KR100833287B1 - 반도체소자 몰딩장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자가 부착된 기판을 상ㆍ하부금형 내에 위치시켜 열경화성수지로 몰딩하는 반도체소자 몰딩장치에 관한 것으로, 상기 하부금형은 상기 기판의 저면을 진공 흡착하기 위해 형성된 복수개의 진공홀과, 상기 진공홀 내에 각각 위치되어 상기 기판이 안착될 때는 하강되고 상기 기판을 몰딩할 때는 상승되어 상기 진공홀을 폐쇄시키는 복수개의 승강핀, 및 상면이 상기 상부금형과 밀착될 때 상기 승강핀을 상승시키고 상기 상부금형과 이격될 때 상기 승강핀을 하강시키는 핀 승강부를 포함하는 것이 특징이다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 의하면, 기판의 몰딩시 상기 기판의 저면을 진공 흡착하는 진공홀을 차폐시켜 용융된 열경화성수지가 상기 진공홀 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Figure R1020070029714
기판, 몰딩, 반도체소자, 캐비티, 금형, 수지, EMC, PKG

Description

반도체소자 몰딩장치{Semiconductor molding device}
도 1은 종래의 반도체소자 몰딩장치의 하부금형을 도시한 사시도,
도 2는 종래의 반도체소자 몰딩장치의 하부금형에 안착된 기판에 열경화성수지가 몰딩된 상태의 일부분을 도시한 사시도,
도 3은 본 발명의 반도체소자 몰딩장치의 분리 사시도,
도 4는 본 발명의 반도체소자 몰딩장치의 하부금형을 도시한 평면도,
도 5는 본 발명의 반도체소자 몰딩장치의 도 4에 도시된 A-A부의 단면도,
도 6은 본 발명의 반도체소자 몰딩장치의 도 5에 도시된 B부의 확대도,
도 7은 본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 구비된 핀 구동부의 사시도,
도 8은 본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 구비된 핀 구동부의 저면 사시도,
도 9는 본 발명의 반도체소자 몰딩장치의 캐비티블럭에 기판이 안착되는 상태의 일부분을 도시한 단면도,
도 10은 본 발명의 반도체소자 몰딩장치의 하부금형에 상부금형이 밀착된 상태의 일부분을 도시한 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 포트블럭 110 : 수지공급홀
200a,200b : 캐비티블럭 210 : 진공홀
211 : 개폐공 212 : 흡입안내공
220 : 기판감지핀 230 : 실링부재
300 : 가이드블럭 310,410,420 : 승강안내홀
400 : 하부하우징 500 : 핀 승강부
510 : 고정블럭 511 : 절개홈
512a,512b : 지지벽면 520 : 동력전달부재
521a,521b,521c : 힌지홀 530 : 접촉핀
540 : 승강운동부재 540a : 승강바
540b : 승강플레이트 550 : 승강핀
560 : 스프링 600 : 기판
TM : 상부금형 BM : 하부금형
EMC : 열경화성수지 H1,H2,H3 : 힌지
P : 플런저
본 발명은 반도체소자 몰딩장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체가 부착된 기판을 몰딩할 때, 용융된 열경화성수지가 하부금형에 구비되어 기판을 흡착하는 진공홀 내부로 유입되는 것을 방지하는 반도체소자 몰딩장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체소자를 몰딩하는 금형은 반도체 칩이 와이어 본딩된 리드프레임이나 기판(PCB)에서, 상기 반도체 칩 및 와이어 등이 외부 환경으로부터 보호될 수 있도록 열경화성수지(EMC)로 감싸는 데 이용된다.
첨부된 도 1은 종래의 반도체소자를 제조하는 금형 중 하부금형을 도시한 도면이다. 상기 하부금형(1)은 크게 하부하우징(10)과, 상기 하부하우징(10)의 상측에 결합되는 한 쌍의 캐비티블럭(20a,20b)과, 상기 캐비티블럭(20a,20b) 사이에 위치되고.. 상기 하부하우징(10)의 중심부 상측에 위치되는 포트블럭(30)과, 상기 캐비티블럭(20a,20b)의 외측면을 감싸는 캐비티가이드블럭(40)으로 크게 구분된다.
