KR20070058799A - Drying apparatus of wafer - Google Patents

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Abstract

An apparatus for drying a wafer is provided to supplying nitrogen gas to a dry vapor generating unit such that the nitrogen gas has a temperature higher than room temperature by installing a heating apparatus for heating the nitrogen gas. A wafer is loaded into a chamber(70). A dry gas generating unit(10) supplies dry gas to the chamber. A nitrogen supplying apparatus supplies nitrogen gas to the dry gas generating apparatus. A heating apparatus(30) heats the nitrogen gas to be supplied to the dry gas generating apparatus to a predetermined temperature. The nitrogen supplying apparatus includes a valve(50) for adjusting the supply of the nitrogen gas and a flowmeter(40) for measuring the supplied quantity of the nitrogen gas.

Description

웨이퍼 건조 장비{Drying Apparatus of Wafer}Wafer Drying Equipment {Drying Apparatus of Wafer}

도 1은 일반적인 웨이퍼 건조 장비를 개략적으로 보여주는 블럭도; 그리고1 is a block diagram schematically showing a typical wafer drying equipment; And

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장비를 개략적으로 보여주는 블럭도이다.2 is a block diagram schematically showing a wafer drying equipment according to a preferred embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* * Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100, 100': 웨이퍼 건조 장비 1, 10: 건조가스 발생기100, 100 ': wafer drying equipment 1, 10: dry gas generator

2, 5, 20, 50: 밸브 4, 40: 유량계2, 5, 20, 50: valve 4, 40: flow meter

30: 가열장치 7, 70: 챔버30: heating device 7, 70: chamber

본 발명은 웨이퍼의 세정 공정에서 사용되는 반도체소자의 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 웨이퍼의 세정 후에 그 웨이퍼를 건조하는 세정/건조 장비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus used in a wafer cleaning process, and more particularly, to a cleaning / drying apparatus for drying a wafer after cleaning the wafer.

본 발명의 목적은 건조 가스의 양을 증가함으로써 건조력을 향상시킨 웨이퍼 건조 장치를 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide a wafer drying apparatus which improves the drying power by increasing the amount of drying gas.

반도체 소자의 고집적화에 따라 반도체 제조공정에서 웨이퍼의 세정기술은 더욱 다양화되고, 그 중요성도 증대되고 있다. 특히, 미세구조를 가지는 반도체소자의 제공공정에 있어서는 웨이퍼의 세정공정 후 웨이퍼에 부착된 파티클 뿐만 아니라 정전기, 물반점(Water Mark), 흐름성 파티클 등은 후속공정에 커다란 영향을 미치게 되므로 웨이퍼의 건조공정의 필요성이 더 커진다.Background Art With the high integration of semiconductor devices, wafer cleaning techniques have become more diversified in the semiconductor manufacturing process, and their importance is also increasing. In particular, in the process of providing a semiconductor device having a microstructure, electrostatic, water mark, flowable particles, etc., as well as particles attached to the wafer after the wafer cleaning process have a great influence on the subsequent process, and thus dry the wafer. The need for the process is greater.

반도체소자의 제조에 이용되는 웨이퍼의 건조 장비는 여러 방향으로 발전하였다. 예를 들면, 웨이퍼의 건조 장비는 원심력을 이용하여 웨이퍼를 건조하는 스핀 건조기(a spin dryer), 이소프로필 알코올(IPA: Isopropyl Alcohol)의 낮은 증기압을 이용하여 웨이퍼를 건조하는 건조 장비(이하, IPA 건조 장비) 등을 포함한다. 일반적으로 IPA 건조 장비에서는 액체 상태의 IPA가 들어있는 용기에 질소 가스를 공급하여 버블이 발생하도록 함으로써 IPA 성분을 포함하는 건조 가스가 발생하도록 한다. IPA 건조 장비에서는 건조 가스의 공급량에 따라 웨이퍼의 건조 상태가 달라지는 데, 질소 가스를 공급하여 버블이 형성되도록 하는 방법으로 건조 가스에 포함되는 IPA의 양을 증가시키는데에는 한계가 있다. The wafer drying equipment used in the manufacture of semiconductor devices has evolved in several directions. For example, a wafer drying equipment is a spin dryer for drying a wafer using centrifugal force, and a drying device for drying a wafer using a low vapor pressure of isopropyl alcohol (IPA) (hereinafter referred to as IPA). Drying equipment). In general, IPA drying equipment supplies nitrogen gas to a container containing liquid IPA to generate bubbles, thereby generating dry gas containing an IPA component. In the IPA drying equipment, the dry state of the wafer varies according to the supply amount of the dry gas, and there is a limit in increasing the amount of IPA included in the dry gas by supplying nitrogen gas to form bubbles.

