이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 형광체는 황화물 결정상(sulide crystallographic phase); 및 산화물 결정상(oxide crystallographic phase);을 포함하되, 황화물 결정상 및 산화물 결정상이 혼재된 다중상 화합물과 다중상 화합물을 활성화시키는 활성체(activator)를 포함한다.
황화물 결정상은 티오메탈레이트(thiometallate)류이고, 산화물 결정상은 알칼리 토금속 산화물류일 수 있다.
티오메탈레이트의 화학식은 A1M1 2S4이고, 식 중, A1는 마그네슘, 칼슘, 스트론 튬, 아연, 카드뮴, 및 바륨으로 구성된 군으로부터 선택되고, M1은 알루미늄, 갈륨, 이트륨 및 스칸듐으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다.
일실시형태에 따르면, 티오메탈레이트는 스트론튬 티오갈레이트(SrGa2S4)이다.
알칼리 토금속 산화물의 화학식은 A2M2 2O4이고, 식 중, A2는 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 아연, 카드뮴, 및 바륨으로 구성된 군으로부터 선택되고, M2은 알루미늄, 갈륨, 이트륨 및 스칸듐으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다.
일실시형태에 따르면, 알칼리 토금속 산화물은 마그네슘 갈륨 옥사이드(MgGa2O4)일 수 있다.
바람직하게는, 활성체는 하나 또는 그 이상의 희토류 원소일 수 있다.
특히, 활성체는 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 프로메튬, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨, 이테르븀, 및 루테튬으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 원소를 포함할 수 있다.
또한, 형광체는 보조활성체(co-activator);를 더 포함하는데, 보조활성체는 염소, 브롬, 및 리튬으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 원소를 포함할 수 있다.
일실시형태에 따르면, 형광체가 [{SrGa2S4}·{MgGa2O4}]: Eu2 +이다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 발광원; 및 발광원으로부터 방사되는 광을 흡수하여 발광하는 형광체;를 포함하는 발광장치로서, 형광체는 황화물 결정상 및 산화물 결정상을 포함하되, 황화물 결정상 및 산화물 결정상이 혼재된 다중상 화합물과 함께 다중상 화합물을 활성화시키는 활성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치가 제공된다.
발광원은 발광 다이오드 및 레이저 중 어느 하나이고, 발광원으로부터 방사하는 광의 파장이 약 400 내지 약 480 nm 인 것이 바람직하다.
또한, 발광장치에 포함되는 형광체는 [{SrGa2S4}·{MgGa2O4}]: Eu2 +일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 형광체는 황화물 결정상(sulfide crystallographic phase); 및 산화물 결정상(oxide crystallographic phase);을 포함하되, 황화물 결정상 및 산화물 결정상이 혼재된 다중상 화합물과 함께 다중상 화합물을 활성화시키는 활성체를 포함한다.
본 발명에 따른 형광체는 발광장치에 이용될 수 있는데, 특히 일실시형태에 따르면, 형광체는 녹색광을 발하며 청색 발광 다이오드 및 적색 형광체와 함께 사용되어 백색 발광 장치를 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 형광체는 적어도 두개의 다른 결정학상의 상들에 기반한다. 하나는 황화물 결정상이고, 다른 하나는 산화물 결정상이다. 황화물 결정상 및 산화물 결정상들은 독립된 형광체로서 단순히 혼합되어 있는 것이 아니라 형광체내에 혼재되어 화합물로서 존재한다. 예컨대, 2개의 결정상이 하나의 결정 그레인내에 혼재될 수 있다. 형광체는 황화물결정상 및 산화물결정상을 임의의 비율로 포함할 수 있다.
바람직하게는 황화물 결정상이 티오메탈레이트(thiometallate)류일 수 있다. 이 티오메탈레이트는 A1M1 2S4의 화학식을 가질 수 있다. 여기서, A1는 2가 양이온 금속으로서, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 아연, 카드뮴, 및 바륨으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. 또한, M1은 3가 양이온으로서, 알루미늄, 갈륨, 이트륨 및 스칸듐으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. 특히, 티오메탈레이트는 스트론튬 티오갈레이트(SrGa2S4)이다.
