KR100817823B1 - Method for cutting a substrate including a plurality of memory cards - Google Patents

Method for cutting a substrate including a plurality of memory cards Download PDF

Info

Publication number
KR100817823B1
KR100817823B1 KR1020060116013A KR20060116013A KR100817823B1 KR 100817823 B1 KR100817823 B1 KR 100817823B1 KR 1020060116013 A KR1020060116013 A KR 1020060116013A KR 20060116013 A KR20060116013 A KR 20060116013A KR 100817823 B1 KR100817823 B1 KR 100817823B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory card
card substrate
laser beam
wavelength
cutting
Prior art date
Application number
KR1020060116013A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김병철
김남성
Original Assignee
주식회사 이오테크닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이오테크닉스 filed Critical 주식회사 이오테크닉스
Priority to KR1020060116013A priority Critical patent/KR100817823B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100817823B1 publication Critical patent/KR100817823B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0228—Cutting, sawing, milling or shearing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

A method for cutting a memory card board is provided to easily cut a complicated memory card by using a laser beam having a wavelength of 200 to 700nm, as well as improving the quality of cut cross section. A memory card board(20) includes plural memory cards(30) having a printed circuit board layer with a circuit pattern formed on a lower surface thereof, and a resin molding layer applied on an upper surface of the printed circuit board layer. A laser beam is irradiated on the memory card board to melt and evaporate the printed circuit board layer and the resin molding layer, so that the memory card board is cut in a desired shape. The laser beam irradiated on the memory card board has a wavelength of 200 to 700nm.

Description

메모리 카드 기판 절단방법 {Method for cutting a substrate including a plurality of memory cards}Method for cutting a substrate including a plurality of memory cards}

도 1은 종래의 회전날을 이용하여 다수의 메모리 카드들을 포함하는 메모리 카드 기판으로부터 메모리 카드를 분리하는 과정을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining a process of separating a memory card from a memory card substrate including a plurality of memory cards using a conventional rotary blade.

도 2는 본 발명의 메모리 카드 기판 절단방법을 구현하기 위한 메모리 카드 기판 절단장치의 일례를 나타내는 도면.Figure 2 is a view showing an example of a memory card substrate cutting apparatus for implementing the memory card substrate cutting method of the present invention.

도 3은 도 2의 메모리 카드 기판의 단면도.3 is a cross-sectional view of the memory card substrate of FIG.

도 4는 도 2의 메모리 카드 기판으로부터 분리된 메모리 카드의 사시도.4 is a perspective view of a memory card separated from the memory card substrate of FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

20 : 메모리 카드 기판 30 : 메모리 카드20: memory card substrate 30: memory card

31 : 메모리 카드의 상면 32 : 메모리 카드의 하면31: Upper surface of the memory card 32: Lower surface of the memory card

33 : 메모리 카드의 모서리부 34 : 수지몰딩물층33: corner portion of the memory card 34: resin molding layer

35 : 인쇄회로기판층 36 : 메모리 카드의 측면35: printed circuit board layer 36: side of the memory card

37 : 메모리 카드의 외부 접속부 110 : 레이저 발진기37: external connection of the memory card 110: laser oscillator

120 : 갈바노미터 스캐너 130 : 텔레센트릭 렌즈120: galvanometer scanner 130: telecentric lens

131 : 작업 영역131: work area

본 발명은 메모리 카드 기판 절단방법에 관한 것으로, 특히 레이저를 이용하여 다수의 메모리 카드들을 포함하는 메모리 카드 기판을 절단하여 상기 메모리 카드 기판으로부터 메모리 카드를 분리할 수 있는 메모리 카드 기판 절단방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of cutting a memory card substrate, and more particularly, to a method of cutting a memory card substrate that can separate a memory card from the memory card substrate by cutting a memory card substrate including a plurality of memory cards using a laser. .

메모리 카드를 제조하는 경우 대량 생산을 위하여, 하나의 인쇄회로기판에 다수의 독립적인 메모리 구동 회로를 형성하고, 상기 인쇄회로기판 상면에 수지몰딩물을 도포하여 인쇄회로기판 상에 실장된 플래쉬 메모리, 마이크로프로세서 칩 및 회로 등을 보호한다. 상기 인쇄회로기판과 수지몰딩물이 적층되어 이루어진 메모리 카드 다수 개를 포함하는 일체형의 기판을 우선 제조한 후, 상기 메모리 카드 기판을 절단하여 상기 메모리 카드 기판으로부터 개별 메모리 카드를 분리하는 방식이 최근 많이 사용되고 있다. 이와 같이 제조되는 메모리 카드 중 최근에 각광받고 있는 메모리 카드 중 하나가 바로 SD(Secure Digital) 메모리 카드이다.In the case of manufacturing a memory card, for mass production, a plurality of independent memory driving circuits are formed on one printed circuit board, and a flash memory mounted on the printed circuit board by coating a resin molding on an upper surface of the printed circuit board, Protects microprocessor chips and circuits. Recently, a method of separating an individual memory card from the memory card substrate by cutting the memory card substrate by first manufacturing an integrated substrate including a plurality of memory cards formed by stacking the printed circuit board and the resin molding is performed. It is used. One of the memory cards that have been in the spotlight recently is a SD (Secure Digital) memory card.

