KR100819115B1 - Unit for supporting a substrate, apparatus for processing the substrate and method of supporting the substrate using the same - Google Patents

Unit for supporting a substrate, apparatus for processing the substrate and method of supporting the substrate using the same Download PDF

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KR100819115B1 KR1020060132343A KR20060132343A KR100819115B1 KR 100819115 B1 KR100819115 B1 KR 100819115B1 KR 1020060132343 A KR1020060132343 A KR 1020060132343A KR 20060132343 A KR20060132343 A KR 20060132343A KR 100819115 B1 KR100819115 B1 KR 100819115B1
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Abstract

A substrate support unit, a substrate processing apparatus, and a substrate support method using the same are provided to uniformly perform a process for a substrate by spacing the substrate support unit from the substrate while a spin chuck supports the substrate. A contact portion is coupled to one end of a body(110), and comes in contact with a substrate. A elastic portion(120) is coupled to the other end of the body, and has elasticity. A first magnet(140) is coupled to the elastic portion, and a second magnet(150) is spaced apart from the first magnet, and moves the contact to come in contact with the substrate by using a magnetic force between the first magnet and the second magnet. The second magnet is moved by a driving unit(160). The contact portion has a ball-shaped boss formed on an end thereof.

Description

기판 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 지지 방법{UNIT FOR SUPPORTING A SUBSTRATE, APPARATUS FOR PROCESSING THE SUBSTRATE AND METHOD OF SUPPORTING THE SUBSTRATE USING THE SAME}Substrate Support Unit, Substrate Processing Apparatus and Substrate Supporting Method Using The Same {UNIT FOR SUPPORTING A SUBSTRATE, APPARATUS FOR PROCESSING THE SUBSTRATE AND METHOD OF SUPPORTING THE SUBSTRATE USING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a support unit according to an embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.2A is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a에 도시된 스핀 척이 기판을 지지한 상태를 도시한 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view showing a state in which the spin chuck shown in FIG. 2A supports a substrate.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a substrate supporting method according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 기판 지지 유닛 110 : 몸체부100: substrate support unit 110: body portion

120 : 탄성부 130 : 접촉부120: elastic portion 130: contact portion

135 : 돌기 140 : 제1 자성체135: protrusion 140: first magnetic material

150 : 제2 자성체 160 : 구동부150: second magnetic material 160: drive part

200: 기판 처리 장치 210 : 스테이지200: substrate processing apparatus 210: stage

220 : 스핀 척220: spin chuck

본 발명은 기판 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 지지 방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 기판에 대한 처리를 수행하기 위하여 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 지지 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support unit, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate support method using the same, and more particularly, a substrate support unit supporting a substrate to perform a process on the substrate, and a substrate processing apparatus including the same. And a substrate supporting method using the same.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하고, 상기 박막으로부터 전기적 특성을 갖는 박막 패턴으로 형성함으로서 제조된다. Generally, a semiconductor device is manufactured by forming a predetermined thin film on a silicon wafer used as a semiconductor substrate and forming a thin film pattern having electrical properties from the thin film.

상기 박막 패턴은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 화학적 기계적 연마(CMP) 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. 상기와 같은 단위 공정들에서는 웨이퍼를 지지하고, 고정시키는 척이 사용된다. 반도체 장치의 미세화 및 대용량화를 요구하는 웨이퍼 가공 기술에서는 매엽식 가공 공정 및 건식 가공이 선호됨에 따라 웨이퍼를 고정하는 방법도 크게 변하고 있다. The thin film pattern is formed by sequential or repeated performance of unit processes such as chemical vapor deposition, sputtering, photolithography, etching, ion implantation, chemical mechanical polishing (CMP), and the like. In such unit processes, a chuck for supporting and fixing a wafer is used. In the wafer processing technology that requires miniaturization and large capacity of semiconductor devices, the method of fixing wafers is also greatly changed as the sheet processing and the dry processing are preferred.

종래의 경우 단순히 클램프 또는 진공을 이용하여 웨이퍼를 고정시키는 척(chuck)이 주로 사용되고 있다. 특히, 기판에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정 공정의 경우 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 핀(support pin)이 필수적인 장치로 사용되고 있다. 지지 핀은 세정 공정을 수행하는 동안 기판을 지지하여 기판을 수평 으로 유지시켜서, 세정액이 기판 상에 균일하게 공급되도록 한다. 따라서, 지지 핀은 기판 상에 잔류하는 이물질을 용이하게 제거할 수 있도록 한다. In the related art, a chuck that fixes a wafer by simply using a clamp or a vacuum is mainly used. In particular, in the cleaning process of removing foreign matter remaining on the substrate, a support pin for supporting the wafer is used as an essential device. The support pins support the substrate during the cleaning process to keep the substrate horizontal, so that the cleaning liquid is uniformly supplied onto the substrate. Thus, the support pins can easily remove foreign matter remaining on the substrate.

하지만, 지지 핀이 기판의 이면과 접촉하여 기판을 지지하는 경우, 지지 핀과 접촉하는 기판의 접촉 부분에 세정액이 잔류할 수 없다. 따라서, 상기 지지 핀이 기판과 접촉하는 접촉 부분에 잔류하는 이물질이 제거되지 않을 수 있다. 또한,지지 핀은 세정액의 유동을 방해하여 세정액이 기판 상에 균일하게 분포하는 것을 방해할 수 있다.However, when the support pin contacts the back surface of the substrate to support the substrate, the cleaning liquid cannot remain in the contact portion of the substrate in contact with the support pin. Therefore, foreign matter remaining in the contact portion where the support pin contacts the substrate may not be removed. In addition, the support pins may impede the flow of the cleaning liquid and may prevent the cleaning liquid from being evenly distributed on the substrate.

