KR101530309B1 - Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system - Google Patents

Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system Download PDF

Info

Publication number
KR101530309B1
KR101530309B1 KR1020130104462A KR20130104462A KR101530309B1 KR 101530309 B1 KR101530309 B1 KR 101530309B1 KR 1020130104462 A KR1020130104462 A KR 1020130104462A KR 20130104462 A KR20130104462 A KR 20130104462A KR 101530309 B1 KR101530309 B1 KR 101530309B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nitrogen
heating
gas
connection pipe
pipe
Prior art date
Application number
KR1020130104462A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150026094A (en
Inventor
김호준
Original Assignee
김호준
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김호준 filed Critical 김호준
Priority to KR1020130104462A priority Critical patent/KR101530309B1/en
Publication of KR20150026094A publication Critical patent/KR20150026094A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101530309B1 publication Critical patent/KR101530309B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 증착 시스템에 구비되는 질소 가열장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 산화막 증착 과정 중 액체 가스가 기화되어 유량조절장치(MFC)를 통과하는 과정 진행 후 일반 상온의 질소(N2)를 정화(PURGE)할 때 잔류 가스로 인한 입자 소스(Particle Source)원인이 되는 것을 방지하고자, 가열장치(CDN)를 통하여 질소가스를 가열하여 일반 상온의 질소가 아닌 고온 질소가스를 사용함으로써 잔류 가스의 정화 등으로 발생하는 입자를 최소화할 수 있도록 한 질소 가열장치에 관한 것이다. The present invention relates to a nitrogen heating apparatus provided in a vapor deposition system, and more particularly, to a method and apparatus for purifying nitrogen gas (N 2) at a normal room temperature after a process of vaporizing a liquid gas during an oxide film deposition process and passing through a MFC (CDN) to prevent the Particle Source caused by the residual gas when the PURGE gas is purged by using the high temperature nitrogen gas instead of the normal room temperature by heating the nitrogen gas through the heating device The present invention relates to a nitrogen heating apparatus capable of minimizing particles generated in a furnace.

Description

증착 시스템에 구비되는 질소 가열장치{Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system}[0001] The present invention relates to a nitrogen heating apparatus equipped with a deposition system,

본 발명은 증착 시스템에 구비되는 질소 가열장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 산화막 증착 과정 중 액체 가스가 기화되어 유량조절장치(MFC)를 통과하는 과정 진행 후 일반 상온의 질소(N2)를 정화(PURGE)할 때 잔류 가스로 인한 입자 소스(Particle Source)원인이 되는 것을 방지하고자, 가열장치(CDN)를 통하여 질소가스를 가열하여 일반 상온의 질소가 아닌 고온 질소가스를 사용함으로써 잔류 가스의 정화 등으로 발생하는 입자를 최소화할 수 있도록 한 질소 가열장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a nitrogen heating apparatus provided in a vapor deposition system, and more particularly, to a method and apparatus for purifying nitrogen gas (N 2) at a normal room temperature after a process of vaporizing a liquid gas during an oxide film deposition process and passing through a MFC (CDN) to prevent the Particle Source caused by the residual gas when the PURGE gas is purged by using the high temperature nitrogen gas instead of the normal room temperature by heating the nitrogen gas through the heating device The present invention relates to a nitrogen heating apparatus capable of minimizing particles generated in a furnace.

자연 산화물(native oxide)은 일반적으로 기판이 산소에 노출될 때 형성된다. 자연 산화물은 에칭중에 기판면이 오염될 경우 형성될 수도 있다. 자연 실리콘 산화막은 특히 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) 구조의 프로세싱 중에 노출되어 있는 실리콘 함유층에 형성된다. Native oxide is typically formed when the substrate is exposed to oxygen. The natural oxide may be formed when the substrate surface is contaminated during etching. The natural silicon oxide film is formed in the silicon-containing layer exposed during the processing of a MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) structure in particular.

실리콘 산화막은 전기적으로 절연되며 접촉 전극 또는 상호연결(interconnecting) 전기 경로와의 계면에서 바람직하지 않은데 이는 막들이 큰 전기 접촉 저항을 발생시키기 때문이다.The silicon oxide film is electrically isolated and undesirable at the interface with a contact electrode or an interconnecting electrical pathway because the films create a large electrical contact resistance.