산화물 결정상은 알칼리 토금속 산화물류일 수 있다. 이 알칼리 토금속 산화물은 A2M2 2O4의 화학식을 갖을 수 있다. 여기서, A2는 2가 양이온 금속으로서, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 아연, 카드뮴, 및 바륨으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. 또한, M2은 3가 양이온으로서, 알루미늄, 갈륨, 이트륨 및 스칸듐으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. 특히, 알칼리 토금속 산화물은 마그네슘 갈륨 옥사이드(MgGa2O4)이다.
따라서, 황화물 결정상이 스트론튬 티오갈레이트(SrGa2S4)이고, 산화물 결정상이 마그네슘 갈륨 옥사이드(MgGa2O4) 이라면, 형광체는 다음의 조성식 (1)로 표현되는 조성을 갖는다:
[{SrGa2S4}·{MgGa2O4}]:M (I)
Sr 원소는 Mg 원소에 비하여 더 작은 음전하를 갖는다. 스트론튬 티오갈레이트 형광체에서 양이온-음이온 결합인 Sr-S의 길이는 3.12 Å으로서, 2.05 Å인 마그네슘 디갈륨 옥사이드 {MgGa2O4}에서의 Mg-O의 길이보다 길다. 즉, Sr-S 결합은 Mg-O 결합보다 더 약한 공유결합성을 나타내고, 전자구름 팽창효과(nephelauxetic effect)는 SrGa2S4가 MgGa2O4보다 더 약하다.
더 센 전자구름 팽창효과 또는 중심 이동(centroid shift)는 피크파장을 이동시키는데, 본 발명의 [{SrGa2S4}·{MgGa2O4}]:M의 피크파장은 SrGa2S4의 피크파장인 535 nm에서 540 nm로 이동한다. 또한, SrGa2S4는 MgGa2O4보다 더 약한 공유결합성과 전자구름 팽창효과를 갖는 이유로 그 안정성이 MgGa2O4보다 더 낮다. 따라서, SrGa2S4가 단독으로 사용되는 경우보다 MgGa2O4와 함께 사용되는 경우가 더 큰 안정성을 부여한다.
화학식 (I)에서, M은 활성체(activator)이다. 활성체는 황화물 결정상 및 산화물 결정상을 활성화시킨다. 활성체는 하나 또는 그 이상의 희토류 원소일 수 있다.
특히, 활성체는 희토류 원소인 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 프로메튬, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨, 이테르븀, 및 루테튬으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 원소를 포함할 수 있다. 특히 활성체가 유로퓸(Eu)일 수 있다.
형광체는 보조활성체(co-activator)를 더 포함할 수 있다. 보조활성체는 활성체와 함께 형광체에 도핑되어 활성체가 형광체를 활성화시키는 작업을 보조한다. 보조활성체는 염소, 브롬, 및 리튬으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 티오메탈레이트는 스트론튬 티오갈레이트(SrGa2S4)이고, 알칼리 토금속 산화물은 마그네슘 갈륨 옥사이드(MgGa2O4)이며, 활성체는 Eu 인 경우, 형광체는 [{SrGa2S4}·{MgGa2O4}]: Eu2 +일 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 형광체는 LED 또는 레이저 다이오드와 같은 광원에 의해 방사된 고효율 청색광을 흡수하여 광원으로부터 흡수된 광의 파장보다 더 긴 파장을 갖는 광을 방사할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 녹색 형광체를 포함하는 발광장치(100)의 단면도이다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 발광원(100); 및 발광원(100)으로부터 방사되는 광을 흡수하여 발광하는 형광체(105, 107)를 포함하는 발광장치(100)로서, 형광체(105, 107)는 황화물 결정상 및 산화물 결정상;을 포함하되, 황화물 결정상 및 산화물 결정상이 혼재된 다중상 화합물 및 이와 함께 다중상 화합물을 활성화시키는 활성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치(100)가 제공된다.
본 발광장치(100)에 사용될 수 있는 발광원(110)은 발광 다이오드 및 레이저 중 어느 하나일 수 있다.
발광다이오드나 레이저를 사용하는 경우, 발광다이오드나 레이저는 전원을 인가받아 발광을 하게 되고, 발광장치(100)에 포함된 형광체(105, 107)는 발광원(110)으로부터의 광을 흡수하여 발광하게 된다. 이 때, 형광체(105, 107)는 흡수된 광의 파장보다 더 긴 파장을 갖는 광을 방사한다. 특히, 발광원(110)으로부터 방사하는 광의 파장은 형광체의 발광효율을 고려하여, 약 400 내지 약 480 nm 인 것이 바람직하다.
