KR200368398Y1 - Apparatus for quick caching residual products in semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 고안은 프로세스 챔버로부터 유입되는 반응부산물을 냉각하여 빠른 시간내에 파우더로 만들되, 유입되는 반응부산물에 에너지를 가하여 이온화하고 이를 신속하게 막질화하여 증착함으로 포집효율을 극대화한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치에 관한 것으로서, 본 고안은 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제 1연결구 및 프로세스 챔버를 진공상태로 만드는 진공펌프와의 연결을 위한 제 2연결구를 구비한 하우징, 하우징 내에 설치되어 제 1연결구를 통해 유입되는 반응부산물을 이온화할 수 있는 소정온도로 가열하는 가열수단, 가열수단에 의해 가열된 반응부산물을 급속 냉각시키기 위해 하우징 내에 저온의 냉매를 주입하여 순환시키는 냉각수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The present invention cools the reaction by-products flowing from the process chamber into powder in a short time, but by applying energy to the incoming reaction by-products and ionizing them and rapidly depositing them by film formation to maximize the collection efficiency by-product rapid collection device of semiconductor equipment The present invention relates to a housing having a first connector for connection with a process chamber and a second connector for connection with a vacuum pump for vacuuming the process chamber, installed in the housing and introduced through the first connector. It is characterized in that it comprises a heating means for heating to a predetermined temperature capable of ionizing the reaction by-products to be ionized, cooling means for injecting and circulating a low-temperature refrigerant in the housing to rapidly cool the reaction by-products heated by the heating means .
Description
본 고안은 반도체장치에 관한 것으로서, 특히 반도체소자 제조시 프로세스 챔버로부터 유입되는 미반응 가스 및 유독성 가스와 같은 반응부산물을 효율적으로 포집(捕集)하는데 적당하도록 한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a by-product rapid collection device of semiconductor equipment suitable for efficiently collecting reaction by-products such as unreacted gases and toxic gases introduced from a process chamber during semiconductor device manufacturing. will be.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.In general, a semiconductor manufacturing process is mainly composed of a pre-process (Fabrication process) and a post-process (Assembly process), the pre-process is to deposit a thin film on a wafer (wafer) in various process chambers (Chamber), the deposition It is a process of manufacturing a so-called semiconductor chip by repeatedly performing a process of selectively etching the prepared thin film, and processing a specific pattern, and the post process refers to the chips manufactured in the previous process individually. After separating, refers to the process of assembling the finished product by combining with the lead frame.
이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.At this time, the process of depositing a thin film on the wafer or etching the thin film deposited on the wafer is a process gas such as hydrogen and toxic gases such as silane (Silane), arsine (Arsine) and boron chloride and a process gas such as hydrogen It is carried out at a high temperature by using, a large amount of harmful gases such as various ignitable gases, corrosive foreign substances and toxic components are generated in the process chamber during the process.
따라서 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)를 설치한다.Therefore, in the semiconductor manufacturing equipment, a scrubber is installed at the rear end of the vacuum pump that makes the process chamber vacuum and purifies the exhaust gas discharged from the process chamber and discharges it to the atmosphere.
하지만, 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변하게 되는데, 상기 파우더는 배기라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.However, when the exhaust gas discharged from the process chamber contacts the atmosphere or the ambient temperature is low, the exhaust gas becomes solid and becomes powder. The powder adheres to the exhaust line to increase the exhaust pressure and at the same time the vacuum is introduced into the vacuum pump. There has been a problem of causing a failure of the pump and a backflow of the exhaust gas to contaminate the wafer in the process chamber.
이에, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(10)와 진공펌프(30) 사이에 상기 프로세스 챔버(10)에서 배출되는 배기가스를 파우더 상태로 응착시키는 파우더 트랩 장치를 설치하고 있다.Thus, in order to solve the above problems, as shown in Figure 1, between the process chamber 10 and the vacuum pump 30 powder trap for adhering the exhaust gas discharged from the process chamber 10 in a powder state The device is being installed.
즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(10)와 진공펌프(30)는 펌핑라인(60)으로 연결되고, 상기 펌핑라인(60)에는 상기 프로세스 챔버(10)에서 발생된 반응부산물을 파우더 형태로 트랩하여 적체하기 위한 트랩관(70)이 상기 펌핑라인(60)으로부터 분기되어 설치된다.That is, as shown in Figure 1, the process chamber 10 and the vacuum pump 30 is connected to the pumping line 60, the pumping line 60 to the reaction by-products generated in the process chamber 10 A trap tube 70 for trapping and stacking powders is installed branched from the pumping line 60.
이와 같은 종래의 파우더 트랩 장치의 경우 상기 프로세스 챔버(10) 내부에서 박막의 증착이나 식각시 발생된 미반응 가스가 상기 프로세스 챔버(10)에 비해 상대적으로 낮은 온도 분위기를 갖는 펌핑라인(60)쪽으로 유입되면서 분말 상태의 파우더(9)로 고형화된 후, 상기 펌핑라인(60)으로부터 분기되어 설치된 트랩관(70)에 쌓이게 된다.In the conventional powder trap apparatus, the unreacted gas generated during deposition or etching of a thin film in the process chamber 10 is directed toward the pumping line 60 having a relatively lower temperature atmosphere than the process chamber 10. After being solidified into powder 9 in a powder state, it is accumulated in the trap pipe 70 branched from the pumping line 60.
이때, 상기 트랩관(70)을 펌핑라인(60)으로부터 분기시켜 설치하는 이유는 상기 파우더가 진공펌프(30)쪽으로 유입되지 않도록 하기 위함이다.At this time, the reason why the trap pipe 70 is installed by branching from the pumping line 60 is to prevent the powder from flowing into the vacuum pump 30.
그러나 상기와 같은 종래 기술의 파우더 트랩 장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the powder trap apparatus of the prior art as described above had the following problems.
첫째, 프로세스 챔버 내부에서 발생된 반응부산물이 파우더 상태로 전환되어 트랩관에 적체되기까지의 시간이 오래 걸리므로 그 만큼 전체 공정시간이 길어지는 문제점이 있었다.First, since the reaction by-product generated in the process chamber takes a long time to be converted into a powder state and accumulated in the trap tube, the entire process time is long.
즉, 박막을 증착하거나 식각할 때 발생된 반응부산물이 신속하게 파우더로전환되어 트랩관에 적체됨으로써, 상기 프로세스 챔버 내부에는 반응부산물이 존재하지 않게 될 때 비로소 다음의 박막 증착 또는 식각 공정이 이루어질 수가 있으나, 상기 반응부산물이 파우더로 전환되는데 많은 시간이 소요되므로 상기 프로세스 챔버는 반응부산물이 모두 제거될 때까지 공정을 진행하지 못하고 대기해야 하는 시간이 길어지게 되고, 그로 인해 장비 가동율이 저하되는 것은 물론, 프로세스 챔버의 오랜 대기시간으로 인하여 그 만큼 전체 공정 시간(TAT)이 길어지게 된다.That is, the reaction by-products generated when the thin film is deposited or etched are rapidly converted into powder and accumulated in the trap tube so that the next thin film deposition or etching process may not be performed until the reaction by-products are not present in the process chamber. However, since it takes a long time for the reaction by-products to be converted into powder, the process chamber does not proceed with the process until the reaction by-products are removed. Due to the long waiting time of the process chamber, the total process time (TAT) is increased accordingly.
둘째, 파우더가 적체되는 트랩관의 공간이 매우 협소한 관계로 상기 트랩관에 적체된 파우더를 자주 제거해 주어야 하는 불편함이 있었다.Second, since the space of the trap tube in which the powder is accumulated is very narrow, there is an inconvenience of frequently removing the powder accumulated in the trap tube.
이에 본 고안은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 본 고안의 목적은 가열 및 냉각을 병행하여 챔버로부터 유입되는 반응부산물을 이온화하고 이를 신속하게 막질화하여 증착함으로써 포집효율을 극대화하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치를 제공하는데 있다.In this regard, the present invention is proposed to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to ionize the reaction by-products introduced from the chamber in parallel with heating and cooling, and to quickly deposit and deposit the reaction by-products, thereby collecting efficiency. It is to provide a by-product rapid collection device of semiconductor equipment to maximize.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체장비의 파우더 트랩 장치를 설명하기 위한 개념도.1 is a conceptual view for explaining a powder trap device of a semiconductor device according to the prior art.
도 2는 본 고안의 실시 예에 따른 반도체장비의 부산물 급속 포집장치와 프로세스 챔버와의 연결 상태를 보여주는 개념도.2 is a conceptual diagram illustrating a connection state between a by-product rapid collecting device of a semiconductor device and a process chamber according to an embodiment of the present invention;
도 3은 본 고안의 외관 입면도.3 is an exterior elevation view of the present invention.
도 4는 본 고안의 분해 입면도.Figure 4 is an exploded elevation view of the present invention.
도 5는 본 고안에 따른 가열수단을 설명하기 위한 가열수단의 입면도.5 is an elevation view of a heating means for explaining the heating means according to the present invention.