상기 하부하우징(10)은 상기 캐비티블럭(20a,20b)과 상기 포트블럭(30), 그리고, 상기 캐비티가이드블럭(40) 등 다수의 부재들을 지지하는 역할을 한다.
상기 캐비티블럭(20a,20b)은 한 쌍으로 구비되고, 실질적으로 기판이 놓여지는 부분이다. 상기 기판은 상기 캐비티블럭(20a,20b)에 진공 흡착되거나, 상기 캐비티블럭(20a,20b)에 별도의 요홈부를 형성시켜 상기 기판이 상기 캐비티블럭(20a,20b)의 상면에 큰 오차 없이 놓여질 수 있도록 하는 부재이다.
상기 포트블럭(30)은 상기 캐비티블럭(20a,20b) 사이에 위치되고, 다수개의 홀(31)이 형성되어 있다. 상기 홀(31)에는 하부에 구비된 플런저(미도시)로부터 열경화성수지(EMC)가 공급되는 것이다.
상기 캐비티가이드블럭(40)은 상기 하부하우징(10)의 상측에 결합되고, 상기 캐비티블럭(20a,20b)의 외측면을 감싸도록 위치된다. 즉, 상기 캐비티블럭(20a,20b)의 위치를 잡아주기 위한 역할을 하는 부재이다.
상기한 바와 같이 구성된 종래의 반도체소자를 제조하는 금형의, 캐비티블럭(20a,20b)에 몰딩할 기판을 위치시키고, 하부금형(1)과 상부금형(미도시)을 밀착시킴으로써 기판을 몰딩하는 것이다. 즉, 플런저가 열경화성수지를 포트블럭(30)에 형성된 홀(31)을 통해 공급되고, 상기 열경화성수지가 고온 고압에 의해 용융된다. 이후, 용융된 상기 열경화성수지는 상부금형에 구비된 런너를 통해 상기 탑캐비티블럭 및 캐비티블럭(20a,20b)의 내측으로 충진되어 반도체 칩을 보호할 수 있도록 기판에 몰딩되는 것이다.
여기서, 상기 기판이 상기 캐비티블럭(20a,20b)에 안착되면, 상기 캐비티블럭(20a,20b)에 형성된 진공홀(22)을 통해 상기 기판을 흡착하게 된다. 이는 상기 기판의 저면이 상기 캐비티블럭(20a,20b)의 상면에 안착되는 밀착률을 높이기 위한 것으로, 이 밀착률이 낮아지게 되면 기판이 휘어진 상태에서 몰딩이 되어 불량률이 증가하게 되는 것이다.
그런데, 첨부된 도 2에서 보는 바와 같이, 전 공정에서 상기 기판의 일부분이 찢어진 상태의 불량 기판이 공급되어 상기 캐비티블럭(20a,20b)에 안착 됐을 경우, 상기 열경화성수지가 기판의 찢어진 틈 사이로 흘러들어가 상기 진공홀(22) 내부로 유입되는 문제점이 발생되었다.
이 경우, 후속 기판을 몰딩하고자 할 때 상기 진공홀(22)에서 상기 기판을 흡착하지 못하게 되고, 몰딩하고자 하는 기판이 휘어지게 되어 불량률이 높아지게 되는 문제점이 발생되고 있었다.
따라서, 작업자는 상기 캐비티블럭(20a,20b)을 떼어내어 그 내부로 관통된 진공홀(22)을 개별적으로 뚫어주고 있었다. 이처럼 상기 하부금형(1)을 분해하고, 조립하는 시간이 대략 8시간 정도 걸리며 숙련된 작업자라 할지라도 5시간 정도의 시간이 소요되고 있었다.
