KR100841350B1 - Exhaust system and treating method for chamber making semiconductor and lcd - Google Patents

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Abstract

An exhaust system for a chamber manufacturing semiconductor and LCD, and a treating method of the same are provided to prevent solid material mixed in exhaust gas from being stacked on an exhaust line by generating heat using plasma and burning the solid material. An exhaust system for a chamber manufacturing semiconductor and LCD, comprises a plasma chamber(10), a first exhaust pipe(13), a plasma generator(20), a controller(40), a transfer pipe(21), and a heat insulation material(11). The plasma chamber is where combustion of solid material mixed in exhaust gas occurs. The first exhaust pipe is connected between the chamber manufacturing semiconductor and LCD and the plasma chamber, to guide the exhaust gas to the plasma chamber. The plasma generator is configured to produce plasma. The controller operates the plasma generator when exhaust gas is produced in the chamber manufacturing semiconductor and LCD. The transfer pipe is connected between the plasma generator and the plasma chamber to supply plasma to the plasma chamber. The heat insulation material is installed on the outside of the plasma chamber. The distance between the plasma chamber and the chamber manufacturing semiconductor and LCD is configured to be short to supply exhaust gas from the chamber manufacturing semiconductor and LCD to the plasma chamber through a minimized distance.

Description

반도체 및 ＬＣＤ 제조 챔버의 배기장치 및 그 처리방법{Exhaust system and treating method for chamber making semiconductor and LCD}Exhaust system and processing method for semiconductor and LCD manufacturing chambers {Exhaust system and treating method for chamber making semiconductor and LCD}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치의 개략적인 구성도,1 is a schematic configuration diagram of an exhaust device of a semiconductor and LCD manufacturing chamber according to the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 챔버의 병렬형 구조를 나타내는 개략적인 단면도,2 is a schematic cross-sectional view showing a parallel structure of a plasma chamber according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 챔버의 나선형 구조를 나타내는 개략적인 단면도,3 is a schematic cross-sectional view showing a spiral structure of a plasma chamber according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 챔버의 타원형 구조를 나타내는 개략적인 단면도.Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing an elliptical structure of the plasma chamber according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 플라즈마 챔버 11 : 보온재10 plasma chamber 11: heat insulating material

12 : 냉각장치 20 : 플라즈마 발생장치12 cooling device 20 plasma generating device

21 : 송전관 31 : 배기펌프21: power transmission pipe 31: exhaust pump

40 : 콘트롤러 50 : 온도센서40: controller 50: temperature sensor

본 발명은 반도체 및 LCD(liquid crystal display) 제조 챔버의 배기장치 및 그 처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 및 LCD 제조 공정 중에 화학증착 공정과 식각 공정에서 발생하는 배기가스에 섞인 고형물질이 배기과정에서 배기관이나 그 외 배기라인에 쌓이는 것을 방지하기 위하여, 플라즈마를 이용하여 높은 열을 발생시켜 고형물질을 연소하여 배기가스를 원활하게 배출하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치 및 그 처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust device for a semiconductor and liquid crystal display (LCD) manufacturing chamber and a method of treating the same, and more particularly, to solid materials mixed with the exhaust gas generated in a chemical vapor deposition process and an etching process during a semiconductor and LCD manufacturing process. In order to prevent accumulation in the exhaust pipe or other exhaust lines during the exhaust process, the exhaust device of the semiconductor and LCD manufacturing chamber and the method of treating the semiconductor and LCD manufacturing chambers that generate high heat by using plasma to burn solid materials and discharge exhaust gas smoothly. It is about.

일반적으로 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어진다.In general, the semiconductor manufacturing process is mainly composed of a pre-process (Fabrication process) and a post-process (Assembly process).

상기 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩 및 LCD를 제조하는 공정을 말한다.The former process is a process of depositing a thin film on a wafer in various process chambers and selectively etching the deposited thin film to process a specific pattern, so-called semiconductors. Refers to the process of manufacturing chips and LCDs.

후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 반도체 칩 및 LCD를 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 가리킨다.The post process refers to a process of separately separating the semiconductor chip and the LCD manufactured in the previous process, and then assembling the lead frame into a finished product.

이때, 상기 웨이퍼 및 유리기판상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 및 유리기판상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온 및 저온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.In this case, a process of depositing a thin film on the wafer and the glass substrate or etching the thin film deposited on the wafer and the glass substrate may be carried out in a process chamber such as silane, arsine, boron chloride, harmful gases such as hydrogen, and the like. It is carried out at a high temperature and low temperature using a process gas of, and a large amount of ignitable gas containing various ignitable gases, corrosive foreign substances and toxic components are generated in the process chamber during the process.

