KR100837690B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 그를 이용한플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 그에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다. 그 패널 제조 방법은 복수의 격벽들이 형성된 기판에 광을 조사하고 기판으로부터 반사되는 광을 검출하는 단계; 검출된 반사 광을 이용하여 격벽의 위치를 검출하는 단계; 및 검출된 격벽의 위치를 이용하여 격벽들에 의해 구획되는 방전셀에 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 플라즈마 디스플레이 패널을 제조함에 있어서, 하부기판에 형성된 격벽의 위치에 따라 형광체층을 형성하도록 함으로써, 형광체 형성 오차를 감소시킬 수 있으며, 하부기판의 실시간 얼라인이 가능토록하여 패널 제조 작업의 용이성 및 효율성을 향상시킬 수 있다. 특히, 다면취 공법을 이용한 패널 제조 시에 하부 기판의 틀어짐을 용이하게 보상할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 그를 이용한 플라즈마 디스플레이 장치{Method of manufacturing plasma display panel and plasma display apparatus thereof}

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 구조에 대한 일실시예를 나타내는 사시도이다.

도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 배치에 대한 일실시예를 나타내는 단면도이다.

도 3은 하나의 프레임(frame)을 복수의 서브필드(subfield)로 나누어 플라즈마 디스플레이 패널을 시분할 구동시키는 방법에 대한 일실시예를 나타내는 타이밍도이다.

도 4는 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 구동 신호들에 대한 일실시예를 나타내는 타이밍도이다.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조 방법에 대한 일실시예를 설명하기 위한 도면이다.

도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 구조에 대한 실시예들을 나타내는 단면도이다.

도 8은 내지 도 10은 격벽을 이용한 얼라인먼트(alignment) 방법에 대한 실 시예를 설명하기 위한 도면이다.

도 11은 다면취 공법을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 대한 실시예를 나타내는 도면이다.

본 발명은 플라즈마 디스플레이(Plasma Display) 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상기 장치에 사용되는 플라즈마 디스플레이 패널(Panel)의 하부 기판에 형광체층을 형성하는 패널 제조 방법 및 격벽 구조에 관한 것이다.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 상부기판과 하부기판 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고, 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시 장치로서 각광받고 있다.

패널의 하부기판 중 방전셀이 형성된 영역에 맞추어 형광체층을 형성하지 못하는 경우, 패널의 외곽 부분에서의 영상 화질이 저하되는 문제가 있었다.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 하부 기판과의 얼라 인먼트(alignment)를 용이하고 정확하게 조정하여 형광체층을 형성할 수 있도록 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 그를 이용한 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 플라즈마 디스플레이 장치는, 플라즈마 디스플레이 패널의 최외곽에 형성된 최외곽 격벽의 하단폭 대비 상단폭의 비율이 상기 최외곽 격벽보다 상기 패널의 내부에 형성된 내부 격벽의 하단폭 대비 상단폭의 비율보다 작은 것을 특징으로 한다.

상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 또 다른 플라즈마 디스플레이 장치는, 상기 패널의 최외곽에 형성된 최외곽 격벽의 경사면의 기울기가 상기 패널의 내부에 형성되는 내부 격벽의 경사면 기울기보다 완만한 것을 특징으로 한다.

상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 복수의 격벽들이 형성된 기판에 광을 조사하고, 상기 기판으로부터 반사되는 광을 검출하는 단계; 상기 검출된 반사 광을 이용하여 상기 격벽의 위치를 검출하는 단계; 및 상기 검출된 격벽의 위치를 이용하여 상기 격벽들에 의해 구획되는 방전셀에 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 그를 이용한 플라즈마 디스플레이 장치에 관하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 대한 일실시예를 사시도로 도시한 것이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 상부기판(10) 상에 형성되는 유지 전극 쌍인 스캔 전극(11) 및 서스테인 전극(12), 하부기판(20) 상에 형성되는 어드레스 전극(22)을 포함한다.

상기 유지 전극 쌍(11, 12)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide;ITO)로 형성된 투명전극(11a, 12a)과 버스 전극(11b, 12b)을 포함하며, 상기 버스 전극(11b, 12b)은 은(Ag), 크롬(Cr) 등의 금속 또는 크롬/구리/크롬(Cr/Cu/Cr)의 적층형이나 크롬/알루미늄/크롬(Cr/Al/Cr)의 적층형으로 형성될 수 있다. 버스 전극(11b, 12b)은 투명전극(11a, 12a) 상에 형성되어, 저항이 높은 투명전극(11a, 12a)에 의한 전압 강하를 줄이는 역할을 한다.

