KR100844772B1 - 칩 스케일 패키지 제조방법 - Google Patents

칩 스케일 패키지 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 쏘우 필터(saw filter) 보호를 위하여 패키지 내에 실장할 때, 보호 필름을 사용함으로써, 월(wall) 공정, 글루빙(grooving), 몰딩(molding) 공정을 생략하여 제조공정을 단순화할 수 있는 칩 스케일 패키지 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 세라믹 기판상에 비아홀을 형성하여 접지 단자들이 패터닝되어 있는 패키지 기판을 형성하는 단계; 상기 패키지 기판 상에 형성되어 있는 접지 단자들과 반도체 칩 단자들을 전기적으로 콘택시켜 실장하는 단계; 상기 실장되어 있는 반도체 칩 상에 보호 필름을 밴딩하는 단계; 상기 보호 필름의 양측 가장자리를 제거하는 단계; 상기 밴딩된 보호 필름 상에 메탈층을 형성하는 단계; 및 상기 메탈층이 형성되어 있는 패키지 기판 상에 에폭시에 의하여 봉입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
패키지, 메탈층, 보호 필름, 필터, 솔더(solder)

Description

칩 스케일 패키지 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING CHIP SCALE PACKAGE}
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 칩 스케일 패키지 제조공정을 도시한 도면.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 칩 스케일 패키지 제조공정을 도시한 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
11: 패키지 기판 13: 쏘우 필터
15: 솔더(solder) 17: 보호 필름
19: 메탈 층 20: 에폭시
본 발명은 칩 스케일 패키지 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 쏘우 필터가 내장하여 패키지를 제조할 때, 제조 공정이 단순화시키면서 필터를 열과 습기로부터 보호할 수 있는 칩 스케일 패키지 제조방법에 관한 것이다.
최근, 이동 통신 시스템의 발전에 따라, 휴대 전화, 휴대형의 정보 단말기 등의 이동 통신 기기가 급속히 보급되어, 이들 기기의 소형화 및 고성능화의 요구 에 따라 부품의 소형화 및 고성능화가 되고 있다.
또한, 휴대 전화에 있어서는 아날로그 방식과 디지털 방식의 2개의 종류의 무선 통신 시스템이 이용되고 있고, 무선 통신에 사용하는 주파수도 800MHz∼1GHz대와, 1.5GHz∼2.0GHz 대로 다방면에 걸쳐 있다.
그리고 표면탄성파 분파기라 불리는 SAW 듀플렉서, 통신할 때 신호를 송신하는 전력을 공급하는 전력증폭기 모듈(Power Amp Module: PAM)등의 부품이 소형화되어 사용된다.
특히, 상기 SAW 듀플렉서는 통신 장치 및 다른 전자 장치에서 하나의 패키지 칩으로 제조되는데, 대역 통과 필터인 SAW 필터를 결합한 것이다. 상기 SAW 필터로는 압전 기판 상에 소정 거리로 배열된 두 개의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 가지는 횡형 SAW 필터와, 압전 기판 상에 공진자를 구성하는 SAW 공진자 필터가 있다.
SAW 공진자 필터로서, 러브파, BGS(Bleustein-Gulyaev-Shimuzu)파 및 다른 유사한 파와 같은 SH(Shear Horizontal) 표면 탄성파를 이용하는 단면 반사형 SAW 공진자 필터가 알려져 있다.
상기에서, 설명한 쏘우-듀플렉서는 휴대전화기로 대표되는 이동 통신기기에 있어서, 신호의 송신과 수신이 동시에 이루어지도록 상호간의 간섭을 최소화하는 필터로 사용되는데, 송신용 필터와 수신용 필터로 구성되어 있으며, 각각의 필터는 LiNbO3 등과 같은 압전체 상에 전기적인 입력신호를 기계적인 진동을 변환시키는 입력변환기와 이와 대립 형성되어 있으며 기계적인 진동을 전기적인 신호로 변환하 여 부하로 출력시키는 출력변환기가 형성되어 있고, 상기 입력변환기와출력변환기에는 빗살형태의 알루미늄전극이 서로 소정거리 이격 형성되어 있다.
