KR100841830B1 - Uniform heating apparatus - Google Patents
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Abstract
내부에 등 간격으로 복수의 중공 파이프(3)가 배열되고, 각 중공 파이프(3)의 양단부가 외부로 노출되도록 마련된 열처리하는 플레이트(2)와, 인접하는 2개의 중공 파이프(3)의 단부에 U자관(4a, 4b)을 접속하여 사행 형상 관로를 형성하는 사행로 형성 수단과, 플레이트(2)의 외부 아래쪽으로 배치되고, 상기 사행 형상 관로의 한쪽 단부가 되는 입구부(5)에는 용기(7) 상부가 접속하고, 해당 사행 형상 관로의 다른쪽 단부가 되는 출구부(6)에는 용기(7)의 하부가 접속되어, 사행 형상 관로와의 사이에서 단일의 연통 회로를 형성하는 증발 용기(7)와, 상기 증발 용기(7) 내에 밀봉 충진된 소정량의 작동유(9)를 가열하는 히터(8)를 마련하고, 열처리 대상물(1)을 균일한 온도 분포를 유지하면서 가열하는 균열 장치이다.A plurality of hollow pipes 3 are arranged at equal intervals therein, and heat-treating plates 2 provided so that both ends of each hollow pipe 3 are exposed to the outside and end portions of two adjacent hollow pipes 3. Meandering path forming means for connecting the U-shaped pipes 4a and 4b to form a meandering conduit, and an inlet portion 5 disposed below the plate 2 and serving as one end of the meandering conduit. 7) The evaporation vessel which the upper part connects and the lower part of the container 7 is connected to the exit part 6 used as the other end of the said meandering pipeline, and forms a single communication circuit between meandering pipelines ( 7) and a cracker which provides a heater 8 for heating a predetermined amount of hydraulic oil 9 sealed and filled in the evaporation vessel 7, and heats the heat treatment object 1 while maintaining a uniform temperature distribution. .
Description
도 1은 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 1을 도시하는 구성도로서, 동 도면(a)는 평면도, 동 도면(b)는 측면도,BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a block diagram which shows
도 2는 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 2를 도시하는 구성도로서, 동 도면(a)는 평면도, 동 도면(b)는 측면도,Fig. 2 is a configuration
도 3은 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 3을 도시하는 구성도로서, 동 도면(a)는 평면도, 동 도면(b)는 측면도,Fig. 3 is a configuration
도 4는 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 4를 도시하는 구성도로서, 동 도면(a)는 평면도, 동 도면(b)는 측면도,Fig. 4 is a configuration diagram showing Embodiment 4 of the cracking device according to the present invention, in which (a) is a plan view, and (b) is a side view;
도 5는 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 5를 도시하는 구성도로서, 동 도면(a)는 평면도, 동 도면(b)는 측면도,Fig. 5 is a configuration
도 6은 종래의 제 1 열처리 장치를 설명하는 구성도로서, 동 도면(a)는 평면도, 동 도면(b)는 측면도,FIG. 6 is a configuration diagram illustrating a conventional first heat treatment apparatus, the drawing (a) is a plan view, the drawing (b) is a side view,
도 7은 종래의 제 2 열처리 장치를 설명하는 평면도,7 is a plan view illustrating a conventional second heat treatment apparatus;
도 8은 종래의 제 3 열처리 장치를 설명하는 구성도로서, 동 도면(a) 및 동 도면(b)는 각각 면 형상 히터의 평면도, 동 도면(c)는 동 도면(a) 및 동 도면(b)에 도시하는 면 형상 히터를 포함하는 열처리 장치의 측면도.Fig. 8 is a configuration diagram illustrating a conventional third heat treatment apparatus, in which Figs. (A) and (b) are plan views of planar heaters respectively, and (c) are drawings (a) and (Fig. Side view of the heat processing apparatus containing the planar heater shown to b).
※도면의 주요 부분을 나타내는 도면부호의 설명※※ Explanation of reference number indicating main part of drawing ※
1: 기판 2: 플레이트1: substrate 2: plate
3: 중공 파이프 4a, 4b: U자관3:
5: 입구관 6: 출구관5: inlet pipe 6: outlet pipe
7: 증발 용기 8: 히터7: evaporation vessel 8: heater
9: 작동액 10: 증기9: working fluid 10: steam
11: 응축액11: condensate
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 액정 유리 기판 등의 열처리 대상물을 열처리하는 균열 장치에 관한 것이다.This invention relates to the cracking apparatus which heat-processes heat processing objects, such as a semiconductor wafer and a liquid crystal glass substrate.
반도체 장치 혹은 액정 표시 장치 등의 제조 공정 중에는, 제 1 건조 행정, 제 2 건조 행정, 가열 행정 및 건조 행정 등의 여러 가지 열처리 공정이 있다. 제 1 건조 행정은 반도체 웨이퍼나 액정 유리 기판의 수분을 제거하기 위한 공정이다. 제 2 건조 행정은 포토레지스트(photoresist)를 도포한 후의 포토레지스트 막을 건조하는 공정이다. 가열 행정은, 포토레지스트 막에 노광 처리를 실시한 후에 가열하는 행정이다. 건조 행정은, 현상 처리를 실시한 후에 건조하는 공정이다. 이러한 각 열처리 공정에는, 웨이퍼나 기판 등을 소정의 온도로 유지하기 위해서 열처 리 장치가 사용된다.In manufacturing processes, such as a semiconductor device or a liquid crystal display device, there exist various heat processing processes, such as a 1st drying stroke, a 2nd drying stroke, a heating stroke, and a drying stroke. The 1st drying process is a process for removing the moisture of a semiconductor wafer or a liquid crystal glass substrate. The second drying step is a step of drying the photoresist film after applying the photoresist. The heating stroke is a stroke that is heated after the exposure treatment is performed on the photoresist film. A drying process is a process of drying after developing. In each of these heat treatment steps, a heat treatment apparatus is used to maintain a wafer, a substrate, or the like at a predetermined temperature.
종래의 열처리 장치에는 상이한 복수의 구성으로 이루어진 것이 제안되고 있다.In the conventional heat treatment apparatus, what consists of several different structures is proposed.