(구성)(Configuration)

상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 웨이퍼 건조장치는 웨이퍼가 로딩되는 챔버와, 상기 챔버에 상기 웨이퍼를 건조하기 위한 건조 가스를 공급하는 건조가스 발생기를 포함한다. 또한 웨이퍼 건조 장치는 상기 챔버에 상기 건조 가스가 공급되도록 상기 건조가스 발생기에 질소 공급하는 질소공급장치와, 상기 질소가스 가열하는 가열장치를 포함한다. According to a feature of the present invention for achieving the object of the present invention as described above, the wafer drying apparatus includes a chamber in which a wafer is loaded, and a dry gas generator for supplying a dry gas for drying the wafer to the chamber. . In addition, the wafer drying apparatus includes a nitrogen supply device for supplying nitrogen to the dry gas generator so that the dry gas is supplied to the chamber, and a heating device for heating the nitrogen gas.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 질소공급장치는 질소가스 공급원에 연결되어 질소가스를 공급/차단하기 위한 벨브와 상기 질소가스 공급원으로부터 흘러나오는 질소가스의 량을 측정하는 유량계를 포함한다.In one embodiment of the present invention, the nitrogen supply device includes a valve connected to the nitrogen gas supply source for supplying / blocking nitrogen gas and a flow meter for measuring the amount of nitrogen gas flowing out of the nitrogen gas supply source.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 가열장치는 상기 질소가스를 가열하는 히터와 상기 히터의 질소가스 가열온도를 조절하는 온도조절기를 포함한다.In one embodiment of the present invention, the heating device includes a heater for heating the nitrogen gas and a temperature controller for controlling the nitrogen gas heating temperature of the heater.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 건조 가스는 이소프로필 알코올 증기 이다.In one embodiment of the invention, the dry gas is isopropyl alcohol vapor.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼 건조 장비는 상기 건조 가스가 상기 챔버에 공급되도록 상기 챔버와 상기 건조 가스 발생기를 연결하는 제 1 배관을 더 포함한다. 또한, 상기 질소공급장치와 상기 챔버 또는 상기 건조가스 발생기를 연결하는 상기 제 2 배관을 더 포함한다. 이때에, 상기 가열장치는 상기 제 2 배관에 설치된다. In one embodiment of the present invention, the wafer drying equipment further comprises a first pipe connecting the chamber and the dry gas generator so that the dry gas is supplied to the chamber. The apparatus may further include the second pipe connecting the nitrogen supply device to the chamber or the dry gas generator. At this time, the heating device is installed in the second pipe.

(실시예)(Example)

이하 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 웨이퍼 건조 장비를 개략적으로 보여주는 블럭도이다. 도 1 을 참조하면, 웨이퍼 건조 장비(100)는 챔버 내의 공정 가스들을 외부로 배출하는 배기구(8)를 포함하는 챔버(7)와, 건조 가스를 배관(3)을 통해 챔버(7)로 공급하는 건조가스 발생기(1), 챔버(7)와 건조가스 발생기(1)에 질소가스를 공급하기 위한 배관(3')을 포함한다. 1 is a block diagram schematically showing a general wafer drying equipment. Referring to FIG. 1, the wafer drying apparatus 100 supplies a chamber 7 including an exhaust port 8 for discharging process gases in the chamber to the outside, and supplies dry gas to the chamber 7 through a pipe 3. And a pipe 3 'for supplying nitrogen gas to the dry gas generator 1, the chamber 7 and the dry gas generator 1.