이러한 정비 공정시간으로 인해서 제품의 생산성이 낮아지게 된다. 그리고, 제품을 납품하는 기한을 충족시키기 위해서는 제품의 생산율을 높여야 하는데, 이는 고가의 금형을 다수 구비해야만 하는 2차적 경제 손실도 빚어지게 되는 것이다.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 기판을 몰딩할 때 용융된 열경화성수지가 캐비티블럭의 진공홀 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있는 반도체소자 몰딩장치를 제공하는 데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자 몰딩장치는, 반도체소자가 부착된 기판을 상ㆍ하부금형 내에 위치시켜 열경화성수지로 몰딩하는 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 하부금형은, 상기 기판의 저면을 진공 흡착하기 위해 형성된 복수개의 진공홀; 상기 진공홀 내에 각각 위치되어 상기 기판이 안착될 때는 하강되고, 상기 기판을 몰딩할 때는 상승되어 상기 진공홀을 폐쇄시키는 복수개의 승강핀; 및 상면이 상기 상부금형과 밀착될 때 상기 승강핀을 상승시키고, 상기 상부금형과 이격될 때 상기 승강핀을 하강시키는 핀 승강부;를 포함하는 것이 특징이다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 하부금형은, 상기 기판이 안 착되고 상기 진공홀 및 상기 승강핀이 설치되는 캐비티블럭; 및 상기 캐비티블럭의 외주면을 감싸고, 용융되는 열경화성수지가 외부로 유출되는 것을 방지하기 위한 실링부재가 구비된 가이드블럭;을 포함하며, 상기 핀 승강부는, 상기 캐비티블럭과 상기 가이드블럭의 하부에 설치된다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 핀 승강부는, 상기 하부금형의 하부에 설치되어 중심부가 힌지로 회동되는 동력전달부재; 상기 동력전달부재의 일단에 연결되고, 상기 상부금형과의 접촉 유무에 따라 승강되는 접촉핀; 상기 동력전달부재의 타단에 연결되고, 상기 승강핀과 연결되는 승강운동부재;가 포함된다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 핀 승강부는, 상기 캐비티블럭의 하부에 설치되어 중심부가 힌지로 회동되는 동력전달부재; 상기 동력전달부재의 일단에 연결되고, 상기 상부금형과의 접촉 유무에 따라 상기 가이드블럭 내에서 수직방향으로 승강되는 접촉핀; 상기 동력전달부재의 타단에 연결되고, 상기 승강핀과 연결되는 승강운동부재;가 포함된다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 핀 승강부는, 상기 접촉핀, 또는 상기 승강핀의 동작에 따라 구동되는 진공기;가 더 포함된다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 핀 승강부는, 상기 승강운동부재의 상면에 지지되어 상기 승강핀을 탄력적으로 하강시키는 스프링;이 더 포함된다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 승강운동부재는, 상기 동력 전달부재와 연결된 승강바; 상기 승강바의 상단에 연결되고, 복수개의 상기 승강핀의 하단이 고정되는 승강플레이트;가 더 포함된다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 핀 승강부는, 복수개로 구비된다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 캐비티블럭은, 상기 기판의 접촉 유무를 판단하는 기판감지핀;이 더 구비된다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 진공홀은, 상기 승강핀의 승강을 안내하는 개폐공; 상기 개폐공의 하측 방향으로 연장되고, 이 개폐공보다 더 큰 직경을 갖는 흡입안내공;을 포함하며, 상기 개폐공을 통해 흡입되는 진공은 상기 흡입안내공과 상기 승강핀 사이로 유입된다.
본 발명의 반도체소자 몰딩장치에 있어서, 상기 기판감지핀은, 상기 기판을 진공 흡착하는 진공기와 연결되어 이 기판감지핀이 하강될 때 상기 진공기가 동작된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 반도체소자 몰딩장치의 구성 및 작용효과를 설명하도록 한다.