도 6a는 본 고안에 따른 변형된 가열수단을 설명하기 위한 정면도.Figure 6a is a front view for explaining a modified heating means according to the present invention.
도 6b는 본 고안에 따른 변형된 히팅 플레이트의 평면도.6b is a plan view of a modified heating plate according to the present invention.
도 7은 본 고안에 따른 트랩 플레이트 및 제 1냉각라인을 설명하기 위한 내부 입면도.Figure 7 is an internal elevation for explaining the trap plate and the first cooling line according to the present invention.
도 8a 내지 도 8c는 본 고안에 따른 트랩 플레이트들의 평면도.8A to 8C are plan views of trap plates according to the present invention.
도 9는 본 고안의 정면 부분 절개도.9 is a front partial cutaway view of the present invention.
도 10은 본 고안에 따른 제 2냉각라인의 구성을 설명하기 위한 입면 참조도.10 is an elevation reference for explaining the configuration of the second cooling line according to the present invention.
도 11은 도 10의 정면도.FIG. 11 is a front view of FIG. 10; FIG.
도 12는 본 고안의 따른 제 2냉각라인이 상판에 연장된 변형된 구성을 설명하기 위한 평면 참조도.12 is a planar reference diagram for explaining a modified configuration in which the second cooling line according to the present invention is extended to the upper plate.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1 : 하우징 2 : 가열수단1 housing 2 heating means
3 : 트랩 플레이트 4 : 냉각수단3: trap plate 4: cooling means
110 : 하우징 몸체 120 : 상판110: housing body 120: top plate
130 : 하판 140 : 제 1연결구130: lower plate 140: first connector
150 : 제 2연결구 160 : 하우징 브래킷150: second connector 160: housing bracket
210 : 히팅 플레이트 220 : 히터210: heating plate 220: heater
230 : 원통형 가이드 310 : 제 1트랩 플레이트230: cylindrical guide 310: first trap plate
320 : 제 2트랩 플레이트 410 : 제 1냉각라인320: second trap plate 410: first cooling line
420 : 제 2냉각라인420: second cooling line
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안의 기술적 사상에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치는, 프로세스 챔버내에서 박막의 증착 또는 식각시 발생하는 반응부산물을 포집하기 위한 반도체장비의 부산물 포집장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제 1연결구 및 상기 프로세스 챔버를 진공상태로 만드는 진공펌프와의 연결을 위한 제 2연결구를 구비한 하우징과, 상기 하우징 내에 설치되어 상기 제 1연결구를 통해 유입되는 반응부산물을 이온화할 수 있는 소정온도로 가열하는 가열수단과, 상기 가열수단에 의해 가열된 반응부산물을 급속 냉각시키기 위해 상기 하우징 내에 저온의 냉매를 주입하여 순환시키는 냉각수단을 포함하여 구성되는 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the rapid by-product collecting device of semiconductor device according to the technical idea of the present invention, in the by-product collecting device of the semiconductor device for collecting the reaction by-products generated during deposition or etching of the thin film in the process chamber And a housing having a first connector for connection with the process chamber and a second connector for connection with a vacuum pump for vacuuming the process chamber, and installed in the housing and introduced through the first connector. And heating means for heating the reaction byproduct to a predetermined temperature capable of ionizing, and cooling means for injecting and circulating a low temperature refrigerant into the housing to rapidly cool the reaction byproduct heated by the heating means. It is characterized by technical configuration.
여기서, 상기 하우징은, 상부와 하부가 개구된 원관형의 몸체와, 상기 몸체의 상부에 결합되고 제 1연결구가 구비된 상판과, 상기 몸체의 하부에 결합되고 제 2연결구가 구비된 하판으로 구성되는 것이 바람직하다.Here, the housing is composed of a cylindrical body having an upper and a lower opening, an upper plate coupled to an upper portion of the body and provided with a first connector, and a lower plate coupled to a lower portion of the body and provided with a second connector. It is desirable to be.
또한, 상기 가열수단은, 상기 하우징 내의 제 1연결구 인근에 설치되어 유입되는 반응부산물과 접촉하면서 상기 반응부산물을 가열하는 히팅 플레이트와, 상기 히팅 플레이트와 접촉 설치되어 상기 반응부산물을 가열하기 이온화하기 위해 필요한 열을 상기 히팅 플레이트에 전달하는 히터를 포함하여 구성되는 것일 수 있다.In addition, the heating means, a heating plate for heating the reaction by-products in contact with the incoming reaction by-products installed near the first connector in the housing, and installed in contact with the heating plate to ionize to heat the reaction by-products It may be configured to include a heater for transferring the necessary heat to the heating plate.
또한, 상기 히팅 플레이트의 상부면에는 유입되는 반응부산물이 소정의 경로를 따라 주변의 하우징 측벽쪽으로 확산되도록 소정의 트랙을 형성하는 복수의 격벽이 방사상으로 설치되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a plurality of partition walls are formed radially on the upper surface of the heating plate to form a predetermined track such that the incoming reaction by-products are diffused toward the surrounding housing sidewalls along a predetermined path.
또한, 상기 복수의 격벽은 반응부산물이 중앙부에서 바깥쪽으로 나선을 그리면서 빠져나가도록 소정의 곡률을 갖는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the plurality of partition walls have a predetermined curvature so that the reaction by-product exits while spiraling outward from the center portion.
또한, 상기 격벽의 상측에 설치되며, 상부는 상기 제 1연결구와 연통되고 하부는 유입되는 모든 반응부산물을 상기 히팅 플레이트의 상부면 중앙부로 안내하는 소정 직경의 통공이 형성된 원통형 가이드가 더욱 설치되는 것이 바람직하다.In addition, it is installed on the upper side of the partition, the upper portion is in communication with the first connector and the lower portion is further provided with a cylindrical guide formed with a through hole of a predetermined diameter for guiding all the reaction by-products flowing into the center of the upper surface of the heating plate. desirable.
또한, 상기 복수의 격벽은 반응부산물이 중앙부에서 바깥쪽으로 직선을 그리면서 빠져나가도록 곡률 없는 평판으로 형성되는 것일 수 있다.In addition, the plurality of partition walls may be formed of a flat plate without curvature so that the reaction by-products are drawn out in a straight line from the center to the outside.
또한, 상기 히팅 플레이트의 둘레부에서는 상기 복수의 격벽 사이사이 중간에 바깥쪽에서 중앙부에 미치는 길이가 상기 격벽보다 짧은 보조 격벽이 설치되는 것이 바람직하다.In addition, in the circumferential portion of the heating plate, it is preferable that an auxiliary partition wall having a length shorter than the partition wall is provided in the middle between the plurality of partition walls from the outside.
또한, 상기 격벽의 상측에 설치되며, 상부는 상기 제 1연결구와 연통되고 하부는 유입되는 모든 반응부산물을 상기 히팅 플레이트의 상부면 중앙부로 안내하는 소정 직경의 통공이 형성된 원통형 가이드가 더욱 설치되는 것이 바람직하다.In addition, it is installed on the upper side of the partition, the upper portion is in communication with the first connector and the lower portion is further provided with a cylindrical guide formed with a through hole of a predetermined diameter for guiding all the reaction by-products flowing into the center of the upper surface of the heating plate. desirable.
또한, 상기 가열수단에서 가열된 반응부산물을 트랩하여 증착하는 복수의 트랩 플레이트가 상기 하우징 내에 더욱 설치되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a plurality of trap plates for trapping and depositing the reaction by-product heated by the heating means is further provided in the housing.
또한, 상기 냉각수단은, 상기 각 트랩 플레이트를 냉각시켜 상기 하우징의 내부 온도를 감소시키기 위해 상기 각 트랩 플레이트로 냉매를 전달하는 제 1냉각라인과, 상기 하우징 측벽 및 상기 하우징 내부의 냉각을 위해 상기 하우징의 측벽을 감싸 냉매를 유통시키는 제 2냉각라인을 구비하는 것이 바람직하다.In addition, the cooling means, the first cooling line for transferring the refrigerant to each of the trap plate in order to cool the respective trap plates to reduce the internal temperature of the housing, the side wall and the inside of the housing for cooling It is preferable to have a second cooling line surrounding the side wall of the housing to distribute the refrigerant.
또한, 상기 제 2냉각라인은 상기 제 1연결구가 형성된 하우징의 상판까지 더욱 연장되는 것이 바람직하다.In addition, the second cooling line is preferably further extended to the upper plate of the housing in which the first connector is formed.
또한, 상기 제 2냉각라인이 상기 하우징 측벽을 감싸는 간격은 하부에서 상부로 갈수록 좁아지는 것이 바람직하다.In addition, the interval that the second cooling line surrounds the housing side wall is preferably narrowed from the bottom to the top.