첫번째 열처리 장치는, 일본 공개 특허 공보(일본 특허공개 제 1999-283909 호 공보)에 기재되어 있다. 이 열처리 장치는, 도 6에 도시하는 바와 같이 열처리 플레이트를 사용하는 구성이다. 또한, 도 6(a)는 열처리 플레이트의 평면도이고, 도 6(b)는 도 6(a)에 도시하는 A-A선에 따른 단면도이다. 이 열처리 플레이트의 구성은, 직사각형의 베이스 플레이트(51) 위에 면 형상 히터(52), 열처리 플레이트(53)의 순서로 적층된 메인부(54)로 구성된다. 메인부(54)의 상면에는 착탈 가능하게 분할 플레이트(55A, 55B)로 이루어지는 서브 플레이트(55)가 배치되어 있다. 각 분할 플레이트(55A, 55B)의 면 위에는 스페이서의 역할을 하는 복수의 근접 볼(56,…)이 배열되어 있다. 복수의 근접 볼(56,…) 위에는 열처리 대상물인 반도체 웨이퍼나 기판 등(57)이 얹혀져 있다.The first heat treatment apparatus is described in Japanese Unexamined Patent Publication (Japanese Patent Laid-Open No. 1999-283909). This heat treatment apparatus is configured to use a heat treatment plate as shown in FIG. 6. 6A is a plan view of the heat treatment plate, and FIG. 6B is a sectional view taken along the line A-A shown in FIG. 6A. The structure of this heat treatment plate consists of the
두번째 열처리 장치는, 전술한 것과 같은 일본 공개 특허 공보(일본 특허공개 제 1999-283909 호 공보)에 기재되어 있다. 이 열처리 장치는, 도 6과 같이 열처리 플레이트를 사용하는 구성이다. 특히 다른 부분은, 도 7에 도시하는 바와 같이 메인부(54)의 구성에 있다. 메인부(54)는 직사각형의 중앙 분할 부분(54A)과, 이 중앙 분할 부분(54A)을 둘러싸도록 배치된 "コ"자 형상의 주연 분할 부분(54B, 54C)으로 구성된다. 각 분할 부분(54A∼54C)의 구성은 생략되어 있지만, 도 6과 같이 아래쪽으로부터 위쪽 방향으로 베이스 플레이트, 면 형상 히터 및 열처리 플 레이트의 순서로 적층된다.The second heat treatment apparatus is described in Japanese Unexamined Patent Publication (Japanese Patent Laid-Open No. 1999-283909) as described above. This heat treatment apparatus is configured to use a heat treatment plate as shown in FIG. 6. In particular, another part is in the structure of the
세번째 열처리 장치는, 일본 공개 특허 공보(일본 특허 공개 제 2004-288601 호 공보)에 기재되어 있다. 이 열처리 장치는, 상술한 바와 동일하게, 열처리 플레이트를 이용한 구성이다. 열처리 플레이트는, 도 8에 도시하는 바와 같이 구성된다. 즉, 열처리 플레이트는, 주변면 형상 히터(61)[도 8(a) 참조] 및 전역면 형상 히터(62)[도 8(b) 참조]가 도 8(c)에 도시하는 바와 같이 적층된다. 적층체를 구성하는 전역면 형상 히터(62)의 하면측에는 단열재(63)와 지지판(64)의 순서로 적층된다. 적층체를 구성하는 상부의 주변면 형상 히터(61)의 상면측에는 가열판(65)이 배치된다. 따라서, 주변면 형상 히터(61) 및 전역면 형상 히터(62)로 이루어지는 적층체는, 단열재(63)를 거쳐서 지지판(64)과 가열판(65) 사이에 개재되는 구성으로 되어 있다.The third heat treatment apparatus is described in JP-A-2004-288601. This heat treatment apparatus is a structure using a heat treatment plate similarly to the above. The heat treatment plate is configured as shown in FIG. 8. That is, the heat treatment plate is laminated as shown in Fig. 8 (c) with the peripheral heater 61 (see Fig. 8 (a)) and the global heater 62 (see Fig. 8 (b)). . The
즉, 세번째의 열처리 장치에 있어서의 열처리 플레이트는, 적어도 2개 면 형상 히터를 적층한 구성에 특징을 갖는다. 동 도면에 있어서, "66", "67"은 합성 운모 분말을 가압 성형한 면 형상체이고, "68", "69"는 사행(蛇行)형 박 히터, "70, "71"은 리드 인출부이다.That is, the heat treatment plate in the third heat treatment apparatus has a feature in that at least two surface heaters are stacked. In the figure, "66" and "67" are planar bodies formed by press-molding synthetic mica powder, "68" and "69" are meandering foil heaters, and "70," 71 "are lead outs. It is wealth.
그런데, 미세 가공을 필요로 하는 기판 등의 열처리 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼나 기판 등(57)의 열처리 대상물이 플레이트면 내에서 균일한 온도로 열처리될 것이 요구된다. 그러나, 열처리 플레이트의 외주부에 상당하는 플레이트 단면으로부터의 방열량이 크다. 그 때문에, 열처리 플레이트는, 방열의 영향 등을 받아서 온도가 저하하는 경향을 나타내는 경우가 많으므로, 플레이트 단면 부분의 온도 저하의 대책이 중요하다.By the way, in the heat processing process of the board | substrate etc. which require microprocessing, it is required for the heat processing target of the semiconductor wafer, the board | substrate etc. to be heat-treated at uniform temperature in a plate surface. However, the amount of heat radiation from the plate end surface corresponding to the outer peripheral portion of the heat treatment plate is large. Therefore, since the heat treatment plate often shows a tendency for the temperature to decrease due to the influence of heat radiation, a countermeasure against temperature decrease of the plate end face portion is important.