도시된 도 3내지 도 6에서 보는 바와 같이, 상기 반도체소자 몰딩장치에 구비된 하부금형(BM : bottom mold)은, 플런저(P)에 의해 고체 형태의 열경화성수지(EMC)가 상ㆍ하부금형(TM,BM) 내부로 공급되고, 상기 열경화성수지(EMC)가 고온에서 용융되어 기판(600)을 몰딩시키는 장치를 일예로 도시하였다.
즉, 이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 상기 반도체소자 몰딩장치의 구성 및 작용효과를 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명의 반도체소자 몰딩장치는 금형 외부로부터 분말 형태의 열경화성수지를 금형 내부로 공급하고, 용융시켜 기판(600)을 몰딩시키는 구성에도 적용될 수 있음은 당연하다.
상기 하부금형(BM)은 포트블럭(100), 캐비티블럭(200a,200b), 가이드블럭(300), 하부하우징(400), 및 핀 승강부(500)로 크게 구성된다.
상기 포트블럭(100)은 상기 열경화성수지(EMC)가 공급되는 부재로서, 길이 방향을 따라 다수개의 수지공급홀(110)이 형성된다. 도시된 도면에서는 상기 수지공급홀(110)의 개수를 8개로 도시하였으나, 이 개수는 상기 하부금형(BM)의 전체적인 크기에 따라 달라진다. 또한, 상기 포트블럭(100)은 그 하측에 다수개의 가압부가 구비된 플런저(P)와 연결된다. 즉, 상기 가압부는 상기 수지공급홀(110)의 개수만큼 동일한 개수로 구비되고, 상기 플런저(P)는 서보모터의 구동력에 의해 상기 열경화성수지(EMC)를 상기 수지공급홀(110)의 하측에서 상측으로 밀어 넣는 것이다.
상기 캐비티블럭(200a,200b)은 몰딩하기 위한 기판(600)이 안착되는 것으로서, 상기 포트블럭(100)의 양측에 각각 배치된다. 또한, 상기 캐비티블럭(200a,200b)은 다수개의 진공홀(210)이 형성되고, 별도의 진공기에 의해서 상기 기판(600)의 저면을 흡착하게 된다. 즉, 상기 캐비티블럭(200a,200b)은 그 평면 형상이 직사각의 형태로 구비되고, 상기 진공홀(210)은 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 가장자리에 위치된다.
상기 진공홀(210)은 개폐공(211)과 흡입안내공(212)으로 크게 구성되며 후술되는 이젝트핀이 위치된다. 상기 개폐공(211)은 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 상면에 구비된 홀이고, 상기 흡입안내공(212)은 상기 개폐공(211)과 연통되어 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 하부 방향으로 형성된다. 여기서, 상기 진공홀(210)은 복수개, 바람직하게는 수십 개 이상으로 구비되고, 상기 개폐공(211)은 그 직경이 가장 바람직하게는 1mm 내외로 구비된다. 그리고, 상기 흡입안내공(212)은 상기 개폐공보다 더 큰 직경을 갖는다.
또한, 상기 캐비티블럭(200a,200b)에는 상기 진공홀(210)과는 별개로 소수의 기판감지핀(220)이 위치된다. 이 기판감지핀(220)은 기판(600)이 상기 캐비티블럭(200a,200b)에 안착된 상태를 감지하는 역할을 하는 것이다.
한편, 상기 가이드블럭(300)은 한 쌍의 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 테두리를 감싸는 부재로서, 상기 캐비티블럭(200a,200b)과 전술되어진 포트블럭(100)을 안정적으로 설치하기 위한 것이다. 그리고, 상기 가이드블럭(300)의 상면에 별도의 실링부재(230)가 구비되어 상기 열경화성수지의 유출을 방지할 수도 있다.
상기 하부하우징(400)은 상기 캐비티블럭(200a,200b)과 상기 가이드블럭(300)을 안정적으로 지지하기 위한 것으로서, 상기 하부하우징(400)의 상면에 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 하면과 상기 가이드블럭(300)의 하면이 각각 밀착되도록 결합된다. 또한, 상기 하부하우징(400)과 상기 가이드블럭(300)에는 서로 연통되도록 동일한 위치에 승강안내홀(310,410)이 각각 형성된다. 상기 승강안내홀(310,410)은 후술되는 핀 승강부(500)에 구비된 접촉핀(530)의 승강을 안내하는 역할을 하게 된다.