또한, 상기 복수의 트랩 플레이트는 중앙부에 소정 직경의 홀을 갖는 제 1트랩 플레이트와, 홀이 없는 평판형의 제 2트랩 플레이트가 상호 교번하여 설치되는 것이 바람직하다.In addition, the plurality of trap plates, it is preferable that the first trap plate having a hole having a predetermined diameter in the center and the second trap plate of the plate type without holes are alternately installed.
또한, 상기 제 1냉각라인은, 상기 하우징 외부에서 내부로 삽입된 후 상기 복수의 트랩 플레이트의 중앙부를 관통하며, 하우징 내로 주입되는 냉매를 상기 각 트랩 플레이트로 분기시키기 위한 제 1연장부와, 상기 제 1연장부로부터 분기되어 상기 각 트랩 플레이트의 상부면에 설치되는 제 2연장부와, 상기 제 2연장부의 끝단에 연결되어 상기 제 2연장부를 경유한 냉매를 상기 하우징의 외부로 배출하기 위한 제 3연장부를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.The first cooling line may include a first extension part which is inserted into the outside from the housing and penetrates through the central portions of the plurality of trap plates, and branches the refrigerant injected into the housing into the trap plates. A second extension part branched from a first extension part and installed on an upper surface of each trap plate, and connected to an end of the second extension part to discharge refrigerant through the second extension part to the outside of the housing; It is preferable to comprise three extension parts.
또한, 상기 제 1냉각라인 및 제 2냉각라인 각각의 시작단은 하나의 냉매 공급관에 연결되고, 상기 제 1냉각라인 및 제 2냉각라인 각각의 끝단은 하나의 냉매 배출관에 연결되는 것이 바람직하다.In addition, the first end of each of the first cooling line and the second cooling line is connected to one refrigerant supply pipe, the end of each of the first cooling line and the second cooling line is preferably connected to one refrigerant discharge pipe.
또한, 상기 하우징에는, 상기 몸체 하단과 하판 사이에 설치되어, 그 측벽에서는 상기 제 1냉각라인의 제 1연장부 및 제 3연장부를 관통시켜 상기 제 1냉각라인을 지지하며, 상기 제 1트랩 플레이트 및 제 2트랩 플레이트를 지지하는 원관형의 하우징 브래킷이 더욱 구비되는 것이 바람직하다.In addition, the housing is provided between the lower end of the body and the lower plate, the side wall through the first and third extension of the first cooling line through the first cooling line to support the first cooling line, the first trap plate And it is preferable that the cylindrical housing bracket for supporting the second trap plate is further provided.
[실시 예][Example]
이하, 상기와 같은 본 고안의 기술적 사상에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 고안의 실시 예에 따른 반도체장비의 부산물 급속 포집장치와 프로세스 챔버(Process Chamber)와의 연결 상태를 보여주는 개념도이다.2 is a conceptual diagram illustrating a connection state between a by-product rapid collection device of a semiconductor device and a process chamber according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치(100)는 반도체, LCD 제조공정 또는 기타 유사 공정에서 박막의 증착이나 식각시 반응부산물을 발생하는 프로세스 챔버(10)에 연결되며, 본 고안에 의한 포집장치(100)의 일측에는 상기 포집장치(100)를 통해서 프로세스 챔버(10) 내부를 진공상태로 만들어 주기 위한 진공펌프(30)가 연결된다.As shown, the by-product rapid collection device 100 of the semiconductor device according to the present invention is connected to the process chamber 10 for generating a reaction by-product during the deposition or etching of a thin film in a semiconductor, LCD manufacturing process or other similar processes, One side of the collecting device 100 according to the present invention is connected to the vacuum pump 30 for making the inside of the process chamber 10 in a vacuum state through the collecting device 100.
또한, 본 고안의 포집장치(100) 하측 근방에서는 반응부산물의 냉각에 필요한 냉매를 공급하기 위하여 외부 냉매탱크와 이어진 냉매 공급관(40)과 연결되고, 반대로 상기 포집장치(100)에서 사용되어진 냉매를 냉매탱크로 회수하기 위한 냉매 배출관(50)과도 연결된다.In addition, near the lower side of the collecting device 100 of the present invention is connected to the refrigerant supply pipe 40 connected to the external refrigerant tank in order to supply the refrigerant required for the cooling of the reaction by-products, on the contrary, the refrigerant used in the collecting device 100 It is also connected to the refrigerant discharge pipe 50 for recovery to the refrigerant tank.
이로써, 냉매가 상기 냉매탱크를 경유하여 순환하는 가운데 본 고안의 포집장치(100)에는 항상 신선한 상태의 냉매가 공급되며, 반응부산물의 포집 촉진을 위한 냉매로서는 상기 포집장치(100)의 내부 온도를 급격하게 떨어뜨릴 수 있는 냉각수나 프레온 가스가 이용되어 진다.Thus, while the refrigerant is circulated through the refrigerant tank, the fresh collecting refrigerant is always supplied to the collecting device 100 of the present invention, and the internal temperature of the collecting device 100 is used as the refrigerant for promoting the collection of the reaction byproduct. Cooling water or freon gas can be used which can be drastically dropped.
이와 같은 구조로 설치되는 본 고안의 포집장치(100) 자체는 프로세스 챔버(10)로부터 유입되는 반응부산물을 이온화하여 화학적 변화를 이끌어낼 수 있는 소정온도로 가열하는 방식으로 에너지를 가하고 화학적 변화를 겪은 증기상태의 반응부산물은 저온의 냉매를 사용하여 급속 냉각함으로써 막질화하여 증착할 수 있도록 구성된다.The collecting device 100 itself of the present invention installed in such a structure is subjected to chemical change by applying energy by heating to a predetermined temperature to ionize the reaction by-products flowing from the process chamber 10 to induce chemical changes. The reaction by-products in the vapor state are configured to be deposited by film nitridation by rapid cooling using a low temperature refrigerant.
이처럼 본 고안은 유입되는 반응부산물을 급속 냉각하고 이를 신속하게 고형화시킴으로서 포집효과를 높이는 것은 물론, 상기 프로세스 챔버(10)에서 미반응된 가스가 대부분인 반응부산물에 이온화에 의한 화학적 변화를 이끌어내어 이를 막질화하여 증착시키는 방법을 병행하여 포집효과를 극대화시킬 수 있게 되는 것이다.As such, the present invention not only enhances the collection effect by rapidly cooling the incoming reaction by-products and solidifies them rapidly, but also causes chemical changes by ionization to the reaction by-products, which are mostly unreacted gases in the process chamber 10, to prevent them. It is possible to maximize the collection effect in parallel with the deposition method.
참고로, 본 고안의 포집장치(100)는 상기 진공펌프(30)의 흡입측 라인(Fore Line)만이 아니라 배기측 라인(Exhaust Line)에도 설치될 수 있으며 반도체 또는 LED 제조를 위한 다양한 공정에 적용 가능하다. 아래에는 본 고안의 포집장치(100)를 적용할 수 있는 공정과 이때 사용되는 가스를 참고적으로 도표화하여 정리하였다.For reference, the collecting device 100 of the present invention may be installed in the exhaust line as well as the suction line of the vacuum pump 30 and applied to various processes for manufacturing a semiconductor or LED. It is possible. Below is a summary of the process and the gas used at this time to apply the collection device 100 of the present invention for reference.
이하, 본 고안에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치의 구성을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration of the by-product rapid collection device of the semiconductor device according to the present invention in more detail.
도 3은 본 고안의 외관 입면도이고, 도 4는 본 고안의 분해 입면도이다.3 is an exterior elevation view of the present invention, and FIG. 4 is an exploded elevation view of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치는, 하우징(1), 가열수단(2), 트랩 플레이트(3) 및 냉각수단(4)을 포함하여 구성된다.As shown, the by-product rapid collection device of the semiconductor device according to the present invention, the housing 1, the heating means 2, the trap plate 3 and the cooling means 4 is configured.
이같이 구성된 본 고안에서, 상기 하우징(1)은 프로세스 챔버의 반응부산물을 내부로 받아들인다.In the present invention configured as described above, the housing 1 receives the reaction by-products of the process chamber therein.
상기 가열수단(2)은 하우징(1)에 유입되는 반응부산물을 가열하면서 반응에 필요한 에너지를 가하여 반응부산물에 화학적 변화를 일으킨다.The heating means 2 applies the energy required for the reaction while heating the reaction by-product flowing into the housing 1 to cause a chemical change in the reaction by-product.
상기 냉각수단(4)은 제 1냉각라인(410) 및 제 2냉각라인(420)으로 냉매를 순환시키면서 상기 트랩 플레이트(3) 및 하우징을 냉각함으로서 이들 트랩 플레이트(3) 및 하우징(1) 내측벽에 가열되어 증기상태로 접촉되는 반응부산물을 급속도로 증착하여 포집시키게 된다.The cooling means 4 cools the trap plate 3 and the housing while circulating the coolant in the first cooling line 410 and the second cooling line 420, so that the cooling means 4 in the trap plate 3 and the housing 1. The reaction by-products that are heated on the side walls and come into contact with the vapor state are rapidly deposited and collected.