한편, 본 발명의 일실시예에 따르면 유지 전극쌍(11, 12)은 투명전극(11a 12a)과 버스 전극(11b, 12b)이 적층된 구조 뿐만 아니라, 투명 전극(11a, 12a)이 없이 버스 전극(11b, 12b)만으로도 구성될 수 있다. 이러한 구조는 투명 전극(11a, 12a)을 사용하지 않으므로, 패널 제조의 단가를 낮출 수 있는 장점이 있다. 이러한 구조에 사용되는 버스 전극(11b, 12b)은 위에 열거한 재료 이외에 감광성 재료등 다양한 재료가 가능할 것이다.

스캔 전극(11) 및 서스테인 전극(12)의 투명전극(11a, 12a)과 버스전극(11b, 11c)의 사이에는 상부 기판(10)의 외부에서 발생하는 외부광을 흡수하여 반사를 줄여주는 광차단의 기능과 상부 기판(10)의 퓨리티(Purity) 및 콘트라스트를 향상시 키는 기능을 하는 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM, 15)가 배열된다.

본 발명의 일실시예에 따른 블랙 매트릭스(15)는 상부 기판(10)에 형성되는데, 격벽(21)과 중첩되는 위치에 형성되는 제1 블랙 매트릭스(15)와, 투명전극(11a, 12a)과 버스전극(11b, 12b)사이에 형성되는 제2 블랙 매트릭스(11c, 12c)로 구성될 수 있다. 여기서, 제 1 블랙 매트릭스(15)와 블랙층 또는 블랙 전극층이라고도 하는 제 2 블랙 매트릭스(11c, 12c)는 형성 과정에서 동시에 형성되어 물리적으로 연결될 수 있고, 동시에 형성되지 않아 물리적으로 연결되지 않을 수도 있다.

또한, 물리적으로 연결되어 형성되는 경우, 제 1 블랙 매트릭스(15)와 제 2 블랙 매트릭스(11c, 12c)는 동일한 재질로 형성되지만, 물리적으로 분리되어 형성되는 경우에는 다른 재질로 형성될 수 있다.

스캔 전극(11)과 서스테인 전극(12)이 나란하게 형성된 상부기판(10)에는 상부 유전체층(13)과 보호막(14)이 적층된다. 상부 유전체층(13)에는 방전에 의하여 발생된 하전입자들이 축적되고, 유지 전극 쌍(11, 12)을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 보호막(14)은 가스 방전시 발생된 하전입자들의 스피터링으로부터 상부 유전체층(13)을 보호하고, 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다.

또한, 어드레스 전극(22)은 스캔 전극(11) 및 서스테인 전극(12)과 교차되는 방향으로 형성된다. 또한, 어드레스 전극(22)이 형성된 하부기판(20) 상에는 하부 유전체층(23)과 격벽(21)이 형성된다.

또한, 하부 유전체층(23)과 격벽(21)의 표면에는 형광체층이 형성된다. 격 벽(21)은 세로 격벽(21a)와 가로 격벽(21b)가 폐쇄형으로 형성되고, 방전셀을 물리적으로 구분하며, 방전에 의해 생성된 자외선과 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다.

본 발명의 일실시예에는 도 1에 도시된 격벽(21)의 구조뿐만 아니라, 다양한 형상의 격벽(21)의 구조도 가능할 것이다. 예컨대, 세로 격벽(21a)과 가로 격벽(21b)의 높이가 다른 차등형 격벽 구조, 세로 격벽(21a) 또는 가로 격벽(21b) 중 적어도 하나 이상에 배기 통로로 사용 가능한 채널(Channel)이 형성된 채널형 격벽 구조, 세로 격벽(21a) 또는 가로 격벽(21b) 중 하나 이상에 홈(Hollow)이 형성된 홈형 격벽 구조 등이 가능할 것이다.

여기서, 차등형 격벽 구조인 경우에는 가로 격벽(21b)의 높이가 높은 것이 더 바람직하고, 채널형 격벽 구조나 홈형 격벽 구조인 경우에는 가로 격벽(21b)에 채널이 형성되거나 홈이 형성되는 것이 바람직할 것이다.

한편, 본 발명의 일실시예에서는 R, G 및 B 방전셀 각각이 동일한 선상에 배열되는 것으로 도시 및 설명되고 있지만, 다른 형상으로 배열되는 것도 가능할 것이다. 예컨대, R, G 및 B 방전셀이 삼각형 형상으로 배열되는 델타(Delta) 타입의 배열도 가능할 것이다. 또한, 방전셀의 형상도 사각형상 뿐만 아니라, 오각형, 육각형 등의 다양한 다각 형상도 가능할 것이다.