발광장치(100)의 몸체(101)는 반사판을 구비할 수 있어서, 발광원(110)으로부터의 빛을 보다 효율적으로 방사할 수 있게 한다. 반사판은 몸체(101)의 양단부에 형성되어 몸체(101)의 형상을 컵형상이 되도록 한다. 몸체(101)상에 발광원(110)이 안착되면, 형광체(105, 107)들이 분산된 수지를 컵 형상의 몸체(101)위로 투입하여 발광장치(100)를 봉지하게 된다.
본 발명에 따른 발광장치(100)에는 하나 또는 그 이상의 형광체(105, 107)가 포함될 수 있는데, 본 발명의 일실시예에 따른 형광체가 녹색 형광체(105)인 경우, 발광장치(100)에는 이외에 공지의 적색 형광체(107)를 포함시킬 수 있다. 그에 따라 발광원(110)이 청색을 나타내는 경우라면 발광장치(100)는 백색 발광장치가 될 수 있다.
이하의 실시예에서는 본 발명에 따른 형광체를 합성하는 방법을 설명한다. 이하의 실시예는 단지 본 발명에 따른 형광체를 합성하는 방법을 설명하기 위하여 기술된 것일 뿐이므로 전술한 방법에 한정되지 않고, 다른 출발물질 및 합성 방법이 동일한 결과 및 화합물을 얻는데 이용될 수 있을 것이다.
<형광체 합성>
본 발명에 따른 [SrGa2S4]·[MgGa2O4]:Eu2 + 형광체를 합성하기 위한 출발물질로서, 분말화된 금속 술피드(metal sulfide)(MS) 및 Ga2S3를 사용할 수 있다. M은 마그네슘 및 스트론튬 중 어느 하나 또는 양자를 모두 포함할 수 있다.
먼저, 마그네슘 및 스트론튬 설페이트를 제조하기 위해 칼슘 및 스트론튬 카보네이트와 같은 용해성 염 용액을 제조한다. 그 후, 설페이트 염을 황산으로 침전시키고, 상청액을 따라 버린 뒤, 과량의 산을 제거하기 위해 설페이트를 세척하고, 침전물을 건조시킨다.
원하는 몰비로 혼합한 후에, 활성원소 즉, 활성체를 증류수 또는 탈이온화수 및/또는 이소프로필 알코올, 메탄올, 에탈올, 등등과 같은 용매를 슬러리 부형제로서 사용하여 혼합물에 혼합(slur)되도록 한다. 슬러리로서 혼합하는 방법 이외에, 건조 혼합 또한 가능하다.
활성체는 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 프로메튬, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨, 이테르븀, 및 루테튬 중 적어도 어느 하나일 수 있는데, 이러한 활성체는 각각 원소의 화합물 또는 염이나, 각 원소의 술피드, 옥사이드 또는 카보네이트 형태로 사용하여 첨가할 수 있다.
혼합은 모르타르(mortar), 막자(pestle), 볼 밀(ball mill), 그라인더와 같은 종래의 혼합 수단을 이용하여 완전히 혼합한다. 결과물은 바람직하게는 순수한 95%N2+5%H2 (또는 H2S) 스트림하에서 약 1000℃ 범위의 온도에서 4시간동안 소성되고 그 결과로 [SrGa2S4]·[MgGa2O4]:Eu2 + 화합물이 생성되게 된다.
소성 후 H2S를 이용하여 결과물을 냉각시킨다. 이 때 결과물에서 황이 농축되는 것을 방지하기 위하여 H2S 대신 아르곤 가스를 사용할 수 있다. 출발물질 및 사용물질의 순도를 조절하여 결과물인 형광체의 순도를 높여 결정상들이 높은 순도로 형광체에 포함되도록 하는 것이 바람직하다.
도 2a 및 도 2b는 단일상인 SrGa2S4 샘플 및 다중상인 Eu가 도핑된 [SrGa2S4]·[MgGa2O4] 샘플의 XRD(X선 회절분석)패턴을 나타내는 도면이다.
