KR100837706B1 - 가열 장치 - Google Patents

가열 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100837706B1
KR100837706B1 KR1020020028635A KR20020028635A KR100837706B1 KR 100837706 B1 KR100837706 B1 KR 100837706B1 KR 1020020028635 A KR1020020028635 A KR 1020020028635A KR 20020028635 A KR20020028635 A KR 20020028635A KR 100837706 B1 KR100837706 B1 KR 100837706B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heater
heating
surface side
cover
lower cover
Prior art date
Application number
KR1020020028635A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030080948A (ko
Inventor
나가시마야스시
Original Assignee
고요 써모시스템 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고요 써모시스템 주식회사 filed Critical 고요 써모시스템 주식회사
Publication of KR20030080948A publication Critical patent/KR20030080948A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100837706B1 publication Critical patent/KR100837706B1/ko

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D7/00Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
    • F27D7/02Supplying steam, vapour, gases, or liquids

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Furnace Details (AREA)

Abstract

본 발명은 상하로 병렬하는 히터 사이에서 가열 대상을 방사열에 의해 가열할 때에 가열 대상의 상방으로부터의 가열을 억제하여 가열 온도를 정도 좋게 컨트롤하여 히터의 저비용화, 박형화, 에너지 절약화를 꾀하는 것을 목적으로 한다. 상하 방향을 따라서 서로 간격을 두고 병렬하는 여러 개의 패널형 히터(3)를 갖춘다. 각 히터(3)는 발열체(10a)와, 그 발열체(10a)의 상부면을 덮는 상부 커버(10b)와, 그 발열체(10a)의 하부면을 덮는 하부 커버(10c)를 갖는다. 서로 인접하는 상기 히터(3)의 사이에 배치되는 가열 대상(4)을 각 히터(3)의 상부면측에서 방사되는 열과 하부면측에서 방사되는 열에 의해 가열한다. 하부 커버(10c)의 방사율이 상부 커버(10b)의 방사율보다 작아짐으로써 각 히터(3)에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량이 상부면측으로부터의 열방사량보다 억제된다.