그리고, 상기와 같은 쏘우 듀플레서의 경우는 쏘우 필터부와 위상 변환부로 구분되어 HTCC나 LTCC 공정에 의해 제작된 패키지에 실장되는데, 이동 통신기기의 소형화와 더불어 소형칩 형태로 제조하는 기술이 발달되고 있다.
상기 HTCC 고온소성세라믹기판 제조 공정은 일반적으로 SAW 필터(Filter) 패키지(package), TCXO 패키지(package), 컴퓨터 CPU 모드에 사용되는 PGA 패키지(package) 등에 사용된다.
상기 HTCC 공정은 1300-1500℃의 고온에서 소성이 이루어지고 내부전극도 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 환원분위기용 금속이 사용되고, 내부전극과 세라믹의 물성으로 인해 고주파대역에서는 사용하지 않는다.
상기 HTCC의 제조 공정을 보완하기 위하여 저온에서 패키지를 제조하는 공정이 개발되었는데, 그것이 LTCC 제조 공정이다.
상기 LTCC는 상기 HTCC 공정의 문제점인 전극 재료와 세라믹 재료의 물성 한계를 극복할 수 있는 공법으로, 저온(Low Temperature) 공정을 사용할 수 있기 때문에 전도성이 우수한 금속을 사용할 수 있고, 세라믹 재료와 동시에 소성이 이루어지는 코파이어(Co-fire) 공정기술이 적용되기 때문에 집적화와 소형화를 이룰 수 있다.
글라스(Glass) 계열 혹은 그것을 섞은 형태의 세라믹 계열 기판을 사용하면, 800~1,000℃ 정도에서 금속을 입힌 기판들을 압착 소성시킬 수 있으며, 고주파 수 동 소자 제작에 매우 적합하다.
상기 LTCC에서 사용하는 기판 재료는 저온 소성이 가능한 글라스 세라믹 재료이고, 내부 전극은 전기 전도도가 높고, 저온 소성을 필요로 하는 은이나 동, 금 등의 금속을 사용한다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 칩 스케일 패키지 제조공정을 도시한 도면이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판 상에 비아홀(via hole)을 형성하고, 금속막을 증착하여 기판의 상하를 관통하는 접지 단자(20)를 형성한 패키지 기판(1)을 제조한다.
상기 패키지 기판(1)은 일반적인 PCB 제조 공정과 동일한 공정을 사용하거나, HTCC 또는 LTCC 공정을 선택적으로 사용하여 제조할 수 있다.
즉, 상기 패키지 기판(1) 상에는 신호 입출력을 위한 회로 패턴들을 형성하고, 상기 회로 패턴들의 입출력 단자들에 비아 홀(via hole)을 형성하여 상하 전기적으로 관통된 접지 단자가 형성되어 있다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 기판(1) 상에 형성되어 있는 회로 패턴들의 단자들 상에 금속으로 되어 있는 솔더(solder: 5) 들을 사이에 두고 쏘우 필터 칩(3)을 실장한다.
플립칩 본딩(flip chip bonding) 방식에 의하여 상기 쏘우 필터(saw filter : 3)의 단자들이 상기 솔더(5)에 의하여 상기 패키지 기판(1) 상의 회로 단자들을 전기적으로 콘택 시킨다.
상기 쏘우 필터 (saw filter: 3) 상에는 외부로부터 인가되는 열과 습기로부터 손상을 방지하기 위하여 월(wall: 7)을 형성하였다. 상기 월(wall: 7)은 절연체로 형성되며, 상기 쏘우 필터 칩(3) 상에 직접 형성하거나 실장 후에 월(7)을 형성하는 방법으로 형성한다.
또한, 상기 쏘우 필터(saw filter: 3)를 보호하기 위하여 형성된 상기 월(wall: 7)은 필터 내부를 외부와 차단시킬 뿐만 아니라 패키지 제조 공정 중에 이물질의 유입을 방지하기 위해서 형성한다.
그런 다음 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 쏘우 필터(7) 상에 메탈층을 형성하기 위하여 상기 패키지 기판(1)의 양측 가장자리 영역을 일정한 기울기를 갖도록 글루빙(grooving)하는 작업을 진행한다.
