슬릿부의 하측의 오목부(25)의 바닥면과의 간격을 확보할 뿐만 아니라, 도9의 (a)에 도시하는 바와 같이 슬릿부의 측방의 주위에도 간격을 확보할 필요가 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 평탄한 금속물의 표면에 소형 인렛(3A)을 설치한 상태와 동등해진다.

또한, 볼트(7)의 헤드의 표면으로부터 더욱 얕은 위치에 소형 인렛(3A)을 위치시키도록 한 쪽이, 더욱 통신 거리는 길어진다.

도9의 (c)는, 도9의 (a)에 도시한 볼트보다도 소경인 볼트에 적용한 경우의 볼트의 헤드의 평면도이다. 슬릿부가 오목부(25)의 직경 방향 중앙에 대응하도록 소형 인렛(3A)을 배치할 필요가 있다.

이와 같이 볼트(7)에 소형 인렛(3A)을 오목부(25) 내에 배치하여 밀봉재(17)를 충전하여, 매립하여 사용함으로써, 볼트(7)를 안테나로서 작용시키고, 매립된 소형 인렛(3A)에 탑재된 IC 칩(5)과 통신 가능하게 할 수 있다. 또한, 소형 인렛(3A)이 내부에 매립되어 있으므로 파손되는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 소형 인렛(3A)이 매립된 볼트(7)는, 볼트(7)가 설치된 물품의 품질 관리 데이터 등을 IC 칩(5)에 기억시켜 관리할 수 있다. 또한, 볼트(7) 그 자체를 나사 고정식의 RFIC 태그로서 사용할 수도 있다.

(제2 실시 형태의 제2 변형예)

다음에, 제2 실시 형태의 제2 변형예를, 도10을 참조하면서 설명한다. 제1 변형예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.

도10의 (a)는, 코인에 오목부를 형성하여 소형 인렛을 설치하는 사용 방법을 설명하는 도면으로, 코인의 사시도이다. 도10의 (b)는 도10의 (a)에 있어서의 X4-X4 화살표 종단면도이다. 단, 도10의 (a)에서는, 도면을 알기 쉽도록 밀봉재(17)를 충전 전의 상태에서 도시하고 있다.

본 변형예에서는, 도전성 금속, 예를 들어 놋쇠, 백동, 알루미늄 합금 등으로 성형된 코인(금속물)(8)의 일면측에 개방된 대략 원통형의 오목부(25)를 형성하 고, 또한 직경 방향 외측으로 돌출하도록 대향하는 위치에 어깨부(26)를 형성하고, 이 어깨부(26)에 소형 인렛(3A)의 접속부를 도전성 접착제(16)로 고정한다. 그리고, 오목부(25)에 밀봉재(17)를 충전하고, 코인(8)의 상기 일면측을 평탄하게 한다.

이와 같이 코인(8)에 소형 인렛(3A)을 매립하여 사용함으로써, 코인(8)을 안테나로서 작용시키고, 매립된 소형 인렛(3A)에 탑재된 IC 칩(5)과 통신 가능하게 할 수 있다. 또한, 소형 인렛(3A)이 내부에 매립되어 있으므로, 파손되는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 소형 인렛(3A)이 매립된 코인(8) 그 자체를, 예를 들어 게임장에 있어서의 코인으로서 사용할 수 있다. 코인(8)을 사용하여 놀이할 수 있는 게임장 입구에 있어서, 손님에게 교부된 코인(8)을 각 게임기에 삽입하면, 게임 기기측에서 IC 칩(5)과 통신하여, 데이터의 판독 기입을 하도록 하면, 손님의 포인트의 증감을 IC 칩(5)에 갱신 기억시킬 수 있고, 손님이 다수매의 코인을 가지고 와서 게임장에서 놀이에 사용할 필요가 없어진다. 또한, 손님이 어느 게임 기기에서 놀이를 하고 있는지 등 경향 분석 등에도 이용할 수 있다.

또한, 상기 제2 실시 형태의 제1 및 제2 변형예에서는, 소형 인렛(3A)을 도전성 접착제(16)로 부착하는 것으로 했지만, 도시하지 않은 베이스 필름을 통한 정전 용량 결합에 의한 접속이므로 절연성의 접착제로 부착해도 좋다.