본 발명의 일 목적은 안정하게 기판을 지지하고 기판으로부터 이격될 수 있는 기판 지지 유닛을 제공하는데 있다.One object of the present invention is to provide a substrate support unit that can stably support a substrate and can be spaced apart from the substrate.

본 발명의 다른 목적은 안정하게 기판을 지지하고 기판으로부터 이격될 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which can stably support a substrate and can be spaced apart from the substrate.

본 발명의 또 다른 목적은 안정하게 기판을 지지하고 기판으로부터 이격될 수 있는 기판 지지 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate supporting method which can stably support a substrate and can be spaced apart from the substrate.

상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛은 몸체부, 상기 몸체부의 일측 단부와 연결되어 기판과 접촉하는 접촉부, 상기 몸체부의 타측 단부와 연결되며, 탄성을 가지는 탄성부, 상기 탄성부와 연결되는 자성을 갖는 제1 자성체 및 상기 제1 자성체와 이격되어, 상기 제1 자성체간의 자력을 이용하여 상기 접촉부를 상기 기판과 접촉하거나 이격시키는 제2 자성체를 포함 한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 자성체들은 상호 동일한 극성을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 자성체들은 상호 반대의 극성을 가질 수 있다. 또한, 상기 탄성부는 스프링을 포함할 수 있다. 또한, 상기 접촉부는 단부에 볼 형상의 돌기를 포함할 수 있다. The substrate support unit according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a body portion, a contact portion which is connected to one end of the body portion in contact with the substrate, is connected to the other end of the body portion, the elastic portion having elasticity And a first magnetic body having a magnet connected to the elastic part and a second magnetic body spaced apart from the first magnetic body to contact or space the contact part with the substrate by using a magnetic force between the first magnetic bodies. Here, the first and second magnetic bodies may have the same polarity. In addition, the first and second magnetic bodies may have opposite polarities. In addition, the elastic portion may include a spring. In addition, the contact portion may include a ball-shaped protrusion at the end.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛은 상기 제2 자성체를 상하로 이동시키는 구동부를 더 포함할 수 있다.The substrate support unit according to an embodiment of the present invention may further include a driving unit for moving the second magnetic material up and down.

상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 배치되는 스테이지, 상기 스테이지를 관통하며, 회전 가능한 스핀 척 및 상기 스테이지를 관통하여, 상기 스핀 척이 기판으로부터 이격될 경우 상기 기판을 지지하며, 몸체부, 상기 몸체부의 일측 단부와 연결되어 상기 기판과 접촉하는 접촉부, 상기 몸체부의 타측 단부와 연결되며 탄성을 가지는 탄성부, 상기 탄성부와 연결되는 자성을 갖는 제1 자성체 및 사기 제1 자성체와 이격되어 상기 제1 자성체간의 자력을 이용하여 상기 접촉부를 상기 기판과 접촉하거나 이격시키는 제2 자성체를 구비하는 기판 지지 유닛을 포함한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 자성체들은 상호 동일한 극성을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 자성체들은 상호 반대의 극성을 가질 수 있다. 또한, 상기 탄성부는 스프링을 포함할 수 있다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a process chamber, a stage disposed in the process chamber, a spin chuck penetrating through the stage, and through the stage, the spin chuck When the substrate is spaced apart from the substrate supporting the substrate, the body portion, the contact portion which is connected to one end of the body portion in contact with the substrate, the elastic portion is connected to the other end of the body portion and has an elasticity, the elastic portion is connected And a substrate support unit including a first magnetic body having a magnetic property and a second magnetic body spaced apart from the first magnetic material, the second magnetic body contacting or spaced apart from the contact portion by using a magnetic force between the first magnetic bodies. Here, the first and second magnetic bodies may have the same polarity. In addition, the first and second magnetic bodies may have opposite polarities. In addition, the elastic portion may include a spring.

상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 방법에 있어서, 제1 및 제2 자성체들 간에 자력으로 기판 지지 유닛이 기판과 접촉한다. 이후, 상기 기판을 회전 척이 지지한다. 이후, 상기 기판 지지 유닛을 복원력 으로 상기 기판으로부터 이격시킨다. 여기서, 상기 기판 지지 유닛을 기판으로부터 이격시키는 단계는 상기 제2 자성체를 제1 자성체로부터 이격시켜 상기 기판 지지 유닛에 포함된 탄성체를 복원시킬 수 있다. 또한, 상기 기판을 회전 척이 지지하는 단계는 상기 회전 척을 회전시켜 상기 회전척이 상기 기판의 측면과 접촉할 수 있다.In the substrate support method according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the substrate support unit is in contact with the substrate by a magnetic force between the first and second magnetic bodies. Thereafter, the substrate is supported by a rotary chuck. Thereafter, the substrate support unit is spaced apart from the substrate by a restoring force. The separating of the substrate support unit from the substrate may restore the elastic body included in the substrate support unit by separating the second magnetic body from the first magnetic body. In addition, the supporting of the substrate by the rotary chuck may rotate the rotary chuck so that the rotary chuck contacts the side surface of the substrate.

본 발명의 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 지지 방법에 의하면 스핀 척이 기판을 지지하는 동안 기판 지지 유닛이 기판으로부터 이격되어 기판에 대한 공정이 기판에 대하여 전체적으로 균일하게 진행될 수 있다. According to the substrate support unit, the substrate processing apparatus, and the substrate support method of the present invention, the substrate support unit is spaced apart from the substrate while the spin chuck supports the substrate so that the process for the substrate can be performed uniformly with respect to the substrate.