왜냐하면, 상기 실장된 쏘우 필터(3) 상에 메탈층과 에폭시 수지가 형성될 때, 상기 패키지 기판(1)과 메탈층 사이를 통하여 에폭시 수지가 침투하여 상기 쏘우 필터(3)를 손상시킬 수 있기 때문이다.
글루빙(grooving) 공정에 의하여 상기 패키지 기판(1)에 일정한 기울기의 모서리가 형성되면, 도 1d에 도시된 바와 같이, 메탈이 도포되어 메탈층(9)이 형성된다.
상기 메탈층(9)은 상기 실장되어 있는 쏘우 필터(3)가 외부의 전자계로부터 쉴드(shield)되도록 하면서, 필터를 보호하기 위해서이다.
상기 메탈층(9)은 글루빙 공정이 진행된 상기 패키지 기판(1) 상으로 도포되는데, 이때 일정한 경사에 따라 상기 메탈층(9)이 상기 패키지 기판(1)의 양측 모 서리를 통하여 형성되어 상기 실장된 쏘우 필터(3)를 완전히 감싸게 된다.
그리고, 상기 메탈층(9)과 상기 패키지 기판(1)의 가장자리가 수평한 층으로 분리되는 것이 아니라, 일정한 경사를 따라 형성되므로 상기 패키지 기판(1) 층과 메탈층(9) 사이로 이 물질이 유입되지 않는다.
그런 다음, 도 1e에 도시된 바와 같이, 실장된 쏘우 필터(3) 상에 상기 메탈층(9)이 형성되면, 계속해서 에폭시 수지를 상기 메탈층(9) 상에 형성하여 완전히 봉입시키는 작업이 진행된다.
이렇게 형성된 반도체 칩 패키지는 하나의 소자로써 PCB 상에 배치되어 작동하게 된다.
그러나, 상기와 같은 제조 공정에 의한 칩 스케일 패키지 제조방법은, 쏘우 필터를 열과 습기로부터 보호하기 위하여 별도의 공정에 따라 월을 형성하여야하고, 메탈층 형성 과정에서도 에폭시 또는 습기가 패키지 내부로 침투하는 것을 방지하기 위하여 글루빙(grooving) 공정을 진행해야하기 때문에 제조 단가가 높을 뿐 만 아니라 제조 시간도 오래 걸리는 문제가 있었다.
본 발명은, 쏘우 필터를 내장할 때 별도의 월(wall) 형성 공정을 진행하지 않고, 외부로부터 침투될 열과 습기를 차단하여 필터를 보호할 수 있는 칩 스케일 패키지 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 칩 스케일 패키지 제조방법 은,
세라믹 기판 상에 비아홀을 형성하여 접지 단자들이 패터닝되어 있는 패키지 기판을 형성하는 단계;
상기 패키지 기판 상에 형성되어 있는 접지 단자들과 반도체 칩 단자들을 전기적으로 콘택시켜 실장하는 단계;
상기 실장되어 있는 반도체 칩 상에 보호 필름을 밴딩하는 단계;
상기 보호 필름의 양측 가장자리를 제거하는 단계;
상기 밴딩된 보호 필름 상에 메탈층을 형성하는 단계; 및
상기 메탈층이 형성되어 있는 패키지 기판 상에 에폭시에 의하여 봉입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 보호 필름은 폴리 이미드계 또는 에폭시 수지를 사용하고, 상기 보호 필름이 폴리 이미드계인 경우에는 노광 및 현상 공정에 의하여 필름 양측 가장자리를 제거하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 쏘우 필터를 패키지 기판 상에 실장 할 때 필터에 열과 습기가 침투되는 것을 방지하기 위하여 월 공정을 생략하고, 폴리 이미드 또는 에폭시 수지를 필름 형태로 형성하여 필터 상에 밴딩함으로써 제조 공정을 단순화하는 이점이 있다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 칩 스케일 패키지 제조공정을 도시한 도 면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판 상에 비아홀(via hole)을 형성하고, 금속막을 증착하여 기판의 상하를 관통하는 접지 단자를 형성하여 패키지 기판(11)을 제조한다.
상기 패키지 기판(11)은 PCB 제조 공정과 동일한 공정을 사용하거나, HTCC 또는 LTCC 공정을 선택적으로 사용하여 제조할 수 있다.