이하 상기와 같은 본 고안에 따른 구성요소들 하나 하나를 상세하게 설명한다.Hereinafter, each one of the components according to the present invention as described above will be described in detail.
먼저, 상기 하우징(1)은 도 3 및 도 4와 같이 분리 및 결합이 용이하도록 원관형의 몸체(110)와, 볼트 체결에 의해 상기 몸체(110)의 상부 및 하부에 각각 결합되는 원판형의 상판(120) 및 하판(130)으로 구성된다.First, the housing 1 is a disk-shaped body 110 and the disk-shaped coupled to the upper and lower portions of the body 110 by fastening bolts, as shown in FIGS. It consists of an upper plate 120 and a lower plate 130.
이처럼, 상기 하우징(1)이 분리 및 결합에 용이한 구조를 갖게 되면 유지 및 보수에 따른 편이성이 제공되며, 계속된 공정 진행으로 인해 상기 하우징(1) 내벽 및 상기 트랩 플레이트(3)에 파우더가 일정 이상 증착된 후 제거해야 할 때 편리하게 된다.As such, when the housing 1 has a structure that is easy to separate and combine, the convenience of maintenance and repair is provided, and powder is formed on the inner wall of the housing 1 and the trap plate 3 due to the continuous process. It is convenient when it needs to be removed after being deposited over a certain amount.
여기서, 상기 상판(120) 및 하판(130) 각각에는 소정의 통공(121,131)이 형성되고 상기 통공(121,131)과 연통된 제 1연결구(140) 및 제 2연결구(150)가 구비된다.Here, each of the upper plate 120 and the lower plate 130 is provided with a predetermined through-holes 121 and 131, and the first connector 140 and the second connector 150 communicated with the through-holes 121 and 131.
상기 제 1연결구(140) 및 제 2연결구(150)는 도시된 것처럼 별도의 부품으로 구비되어 결합되는 것은 물론 상기 상판(120) 및 하판(130)에 각각 일체로 형성되도록 구성될 수 있다.The first connector 140 and the second connector 150 may be configured to be integrally formed on the upper plate 120 and the lower plate 130 as well as being provided as a separate component and coupled as shown.
이 중, 상기 제 1연결구(140) 및 제 2연결구(150)가 별도로 구비되어 상판(120) 및 하판(130)에 설치되는 경우 도시된 것처럼 반응부산물의 누설을 방지하기 위한 실링수단인 오링(141,151)이 설치되는 것이 바람직하다.Of these, when the first connector 140 and the second connector 150 is provided separately and installed on the upper plate 120 and the lower plate 130, as shown, the sealing means for preventing the leakage of the reaction by-product (O-ring) 141, 151 is preferably installed.
도 5는 본 고안에 따른 가열수단을 설명하기 위한 가열수단의 입면도이다.5 is an elevation view of a heating means for explaining a heating means according to the present invention.
도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 가열수단(2)은 상기 제 1연결구(140)를 통해 하우징(1)으로 유입되는 반응부산물을 가열할 수 있도록 히팅 플레이트(210), 히터(220) 및 원통형 가이드(230)로 구성된다.As shown, the heating means 2 according to the present invention is a heating plate 210, the heater 220 and the cylindrical to heat the reaction by-products flowing into the housing 1 through the first connector 140 Guide 230.
상기 히팅 플레이트(210)는 상기 하우징(1) 내에서 유입되는 반응부산물과 접촉할 수 있도록 제 1연결구(140) 인근에 히터(220)와 함께 설치된다.The heating plate 210 is installed together with the heater 220 in the vicinity of the first connector 140 to be in contact with the reaction by-products flowing in the housing 1.
여기서, 상기 히팅 플레이트(210)의 상부면에는 중앙부로 유입되는 반응부산물이 주변 바깥쪽, 즉 하우징(1) 내측벽쪽을 향하여 나선을 그리면서 확산될 수 있도록 소정의 곡률을 갖는 복수개의 격벽(211)이 방사상으로 설치된다.Here, a plurality of partition walls having a predetermined curvature so that the reaction by-product flowing into the center portion can be spread out while drawing a spiral toward the outer side, that is, the inner wall side of the housing 1 on the upper surface of the heating plate 210 ( 211 is installed radially.
이처럼 상기 히팅 플레이트(210)에 방사상으로 설치된 복수의 격벽(211)이 설치되면 상기 제 1연결구(140)를 통해 유입된 반응부산물이 상기 하우징(1) 내측벽이 있는 주변부로 균일하게 확산된다.As such, when a plurality of radially partitioned walls 211 are installed on the heating plate 210, the reaction by-products introduced through the first connector 140 are uniformly spread to the periphery of the inner wall of the housing 1.
아울러, 상기 격벽(211)의 곡률진 형태에 의해 상기 격벽(211) 사이로 보다 길게 형성되는 트랙은 반응부산물이 히팅 플레이트(210) 중앙부에 도달한 직후 상기 히팅 플레이트(210)를 떠나 확산되기까지 상기 트랙을 따라 보다 긴 경로를 이동하도록 마련하며, 이로써 반응부산물은 히팅 플레이트(210)에 의해 충분히 가열되어 화학적 변화에 필요한 에너지를 공급받게 된다.In addition, the track formed longer between the partitions 211 due to the curvature of the partitions 211 is until the reaction by-products reach the central portion of the heating plate 210 and then spread out from the heating plate 210. It is arranged to travel a longer path along the track, whereby the reaction by-products are sufficiently heated by the heating plate 210 to receive the energy required for chemical change.
또한, 상기 히팅 플레이트(210)의 둘레부에는 도시되지 않은 고정수단에 결합되어 하우징에 고정되기 위한 돌출된 지지편(213)이 형성된다.In addition, a protruding support piece 213 is coupled to a circumferential portion of the heating plate 210 to be fixed to the housing by being coupled to a fixing means (not shown).
상기 히터(220)는, 상기 히팅 플레이트(210) 하부에 접촉 설치된다. 이로써,상기 히터(220)는 상기 반응부산물을 가열하여 에너지를 가하는 데 필요한 열을 생성하여 상기 히팅 플레이트(210)에 공급하게 된다.The heater 220 is installed in contact with the lower portion of the heating plate 210. As a result, the heater 220 generates the heat required to apply energy by heating the reaction by-product to supply the heating plate 210.
여기서, 상기 히터(220)는 외부 전원부와 연결되어 열을 발생시키는 열선을 감싸 피복하기 위한 몸체가 고온을 충분히 견디면서 반응부산물에 의한 부식이 일어나지 않도록 세라믹 등의 소재로 구성되는 것이 바람직하다.Here, the heater 220 is preferably made of a material such as ceramic so that the body for covering and covering the heating wire to generate heat connected to the external power supply unit sufficiently withstands high temperature and does not cause corrosion by the reaction byproduct.
또한, 열선을 하우징을 통하여 히터로 인입하고 인출하기 위한 피복관(221)이 구비된다.In addition, a cladding tube 221 is provided for drawing the hot wire into and out of the heater through the housing.
상기 원통형 가이드(230)는 상부는 완전히 개구되고 하부 중앙은 소정 직경의 통공(231)이 형성된 원통형 물체로, 상기 히팅 플레이트(210)의 격벽(211)과 제 1연결구(140) 사이에 설치된다.The cylindrical guide 230 is a cylindrical object in which an upper part is completely opened and a lower center part is formed with a through hole 231 having a predetermined diameter. The cylindrical guide 230 is installed between the partition wall 211 and the first connector 140 of the heating plate 210. .
이에 더해, 상기 원통형 가이드(230)에 개구된 상부는 상기 제 1연결구(140)와 연통되고 하부 통공(231)은 상기 히팅 플레이트(210)의 상면 중앙부를 향하도록 설치된다.In addition, the upper part opened in the cylindrical guide 230 communicates with the first connector 140 and the lower through hole 231 is installed to face the center of the upper surface of the heating plate 210.
이같이 구성된 상기 원통형 가이드(230)에 의해 상기 제 1연결구(140)를 통해 유입되는 모든 반응부산물이 상기 히팅 플레이트(210)의 상면 중앙부 인근으로 안내된다.All the reaction by-products introduced through the first connector 140 are guided to the vicinity of the center of the upper surface of the heating plate 210 by the cylindrical guide 230 configured as described above.
한편, 본 고안에 따른 상기 히팅 플레이트(210)는 진공압 하에서 반응부산물의 흐름을 최대한 보장받을 수 있도록 약간 변형되어 구성될 수 있다.On the other hand, the heating plate 210 according to the present invention may be configured to be slightly modified to ensure the maximum flow of the reaction by-product under vacuum pressure.
이에, 도 6a는 본 고안에 따른 변형된 가열수단을 설명하기 위한 정면도이고, 도 6b는 본 고안에 따른 변형된 히팅 플레이트의 평면도이다.Thus, Figure 6a is a front view for explaining a modified heating means according to the present invention, Figure 6b is a plan view of a modified heating plate according to the present invention.