또한, 기판 지지 유닛이 세정 장치에 적용될 경우, 세정 공정의 진행중 기판 지지 유닛이 기판으로부터 이격됨으로써, 세정액이 균일하게 기판 이면에 전체적으로 균일하게 분포할 수 있다. 따라서, 기판의 이면에 잔류하는 이물질이 용이하게 제거될 수 있다.In addition, when the substrate support unit is applied to the cleaning apparatus, the substrate support unit is spaced apart from the substrate during the progress of the cleaning process, so that the cleaning liquid can be uniformly distributed on the entire back surface of the substrate. Therefore, foreign matter remaining on the back surface of the substrate can be easily removed.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 아울러, 도면들에 있어서, 기판 지지 유닛, 스테이지, 스핀 척등은 그 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어진 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 될 것이다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 기판을 대상으로 한정하고 있지만, 유리 기판 등에도 본 발명의 실시예를 확장시킬 수도 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. In addition, in the drawings, the substrate support unit, the stage, the spin chuck, etc. are somewhat exaggerated for clarity. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "immediately between," or "neighboring to," and "directly neighboring to" should be interpreted as well. In addition, although the Example of this invention limits a semiconductor substrate, the Example of this invention can also be extended also to a glass substrate.

기판 지지 유닛Board Support Unit

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 본 발명의 실시예들에 있어서, 기판은 반도체 기판, 유리 기판 및 인쇄 회로 기판을 포함할 수 있다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate support unit according to an embodiment of the present invention. In embodiments of the present invention, the substrate may include a semiconductor substrate, a glass substrate, and a printed circuit board.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛(100)은 몸체부(110), 접촉부(130), 탄성부(120), 제1 자성체(140) 및 제2 자성체(150)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate support unit 100 according to an embodiment of the present invention may include a body part 110, a contact part 130, an elastic part 120, a first magnetic body 140, and a second magnetic body 150. ).

몸체부(110)는, 예를 들면, 원기둥 형상을 가질 수 있다. 몸체부(110)의 단부들에는 후술하는 접촉부(130) 및 탄성부(120)가 각각 연결된다.The body 110 may have, for example, a cylindrical shape. End portions of the body portion 110 are connected to the contact portion 130 and the elastic portion 120 to be described later.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 몸체부(110)는 다각형 기둥 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 몸체부(110)는 사각 기둥, 오각 기둥의 형상을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the body portion 110 may have a polygonal pillar shape. For example, the body portion 110 may have a shape of a square pillar and a pentagonal pillar.

접촉부(130)는 몸체부(110)의 일측 단부와 연결된다. 접촉부(130)는 몸체부(110)의 외측면에 대하여 일정한 각도로 기울어질 수 있다. 즉, 접촉부(130)는 몸체부(110)로부터 멀어질수록 작아지는 직경을 가질 수 있다. 또한, 접부의 단부에는 후술하는 돌기(135)를 수용할 수 있는 홀이 형성될 수 있다.The contact portion 130 is connected to one end of the body portion 110. The contact portion 130 may be inclined at an angle with respect to the outer surface of the body portion 110. That is, the contact portion 130 may have a diameter that decreases away from the body portion 110. In addition, a hole may be formed at an end portion of the contact portion to accommodate the protrusion 135 to be described later.

탄성부(120)는 몸체부(110)의 타측 단부와 연결된다. 탄성부(120)는 후술하는 제1 자성체(140)와 연결된다. 따라서, 탄성부(120)는 일정 길이 초과로 신장되거나 상기 일정 길이 미만으로 수축될 경우, 복원력이 발생하게 된다.The elastic portion 120 is connected to the other end of the body portion 110. The elastic part 120 is connected to the first magnetic body 140 to be described later. Therefore, when the elastic part 120 extends beyond a predetermined length or shrinks below the predetermined length, a restoring force is generated.

탄성부(120)는 탄성력을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 탄성부(120)는, 예를 들면, 스프링을 포함한다. 이와 다르게, 탄성부(120)는 러버(rubber)등으로 형성될 수 있다.The elastic portion 120 may be formed of a material having an elastic force. The elastic part 120 includes a spring, for example. Alternatively, the elastic portion 120 may be formed of a rubber (rubber) or the like.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 몸체부(110)는 탄성부(120)를 수용할 수 있는 홀이 형성되어, 탄성부(120)는 상기 홀에 수용될 수 있다. 따라서, 전체적인 기판 지지 유닛(100)의 길이가 감소된다.In one embodiment of the present invention, the body portion 110 is formed with a hole that can accommodate the elastic portion 120, the elastic portion 120 may be accommodated in the hole. Thus, the overall length of the substrate support unit 100 is reduced.

제1 자성체(140)는 탄성부(120)와 연결된다. 제1 자성체(140)는 자석과 같은 상자성 물질로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 제1 자성체(140)는 철, 구리 등과 같은 강자성 물질로 형성될 수 있다.The first magnetic body 140 is connected to the elastic portion 120. The first magnetic body 140 may be formed of a paramagnetic material such as a magnet. Alternatively, the first magnetic body 140 may be formed of a ferromagnetic material such as iron, copper, or the like.

제1 자성체(140)는 후술하는 제2 자성체(150)간의 거리에 따른 자기력선을 형성한다. 따라서, 제1 자성체(140) 및 제2 자성체(150)간의 거리에 따른 자기력이 발생한다.The first magnetic body 140 forms a magnetic force line according to the distance between the second magnetic body 150 to be described later. Therefore, a magnetic force is generated according to the distance between the first magnetic body 140 and the second magnetic body 150.