이와 같이, 반도체 및 LCD 제조 공정 중에 화학 증착 공정과 식각 공정에서 발생하는 배기가스를 배출하기 위하여 반도체 및 LCD 제조 장비의 일측에 배기관을 연결하여 배기가 이루어지고 있다.As such, in order to discharge the exhaust gas generated in the chemical vapor deposition process and the etching process during the semiconductor and LCD manufacturing process, the exhaust pipe is connected to one side of the semiconductor and LCD manufacturing equipment.

그러나, 상기 배기가스는 고형물질이 포함되어 있어서, 배기과정에서 상기 고형물질이 배기관이나 밸브 등 배기 라인에 쌓이게 되어, 원활한 배기가 이루어지지 않고 배기 라인의 배기 압력이 상승하게 되어, 배기가스의 역류를 초래하게 되는 문제점이 있다.However, since the exhaust gas contains a solid material, the solid material accumulates in an exhaust line such as an exhaust pipe or a valve in the exhaust process, so that the exhaust pressure of the exhaust line is increased without smooth exhaust, and the exhaust gas flows backward. There is a problem that causes.

그래서, 배기관과 밸브를 주기적으로 세정하거나 부품을 교환하여야 하는데, 이로 인한 장비의 효율성 저하와 경제적 부담이 발생하게 된다.Therefore, the exhaust pipe and the valve have to be periodically cleaned or parts are replaced, which causes a decrease in the efficiency of the equipment and an economic burden.

이를 해결하기 위하여, 종래에는 배기과정에서 배기관 내에 고형물질이 쌓이는 것을 방지하고 원활한 배기가 이루어지도록 하기 위하여, 배기관과 밸브 등에 실리콘 히터를 설치하여 온도를 높임으로써, 고형물질이 섞인 배기가스가 원활하게 배출되도록 구성하였다.In order to solve this problem, conventionally, in order to prevent solid matter from accumulating in the exhaust pipe during the exhaust process and to ensure smooth exhaust, a silicon heater is installed on the exhaust pipe and the valve to increase the temperature, so that the exhaust gas mixed with the solid material smoothly. Configured to drain.

그러나 실리콘 히터를 설치하는 방식은 여러 가지 제약이 따르고 많은 비용이 들어가는 문제점이 있어, 배기관의 노후화를 초래하고 부문적으로 고형물질이 쌓이는 등 사용하는데 어려움이 많았다.However, the method of installing the silicon heater has various problems and costs, and it has been difficult to use, such as the aging of the exhaust pipe and the accumulation of solid materials in the sector.

그래서 현재 실리콘 히터를 사용하지 않고, 배기관 내에 고형물질이 쌓이게 되면 세정을 하거나 부품 교환을 하고 있는 실정이다.Therefore, the current situation is to clean or replace parts when the solid material is accumulated in the exhaust pipe without using a silicon heater.

따라서 반도체 및 LCD 제조 과정 중에 발생되는 배기가스의 고형물질을 제거하고, 배기가스를 원활하게 배출하기 위한 개선된 장치가 필요하다. Therefore, there is a need for an improved apparatus for removing solids of exhaust gases generated during semiconductor and LCD manufacturing processes and for smoothly exhausting the exhaust gases.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 반도체 및 LCD 제조공정 중에 화학증착 공정과 식각 공정에서 발생되는 배기가스 내에 고형물질이 배기과정에서 배기관이나 그 외 배기라인에 쌓이면, 플라즈마를 이용하여 높은 열을 발생시켜 고형물질을 연소하여 원활한 배기가 이루어지도록 하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치 및 그 처리방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been invented to solve the above problems, when the solid material in the exhaust gas generated in the chemical vapor deposition process and the etching process during the semiconductor and LCD manufacturing process accumulated in the exhaust pipe or other exhaust line during the exhaust process, plasma SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exhaust device of a semiconductor and LCD manufacturing chamber and a method of treating the same, which generate high heat to burn solid materials to enable smooth exhaust.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 화학증착 장비와 식각 장비를 포함하는 반도체 및 LCD 제조 챔버에서 발생되는 배기가스 내에 고형물질을 연소하여 배기를 원활하게 하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치에 있어서,In order to achieve the above object, the present invention provides an exhaust device of a semiconductor and LCD manufacturing chamber for smoothly exhausting solid materials in exhaust gases generated in semiconductor and LCD manufacturing chambers including chemical vapor deposition equipment and etching equipment. ,