질소가스를 공급하는 배관(3')에는 밸브와 유량계(4, 4')가 설치되어 챔버(7) 및 건조가스 발생기(1)에 공급되는 질소가스의 양을 조절한다. 건조가스 발생기(1)에는 외부 공급원으로부터 흘러오는 건조가스를 공급/차단하기 위한 밸브(2)가 설치된다. 도 1 에 도시된 웨어퍼 건조 장비(100)에서는 질소가스 공급원으로부터 배관(3')을 통해 건조가스 발생기(1)로 질소가스가 유입된다. 건조가스 발생기(1)에는 건조가스를 발생시키기 위한 액체 상태의 건조액이 소정량 채워진 상태이므로, 배관(3')을 통해 질소가스가 건조액으로 분사되면 방울(Bubble)들이 형성되고 방울이 건조액 표면으로 상승하면서 건조액 성분 물질을 포함하는 건조가스가 발생된다.In the pipe 3 'for supplying nitrogen gas, valves and flow meters 4 and 4' are installed to adjust the amount of nitrogen gas supplied to the chamber 7 and the dry gas generator 1. The dry gas generator 1 is provided with a valve 2 for supplying / blocking dry gas flowing from an external source. In the wafer drying equipment 100 illustrated in FIG. 1, nitrogen gas is introduced into the dry gas generator 1 from a nitrogen gas supply source through a pipe 3 ′. Since the dry gas generator 1 is filled with a predetermined amount of a liquid dry liquid for generating dry gas, bubbles are formed when nitrogen gas is injected into the dry liquid through a pipe 3 'and bubbles are dried. As it rises to the surface, a dry gas comprising a dry liquid component material is generated.

건조가스는 챔버(7)에 연결된 배관(3)을 통해 챔버(7)로 흘러들어간다. 이 경우에, 질소가스의 분사를 통한 방울 현상에 의해 건조 가스를 발생하는 데에는 한계가 있다. 따라서, 건조액 성분 물질을 포함하는 건조 가스의 양을 늘려 건조장치(100)의 건조 능력을 향상시키기 위한 방법이 필요하다.The dry gas flows into the chamber 7 through a pipe 3 connected to the chamber 7. In this case, there is a limit in generating dry gas by the drop phenomenon through the injection of nitrogen gas. Therefore, there is a need for a method for improving the drying capacity of the drying apparatus 100 by increasing the amount of dry gas comprising a dry liquid component material.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장비를 개략적으로 보여주는 블럭도이다. 웨이퍼 건조 장비(100')는 도 1을 참조하여 설명한 건조 장비(100)와 마찬가지로, 배기구(80)를 포함하는 챔버(70)와, 건조가스를 챔버(70)에 공급하기 위한 건조가스 발생기(10), 질소 가스 공급원과 챔버(70) 및 건조가스 발생기(10)를 연결하는 제 1 배관(41), 건조가스 발생기(10)와 챔버(70)를 연결하는 제 2 배관(11)을 포함한다. 건조가스 발생기(10)는 건조액 공급원과 밸브(20)를 통해 연결된다. 2 is a block diagram schematically showing a wafer drying equipment according to a preferred embodiment of the present invention. The wafer drying equipment 100 ′ is similar to the drying equipment 100 described with reference to FIG. 1, and includes a chamber 70 including an exhaust port 80, and a dry gas generator for supplying dry gas to the chamber 70. 10), a first pipe 41 connecting the nitrogen gas supply source and the chamber 70 and the dry gas generator 10, and a second pipe 11 connecting the dry gas generator 10 and the chamber 70. do. The dry gas generator 10 is connected through a dry liquid supply source and a valve 20.

제 1 배관에는 질소가스 공급원으로부터 챔버(70) 도는 건조가스 발생기(10)로 공급되는 질소가스의 양 및 공급 여부를 조절하기 위한 질소가스 공급장치(40)가 설치된다. 질소가스 공급장치(40)는 질소가스의 공급/차단을 위한 밸브(50)와 배관(41) 내에 흐르는 질소 가스의 량을 감지하는 유량계(40)를 포함한다. The first pipe is provided with a nitrogen gas supply device 40 for controlling the amount and supply of nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source to the chamber 70 or the dry gas generator 10. The nitrogen gas supply device 40 includes a valve 50 for supplying / blocking nitrogen gas and a flow meter 40 for sensing an amount of nitrogen gas flowing in the pipe 41.