제2 자성체(150)는 제1 자성체(140)와 이격되어 배치된다. 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)와 일정 거리를 초과하여 이격될 경우 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간의 자력을 극복하여 독립적으로 유동할 수 있다. 반면에 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)와 일정 거리 미만으로 가까울 경우, 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간의 자력에 의하여 구속된다. 예를 들면, 제1 및 제2 자성체(150)가 동일 극성을 가질 경우 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)에 가까워짐에 따라 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)로부터 멀어지는 척력이 생성된다. 이와 반대로, 제1 및 제2 자성체(150)들이 서로 다른 극성을 가질 경우, 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)에 가까워짐에 따라 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간과 가까워지는 인력이 생성된다.The second magnetic body 150 is disposed spaced apart from the first magnetic body 140. When the second magnetic body 150 is spaced apart from the first magnetic body 140 by more than a predetermined distance, the first magnetic body 140 may flow independently by overcoming the magnetic force between the second magnetic body 150. On the other hand, when the second magnetic body 150 is close to the first magnetic body 140 less than a certain distance, the first magnetic body 140 is constrained by the magnetic force between the second magnetic body (150). For example, when the first and second magnetic bodies 150 have the same polarity, as the second magnetic body 150 approaches the first magnetic body 140, the first magnetic body 140 may be separated from the second magnetic body 150. Repulsing forces are generated. On the contrary, when the first and second magnetic bodies 150 have different polarities, the first magnetic body 140 becomes the second magnetic body 150 as the second magnetic body 150 approaches the first magnetic body 140. The attraction is closer to the liver.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 및 제2 자성체(150)들이 상호 동일한 극성을 가질 수 있다. 따라서, 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)를 향하여 접근할 경우, 제1 및 제2 자성체(150)간에 척력이 발생한다. 그 결과, 제1 자성체(140)는 최초 위치에서부터 상승하게 된다. 따라서, 접촉부(130)는 상방에 배치된 기판과 접촉하게 됨으로써, 기판 지지 유닛(100)은 기판을 지지하게 된다. 한편, 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)를 향하여 멀어질 경우, 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간의 자기력으로부터 극복한다. 이때, 탄성부(120)는 상기 평균 위치로 이 동하려는 복원력에 의하여 상기 평균 위치로 복원된다. 그 결과, 제1 자성체(140)는 최초 위치로 복원되게 된다. 따라서, 접촉부(130)는 상방에 배치된 기판과 이격되게 된다In one embodiment of the present invention, the first and second magnetic bodies 150 may have the same polarity. Therefore, when the second magnetic body 150 approaches the first magnetic body 140, repulsive force is generated between the first and second magnetic bodies 150. As a result, the first magnetic body 140 is raised from the initial position. Therefore, the contact portion 130 comes into contact with the substrate disposed above, such that the substrate support unit 100 supports the substrate. Meanwhile, when the second magnetic body 150 moves away from the first magnetic body 140, the first magnetic body 140 overcomes the magnetic force between the second magnetic bodies 150. At this time, the elastic portion 120 is restored to the average position by the restoring force to move to the average position. As a result, the first magnetic body 140 is restored to the initial position. Therefore, the contact portion 130 is spaced apart from the substrate disposed above.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 제1 및 제2 자성체(140, 150)들이 서로 다른 극성을 가질 수 있다. 따라서, 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)로 접근할 경우, 제1 자성체(140) 및 제2 자성체(150)간에 인력이 발생한다. 제1 자성체(140)는 최초 위치에서 하강하게 된다. 따라서, 접촉부(130)는 상방에 배치된 기판과 이격되게 된다. 한편, 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)를 향하여 멀어질 경우, 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간의 자기력으로부터 극복한다. 이때, 탄성부(120)는 상기 평균 위치로 이동하려는 복원력에 의하여 상기 평균 위치로 복원된다. 그 결과, 제1 자성체(140)는 최초 위치로 상승하게 된다. 따라서, 접촉부(130)는 상방에 배치된 기판과 접촉하게 된다.In another embodiment of the present invention, the first and second magnetic bodies 140 and 150 may have different polarities. Therefore, when the second magnetic body 150 approaches the first magnetic body 140, an attraction force is generated between the first magnetic body 140 and the second magnetic body 150. The first magnetic body 140 is lowered at the initial position. Therefore, the contact portion 130 is spaced apart from the substrate disposed above. Meanwhile, when the second magnetic body 150 moves away from the first magnetic body 140, the first magnetic body 140 overcomes the magnetic force between the second magnetic bodies 150. At this time, the elastic portion 120 is restored to the average position by the restoring force to move to the average position. As a result, the first magnetic body 140 is raised to the initial position. Therefore, the contact portion 130 is in contact with the substrate disposed above.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 접촉부(130)는 기판과 접촉 충격을 완화시키기 위한 돌기(135)를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the contact portion 130 may include a protrusion 135 to mitigate contact impact with the substrate.

돌기(135)는 접촉부(130)의 최상부에 배치된다. 몸체부(110)의 내부에 돌기(135)를 수용할 수 있는 홀이 형성될 경우, 돌기(135)는 상기 홀보다 큰 직경을 가질 수 있다. 예를 들어, 돌기(135)는 베어링 형상을 가질 수 있다. 베어링 형상을 갖는 돌기(135)는 기판과의 접촉 면적을 증가시킴으로써 기판과의 접촉 충격을 완화시킬 수 있다.The protrusion 135 is disposed at the top of the contact portion 130. When a hole for accommodating the protrusion 135 is formed in the body 110, the protrusion 135 may have a larger diameter than the hole. For example, the protrusion 135 may have a bearing shape. The protrusion 135 having a bearing shape can mitigate contact impact with the substrate by increasing the contact area with the substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판 지지 유닛(100)은 구동부(160)를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the substrate support unit 100 may further include a driver 160.