또한, 상기 형광체층은 가스 방전시 발생된 자외선에 의해 발광되어 적색(R), 녹색(G) 또는 청색(B) 중 어느 하나의 가시광을 발생하게 된다. 여기서, 상부/하부 기판(10, 20)과 격벽(21) 사이에 마련된 방전공간에는 방전을 위한 He+Xe, Ne+Xe 및 He+Ne+Xe 등의 불활성 혼합가스가 주입된다.

도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 배치에 대한 일실시예를 도시한 것으로, 플라즈마 디스플레이 패널을 구성하는 복수의 방전셀들은 도 2에 도시된 바와 같이 매트릭스 형태로 배치되는 것이 바람직하다. 복수의 방전셀들은 각각 스캔 전극 라인(Y1 내지 Ym), 서스테인 전극 라인(Z1 내지 Zm) 및 어드레스 전극 라인(X1 내지 Xn)의 교차부에 마련된다. 스캔 전극 라인(Y1 내지 Ym)은 순차적으로 구동되거나 동시에 구동될 수 있고, 서스테인 전극 라인(Z1 내지 Zm)은 동시에 구동될 수 있다. 어드레스 전극라인(X1 내지 Xn)은 기수 번째 라인들과 우수 번째 라인들로 분할되어 구동되거나 순차적으로 구동될 수 있다.

도 2에 도시된 전극 배치는 본 발명에 따른 플라즈마 패널의 전극 배치에 대한 일실시예에 불과하므로, 본 발명은 도 2에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 배치 및 구동 방식에 한정되지 아니한다. 예컨데, 상기 스캔 전극 라인(Y1 내지 Ym)들 중 2 개의 스캔 전극 라인이 동시에 스캐닝되는 듀얼 스캔(dual scan) 방식도 가능하다. 또한, 상기 어드레스 전극 라인(X1 내지 Xn)은 패널의 중앙 부분에서 상, 하로 분할되어 구동될 수도 있다.

도 3은 하나의 프레임(frame)을 복수의 서브필드로 나누어 시분할 구동시키는 방법에 대한 일실시예를 타이밍도로 도시한 것이다. 단위 프레임은 시분할 계조 표시를 실현하기 위하여 소정 개수 예컨대 8개의 서브필드들(SF1, ..., SF8)로 분할될 수 있다. 또한, 각 서브필드(SF1, ...SF8)는 리셋 구간(미도시)과, 어드레스 구간(A1, ..., A8)및, 서스테인 구간(S1, ..., S8)로 분할된다.

여기서, 본 발명의 일실시예에 따르면 리셋 구간은 복수 개의 서브필드 중 적어도 하나에서 생략될 수 있다. 예컨대, 리셋 구간은 최초의 서브필드에서만 존재하거나, 최초의 서브필드와 전체 서브필드 중 중간 정도의 서브필드에서만 존재할 수도 있다.

각 어드레스 구간(A1, ..., A8)에서는, 어드레스 전극(X)에 표시 데이터 신호가 인가되고, 각 스캔 전극(Y)에 상응하는 스캔 펄스가 순차적으로 인가된다.

각 서스테인 구간(S1, ...,S8)에서는, 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)에 서스테인 펄스가 교호하게 인가되어, 어드레스 구간(A1, ..., A8)에서 벽전하들이 형성된 방전셀들에서 서스테인 방전을 일으킨다.

플라즈마 디스플레이 패널의 휘도는 단위 프레임에서 차지하는 서스테인 방전 구간(S1, ..., S8)내의 서스테인 방전 펄스 개수에 비례한다. 1 화상을 형성하는 하나의 프레임이, 8개의 서브필드와 256계조로 표현되는 경우에, 각 서브필드에는 차례대로 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128의 비율로 서로 다른 서스테인 펄스의 수가 할당될 수 있다. 만일 133계조의 휘도를 얻기 위해서는, 서브필드1 구간, 서브필드3 구간 및 서브필드8 구간 동안 셀들을 어드레싱하여 서스테인 방전하면 된다.