상기 SD 메모리 카드는 마쯔시다, 선디스크 및 도시바가 공동으로 합작하여 발표한 일종의 신규 소형 메모리 카드의 표준으로 여러 개의 플래쉬 메모리와 하나의 마이크로프로세서 칩이 실리콘 반도체 기술로 구성된 것이다. SD 메모리 카드는 크기가 작고, 중량이 가벼우며, 저장과 판독 속도가 빠르고, 용량이 큰 장점이 있어 컴퓨터 주변기기, 휴대용 정보 단말기, 디지털 카메라 등의 제품에 광범위하게 응용되고 있다.The SD memory card is a standard of a new small memory card jointly announced by Matsushita, SunDisk and Toshiba, and is composed of silicon semiconductor technology with several flash memories and one microprocessor chip. SD memory cards are small in size, light in weight, fast in storage and reading speed, and large in capacity, making them widely used in products such as computer peripherals, portable information terminals, and digital cameras.

도 1은 종래의 회전날을 이용하여 다수의 메모리 카드들을 포함하는 메모리 카드 기판으로부터 메모리 카드를 분리하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a process of separating a memory card from a memory card substrate including a plurality of memory cards using a conventional rotary blade.

도 1을 참조하면, 수지몰딩물층(도 3의 23 참조)으로 도포된 메모리 카드 기판(20) 상에서 메모리 카드의 경계선(40)을 따라 회전날(50)을 회전시키며 종횡으로 이동시킴으로써, 상기 메모리 카드 기판(20)을 원하는 형태로 절단하여 메모리 카드 기판(20)으로부터 다수의 메모리 카드(30)를 분리해 낼 수 있다.Referring to FIG. 1, by moving the rotary blade 50 vertically and horizontally along a boundary line 40 of the memory card on the memory card substrate 20 coated with the resin molding material layer (see 23 in FIG. 3), the memory The card substrate 20 may be cut into a desired shape to separate the plurality of memory cards 30 from the memory card substrate 20.

그런데, 상술한 바와 같이 회전날(50)을 이용하여 메모리 카드 기판(20)을 절단하는 방법을 이용하면, 직선 형상은 용이하게 절단할 수 있으나, 회전날(50) 자체의 크기의 제약으로 인해 요철이 빈번하게 반복되는 형상과 같은 복잡한 형상은 절단할 수 없는 문제점이 있다.By the way, when using the method of cutting the memory card substrate 20 using the rotary blade 50 as described above, the straight shape can be easily cut, due to the limitation of the size of the rotary blade 50 itself Complex shapes such as shapes in which irregularities are frequently repeated have a problem that cannot be cut.

또한, 메모리 카드의 모서리부(33)는 사용자가 메모리 카드(30)를 사용하는 중에는 항상 접촉하는 부위이기 때문에, 사용자에게 상처를 입히는 것을 방지하기 위하여 매끄리운 곡선 처리가 되어야 한다. 상기 회전날(50)을 이용하여 메모리 카드 기판(20)을 절단하는 경우에는 메모리 카드의 모서리부(33)를 곡선 처리하는 것이 곤란하므로, 절단 작업이 끝난 후, 각각의 메모리 카드의 모서리부(33)에 대해 별도로 그라인딩하는 작업을 추가적으로 수행해야 하는 문제점이 있다.In addition, since the edge portion 33 of the memory card is a portion that is always in contact with the user while using the memory card 30, the edge portion 33 of the memory card should be smoothly curved to prevent injury to the user. When cutting the memory card substrate 20 by using the rotary blade 50, it is difficult to curve the corners 33 of the memory card. Therefore, after the cutting operation is finished, the corners of the respective memory cards ( There is a problem in that additional grinding operations for 33) must be performed.

또한, 메모리 카드의 측면 또한 사용자가 빈번히 접촉하는 부위이기 때문에, 그 가공 상태가 우수해야 한다. 하지만, 상기 회전날(50)은 메모리 카드 기판(20)과 접촉하면서 메모리 카드 기판(20)을 절단하는 관계로, 새 것으로 교체하여도 금방 무뎌지게 되고, 무뎌진 회전날(50)에 의해 가공된 메모리 카드(30)의 측면의 가 공상태는 나빠지게 된다. 따라서, 이를 해결하기 위해 회전날을 빈번하게 교체하게 되면 비용이 상승하게 되고, 비용상승을 방지하기 위해 회전날의 교체 주기를 길게 잡으면 상술한 바와 같이 메모리 카드의 측면의 가공상태가 나빠지는 문제점이 있다.In addition, since the side surface of the memory card is also a site where the user frequently contacts, the processing state should be excellent. However, since the rotary blade 50 is in contact with the memory card substrate 20 and cuts the memory card substrate 20, the rotary blade 50 is quickly dull even if it is replaced with a new one, and is processed by the dull rotary blade 50. The processing state of the side of the memory card 30 becomes worse. Therefore, if the frequent replacement of the rotary blade to solve this problem, the cost is increased, and if the replacement cycle of the rotary blade to take a long time to prevent the increase in cost, the processing state of the side of the memory card as described above is worsened have.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 메모리 카드 기판을 복잡한 형상으로 자유자재로 절단할 수 있고, 직선부뿐만 아니라 모서리부의 곡선 처리를 하는 데 있어서 별도의 작업을 수행하지 않도록, 레이저를 이용하는 메모리 카드 기판 절단방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and can be freely cut into a complicated shape of a memory card substrate, and does not perform a separate operation in performing not only a straight portion but also a curved portion at a corner. It is an object of the present invention to provide a method of cutting a memory card substrate using the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 메모리 카드 기판 절단방법은, 하면에 회로 패턴이 형성되어 있는 인쇄회로기판층과 그 인쇄회로기판층의 상면에 도포된 수지몰딩물층을 가지는 다수의 메모리 카드들을 포함하는 메모리 카드 기판으로부터 상기 각각의 메모리 카드를 분리하기 위하여 상기 메모리 카드 기판을 절단하는 메모리 카드 기판 절단방법에 있어서, 상기 메모리 카드 기판으로 레이저빔을 조사하여 상기 메모리 카드 기판을 원하는 형태로 절단하는 단계를 포함하며, 상기 메모리 카드 기판으로 조사되는 레이저빔의 파장은 200 ㎚ 내지 700 ㎚인 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the memory card substrate cutting method of the present invention includes a plurality of memory cards having a printed circuit board layer having a circuit pattern formed on a lower surface thereof and a resin molding layer coated on the upper surface of the printed circuit board layer. A memory card substrate cutting method for cutting the memory card substrate to separate the memory card substrate from the memory card substrate including the memory card, comprising: irradiating a laser beam to the memory card substrate to cut the memory card substrate into a desired shape And the wavelength of the laser beam irradiated onto the memory card substrate is 200 nm to 700 nm.