배기가스에 섞여있는 고형물질이 연소되는 플라즈마 챔버와; 반도체 및 LCD 제조 챔버와 상기 플라즈마 챔버 사이에 연결 형성되어, 배기가스를 상기 플라즈마 챔버로 안내하는 제1배기관과; 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생장치와; 반도체 및 LCD 제조 챔버에서 배기가스가 생성되면, 이에 연동되어 상기 플라즈마 발생장 치를 조작하는 콘트롤러와; 상기 플라즈마 발생장치와 플라즈마 챔버 사이에 연결 형성되어, 상기 플라즈마 챔버에 플라즈마를 공급하는 송전관;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치를 제공한다.A plasma chamber in which solid matter mixed in exhaust gas is combusted; A first exhaust pipe connected between the semiconductor and LCD manufacturing chamber and the plasma chamber to direct exhaust gas to the plasma chamber; A plasma generator for generating plasma; A controller for operating the plasma generating device in association with the exhaust gas generated in the semiconductor and LCD manufacturing chambers; It is connected between the plasma generating device and the plasma chamber, the transmission pipe for supplying a plasma to the plasma chamber; provides an exhaust device for a semiconductor and LCD manufacturing chamber comprising a.

바람직한 일구현예로서, 상기 플라즈마 챔버와 반도체 및 LCD 제조 챔버 사이 거리를 짧게 구성하여, 상기 반도체 및 LCD 제조 챔버에서 배출되는 배기가스를 최단거리에서 상기 플라즈마 챔버에 공급할 수 있도록 구성하는 것을 특징으로 한다.As a preferred embodiment, the distance between the plasma chamber and the semiconductor and LCD manufacturing chamber is configured to be short, so that the exhaust gas discharged from the semiconductor and LCD manufacturing chamber can be supplied to the plasma chamber at the shortest distance. .

바람직한 다른 일구현예로서, 상기 플라즈마 챔버의 외측에 보온재를 더 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다.As another preferred embodiment, further comprising a heat insulating material on the outside of the plasma chamber.

바람직한 또 다른 일구현예로서, 상기 플라즈마 챔버의 일측에 온도를 측정하는 온도센서를 더 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다.As another preferred embodiment, it further comprises a temperature sensor for measuring the temperature on one side of the plasma chamber.

바람직한 또 다른 일구현예로서, 상기 보온재의 외측에 냉각장치를 더 포함하여 형성하는 것을 특징으로 한다.As another preferred embodiment, it characterized in that it further comprises a cooling device on the outside of the insulation.

바람직한 또 다른 일구현예로서, 상기 반도체 및 LCD 제조 챔버의 일측에 배기펌프를 더 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다.As another preferred embodiment, it further comprises an exhaust pump on one side of the semiconductor and LCD manufacturing chamber.

바람직한 또 다른 일구현예로서, 상기 플라즈마 챔버는 플라즈마를 이용하여 배기가스 내에 고형물질을 효율적으로 연소하기 위한 구조로서, 병렬형, 나선형, 타원형 중 하나 이상을 선택하여 구성하는 것을 특징으로 한다.As another preferred embodiment, the plasma chamber is a structure for efficiently burning the solid material in the exhaust gas by using a plasma, characterized in that configured by selecting one or more of parallel, spiral, elliptical.

한편, 화학증착 장비와 식각 장비를 포함하는 반도체 및 LCD 제조 챔버에서 발생되는 배기가스 내에 고형물질을 연소하여 배기를 원활하게 하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기가스 처리방법에 있어서,On the other hand, in the exhaust gas treatment method of the semiconductor and LCD manufacturing chamber to smooth the exhaust by burning the solid material in the exhaust gas generated in the semiconductor and LCD manufacturing chamber including the chemical vapor deposition equipment and etching equipment,

반도체 및 LCD 제조 챔버에서 배기가스가 생성되면 콘트롤러가 연동하여 플라즈마 발생장치를 조작하여 플라즈마를 생성하고, 송전관을 통해 플라즈마 챔버로 플라즈마가 공급되면, 제1배기관을 통하여 플라즈마 챔버로 안내된 배기가스는, 상기 플라즈마 챔버를 통과하면서 플라즈마의 고온을 이용하여 발생된 높은 열에 의하여, 배기가스 내에 고형물질을 연소하여 배출되는 것을 특징으로 한다.When the exhaust gas is generated in the semiconductor and LCD manufacturing chambers, the controller is interlocked to operate the plasma generator to generate plasma, and when the plasma is supplied to the plasma chamber through the power transmission pipe, the exhaust gas guided to the plasma chamber through the first exhaust pipe. The high temperature generated by using the high temperature of the plasma while passing through the plasma chamber, characterized in that the combustion by the solid material in the exhaust gas is discharged.