구동부(160)는 제2 자성체(150)와 연결되어 제2 자성체(150)를 상하로 이동시킨다. 따라서, 구동부(160)가 제2 자성체(150)를 상하로 이동시킴에 따라 형성되는 자력에 의하여 접촉부(130)가 기판과 접촉하거나 이격되게 된다.The driving unit 160 is connected to the second magnetic body 150 to move the second magnetic body 150 up and down. Therefore, the contact unit 130 is in contact with or separated from the substrate by the magnetic force formed as the driving unit 160 moves the second magnetic body 150 up and down.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛(100)의 동작을 설명하기로 한다. 제1 및 제2 자성체(150)들은 서로 다른 극성을 가지는 경우로 설명하기로 한다.Hereinafter, the operation of the substrate support unit 100 according to an embodiment of the present invention will be described. The first and second magnetic bodies 150 will be described as having different polarities.

도 1을 참조하면, 구동부(160)에 의하여 제2 자성체(150)가 상승하게 된다. 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)로 일정 거리 미만으로 근접할 경우, 제1 및 제2 자성체(150)들간에 발생된 척력에 의하여 제1 자성체(140)는 탄성체를 밀어내어 탄성체는 평균 길이 이상으로 수축된다. 따라서, 탄성체와 연결된 몸체부(110) 및 접촉부(130)는 상승하게 되어 접촉부(130)가 기판과 접촉하게 된다. 그 결과, 기판 지지 유닛(100)은 기판을 지지한다.Referring to FIG. 1, the second magnetic body 150 is raised by the driving unit 160. When the second magnetic body 150 is close to the first magnetic body 140 by less than a predetermined distance, the first magnetic body 140 pushes the elastic body by the repulsive force generated between the first and second magnetic body 150, the elastic body Shrinks beyond the average length. Therefore, the body portion 110 and the contact portion 130 connected to the elastic body are raised so that the contact portion 130 is in contact with the substrate. As a result, the substrate support unit 100 supports the substrate.

이후, 구동부(160)는 제2 자성체(150)를 하강시킨다. 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)로부터 일정 거리 이상으로 이격될 경우, 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간의 자기력을 극복하게 된다. 이때, 수축된 탄성체는 복원력에 의하여 신장되고 접촉부(130)는 기판으로부터 이격된다.Thereafter, the driving unit 160 lowers the second magnetic body 150. When the second magnetic body 150 is spaced apart from the first magnetic body 140 by a predetermined distance or more, the first magnetic body 140 may overcome the magnetic force between the second magnetic body 150. At this time, the contracted elastic body is extended by the restoring force and the contact portion 130 is spaced apart from the substrate.

기판 처리 장치Substrate processing equipment

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면 도이다. 도 2b는 도 2a에 도시된 스핀 척이 기판을 지지한 상태를 도시한 단면도이다.2A is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2B is a cross-sectional view showing a state in which the spin chuck shown in FIG. 2A supports a substrate.

도 2a 및 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 챔버, 스테이지(210), 스핀 척(220) 및 기판 지지 유닛(100)을 포함한다.2A and 2B, a substrate processing apparatus 200 according to an embodiment of the present invention includes a chamber, a stage 210, a spin chuck 220, and a substrate support unit 100.

공정 챔버는 기판을 세정하는 공정이 수행할 수 있는 공간을 제공한다. 공정 챔버내에는 기판을 세정하기 위하여 요구되는 공정 조건, 예를 들면, 온도, 압력 및 습도등이 일정하게 유지된다.The process chamber provides a space in which the process of cleaning the substrate can be performed. Within the process chamber, the process conditions required for cleaning the substrate, such as temperature, pressure and humidity, are kept constant.

스테이지(210)는 공정 챔버 내에 배치된다. 스테이지(210)는, 예를 들면, 공정 챔버의 하부에 배치된다. 스테이지(210)는 회전 가능하다. 따라서, 스테이지(210)의 상부에 배치된 기판이 회전하게 됨에 따라 세정액이 기판 상에 균일하게 유동하여 기판 상에 잔류할 수 있는 이물질을 균일하게 제거할 수 있다.Stage 210 is disposed in a process chamber. The stage 210 is disposed below the process chamber, for example. The stage 210 is rotatable. Therefore, as the substrate disposed above the stage 210 is rotated, the cleaning liquid flows uniformly on the substrate to uniformly remove foreign substances that may remain on the substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 스테이지(210)는 구동축에 의하여 구동부(160)와 연결될 수 있다. 구동축에 의하여 구동부(160)와 연결된 스테이지(210)는 구동부(160)의 동작에 의하여 스테이지(210)가 회전할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the stage 210 may be connected to the drive unit 160 by a drive shaft. The stage 210 connected to the driving unit 160 by the driving shaft may rotate the stage 210 by the operation of the driving unit 160.

스핀 척(220)은 스테이지(210)를 관통하도록 배치된다. 스핀 척(220)은 기판의 주변부를 지지하도록 배치될 수 있다. The spin chuck 220 is disposed to penetrate the stage 210. The spin chuck 220 may be arranged to support the periphery of the substrate.

스핀 척(220)은 몸체 및 상기 몸체의 단부로부터 연장되어 기판을 지지하는 지지부를 포함한다. The spin chuck 220 includes a body and a support extending from an end of the body to support the substrate.