본 발명에 따른 메모리 카드 기판 절단방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 메모리 카드 기판으로 조사되는 레이저빔은, 상기 인쇄회로기판층으로부터 상기 수 지몰딩물층을 향하는 방향으로 조사된다.In the method of cutting a memory card substrate according to the present invention, Preferably, the laser beam irradiated onto the memory card substrate is irradiated in a direction from the printed circuit board layer toward the resin molding layer.

본 발명에 따른 메모리 카드 기판 절단방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 레이저빔의 파장은, 400 ㎚ 내지 700 ㎚ 범위 내의 가시광선 영역의 파장이다.In the method of cutting a memory card substrate according to the present invention, preferably, the wavelength of the laser beam is the wavelength of the visible light region within the range of 400 nm to 700 nm.

본 발명에 따른 메모리 카드 기판 절단방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 레이저빔의 파장은, 실질적으로 532 ㎚ 이다.In the method of cutting a memory card substrate according to the present invention, Preferably, the wavelength of the laser beam is substantially 532 nm.

본 발명에 따른 메모리 카드 기판 절단방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 레이저빔의 파장은, 200 ㎚ 내지 400 ㎚ 범위 내의 자외선 영역의 파장이다.In the method of cutting a memory card substrate according to the present invention, preferably, the wavelength of the laser beam is the wavelength of the ultraviolet region within the range of 200 nm to 400 nm.

본 발명에 따른 메모리 카드 기판 절단방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 레이저빔의 파장은, 실질적으로 355 ㎚ 이다.In the method of cutting a memory card substrate according to the present invention, Preferably, the wavelength of the laser beam is substantially 355 nm.

본 발명에 따른 메모리 카드 기판 절단방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 절단하는 단계에서, 상기 메모리 카드 기판으로 조사되는 레이저빔은, 입사되는 레이저빔을 광축에 평행한 상태로 조사되도록 하는 텔레센트릭(telecentric) 렌즈를 통해 상기 메모리 카드 기판으로 조사된다.In the method of cutting a memory card substrate according to the present invention, Preferably, in the cutting step, the laser beam irradiated to the memory card substrate, the telecentric to irradiate the incident laser beam in a state parallel to the optical axis It is irradiated onto the memory card substrate through a telecentric lens.

본 발명에 따른 메모리 카드 기판 절단방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 메모리 카드 기판으로부터 분리되는 메모리 카드는, SD 카드 표준에 따른 물리적 크기 및 외부 접속부를 가지는 메모리 카드이다.In the method of cutting a memory card substrate according to the present invention, preferably, the memory card separated from the memory card substrate is a memory card having a physical size and an external connection portion according to the SD card standard.

이하, 본 발명에 따른 메모리 카드 기판 절단방법의 바람직한 실시예를, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a memory card substrate cutting method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 메모리 카드 기판 절단방법을 구현하기 위한 메모리 카드 기판 절단장치의 일례를 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2의 메모리 카드 기판의 단 면도이고, 도 4는 도 2의 메모리 카드 기판으로부터 분리된 메모리 카드의 사시도이다.2 is a view showing an example of a memory card substrate cutting apparatus for implementing a memory card substrate cutting method of the present invention, Figure 3 is a stage of the memory card substrate of Figure 2, Figure 4 is a memory card substrate of Figure 2 Is a perspective view of a memory card removed from the camera.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 메모리 카드 기판 절단방법을 구현하기 위한 메모리 카드 기판 절단장치의 일례는, 레이저빔(1)이 출사되는 레이저 발진기(110)와, 입사되는 레이저빔(1)을 원하는 각도로 편향시키기 위한 갈바노미터 스캐너(120)와, 입사되는 레이저빔(1)을 집속하여 집속된 레이저빔(1)을 메모리 카드 기판(20) 상으로 조사하기 위한 f-theta 렌즈를 구비한다.2 to 4, an example of a memory card substrate cutting apparatus for implementing a memory card substrate cutting method of the present invention includes a laser oscillator 110 to which a laser beam 1 is emitted and a laser beam incident to the F-theta for irradiating the focused laser beam 1 onto the memory card substrate 20 with a galvanometer scanner 120 for deflecting 1) at a desired angle and the focused laser beam 1. It has a lens.