이에, 상기 공개 특허 공보(일본 특허 공개 제 1999-283909 호 공보)에 기재되는 열처리 플레이트에서는, 다음과 같은 온도의 저하 대책이 마련되어 있다. 즉, 도 7에 도시하는 바와 같이, 대략 직사각형의 중앙 분할 부분(54A)을 둘러싸도록 2개의 "コ"자 형상의 주연 분할 부분(54B, 54C)이 배치된다. 그리고, 각 분할 부분(54A, 54B, 54C)의 온도를 검출하고, 각 플레이트 내부에 적층된 면 형상 히터[도 6의 부호(52)에 해당]의 발열량을 제어하고, 열처리 플레이트의 표면을 균열화하는 대책이 마련되어 있다.Accordingly, in the heat treatment plate described in the above-mentioned Unexamined Patent Publication (Japanese Patent Laid-Open No. 1999-283909), the following measures for reducing the temperature are provided. That is, as shown in FIG. 7, two "co" shaped peripheral dividing
그러나, 이상과 같은 분할 플레이트(54A∼54C)로 구성했을 경우, 각 분할 플레이트(54A∼54C)의 돌출 결합하여 결합 부분에서 단차나 빈틈이 생기기 쉽다. 단차나 빈틈이 생기면, 열처리 플레이트의 열전도 효율이 나빠진다. 그 결과, 온도의 균열화에 악영향을 미치게 되는 동시에, 비용 및 신뢰성의 측면에서 실용성이 나빠지는 문제가 있다.However, in the case of the
또한, 상기 공개 특허 공보(일본 특허 공개 제 2004-288601 호 공보)에 기재되어 있는 열처리 플레이트에서는, 다음과 같은 온도의 저하 대책이 마련되어 있다. 이 열처리 플레이트는, 플레이트 전면을 균등하게 가열하는 전역면 형상 히터(62)와, 플레이트 주변의 온도를 조정하는 주변면 형상 히터(61)를 적층하여, 온도 조정하는 구성이다.Moreover, in the heat processing plate described in the said Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-288601, the following measures of the temperature fall are provided. This heat treatment plate is configured to laminate a
이러한 구성의 열처리 플레이트에서는, 플레이트 표면이 균등한 온도가 되도록, 히터(68, 69)의 배열 패턴을 고려할 필요가 있다. 균등한 온도가 되는 배열 패턴을 얻기 위해서는, 특정한 기판 사이즈에 대하여, 각종의 배열 패턴의 실험제작과 온도 분포의 실측을 되풀이 하면서 최적의 배열 패턴을 생성해야 하는 문제가 있다.In the heat treatment plate of such a structure, it is necessary to consider the arrangement pattern of the
또한, 면 형상 히터를 사용한 열처리 플레이트에서는 보통, 특정의 기판 사이즈에 맞춰서 균열성을 갖도록 조정된다. 그 결과, 열처리 대상물이 되는 기판의 사이즈가 변경되었을 때, 변경된 기판을 균일하게 가열할 수 없게 된다고 하는 문제가 있다.In addition, in the heat treatment plate using a planar heater, it is usually adjusted so as to have cracking properties in accordance with a specific substrate size. As a result, when the size of the board | substrate used as a heat processing target object is changed, there exists a problem that it becomes impossible to heat a changed board | substrate uniformly.
또한, 면 형상 히터를 사용한 열처리 플레이트에서는, 열처리 부분이 되는 플레이트[가열판(65)]와 베이스 부분이 되는 플레이트[지지판(64)]를 이용하여, 면 형상 히터(61, 62)를 사이에 끼워서 밀착 고정할 필요가 있다. 그 결과, 플레이트 전체의 두께가 커지고, 그에 따라 가열판(65)이 대형화된다. 따라서, 소정 시간 내에 소정의 온도로 승온시키기 위한 면 형상 히터의 투입 열량이 커지고, 전력을 쓸모없이 소비하는 문제가 있다.In the heat treatment plate using the planar heater, the
본 발명의 목적은, 열처리 대상물에 대하여, 균일한 온도 분포를 유지하면서 가열 가능하게 하는 균열 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a cracking device that enables heating while maintaining a uniform temperature distribution with respect to a heat treatment object.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 플레이트의 박형화에 의해 열 응답성을 높이고, 열처리 대상물의 사이즈에 의해 균열 특성이 변화되지 않도록 하는 균열 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a cracking device in which the thermal responsiveness is increased by thinning the plate and the cracking property is not changed by the size of the heat treatment target.
(1) 본 발명에 따른 균열 장치는, 내부에 거의 등 간격으로 복수의 병행 구멍 또는 복수의 중공 파이프가 배열되고, 각 병행 구멍 또는 각 중공 파이프의 양단부가 외부로 노출하도록 마련한 열처리 대상물을 열처리하는 플레이트와, 인접하는 2개의 상기 병행 구멍 또는 2개의 상기 중공 파이프의 단부에 U자관을 접속해서 사행 형상 관로를 형성하는 결합 수단과, 상기 플레이트의 외부 아래쪽으로 배치되어, 상기 사행 형상 관로의 일단이 되는 입구부에 용기 상부가 접속되고, 해당 사행 형상 관로의 타단이 되는 출구부에 용기 하부가 접속되며, 상기 사행 형상 관로와의 사이에서 단일의 연통 회로를 형성하는 상기 증발 용기와, 이 증발 용기내에 밀봉 충전된 소정량의 작동액을 가열하는 가열 수단을 구비하고 있다.(1) The cracking apparatus according to the present invention is configured to heat-treat a heat-treatment object provided such that a plurality of parallel holes or a plurality of hollow pipes are arranged at substantially equal intervals inside, and both parallel holes or both ends of each hollow pipe are exposed to the outside. A coupling means for connecting a U-shaped tube to an end of the plate and two adjacent parallel holes or two hollow pipes to form a meandering conduit, and an end of the meandering conduit, The evaporating vessel and the evaporating vessel which are connected to the upper part of the inlet part, and the lower part of the container is connected to the outlet part which becomes the other end of the said meandering line, and forms a single communication circuit with the said meandering line. Heating means for heating the predetermined amount of working liquid sealed and filled in the inside is provided.
또한, 상기 (1)항에 기재되는 균열 장치의 다른 구성은, 상기 플레이트의 외부가 아니라, 플레이트의 내부에 각 병행 구멍 또는 각 중공 파이프의 단부를 수용하는 동시에, 상기 인접하는 2개의 병행 구멍 또는 2개의 중공 파이프의 단부에 U자 형상 구멍 또는 U자관을 접속하고, 마찬가지로 플레이트의 내부에 수용된 구성이여도 좋다.In addition, another structure of the cracking apparatus described in the above (1) is not the outside of the plate but also accommodates the end of each parallel hole or each hollow pipe in the inside of the plate, and at the same time the two adjacent parallel holes or The U-shaped hole or the U-shaped pipe may be connected to the ends of the two hollow pipes, and the configuration may be similarly accommodated inside the plate.