또한, 상기 제2 실시 형태의 제1 및 제2 변형예에서는, 소형 인렛(3A)을 이용한 경우를 설명했지만, 제1 실시 형태에 있어서의 RFIC 태그(1A)의 금속 박판(10A)을 평판으로 신장시키고, 그 접속부를 오목부(25)의 어깨부(26)에 납땜 등 으로 용접하여 부착하여 이용해도 좋다.

그 밖에, 볼트(7) 또는 코인(8)에 오목부(25)를 형성 후, 오목부(25)의 바닥부로부터 어깨부(26)의 상면의 높이까지 밀봉재(17)를 주입하고, 그 상면을 편평하게 하고, 그것에, 금속 박막(도전성의 박막)을, 예를 들어 잉크젯 방식으로 인쇄하여 슬릿부와 어깨부(26)에 중첩되는 접속부를 형성하고, 그 후 IC 칩(5)을 슬릿부에 탑재하여 RFIC 태그를 구성해도 좋다. 마지막으로 밀봉재(17)를 오목부(25)의 상단부까지 충전하여, 볼트(7) 또는 코인(8)의 상단부면을 평활하게 한다.

또한, 상기한 제1 실시 형태 및 그 변형예, 상기한 제2 실시 형태 및 그 변형예에서는, 임피던스 매칭용의 회로를 형성하는 슬릿은 L자 형상으로 했지만 그것에 한정되는 것은 아니고, 도11의 (a)에 도시하는 바와 같은 T자 형상의 슬릿(6B)이라도 좋다.

도11의 (a)는, 알기 쉽게 하기 위해 IC 칩(5)을 제거한 상태의 소형 인렛(3B)의 평면도이고, 도11의 (b)는 소형 인렛(3B)을 금속 부재에 설치한 경우의 등가 회로도이다.

Claims

무선파에 의해 작동하는 IC 칩을 도전성의 박판 또는 박막에 탑재한 RFIC 태그이며,

상기 도전성의 박판 또는 박막은 그 양단부측에 형성된 접속부가 금속물과 전기적으로 접속 또는 정전 용량적으로 접속하도록 설치됨으로써, 상기 금속물이 상기 IC 칩의 안테나를 구성하고,

상기 도전성의 박판 또는 박막은, 중간부에 상기 안테나의 임피던스와 상기 IC 칩의 임피던스를 매칭시키기 위한 임피던스 매칭용의 회로를 구비하고,

적어도 상기 임피던스 매칭용의 회로 부분을 상기 금속물로부터 소정의 간격을 두어 설치하는 RFIC 태그.
제1항에 있어서, 상기 임피던스 매칭용의 회로라 함은, 상기 도전성의 박판 또는 박막의 중간부에 형성된 L자 형상 또는 T자 형상의 슬릿인 RFIC 태그.
제2항에 있어서, 상기 IC 칩은, 상기 안테나와 전기적으로 접속하는 단자를, 상기 슬릿을 걸치도록 하여 상기 도전성의 박판 또는 박막에 접속하고 있는 RFIC 태그.
제2항에 있어서, 상기 도전성의 박판 또는 박막은, 적어도 상기 슬릿 부분을 상기 금속물의 표면으로부터 소정의 간격을 두도록 스페이서 부재를 통해 설치하는 RFIC 태그.
제1항에 있어서, 발신 또는 수신하고자 하는 전파의 파장을 λ라 했을 때, 상기 도전성의 박판 또는 박막의 상기 금속물로부터 소정의 간격을 둔 상기 임피던스 매칭용의 회로 부분의 길이 방향의 길이는 λ/2 보다도 짧은 것을 특징으로 하는 RFIC 태그.
무선파에 의해 작동하는 IC 칩을 도전성의 박판 또는 박막에 탑재한 RFIC 태그이며,

상기 도전성의 박판 또는 박막은, 그 양단부에 금속물과 전기적으로 접속 또는 정전 용량적으로 접속하는 접속부와, 중간부에 상기 IC 칩을 탑재했을 때의 임피던스 매칭용의 회로를 구비하여, 상기 무선파의 파장(λ)의 1/2 보다도 짧은 길이로 하여 구성되고,