본 발명에서는 레이저빔(1)을 이용하여 메모리 카드 기판(20)을 원하는 형태로 절단한다. 회전날 등을 이용하는 기계적인 절단 방식은, 회전날을 메모리 카드 기판(20)의 표면에 접촉시켜 메모리 카드 기판(20)의 일부를 깎아내며 절단하는 접촉식 절단 방식인 반면에, 레이저빔(1)을 이용하여 절단하는 방식은, 레이저빔(1)의 에너지를 메모리 카드 기판(20)의 표면에 집중시켜 메모리 카드 기판(20)을 구성하고 있는 수지몰딩물층(23) 및 인쇄회로기판층(24)을 녹여 증발시켜 원하는 형태를 취하는 비접촉식 절단 방식이다.In the present invention, the memory card substrate 20 is cut into a desired shape using the laser beam 1. The mechanical cutting method using a rotary blade or the like is a contact cutting method of cutting a part of the memory card substrate 20 by cutting the rotary blade into contact with the surface of the memory card substrate 20, whereas the laser beam 1 In the method of cutting using the resin), the resin molding layer 23 and the printed circuit board layer constituting the memory card substrate 20 by concentrating the energy of the laser beam 1 on the surface of the memory card substrate 20 24) This is a non-contact cutting method that melts and evaporates to get the desired shape.

본 발명에서 메모리 카드 기판(20)을 절단하기 위해 사용하는 레이저빔(1)은, 200 ㎚ 내지 700 ㎚ 범위 내의 파장을 갖는다. 일반적으로, 레이저를 이용하여 반도체 제품을 생산하는 산업 현장에서는, 200 ㎚ 미만의 파장을 갖는 레이저를 사용하지 않는다. 또한, 700 ㎚ 초과의 파장을 갖는 레이저빔(1)을 사용하여 상기 메모리 카드 기판(20)을 절단하게 되면, 레이저빔(1)에 의해 조사된 메모리 카드 기판(20)의 부위가 열을 받아 용융된 후, 그 중 일부가 미처 증발하지 못하고 메모 리 카드(30)의 측면에 잔류물의 형태로 다시 응고되어 부착된다. 상기 응고된 잔류물의 발생량에 의해 메모리 카드(30)의 가공 품질이 평가되는데, 700 ㎚ 초과의 파장을 갖는 레이저빔(1)을 사용하면, 그 발생량이 상당하게 된다. 본 발명과 같이, 200 ㎚ 내지 700 ㎚ 범위 내의 파장을 갖는 레이저빔(1)을 이용하여 메모리 카드 기판(20)을 절단하게 되면, 상기 응고된 잔류물의 발생량이 현저히 줄어듦을 관찰할 수 있다.The laser beam 1 used for cutting the memory card substrate 20 in the present invention has a wavelength within the range of 200 nm to 700 nm. In general, industrial sites that produce semiconductor products using lasers do not use lasers with wavelengths less than 200 nm. When the memory card substrate 20 is cut using the laser beam 1 having a wavelength of more than 700 nm, the portion of the memory card substrate 20 irradiated by the laser beam 1 receives heat. After melting, some of them cannot evaporate and are solidified again in the form of residue on the side of the memory card 30 and attached. The processing quality of the memory card 30 is evaluated by the generation amount of the solidified residue. When the laser beam 1 having a wavelength of more than 700 nm is used, the generation amount is considerable. As in the present invention, when the memory card substrate 20 is cut using the laser beam 1 having a wavelength in the range of 200 nm to 700 nm, it can be observed that the amount of the solidified residue is significantly reduced.

상기 200 ㎚ 내지 700 ㎚ 범위 중 가시광선 영역인 400 ㎚ 내지 700 ㎚ 범위 내의 파장을 갖는 레이저빔(1)을 사용하여 메모리 카드 기판(20)을 절단하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 실질적으로 532 ㎚ 의 파장을 갖는 레이저빔(1)을 사용하여 메모리 카드 기판(20)을 절단한다.It is preferable to cut the memory card substrate 20 using the laser beam 1 having a wavelength in the range of 400 nm to 700 nm, which is the visible light region, in the range of 200 nm to 700 nm. More preferably, the memory card substrate 20 is cut using the laser beam 1 having a wavelength of substantially 532 nm.

또한, 파장이 짧을수록 메모리 카드의 측면(36)의 가공 상태가 양호하게 되는 특성을 고려하여, 상기 가시광선 영역보다 짧은, 200 ㎚ 내지 400 ㎚ 범위 내의 자외선 영역의 파장을 갖는 레이저빔(1)을 사용하여 메모리 카드 기판(20)을 절단하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 상기 자외선 영역 내의 파장을 갖는 레이저빔(1) 중 실질적으로 355 ㎚ 의 파장을 갖는 레이저빔(1)을 사용하여 메모리 카드 기판(20)을 절단한다.Further, the laser beam 1 having a wavelength in the ultraviolet region within the range of 200 nm to 400 nm, which is shorter than the visible light region, in consideration of the property that the shorter the wavelength, the better the processing state of the side surface 36 of the memory card becomes. It is preferable to cut the memory card substrate 20 using. More preferably, the memory card substrate 20 is cut out using the laser beam 1 having a wavelength of 355 nm substantially among the laser beams 1 having a wavelength in the ultraviolet region.