지지부는 몸체와 서로 다른 중심축을 가진다. 예를 들면, 지지부는 몸체의 상면의 주변부에 형성될 수 있다. 지지부는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 따라서 스핀 척(220)이 회전함에 따라 지지부는 기판의 측면과 접촉하여 기판을 지지할 수 있다. 반대로 지지부는 기판의 측면과 이격될 수 있다.The support has a central axis different from the body. For example, the support may be formed at the periphery of the upper surface of the body. The support may have a cylindrical shape. Therefore, as the spin chuck 220 rotates, the support may contact the side of the substrate to support the substrate. In contrast, the support may be spaced apart from the side of the substrate.

기판 지지 유닛(100)은 스테이지(210)를 관통하여 형성된다. 기판 지지 유닛(100)은 스핀 척(220)이 기판으로부터 이격될 경우, 기판 지지 유닛(100)이 기판을 지지한다. 따라서, 기판 지지 유닛(100)과 스핀척은 교대로 기판을 지지한다.The substrate support unit 100 is formed through the stage 210. The substrate support unit 100 supports the substrate when the spin chuck 220 is spaced apart from the substrate. Thus, the substrate support unit 100 and the spin chuck alternately support the substrate.

기판 지지 유닛(100)은 몸체부(110), 접촉부(130), 탄성부(120), 제1 자성체(140) 및 제2 자성체(150)를 포함한다.The substrate support unit 100 includes a body portion 110, a contact portion 130, an elastic portion 120, a first magnetic body 140, and a second magnetic body 150.

몸체부(110)는, 예를 들면, 원기둥 형상을 가질 수 있다. 몸체부(110)의 단부들에는 후술하는 접촉부(130) 및 탄성부(120)가 각각 연결된다.The body 110 may have, for example, a cylindrical shape. End portions of the body portion 110 are connected to the contact portion 130 and the elastic portion 120 to be described later.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 몸체부(110)는 다각형 기둥 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 몸체부(110)는 사각 기둥, 오각 기둥의 형상을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the body portion 110 may have a polygonal pillar shape. For example, the body portion 110 may have a shape of a square pillar and a pentagonal pillar.

접촉부(130)는 몸체부(110)의 일측 단부와 연결된다. 접촉부(130)는 몸체부(110)의 외측면에 대하여 일정한 각도로 기울어질 수 있다. 즉, 접촉부(130)는 몸체부(110)로부터 멀어질수록 작아지는 직경을 가질 수 있다. 또한, 접부의 단부에는 후술하는 돌기(135)를 수용할 수 있는 홀이 형성될 수 있다.The contact portion 130 is connected to one end of the body portion 110. The contact portion 130 may be inclined at an angle with respect to the outer surface of the body portion 110. That is, the contact portion 130 may have a diameter that decreases away from the body portion 110. In addition, a hole may be formed at an end portion of the contact portion to accommodate the protrusion 135 to be described later.

탄성부(120)는 몸체부(110)의 타측 단부와 연결된다. 탄성부(120)는 후술하는 제1 자성체(140)와 연결된다. 따라서, 탄성부(120)는 일정 길이 초과로 신장되거나 상기 일정 길이 미만으로 수축될 경우, 복원력이 발생하게 된다.The elastic portion 120 is connected to the other end of the body portion 110. The elastic part 120 is connected to the first magnetic body 140 to be described later. Therefore, when the elastic part 120 extends beyond a predetermined length or shrinks below the predetermined length, a restoring force is generated.

탄성부(120)는 탄성력을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 탄성부(120)는, 예를 들면, 스프링을 포함한다. 이와 다르게, 탄성부(120)는 러버(rubber)등으로 형성될 수 있다.The elastic portion 120 may be formed of a material having an elastic force. The elastic part 120 includes a spring, for example. Alternatively, the elastic portion 120 may be formed of a rubber (rubber) or the like.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 몸체부(110)는 탄성부(120)를 수용할 수 있는 홀이 형성되어, 탄성부(120)는 상기 홀에 수용될 수 있다. 따라서, 전체적인 기판 지지 유닛(100)의 길이가 감소된다.In one embodiment of the present invention, the body portion 110 is formed with a hole that can accommodate the elastic portion 120, the elastic portion 120 may be accommodated in the hole. Thus, the overall length of the substrate support unit 100 is reduced.

제1 자성체(140)는 탄성부(120)와 연결된다. 제1 자성체(140)는 자석과 같은 상자성 물질로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 제1 자성체(140)는 철, 구리 등과 같은 강자성 물질로 형성될 수 있다.The first magnetic body 140 is connected to the elastic portion 120. The first magnetic body 140 may be formed of a paramagnetic material such as a magnet. Alternatively, the first magnetic body 140 may be formed of a ferromagnetic material such as iron, copper, or the like.

제1 자성체(140)는 후술하는 제2 자성체(150)간의 거리에 따른 자기력선을 형성한다. 따라서, 제1 자성체(140) 및 제2 자성체(150)간의 거리에 따른 자기력이 발생한다.The first magnetic body 140 forms a magnetic force line according to the distance between the second magnetic body 150 to be described later. Therefore, a magnetic force is generated according to the distance between the first magnetic body 140 and the second magnetic body 150.