MOSFET 구조에서 전극들과 상호연결 경로들은 내열성 금속을 베어 실리콘(bare silicon)상에 증착하고 이 층을 금속 실리사이드 층을 생성하기 위해 어닐링함으로써 형성된다. In the MOSFET structure, electrodes and interconnecting paths are formed by depositing a refractory metal on bare silicon and annealing this layer to produce a metal silicide layer.

기판과 금속 사이의 계면에 있는 자연 실리콘 산화막은 금속 실리사이드를 형성하는 확산 화학 반응을 방해함으로써 실리사이드 층의 조성 균일도를 감소시킨다. The native silicon oxide film at the interface between the substrate and the metal interferes with the diffusion chemistry forming the metal silicide thereby reducing the compositional uniformity of the silicide layer.

이는 전기 접촉부에서의 과열로 인한 증가된 고장률과 보다 낮은 기판 수율에 이르게 된다. 자연 실리콘 산화막은 기판상에 후속 증착되는 다른 CVD 또는 스퍼터링된 층들의 부착을 방해할 수도 있다.This leads to an increased failure rate due to overheating at the electrical contacts and lower substrate yield. The native silicon oxide film may interfere with the subsequent deposition of other CVD or sputtered layers on the substrate.

플루오르화수소(HF)산 및 초순수(deionize water)를 이용한 스퍼터 에칭, 건식 에칭, 및 습식 에칭 프로세스는 대형 피처(feature) 또는 약 4:1 미만의 종횡비를 갖는 소형 피처에서 오염을 감소시켜 보려고 시도해봤다. Sputter etching, dry etch, and wet etch processes using hydrogen fluoride (HF) acid and deionized water have attempted to reduce contamination in large features or small features with aspect ratios of less than about 4: 1 .

그러나 자연 산화막의 제거는 효과가 없고 이들 방법들 모두의 경우 원치 않는 찌꺼기를 도입한다. 유사하게 습식 에칭 용액은 상기 크기의 피처에 침투하는 것에 성공한다면 일단 에칭이 완결된 피처로부터 제거하기가 더욱 어렵다.However, removal of the native oxide film is ineffective and introduces unwanted debris in both of these methods. Similarly, if the wet etch solution is successful in penetrating the features of this size, it is more difficult to remove from the finished features once the etch is complete.

자연 산화막을 제거하는 보다 최근의 접근법은 기판상에 불소/실리콘 함유 염을 형성하는 것이며 이는 이후 열 어닐링에 의해 제거된다. A more recent approach to removing the native oxide film is to form a fluorine / silicon-containing salt on the substrate, which is then removed by thermal annealing.

이 접근법에서 염의 박층은 불소 함유 가스를 실리콘 산화막 표면과 반응시킴으로써 형성된다. 염은 그 후 염을 휘발성 부산물로 해리시키기에 충분한 상승된 온도로 가열되며, 상기 부산물은 그 후 프로세싱 챔버로부터 제거된다.In this approach, a thin layer of salt is formed by reacting a fluorine containing gas with a silicon oxide film surface. The salt is then heated to an elevated temperature sufficient to dissociate the salt into a volatile byproduct, which is then removed from the processing chamber.

반응성 불소 함유 가스의 형성은 통상적으로 열부가 또는 플라즈마 에너지에 의해 보조된다. 염은 통상적으로 기판 표면의 냉각을 요하는 감소된 온도에서 형성된다. 일련의 이러한 냉각 이후의 가열은 통상적으로 기판이 냉각되는 냉각 챔버로부터 기판이 가열되는 별개의 어닐링 챔버 또는 노(furnace)로 기판을 이송함으로써 이루어진다.The formation of the reactive fluorine-containing gas is usually assisted by the heating element or the plasma energy. Salts are typically formed at reduced temperatures that require cooling of the substrate surface. Heating after a series of such cooling is typically accomplished by transferring the substrate from the cooling chamber from which the substrate is cooled to a separate annealing chamber or furnace where the substrate is heated.

여러 이유로 이러한 반응성 불소 프로세싱 시퀀스는 바람직하지 않다. 즉, 웨이퍼를 전송하는 데 관련된 시간으로 인해 웨이퍼 처리량이 현저하게 감소된다.For many reasons, this reactive fluorine processing sequence is undesirable. That is, wafer throughput is significantly reduced due to the time associated with transferring the wafer.