상기 f-theta 렌즈에는 일정 면적의 작업 영역(131)이 정해져 있다. 상기 작업 영역(131)이란, f-theta 렌즈를 이동하지 않고 고정한 상태에서 작업할 수 있는 총면적의 개념으로서, 사용되는 f-theta 렌즈의 종류에 따라 예컨대, 가로 30 ㎜ 및 세로 30 ㎜ 의 영역 또는 가로 50 ㎜ 및 세로 50 ㎜의 영역과 같은 면적이 정해진다. 상기 f-theta 렌즈의 중앙부를 통과하는 레이저빔(1)은, 수차에 의한 오차 없이 상기 메모리 카드 기판(20)의 원하는 위치에 정상적으로 조사된다. 하지만, 상기 f-theta 렌즈의 가장자리부를 통과하는 레이저빔(1)은 수차에 의한 오차로 인해 상기 메모리 카드 기판(20)의 원하는 위치에 조사되지도 않고 왜곡되게 조사된다. 따라서, 하나의 작업 영역(131) 내에서 메모리 카드 기판(20)을 절단하더라도, 작업 영역(131) 내의 중앙부에 위치한 메모리 카드(30)의 치수 및 가공 품질이 양호한 반면, 작업 영역(131) 내의 가장자리부에 위치한 메모리 카드(30)의 치수는 정확하지 않고, 가공 품질 역시 상당히 떨어지게 된다.The f-theta lens has a predetermined working area 131. The working area 131 is a concept of a total area capable of working in a fixed state without moving the f-theta lens, and is, for example, an area of 30 mm in width and 30 mm in length depending on the type of f-theta lens used. An area equal to an area of 50 mm in width and 50 mm in length is determined. The laser beam 1 passing through the center portion of the f-theta lens is normally irradiated to a desired position of the memory card substrate 20 without errors due to aberration. However, the laser beam 1 passing through the edge of the f-theta lens is irradiated with distortion and not irradiated to a desired position of the memory card substrate 20 due to an error caused by aberration. Therefore, even if the memory card substrate 20 is cut in one working area 131, the size and processing quality of the memory card 30 located in the center portion of the working area 131 are good, while in the working area 131 The dimensions of the memory card 30 located at the edges are not accurate, and the processing quality is also significantly degraded.

이와 같이, 하나의 작업 영역(131) 내에 위치한 모든 메모리 카드(30)들의 가공 상태를 향상시키기 위하여 본 실시예에서는 f-theta 렌즈로서, 텔레센트릭(telecentric) 렌즈(130)를 사용한다. 상기 텔레센트릭 렌즈(130)는, 텔레센트릭 렌즈(130) 상의 위치에 관계없이, 입사되는 레이저빔(1)이 광축에 평행하게 조사되도록 하므로, 상기 텔레센트릭 렌즈(130)의 중앙부 측으로 입사되는 레이저빔이나 상기 텔레센트릭 렌즈(130)의 가장자리부 측으로 입사되는 레이저빔 모두 광축에 평행하게 진행된다. 따라서, 상기 텔레센트릭 렌즈(130)를 사용하면 수차로 인한 오차를 방지할 수 있으므로, 하나의 작업 영역(131) 내의 모든 메모리 카드(30)들의 가공 상태를 동일하게 유지할 수 있다. 본 실시예에서는, 가로 50 ㎜ 및 세로 50 ㎜의 작업 영역(131)을 갖는 텔레센트릭 렌즈(130)를 이용한다.As such, in order to improve the processing state of all the memory cards 30 located in one work area 131, a telecentric lens 130 is used as the f-theta lens in this embodiment. The telecentric lens 130 irradiates the incident laser beam 1 in parallel with the optical axis, regardless of the position on the telecentric lens 130, and thus toward the central portion of the telecentric lens 130. The incident laser beam or the laser beam incident to the edge portion of the telecentric lens 130 proceeds parallel to the optical axis. Therefore, since the error due to aberration can be prevented by using the telecentric lens 130, the processing state of all the memory cards 30 in one work area 131 can be maintained the same. In this embodiment, a telecentric lens 130 having a working area 131 of 50 mm in width and 50 mm in length is used.

한편, 레이저빔(1)을 이용하여 절단하는 메모리 카드 기판(20)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 인쇄회로기판층(24)과, 수지몰딩물층(23)으로 이루어져 있다. 상 기 인쇄회로기판층(24)은 전기가 통할 수 있는 도전성판, 예컨대 구리판(24b)과, 상기 구리판(24b) 위에 도포된 절연층(24a)로 이루어져 있다. 상기 절연층(24a) 위에 플래쉬 메모리(미도시) 등의 부품을 실장하고, 상기 절연층(24a)의 일부를 식각 등의 방법으로 제거하여 상기 구리판(24b)이 노출되게 함으로써, 상기 플래쉬 메모리를 구동하기 위한 회로 패턴을 형성한다. 상기 수지몰딩물층(23)은 인쇄회로기판층(24)의 상면에 도포되어, 인쇄회로기판층(24)에 실장된 부품 및 회로 등을 보호한다.On the other hand, the memory card substrate 20 cut using the laser beam 1 is composed of a printed circuit board layer 24 and a resin molding layer 23, as shown in FIG. The printed circuit board layer 24 includes an electrically conductive plate such as a copper plate 24b and an insulating layer 24a coated on the copper plate 24b. A flash memory (not shown) is mounted on the insulating layer 24a, and a part of the insulating layer 24a is removed by etching or the like to expose the copper plate 24b to thereby expose the flash memory. A circuit pattern for driving is formed. The resin molding layer 23 is applied to the upper surface of the printed circuit board layer 24 to protect components, circuits, and the like mounted on the printed circuit board layer 24.

본 실시예에서 상기 메모리 카드 기판(20)으로부터 분리되는 메모리 카드(30)는, SD 카드 표준에 따른 물리적 크기 및 외부 접속부(37)를 갖는 SD 메모리 카드(30)이다. 상기 SD 메모리 카드의 경우, 소형으로 제작되는 것이 일반적이므로, 회전날과 같은 기계적인 절단방식보다는 본 발명과 같이 레이저를 이용하여 절단방식이 보다 효율적이다.In this embodiment, the memory card 30 separated from the memory card substrate 20 is an SD memory card 30 having a physical size and an external connection 37 according to the SD card standard. Since the SD memory card is generally manufactured in a small size, the cutting method is more efficient using a laser as in the present invention than the mechanical cutting method such as a rotary blade.