(2) 또한, 본 발명에 따른 균열 장치는 내부에 거의 등 간격으로 복수의 병행 구멍 또는 복수의 중공 파이프가 배치되고, 각 병행 구멍 또는 각 중공 파이프의 양단부가 외부로 노출하도록 마련한 열처리 대상물을 열처리하는 플레이트와, 인접하는 2개의 상기 병행 구멍 또는 2개의 상기 중공 파이프를 조(組)로 하여 상기 플레이트의 외부로 노출되는 각 조의 병행 구멍 또는 상기 중공 파이프의 일단부에 U자관을 접속해서 U자 형상 관로를 형성하는 결합 수단과, 상기 플레이트의 외부 아래쪽으로 배치되고, 상기 각 조의 U자 형상 관로의 일단이 되는 입구부에 각각 용기 상부가 접속되며, 상기 각 조의 U자 형상 관로의 타단이 되는 출구부에 각각 용기 하부가 접속되고, 각 조의 U자 형상 관로와의 사이에서 연통 회로를 형성하는 상기 증발 용기와, 이 증발 용기내에 밀봉 충전된 소정량의 작동액을 가열하는 가열 수단을 구비하고 있다.(2) In addition, the cracking apparatus according to the present invention heat-treats the heat-treatment object provided such that a plurality of parallel holes or a plurality of hollow pipes are arranged at substantially equidistant intervals, and both parallel holes or both ends of each hollow pipe are exposed to the outside. A U-shaped tube is connected to a parallel hole of each pair exposed to the outside of the plate using two adjacent parallel holes or two hollow pipes adjacent to each other or to one end of the hollow pipe. The upper part of the container is connected to a coupling means for forming a conduit and an inlet portion which is disposed below and outside the plate, and becomes an end of the U-shaped conduit of each set, and becomes the other end of the U-shaped conduit of the set. The evaporating vessel which connects the lower part of a container to an outlet part, respectively, and forms a communication circuit between the U-shaped pipe | channels of each group, And a heating means for heating the hydraulic fluid sealing of the filled amount in the container.
또한, 상기 (2)항에 기재되는 균열 장치의 다른 구성은, 플레이트의 외부가 아니라, 플레이트의 내부에 상기 각 조로 이루어진 2개의 병행 구멍 또는 2개의 중공 파이프의 단부를 수용하는 동시에, 각 조의 단부에 U자 형상 구멍 또는 U자관을 접속하고, 마찬가지로 플레이트의 내부에 수용되는 구성이여도 좋다.Moreover, the other structure of the cracking apparatus described in said (2) is not the exterior of a plate but accommodates the edge part of the two parallel holes or two hollow pipes which consist of said each tank in the inside of a plate, and the edge of each tank A U-shaped hole or a U-shaped tube may be connected to each other, and the configuration may be similarly accommodated in the plate.
(3) 또한, 상기 (1)항 또는 (2)항에 기재되는 상기 증발 용기는 다음과 같이 구성해도 좋다. 증발 용기는, 상기 플레이트의 거의 투영 면적내에 들어가도록 이 해당 플레이트의 하부에 배치한다. 그리고 상기 사행 형상 관로 또는 각 조의 U자 형상 관로의 일단이 되는 입구부에 증발 용기의 상부를 접속하고, 또한, 상기 사행 형상 관로 또는 각 조의 U자 형상 관로의 타단이 되는 출구부에 증발 용기의 하부를 접속하는 구성이여도 좋다.(3) Moreover, the said evaporation container described in said (1) or (2) may be comprised as follows. The evaporation vessel is placed underneath this plate so as to fit within the substantially projected area of the plate. An upper portion of the evaporation vessel is connected to an inlet portion which becomes one end of the meandering conduit or the U-shaped conduits of each set, and the evaporation vessel of the evaporation vessel is the other end of the meandering conduit or the U-shaped conduits of each set. The structure which connects a lower part may be sufficient.
따라서, 상기 (1)항 또는 (3)항에 의한 구성에 의하면, 열처리 대상물을 균일한 온도 분포를 유지하면서 가열할 수 있다. 또한, 플레이트의 박형화를 실현할 수 있고, 이에 따라 플레이트의 열 응답성이 높아지며, 열처리 대상물의 사이즈에 영향을 받지 않고 균열 특성을 확보할 수 있는 균열 장치를 제공할 수 있다.Therefore, according to the structure of said (1) or (3), the heat processing object can be heated, maintaining a uniform temperature distribution. In addition, the thinning of the plate can be realized, whereby the thermal responsiveness of the plate can be improved, and a cracking device can be provided that can secure the cracking property without being affected by the size of the heat treatment target.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings.