도시된 것처럼, 본 고안에 따른 변형된 히팅 플레이트(210')는 복수의 격벽(211a')이 곡률 없는 일자형 평판으로 형성되어, 중앙부로 유입된 반응부산물이 곡선을 그리지 않고 주변부를 향해 일직선으로 빠져나가도록 하였다.As shown, the deformed heating plate 210 'according to the present invention is a plurality of partitions (211a') is formed as a straight flat plate without curvature, the reaction by-products introduced into the center portion falls straight in the direction toward the periphery without drawing a curve I went out.
이같이 복수의 격벽(211a')을 일자형 평판으로 한 구성은 반응부산물이 곡률진 격벽에 충돌하여 흐름을 방해받을 수 있는 요인을 제거하고자 한 것으로, 진공압 하에서는 작은 저항만으도 원활한 흐름의 균형이 쉽게 깨어져 버릴 수 있기 때문이다.The configuration of the plurality of partitions 211a 'as a flat plate is intended to remove the factors that may cause the reaction by-products to collide with the curvature partitions and impede the flow. Because it can easily break.
여기서, 상기 변형된 격벽(211a')이 설치되는 간격은 반응부산물의 흐름을 방해하지 않는 가운데 반응부산물과 충분히 접촉하여 열을 전달할 수 있을 정도로 촘촘하게 구성한다.Here, the interval between the modified partition wall (211a ') is installed so as not to interfere with the flow of the reaction by-products are configured so as to be in sufficient contact with the reaction by-products to transfer heat.
또한, 상기 히팅 플레이트(210')의 둘레부에서는 상기 변형된 격벽(211a')의 배치 간격이 넓어지므로 상기 격벽(211a') 사이사이 중간에 바깥쪽에서 중앙부로 미치는 길이가 짧은 보조 격벽(211b')이 설치된다.In addition, since the arrangement interval of the deformed partition wall 211a 'becomes wider at the circumference of the heating plate 210', the auxiliary partition wall 211b 'having a shorter length extending from the outside to the center in the middle between the partition walls 211a'. ) Is installed.
이로써 전체적으로 반응부산물의 흐름을 방해하지 않으면서도 반응부산물과 접촉하는 열교환 면적을 증가시킬 수 있게 되는 것이다.As a result, it is possible to increase the heat exchange area in contact with the reaction byproduct without disturbing the flow of the reaction byproduct as a whole.
단 여기서, 변형되지 않은 히팅 플레이트(210)을 사용할 것인지 변형된 히팅 플레이트(210')를 사용할 것인지는 본 고안의 포집장치의 설치환경, 하우징(1)의 내압, 이루어지고 있는 공정 등 다양한 요인들을 종합적으로 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.Here, whether to use the non-deformed heating plate 210 or the deformed heating plate (210 ') is a combination of various factors, such as the installation environment, the internal pressure of the housing (1), the process being made Can be selected appropriately.
도 7은 본 고안에 따른 트랩 플레이트 및 제 1냉각라인을 설명하기 위한 내부 입면도이고, 도 8a 내지 도 8c는 본 고안에 따른 트랩 플레이트들의 평면도이며, 도 9는 본 고안의 정면 부분 절개도이다.7 is an internal elevation view for explaining the trap plate and the first cooling line according to the present invention, Figures 8a to 8c is a plan view of the trap plate according to the present invention, Figure 9 is a front partial cutaway view of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 고안은 반응부산물이 증착되어 포집되는 트랩 플레이트(3)와 반응부산물의 포집촉진을 위해 상기 트랩 플레이트(3)를 냉각하는 냉각수단(4)의 제 1냉각라인(410)이 서로 밀접한 관계로 구성된다.As shown, the present invention is the first cooling line 410 of the trap plate (3) in which the reaction by-products are deposited and collected and the cooling means (4) for cooling the trap plate (3) to promote the collection of the reaction by-products. This is organized in close relationship with each other.
상기 트랩 플레이트(3)는 중앙부에 소정 직경의 홀(311)을 갖는 제 1트랩 플레이트(310)와, 홀(311)이 없는 평판형의 제 2트랩 플레이트(320)로 구성되되, 상기 제 1트랩 플레이트(310)와 제 2트랩 플레이트(320)는 상호 교번되도록 설치된다.The trap plate 3 is composed of a first trap plate 310 having a hole 311 having a predetermined diameter in a central portion thereof, and a second trap plate 320 having a flat shape without the hole 311. The trap plate 310 and the second trap plate 320 are installed to alternate with each other.
이때, 상호 인접하는 제 1트랩 플레이트(310)와 제 2트랩 플레이트(320)와의 간격은 아래쪽으로 갈수록 더 좁아지도록 설치되고, 최상층과 최하층은 중앙부에 홀이 형성되어 있지 않은 제 2트랩 플레이트(320)로 설치되는 것이 바람직하다.At this time, the interval between the first trap plate 310 and the second trap plate 320 adjacent to each other is installed to be narrower toward the bottom, the second trap plate 320 is not formed in the center of the top layer and the bottom layer It is preferable to install).
또한, 상기 제 1트랩 플레이트(310)와 제 2트랩 플레이트(320)는 서로 상이한 직경을 갖되, 제 1트랩 플레이트(310)가 제 2트랩 플레이트(320)에 비해 더 큰 직경을 갖는 것이 바람직하다.In addition, the first trap plate 310 and the second trap plate 320 has a different diameter from each other, it is preferable that the first trap plate 310 has a larger diameter than the second trap plate 320. .
이와 같이, 중앙부에 소정 직경의 홀(311)이 형성된 제 1트랩 플레이트(310)와 상기 제 1트랩 플레이트(310)에 비해 상대적으로 작은 크기를 갖는 원판형의 제 2트랩 플레이트(320)가 교번하여 설치됨으로써, 포집되는 파우더가 각 트랩 플레이트(3)의 상부면에 균일하게 증착되는 효과를 기대할 수 있게 된다.As such, the first trap plate 310 having a predetermined diameter hole 311 and the disc shaped second trap plate 320 having a relatively smaller size than the first trap plate 310 are alternated. It is possible to expect the effect that the powder to be collected is uniformly deposited on the upper surface of each trap plate (3).
또한, 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 형상은 하우징(1)의 내부 형상과 부합되는 형상을 갖는데, 만일 하우징(1)이 원관형이면 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 형상도 원판형으로 형성된다. 참고로, 본 고안의 실시 예에서는 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2랩 플레이트의 형상이 원판형인 것을 예로 하였으며, 상기 제 2트랩 플레이트(320) 중 최상부의 것(320a)은 반응부산물이 하우징(1)에 유입된 직후 그 흐름이 방해받지 않도록 보다 작은 직경으로 형성하였다.In addition, the shape of the first trap plate 310 and the second trap plate 320 has a shape that matches the internal shape of the housing 1, if the housing 1 is a cylindrical, the first trap plate 310 ) And the second trap plate 320 is also formed in a disc shape. For reference, in the exemplary embodiment of the present invention, the first trap plate 310 and the second trap plate have a shape of a disc, and the uppermost part 320a of the second trap plate 320 is a reaction byproduct. Immediately after entering the housing 1, it was formed to a smaller diameter so that the flow would not be disturbed.
참고로, 설명되지 않은 제 2트랩 플레이트(320,320a)의 321 및 321a은 제 1냉각라인(410)이 관통하기 위한 홀이다.For reference, 321 and 321a of the second trap plates 320 and 320a which are not described are holes through which the first cooling line 410 passes.
상기 제 1냉각라인(410)은 도 4에서와 같이 하우징(1)의 외벽을 감싸는 제 2냉각라인(420)과 함께 냉각수단(4)을 구성하며, 상기 제 1냉각라인(410)은 시작단(411)이 상기 냉매 공급관(40)과 연결되어 냉매를 공급받으며, 하우징(1) 내로 주입되는 냉매를 각 트랩 플레이트(3)로 분기시키기 위한 제 1연장부(410a), 상기 제 1연장부(410a)로부터 분기되어 각 트랩 플레이트(3)상에 설치되는 복수의 제 2연장부(410b), 제 2연장부(410b)로부터 연결되고 끝단(419)은 상기 냉매 배출관(50)과 연결되면서 상기 냉매 공급관(40)에 연결된 상기 제 1연장부(410a)의 시작단(411)과 나란하게 설치되는 제 3연장부(410c)를 포함하여 구성된다.The first cooling line 410 constitutes the cooling means 4 together with the second cooling line 420 surrounding the outer wall of the housing 1 as shown in FIG. 4, and the first cooling line 410 starts. A stage 411 is connected to the refrigerant supply pipe 40 to receive a refrigerant, and a first extension part 410a for branching the refrigerant injected into the housing 1 to each trap plate 3, the first extension. A plurality of second extension parts 410b and a second extension part 410b which are branched from the part 410a and installed on each trap plate 3 are connected to each other, and an end 419 is connected to the refrigerant discharge pipe 50. At the same time, a third extension part 410c is installed in parallel with the start end 411 of the first extension part 410a connected to the refrigerant supply pipe 40.