또한, 상기 플라즈마 챔버의 온도가 과열되면, 온도센서가 이를 감지하여 상기 콘트롤러에 정보를 보내면, 상기 콘트롤러가 냉각장치를 작동하여 상기 플라즈마 챔버의 과열을 방지하는 것을 특징으로 한다.In addition, when the temperature of the plasma chamber is overheated, when the temperature sensor detects this and sends information to the controller, the controller operates a cooling device to prevent overheating of the plasma chamber.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조로 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부한 도 1은 본 발명에 따른 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 챔버의 병렬형 구조를 나타내는 개략적인 단면도이며, 도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 챔버의 나선형 구조를 나타내는 개략적인 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 챔버의 타원형 구조를 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic configuration diagram of the exhaust device of the semiconductor and LCD manufacturing chamber according to the present invention, Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing a parallel structure of the plasma chamber according to the present invention, Figure 3 Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing a helical structure of the plasma chamber, Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing an elliptical structure of the plasma chamber according to the present invention.

본 발명은 반도체 및 LCD 제조 공정 중에 화학증착 공정과 식각 공정에서 발생되는 배기가스에 섞여 있는 고형물질이 배기관이나 그 외 배기라인 등에 쌓이는 것을 방지하여 원활한 배기가 가능하도록, 플라즈마 챔버로 배기가스와 플라즈마를 공급하고 상기 플라즈마를 이용하여 높은 열을 발생시킴으로써, 배기가스 내에 고형물질을 연소시켜 배출하는 것에 주안점이 있다.The present invention prevents solid matter mixed in the exhaust gas generated in the chemical vapor deposition process and the etching process during the semiconductor and LCD manufacturing process from accumulating in the exhaust pipe or other exhaust lines, and enables smooth exhaust. The main focus is to burn and discharge solid matter in the exhaust gas by supplying and generating high heat using the plasma.

이를 위하여, 본 발명은 배기가스에 섞여있는 고형물질을 연소시키기 위한 플라즈마 챔버(10)와, 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생장치(20)와, 상기 플라즈마 챔버(10)의 온도를 측정하여 과열을 방지하기 위한 온도센서(50)와, 상기 플라즈마 챔버(10) 외부로 방열되는 것을 차단하기 위한 보온재(11)와, 반도체 및 LCD 제조 챔버(30) 및 상기 온도센서(50)와 연동하여 플라즈마 발생장치(20)와 냉각장치(12)를 조작할 수 있는 콘트롤러(40)와, 반도체 및 LCD 제조장비에서 발생되는 배기가스를 추출하여 제1배기관(13)으로 내보내는 배기펌프(31)로 구성된다.To this end, the present invention is to measure the temperature of the plasma chamber 10, the plasma generating device 20 for generating a plasma, and the plasma chamber 10 for burning the solid material mixed in the exhaust gas to prevent overheating Plasma generating device in conjunction with the temperature sensor 50, the thermal insulation material 11 for blocking heat radiation to the outside of the plasma chamber 10, the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30 and the temperature sensor 50 20 and a controller 40 capable of operating the cooling device 12, and an exhaust pump 31 for extracting exhaust gas generated from semiconductor and LCD manufacturing equipment and outputting the exhaust gas to the first exhaust pipe 13.

반도체 및 LCD를 제조하는 공정에서 배기가스가 발생되면, 반도체 및 LCD 제조 챔버(30)의 일측에 연결 형성된 배기펌프(31)를 이용하여 배기가스를 추출하고, 상기 배기펌프(31)에 연결된 제1배기관(13)을 통하여 플라즈마 챔버(10)로 배기가스가 안내된다.When the exhaust gas is generated in the process of manufacturing a semiconductor and LCD, the exhaust gas is extracted using an exhaust pump 31 connected to one side of the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30, and the exhaust gas 31 is connected to the exhaust pump 31. The exhaust gas is guided to the plasma chamber 10 through the one exhaust pipe 13.

이때, 상기 배기가스는 고형물질이 연소되지 않고 섞여있는 상태이기 때문에 제1배기관(13)에 고형물질이 쌓이지 않도록, 상기 반도체 및 LCD 제조 챔버(30)와 플라즈마 챔버(10) 사이 거리를 가능한 짧게 구성하여, 반도체 및 LCD 제조 챔버(30)에서 발생된 배기가스를 최단거리에서 플라즈마 챔버(10)에 공급하도록 하는 것이 바람직하다.At this time, since the exhaust gas is a state in which solid materials are not burned and mixed, the distance between the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30 and the plasma chamber 10 is kept as short as possible so that solid materials do not accumulate in the first exhaust pipe 13. It is preferable to configure such that the exhaust gas generated in the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30 is supplied to the plasma chamber 10 at the shortest distance.