Description

가열 장치{HEATING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 실시예의 가열 장치의 측면도.
도 2는 본 발명의 실시예의 가열 장치의 평면도.
도 3은 본 발명의 실시예의 가열 장치에서의 주요부의 측단면도.
도 4는 본 발명의 실시예의 가열 장치에서의 패널형 히터의 지지 상태를 도시하는 사시도.
도 5는 본 발명의 실시예의 가열 장치에서의 주요부의 평단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 가열 장치
2 : 로체
3 : 히터
4 : 가열 대상
10a : 발열체
10b : 상부 커버
10c : 하부 커버
20 : 공간
21 : 칸막이 벽
본 발명은 상하 방향을 따라서 서로 간격을 두고 병렬하는 여러 개의 패널형 히터에 의해, 예컨대 플랫 패널 디스플레이용 기판과 같은 평판형 가열 대상을 가열하는 데 알맞는 가열 장치에 관한 것이다.
예컨대 유리 기판 위에 형성된 유기물계 얇은 막을 효율적으로 가열하는데 있어서 적외선 가열에 의해 막 내부로부터 가열하는 것이 유효하다. 그와 같은 적외선 가열을 행하기 위해 상하 방향을 따라서 서로 간격을 두고 병렬하는 여러 개의 패널형 히터를 구비하며, 각 히터는 발열체와 그 발열체의 상부면을 덮는 상부 커버와 그 발체의 하부면을 덮는 하부 커버를 가지고, 서로 인접하는 상기 히터의 사이에 배치되는 가열 대상을 각 히터의 상부면측에서 방사되는 열과 하부면측에서 방사되는 열에 의해서 가열 가능한 가열 장치가 종래부터 이용되고 있다.
가열 대상의 특성으로 인해, 상방측으로부터의 가열을 억제하고 하방측으로부터의 가열을 촉진함으로써 효율적으로 가열할 수 있는 경우가 있다. 예컨대 기판 위의 얇은 막을 상방으로부터 가열한 경우, 얇은 막 표면이 먼저 건조하여 얇은 막 내부로부터의 용제 등의 휘발이 방해되어 막 질의 저하나 불량의 원인이 된다. 이러한 경우에 상기 가열 장치에 의해 가열되는 가열 대상은 상방에 위치하는 히터의 하부면측에서 방사되는 열과 하방에 위치하는 히터의 상부면측에서 방사되는 열로 가열되기 때문에, 각 히터의 하부면측으로부터의 열방사를 상부면측으로부터의 열방사보다 억제해야 한다. 그 때문에, 종래는 각 히터의 하부면측을 냉각 또는 단열하는 기능을 부가하고 있었다.
각 히터에 냉각 기능이나 단열 기능을 부가하면 히터가 비싸질 뿐만 아니라 히터의 상하 치수가 커진다. 또한, 가열 대상이 대형일 경우는 히터의 방열 면적도 커지기 때문에 히터 자체의 중량에 의한 휨을 방지하기 위해서 히터의 상하 방향 치수가 역시 커진다. 그러나, 히터의 상하 치수가 커지면 가열 장치가 대형화하여 에너지 절약화가 저해된다. 또한, 히터가 자체의 중량에 의해 휜 경우 방열면과 가열 대상과의 거리가 불균일해지기 때문에 균일한 가열이 저해된다. 또한, 서로 인접하는 히터 사이의 가열 영역에 있어서는, 히터의 중앙 근방에서는 주변 근방에 비교해서 열이 달아나기 어려워 온도 분포의 균일성이 저하한다.
본 발명은 상기 문제를 해결할 수 있는 가열 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상하 방향을 따라서 서로 간격을 두고 병렬하는 여러 개의 패널형 히터를 갖추고, 각 히터는 발열체와, 그 발열체의 상부면을 덮는 상부 커버와, 그 발열체의 하부면을 덮는 하부 커버를 가지고, 서로 인접하는 상기 히터의 사이에 배치되는 가열 대상을 각 히터의 상부면측에서 방사되는 열과 하부면측에서 방사되는 열에 의해 가열 가능한 가열 장치에 적용된다.
본 발명의 제1의 특징은 상기 하부 커버의 방사율이 상기 상부 커버의 방사율보다 작아짐으로써 각 히터에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량이 상부면측으로부터의 열방사량보다 억제되어 있다는 점에 있다. 이 경우, 상기 하부 커버 표면의 성상(性狀)과 상기 상부 커버 표면의 성상과의 차이에 의해 상기 하부 커버의 방사율을 상기 상부 커버의 방사율보다 작게 하는 것이 바람직하다. 본 발명의 제2의 특징은 상기 하부 커버의 열전도율이 상기 상부 커버의 열전도율보다 작아짐으로써 각 히터에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량이 상부면측으로부터의 열방사량보다 억제되어 있다는 점에 있다. 이 경우, 상기 하부 커버의 재질과 상기 상부 커버의 재질과의 차이에 의해 상기 하부 커버의 열전도율을 상기 상부 커버의 열전도율보다 작게 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 각 히터의 하부면측에 냉각 기능이나 단열 기능을 부가하지 않고 각 히터의 하부면측으로부터의 열방사를 상부면측으로부터의 열방사보다 억제하여 히터의 저비용화, 박형화(薄型化), 에너지 절약화를 꾀할 수 있다.