또한, 건조가스 발생기(10)와 연결되는 제 1 배관(41)에는 가열장치(30)와 유량조절장치(43)가 설치될 수 있다. 유량조절장치(43)는 건조가스 발생기(10)에 공급되는 질소 가스의 양을 감지/조절하기 위한 것이다. 유량조절장치(43)는 유량계와 조절밸브(도시되지 않음)를 포함한다. 가열장치(30)는 제 1 배관(41)에 흐르는 질소가스를 온도를 상승시키기 위한 히터(31)와 질소가스의 가열 온도를 조절하는 온도 조절 장치(33)를 포함한다. 히터(31)는 발열 저항체인 코일 등으로 구성될 수 있으며, 질소 가스의 온도는 약 50℃ 정도로 설정될 수 있다.In addition, a heating device 30 and a flow rate control device 43 may be installed in the first pipe 41 connected to the dry gas generator 10. Flow control device 43 is for sensing / adjusting the amount of nitrogen gas supplied to the dry gas generator (10). The flow regulator 43 includes a flow meter and a control valve (not shown). The heating device 30 includes a heater 31 for raising the temperature of the nitrogen gas flowing through the first pipe 41 and a temperature control device 33 for adjusting the heating temperature of the nitrogen gas. The heater 31 may be constituted by a coil or the like that is a heat generating resistor, and the temperature of the nitrogen gas may be set to about 50 ° C.

질소 가스 공급원으로부터 제 1 배관(41)을 통해 공급되는 질소 가스는 일반적인 질소 가스(GN2)를 정화기(Purifier)를 통해 정제한 질소 가스(PN2: Purified N2)일 수 있다. 질소 가스가 제 1 배관을 통해 건조가스 발생기(10)로 흘러가는 동안에 가열장치(30)를 지나면서 가열되어 온도가 상승한다. 상온의 질소 가스를 공급하는 일반적인 웨이퍼 건조 장치(100)와 달리, 본 발명에서는 상온보다 높은 온도(예를 들면, 약 50℃)의 질소가스를 공급하므로 건조가스 발생기(10)의 내부 온 도가 상승하게 된다. The nitrogen gas supplied from the nitrogen gas source through the first pipe 41 may be nitrogen gas (PN 2 : Purified N 2 ) obtained by purifying a general nitrogen gas (GN 2 ) through a purifier. While nitrogen gas flows through the first pipe to the dry gas generator 10, it is heated while passing through the heating device 30 to raise the temperature. Unlike general wafer drying apparatus 100 that supplies nitrogen gas at room temperature, in the present invention, since the nitrogen gas is supplied at a temperature higher than room temperature (for example, about 50 ° C.), the internal temperature of the dry gas generator 10 is increased. Done.

건조가스 발생기(10)에는 액체 상태의 건조 물질이 채워져 있는데, 건조물질은 예를 들면, 이소프로필 알코올(IPA: Isopropyl Alcohol)이다. 액체 상태의 이소프로필 알콜에 질소 가스가 공급되면 방울이 형성되어 이소프로필 알콜 증기가 형성된다. 이때, 상온 보다 높은 온도의 질소 가스로 인해 건조가스 발생기(10)의 내부 온도가 높아지므로 IPA 증기가 활성화된다. 즉, 발생하는 IPA 증기의 량이 늘어날 뿐만 아니라 IPA 증기의 운동량도 커지게 된다. 따라서, 일반적인 건조 장치에 비해 많은 양의 건조 가스, 즉 IPA 증기가 챔버(70)에 공급된다. The dry gas generator 10 is filled with a dry substance in a liquid state. The dry substance is, for example, isopropyl alcohol (IPA). When nitrogen gas is supplied to the liquid isopropyl alcohol, droplets form to form isopropyl alcohol vapor. At this time, since the internal temperature of the dry gas generator 10 is increased due to the nitrogen gas at a temperature higher than room temperature, IPA steam is activated. That is, not only the amount of IPA steam generated increases, but also the momentum of IPA steam increases. Thus, a larger amount of dry gas, i.