또한, 웨이퍼는 이송 동안의 추가적인 산화 또는 다른 오염에 영향받기 쉽다. 게다가 소유자의 비용이 두 배가 되는데 이는 두 개의 개별 챔버가 산화막 제거 프로세스를 완결하기 위해 필요하기 때문이다. 여기서 하나의 챔버에서 원격 플라즈마 발생, 가열, 냉각, 및 한 번의 건식 에칭 프로세스의 수행을 할 수 있는(즉, 인-시튜)프로세싱 챔버에 대한 필요성이 대두된다.In addition, the wafer is susceptible to further oxidation or other contamination during transfer. In addition, the cost of the owner is doubled because two separate chambers are required to complete the oxide removal process. There is a need for a processing chamber that is capable of performing remote plasma generation, heating, cooling, and a single dry etching process in one chamber (i.e., in-situ).

챔버의 가스 분배 플레이트가 약 180로 가열되고 프로세스 가스가 챔버의 프로세싱 영역으로 도입될 때 웨이퍼 지지대는 약 35로 냉각되며 프로세스 화학물질은 상기 지지대의 표면을 따라 증착물을 형성한다. When the gas distribution plate of the chamber is heated to about 180 and the process gas is introduced into the processing region of the chamber, the wafer support is cooled to about 35 and the process chemistry forms a deposit along the surface of the support.

이러한 증착물을 제거하기 위해 챔버를 세정하는 것은 전통적으로 챔버를 개방하고 챔버를 수동으로 세정하기 위해 시간과 노력이 필요한 습식 세정 방법에 의존해 왔다. Cleaning chambers to remove these deposits has traditionally relied on wet cleaning methods that require time and effort to open the chambers and manually clean the chambers.

대안으로 페더스털(pedestal)을 냉각하는 데 통상적으로 사용되는 유체를 가열하기 위한 시도가 이루어져 왔으나 이러한 가열 방법은 챔버 표면을 가열하고 챔버를 세정하는 데 2 내지 3일이 소요된다. 프로세싱 챔버로부터 증착물과 찌꺼기를 제거하는 것은 비용 효율적이며 적은 프로세싱 시간을 요할 것이 요구된다.
As an alternative, attempts have been made to heat fluids conventionally used to cool the pedestal, but this heating method takes 2-3 days to heat the chamber surface and clean the chamber. Removing deposits and debris from the processing chamber is cost effective and requires less processing time.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하고자 발명된 것으로 다음과 같은 목적을 갖는다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and has the following objectives.

본 발명은 산화막 증착 과정 중 액체 가스가 기화되어 유량조절장치(MFC)를 통과하는 과정 진행 후 일반 상온의 질소(N2)를 정화(PURGE)할 때 잔류 가스로 인한 입자 소스(Particle Source)원인이 되는 것을 방지하고자, 가열장치(CDN)를 통하여 질소가스를 가열하여 일반 상온의 질소가 아닌 고온 질소가스를 사용함으로써 잔류 가스의 정화 등으로 발생하는 입자를 최소화할 수 있도록 한 증착 시스템에 구비되는 질소 가열장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
The present invention relates to a process for purifying nitrogen gas (N2) at a normal room temperature after a process of vaporizing a liquid gas during an oxide film deposition process and passing through a flow rate controller (MFC) The nitrogen gas is heated through a heating device (CDN) to minimize the particles generated by purifying the residual gas by using a high-temperature nitrogen gas which is not a nitrogen at a normal room temperature, And it is an object of the present invention to provide a heating device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 다음과 같은 구성을 가진 실시 예에 의하여 구현된다.
In order to accomplish the above object, the present invention is implemented by the following embodiments.

본 발명은 앞서 본 구성에 의하여 다음과 같은 효과를 갖는다.The present invention has the following effects with the above-described configuration.

본 발명 증착 시스템에 구비되는 질소 가열장치는 산화막 증착 과정 중 액체 가스가 기화되어 유량조절장치(MFC)를 통과하는 과정 진행 후 일반 상온의 질소(N2)를 정화(PURGE)할 때 잔류 가스로 인한 입자 소스(Particle Source)원인이 되는 것을 방지하고자, 가열장치(CDN)를 통하여 질소가스를 가열하여 일반 상온의 질소가 아닌 고온 질소가스를 사용함으로써 잔류 가스의 정화 등으로 발생하는 입자를 최소화할 수 있는 효과를 갖는다.The nitrogen heating apparatus provided in the deposition system according to the present invention is characterized in that when the liquid gas is vaporized during the oxide film deposition process and the nitrogen gas (N2) at the room temperature is purge (PURGE) after passing through the flow rate controller In order to prevent the particle source, it is possible to minimize the particles generated by the purification of the residual gas by using the high temperature nitrogen gas instead of the normal room temperature by heating the nitrogen gas through the heating device (CDN) .