각 서브필드에 할당되는 서스테인 방전 수는, APC(Automatic Power Control)단계에 따른 서브필드들의 가중치에 따라 가변적으로 결정될 수 있다. 즉, 도 3에서는 한 프레임을 8개의 서브필드로 분할하는 경우를 예로 들어 설명하였으나 본 발명은 그에 한정되지 아니하며, 한 프레임을 형성하는 서브필드의 수를 설계사양에 따라 다양하게 변형하는 것이 가능하다. 예를 들어, 한 프레임을 12 또는 16 서 브필드 등과 같이, 8 서브필드 이상으로 분할하여 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시킬 수 있다.

또한 각 서브필드에 할당되는 서스테인 방전 수는 감마특성이나 패널특성을 고려하여 다양하게 변형하는 것이 가능하다. 예컨대, 서브필드 4에 할당된 계조도를 8에서 6으로 낮추고, 서브필드 6 에 할당된 계조도를 32 에서 34 로 높일 수 있다.

도 4는 상기 분할된 하나의 서브필드에 대해, 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 구동 신호들에 대한 일실시예를 타이밍도로 도시한 것이다.

상기 서브필드는 스캔 전극들(Y) 상에 정극성 벽전하를 형성하고 서스테인 전극들(Z) 상에 부극성 벽전하를 형성하기 위한 프리 리셋(pre reset) 구간, 프리 리셋 구간에 의해 형성된 벽전하 분포를 이용하여 전 화면의 방전셀들을 초기화하기 위한 리셋(reset) 구간, 방전셀을 선택하기 위한 어드레스(address) 구간 및 선택된 방전셀들의 방전을 유지시키기 위한 서스테인(sustain) 구간을 포함한다.

리셋 구간은 셋업(setup) 구간 및 셋 다운(setdown) 구간으로 이루어지며, 상기 셋업 구간에서는 모든 스캔 전극으로 상승 램프 파형(Ramp-up)이 동시 인가되어 모든 방전셀에서 미세 방전이 발생되고, 이에 따라 벽전하가 생성된다. 상기 셋다운 구간에는 상기 상승 램프 파형(Ramp-up)의 피크 전압보다 낮은 정극성 전압에서 하강하는 하강 램프파형(Ramp-down)이 모든 스캔 전극(Y)으로 동시에 인가되어 모든 방전셀에서 소거방전이 발생되고, 이에 따라 셋업 방전에 의해 생성된 벽전하 및 공간전하 중 불요 전하를 소거시킨다.

어드레스 구간에는 스캔 전극으로 부극성의 스캔 신호(scan)가 순차적으로 인가되고, 이와 동시에 상기 어드레스 전극(X)으로 정극성의 데이터 신호(data)가 인가된다. 이러한 상기 스캔 신호(scan)와 데이터 신호(data) 간의 전압 차와 상기 리셋 구간 동안 생성된 벽전압에 의해 어드레스 방전이 발생 되어 셀이 선택된다. 한편, 상기 셋다운 구간과 어드레스 구간 동안에 상기 서스테인 전극에는 서스테인 전압을 유지하는 신호가 인가된다.

상기 서스테인 구간에는 스캔 전극과 서스테인 전극에 교번적으로 서스테인 펄스가 인가되어 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 면방전 형태로 서스테인 방전이 발생된다.

도 4에 도시된 구동 파형들은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 신호들에 대한 일실시예로서, 상기 도 4에 도시된 파형들에 의해 본 발명은 한정되지 아니한다. 예컨데, 상기 프리 리셋 구간이 생략될 수 있으며, 도 4에 도시된 구동 신호들의 극성 및 전압 레벨은 필요에 따라 변경이 가능하고, 상기 서스테인 방전이 완료된 후에 벽전하 소거를 위한 소거 신호가 서스테인 전극에 인가될 수도 있다. 또한, 상기 서스테인 신호가 스캔 전극(Y)과 서스테인(Z) 전극 중 어느 하나에만 인가되어 서스테인 방전을 일으키는 싱글 서스테인(single sustain) 구동도 가능하다.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조 방법에 대한 일실시예를 도시한 것이다.

도 5를 참조하면, 글라스(500) 상에 전극, 유전체층 및 격벽을 순차적으로 형성시킨다. 그 후, 상기 형성된 격벽의 위치를 검출하여 격벽에 의해 구획되는 방전셀들이 위치하는 영역(510)을 검출한 후, 상기 검출된 영역(510)의 위치에 맞추어 형광체층을 형성한다.

상기 격벽의 위치를 검출하는 방법에 대한 일실시예로, 격벽이 형성된 글라스(500) 상에 광을 조사한 후, 글라스(500)로부터 반사되는 광을 검출하여 검출된 광의 세기를 이용해 최외곽에 형성된 격벽의 위치를 검출할 수 있다.