상기 히터는 양단 지지형으로 로체(爐體)에 의해서 지지되고 상기 하부 커버의 열팽창율은 상기 상부 커버의 열팽창율보다 작게 되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 히터 자체의 중량에 의한 휨과 상부 커버와 하부 커버와의 열팽창차에 의한 히터의 휨을 상쇄하고, 히터의 상하 방향 치수를 크게 하는 일없이 히터의 휨을 저감하여 가열의 균일화를 꾀할 수 있다.
상기 하부 커버의 내부에 공간이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 특별한 구성 부재를 필요로 하지 않고 히터의 하부면측에 단열 기능을 부가하여, 각 히터에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량을 상부면측으로부터 의 열방사량보다 억제할 수 있다.
이 경우, 그 공간에 히터의 설정 온도보다 저온의 가스를 도입하기 위한 가스 도입 수단이 설치되고, 그 공간에 도입된 가스가 히터의 중앙 근방에서 주변을 향하여 유동하도록 그 가스는 히터의 중앙 근방에 도입되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 히터 내의 온도 분포를 단시간에 높은 수준으로 균일화하여 가열 대상을 균일하게 가열할 수 있다. 또한, 각 히터에는 그 공간을 중앙 근방의 챔버와, 이 중앙 근방의 챔버보다 주변에 근접하는 챔버로 분할하는 칸막이 벽이 설치되고, 그 칸막이 벽에는 서로 인접하는 챔버를 연락하는 가스 유통 구멍이 마련되며, 그 중앙 근방의 챔버에 상기 가스 도입 수단에 의해서 가스가 도입되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 확실하게 가스를 중앙으로부터 주변을 향하여 유동시킬 수 있다.
본 발명의 가열 장치에 따르면, 상하로 병렬하는 히터의 사이에 있어서 가열 대상을 방사열에 의해 가열할 때, 가열 대상의 상방으로부터의 가열을 하방으로부터의 가열보다 억제하여 가열 온도를 정밀도 좋게 제어할 수 있고, 히터의 저비용화, 박형화, 에너지 절약화를 꾀할 수 있으며, 또한 가열 영역에서의 온도 분포를 단시간에 균일화하여 가열 대상을 높은 수준으로 균일 가열할 수 있다.
도 1, 도 2에 도시하는 가열 장치(1)는 로체(2)와, 이 로체(2)의 내부에 배치되는 여러 개의 패널형 히터(3)를 구비한다. 이들 히터(3)는 도 3에 도시한 바와 같이 두께 방향을 상하 방향으로 하여 상하 방향을 따라서 서로 간격을 두고 병렬된다. 각 히터(3)로부터 상방으로 돌출하는 지지편(6)에 의해 평판형 가열 대상(4)이 두께 방향을 상하 방향으로 하여 지지된다. 각 히터(3)의 상하부면과 가열 대상(4)의 상하부면은 수평을 따르도록 배치된다. 그 가열 대상(4)은 예컨대 플랫 패널 디스플레이용 기판과 같이 유리 기판 위에 유기물계 얇은 막이 형성되어, 상방측으로부터의 가열을 억제하고 하방측으로부터의 가열을 촉진함으로써 효율적으로 가열되는 것이다. 본 실시예에서는 로체(2)의 양측의 개폐 도어(2a, 2b)에 의해 개폐되는 출입구에서 가열 대상(4)이 출입된다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 각 히터(3)는 브래킷(5)에 적재 상태로 됨으로써 로체(2)에 의해 양단 지지되어 있다. 또, 각 히터(3)를 열팽창에 의한 변형을 할 수 있도록 1곳에만 볼트 등으로 브래킷(5)에 고정하도록 해도 좋다. 각 히터(3)는 통전에 의해 발열하는 금속박이나 운모 등에 의해 구성되는 박형 발열체(10a)와, 그 발열체(10a)의 상부면을 덮는 판형의 상부 커버(10b)와, 그 발열체(10a)의 하부면을 덮는 하부 커버(10c)를 갖는다. 그 상부 커버(10b)와 하부 커버(10c)와 발열체(10a)는 예컨대 볼트에 의해서 연결되고, 발열체(10a)는 상부 커버(10b)와 하부 커버(10c)에 끼워진다. 이에 따라 가열 장치(1)는 서로 인접하는 히터(3)의 사이에 배치되는 가열 대상(4)을 각 히터(3)의 상부면측에서 방사되는 열과 하부면측에서 방사되는 열에 의해서 가열할 수 있다.