고온 질소가스를 사용함으로써 잔류 가스의 정화 등으로 발생하는 입자를 최소화함으로써, 품질 향상 및 불량률을 최소화하여 생산율을 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다.By using the high-temperature nitrogen gas, the particles generated by the purification of the residual gas are minimized, thereby improving the quality and minimizing the defective rate and improving the production rate.

도 1 및 도 2는 종래의 산화막 증착 시스템을 나타낸 도면,
도 3 종래의 Transfer Module 시스템을 나타낸 도면,
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 산화막 증착 시스템을 나타낸 도면,
도 6은 본 발명에 따른 Transfer Module 시스템을 나타낸 도면,
도 7 ~ 도 10은 본 발명에 따른 산화막 증착 시스템 중 가열장치를 나타낸 사진.
도 11은 가열장치 적용 전.후의 상태를 비교한 그래프.1 and 2 show a conventional oxide film deposition system,
3 shows a conventional transfer module system,
4 and 5 are views showing an oxide film deposition system according to the present invention,
6 illustrates a transfer module system according to the present invention,
7 to 10 are photographs showing a heating apparatus in an oxide film deposition system according to the present invention.
11 is a graph comparing the states before and after the application of the heating apparatus.

출원인은 이하에서 첨부도면을 참조하여 앞서 본 실시 예들의 구성을 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The applicants will now describe in detail the construction of the present embodiments with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략한다.Detailed descriptions of well-known functions and constructions that may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention will be omitted.

본 발명은 증착 시스템에 구비되는 질소 가열장치에 관한 것으로 질소 공급라인과 유량조절장치(MFC) 사이에 구비된 가열장치(CDN,1)를 통하여 질소가스를 가열하여 일반 상온의 질소가 아닌 고온 질소가스를 사용함으로써 잔류 가스의 정화 등으로 발생하는 입자를 최소화(완전연소)하여 산화막 증착 효율을 증대시킬 수 있도록 하는 것이다.[0001] The present invention relates to a nitrogen heating apparatus provided in a vapor deposition system, in which nitrogen gas is heated through a heating apparatus (CDN) 1 provided between a nitrogen supply line and a flow rate control apparatus (MFC) The use of the gas minimizes the particles generated by the purification of the residual gas or the like (complete combustion), thereby increasing the oxide film deposition efficiency.

가열장치는 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 질소가 투입되는 투입구(110)와, 가열된 질소를 배출하는 배출구(130)와, 투입된 질소를 가열하는 히터(150)로 이루어진 가열부(100)와; 가열부(100)의 외측에 구비되어 가열부(100)의 작동을 컨트롤하는 제어부(300)로 구성된다.
As shown in FIGS. 7 and 8, the heating apparatus includes a heating unit 150 including an inlet 110 into which nitrogen is introduced, an outlet 130 through which heated nitrogen is discharged, and a heater 150 which heats the introduced nitrogen 100); And a control unit 300 provided outside the heating unit 100 for controlling the operation of the heating unit 100.

가열부(100)는 산화막 증착 시스템에서 질소를 유량조절장치(MFC)로 보내기 전 질소를 가열하여 잔류 가스의 정화 등으로 발생하는 입자를 최소화할 수 있도록 하는 것으로, 질소 공급라인에 연결되어 질소를 가열부(100)로 공급하는 투입구(110)가 일측에 구비되어 있다.The heating unit 100 is configured to heat the nitrogen before sending the nitrogen to the MFC in the oxide film deposition system so as to minimize the particles generated by the purification of the residual gas. The heating unit 100 is connected to the nitrogen supply line, And a charging port 110 for supplying the toner to the heating unit 100 is provided on one side.

그리고 또 다른 일측에는 히터(150)에 의해 가열된 질소를 유량조절장치(MFC)로 보내기 위한 배출구(130)가 구비되어 있다.On the other side, a discharge port 130 for sending nitrogen heated by the heater 150 to a flow rate regulator (MFC) is provided.