상기 플라즈마 챔버(10)는 일측에 연결된 제1배기관(13)을 통하여 고형물질을 포함하는 배기가스가 유입되면, 공급된 플라즈마를 이용하여 높은 열을 발생시켜 배기가스 내에 고형물질을 연소시키도록 구성된다.The plasma chamber 10 is configured to generate high heat using the supplied plasma to combust the solid material in the exhaust gas when the exhaust gas containing the solid material is introduced through the first exhaust pipe 13 connected to one side. do.

상기 플라즈마 챔버(10)에 공급되는 플라즈마는 플라즈마 발생장치(20)를 통 하여 생성 공급된다.The plasma supplied to the plasma chamber 10 is generated and supplied through the plasma generator 20.

상기 플라즈마는 물질 중에서 가장 높은 에너지 상태인 기체에 계속 열을 가하여 온도가 올라가게 되면 상태전이와는 다른 이온화된 입자들이 만들어지면서 생성된다.The plasma is generated by ionizing particles that are different from the state transition when the temperature is raised by continuously heating the gas which is the highest energy state among the materials.

이때, 양이온과 음이온의 총 전하 수는 거의 같아지고, 이러한 상태가 전기적으로 중성을 띄는 플라즈마 상태이다.At this time, the total number of charges of the cation and the anion becomes almost the same, and this state is an electrically neutral plasma state.

플라즈마 발생장치(20)는 플라즈마를 생성하면 일측에 연결된 송전관(21)을 통하여 플라즈마 챔버(10)로 공급한다.When the plasma generator 20 generates the plasma, the plasma generator 20 supplies the plasma chamber 10 to the plasma chamber 10 through a power transmission pipe 21 connected to one side.

이때, 상기 송전관(21)은 상기 제1배기관(13)과 플라즈마 챔버(10)가 연결되는 부분에 연결되어, 플라즈마가 배기가스와 함께 플라즈마 챔버(10)로 유입되도록 한다.In this case, the power transmission pipe 21 is connected to a portion where the first exhaust pipe 13 and the plasma chamber 10 are connected, so that the plasma flows into the plasma chamber 10 together with the exhaust gas.

제 4의 물질상태로 불리는 플라즈마는 기체보다 더 큰 열 에너지를 지니며 고온을 유지하는데, 이런 플라즈마의 고온을 이용하여 배기가스 내에 고형물질을 연소시키는 것이 가능하다.Plasma, called the fourth material state, has a greater thermal energy than gas and maintains a high temperature, and it is possible to use the high temperature of this plasma to burn solid matter in the exhaust gas.

플라즈마 발생장치(20)에서 발생되는 플라즈마는 고주파로 생성되며, 상기 플라즈마 발생장치(20)는 콘트롤러(40)에 의하여 제어된다.The plasma generated by the plasma generator 20 is generated at a high frequency, and the plasma generator 20 is controlled by the controller 40.

상기 콘트롤러(40)는 반도체 및 LCD 제조 챔버(30)와 연동하여 작동되도록 설치되는데, 이에 따라 플라즈마 발생장치(20)의 작동을 조절한다.The controller 40 is installed to operate in conjunction with the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30, thereby adjusting the operation of the plasma generator 20.

한편, 배기가스 내에 고형물질의 연소로 인한 고온이 플라즈마 챔버(10) 외부로 방열되는 것을 방지하기 위하여 상기 플라즈마 챔버(10)의 외측에 보온재(11) 를 형성한다.On the other hand, the heat insulating material 11 is formed on the outside of the plasma chamber 10 in order to prevent the high temperature due to the combustion of the solid material in the exhaust gas is radiated to the outside of the plasma chamber 10.

상기 보온재(11)는 플라즈마 챔버(10)의 외측에 밀착 형성되며, 일반적으로 열이 전도나 복사에 의해 달아나기 힘든 재료를 사용하여 방서, 방한 효과를 갖게 하는 부재로서, 석면, 암면, 유리섬유, 텍스, 코르크 등이 있으며, 복사열을 반사하는 알루미늄박 등이 사용되는 목모, 목편시멘트판, 펄라이트 보드 또는 스티로폼의 기포판이 사용된다.The heat insulating material 11 is formed in close contact with the outer side of the plasma chamber 10, generally using a material that is hard to escape heat by conduction or radiation, and has a cold weather effect, asbestos, rock wool, glass fiber , Tex, cork, and the like, and an aluminum foil reflecting radiant heat is used, such as wood wool, wood cement board, pearlite board, or foam plate of styrofoam.