챔버(70)에서는 IPA 증기 건조가 이루어진다. IPA 증기 건조는 IPA(Isopropyl Alcohol)의 증기 분위기 하에서 웨이퍼 표면에 응결된 IPA를 물과 치환하는 방식으로 웨이퍼를 건조하는 것이다. IPA는 물에 대한 용해성이 높기 때문에 웨이퍼 표면의 수분이 이소프로필 알콜(IPA)과 빠르게 치환되어 웨이퍼 상에 물 반점에 잘 생기지 않는다. 그러나, 웨이퍼가 탈 이온수로 웨이퍼 표면을 세정하는 수세조(도시되지 않음)와 웨이퍼를 건조하는 건조조(도시되지 않음)가 분리되어 있는 경우에, 수세조에서 건조조로 이동하는 과정에서 웨이퍼 공기에 노출되어 물반점이 발생할 수 있다.In chamber 70 IPA vapor drying takes place. IPA vapor drying is to dry a wafer by substituting water for IPA condensed on the wafer surface in a vapor atmosphere of Isopropyl Alcohol (IPA). Because IPA is highly soluble in water, the moisture on the surface of the wafer is rapidly replaced with isopropyl alcohol (IPA), making it difficult to spot water on the wafer. However, when the wafer is separated from a washing tank (not shown) for cleaning the wafer surface with deionized water and a drying tank (not shown) for drying the wafer, the wafer air is removed from the washing tank in the process of moving from the washing tank to the drying tank. Exposure may cause water spots.

IPA 직접치환 방식은 공기에 노출되지 않는 상태에서 웨이퍼 표면의 수분을 IPA와 치환하는 것으로, 밀폐 챔버에서 수세와 건조를 같이 진행하는 방식이다. 세정 및 건조 공정을 위한 복수의 웨이퍼들이 로딩되는 챔버는 내조와 외조의 이중 구조로 구성된다. 웨이퍼가 로딩 되면, 내조에는 웨이퍼의 세정을 위한 용액이 공 급된다. 세정을 위한 용액은 예를 들면, 탈 이온수(초 순수: DI Water)이다. 내조에 공급되는 용액 위에는 웨이퍼의 표면에 잔류하는 파티클들이 떠오르고, 떠오른 파티클들은 내조에서 넘쳐 흐르는(Overflow) 용액과 함께 외조로 수용된 후 외부로 배출된다. In the IPA direct substitution method, water on the surface of the wafer is replaced with IPA without being exposed to air, and water washing and drying are performed together in an airtight chamber. The chamber into which the plurality of wafers for the cleaning and drying process are loaded consists of a dual structure of an inner tank and an outer tank. When the wafer is loaded, the inner bath is supplied with a solution for cleaning the wafer. The solution for cleaning is, for example, deionized water (ultra pure water: DI Water). Particles remaining on the surface of the wafer float on the solution supplied to the inner tank, and the floated particles are received in the outer tank together with the overflowing solution in the inner tank and then discharged to the outside.

이와 같이 파티클이 제거되면, IPA 증기가 외조에 분사되어 내조의 용액상에 IPA 층이 형성된다. IPA 층이 형성된 용액은 내조의 배출구를 통해 서서히 배출되는데, 이때 탈 이온수(DI Water)와 IPA의 표면 장력에 의하여 웨이퍼 표면에 부착된 파티클이 제거된다. 또한, 웨이퍼 표면의 탈 이온수는 이소프로필 알콜(IPA)로 치환되어 증발된다. 즉, 이소프로필 알코올과 탈 이온수 사이의 표면 장력의 차에 의해 파티클의 재 부착이 방지되고, 웨이퍼 표면의 수분이 제거된다. 이를 마란고니 효과라 한다.When the particles are thus removed, IPA vapor is injected into the outer bath to form an IPA layer on the solution in the inner bath. The solution in which the IPA layer is formed is gradually discharged through the outlet of the inner tank, in which particles adhering to the wafer surface are removed by DI water and the surface tension of the IPA. In addition, deionized water on the wafer surface is replaced with isopropyl alcohol (IPA) and evaporated. In other words, reattachment of particles is prevented by the difference in surface tension between isopropyl alcohol and deionized water, and moisture on the wafer surface is removed. This is called the Marangoni effect.

상기와 같은 IPA 건조방식을 이용하여 웨이퍼를 건조할 때에, 챔버(70) 내의 산소를 제거하여 웨이퍼 표면에 산화막이 형성되는 것을 억제하기 위하여 상온의 질소 가스를 공급한다. 질소 가스는 질소원으로부터 제 1 배관(41)을 통해 챔버(70)로 공급된다.When the wafer is dried using the IPA drying method as described above, nitrogen gas at room temperature is supplied to remove oxygen in the chamber 70 to suppress the formation of an oxide film on the wafer surface. Nitrogen gas is supplied from the nitrogen source to the chamber 70 through the first pipe 41.