여기서, 상기 제 1연장부(410a)와 제 3연장부(410c)는 상호 교번하여 설치되어 있는 제 1트랩 플레이트(310)와 제 2트랩 플레이트(320)의 중앙부를 관통하면서 하우징(1)의 내부 및 외부에 출입되고, 상기 제 2연장부(410b)는 제 1연장부(410a)로부터 분기되어 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 상부면에설치된다.Here, the first extension portion 410a and the third extension portion 410c pass through the center portions of the first trap plate 310 and the second trap plate 320 which are installed alternately with each other of the housing 1. Entering into and out of the interior, the second extension part 410b is branched from the first extension part 410a and installed on the upper surfaces of the first trap plate 310 and the second trap plate 320.
이러한 구성에 의해, 상기 냉매 공급관(40)으로부터 공급되는 냉매는 상기 제 1연장부(410a)를 통하여 분기된 각각의 제 2연장부(410b)를 흐르면서 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)를 거쳐, 다시 제 3연장부(410c)로부터 모아져서 외부와 연결된 냉매 배출관(50)으로 배출되어 진다.By such a configuration, the refrigerant supplied from the refrigerant supply pipe 40 flows through each of the second extension portions 410b branched through the first extension portion 410a and the first trap plate 310 and the second. Through the trap plate 320, the third discharge part 410c is collected again and discharged to the refrigerant discharge pipe 50 connected to the outside.
여기서 상기 냉매는 제 1연장부(410a)를 통해 제 2연장부(410b)로 전달됨에 따라 상기 제 1연장부(410a) 및 제 2연장부(410b)는 물론이고, 제 2연장부(410b)가 설치되어 있는 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320) 표면을 냉각시키는 것은 물론, 상기 하우징(1)의 내부 온도를 순식간에 떨어뜨리게 된다.In this case, the refrigerant is transferred to the second extension part 410b through the first extension part 410a, as well as the first extension part 410a and the second extension part 410b, as well as the second extension part 410b. In addition to cooling the surfaces of the first trap plate 310 and the second trap plate 320 is installed, the internal temperature of the housing (1) is quickly dropped.
통상, 공정이 진행중일 때, 프로세스 챔버의 내부 온도는 400~500℃정도를 유지하게 되는데, 제 1연장부(410a) 및 제 2연장부(410b)로 냉매를 흘려보내주면, 상기 프로세스 챔버와 연결되어 있는 하우징(1) 내부 및 상기 트랩 플레이트(3)의 표면온도는 프로세스 챔버에 비해 상대적으로 현저하게 떨어진다.In general, when the process is in progress, the internal temperature of the process chamber is maintained at about 400 ~ 500 ℃, when the refrigerant flows to the first extension portion 410a and the second extension portion 410b, and the process chamber and The inside of the housing 1 to which it is connected and the surface temperature of the trap plate 3 are significantly lower compared to the process chamber.
따라서 프로세스 챔버의 내부에서 발생된 반응부산물, 특히 미반응 가스가 상기 하우징(1)으로 유입되면서 상기 가열수단(2)에 의해 이온화되도록 가열되어 2차 반응에 의한 화학적 변화가 일어난 직후, 증기상태에서 낮은 온도로 냉각되어진 상기 트랩 플레이트(3)의 표면에 접하게 되면 순간적으로 막질화되어 증착되면서 급속도의 포집이 이루어진다.Therefore, the reaction by-products generated inside the process chamber, especially the unreacted gas, are heated to be ionized by the heating means 2 as they flow into the housing 1, and immediately after the chemical change by the secondary reaction occurs. When it comes into contact with the surface of the trap plate 3 cooled to a low temperature, the film is instantaneously formed into a film and deposited rapidly.
한편, 상기와 같이 막질화에 의해 증착되지 않는 다른 반응부산물은 하우징(1) 내의 낮은 온도 분위기에서 급속히 냉각되면서 고형화가 진행되어 파우더 상태로 상기 트랩 플레이트(3)에 쌓이게 된다.On the other hand, other reaction by-products which are not deposited by the film nitriding as described above are rapidly cooled in a low temperature atmosphere in the housing 1 and are solidified to accumulate on the trap plate 3 in a powder state.
여기서, 상기 트랩 플레이트(3) 표면에 증착되는 순간의 반응부산물은 증기(Vapor)상태에서 고형(Solid)상태로 전환되는 시점에서 막질화되면서 상기 트랩 플레이트(3) 표면에 더욱 신속하고 균일하며 확고하게 증착되는 것이다.Here, the reaction by-products at the moment of being deposited on the surface of the trap plate 3 are nitrided at the point of transition from the vapor state to the solid state, and thus, more quickly, uniformly and firmly on the surface of the trap plate 3. To be deposited.
또한, 상기 하우징(1)의 내부 온도가 냉매에 의해 보다 빨리 냉각되도록 하기 위해서 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)와 상기 제 1냉각라인(410)의 소재가 열전도율이 우수한 것으로 구비된다.In addition, in order for the internal temperature of the housing 1 to be cooled faster by the refrigerant, the material of the first trap plate 310 and the second trap plate 320 and the first cooling line 410 has a high thermal conductivity. It is equipped with an excellent one.
또한, 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)상에 설치되는 제 2연장부(410b)는 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)와의 접촉면적을 극대화할 수 있는 경로를 그리면서 설치된다.In addition, the second extension part 410b installed on the first trap plate 310 and the second trap plate 320 maximizes the contact area with the first trap plate 310 and the second trap plate 320. It is installed by drawing the path to it.
즉, 도면과 같이 상기 제 2연장부(410b)가 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)상에서 동그란 원을 그리면서 설치되는 것은 물론, 이에 더하여 지그재그 형태로 설치된다면 상기 트랩 플레이트(3)와의 접촉면적을 넓혀주어 상기 하우징(1) 내부 및 트랩 플레이트(3)를 더욱 빠른 속도로 냉각할 수 있게 된다.That is, as shown in the drawing, the second extension part 410b is installed while drawing a circular circle on the first trap plate 310 and the second trap plate 320, and in addition, the trap plate is provided in a zigzag form. By expanding the contact area with (3), the inside of the housing 1 and the trap plate 3 can be cooled at a higher speed.
한편, 상기 제 1트랩 플레이트(310)의 가장자리 부위를 관통하면서 지지하는 지지바(511)가 포함된다.On the other hand, the support bar 511 is supported while passing through the edge portion of the first trap plate 310.
이처럼, 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 중앙부에는 제 1연장부(410a) 및 제 3연장부(410c)가 관통하게 되는 데, 제 1트랩 플레이트(310)는 상기 지지바(511)에 의해 고정 지지되는 반면에, 제 2트랩 플레이트(320)는 제 1연장부(410a) 및 제 3연장부(410c)에 의해 고정 지지된다.As such, the first extension part 410a and the third extension part 410c pass through the central portions of the first trap plate 310 and the second trap plate 320, and the first trap plate 310 is The second trap plate 320 is fixedly supported by the first extension part 410a and the third extension part 410c while being fixedly supported by the support bar 511.
참고로, 상기 지지바(511)에 제 1트랩 플레이트(310)가 결합되기 위해서 용접(Welding)이나 강력 접착제를 사용하는 방법이 사용될 수 있고, 상기 제 2트랩 플레이트(320)와 제 1연장부(410a) 및 제 3연장부(410c)와의 결합 또한 마찬가지이다.For reference, a method using welding or a strong adhesive may be used to couple the first trap plate 310 to the support bar 511, and the second trap plate 320 and the first extension part may be used. The same is true with the combination of 410a and the third extension portion 410c.
또한, 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320) 그리고 상기 제 1냉각라인(410)을 하나로 결합된 상태로 지지하면서 상기 하우징(1)에 결합 및 분리를 용이하게 하는 하우징 브래킷(160)이 더욱 구비된다.In addition, while supporting the first trap plate 310 and the second trap plate 320 and the first cooling line 410 in a combined state, the housing bracket to facilitate the coupling and separation to the housing (1) 160 is further provided.
여기서, 상기 하우징 브래킷(160)은 상기 하우징(1) 몸체(110)의 하단과 하판(130) 사이에 설치되며, 그 둘레부 한곳에 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)를 지지하는 지지바(511)가 지지 고정되고, 측벽에는 상기 제 1냉각라인(410)의 시작단(411) 및 끝단(419)이 관통하여 나가면서 상기 제 1냉각라인(410) 전체를 지지하도록 구성된다.Here, the housing bracket 160 is installed between the lower end of the housing 110 and the lower plate 130, the first trap plate 310 and the second trap plate 320 in one peripheral portion The support bar 511 for supporting the support is fixed, and the first end 411 and the end 419 of the first cooling line 410 penetrates through the side to support the entire first cooling line 410 It is configured to.