즉, 상기 패키지 기판(11) 상에는 신호 입출력을 위한 회로 패턴들을 형성하고, 상기 회로 패턴들의 입출력 단자들에 비아홀(via hole)을 형성하여 상하 전기적으로 관통된 접지 단자를 형성한다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 기판(11) 상에 형성되어 있는 회로 패턴들의 단자들 상에 금속으로 되어 있는 솔더(solder: 15) 들을 사이에 두고 쏘우 필터(13)를 실장한다.
플립칩 본딩(flip chip bonding) 방식에 의하여 쏘우 필터(saw filter: 13)의 단자들이 상기 솔더(15)에 의하여 상기 패키지 기판(11) 상의 회로 단자들을 전기적으로 콘택 시킨다.
그런 다음 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 쏘우 필터(saw filter: 13) 상에 보호 필름(17)을 밴딩하여 상기 패키지 기판(package substructure: 11) 상의 상기 쏘우 필터(13)를 커버한다.
상기 보호 필름(17)은 폴리 이미드 계의 물질이나, 에폭시 수지 계열의 물질을 필름 타입으로 형성하여 밴딩한다. 특히, 상기 폴리 이미드 계의 물질은 감광막 을 사용하여 패터닝을 할 수 있는 점을 이용하여, 상기 보호 필름(17) 가장자리를 제거하도록 하였다.
상기 패키지 기판(11) 상에 실장되어 있는 상기 쏘우 필터(13) 상에 밴딩(banding)되어 있는 보호 필름(17)의 가장자리 영역을 제거시킨다.
종래의 글루빙 공정과 유사한 공정으로 상기 보호 필름(17) 상에 증착될 메탈층(19)이 상기 보호 필름(17) 양측 가장자리에 형성되어 상기 쏘우 필터(13)가 커버될 수 있도록 하기 위해서이다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 보호 필름(17) 가장자리가 제거된 상태에서 메탈이 도포되면 상기 패키지 기판(11) 상의 전 면적은 상기 메탈층(19)이 도포된다. 즉, 상기 메탈층(19)과 보호 필름(17)이 상기 패키지 기판(11) 가장자리 영역으로 적층되지 않아 외부로부터 이 물질이 유입되지 않는다.
그런 다음, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 메탈층(19)이 형성된 상기 패키지 기판(11) 상에 에폭시 수지를 상기 메탈층(19) 상에 형성하여 상기 쏘우 필터(13)를 외부로부터 완전히 봉입시킨다.
따라서, 본 발명에서는 쏘우 필터를 패키지 기판 상에 실장한 다음 별도의 글루빙 공정 없이 보호 필름을 밴딩함으로써 패키지 제조 공정을 단순화 시켰다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 쏘우 필터를 패키지 상에 실장하고, 이를 폴리이미드계 또는 포토레지스트 계의 필름을 필터 상에 밴딩함으로써 패키지 제조 공정을 단순화할 수 있는 효과가 있다.
아울러, 필터를 보호하기 위하여 밴딩하는 필름에 의하여 글루빙 공정과 필터 보호를 위한 월 형성 공정을 생략할 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (3)

  1. 세라믹 기판 상에 비아홀을 형성하여 접지 단자들이 패터닝되어 있는 패키지 기판을 형성하는 단계;
    상기 패키지 기판 상에 형성되어 있는 접지 단자들과 반도체 칩 단자들을 전기적으로 콘택시켜 실장하는 단계;
    상기 실장되어 있는 반도체 칩 상에 보호 필름을 밴딩하는 단계;
    상기 보호 필름의 양측 가장자리를 제거하는 단계;
    상기 밴딩된 보호 필름 상에 메탈층을 형성하는 단계; 및
    상기 메탈층이 형성되어 있는 패키지 기판 상에 에폭시에 의하여 봉입하는 단계를 포함하며,
    상기 보호 필름은 폴리 이미드계 또는 에폭시 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 필름이 폴리 이미드계인 경우에는 노광 및 현상 공정에 의하여 필름 양측 가장자리를 제거하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20020056751A (ko) * 2000-12-29 2002-07-10 송재인 표면탄성파 소자 및 그 제조공정

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