본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 과장될 수도 있으며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. Embodiments of the invention may be modified in many different forms and should not be construed as limited to the scope of the invention by the embodiments described below. Embodiments of the present invention may be exaggerated to more fully describe the present invention to those skilled in the art, the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements.

본 발명의 실시예에 따르면, 질소가스를 가열하는 가열장치를 설치하여 상온보다 높은 온도의 질소 가스를 건조증기 발생기로 공급함으로써, 이소프로필 알코올 증기의 양을 증가시켜 웨이퍼 건조 장치의 건조력을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by installing a heating device for heating nitrogen gas to supply nitrogen gas of a temperature higher than room temperature to the dry steam generator, to increase the amount of isopropyl alcohol vapor to improve the drying power of the wafer drying apparatus You can.

Claims (7)

웨이퍼가 로딩되는 챔버와;A chamber into which the wafer is loaded; 상기 챔버에 건조 가스를 공급하는 건조가스 발생기와;A dry gas generator for supplying dry gas to the chamber; 상기 건조가스 발생기에 질소 가스를 공급하는 질소공급장치; 그리고A nitrogen supply device for supplying nitrogen gas to the dry gas generator; And 상기 건조가스 발생기에 공급될 질소가스를 소정의 온도로 가열하는 가열장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장비.Wafer drying equipment comprising a heating device for heating the nitrogen gas to be supplied to the dry gas generator to a predetermined temperature. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 질소공급장치는The nitrogen supply device 상기 질소가스의 공급/차단을 조절하는 밸브; 그리고A valve for controlling supply / disconnect of the nitrogen gas; And 상기 질소가스의 공급량을 측정하는 유량계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장비.Wafer drying equipment comprising a flow meter for measuring the supply amount of the nitrogen gas. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열장치는The heating device 상기 질소가스를 가열하는 히터; 그리고A heater for heating the nitrogen gas; And 상기 히터의 질소가스의 가열 온도를 조절하는 온도조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장비.Wafer drying equipment comprising a temperature controller for controlling the heating temperature of the nitrogen gas of the heater. 제 1 항에 있어서 The method of claim 1 상기 건조 가스는 이소프로필 알코올인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장비.Wafer drying equipment, characterized in that the dry gas is isopropyl alcohol. 웨이퍼가 로딩되는 챔버와;A chamber into which the wafer is loaded; 상기 웨이퍼를 건조시키는 건조 가스를 발생하는 건조가스 발생기와;A dry gas generator for generating a dry gas for drying the wafer; 상기 챔버와 상기 건조가스 발생기를 연결하는 제 1 배관과;A first pipe connecting the chamber and the dry gas generator; 상기 건조가스 발생기와 상기 챔버를 연결하는 제 2 배관과;A second pipe connecting the dry gas generator and the chamber; 상기 건조 가스가 제 1 배관을 통해 상기 챔버에 공급되도록, 상기 제 2 배관을 통하여 질소 가스를 상기 건조가스 발생기에 공급하는 질소공급장치; 그리고A nitrogen supply device for supplying nitrogen gas to the dry gas generator through the second pipe so that the dry gas is supplied to the chamber through the first pipe; And 상기 제 2 배관에 설치되어 상기 질소 가스를 가열하는 가열장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장비.And a heating device installed in the second pipe to heat the nitrogen gas. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 질소공급장치는The nitrogen supply device 상기 질소가스를 공급/차단하기 위한 밸브; 그리고A valve for supplying / blocking the nitrogen gas; And 상기 질소가스의 공급량을 측정하는 유량계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장비.Wafer drying equipment comprising a flow meter for measuring the supply amount of the nitrogen gas. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 가열장치는The heating device 상기 질소가스를 가열하는 히터; 그리고A heater for heating the nitrogen gas; And 상기 히터의 질소가스 가열 온도를 조절하는 온도조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장비.Wafer drying equipment comprising a temperature controller for controlling the nitrogen gas heating temperature of the heater.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101530309B1 (en) * 2013-08-30 2015-06-22 김호준 Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system
CN112420485A (en) * 2019-08-21 2021-02-26 长鑫存储技术有限公司 Wafer processing method

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101530309B1 (en) * 2013-08-30 2015-06-22 김호준 Nitrogen heating device equipped with a oxide deposition system
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