도 2a를 참조하면, 단일상 형광체 SrGa2S4:Eu2 +의 XRD 패턴을 통하여 그의 결정구조를 알 수 있다. 이론상 계산결과인 산술값과 무기결정구조 데이터 상의 SrGa2S4의 그래프와 비교하여, 실험에 사용된 SrGa2S4 샘플이 SrGa2S4임을 확인할 수 있다.
이와 마찬가지로, 도 2b는 다중상 형광체의 샘플에 대한 XRD(X선 회절분석)패턴이다. 이론상 계산결과인 산술값과 무기결정구조 데이터 상의 SrGa2S4, MgGa2O4, SrGa2S4, 및 MgGa2O4의 각각의 데이터를 비교하여, 샘플내에, SrGa2S4, MgGa2O4, SrGa2S4, 및 MgGa2O4 이 각각 존재하고 있음을 확인하였다. 또한, 참조데이터를 기초로 하면 샘플내에 62.19%의 SrGa2S4, 27.8%의 MgGa2O4, 6.87 %의 SrGa2S4, 및 2.32%의 MgGa2O4가 존재하고 있음이 확인되었다.
도 3은 Eu가 도핑된 [SrGa2S4]·[MgGa2O4](1) 및 SrGa2S4:Eu2 +(2)의 여기 스펙트럼을 나타내는 도면이다. 전술한 바와 같이, 더 센 전자구름 팽창효과 또는 중심 이동(centroid shift)이 피크파장을 이동시켜 SrGa2S4:Eu2 +의 피크파장인 535 nm가 Eu가 도핑된 [SrGa2S4]·[MgGa2O4]의 경우에는 피크파장이 540 nm로 이동된 것을 확인할 수 있다. 또한, 동일한 535nm의 발광파장에서, Eu가 도핑된 [SrGa2S4] ·[MgGa2O4]의 강도가 SrGa2S4:Eu2 +`의 강도보다 더 세며, Eu가 도핑된 [SrGa2S4]·[MgGa2O4]은 발광원의 파장이 400 nm 내지 480 nm 인 경우, 형광체의 발광효율이 높은 것을 알 수 있었다.
도 4는 Eu가 도핑된 [SrGa2S4]·[MgGa2O4](1) 및 SrGa2S4(2)의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다. Eu가 도핑된 [SrGa2S4]·[MgGa2O4]이 단일상 스트론튬 티오갈레이트보다 더 강한 강도를 갖는 스펙트럼을 발광하는 것을 확인할 수 있다. 이러한 발광스펙트럼은 [SrGa2S4]상과 [MgGa2O4]상의 포함비율을 조절하여, 그 강도 및 발광효율을 조절할 수 있다.
더욱 상세하게, 이하의 표 1에서는 Eu가 도핑된 [SrGa2S4]·[MgGa2O4] 및 단일상 스트론튬 티오갈레이트 발광 스펙트럼의 강도, 발광정도, 반치전폭(Full Width Half Maximum, FWHM), 및 피크파장이 비교되어 있다.
|
[SrGa2S4]·[MgGa2O4]:Eu2 + |
SrGa2S4:Eu2 + |
강도(%) |
114 |
100 |
발광(%) |
110 |
100 |
FWHM(nm) |
44 |
49 |
피크 파장(nm) |
540 |
535 |
Eu가 도핑된 [SrGa2S4]·[MgGa2O4]는 강도나 발광정도면에서 단일상 스트론튬 티오갈레이트보다 더 높은 수준을 나타내고 있다. 또한, 반치전폭에서는 더 작은 수치를 나타내고 있다. 반치전폭이 더 작기 때문에, 더 좁은 영역에서 더 높은 강도를 나타내어 백색 발광장치에 사용시 발광효율이 높아지게 된다. 피크 파장은 도 4에 나타난대로 이동되었다.
도 5는 Eu가 도핑된 [SrGa2S4]·[MgGa2O4](3)의 발광 스펙트럼을 피크파장을 535 nm 에서 갖는 SrGa2S4(1) 및 다른 상들(2)로 분해하여 나타낸 도면이다. Eu 도핑된 [SrGa2S4]·MgGa2O4]의 발광 스펙트럼을 535 nm에서의 피크파장을 갖는 SrGa2S4 (1) 및 다른 상들(2)로 분해한 결과, MgGa2O4상의 추가로 SrGa2S4 형광체와 비교하여 볼때 강도가 약 15% 정도 증가되었다는 것이 나타난다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.