이하, 상술한 바와 같이 구성된 레이저를 이용한 메모리 카드 기판 절단장치를 이용하여, 메모리 카드 기판을 절단하는 방법의 일 실시예에 대하여, 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of a method of cutting a memory card substrate using a memory card substrate cutting device using a laser constructed as described above will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

우선, 도 3에 도시된 메모리 카드 기판(20)의 하면(22)이 상방을 향하도록 메모리 카드 기판(20)을 배치한다. 즉, 인쇄회로기판층(24)이 상부에 위치하고, 수지몰딩물층(23)이 하부에 위치하도록 메모리 카드 기판(20)을 배치하여, 메모리 카드 기판(20)으로 조사되는 레이저빔(1)이 인쇄회로기판층(24)으로부터 수지몰딩물층(23)을 향하는 방향으로 조사되도록 한다. 이와 같이 인쇄회로기판층(24)이 상부에 위치하도록 메모리 카드 기판(20)을 배치하는 것은, 인쇄회로기판층의 구리판(24b)의 가공 단면을 매끄럽게 하기 위해서이다. 수지몰딩물층(23)이 상부에 위치하도록 메모리 카드 기판(20)을 배치하게 되면, 조사된 레이저빔(1)은, 가지고 있는 에너지의 상당량을 수지몰딩물층(23)을 용융하는데 소비하고, 인쇄회로기판층(24)의 하부에 위치하는 구리판(24b)을 절단하는 데에 충분한 에너지를 할당할 수 없게 된다. 따라서, 구리판(24b)이 절단되더라도 그 가공 단면이 매끄럽지 못하여 전체적인 가공품질이 저하된다. 절단하는데 많은 에너지가 소비되는 구리판(24b)이 상부에 위치하도록 메모리 카드 기판(20)을 배치함으로써, 절단되어 분리된 메모리 카드(30)의 가공 품질을 향상시킬 수 있다.First, the memory card substrate 20 is disposed so that the lower surface 22 of the memory card substrate 20 shown in FIG. 3 faces upward. That is, the memory card substrate 20 is disposed so that the printed circuit board layer 24 is positioned above and the resin molding layer 23 is located below, so that the laser beam 1 irradiated to the memory card substrate 20 is Irradiation is made in the direction from the printed circuit board layer 24 toward the resin molding layer 23. In this way, the memory card substrate 20 is disposed so that the printed circuit board layer 24 is located at the top to smooth the processed end surface of the copper plate 24b of the printed circuit board layer. When the memory card substrate 20 is disposed so that the resin molding layer 23 is located above, the irradiated laser beam 1 consumes a considerable amount of energy to melt the resin molding layer 23 and prints. Sufficient energy cannot be allocated to cut the copper plate 24b located below the circuit board layer 24. Therefore, even if the copper plate 24b is cut | disconnected, the processing cross section may not be smooth and overall processing quality will fall. By arranging the memory card substrate 20 so that the copper plate 24b, which consumes a lot of energy to cut, is located at the top, it is possible to improve the processing quality of the memory card 30 that is cut and separated.

한편, 절단하고자 하는 메모리 카드 기판(20)을 상기와 같이 배치한 후, 메모리 카드 기판(20) 상에 레이저빔(1)을 조사한다. 상기 갈바노미터 스캐너(120)를 이용하면 레이저빔(1)을 원하는 각도로 편향시킬 수 있으므로, 메모리 카드 기판(20) 상에 포함되어 있는 메모리 카드(30)의 형상에 맞게, 레이저빔(1)의 위치를 종횡으로 자유롭게 조정하는 것이 가능하다. 상기 메모리 카드(30)의 형상을 따라 상기 집속된 레이저빔(1)을 소정의 속도로 이동하게 되면, 상기 집속된 레이저빔(1)이 조사되는 메모리 카드 기판(20)의 부위가 용융되면서, 상기 메모리 카드 기판(20)으로부터 메모리 카드(30)를 분리할 수 있게 된다.On the other hand, after arranging the memory card substrate 20 to be cut as described above, the laser beam 1 is irradiated onto the memory card substrate 20. Since the galvanometer scanner 120 can deflect the laser beam 1 to a desired angle, the laser beam 1 can be adapted to the shape of the memory card 30 included on the memory card substrate 20. It is possible to freely adjust the position vertically and horizontally. When the focused laser beam 1 is moved at a predetermined speed along the shape of the memory card 30, a portion of the memory card substrate 20 to which the focused laser beam 1 is irradiated is melted. The memory card 30 can be separated from the memory card substrate 20.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 메모리 카드 기판 절단방법은, 비접촉 방식의 레이저빔을 이용하여 메모리 카드 기판을 원하는 형태로 절단함으로써, 메모리 카드의 형상이 직선부 및 복잡한 요철부를 갖는 형상이라 하더라도, 상기 메 모리 카드 기판으로부터 메모리 카드를 분리하는 작업을 용이하게 수행할 수 있으므로, 작업의 유연성을 높일 수 있는 효과가 있다. 또한, 1064 ㎚ 보다 단파장인 200 ㎚ 내지 700 ㎚ 의 파장을 갖는 레이저빔을 이용함으로써, 절단 가공 단면인 메모리 카드의 측면의 가공 품질을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In the memory card substrate cutting method of the present invention configured as described above, the memory card substrate is cut into a desired shape by using a non-contact laser beam, even if the shape of the memory card is a shape having a straight portion and a complex uneven portion. Since the operation of separating the memory card from the memory card substrate can be easily performed, there is an effect of increasing the flexibility of the operation. In addition, by using a laser beam having a wavelength of 200 nm to 700 nm having a shorter wavelength than 1064 nm, it is possible to obtain the effect of improving the processing quality of the side surface of the memory card as the cut end surface.