투입구(110)와 배출구(130)는 연결관(140)으로 연결되어 있다. 이때, 연결관(140)은 도 8에 도시된 바와 같이 투입구(110)에 연결되어 아래방향에 나선형으로 연장된 내부 연결관 및 내부 연결관에 연결되고 윗방향으로 내부 연결관을 둘러싸며 나선형으로 연장되어 배출구(130)에 연결된 외부 연결관으로 구성된다. The inlet (110) and the outlet (130) are connected to each other by a connection pipe (140). 8, the connecting pipe 140 is connected to the inlet 110 and is connected to the inner connecting pipe and the inner connecting pipe extending spirally in the downward direction and surrounding the inner connecting pipe in the upward direction, And an external connection pipe extended to the discharge port 130.

그리고 히터(150)는 연결관(140)을 따라 이동하는 질소를 가열하는 것으로, 투입구(110)와 배출구(130)를 연결하며, 질소가 이동하는 연결관(140)의 외측에 구비되어 관을 가열함으로써 관내를 흐르는 질소를 가열하게 된다.The heater 150 heats the nitrogen moving along the connection pipe 140 and connects the inlet 110 and the outlet 130 to the outside of the connection pipe 140 through which the nitrogen moves, By heating, the nitrogen flowing in the tube is heated.

이때, 가열된 질소가 냉각되는 것을 방지하고 가열효율을 증대시키기 위하여 단열재(170)가 더 구비된다.
At this time, the heat insulating material 170 is further provided to prevent the heated nitrogen from being cooled and to increase the heating efficiency.

제어부(300)는 가열부(100)의 외부에 구비되어 가열부의 작동을 제어하는 것으로, 전원 스위치(310), 작동 표시램프(330), 온도제어부(350), 이상 알림 부져(370)로 이루어진다.
The control unit 300 is provided outside the heating unit 100 to control the operation of the heating unit and includes a power switch 310, an operation indication lamp 330, a temperature control unit 350, and an error notification buzzer 370 .

본 발명은 상기와 같이 구성되어 질소 공급라인과 유량조절장치(MFC) 사이에 구비된 가열장치(CDN,1)를 통하여 질소가스를 가열하여 일반 상온의 질소가 아닌 고온 질소가스를 사용함으로써 잔류 가스의 정화 등으로 발생하는 입자를 최소화(완전연소)하여 산화막 증착 효율을 증대시킬 수 있도록 하는 것이다.
In the present invention, the nitrogen gas is heated through the heating device (CDN) 1 provided between the nitrogen supply line and the flow rate control device (MFC) as described above to use the high temperature nitrogen gas, (Complete burning) of particles generated by the purification of the oxide film and the like, thereby increasing the oxide film deposition efficiency.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. Will be clear to those who have knowledge of.

100 : 가열부 300 : 제어부100: heating section 300:

Claims (3)

질소가스를 가열하여 일반 상온의 질소가 아닌 고온 질소가스를 사용함으로써 잔류 가스의 정화 등으로 발생하는 입자를 완전연소할 수 있도록 질소 공급라인과 유량조절장치(MFC) 사이에 구비되고, 질소가 투입되는 투입구(110)와, 가열된 질소를 배출하는 배출구(130)와, 투입구(110)와 배출구(130)를 연결하는 연결관(140)과, 질소가 이동하는 연결관(140)의 외측에 구비되어 연결관(140)을 따라 이동하는 질소를 가열하는 히터(150)로 이루어진 가열부(100)를 포함하며,
연결관(140)은 투입구(110)에 연결되어 아래방향에 나선형으로 연장된 내부 연결관과, 상기 내부 연결관에 연결되고 상기 내부 연결관을 둘러싸며 윗방향에 나선형으로 연장되어 배출구(130)에 연결된 외부 연결관을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템에 구비되는 질소 가열장치.
A nitrogen gas supply line and a flow rate regulating device (MFC) are provided between the nitrogen supply line and the flow rate regulator (MFC) so as to completely burn the particles generated by the purification of residual gas or the like by using a high temperature nitrogen gas, A connecting pipe 140 connecting the charging port 110 and the discharging port 130 and a connecting pipe 140 connecting the discharging port 110 and the discharging port 130 to the outside of the connecting pipe 140 through which the nitrogen moves And a heating unit (100) comprising a heater (150) for heating nitrogen flowing along the connection pipe (140)
The connection pipe 140 is connected to the inlet 110 and extends spirally in a downward direction. The connection pipe 140 is connected to the internal connection pipe and surrounds the internal connection pipe. And an external connection pipe connected to the exhaust pipe.
제 1 항에 있어서,
가열부(100)의 외측에 구비되어 가열부(100)의 작동을 컨트롤하는 제어부(300)를 포함하는 증착 시스템에 구비되는 질소 가열장치.
The method according to claim 1,
And a control unit (300) provided outside the heating unit (100) and controlling the operation of the heating unit (100).
제 1 항에 있어서,
가열된 질소가 냉각되는 것을 방지하기 위해 히터(150)를 둘러싸는 단열재(170)를 포함하는 증착 시스템에 구비되는 질소 가열장치.
The method according to claim 1,
And a heat insulating material (170) surrounding the heater (150) to prevent the heated nitrogen from cooling.
KR1020130104462A 2013-08-30 2013-08-30 Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system KR101530309B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104462A KR101530309B1 (en) 2013-08-30 2013-08-30 Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104462A KR101530309B1 (en) 2013-08-30 2013-08-30 Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150026094A KR20150026094A (en) 2015-03-11
KR101530309B1 true KR101530309B1 (en) 2015-06-22