이런 보온재(11)의 효율을 높이기 위해서 상기 플라즈마 챔버(10)의 고열이 외부로 새지 못하게 함은 물론이고, 외부의 열이 실내로 들어오지 못하도록 상기 플라즈마 챔버(10)에 개구부 등의 틈을 없애 열저항을 높여 형성하는 것이 바람직하다.In order to increase the efficiency of the heat insulating material 11, as well as preventing the high temperature of the plasma chamber 10 from leaking to the outside, heat is removed by removing gaps such as openings in the plasma chamber 10 so that external heat does not enter the room. It is preferable to form high resistance.

본 발명의 일실시예에서는 보온재(11)로 세라믹을 사용하여, 플라즈마 챔버(10)의 고열을 외부로부터 차단한다.In an embodiment of the present invention, using the ceramic as the heat insulating material 11, high heat of the plasma chamber 10 is blocked from the outside.

또한, 상기 보온재(11)의 외측에 냉각장치(12)를 장착하여, 플라즈마 챔버(10)의 발열에 의한 영향이 외부에 미치지 않도록 한다.In addition, the cooling device 12 is mounted on the outer side of the heat insulating material 11 so that the influence of the heat generation of the plasma chamber 10 does not reach the outside.

특히, 상기 플라즈마 챔버(10)는 반도체 및 LCD 제조 챔버(30)와 최단 거리를 두고 구성되기 때문에 플라즈마 챔버(10) 내에서 고형물질의 연소로 인하여 온도가 올라가면, 상기 반도체 및 LCD 제조 챔버(30)에 영향을 미칠 우려가 있다.In particular, since the plasma chamber 10 is configured to have the shortest distance from the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30, when the temperature rises due to the combustion of a solid material in the plasma chamber 10, the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30 is formed. There is a risk of affect.

따라서, 보온재(11)를 사용하여 고열을 차단하고 냉각장치(12)를 이용하여 온도를 낮추어 플라즈마 챔버(10)가 외부에 미치는 영향을 최소화하는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable to minimize the influence of the plasma chamber 10 to the outside by blocking the high heat using the heat insulating material 11 and lowering the temperature by using the cooling device 12.

한편, 플라즈마 챔버(10) 내에서 플라즈마의 고온을 이용하는 고형물질의 연소로 인한 과열을 방지하기 위하여, 온도측정이 가능한 온도센서(50)를 상기 플라즈마 챔버(10)의 일측에 접촉되도록 장착한다.On the other hand, in order to prevent overheating due to the combustion of the solid material using the high temperature of the plasma in the plasma chamber 10, a temperature sensor 50 capable of measuring the temperature is mounted to be in contact with one side of the plasma chamber 10.

상기 온도센서(50)가 플라즈마 챔버(10)의 온도를 측정하여 콘트롤러(40)에 정보를 보내면, 상기 콘트롤러(40)는 그 정보에 따라 냉각장치(12)를 조작하게 된다.When the temperature sensor 50 measures the temperature of the plasma chamber 10 and sends information to the controller 40, the controller 40 operates the cooling device 12 according to the information.

플라즈마의 고온을 이용하여 배기가스 내에 고형물질을 효율적으로 연소하기 위한 플라즈마 챔버(10)의 구조는 병렬형, 나선형, 타원형 등 다양한 형태로 구성 가능하고, 두 가지 이상 선택하여 복합적으로 구성한 복합형도 가능하다.The structure of the plasma chamber 10 for efficiently burning solid matter in the exhaust gas by using high temperature of plasma can be configured in various forms such as parallel, spiral, elliptical, or a complex type composed of two or more selected. Do.

보다 자세하게 설명하면, 상기 플라즈마 챔버(10)의 일측이 배기펌프(31)에 연결된 제1배기관(13)에 연결되고, 타측은 고형물질을 연소한 배기가스를 배출할 수 있는 제2배기관(14)이 연결 형성되는 구조는 모두 동일하게 구성된다.In more detail, one side of the plasma chamber 10 is connected to the first exhaust pipe 13 connected to the exhaust pump 31, and the other side of the second exhaust pipe 14 capable of discharging the exhaust gas burning the solid material. ) Are all formed in the same structure.

여기서, 병렬형(도 2 참고)은 플라즈마 챔버(10)가 전부에서 다수 개의 배기관으로 구성되어 고형물질을 연소하면서 진행되고, 후부에서 다시 하나의 배기관으로 모여 제2배기관(14)에 연결되어 배기가스를 배출한다.Here, in the parallel type (see FIG. 2), the plasma chamber 10 is composed of a plurality of exhaust pipes at all, and proceeds while burning the solid material. At the rear, the plasma chamber 10 is gathered into one exhaust pipe and connected to the second exhaust pipe 14 to exhaust. Eject gas.