한편, 첨부된 도 7과 도 8에서 보는 바와 같이, 상기 핀 승강부(500)는 상기 캐비티블럭(200a,200b)과 상기 가이드블럭(300)의 하부에 위치되며, 고정블럭(510), 동력전달부재(520), 접촉핀(530), 그리고 승강운동부재(540)로 크게 구성된다.
상기 고정블럭(510)은 하나의 핀 승강부(500)마다 상기 하부하우징(400)의 하측에 각각 고정 결합된다. 상기 고정블럭(510)은 그 상단이 상기 하부하우징(400)의 하면에 별도의 체결부재를 이용하여 고정되는 것이다. 또한, 상기 고정블럭(510)에는 절개홈(511)이 형성되는데, 상기 절개홈(511)은 상부가 폐쇄되고, 하부가 개방된 상태로 구비된다. 그리고, 상기 절개홈(511)으로 인해 형성된 양측의 지지벽면(512a,512b)에는 횡 방향으로 회동안내홀이 각각 형성된다.
상기 동력전달부재(520)는 횡 방향으로 길이를 갖도록 구비되며 3개의 힌지홀(521a,521b,521c)이 형성된다. 즉, 상기 동력전달부재(520)의 중심부와 양 단에 각각 상기 힌지홀(521a,521b,521c)이 형성되는 것이다. 상기 동력전달부재(520)의 중심부에 위치된 힌지홀(521a)은 상기 고정블럭(510)의 지지벽면(512a,512b)에 형성된 회동안내홀에 힌지(H1)로 연결된다. 또한, 상기 동력전달부재(520)의 양단에는 각각 접촉핀(530)과 승강운동부재(540)가 힌지(H2,H3)로 연결된다.
상기 접촉핀(530)은 원기둥의 형상을 가지며 상단은 반구 형상의 라운드로 구비된다. 그리고, 상기 접촉핀(530)의 하단이 상기 동력전달부재(520)에 힌지(H2)로 연결되는 것이다. 또한, 상기 접촉핀(530)은 전술되어진 가이드블럭(300)과 하 부하우징(400)에 각각 형성된 승강안내홀(310,410) 내에 위치된다. 또한, 상기 접촉핀(530)은 그 초기상태에서 상단 일부분이 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 상면에서 상측 방향으로 노출되도록 위치된다.
상기 승강운동부재(540)는 승강바(540a)와 승강플레이트(540b)로 크게 구성된다. 상기 승강바(540a)는 그 하단이 상기 동력전달부재(520)에 힌지(H3)로 연결된다. 이 승강바(540a)는 상기 하부하우징(400) 내에 위치되며, 상기 접촉핀(530)의 타측 방향에 형성된 또 다른 승강안내홀(420)에 대하여 승강이 안내된다.
그리고, 상기 승강플레이트(540b)는 상기 승강바(540a)의 상단에 결합된다. 상기 승강플레이트(540b)는 평면에서 봤을 때 정사각 형상을 가지며, 평판의 플레이트로 구비된다. 도시된 도면에서는 두 개의 승강플레이트(540b)가 이격된 상태로 도시하였으며, 승강핀(550)이 두 개의 승강플레이트(540b) 사이에 고정되도록 도시하였다. 그러나, 하나의 승강플레이트(540b) 상기 승강핀(550)의 하단이 고정될 수도 있다.
또한, 상기 승강플레이트(540b)는 전술되어진 캐비티블럭(200a,200b) 내부에 위치된다. 즉, 초기상태에서 상기 승강플레이트(540b)의 하면은 하부하우징(400)의 상면에 밀착된 상태로 위치되는 것이다.