도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 구조에 대한 실시예들을 단면도로 도시한 것이다.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 최외곽 격벽(610, 710)에 조사되는 광의 반사율을 높이고 위치 측정의 정확성을 높이기 위해, 최외곽 격벽(610, 710)의 경사면 기울기(θ2)를 내부 격벽(620, 720)의 경사면 기울기(θ2)보다 완만하도록 기울여 형성하는 것이 바람직하다.

도 6을 참조하면, 하부기판(600)상에 형성된 최외곽 격벽(610)의 하단폭(a)을 내부 격벽(620)의 하단폭(c)보다 크게 함으로써, 최외곽 격벽(610)의 경사면 기울기(θ2)를 내부 격벽(620)의 경사면 기울기(θ1)보다 작게 할 수 있다.

광을 조사하는 광원의 위치에 따라 광의 반사율을 최대화하여 측정의 정확성을 높이기 위해, 최외곽 격벽(610)의 경사면 기울기(θ2)는 40도 내지 80도의 값을 가질 수 있다. 또한, 내부 격벽(620)의 경사면 기울기(θ1)는 패널의 개구율을 확보하기 위해 최외곽 격벽(610)의 경사면 기울기(θ2)보다 큰 81도 내지 90도의 값 을 가질 수 있다.

패널의 개구율을 최대한 확보하는 것을 고려하면, 최외곽 격벽(610)의 경사면 기울기(θ2)가 상기와 같은 범위의 값을 가지기 위해 최외곽 격벽(610)의 하단폭(a)은 상단폭(b)의 1.1배 내지 1.8배일 수 있다.

또한, 도 6에 도시된 격벽 구조의 경우, 최외곽 격벽(610)의 하단폭(a)이 내부 격벽(620)의 하단폭(c) 또는 상단폭(d)의 1.1배 내지 1.8배일 수 있으며, 최외곽 격벽(610)의 상단폭(b)이 내부 격벽(620)의 하단폭(c) 또는 상단폭(d) 비슷한 값을 가질 수 있다.

도 6에 도시된 바와 같이, 최외곽 격벽(610)의 하단폭을 증가시킴에 따라 최외곽 격벽(610)과 그에 인접하는 내부 격벽(620) 사이의 간격(d2)이 서로 인접한 두 내부 격벽들(620, 630) 사이의 간격(d1)보다 작아질 수 있다.

도 7을 참조하면, 하부기판(700)상에 형성된 최외곽 격벽(710)의 상단폭(b)을 내부 격벽(720)의 상단폭(d)보다 작게 하여, 최외곽 격벽(710)의 경사면 기울기(θ2)를 내부 격벽(720)의 경사면 기울기(θ1)보다 작게 할 수 있다. 이 경우에도, 광을 조사하는 광원의 위치에 따라 광의 반사율을 최대화하여 측정의 정확성을 높이기 위해, 최외곽 격벽(710)의 경사면 기울기(θ2)는 40도 내지 80도의 값을 가질 수 있으며, 최외곽 격벽(710)의 하단폭(a)은 상단폭(b)의 1.1배 내지 1.8배일 수 있다.

도 6 및 도 7에서는 최외곽에 위치하는 하나의 격벽만이 그 내부의 격벽에 비해 경사면 기울기 및 하단폭 대비 상단폭의 비율이 작은 경우를 일실시예로 하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에 관하여 설명하였으나, 상기 도 6 및 도 7에서 도시된 바와 같은 최외곽 격벽의 구조는 패널의 외곽에 위치하는 2 이상의 격벽에 적용될 수도 있다.

도 8은 내지 도 10은 격벽을 이용한 얼라인먼트(alignment) 방법에 대한 실시예를 설명하기 위한 도시한 것이다.

외곽 격벽(830)을 포함하는 복수의 격벽들(830, 840, 850, 860)이 형성된 하부기판(800)에 광원(810)을 이용하여 광을 조사한다. 상기 조사된 광들은 복수의 격벽들(830, 840, 850, 860) 및 전극 또는 유전체층이 형성된 하부기판(800)에 의해 반사되고, 광 센서(820)는 상기 반사되는 광을 검출한다.

도 9는 광센서(820)에 의해 검출된 반사광에 따른 광센서(820) 출력 신호에 대한 예를 그래프로 도시한 것이다.