(실시형태 1)(Embodiment 1)
도 1은 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 1을 도시하는 구성도이다. 동 도면(a)는 평면도이고, 동 도면(b)는 측면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a block diagram which shows
도 1에 있어서, “1”은 열처리 대상물로서의 기판(예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 유리 기판 등)이다. “2”는 열전도성이 양호한 재료, 예를 들면 알루미늄재, 동재 등으로 형성되는 열처리용 플레이트이다. 플레이트(2)의 상부에는 적당한 갭을 거쳐서 기판(1)이 얹혀진다. 또한, 도 1에는 갭을 확보하기 위한 스페이서는 생략되어 있다.In FIG. 1, "1" is a substrate (for example, a semiconductor wafer, a liquid crystal glass substrate, etc.) as a heat treatment object. "2" is a heat treatment plate formed of a material having good thermal conductivity, for example, an aluminum material, a copper material, or the like. The
플레이트(2)의 내부에는, 거의 등 간격이면서 동일한 방향으로 복수의 중공 파이프(3,…)가 정렬되어 배열되어 있다. 각 중공 파이프(3)의 양단부는, 플레이트(2)의 양측면으로부터 적당한 길이로 노출된다. 플레이트(2)는 중공 파이프(3)의 외주부를 충분히 포위하는 두께를 갖고, 외형적으로는 사각 형상의 평면 판체로 형성된다.Inside the
플레이트(2)의 도시 우측 단면으로부터 노출되는 서로 인접하는 2개의 중공 파이프(3)의 일단부에는 U자관(4a)이 접속된다. 플레이트(2)의 도시 좌측 단면으로부터 노출되는 중공 파이프(3)의 타단부에도, 플레이트(2)의 도시 우측 일단부와는 중공 파이프 1개 분만큼 늦추어 놓아서 서로 인접하는 2개의 중공 파이프(3)의 타단부에 U자관(4b)이 접속된다.The
따라서, 복수의 중공 파이프(3,…)는 U자관(4a…) 및 U자관(4b…)을 거쳐서 사행 형상 관로로 배치되어 있다. 그리고, 연속적으로 이어지는 사행 형상 관로의 양단부는, 플레이트(2)의 같은 측면인 예컨대, 도시 좌측 단면으로부터 도출된다.Therefore, the plurality of
이들 중공 파이프(3,…) 및 U자관(4a, 4b)으로 이루어지는 사행 형상 관로의 한쪽 단부에는 입구관(5)이 접속되고, 해당 사행 형상 관로의 다른쪽 단부에는 출구관(6)이 접속된다. 이들 입구관(5) 및 출구관(6)은 플레이트(2)의 외부에 배치되는 증발 용기(7)에 접속된다. 사행 형상 관로의 한쪽 단부로부터 도출되는 입구관(5)은 하부 방향으로 만곡되어 증발 용기(7)의 한쪽 단부측의 바로 위에 접속된다. 또한, 사행 형상 관로의 다른쪽 단부로부터 도출되는 출구관(6)은 동일하게 하부 방향으로 만곡되어 증발 용기(7)의 사행 형상 관로와 마주 향하는 면의 하부측에 접속된다. 그리고, 증발 용기(7)와 사행 형상 관로는 단일인 연통 회로가 형성된다.The
즉, 본 발명에 따른 균열 장치는, 증발 용기(7)의 일단부-입구관(5)-중공 파이프(3)-U자관(4a)-중공 파이프(3)-U자관(4b)-……-중공 파이프(3)-출구관(6)-증발 용기(7)의 타단부-증발 용기(7) 본체로 이루어지는 단일 연통 회로가 형성된다.In other words, the cracking device according to the present invention includes one end portion of the evaporation vessel 7-the inlet pipe 5-the hollow pipe 3-the
증발 용기(7)는 소정 길이, 예를 들면 플레이트(2)의 일측부의 거리에 해당하는 길이를 갖고, 통 형상체로 형성된다. 증발 용기(7)는 플레이트(2)의 외부에 있어서, 플레이트(2) 하면부에서 다소 하부 위치로 플레이트(2)와 병행으로 배치된다.The
증발 용기(7)는 양단이 기밀하게 밀봉되고, 증발 용기(7) 내부에는, 길이 방 향을 따라 가열 수단으로서의 히터(8)가 내장된다. 증발 용기(7)는 진공 배기 후에 소정량의 작동액(9)이 충전된다. 이 실시형태에서는, 히터(8)는 작동액(9)의 내부에 침지된 상태로 되어 있다.Both ends of the
다음으로, 이상과 같이 구성된 균열 장치의 동작에 대해서 설명한다.Next, the operation | movement of the cracking apparatus comprised as mentioned above is demonstrated.
증발 용기(7) 내부의 히터(8)가 발열하면, 이 히터(8)의 발열에 의해 작동액(9)이 증발한다. 증발한 그 증기(10)는, 파선 화살표로 도시하는 바와 같이 증발 용기(7)의 상부와 접속되는 입구관(5)을 경유해서 플레이트(2) 내부에 설치되는 중공 파이프(3)로 유입된다. 이 때, 플레이트(2)의 온도는 증발 용기(7)의 온도보다도 낮다. 그 결과, 중공 파이프(3)내의 증기(10)는 중공 파이프(3)의 내면에서 응축하지만, 중공 파이프(3)가 단일의 연통 회로로 형성되어 있으므로, 증기(10)의 압력은 연통 회로의 전체에 걸쳐 거의 동일하게 된다. 따라서, 중공 파이프(3)의 내면 각부는, 등온으로 되고, 응축 잠열이 플레이트(2)로부터 방출하여 플레이트(2) 전면을 동일하게 가열한다.When the
즉, 증기(10)는 중공 파이프(3)의 내부에서 순차적으로 응축하면서, 파선 화살표(10a∼10g)의 방향으로 순차적으로 유량을 감소시키면서 이동한다. 그에 따라 응축액(11)은 중공 파이프(3) 내부에서 실선 화살표(11a∼11d)로 도시하는 바와 같이 순차적으로 유량을 증가시키면서 연통 회로내를 이동한다.That is, the
이때, 플레이트(2)의 상부에는 갭을 확보하기 위한 스페이서를 거쳐서 열처리 대상물인 기판(1)이 얹혀 있다. 여기에서는, 갭을 확보하기 위한 스페이서는 생략되어 있다. 또한, 도면중에 있어서, 플레이트(2)로부터 기판(1)으로의 화살표 는 플레이트(2)로부터 기판(1)으로의 열류를 나타내고 있다.At this time, the
따라서, 중공 파이프(3)내를 이동하는 응축액(11)은 유량을 증가시키면서, 출구관(6)을 경유해서 증발 용기(7)의 하부에서 증발 용기(7) 내부로 자연히 환류해 온다.Therefore, the