그 하부 커버(10c)의 방사율이 상부 커버(10b)의 방사율보다 작아짐으로써, 각 히터(3)에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량이 상부면측으로부터의 열방사량보다 억제되어 있다. 본 실시예에서는 하부 커버(10c) 표면의 성상(性狀)과 상부 커버(10b) 표면의 성상과의 차이에 의해, 즉 하부 커버(10c)의 하부면(10c')과 상부 커버의 상부면(10b')의 성상의 차이에 의해, 하부 커버(10c)의 방사율을 상부 커버(10b)의 방사율보다 작게 하고 있다. 구체적으로는, 상부 커버(10b)의 상부면(10b')을 샌드 블라스트 처리하고, 하부 커버(10c)의 하부면(10c')을 경면 가공함으로써 그 상부면(10b')의 표면적을 하부면(10c')의 표면적보다 크게 하고 있다. 또한, 상부 커버(10b)의 상부면(10b')을 고방사율의 피막으로 덮고 있다. 그 피막은 예컨대 이차 전해 착색 알루마이트 처리에 의해 형성된다. 또한, 하부 커버(10c)의 내부에 단열층으로서 기능하는 공간(20)을 형성함으로써도 하부 커버(10c)의 방사율을 상부 커버(10b)의 방사율보다 작게 하고 있다. 도시예에서는 하부 커버(10c)는 상하 간격을 두고 대향하는 상하부 판형재(10ca, 10cb)를 가지며, 상부 판형재(10ca)의 주연으로부터 하부측으로 연장되는 주벽과 하부 판형재(10cb)의 주연으로부터 상부측으로 연장되는 주벽이 서로 끼워 맞춰지는 동시에 볼트 등에 의해 연결된다. 그 상하부 판형재(10ca, 10cb)의 상하 간격은 예컨대 10∼14 mm가 된다.
또한, 하부 커버(10c)의 열전도율이 상부 커버(10b)의 열전도율보다 작아짐으로써도 각 히터(3)에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량이 상부면측으로부터의 열방사량보다 억제되어 있다. 또한, 하부 커버(10c)의 열팽창율은 상부 커버(10b)의 열팽창율보다 작게 되어 있다. 본 실시예에서는 하부 커버(10c)의 재질과 상부 커버(10b)의 재질과의 차이에 의해 하부 커버(10c)의 열전도율을 상부 커버(10b)의 열전도율보다 작게 하고, 또한 하부 커버(10c)의 열팽창율을 상부 커버(10b)의 열팽창율보다 작게 하고 있다. 구체적으로는 상부 커버(10b)의 재질을 알루미늄으로 하고, 하부 커버(10c)의 재질을 스테인레스로 하고 있다. 또, 하부 커버(10c) 전체의 열전도율을 균일하게 할 필요는 없고, 예컨대 상부 판형재(10ca)는 상부 커버(10b)와 동일 재질로 하고, 상부 판형재(10ca)보다 열방사량에 대한 영향이 큰 하부 판형재(10cb)의 열전도율을 상부 커버(10b)의 열전도율보다 작게 해도 좋다.
도 5에 도시한 바와 같이, 각 하부 커버(10c)의 내부에 형성된 공간(20)은 히터(3)의 중앙 근방의 챔버(20a)와, 이 중앙 근방의 챔버(20a)보다 주변에 근접하는 챔버(20b)로 칸막이 벽(21)에 의해서 분할되어 있다. 그 칸막이 벽(21)에 서로 인접하는 챔버를 연락하는 가스 유통 구멍(21a)이 마련되어 있다.
각 공간(20)에 가스를 도입하기 위한 가스 도입 수단으로서 가스 도입 배관(22)이 설치되어 있다. 그 가스 도입 배관(22)의 일단은 로체(2)의 외부의 가스 공급원(도시 생략)에 접속되어 있다. 그 가스 도입 배관(22)의 타단은 각 히터(3)에 삽입되도록 분기되어 각 공간(20)에 있어서 중앙 근방의 챔버(20a)에 배치되어 있다. 이에 따라, 그 가스 도입 배관(22)의 타단은 공간(20)에 있어서 중앙 근방에서 가스를 분출하는 분출구(22a)로 되어 있다. 그 분출구(22a)에서 분출된 가스는 중앙 근방의 챔버(20a)에 도입된 후에, 도 5에서 화살표로 표시한 바와 같이 상기 가스 유통 구멍(21a)을 통해 주변에 근접하는 챔버(20b)로 유동한다. 즉, 그 공간(20)에 도입된 가스는 중앙으로부터 주변을 향하여 유동한다. 또, 그 공간(20)에 도입하는 가스를 예열하기 위해서, 도 2에 도시한 바와 같이 그 가스 도입 배관(22)을 흐르는 가스의 예열용 히터(26)가 로체(2)에 부착되어 있다.
그 공간(20)에 도입된 가스를 배출하기 위해서 각 히터(3)의 하부 커버(10c) 의 하부 판형재(10cb)에 여러 개의 배출구(23)가 설치되어 있다. 각 배출구(23)는 히터(3)의 주변에 근접한다. 각 배출구(23)로부터 배출되는 가스가 가열 대상(4)에 직접 분무되는 일이 없도록 각 배출구(23)는 가열 대상(4)의 배치 영역보다 히터(3)의 주변에 근접하는 위치에 배치되어 있다. 또, 배출구(23)의 수나 배치는 공간(20)에 도입된 가스를 히터(3)의 중앙으로부터 주변을 향하여 유동시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않는다.