제2 자성체(150)는 제1 자성체(140)와 이격되어 배치된다. 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)와 일정 거리를 초과하여 이격될 경우 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간의 자력을 극복하여 독립적으로 유동할 수 있다. 반면에 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)와 일정 거리 미만으로 가까울 경우, 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간의 자력에 의하여 구속된다. 예를 들면, 제1 및 제2 자성체(140, 150)가 동일 극성을 가질 경우 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)에 가까워짐에 따라 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)로부터 멀어지는 척력이 생성된다. 이와 반대로, 제1 및 제2 자성체(140, 150)들이 서로 다른 극성을 가질 경우, 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)에 가까워짐에 따라 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간과 가까워지는 인력이 생성된다.The second magnetic body 150 is disposed spaced apart from the first magnetic body 140. When the second magnetic body 150 is spaced apart from the first magnetic body 140 by more than a predetermined distance, the first magnetic body 140 may flow independently by overcoming the magnetic force between the second magnetic body 150. On the other hand, when the second magnetic body 150 is close to the first magnetic body 140 less than a certain distance, the first magnetic body 140 is constrained by the magnetic force between the second magnetic body (150). For example, when the first and second magnetic bodies 140 and 150 have the same polarity, the first magnetic body 140 becomes the second magnetic body 150 as the second magnetic body 150 approaches the first magnetic body 140. Repulsive forces are generated. On the contrary, when the first and second magnetic bodies 140 and 150 have different polarities, the first magnetic body 140 becomes the second magnetic body as the second magnetic body 150 approaches the first magnetic body 140. 150) the attraction nearer to the liver is created.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 및 제2 자성체(140, 150)들이 상호 동일한 극성을 가질 수 있다. In an embodiment of the present invention, the first and second magnetic bodies 140 and 150 may have the same polarity.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 제1 및 제2 자성체(140, 150)들이 서로 다른 극성을 가질 수 있다. In another embodiment of the present invention, the first and second magnetic bodies 140 and 150 may have different polarities.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 접촉부(130)는 기판과 접촉 충격을 완화시키기 위한 돌기(135)를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the contact portion 130 may include a protrusion 135 to mitigate contact impact with the substrate.

돌기(135)는 접촉부(130)의 최상부에 배치된다. 몸체부(110)의 내부에 돌기(135)를 수용할 수 있는 홀이 형성될 경우, 돌기(135)는 상기 홀보다 큰 직경을 가질 수 있다. 예를 들어, 돌기(135)는 베어링 형상을 가질 수 있다. 베어링 형상을 갖는 돌기(135)는 기판과의 접촉 면적을 증가시킴으로써 기판과의 접촉 충격을 완화시킬 수 있다.The protrusion 135 is disposed at the top of the contact portion 130. When a hole for accommodating the protrusion 135 is formed in the body 110, the protrusion 135 may have a larger diameter than the hole. For example, the protrusion 135 may have a bearing shape. The protrusion 135 having a bearing shape can mitigate contact impact with the substrate by increasing the contact area with the substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판 지지 유닛(100)은 구동부(160)를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the substrate support unit 100 may further include a driver 160.

구동부(160)는 제2 자성체(150)와 연결되어 제2 자성체(150)를 상하로 이동시킨다. 따라서, 구동부(160)가 제2 자성체(150)를 상하로 이동시킴에 따라 형성되는 자력에 의하여 접촉부(130)가 기판과 접촉하거나 이격되게 된다.The driving unit 160 is connected to the second magnetic body 150 to move the second magnetic body 150 up and down. Therefore, the contact unit 130 is in contact with or separated from the substrate by the magnetic force formed as the driving unit 160 moves the second magnetic body 150 up and down.

따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(200)는 교대로 기판을 지지하는 스핀 척(220) 및 기판 지지 유닛(100)을 포함함으로써, 기판 처리 공정이 진행하는 동안 기판의 이면으로부터 기판 지지 유닛(100)이 분리되어 기판의 이면 전체에 균일하게 처리 공정이 진행될 수 있다. 특히, 기판 처리 장치(200)가 세정 공정에 적 용될 경우, 스핀 척(220)이 기판의 측면을 지지하고 기판 지지 유닛(100)은 기판과 분리됨으로써, 기판의 이면에 세정액에 균일하게 분포할 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 200 according to the present invention includes the spin chuck 220 and the substrate supporting unit 100 which alternately support the substrate, thereby allowing the substrate supporting unit ( 100 may be separated to uniformly process the entire back surface of the substrate. In particular, when the substrate processing apparatus 200 is applied to the cleaning process, the spin chuck 220 supports the side of the substrate and the substrate support unit 100 is separated from the substrate, thereby uniformly distributing the cleaning liquid on the rear surface of the substrate. Can be.

기판 지지 방법Board Support Method

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 3 is a flowchart illustrating a substrate supporting method according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 방법에 있어서, 먼저, 구동부(160)에 의하여 제2 자성체(150)가 상승하게 된다. 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)로 일정 거리 미만으로 근접할 경우, 제1 및 제2 자성체(150)들간에 발생된 척력에 의하여 제1 자성체(140)는 탄성체를 밀어내어 탄성체는 평균 길이 이상으로 수축된다. 따라서, 탄성체와 연결된 몸체부(110) 및 접촉부(130)는 상승하게 되어 접촉부(130)가 기판과 접촉하게 된다. 그 결과, 기판 지지 유닛(100)은 기판을 지지한다. 이와 동시에, 스핀 척(220)은 회전함으로써 스핀 척(220)의 지지부는 기판의 측면과 이격된다.2A to 3, in the substrate supporting method according to the exemplary embodiment of the present invention, first, the second magnetic body 150 is raised by the driving unit 160. When the second magnetic body 150 is close to the first magnetic body 140 by less than a predetermined distance, the first magnetic body 140 pushes the elastic body by the repulsive force generated between the first and second magnetic body 150, the elastic body Shrinks beyond the average length. Therefore, the body portion 110 and the contact portion 130 connected to the elastic body are raised so that the contact portion 130 is in contact with the substrate. As a result, the substrate support unit 100 supports the substrate. At the same time, the spin chuck 220 is rotated so that the support of the spin chuck 220 is spaced apart from the side surface of the substrate.