따라서, 이상과 같은 실시형태에 의하면, 플레이트(2) 내부의 중공 파이프(3,…) 및 U자관(4a, 4b)으로 이루어지는 사행 형상 관로와 증발 용기(7)로 단일인 연통 회로를 형성하는 동시에, 사행 형상 관로내를 이동하는 응축액(11)이 유량을 증가시키면서 연통 회로를 순환 이동한다. 그 결과, 응축액(11)은 플레이트(2)의 전면에 빠짐없이 동일하게 널리 퍼짐으로써, 플레이트(2) 전면이 균일하게 가열되어, 플레이트(2) 상의 기판(1)이 균일하게 가열된다.Therefore, according to the above embodiment, the meandering pipe line which consists of the
또한, 이 균열 장치에 의하면, 작동액(9)으로부터 증발된 증기(10)와 응축액(11)이 동일한 방향으로 흐르고 있으므로, 플레이트(2)내의 사행 형상 관로가 수평한 상태로 배치되어 있어도, 응축액(11)이 증발 용기(7)로 완만하게 환류한다. 보통, 단관 형상의 히트 파이프(heat pipe)에서는, 증기(10)와 응축액(11)이 대향하여 흐름으로써, 증기류에 의해 액 복귀가 저해된다. 그 점, 본 발명에 따른 균열 장치로는, 응축액(11)이 증발 용기(7)에 환류하고, 증기류에 의한 액 복귀 현상이 없어진다. 이로써, 중공 파이프(3)를 경사시켜서 설치할 필요가 없어진다. 이로써, 플레이트(2)의 두께가 중공 파이프(3)의 경사 상당분만큼 두껍게 할 필요가 없어지고, 박형으로 실현된다. 따라서, 플레이트(2)의 박형화에 따라, 플레이트(2)가 양호한 열전도성을 실현하고, 열 응답성이 양호한 균열 장치를 실현할 수 있다.In addition, according to this cracking device, since the
또한, 플레이트(2)의 박형화에 따라, 플레이트(2)의 열용량을 저감화할 수 있고, 승온시의 가열 에너지를 최소로 할 수 있다. 또한, 가열원이 되는 전력을 절감할 수 있고, 에너지 절약화를 도모할 수 있다.Moreover, with the thinning of the
또한, 플레이트(2) 위로 적재되는 기판(1)의 사이즈가 변경되어도, 기판(1)의 부하 상태에 따라, 사행 형상 관로내를 이동하는 증기(10)가 응축 방열하므로, 다른 사이즈의 기판(1)에 대하여도, 해당 기판(1)을 균열하게 가열할 수 있다.Moreover, even if the size of the board |
(실시형태 2)(Embodiment 2)
도 2는 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 2를 도시하는 구성도이다. 동 도면(a)는 평면도이고, 동 도면(b)는 측면도이다. 또한, 도 2에 도시하는 구성에 있어서, 도 1과 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다.It is a block diagram which shows
이하, 도 1과는 다른 구성 부분에 대해서 설명한다. 상기 실시형태 1은, 플레이트(2)내에 수납한 각 중공 파이프(3)의 양단부를 플레이트(2)의 외부로 노출시켜, 인접하는 2개의 중공 파이프(3)의 단부의 노출 부분에 번갈아 가며 위치를 어긋 놓아서 U자관(4a, 4b)을 접속하여, 사행 형상 관로를 형성하는 구성이다.Hereinafter, the component part different from FIG. 1 is demonstrated. The said
본 실시형태 2에서는, 인접하는 2개의 중공 파이프(3)의 단부에 U자관(4a, 4b)을 접속하는 점이 실시형태 1과 같지만, 플레이트(2)의 외부가 아니라, 각 중공 파이프(3)의 단부 및 U자관(4a, 4b)을 포함해서 사행 형상 관로의 곡선 부분을 모두 플레이트(2)의 내부에 수납한다. 그리고, 사행 형상 관로의 양단부만을 플레이트(2)의 동일의 측면부에서 집어내는 구성이다.In this
이러한 구성에 의해, 종래 주지의, 예컨대 주입 방법 혹 마찰 교배 접합 방법 등을 이용하여, 플레이트(1)의 내부에 용이하게 중공 파이프(3) 및 U자관(4a, 4b)으로 이루어지는 사행 형상 관로를 매설하는 것이 가능하다.With such a configuration, a meandering pipeline consisting of the
또한, 플레이트(2)의 동일 측면부에서 인출한 사행 형상 관로의 양단부가 입구관(5), 출구관(6)을 거쳐서 증발 용기(7)와 접속하는 점 및 증발 용기(7) 자체의 구성은 실시형태 1과 같으므로, 여기에서는 그 설명을 생략한다.In addition, the point where both ends of the meandering pipe line drawn out from the same side part of the
따라서, 이상과 같은 실시형태에 의하면, 실시형태 1과 같은 효과를 나타낸다. 또한, 플레이트(2)의 내부에 사행 형상 관로의 U자관(4a, 4b)을 마련하는 것으로, 플레이트(2) 외부로의 쓸모 없는 방열이 없어지고, 플레이트(2)의 균열성을 높이는 동시에, 기판(1)을 유효하게 가열할 수 있고, 에너지 절약화를 도모할 수 있다.Therefore, according to embodiment above, the same effect as
또한, 플레이트(2)의 내부에 사행 형상 관로의 U자관(4a, 4b)을 마련하는 것에 의해, 플레이트(2)로부터 외부로의 밀려 나온 부분이 없어지고, 장치의 소형화를 도모할 수 있다.In addition, by providing the
또한, 상기 실시형태 1, 2에서는, 인접하는 중공 파이프(3)의 단부에 U자관(4a, 4b)을 접속했지만, 인접하는 중공 파이프(3)의 각 단부를 서로 절곡하여 U자 형상으로 형성하여 일체화함으로써, 사행 형상 관로를 구성해도 좋다.In addition, in the said
(실시형태 3)(Embodiment 3)
도 3은 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 3을 도시하는 구성도이다. 동 도면(a)는 평면도이고, 동 도면(b)는 측면도이다. 또한, 도 3에 있어서, 도 1과 동일 부분에는 동일 부호를 붙여서 그 자세한 설명을 생략하고, 이하, 특히 다른 부분에 대해서 설명한다.It is a block diagram which shows
실시형태 1, 2에서는, 플레이트(2)의 내부에 배열된 전중공 파이프(3,…)가 단일인 사행 형상 관로가 되도록 형성했다. 본 실시형태 3에서는, 플레이트(2)의 내부에 등 간격으로 배열되는 중공 파이프(3,…) 중, 인접하는 2개의 중공 파이프(3a-3a, 3b-3b, 3c-3c, 3d-3d) 끼리를 각각 조로 한다. 그리고, 각 조를 구성하는 중공 파이프(3a-3a, 3b-3b, 3c-3c, 3d-3d)의 일단부에 플레이트(2)의 도시 우측 단면으로부터 외부로 노출한다. 외부로 노출된 각 조의 중공 파이프(3a-3a, 3b-3b, 3c-3c, 3d-3d)의 단부에 U자관(4a)을 접속하고, U자 형상 관로를 형성한다. 즉, 중공 파이프(3a-3a)와 U자관(4a), 중공 파이프(3b-3b)와 U자관(4a), 중공 파이프(3c-3c)와 U자관(4a), 중공 파이프(3d-3d)와 U자관(4a)으로 각각 U자 형상 관로를 형성한다.In