그 배출구(23)로부터 배출된 가스를 로체(2)의 외부로 유도하기 위해서 각 히터(3)의 양측에, 외주에 여러 개의 가스 유입 구멍(27a)이 형성된 배기용 배관(27)이 설치되어 있다. 각 배기용 배관(27)의 일단은 폐쇄되고, 타단은 서로 접속되어 로체(2)의 외부에서 개구한다. 또, 각 배기용 배관(27)의 가스 유입 구멍(27a)은 로체(2)의 출입구에 대향하는 위치에 형성되며, 이에 따라 배출구(23)로부터 배출되는 가스는 로체(2)의 출입구를 향하여 유도된다. 따라서, 그 개폐 도어(2a, 2b)에 의해 폐쇄되어 있던 로체(2)의 출입구를 개방했을 때에 그 출입구에서 외기가 로체(2) 내로 침입하는 것을 그 가스에 의해 제지하여 로체(2) 내의 온도 저하를 경감할 수 있다.
그 가스의 종류는 가열 대상(4)에 영향을 주는 일이 없으면 특별히 한정되지 않고, 예컨대 질소 가스나 건조 공기를 이용할 수 있다. 그 가스 유량은 가열 장치(1)의 규모나 히터(3)의 설정 온도에 따라서 적절하게 정하면 좋다. 예컨대, 각 히터(3)의 치수가 950 ㎜×1140 ㎜×38 ㎜이고, 병렬 피치가 75 ㎜∼90 ㎜이고, 5장의 가열 대상(4)을 처리하는 경우, 가스 유량은 각 히터당 매분 20∼100 리터로 한다. 가스의 온도는, 예컨대 히터(3)의 설정 온도가 100℃∼180℃이면 20℃ 정도 낮게 하고, 히터(3)의 설정 온도가 180℃∼250℃이면 30℃ 정도 낮게 하는 것이 바람직하지만, 이것에 한정되는 것이 아니고, 또한 반드시 가스를 예열할 필요는 없다.
상기 실시예에 따르면, 각 히터(3)의 하부면측에 냉각 기능이나 단열 기능을 부가하는 일없이, 각 히터(3)의 하부면측으로부터의 열방사를 상부면측으로부터의 열방사보다 억제하여 히터(3)의 저비용화, 박형화, 에너지 절약화를 꾀할 수 있다. 또한, 각 히터(3) 자체의 중량에 의한 휨과 상부 커버(10b)와 하부 커버(10c)와의 열팽창차에 의한 히터(3)의 휨을 상쇄하고, 히터(3)의 상하 방향 치수를 크게 하는 일없이 히터(3)의 휨을 저감하여 가열의 균일화를 꾀할 수 있다. 또한, 각 히터(3)의 하부 커버(10c)의 내부에 공간(20)이 형성되어 있기 때문에, 특별한 구성 부재를 필요로 하지 않고 히터(3)의 하부면측에 단열 기능을 부가하여, 각 히터(3)에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량을 상부면측으로부터의 열방사량보다 억제할 수 있다. 그 공간(20)에 히터(3)의 설정 온도보다 저온의 가스를 도입하고, 그 공간(20)에 도입된 가스를 중앙으로부터 주변을 향하여 유동시킴으로써 가열 대상(4)의 배치 영역의 중앙 근방에서의 방열을 촉진할 수 있다. 따라서, 히터(3)의 가열면에서의 온도 분포를 단시간에 고정도로 균일화하여 가열 대상(4)을 균일하게 가열할 수 있다. 각 히터(3)에 공간(20)이 설치됨으로써 중실의 히터에 비교해서 경량화할 수 있다. 또한, 히터(3)의 중앙 근방에 가스의 분출구(22a)를 설치하고, 주변에 근접하는 가스의 배출구(23)를 설치하는 것만으로 좋기 때문에 복잡한 구성을 필요로 하지 않고 저비용으로 실시할 수 있다. 그 공간(20)에서의 가스는 중앙 근방의 챔버(20a)에서 주변에 근접하는 챔버(20b)로 가스 유통 구멍(21a)을 통해 흐르기 때문에 확실하게 가스를 중앙으로부터 주변을 향하여 유동시킬 수 있다. 또한, 배출구(23)로부터 배출되는 가스가 가열 대상(4)에 직접 분무되는 일이 없기 때문에 그 가스에 의한 가열 대상(4)의 온도 변동을 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않는다. 상부 커버(10b)와 하부 커버(10c)의 재질은 상기 실시예에 한정되지 않고, 예컨대 상부 커버(10b)를 황동 3종(JIS-2801), 질화알루미늄 혹은 탄화규소로 하고, 하부 커버(10c)를 스테인레스 혹은 연강판에 스테인레스 도금한 것으로 해도 좋다. 또한, 상부 커버(10b)와 하부 커버(10c)를 동종 금속재로 만들어도 좋고, 예컨대 상부 커버(10b)를 상부면이 방사율과 열팽창율의 증대를 위해 산화 피막으로 덮힌 스테인레스(JIS-SUS304)로 하고, 하부 커버(10c)를 하부면이 방사율과 열팽창율의 저감을 위해 경면 가공된 스테인레스(JIS-SUS304)로 해도 좋다. 또한, 각 히터(3)에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량이 상부면측으로부터의 열방사량보다 억제되어 있으면, 상부 커버와 하부 커버의 열팽창율은 동일해도 좋고, 또한 하부 커버에 공간이 없더라도 좋으며, 그 공간으로의 가스 도입 수단이 설치되어 있지 않아도 좋다.
본 발명의 가열 장치는 상하로 병렬하는 히터 사이에 있어서, 가열 대상을 방사열에 의해 가열할 때 가열 대상의 상방으로부터의 가열을 하방으로부터의 가열 보다 억제하여 가열 온도를 정도 좋게 제어하고, 히터의 저비용화, 박형화, 에너지 절약화를 꾀할 수 있다.