이후, 구동부(160)는 제2 자성체(150)를 하강시킨다. 제2 자성체(150)가 제1 자성체(140)로부터 일정 거리 이상으로 이격될 경우, 제1 자성체(140)는 제2 자성체(150)간의 자기력을 극복하게 된다. 이때, 수축된 탄성체는 복원력에 의하여 신장되고 접촉부(130)는 기판으로부터 이격된다. 이와 동시에, 스핀 척(220)은 회전함으로써 스핀 척(220)의 지지부는 기판의 측면과 접촉함에 따라 스핀 척(220)은 기판을 지지한다. Thereafter, the driving unit 160 lowers the second magnetic body 150. When the second magnetic body 150 is spaced apart from the first magnetic body 140 by a predetermined distance or more, the first magnetic body 140 may overcome the magnetic force between the second magnetic body 150. At this time, the contracted elastic body is extended by the restoring force and the contact portion 130 is spaced apart from the substrate. At the same time, the spin chuck 220 rotates so that the support of the spin chuck 220 contacts the side of the substrate, so that the spin chuck 220 supports the substrate.

언급한 바와 같이, 본 발명의 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 지지 방법에 의하면 스핀 척이 기판을 지지하는 동안 기판 지지 유닛이 기판으로부터 이격되어 기판에 대한 공정이 기판에 대하여 전체적으로 균일하게 진행될 수 있다. As mentioned, according to the substrate support unit, the substrate processing apparatus, and the substrate support method of the present invention, the substrate support unit is spaced apart from the substrate while the spin chuck supports the substrate so that the process for the substrate can be carried out uniformly with respect to the substrate. have.

또한, 기판 지지 유닛이 세정 장치에 적용될 경우, 세정 공정의 진행중 기판 지지 유닛이 기판으로부터 이격됨으로써, 세정액이 균일하게 기판 이면에 전체적으로 균일하게 분포할 수 있다. 따라서, 기판의 이면에 잔류하는 이물질이 용이하게 제거될 수 있다.In addition, when the substrate support unit is applied to the cleaning apparatus, the substrate support unit is spaced apart from the substrate during the progress of the cleaning process, so that the cleaning liquid can be uniformly distributed on the entire back surface of the substrate. Therefore, foreign matter remaining on the back surface of the substrate can be easily removed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (11)

몸체부;Body portion; 상기 몸체부의 일측 단부와 연결되어 기판과 접촉하는 접촉부;A contact part connected to one end of the body part to be in contact with a substrate; 상기 몸체부의 타측 단부와 연결되며, 탄성을 가지는 탄성부;An elastic part connected to the other end of the body part and having elasticity; 상기 탄성부와 연결되는 자성을 갖는 제1 자성체;A first magnetic body having magnetism connected to the elastic portion; 상기 제1 자성체와 이격되어, 상기 제1 자성체간의 자력을 이용하여 상기 접촉부를 상기 기판과 접촉하거나 이격시키는 제2 자성체; 및A second magnetic body spaced apart from the first magnetic body to contact or space the contact portion with the substrate by using a magnetic force between the first magnetic bodies; And 상기 제2 자성체를 상하로 이동시키는 구동부를 포함하는 기판 지지 유닛.And a driving part to move the second magnetic material up and down. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자성체들은 상호 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.The substrate supporting unit of claim 1, wherein the first and second magnetic bodies have the same polarity to each other. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자성체들은 상호 반대의 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.The substrate supporting unit of claim 1, wherein the first and second magnetic bodies have opposite polarities to each other. 제1항에 있어서, 상기 접촉부는 단부에 볼 형상의 돌기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.The substrate supporting unit according to claim 1, wherein the contact portion includes a ball-shaped protrusion at an end portion thereof. 삭제delete 공정 챔버;Process chambers; 상기 공정 챔버 내에 배치되는 스테이지;A stage disposed in the process chamber; 상기 스테이지를 관통하며, 회전 가능한 스핀 척; 및A spin chuck penetrating the stage and rotatable; And 상기 스테이지를 관통하여, 상기 스핀 척이 기판으로부터 이격될 경우 상기 기판을 지지하며, 몸체부, 상기 몸체부의 일측 단부와 연결되어 상기 기판과 접촉하는 접촉부, 상기 몸체부의 타측 단부와 연결되며 탄성을 가지는 탄성부, 상기 탄성부와 연결되는 자성을 갖는 제1 자성체 및 사기 제1 자성체와 이격되어 상기 제1 자성체간의 자력을 이용하여 상기 접촉부를 상기 기판과 접촉하거나 이격시키는 제2 자성체를 구비하는 기판 지지 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.The spin chuck supports the substrate when the spin chuck is spaced apart from the substrate, and is connected to the body portion, one end portion of the body portion to contact the substrate, and the other end portion of the body portion to have elasticity. A substrate support having an elastic part, a first magnetic body having a magnet connected to the elastic part, and a second magnetic body spaced apart from the first magnetic body so as to contact or space the contact part with the substrate by using a magnetic force between the first magnetic bodies. A substrate processing apparatus comprising a unit. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자성체들은 상호 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 6, wherein the first and second magnetic bodies have the same polarity to each other. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자성체들은 상호 반대의 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus of claim 6, wherein the first and second magnetic bodies have opposite polarities to each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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