계속해서, 상기 제 1냉각라인(410)과 더불어 상기 냉각수단(4)을 구성하는 제 2냉각라인(420)에 대하여 설명한다.Next, the second cooling line 420 constituting the cooling means 4 together with the first cooling line 410 will be described.
이에, 도 10은 본 고안에 따른 제 2냉각라인의 구성을 설명하기 위한 입면 참조도이고, 도 11은 도 10의 정면도이다.Accordingly, FIG. 10 is an elevation reference view for explaining the configuration of the second cooling line according to the present invention, and FIG. 11 is a front view of FIG. 10.
도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 냉각수단(4)의 제 2냉각라인(420)은 냉매 공급관(40)에 연결된 시작단(421)으로부터 상기 하우징(1)의 몸체(110) 외벽을 나선형으로 감싸면서 올라간 후 다시 원래의 위치로 복귀하여 그 끝단(429)이 냉매 배출관(50)과 연결된다.As shown, the second cooling line 420 of the cooling means 4 according to the present invention spirally circumscribes the outer wall of the body 110 of the housing 1 from the start end 421 connected to the coolant supply pipe 40. After wrapping up and returning to its original position, the end 429 is connected to the refrigerant discharge pipe 50.
이같이 상기 하우징(1)의 외벽을 감싸는 제 2냉각라인(420)이 구비되면, 반응부산물의 포집과정시 상기 제 2냉각라인(420)을 따라 유통되는 저온의 냉매에 의해 상기 하우징(1)의 내측벽이 저온 상태가 된다.As such, when the second cooling line 420 surrounding the outer wall of the housing 1 is provided, the low temperature refrigerant circulated along the second cooling line 420 during the collection of the reaction by-products of the housing 1 The inner wall is at a low temperature.
이로써, 상기 하우징(1) 내로 유입된 후 가열되어 이온화에 의해 화학적변화를 겪은 증기 상태의 반응부산물을 접촉하는 순간 상기 반응부산물을 급속으로 증착시키면서 겹겹이 포집할 수 있게 되며, 이 과정에서 반응부산물의 막질화에 의한 포집이 일어난다.As a result, the contact byproducts in the vapor state undergoing chemical changes due to ionization after being introduced into the housing 1 are heated, and the reaction byproducts can be rapidly deposited while being stacked. Entrapment by membrane nitriding occurs.
이처럼, 상기 냉각수단(4)에 제 1냉각라인(410)과 제 2냉각라인(420)이 구비되면 가열수단(2)에 의해 가열된 반응부산물을 막질화하면서 매우 신속하고 균일하게 포집할 수 있게 된다.As such, when the cooling means 4 is provided with the first cooling line 410 and the second cooling line 420, the reaction by-products heated by the heating means 2 may be nitrided and collected very quickly and uniformly. Will be.
한편, 상기와 같이 막질화에 의해 증착되지 않는 다른 반응부산물은 하우징(1) 내의 낮은 온도 분위기에서 급속히 냉각되면서 고형화가 진행되어 파우더 상태로 상기 트랩 플레이트(3)에 쌓이게 된다.On the other hand, other reaction by-products which are not deposited by the film nitriding as described above are rapidly cooled in a low temperature atmosphere in the housing 1 and are solidified to accumulate on the trap plate 3 in a powder state.
또한, 상기 제 2냉각라인(420)이 상기 하우징(1) 측벽을 감싸는 간격은 하부에서 상부로 갈수록 좁아지게 설치된다. 이는 상기 가열수단(2)이 위치하는 하우징(1) 상부에서 더 많은 양의 냉매가 열교환할 수 있도록 하여 가열수단(2)에 의해 가열된 반응부산물을 하우징(1)의 상부에서부터 보다 원활하게 포집하기 위함이다.In addition, the interval that the second cooling line 420 surrounds the side wall of the housing 1 is installed to become narrower from the bottom to the top. This allows a larger amount of refrigerant to exchange heat in the upper part of the housing 1 where the heating means 2 is located, so that the reaction by-product heated by the heating means 2 is more smoothly collected from the upper part of the housing 1. To do this.
도 12는 본 고안의 따른 제 2냉각라인이 상판에 연장된 변형된 구성을 설명하기 위한 평면 참조도이다.12 is a planar reference diagram for explaining a modified configuration in which the second cooling line according to the present invention extends to the upper plate.
도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 냉각수단(4)의 제 2냉각라인(420')은 상기 하우징(1) 몸체(110) 외벽을 감싸는 것에 더해 하우징(1)의 상판(120)까지 더욱 연장된 순환경로를 가지도록 설치될 수 있다.As shown, the second cooling line 420 ′ of the cooling means 4 according to the present invention further extends to the upper plate 120 of the housing 1 in addition to surrounding the outer wall of the body 110. It can be installed to have a circulation path.
이처럼, 상기 제 2냉각라인(420')이 상기 하우징(1) 상판(120)까지 연장되어 설치되면 상기 제 2냉각라인(420')과 하우징(1)과의 열교환 면적이 증가하게 되어 하우징(1) 자체는 물론 하우징(1) 내부의 온도를 더욱 빠르게 낮출 수 있게 된다.As such, when the second cooling line 420 ′ is installed to extend to the upper plate 120 of the housing 1, the heat exchange area between the second cooling line 420 ′ and the housing 1 increases to increase the housing ( 1) It is possible to lower the temperature inside the housing 1 as well as itself more quickly.
이로써, 하우징(1)에 유입되는 반응부산물을 보다 신속하게 고형화할 수 있는 분위기를 조성하게 된다.This creates an atmosphere in which the reaction by-products flowing into the housing 1 can be solidified more quickly.
이하에서는 상기와 같이 구성된 본 고안에 따른 반도체장치의 부산물 급속 포집장치의 동작을 도면을 참조하여 반응부산물의 흐름을 중심으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the operation of the by-product rapid collection device of the semiconductor device according to the present invention configured as described above will be described with reference to the drawings based on the flow of the reaction by-products.
먼저, 본 고안의 포집장치가 동작하면, 외부의 냉매탱크와 연결된 냉매 공급관(40)으로부터 분기되어 설치된 냉각수단(4)의 제 1냉각라인(410) 및 제 2냉각라인(420)에 냉매가 공급되어 흐르게 된다.First, when the collection device of the present invention is operated, the refrigerant in the first cooling line 410 and the second cooling line 420 of the cooling means 4 installed branched from the refrigerant supply pipe 40 connected to the external refrigerant tank It is supplied and flows.
이 중 상기 하우징(1)의 내부로 투입된 후 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)로 분기되어 흐르도록 설치된 제 1냉각라인(410)을 따라 저온의 냉매가 흐르면서 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 표면온도 및 하우징(1) 내부온도는 급격히 떨어지게 된다.Among them, the low-temperature refrigerant flows along the first cooling line 410 installed to flow into the housing 1 after being branched to the first trap plate 310 and the second trap plate 320. The surface temperature of the first trap plate 310 and the second trap plate 320 and the internal temperature of the housing 1 are rapidly dropped.
또한, 상기 하우징(1)의 측벽을 감싸도록 설치된 제 2냉각라인(420)을 따라 저온의 냉매가 흐르면서 상기 하우징(1) 내측벽이 저온상태로 급격히 냉각되고, 아울러 하우징(1) 내부온도 역시 더욱 떨어지게 된다.In addition, as the low-temperature refrigerant flows along the second cooling line 420 installed to surround the sidewall of the housing 1, the inner wall of the housing 1 is rapidly cooled to a low temperature state, and the temperature inside the housing 1 is also reduced. Will fall further.
동시에 상기 냉각수단(4)의 작동과 함께 가열수단(2)의 히터(220)가 작동하여 고온의 열을 방출하면서 상기 히터(220)와 접촉된 히팅 플레이트(210)는 고온으로 가열된 상태가 된다.At the same time, the heating plate 210 in contact with the heater 220 is heated to a high temperature while the heater 220 of the heating means 2 operates together with the operation of the cooling means 4. do.
한편, 상기와 같이 본 고안의 포집장치가 가동되고 있는 상태에서 본 고안의 포집장치와 연결된 프로세스 챔버에서는 박막의 증착 또는 식각 공정이 완료되고 나면 박막의 증착이나 식각 과정에서 발생된 다량의 미반응 가스를 포함한 반응부산물이 생성되며, 상기 반응부산물은 진공펌프가 구동됨에 따라 제 1연결구(140)를 통해 상기 하우징(1) 내로 유입되어 진다.Meanwhile, in the process chamber connected to the collecting device of the present invention while the collecting device of the present invention is operating as described above, after the deposition or etching process of the thin film is completed, a large amount of unreacted gas generated during the deposition or etching process of the thin film. A reaction byproduct is generated, and the reaction byproduct is introduced into the housing 1 through the first connector 140 as the vacuum pump is driven.