그리고, 상기 승강플레이트(540b)에는 앞서 언급한 바와 같이 다수개의 승강핀(550)이 결합된다. 도시된 도면에서 보는 바와 같이, 하나의 승강플레이트(540b)에는 대략 15개 내외의 승강핀(550)이 결합되도록 구비된다.
한편, 상기 핀 승강부(500)에는 스프링(560)이 더 구비될 수도 있다. 즉, 상 기 승강플레이트(540b)의 상면에 상기 스프링(560)의 하단이 지지되고, 상단은 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 내부 상면에 지지되는 것이다. 따라서, 상기 승강플레이트(540b)는 그 초기 상태가 상기 스프링(560)의 탄성력에 의해서 하측 방향으로 하강된 상태를 갖게 되는 것이다.
이상과 같이 구성된 본 발명의 반도체소자 몰딩장치의 사용상태 설명 및 이를 이용한 반도체소자 몰딩방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 반도체소자를 몰딩하기 위한 기판(600)이 별도의 공급장치에 의해서 캐비티블럭(200a,200b)의 상면에 안착된다. 이때, 핀 승강부(500)는 도시된 도 9에서 보는 바와 같은 초기 상태를 갖게 된다. 즉, 상기 핀 승강부(500)에 구비된 접촉핀(530)의 상단은 가이드블럭(300)의 상면에서 외부로 돌출된 상태로 위치되고, 승강핀(550)은 진공홀(210) 내에서 하측 방향으로 하강된 상태를 갖게 된다. 따라서, 상기 진공홀(210)에 구비된 개폐공(211)은 개방된 상태를 갖게 되는 것이다.
그리고, 상기 기판(600)이 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 상면에 안착될 때, 상기 기판(600)의 하면은 상기 캐비티블럭(200a,200b)에 구비된 기판감지핀(220)에 안착되어 천천히 하강된다. 이때, 진공기에서 공기를 흡입하게 되는데, 하부하우징(400)과 캐비티블럭(200a,200b)의 내부를 통해 상기 진공홀(210)로 공기가 유입되는 것이다. 즉, 상기 진공홀(210)을 통해서 상기 기판의 하면이 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 상면에 진공 흡착되는 것이다. 이 과정은 기판(600)이 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 상면에 안정적으로 안착되어 상기 기판(600)이 휘어지는 것을 방지하게 되는 것이다.
이후, 상기 하부금형(BM)이 상승하거나 상부금형(TM)이 하강, 또는 상기 상부금형(TM)과 상기 하부금형(BM)이 각각 동시에 구동되어 상기 상ㆍ하부금형(TM,BM)이 서로 밀착된다. 이때, 상기 상부금형(TM)은 상기 하부금형(BM)의 가이드블럭(300) 상면에 돌출된 접촉핀(530)에 접촉되면서 상기 접촉핀(530)을 하강시키게 된다. 여기서, 상기 상부금형(TM)은 상기 하부금형(BM)의 상면에 완전히 밀착될 때까지 하강되면서 상기 접촉핀(530)도 상기 상부금형(TM)과 동일하게 하강되는 것이다.
상기 접촉핀(530)이 하강되면 그 하단에 힌지(H1,H2,H3)로 연결된 동력전달부재(520)가 회동된다. 즉, 상기 동력전달부재(520)는 그 중심부가 고정블럭(510)에 힌지(H1)로 고정되기 때문에, 상기 접촉핀(530)과 연결된 힌지(H2)로 연결된 일측은 하강된다.
그러면, 상기 접촉핀(530)의 타측에 힌지(H3)로 연결된 승강바(540a)가 상승하게 되고, 다수개의 승강핀(550)이 고정된 승강플레이트(540b)도 동일한 높이로 상승되게 된다. 이때, 상기 승강핀(550)은 캐비티블럭(200a,200b)에 형성된 진공홀(210) 내에서 상승되면서 이 진공홀(210)에 구비된 개폐공(211)을 차폐하게 되는 것이다.