광센서(820)에 의해 검출되는 반사광의 세기는 상기 반사광이 반사되는 지점의 높이에 비례한다. 따라서 광센서(820)에 의해 검출되는 반사광의 세기를 분석하면, 광을 반사하는 격벽들(830, 840, 850, 860)을 포함하는 하부 기판(700) 각 부분의 높낮이를 알 수 있다.

도 9를 참조하면, 광센서(820)의 출력인 반사광의 세기는 격벽의 위치에 따라 변화된다. 따라서 도 9에 도시된 그래프에서 최외곽 격벽에 대응되는 부분 중 일정한 기준 값(ref)을 가지는 부분의 위치(X)를 검출하면, 최외곽 격벽(830)의 일정한 높이에 해당하는 부분의 위치를 검출할 수 있다.

도 10을 참조하면, 최외곽 격벽(910)을 포함하는 복수의 격벽들(910, 920, 930, 940)의 형성된 하부 기판 또는 광원(950)을 도시된 방향으로 이동시키면서, 상기 도 9를 참조하며 설명한 방법을 이용하여 최외곽 격벽(830)의 일정한 높이에 해당하는 부분의 위치를 연속하여 검출하면, 최외곽 격벽(830)의 위치 변화를 검출할 수 있다.

상기와 같은 방법에 의해 검출된 최외곽 격벽(830)의 위치 변화에 따라 형광체 디스펜싱(dispensing) 위치를 변화시키면서 형광체층을 형성하면, 형광체층의 얼라인먼트(alignment)를 실시간으로 방전셀에 맞추어 조정할 수 있다.

도 11은 다면취 공법을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 대한 실시예를 설명하기 위해 도시한 것으로, 다면취 공법은 하나의 글라스 기판(1000)를 이용하여 2 이상의 패널(1010, 1020, 1030, 1040, 1050, 1060)을 제조하는 방법이다.

도 11에 도시된 바와 같이, 다면취 공법을 이용하는 경우 각 패널의 하부 기판이 틀어지게 형성되는 경우가 있을 수 있다.

이 경우, 상기 도 5 내지 도 10을 참조하여 설명한 최외곽 격벽 위치 검출을 통한 얼라인먼트 방법을 이용하는 경우, 모든 패널들(1010, 1020, 1030, 1040, 1050, 1060) 각각에 대해 용이하게 얼라인먼트를 맞추는 것이 가능하다.

상기에서는 패널의 하부 기판에 형광체층을 형성하는 경우를 예로 들어 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하였으나, 그 이외에 격벽의 위치에 따라 얼라인먼트가 가능한 모든 제조 과정에 적용이 가능하다.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 기술하였지만, 본 발명이 속 하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위에 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형 또는 변경하여 실시할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.

상기한 바와 같이 구성되는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조 방법 및 그에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에 의하면, 하부기판에 형성된 격벽의 위치에 따라 형광체층을 형성하도록 함으로써, 형광체 형성 오차를 감소시킬 수 있으며, 하부기판의 실시간 얼라인이 가능토록하여 패널 제조 작업의 용이성 및 효율성을 향상시킬 수 있다. 특히, 다면취 공법을 이용한 패널 제조 시에 하부 기판의 틀어짐을 용이하게 보상할 수 있다.

Claims (11)

1. 상부기판;

   상기 상부기판에 형성되는 복수의 제1 전극들 및 제2 전극들;

   상기 상부기판과 대향하여 배치되는 하부기판; 및

   상기 하부기판에 형성되는 복수의 제3 전극들; 및

   방전셀을 구획하기 위해 상기 하부기판에 형성되는 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 구비하고,

   상기 격벽의 상단과 하단 중 하단의 폭이 더 넓으며, 상기 패널의 최외곽에 형성된 최외곽 격벽의 하단 폭(a) 및 상단 폭(b), 상기 최외곽 격벽보다 상기 패널의 내부에 형성된 내부 격벽의 하단 폭(c) 및 상단 폭(d)이 다음의 수학식을 만족하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.

   b/a < d/c
2. 제1항에 있어서,

   상기 최외곽 격벽의 하단 폭(a)은 상단 폭(b)의 1.1배 내지 1.8배인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 내부 격벽의 하단 폭(c)은 상단 폭(d)의 1배 내지 1.1배인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 최외곽 격벽의 하단 폭(a)은 상기 내부 격벽의 하단 폭(c)의 1.1배 내지 1.8배인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
5. 제1항에 있어서,

   상기 내부 격벽의 상단 폭(d)은 상기 최외곽 격벽의 상단 폭(b)의 1.1배 내지 1.8배인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
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