Family

ID=53022169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130104462A KR101530309B1 (en) 2013-08-30 2013-08-30 Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101530309B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050071342A (en) * 2004-12-20 2005-07-07 이준상 A nitrogen gas keeping warmth / heater for exhaust gas purge of semiconductor and lcd production equipment
KR20060023702A (en) * 2004-09-10 2006-03-15 (주)티피아이 Apparatus for supplying hot gas
KR20060041332A (en) * 2004-11-08 2006-05-11 한국기계연구원 High speed type three-dimensional prototyping system has n2 heating device
KR20070058799A (en) * 2005-12-05 2007-06-11 삼성전자주식회사 Drying apparatus of wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060023702A (en) * 2004-09-10 2006-03-15 (주)티피아이 Apparatus for supplying hot gas
KR20060041332A (en) * 2004-11-08 2006-05-11 한국기계연구원 High speed type three-dimensional prototyping system has n2 heating device
KR20050071342A (en) * 2004-12-20 2005-07-07 이준상 A nitrogen gas keeping warmth / heater for exhaust gas purge of semiconductor and lcd production equipment
KR20070058799A (en) * 2005-12-05 2007-06-11 삼성전자주식회사 Drying apparatus of wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150026094A (en) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104541362B (en) For the apparatus and method being selectively oxidized at a lower temperature using remote plasma source
TWI830277B (en) Method to fabricate thermally stable low k-finfet spacer
JP4531833B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and cleaning method
CN101241844B (en) In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
TWI415188B (en) Collecting unit for semiconductor process
TW201841252A (en) Plasma processing method including cleaning inside of chamber body of plasma processing device
JP6181075B2 (en) Method and apparatus for cleaning a substrate surface using atomic hydrogen
US9540727B2 (en) Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium
US20080210273A1 (en) Batch photoresist dry strip and ash system and process
JPH10199874A (en) Device and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology
JP6368850B2 (en) Cleaning method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program
JP2005354048A (en) High-rate etching using high pressure f2 plasma with argon diluent
JP6453637B2 (en) Cleaning method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program
JP5148536B2 (en) Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus operation method, and substrate processing apparatus
US8992689B2 (en) Method for removing halogen-containing residues from substrate
JP3215591B2 (en) Gas treatment equipment
KR101530309B1 (en) Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system
TWI551711B (en) Film forming apparatus and method of cleaning film forming apparatus
JP5438266B2 (en) Semiconductor device manufacturing method, cleaning method, and substrate processing apparatus
JP2008227143A (en) Substrate processing device
JP2013084966A (en) Manufacturing method of semiconductor device, cleaning method, and substrate processing apparatus
TWI850626B (en) Substrate processing device, furnace assembly, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method and program
TWI849358B (en) Semiconductor processing system and method of semiconductor processing
US20220251708A1 (en) Apparatus, methods, and systems of using hydrogen radicals for thermal annealing
TW202300688A (en) Substrate processing apparatus, furnace mouth assembly, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, and recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180531

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190410

Year of fee payment: 5