상기 승강핀(550)이 상기 개폐공(211)을 차폐할 때 진공기가 동작되어 기판의 진공 흡입을 중지시키게 된다. 이 진공기는 앞서도 언급했듯이 기판감지핀(220)의 구동에 따라 동작되기도 한다. 즉, 상기 기판감지핀(220)이 하강되면 기판(600) 이 상기 캐비티블럭(200a,200b)의 상면에 안착되는 것이므로, 상기 진공기가 동작되어 상기 기판(600)을 흡입하게 된다. 또한, 상기 승강핀(550)이 상승되어 상기 개폐공(211)을 차폐할 경우에는 상기 진공기의 동작을 정지시켜 공기의 흡입을 중단하게 되는 것이다.
그리고, 기판이 상부금형(TM)과 하부금형(BM) 내에 위치되면 플런저(P)에서 열경화성수지(EMC)가 포트블럭(100)에 형성된 수지공급홀(110)을 통해 공급되고, 상기 상부금형(TM)에 구비된 히팅부에서 상기 열경화성수지(EMC)가 용융된다. 이후, 용융된 상기 열경화성수지(EMC)는 상기 상부금형(TM)에 구비된 런너를 통해 상기 캐비티블럭(200a,200b)과 상기 상부금형(TM)에 구비된 탑캐비티블럭의 공간 사이로 흐르게 되어 상기 기판(600)을 몰딩하게 된다.
따라서, 상기 기판(600)의 몰딩시 상기 기판(600)의 일부분이 찢어진 불량 기판(600)이 공급되어도 상기 진공홀(210) 내부로 용융된 열경화성수지(EMC)가 유입되지 않게 되는 것이다.
이상과 같이 이루어진 본 발명의 반도체소자 몰딩장치는, 기판의 몰딩시 상기 기판의 저면을 진공 흡착하는 진공홀을 차폐시켜 용융된 열경화성수지가 상기 진공홀 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
따라서, 진공홀의 막힘 현상으로 인해 안착된 기판을 진공 흡착할 수 없어 기판이 휘어지는 것을 방지할 수 있는 것이다.
그리고, 진공홀의 막힘 현상이 발생되지 않아 하부금형을 분해 및 조립하는 정비를 하지 않아도 되는 것이다.
또한, 기판이 캐비티블럭의 상면에 안착될 때, 기판감지핀이 하강되어 상기 진공홀을 자동으로 개방시키고, 이때 진공기가 동작되어 상기 기판의 저면을 자동으로 진공 흡착할 수 있다.
뿐만 아니라, 상부금형과 하부금형이 밀착될 때, 접촉핀이 상기 상부금형과 접촉되어 상기 진공홀을 자동으로 차폐시킬 수 있으며, 이때 진공기가 자동으로 정지되어 불필요한 공기 유입을 차단할 수 있다.