상기 양단부가 상기 접속부를 통해 상기 금속물에 설치되었을 때에, 상기 중간부가 상기 금속물로부터 소정의 간격을 두어 위치하도록 설치 가능하게 구성된 RFIC 태그.
제1항에 있어서, 상기 도전성의 박판은, 도전성의 금속 박판, 도전성 금속막을 표면에 형성한 박판, 또는 도전성 수지에 의해 구성된 박판인 RFIC 태그.
무선파에 의해 작동하는 IC 칩을 임피던스 매칭용의 회로를 갖는 도전성의 박판 또는 박막에 탑재한 RFIC 태그의 사용 방법이며,

상기 도전성의 박판 또는 박막의 양단부측에 형성된 접속부를 금속물과 전기적으로 접속 또는 정전 용량적으로 접속하도록 설치하고, 상기 금속물이 상기 IC 칩의 안테나를 구성하고,

상기 도전성의 박판 또는 박막은,

적어도 상기 임피던스 매칭용의 회로 부분을 상기 금속물로부터 소정의 간격을 두어 설치하는 RFIC 태그의 사용 방법.
무선파에 의해 작동하는 IC 칩과 임피던스 매칭용의 회로를 갖는 소형 안테나를 포함하여 이루어지는 소형 인렛의 형태의 RFIC 태그의 사용 방법이며,

상기 소형 안테나의 소정의 단부에 형성된 접속부를, 금속물과 전기적으로 접속, 또는 정전 용량 결합에 의해 접속하고, 상기 금속물이 상기 IC 칩의 안테나를 구성하고,

상기 소형 안테나는,

적어도 상기 임피던스 매칭용의 회로 부분을 상기 금속물로부터 소정의 간격을 두어 설치하는 RFIC 태그의 사용 방법.
제9항의 사용 방법에 이용되는 상기 소형 인렛의 형태의 RFIC 태그이며,

상기 소형 안테나의 길이는 발신 또는 수신하고자 하는 전파의 파장을 λ라 했을 때 λ/2 보다도 짧은 RFIC 태그.
제10항에 있어서, 베이스 필름 상에 상기 임피던스 매칭용의 회로를 갖는 금속 박막을 형성하여 상기 소형 안테나를 구성하고,

상기 임피던스 매칭용의 회로 부분에 대응하는 상기 베이스 필름의 설치면측에, 소정의 두께의 스페이서 부재를 접착한 RFIC 태그.
제11항에 있어서, 상기 임피던스 매칭용의 회로라 함은, 상기 금속 박막에 형성된 L자 형상 또는 T자 형상의 슬릿인 RFIC 태그.
무선파에 의해 작동하는 IC 칩을 임피던스 매칭용의 회로를 갖는 도전성의 박판 또는 박막에 탑재한 RFIC 태그의 사용 방법이며,

금속물에 오목부를 형성하여, 상기 오목부에 어깨부를 형성하고,

상기 도전성의 박판 또는 박막의 양단부측에 형성된 접속부를 상기 어깨부와 전기적으로 접속 또는 정전 용량적으로 접속하도록 설치하고, 상기 금속물이 상기 IC 칩의 안테나를 구성하고,

상기 도전성의 박판 또는 박막은,

적어도 상기 임피던스 매칭용의 회로 부분을 상기 오목부의 주위벽 및 바닥면으로부터 소정의 간격을 두어 설치하는 RFIC 태그의 사용 방법.
무선파에 의해 작동하는 IC 칩과 임피던스 매칭용의 회로를 갖는 소형 안테나를 포함하여 이루어지는 소형 인렛의 형태의 RFIC 태그의 사용 방법이며,

금속물에 오목부를 형성하여, 상기 오목부에 어깨부를 형성하고,

상기 소형 안테나의 소정의 단부를 상기 어깨부와 전기적으로 접속, 또는 정전 용량 결합에 의해 접속하고, 상기 금속물이 상기 IC 칩의 안테나를 구성하고,

상기 소형 안테나는,

적어도 상기 임피던스 매칭용의 회로 부분을 상기 오목부의 주위벽 및 바닥면으로부터 소정의 간격을 두어 설치하는 RFIC 태그의 사용 방법.