Claims (10)

  1. 상하 방향을 따라서 서로 간격을 두고 병렬하는 복수의 패널형 히터를 구비하고,
    각 히터는 발열체와, 그 발열체의 상부면을 덮는 상부 커버와, 그 발열체의 하부면을 덮는 하부 커버를 가지며,
    서로 인접하는 상기 히터의 사이에 배치되는 가열 대상을 각 히터의 상부면측에서 방사되는 열과 하부면측에서 방사되는 열에 의해 가열할 수 있는 가열 장치로서,
    상기 하부 커버의 방사율이 상기 상부 커버의 방사율보다도 작아짐으로써, 각 히터에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량이 상부면측으로부터의 열방사량보다도 억제되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부 커버 표면의 성상(性狀)과 상기 상부 커버 표면의 성상을 표면 가공 또는 피막 형성을 포함하는 표면 처리에 의해 다르게 함으로써, 상기 하부 커버의 방사율이 상기 상부 커버의 방사율보다도 작게 되어 있는 것인 가열 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 하부 커버의 열전도율이 상기 상부 커버의 열전도율보다도 작아짐으로써, 각 히터에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량이 상부면측으로부터의 열방사량보다도 억제되어 있는 것인 가열 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 하부 커버의 재질과 상기 상부 커버의 재질과의 차이에 의해, 상기 하부 커버의 열전도율이 상기 상부 커버의 열전도율보다도 작게 되어 있는 것인 가열 장치.
  5. 상하 방향을 따라서 서로 간격을 두고 병렬하는 복수의 패널형 히터를 구비하고,
    각 히터는 발열체와, 그 발열체의 상부면을 덮는 상부 커버와, 그 발열체의 하부면을 덮는 하부 커버를 가지며,
    서로 인접하는 상기 히터의 사이에 배치되는 가열 대상을 각 히터의 상부면측에서 방사되는 열과 하부면측에서 방사되는 열에 의해 가열할 수 있는 가열 장치로서,
    상기 하부 커버의 열전도율이 상기 상부 커버의 열전도율보다도 작아짐으로써, 각 히터에서의 단위 시간당 하부면측으로부터의 열방사량이 상부면측으로부터의 열방사량보다도 억제되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 하부 커버의 재질과 상기 상부 커버의 재질과의 차이에 의해, 상기 하부 커버의 열전도율이 상기 상부 커버의 열전도율보다도 작게 되어 있는 것인 가열 장치.
  7. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 히터는 양단 지지형으로 노체(爐體)에 의해 지지되고, 상기 하부 커버의 열팽창율은 상기 상부 커버의 열팽창율보다도 작게 되어 있는 것인 가열 장치.
  8. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 하부 커버의 내부에 공간이 형성되어 있는 것인 가열 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 공간에 히터의 설정 온도보다도 저온의 가스를 도입하기 위한 가스 도입 배관을 포함하는 가스 도입 수단이 설치되고, 상기 공간에 도입된 가스가 히터의 중앙 근방에서 주변을 향하여 유동하도록 상기 가스는 히터의 중앙 근방에 도입되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  10. 제9항에 있어서, 각 히터에는 상기 공간을 히터의 중앙 근방의 챔버와 상기 중앙 근방의 챔버보다 주변에 근접하는 챔버로 분할하는 칸막이 벽이 설치되고, 상기 칸막이 벽에는 서로 인접하는 챔버를 연통시키는 가스 유통 구멍이 마련되며, 상기 중앙 근방의 챔버에 상기 가스 도입 수단에 의해 가스가 도입되는 것인 가열 장치.
KR1020020028635A 2002-04-10 2002-05-23 가열 장치 KR100837706B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002107597A JP2003303666A (ja) 2002-04-10 2002-04-10 加熱装置
JPJP-P-2002-00107597 2002-04-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030080948A KR20030080948A (ko) 2003-10-17
KR100837706B1 true KR100837706B1 (ko) 2008-06-13