Claims (11)

  1. 반도체소자가 부착된 기판을 상ㆍ하부금형 내에 위치시켜 열경화성수지로 몰딩하는 반도체소자 몰딩장치에 있어서,
    상기 하부금형은,
    상기 기판의 저면을 진공 흡착하기 위해 형성된 복수개의 진공홀;
    상기 진공홀 내에 각각 위치되어 상기 기판이 안착될 때는 하강되고, 상기 기판을 몰딩할 때는 상승되어 상기 진공홀을 폐쇄시키는 복수개의 승강핀; 및
    상면이 상기 상부금형과 밀착될 때 상기 승강핀을 상승시키고, 상기 상부금형과 이격될 때 상기 승강핀을 하강시키는 핀 승강부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 몰딩장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 하부금형은,
    상기 기판이 안착되고 상기 진공홀 및 상기 승강핀이 설치되는 캐비티블럭; 및
    상기 캐비티블럭의 외주면을 감싸고, 용융되는 열경화성수지가 외부로 유출되는 것을 방지하기 위한 실링부재가 구비된 가이드블럭;을 포함하되,
    상기 핀 승강부는, 상기 캐비티블럭과 상기 가이드블럭의 하부에 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 핀 승강부는,
    상기 하부금형의 하부에 설치되어 중심부가 힌지로 회동되는 동력전달부재;
    상기 동력전달부재의 일단에 연결되고, 상기 상부금형과의 접촉 유무에 따라 승강되는 접촉핀;
    상기 동력전달부재의 타단에 연결되고, 상기 승강핀과 연결되는 승강운동부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 핀 승강부는,
    상기 캐비티블럭의 하부에 설치되어 중심부가 힌지로 회동되는 동력전달부재;
    상기 동력전달부재의 일단에 연결되고, 상기 상부금형과의 접촉 유무에 따라 상기 가이드블럭 내에서 수직방향으로 승강되는 접촉핀;
    상기 동력전달부재의 타단에 연결되고, 상기 승강핀과 연결되는 승강운동부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 핀 승강부는,
    상기 접촉핀, 또는 상기 승강핀의 동작에 따라 구동되는 진공기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
  6. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 핀 승강부는,
    상기 승강운동부재의 상면에 지지되어 상기 승강핀을 탄력적으로 하강시키는 스프링;이 더 포함된 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 승강운동부재는,
    상기 동력전달부재와 연결된 승강바;
    상기 승강바의 상단에 연결되고, 복수개의 상기 승강핀의 하단이 고정되는 승강플레이트;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
  8. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 핀 승강부는,
    복수개로 구비된 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 캐비티블럭은,
    상기 기판의 접촉 유무를 판단하는 기판감지핀;이 더 구비된 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 진공홀은,
    상기 승강핀의 승강을 안내하는 개폐공;
    상기 개폐공의 하측 방향으로 연장되고, 이 개폐공보다 더 큰 직경을 갖는 흡입안내공;을 포함하되,
    상기 개폐공을 통해 흡입되는 진공은 상기 흡입안내공과 상기 승강핀 사이로 유입되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 기판감지핀은,
    상기 기판을 진공 흡착하는 진공기와 연결되어 이 기판감지핀이 하강될 때 상기 진공기가 동작되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100962619B1 (ko) * 2008-02-27 2010-06-11 세크론 주식회사 기판 고정 장치 및 이를 포함하는 반도체 패키지 제조용몰딩 장치
KR101065553B1 (ko) * 2009-05-29 2011-09-19 심완보 반도체 장치 제조용 금형의 하부구조
KR101089801B1 (ko) * 2009-03-12 2011-12-08 티에스테크놀로지 주식회사 반도체 패키지 제조용 금형 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000013176A (ko) * 1998-08-05 2000-03-06 윤종용 공압을 이용한 패키지 분리핀을 포함하는 성형 금형
KR20060050860A (ko) * 2004-08-31 2006-05-19 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 기판 설치 스테이지 및 기판의 흡착 및 박리 방법
KR20060070141A (ko) * 2004-12-20 2006-06-23 삼성전자주식회사 클리닝 핀을 갖는 반도체 칩 패키지 몰딩 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000013176A (ko) * 1998-08-05 2000-03-06 윤종용 공압을 이용한 패키지 분리핀을 포함하는 성형 금형
KR20060050860A (ko) * 2004-08-31 2006-05-19 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 기판 설치 스테이지 및 기판의 흡착 및 박리 방법
KR20060070141A (ko) * 2004-12-20 2006-06-23 삼성전자주식회사 클리닝 핀을 갖는 반도체 칩 패키지 몰딩 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100962619B1 (ko) * 2008-02-27 2010-06-11 세크론 주식회사 기판 고정 장치 및 이를 포함하는 반도체 패키지 제조용몰딩 장치
KR101089801B1 (ko) * 2009-03-12 2011-12-08 티에스테크놀로지 주식회사 반도체 패키지 제조용 금형 장치
KR101065553B1 (ko) * 2009-05-29 2011-09-19 심완보 반도체 장치 제조용 금형의 하부구조

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