또한, 각 조의 U자 형상 관로의 타단부가 플레이트(2)의 도시 좌측 단면으로부터 외부로 노출된다. 각 조마다의 U자 형상 관로의 양쪽 타단부 중, 그 U자 형상 관로의 한쪽 단부에는 각각 입구관(5)이 접속되고, 해당 U자 형상 관로의 다른쪽 단부에는 각각 출구관(6)이 접속된다. 입구관(5)은 실시형태 1과 같이 하부 방향으로 절곡하여 증발 용기(7)의 바로 위에 접속된다. 출구관(6)은 실시형태 1과 같이 하부 방향으로 절곡하여 증발 용기(7)의 U자 형상 관로와 마주 향하는 면의 하부 측면부에 접속된다. 따라서, 각 조의 각 U자 형상 관로와 증발 용기(7) 사이에서 각각 연통 회로가 형성된다. 이로써, 증발 용기(7)와 플레이트(2)내의 중공 파이프(3,…) 사이에서는, 복수 조의 연통 회로가 형성된다.In addition, the other end of each group of U-shaped pipes is exposed to the outside from the left end surface of the
따라서, 이상과 같은 실시형태에 의하면, 실시형태 1과 동일한 효과 외에, 다음과 같은 효과를 나타낸다.Therefore, according to the above embodiment, in addition to the same effect as
실시형태 1에서는, 증발 용기(7) 내부의 히터(8)에 의해 발생하는 증기(10)가 사행 형상 관로의 일단부에 접속되는 입구관(5)으로부터 플레이트(2) 내부로 들어간다. 이때, 히터(8)의 가열량이 커지면, 입구관(5)에서의 증기 유속이 빨라져, 그에 따라 증기압 손실이 커진다. 그 결과, 증발 용기(7) 내부의 액면이 히터(8)보다도 저하하고, 극단적일 경우에는 히터(8)가 과열되는 것을 고려할 수 있다.In
그 점, 본 실시형태 3에서는, 증발 용기(7) 내부의 히터(8)에 의해 발생하는 증기(10)가 전조의 U자 형상 관로의 입구관(5,…)으로부터 균등하게 분산되어서 단일인 플레이트(2) 내부로 들어가므로, 각 입구관(5,…)에 들어가는 증기 유속을 저감화할 수 있다. 그 결과, 히터(8)의 가열량이 증가했더라도, 증기압 손실의 증대를 억지할 수 있고, 증발 용기(7)의 내부에 충전된 작동액(9)의 액면을 안정하게 유지할 수 있다. 따라서, 히터(8)의 투입 열량을 증대시키는 것이 가능해지고, 플레이트(2)의 승온 속도를 빠르게 해서 소정의 온도로 높일 수 있다.In view of this, in the third embodiment, the
(실시형태 4)(Embodiment 4)
도 4는 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 4를 도시하는 구성도이다. 동 도면(a)는 평면도이고, 동 도면(b)는 측면도이다. 또한, 도 4에 있어서, 도 1, 도 3과 동일 부분에는 동일 부호를 붙여서 그 자세한 설명을 생략하고, 이하, 특히 다른 부분에 대해서 설명한다.4 is a configuration diagram showing Embodiment 4 of the cracking apparatus according to the present invention. The figure (a) is a top view, and the figure (b) is a side view. In addition, in FIG. 4, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as FIG. 1, FIG. 3, the detailed description is abbreviate | omitted, and a different part is demonstrated especially below.
본 실시형태 3은, 플레이트(1)의 내부에 각 조의 중공 파이프(3a-3a, 3b-3b,…)를 매설하는 동시에, 각 조의 중공 파이프(3a-3a, 3b-3b,…)의 한쪽 단부를 각각 플레이트(2)의 외측으로 노출시켜, 이 노출 부분이 되는 단부에 U자관(4a)으로 접속하고, 각 조의 U자 형상 관로를 형성한 구성이다.In the third embodiment, the
이 실시형태 4에서는, 실시형태 2와 같이, 모두 플레이트(2)의 내부에 각 조의 중공 파이프(3a-3a, 3b-3b, …)의 한쪽 단부 및 해당 한쪽 단부에 접속하는 U자관(4a)을 마련한다. 그리고, 각 조의 중공 파이프(3a-3a, 3b-3b,…)의 다른쪽 단부만을 플레이트(2)의 외부로 인출하고, 증발 용기(7)에 접속하는 구성으로 하여도 좋다.In the fourth embodiment, similarly to the second embodiment, the
이러한 구성에 의해, 각 조의 중공 파이프의 한쪽 단부가 플레이트(2)의 외부로 노출되지 않으므로, 플레이트(2) 외부로의 쓸모 없는 방열이 없어진다. 그 결과, 플레이트(2)의 균열성을 높이는 동시에, 기판(1)을 유효하게 가열할 수 있고, 또한 에너지 절약화를 도모할 수 있다. 또한, 장치의 점유 공간이 적어지고, 장치의 소형화에 공헌한다.By such a configuration, since one end of each set of hollow pipes is not exposed to the outside of the
또한, 히터(8)의 발열에 의해 발생하는 증기(10)가 전조의 U자 형상 관로의 입구관(5,…)으로부터 균등하게 분산되어서 플레이트(2) 내부로 들어가고, 순환 이동한다. 그 때문에, 증기압 손실의 증대를 억지하는 동시에, 증발 용기(7)의 내부에 충전된 작동액(9)의 액면을 안정화할 수 있고, 히터(8)의 투입 열량을 증대시킬 수 있고, 플레이트(2)의 승온 속도를 높일 수 있다.In addition, the
또한, 실시형태 3, 4에서는, 인접하는 중공 파이프(3)의 단부를 U자관(4a)을 이용하여 접속했지만, 인접하는 중공 파이프(3)의 각 단부를 서로 절곡하여 U자 형상으로 접속해 일체화함으로써, U자 형상 관로를 형성해도 좋다.In addition, in
(실시형태 5)(Embodiment 5)
도 5는 본 발명에 따른 균열 장치의 실시형태 5를 도시하는 구성도이다. 동 도면(a)는 평면도이고, 동 도면(b)는 측면도다. 또한, 도 5에 있어서, 도 1∼도 4와 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그 자세한 설명을 생략한다.5 is a configuration
실시형태 1∼4는 증발 용기(7)가 플레이트(2)의 투영 면적의 외측으로 배치됐지만, 예를 들면 도 5(b)에 도시하는 바와 같이 증발 용기(7)의 대략 전부가 플레이트(2)의 투영 면적내로서, 플레이트(2)의 하부에 위치하도록 배치한 구성이여도 좋다.In