나선형(도 3 참고)은 배기관이 스프링처럼 나선을 형성하며 진행하여 형성되고, 타원형(도 4 참고)은 배기관이 하나의 타원 형태로 넓게 형성되어 구성된다.Spiral (see Figure 3) is formed by the exhaust pipe is formed spirally like a spring proceeds, elliptical (see Figure 4) is composed of the exhaust pipe is formed in a wide oval form.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기가스 처리방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the exhaust gas treatment method of the semiconductor and LCD manufacturing chamber according to the present invention configured as described above are as follows.

반도체 및 LCD 제조공정 중에 반도체 및 LCD 제조 챔버(30) 내부에 설치된 반도체 및 LCD 제조장비에서 고형물질이 섞인 배기가스가 발생되면, 배기펌프(31)를 이용하여 배기가스를 펌핑하고 제1배기관(13)을 통하여 플라즈마 챔버(10)로 전달한다.During the semiconductor and LCD manufacturing process, if the exhaust gas containing solid materials is generated in the semiconductor and LCD manufacturing equipment installed inside the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30, the exhaust gas is pumped using the exhaust pump 31 and the first exhaust pipe ( 13 to the plasma chamber 10.

이때, 콘트롤러(40)는 반도체 및 LCD 제조 챔버(30)의 배기가스 생성에 따라 연동되어 플라즈마 발생장치(20)를 조작하고, 상기 플라즈마 발생장치(20)는 플라즈마를 생성하게 된다.In this case, the controller 40 interoperates with the exhaust gas of the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30 to operate the plasma generator 20, and the plasma generator 20 generates plasma.

상기 플라즈마는 송전관(21)을 통하여 제1배기관(13)과 플라즈마 챔버(10)의 연결부분에 송전되어, 배기가스와 함께 플라즈마 챔버(10)로 유입된다.The plasma is transmitted to the connection portion between the first exhaust pipe 13 and the plasma chamber 10 through the power transmission tube 21 and flows into the plasma chamber 10 together with the exhaust gas.

그러면 배기가스에 섞여있는 고형물질은 플라즈마 챔버(10)를 통과하면서 플라즈마의 고온을 이용하여 연소되고, 배기가스는 유동을 가지고 진행하여 플라즈마 챔버(10)를 빠져나가게 된다.Then, the solid material mixed in the exhaust gas is burned using the high temperature of the plasma while passing through the plasma chamber 10, and the exhaust gas proceeds with the flow to exit the plasma chamber 10.

이때, 보온재(11)는 플라즈마 챔버(10)가 연소로 인한 고열을 방출하지 않도록 차단하고, 온도센서(50)는 상기 플라즈마 챔버(10)의 온도를 측정하여, 콘트롤러(40)에 정보를 보낸다. At this time, the thermal insulation material 11 blocks the plasma chamber 10 so as not to emit high heat due to combustion, and the temperature sensor 50 measures the temperature of the plasma chamber 10 and sends information to the controller 40. .

여기서, 상기 플라즈마 챔버(10)가 과열되면, 상기 온도센서(50)가 이를 감지하여 상기 콘트롤러(40)에 정보를 보낸다.Here, when the plasma chamber 10 is overheated, the temperature sensor 50 detects this and sends information to the controller 40.

그러면, 상기 콘트롤러(40)는 플라즈마 챔버(10)가 과열되지 않도록 냉각장치(12)를 조작하여, 상기 플라즈마 챔버(10)의 높은 온도가 외부에 전달되지 않도록 한다.Then, the controller 40 operates the cooling device 12 so that the plasma chamber 10 is not overheated so that the high temperature of the plasma chamber 10 is not transmitted to the outside.

이와 같이, 상기 콘트롤러(40)가 반도체 및 LCD 제조 챔버(30)와 온도센 서(50)가 보내는 정보를 받아 플라즈마 발생장치(20)와 냉각장치(12)를 조작하여, 상기 플라즈마 챔버(10)의 온도가 과열되지 않도록 조정하면서 배기가스 내의 고형물질을 플라즈마의 고온을 이용하여 연소 배출하는 것이 가능하게 된다.In this way, the controller 40 receives the information from the semiconductor and LCD manufacturing chamber 30 and the temperature sensor 50 to operate the plasma generator 20 and the cooling device 12, the plasma chamber 10 It is possible to burn and discharge the solid matter in the exhaust gas by using the high temperature of the plasma while adjusting the temperature of).