또한, 본 발명의 메모리 카드 기판 절단방법은, 메모리 카드의 직선부 절단 작업뿐만 아니라 메모리 카드의 모서리부의 곡선 처리 작업도, 연속되는 1회의 절단 작업을 통해 한꺼번에 수행할 수 있으므로, 직선부 절단 작업과 모서리부의 곡선 처리 작업을 따로 수행함으로써 발생하는 손실을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the memory card substrate cutting method of the present invention can perform not only the cutting operation of the straight portion of the memory card, but also the processing of the curved portion of the edge of the memory card at one time through one continuous cutting operation. By performing the curve processing work on the corners separately, it is possible to reduce the loss caused.

본 발명의 실시예에 있어서, 작업 영역 내의 가장자리부에서의 수차로 인한 오차를 방지하고자 텔레센트릭 렌즈를 사용하였으나, 가장자리부의 수차로 인한 오차를 최소화할 수 있도록 작은 작업 영역을 갖는 일반적인 f-theta 렌즈를 사용하는 것도 가능하다.In the embodiment of the present invention, although a telecentric lens is used to prevent errors due to aberrations at the edges in the working area, a general f-theta having a small working area can be minimized to minimize errors due to aberrations at the edges. It is also possible to use a lens.

본 발명의 실시예에 있어서, 메모리 카드 기판으로부터 분리되는 메모리 카드를 SD 메모리 카드로 예시하였으나, 상기 메모리 카드는 MMC 메모리 카드 등 다른 표준을 따르는 메모리 카드일 수도 있다.In the embodiment of the present invention, the memory card separated from the memory card substrate is illustrated as an SD memory card, but the memory card may be a memory card conforming to another standard such as an MMC memory card.

이상 바람직한 실시예 및 변형례들에 대해 설명하였으나, 본 발명에 따른 메모리 카드 기판 절단방법은 상술한 예들에 한정되는 것은 아니며, 그 예들의 변형이나 조합에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주 내에서 다양한 형태의 메모리 카드 기판 절단방법이 구체화될 수 있다.Although the preferred embodiments and modifications have been described above, the method of cutting the memory card substrate according to the present invention is not limited to the above-described examples, and the scope does not depart from the technical spirit of the present invention by modifications or combinations thereof. Various types of memory card substrate cutting methods can be embodied within.

본 발명의 메모리 카드 기판 절단방법은, 200 ㎚ 내지 700 ㎚ 의 파장을 갖는 레이저빔을 이용하여 메모리 카드 기판을 원하는 형태로 절단함으로써, 아무리 복잡한 형상의 메모리 카드라도 손쉽게 분리할 수 있을 정도로 작업의 유연성이 높고, 단파장 레이저빔을 사용하여 가공 단면의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The cutting method of the memory card substrate of the present invention is such that the memory card substrate is cut into a desired shape by using a laser beam having a wavelength of 200 nm to 700 nm. This high, short wavelength laser beam is used to improve the quality of the processed cross section.

또한, 1회의 절단 작업만으로, 메모리 카드의 직선부 절단 작업 및 메모리 카드의 모서리부의 곡선 처리 작업을 한꺼번에 수행할 수 있으므로, 메모리 카드의 제조 공정 단계를 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, since only one cutting operation can be performed at the same time, the cutting operation of the straight portion of the memory card and the curve processing of the corner portion of the memory card can be performed at once, thereby reducing the manufacturing process step of the memory card.

Claims (8)

하면에 회로 패턴이 형성되어 있는 인쇄회로기판층과 그 인쇄회로기판층의 상면에 도포된 수지몰딩물층을 가지는 다수의 메모리 카드들을 포함하는 메모리 카드 기판으로부터 상기 각각의 메모리 카드를 분리하기 위하여 상기 메모리 카드 기판을 절단하는 메모리 카드 기판 절단방법에 있어서,The memory card for separating each memory card from a memory card substrate, the memory card substrate comprising a plurality of memory cards having a printed circuit board layer having a circuit pattern formed on a lower surface thereof and a resin molding layer applied to an upper surface of the printed circuit board layer. In the memory card substrate cutting method for cutting a card substrate, 상기 메모리 카드 기판으로 레이저빔을 조사하여 상기 인쇄회로기판층과 수지몰딩물층을 녹여 증발시킴으로써 상기 메모리 카드 기판을 원하는 형태로 절단하는 단계를 포함하며,Irradiating a laser beam onto the memory card substrate to melt and evaporate the printed circuit board layer and the resin molding layer to cut the memory card substrate into a desired shape. 상기 메모리 카드 기판으로 조사되는 레이저빔의 파장은 200 ㎚ 내지 700 ㎚인 것을 특징으로 하는 메모리 카드 기판 절단방법.And a wavelength of the laser beam irradiated onto the memory card substrate is 200 nm to 700 nm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메모리 카드 기판으로 조사되는 레이저빔은, 상기 인쇄회로기판층으로부터 상기 수지몰딩물층을 향하는 방향으로 조사되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드 기판 절단방법.And a laser beam radiated onto the memory card substrate in a direction from the printed circuit board layer toward the resin molding layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저빔의 파장은, 400 ㎚ 내지 700 ㎚ 범위 내의 가시광선 영역의 파장인 것을 특징으로 하는 메모리 카드 기판 절단방법.And the wavelength of the laser beam is a wavelength of a visible light region within a range of 400 nm to 700 nm. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 레이저빔의 파장은 532 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 메모리 카드 기판 절단방법.And the wavelength of the laser beam is 532 nm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저빔의 파장은, 200 ㎚ 내지 400 ㎚ 범위 내의 자외선 영역의 파장인 것을 특징으로 하는 메모리 카드 기판 절단방법.The wavelength of the laser beam is a wavelength of the ultraviolet region in the range of 200 nm to 400 nm. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 레이저빔의 파장은 355 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 메모리 카드 기판 절단방법.And a wavelength of the laser beam is 355 nm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절단하는 단계에서,In the cutting step, 상기 메모리 카드 기판으로 조사되는 레이저빔은, 입사되는 레이저빔을 광축에 평행한 상태로 조사되도록 하는 텔레센트릭(telecentric) 렌즈를 통해 상기 메모리 카드 기판으로 조사되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드 기판 절단방법.The laser beam irradiated onto the memory card substrate is irradiated to the memory card substrate through a telecentric lens for irradiating the incident laser beam in a state parallel to the optical axis. . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메모리 카드 기판으로부터 분리되는 메모리 카드는, SD 카드 표준에 따 른 물리적 크기 및 외부 접속부를 가지는 메모리 카드인 것을 특징으로 하는 메모리 카드 기판 절단방법.And a memory card separated from the memory card substrate is a memory card having a physical size and an external connection portion in accordance with the SD card standard.
KR1020060116013A 2006-11-22 2006-11-22 Method for cutting a substrate including a plurality of memory cards KR100817823B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060116013A KR100817823B1 (en) 2006-11-22 2006-11-22 Method for cutting a substrate including a plurality of memory cards