이 구성에 있어서도, 복수의 중공 파이프(3)와 U자관(4a, 4b)으로 이루어지는 사행 형상 관로의 양단부 또는 인접하는 조가 되는 2개의 중공 파이프(3a-3a, 3b-3b,…)와 U자관(4a)으로 이루어지는 U자 형상 관로의 양 단부를 절곡하고, 플레이트(2)의 예컨대, 도시 좌측 단부 근방의 하부면으로 노출하도록 취출한다. 그리고, 사행 형상 관로 또는 U자 형상 관로의 한쪽 단부를 직접 또는 입구관(5)을 거쳐서 증발 용기(7)의 바로 위에 접속하고, 또 사행 형상 관로 또는 U자 형상 관로의 한쪽 단부에 출구관(6)을 거쳐서 증발 용기(7)의 하부에 접속한다.Also in this configuration, two hollow pipes (3a-3a, 3b-3b, ...) and U-shaped pipes serving as both ends or adjacent jaws of meandering conduits consisting of a plurality of
이러한 구성의 실시형태에 의하면, 각 실시형태 1∼4 중 어느 하나의 실시형태와 같은 효과를 나타내는 것 외에, 플레이트(2)로부터 외측으로의 파이프의 돌출을 적게 할 수도 있고, 또한 장치의 설치 공간을 저감화할 수 있다.According to embodiment of such a structure, in addition to exhibiting the same effect as any one of embodiment 1-4, the protrusion of the pipe from the
또한, 사행 형상 관로 또는 U자 형상 관로의 양단부에 접속되는 입구관(5) 및 출구관(6)의 플레이트(2)로부터의 돌출 길이가 줄어든다. 이로써, 입구관(5) 및 출구관(6)으로부터 외부로의 방열을 억지할 수 있고, 플레이트(2)를 효율적으로 가열할 수 있다.In addition, the protruding length from the
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can variously deform and implement in the range which does not deviate from the summary.
상기 각 실시형태에서는, 플레이트(2)의 내부에 8개의 중공 파이프(3)(3a, 3b, 3c, 3d를 포함)를 내포하였지만, 이들 파이프 개수는 짝수 개수이면 좋고, 8개에 한정하는 것은 아니다.In each said embodiment, although eight hollow pipes 3 (including 3a, 3b, 3c, 3d) were contained in the inside of the
또한, 실시형태 1 및 3에서는, 플레이트(2)의 내부에 중공 파이프(3)(3a, 3b, 3c, 3d를 포함)를 매설하도록 구성하였지만, 예를 들면 플레이트(2)의 내부에 중공 파이프(3)에 해당하는 병행 구멍 등의 중공 구멍을 형성한다. 그리고, 중공 구멍의 단부에 접속 중계 쇠장식을 매설하고, 각 접속 중계 쇠장식에 U자관(4a, 4b), 입구관(5) 및 출구관(6) 등을 접속해도 좋다.In addition, in
또한, 상기 실시형태에서는, 증발 용기(7)의 바로 위에 사행 형상 관로의 한쪽 단부 또는 각 조의 U자 형상 관로의 한쪽 단부에 접속된 입구관(5)을 접속하고, 또한, 증발 용기(7)의 사행 형상 관로 또는 U자 형상 관로에 서로 마주보는 면의 하부면에 사행 형상 관로의 다른쪽 단부 또는 각 조의 U자 형상 관로의 다른쪽 단부를 접속한 구성이다.In addition, in the said embodiment, the
그러나, 입구관(5)은 증발 용기(7)의 상부이면 좋고, 출구관(6)은 증발 용 기(7)의 하부이면 좋으며, 특히 접속 위치를 한정하는 것은 아니다.However, the
상기 실시형태에서는, 플레이트(2)의 내부에 사행 형상 관로 또는 U자 형상 관로를 내포하였지만, 예를 들면 플레이트(2)의 하면에 사행 형상 관로 또는 U자 형상 관로를 직접 용접 부착 또는 로우 부착 등에 의해 접합하는 구성이여도 좋다. 또한, 플레이트(2)의 하면에 반원 깊이의 사행 형상홈 또는 U자 형상홈을 형성하고, 이 반원 깊이의 사행 형상홈 또는 U자 형상홈에 사행 형상 관로 또는 U자 형상 관로를 매설해서 고정하고, 단일인 연통 회로를 구성하는 것이라도 좋다.In the above embodiment, the meandering conduit or the U-shaped conduit is contained in the inside of the
또한, 상기 실시형태에서는, 증발 용기(7)의 내부에 히터(8) 등의 가열 수단을 배치하고, 작동액(9)을 직접 가열하도록 했지만, 예를 들면 히터(8) 등의 가열 수단을 증발 용기(7)의 외부에 접촉 시킴으로써, 작동액(9)을 가열하는 구성이여도 좋다. 또한, 가열 수단의 예로서는, 전열식, 온수 가열식, 증기 가열식 중 어느 것이여도 상관없다.In addition, in the said embodiment, although the heating means, such as the
또한, 상기 실시형태에서는, 사행 형상 관로에서 구성되는 단일의 연통 회로로 구성했지만, 플레이트 사이즈가 커짐에 따라, 1장의 플레이트 내에 사행 형상 관로로 구성되는 복수의 연통 회로로 구성되는 균열 처리 장치로서도 좋다.Moreover, in the said embodiment, although it comprised with the single communication circuit comprised by the meandering pipeline, As a plate size becomes large, it is also good as a cracking apparatus comprised with the several communication circuit comprised by meandering pipeline in one plate. .
본 발명은 열처리 대상물에 대하여, 균일한 온도 분포를 유지하면서 가열 가능하며, 플레이트의 박형화에 의해 열 응답성을 높이고, 열처리 대상물의 사이즈에 의해 균열 특성이 변화되지 않도록 하는 균열 장치를 제공할 수 있다.The present invention can provide a cracking device that can be heated while maintaining a uniform temperature distribution with respect to the heat treatment object, improves the thermal responsiveness by thinning the plate, and does not change the cracking characteristic by the size of the heat treatment object. .
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