Family

ID=28786471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020028635A KR100837706B1 (ko) 2002-04-10 2002-05-23 가열 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2003303666A (ko)
KR (1) KR100837706B1 (ko)
CN (1) CN100350207C (ko)
TW (1) TW533301B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5074707B2 (ja) * 2006-05-26 2012-11-14 光洋サーモシステム株式会社 加熱装置
KR101360895B1 (ko) * 2011-12-09 2014-02-17 주식회사 제우스 Lcd 글라스 기판용 오븐챔버의 개폐 커버
KR101441974B1 (ko) * 2012-11-06 2014-09-24 주식회사 제우스 열처리 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100245260B1 (ko) * 1996-02-16 2000-02-15 엔도 마코토 반도체 제조장치의 기판 가열장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100238626B1 (ko) * 1992-07-28 2000-02-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5800618A (en) * 1992-11-12 1998-09-01 Ngk Insulators, Ltd. Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof
JP2960645B2 (ja) * 1994-03-30 1999-10-12 日本碍子株式会社 セラミックスヒータ及びその製造方法
JP2001012856A (ja) * 1999-06-28 2001-01-19 Hitachi Chemical Techno-Plant Co Ltd 熱処理装置
JP4209057B2 (ja) * 1999-12-01 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100245260B1 (ko) * 1996-02-16 2000-02-15 엔도 마코토 반도체 제조장치의 기판 가열장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW533301B (en) 2003-05-21
CN100350207C (zh) 2007-11-21
KR20030080948A (ko) 2003-10-17
JP2003303666A (ja) 2003-10-24
CN1450331A (zh) 2003-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100297282B1 (ko) 열처리장치 및 열처리방법
KR100993028B1 (ko) 가스 분사 및 배출을 위한 대향 포켓을 구비하는 반응 챔버
US7860379B2 (en) Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US5938850A (en) Single wafer heat treatment apparatus
US7127367B2 (en) Tailored temperature uniformity
KR101046043B1 (ko) 노용 다중 구역 히터
US20060027165A1 (en) Heated gas box for PECVD applications
CN100398696C (zh) 单晶片腔室中的无辐射率变化泵送板套件
KR20200058493A (ko) 유기막 형성 장치
KR102661888B1 (ko) 가열 장치, 증발원 및 증착 장치
KR100837706B1 (ko) 가열 장치
TWI392027B (zh) Heat treatment apparatus, heater and heater manufacturing method
CN111748773A (zh) 一种蒸发源和蒸镀装置
KR101920331B1 (ko) 기판 열처리 장치
KR102148834B1 (ko) 밀리세컨드 어닐 시스템을 위한 가스 흐름 제어
JP3840486B2 (ja) 加熱方法および加熱装置
JP3665283B2 (ja) 加熱方法および加熱装置
JP7398107B2 (ja) 加熱装置および加熱方法
US7393205B2 (en) Device and method for heating up extrusion dies prior to their installation in an extruder
JP2002353207A (ja) 半導体製造装置のプロセスチャンバ構造および半導体製造装置
JP2005032883A (ja) 基板処理装置
JP7289161B2 (ja) 加熱装置および加熱方法
TWI833960B (zh) 加熱裝置、加熱系統及加熱方法
US20230082802A1 (en) Apparatus for processing a substrate and method of operating the same
KR101870662B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130311

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131206

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141218

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151209

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170113

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171212

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190307

Year of fee payment: 12