이후, 상기 제 1연결구(140)를 통해 상기 하우징(1)에 유입되는 반응부산물은 가장 먼저 제 1연결구(140)와 연통된 원통형 가이드(230)에 의해 안내되면서 상기 히팅 플레이트(210) 상면 중앙부에 도달하여 접촉된다.Thereafter, the reaction by-product flowing into the housing 1 through the first connector 140 is first guided by the cylindrical guide 230 communicating with the first connector 140, and the center portion of the upper surface of the heating plate 210. To reach and contact.
이처럼 상기 히팅 플레이트(210)에 도달한 반응부산물은 상기 히팅 플레이트(210) 상면에 방사상으로 설치된 격벽(211) 사이 트랙을 따라 중앙부에서 바깥쪽 즉, 하우징(1) 내측벽을 향해 빠져나가 확산하게 된다.As such, the reaction by-products that reach the heating plate 210 escape from the center toward the inner wall of the housing 1 along the track between the partition walls 211 radially disposed on the heating plate 210, and diffuse. do.
이 과정에서 상기 반응부산물이 상기 히팅 플레이트(210)에 접촉되면서 상기 히터(220)에서 방출되는 열을 받아 이온화에 필요한 에너지를 공급받게 되며, 이로써 상기 프로세스 챔버에서 미반응된 가스들이 화학적변화를 일으켜 증기상태의 고형성분 물질 및 기체성분의 물질로 생성되어 진다.In this process, the reaction by-product is in contact with the heating plate 210 receives the heat emitted from the heater 220 to receive the energy required for ionization, thereby causing chemical changes in the unreacted gas in the process chamber It is produced as a solid and gaseous substance in the vapor state.
이후, 상기 히팅 플레이트(210)로부터 반응부산물이 주변으로 확산되면서 이미 저온으로 냉각된 상기 하우징(1)의 내측벽 및 트랩 플레이트(3) 표면에 접촉하게 되고, 상기 반응부산물이 상기 하우징(1) 내측벽 및 트랩 플레이트(3)에 접촉되는 순간 냉각되어 증기상태에서 급속도로 고형화가 진행되면서 각 표면에 증착되어진다.Thereafter, the reaction byproduct is diffused from the heating plate 210 to the periphery and contacts the inner wall of the housing 1 and the surface of the trap plate 3, which are already cooled to a low temperature, and the reaction byproduct is connected to the housing 1. The moment it comes into contact with the inner wall and the trap plate 3, it cools and deposits on each surface while rapidly solidifying in the vapor state.
이때, 상기 하우징(1) 내측벽 및 트랩 플레이트(3)에 증착되는 반응부산물은 증기상태에서 완전 고형화되지 않은 상태로 막질화에 의해 보다 신속하게 증착되는 것이다.At this time, the reaction by-products deposited on the inner wall of the housing 1 and the trap plate 3 are more rapidly deposited by film nitriding without being completely solidified in a vapor state.
한편, 막질화에 의해 포집되지 않는 다른 반응부산물은 하우징(1)의 아래로 갈수록 차가운 온도 분위기에 의해 고형화되면서 그 일부는 최상층에 설치된 평판형의 제 2트랩 플레이트(320) 표면에 쌓이게 되고, 나머지는 그 가장자리 부위를 따라 아래쪽으로 흘러내려 중앙에 홀이 형성된 제 1트랩 플레이트(310)의 표면에 쌓이게 됨과 동시에 그 중앙부에 형성된 홀을 통해 아래쪽의 제 2트랩 플레이트(320)로 떨어지게 된다.On the other hand, other reaction by-products which are not collected by the film nitriding are solidified by a cold temperature atmosphere toward the bottom of the housing 1, and a part thereof is accumulated on the surface of the second trap plate 320 of the flat plate installed on the uppermost layer. Flows downward along the edge portion thereof and accumulates on the surface of the first trap plate 310 having a hole formed at the center thereof, and falls to the lower second trap plate 320 through the hole formed at the center thereof.
이와 같이, 반응부산물이 제 2트랩 플레이트(320)의 가장자리 부위를 따라 그 아래쪽의 제 1트랩 플레이트(310)의 상부면으로 떨어지고, 상기 제 1트랩 플레이트(310)의 상부면에 떨어진 파우더는 일부는 제 1트랩 플레이트(310)의 상부에 쌓이고, 일부는 그 중앙부에 형성된 홀을 통해 그 아래쪽의 제 2트랩 플레이트(320)의 상부면에 떨어지는 과정을 반복하게 되면서 결국은, 최상층의 제 2 트랩 플레이트(3)에서부터 최하층의 제 2트랩 플레이트(320)까지 전체적으로 균일하게 파우더가 쌓이게 된다.As such, the reaction by-products fall along the edge of the second trap plate 320 to the upper surface of the first trap plate 310 below, and the powder dropped on the upper surface of the first trap plate 310 partially. Is stacked on the upper portion of the first trap plate 310, and a part of the second trap of the uppermost layer is eventually dropped while repeating the process of falling to the upper surface of the second trap plate 320 below the hole through the hole formed at the center thereof. The powder is uniformly accumulated as a whole from the plate 3 to the second trap plate 320 of the lowest layer.
이처럼, 본 고안에서는 하우징(1)에 유입되는 반응부산물이 하우징(1) 내측벽 및 트랩 플레이트(3)에 신속하게 막질화되어 증착되고, 다른 일부는 하우징(1) 내부의 냉각된 온도 분위기에 의해서 고형화된 후 트랩 플레이트(3)에 쌓이게 되어 신속하면서도 균일하게 상기 하우징(1) 내에 포집되어 진다.As such, in the present invention, reaction by-products flowing into the housing 1 are rapidly deposited on the inner wall of the housing 1 and the trap plate 3, and the other part is deposited in a cooled temperature atmosphere inside the housing 1. After solidification, it accumulates in the trap plate 3 and is quickly and uniformly collected in the housing 1.
이상에서 본 고안의 바람직한 실시예를 설명하였으나. 본 고안은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 고안은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 실용신안등록청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 고안의 범위를 한정하는 것이 아니다.In the above described a preferred embodiment of the present invention. The present invention may use various changes, modifications, and equivalents. It is clear that the present invention can be applied in the same manner by appropriately modifying the above embodiments. Therefore, the above description does not limit the scope of the present invention defined by the limits of the following utility model registration claims.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치는 다음과 같은 효과를 기대할 수 있게 된다.As described above, the by-product rapid collection device of the semiconductor device according to the present invention can be expected the following effects.
첫째, 프로세스 챔버에서 발생된 반응부산물을 이온화될 수 있도록 가열하고 이에 의해 화학적 변화를 겪은 반응부산물을 증기상태에서 급속 냉각에 의한 막질화를 통해 증착함으로서 보다 신속한 포집이 가능하게 된다.First, the reaction by-products generated in the process chamber are heated to be ionized, and thus, the reaction by-products undergoing chemical change are deposited through film nitriding by rapid cooling in a vapor state, thereby enabling faster capture.
둘째, 상기와 같이 막질화에 의한 증착이 진행되는 동안 막질화되지 않은 다른 반응부산물 역시 저온의 분위기에 의해 신속히 고형화하여 파우더화하고 이를 트랩 플레이트에 균일하게 증착하는 방법을 병행함으로서 포집효율을 증대시키게 된다.Second, as described above, other reaction byproducts which are not nitrided during the deposition by the film nitriding are also rapidly solidified by a low temperature atmosphere to be powdered and uniformly deposited on the trap plate to increase the collection efficiency. do.
셋째, 증착되는 반응부산물을 증착되는 상태로 확고하게 고착시킴으로써 파우더가 진공펌프로 유입되는 것을 방지할 수가 있고, 그로 인해 진공펌프의 고장을 예방할 수가 있을 뿐만 아니라, 파우더가 프로세스 챔버로 역류하는 것을 방지하여웨이퍼의 오염을 막을 수 있게 된다.Third, by firmly fixing the deposited reaction by-products in the deposited state, it is possible to prevent the powder from flowing into the vacuum pump, thereby preventing the vacuum pump from failing, and also preventing the powder from flowing back into the process chamber. This can prevent the contamination of the wafer.
넷째, 하우징 내측벽 및 각 트랩 플레이트 상에 증착되는 파우더가 전체적으로 균일한 분포를 갖기 때문에 장시간 파우더 트랩이 가능하여 자주 파우더를 제거해 주어야 하는 종래에 비해 장비 가동율을 향상시킬 수가 있다.Fourth, since the powder deposited on the inner wall of the housing and each trap plate has a uniform distribution as a whole, it is possible to trap the powder for a long time, thereby improving the operation rate of the equipment compared to the conventional need to remove the powder frequently.
Claims (17)
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| KR20-2004-0022013U KR200368398Y1 (en) | 2004-08-02 | 2004-08-02 | Apparatus for quick caching residual products in semiconductor device |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100693475B1 (en) | 2005-01-24 | 2007-04-16 | 이앙구 | Equipment collection residual products for semiconducor |
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2004
- 2004-08-02 KR KR20-2004-0022013U patent/KR200368398Y1/en not_active IP Right Cessation
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