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060116013A KR100817823B1 (en) 2006-11-22 2006-11-22 Method for cutting a substrate including a plurality of memory cards

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100817823B1 true KR100817823B1 (en) 2008-03-31

Family

ID=39412060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060116013A KR100817823B1 (en) 2006-11-22 2006-11-22 Method for cutting a substrate including a plurality of memory cards

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100817823B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150142908A (en) 2014-06-12 2015-12-23 에스티에스반도체통신 주식회사 blade processing for SD card and processing method for SD card and processing device for SD card

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010036631A (en) * 1999-10-11 2001-05-07 윤종용 Memory Card And Method For Making The Same
KR20020047479A (en) * 2000-12-13 2002-06-22 김경섭 Laser cutting method for non-metallic materials
JP2002192371A (en) 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method and laser beam machining device
KR20050007320A (en) * 2002-04-19 2005-01-17 엑스에스아이엘 테크놀러지 리미티드 Program-controlled dicing of a substrate using a pulsed laser
KR20060078110A (en) * 2004-12-30 2006-07-05 삼성전기주식회사 Bga package having a bonding pad become half etching and cut plating gold lines and manufacturing method thereof
KR20060106813A (en) * 2003-09-10 2006-10-12 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 Semiconductor substrate cutting method
KR20060117541A (en) * 2005-05-11 2006-11-17 (주)프로쎈 Multi functional memory card mass-produced by transfer mold

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010036631A (en) * 1999-10-11 2001-05-07 윤종용 Memory Card And Method For Making The Same
JP2002192371A (en) 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method and laser beam machining device
KR20020047479A (en) * 2000-12-13 2002-06-22 김경섭 Laser cutting method for non-metallic materials
KR20050007320A (en) * 2002-04-19 2005-01-17 엑스에스아이엘 테크놀러지 리미티드 Program-controlled dicing of a substrate using a pulsed laser
KR20060106813A (en) * 2003-09-10 2006-10-12 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 Semiconductor substrate cutting method
KR20060078110A (en) * 2004-12-30 2006-07-05 삼성전기주식회사 Bga package having a bonding pad become half etching and cut plating gold lines and manufacturing method thereof
KR20060117541A (en) * 2005-05-11 2006-11-17 (주)프로쎈 Multi functional memory card mass-produced by transfer mold

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150142908A (en) 2014-06-12 2015-12-23 에스티에스반도체통신 주식회사 blade processing for SD card and processing method for SD card and processing device for SD card

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106363823B (en) The thinning method of chip
KR102210945B1 (en) Wafer processing method
JP4110219B2 (en) Laser dicing equipment
JP6189178B2 (en) Laser processing equipment
CN101479838B (en) Individualizing apparatus for electronic component manufacture
KR102303131B1 (en) Laser machining apparatus
US20090223942A1 (en) Lead Frame Isolation Using Laser Technology
JP5596456B2 (en) Laser processing method and semiconductor device using the processing method
CN106469679A (en) The processing method of chip
CN100418195C (en) Failure analysis methods and systems
JP2009184002A (en) Laser beam machining method
JP2016219492A (en) Laser processing device
JP6932248B2 (en) Laser Machining Equipment, Laser Machining Systems, and Laser Machining Methods
US20050167800A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing same
US5034591A (en) Tape automated bonding leads having a stiffener and a method of bonding with same
KR101530390B1 (en) Laser machining apparatus
KR100817823B1 (en) Method for cutting a substrate including a plurality of memory cards
CN104658976A (en) Dividing method and dividing apparatus for wafer laminated body
JP4473550B2 (en) Laser processing method and laser processing apparatus
JP2007048995A (en) Manufacturing method of semiconductor device
US6753500B2 (en) Method and apparatus for cutting a substrate using laser irradiation
KR102581132B1 (en) Method for processing wafer
JP7033485B2 (en) Cutting blade shaping method
JP4215071B2 (en) Image sensor and manufacturing method thereof
JP7058904B2 (en) Wafer processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130108

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140120

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150113

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160114

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170112

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180223

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190319

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200313

Year of fee payment: 13