이로 인하여, 반도체 및 LCD 제조 챔버에서 발생되는 배기가스를 배출하는 배기라인에 고형물질이 쌓이지 않아 배기가스의 원활한 배기가 이루어진다.As a result, solid materials do not accumulate in the exhaust line for discharging the exhaust gas generated in the semiconductor and LCD manufacturing chambers, thereby facilitating the exhaust gas.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되지 않으며, 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 실시할 수 있는 다양한 형태의 실시예들을 모두 포함한다.While the invention has been shown and described with respect to certain preferred embodiments thereof, the invention is not limited to these embodiments, and has been claimed by those of ordinary skill in the art to which the invention pertains. It includes all the various forms of embodiments that can be implemented without departing from the spirit.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치 및 그 처리방법에 의하면, 반도체 및 LCD 제조 공정 중에 발생하는 배기가스에 섞여 있는 고형물질을 플라스마를 이용하여 높은 열을 발생시켜 연소함으로써, 배기관이나 그 외 배기라인 등에 고형물질이 쌓이는 것을 방지하고 원활한 배기가 이루어지도록 하는 효과가 있다.As described above, according to the exhaust device and the processing method of the semiconductor and LCD manufacturing chamber according to the present invention, by using a plasma to generate a solid material mixed with the exhaust gas generated during the semiconductor and LCD manufacturing process Combustion has an effect of preventing solid matter from accumulating in exhaust pipes and other exhaust lines, and ensuring smooth exhaust.

Claims (9)

삭제delete 삭제delete 화학증착 장비와 식각 장비를 포함하는 반도체 및 LCD 제조 챔버에서 발생되는 배기가스 내에 고형물질을 연소하여 배기를 원활하게 하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치에 있어서,In the exhaust device of the semiconductor and LCD manufacturing chamber to facilitate the exhaust gas by burning the solid material in the exhaust gas generated in the semiconductor and LCD manufacturing chamber including the chemical vapor deposition equipment and etching equipment, 배기가스에 섞여있는 고형물질이 연소되는 플라즈마 챔버와, 반도체 및 LCD 제조 챔버와 상기 플라즈마 챔버 사이에 연결 형성되어 배기가스를 상기 플라즈마 챔버로 안내하는 제1배기관과, 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생장치와, 반도체 및 LCD 제조 챔버에서 배기가스가 생성되면 이에 연동되어 상기 플라즈마 발생장치를 조작하는 콘트롤러와, 상기 플라즈마 발생장치와 플라즈마 챔버 사이에 연결 형성되어 상기 플라즈마 챔버에 플라즈마를 공급하는 송전관을 포함하며, 상기 플라즈마 챔버와 반도체 및 LCD 제조 챔버 사이 거리를 짧게 구성하여 상기 반도체 및 LCD 제조 챔버에서 배출되는 배기가스를 최단거리에서 상기 플라즈마 챔버에 공급할 수 있도록 구성하되, 상기 플라즈마 챔버의 외측에 보온재를 더 포함하여 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치.A plasma chamber in which the solid material mixed with the exhaust gas is combusted, a first exhaust pipe formed between the semiconductor and LCD manufacturing chamber and the plasma chamber to guide the exhaust gas to the plasma chamber, and a plasma generator for generating plasma; And a controller configured to operate when the exhaust gas is generated in the semiconductor and LCD manufacturing chambers and to operate the plasma generator, and to be connected between the plasma generator and the plasma chamber to supply plasma to the plasma chamber. And shortening a distance between the plasma chamber and the semiconductor and LCD manufacturing chamber so as to supply the exhaust gas discharged from the semiconductor and LCD manufacturing chamber to the plasma chamber at the shortest distance, and further adding a heat insulating material to the outside of the plasma chamber. Characterized by including An exhaust device of a semiconductor and LCD manufacturing chamber. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 플라즈마 챔버의 일측에 온도를 측정하는 온도센서를 더 포함하여 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치.Exhaust device of a semiconductor and LCD manufacturing chamber, characterized in that it further comprises a temperature sensor for measuring the temperature on one side of the plasma chamber. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 보온재의 외측에 냉각장치를 더 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치.The exhaust device of the semiconductor and LCD manufacturing chamber, characterized in that it further comprises a cooling device on the outside of the insulation. 삭제delete 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 플라즈마 챔버는 플라즈마를 이용하여 배기가스 내에 고형물질을 효율적으로 연소하기 위한 구조로서, 병렬형, 나선형, 타원형 중 하나 이상을 선택하여 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 및 LCD 제조 챔버의 배기장치.The plasma chamber is a structure for efficiently burning a solid material in the exhaust gas using plasma, the exhaust device of the semiconductor and LCD manufacturing chamber, characterized in that configured by selecting one or more of parallel, spiral, elliptical. 삭제delete 삭제delete
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