KR100817042B1 - Bellows type vertical micro contact probe - Google Patents

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Abstract

본 발명은 프로브 카드(probe card)에 사용되는 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical micro contact probe having a bellows shape for use in a probe card.

반도체 칩의 정상 유무를 전기적으로 테스트하기 위해 사용되는 수직형 프로브 카드는, 프로브가 수직방향으로 세워져 상단의 프로브 카드 본체에 고정되고 하단의 프로브 끝이 반도체 칩의 패드와 접촉되는 구조를 갖는다. 그리고 완전한 전기적 접촉을 위하여 어느 정도의 접촉력이 필요하며, 수직형이기 때문에 패드에 단차가 존재할 경우 이를 극복하기 위해 변형을 흡수할 수 있는 스프링 형태의 구조를 갖는다.The vertical probe card used to electrically test whether the semiconductor chip is normally present has a structure in which the probe is erected in a vertical direction and fixed to the upper probe card body, and the lower probe end is in contact with the pad of the semiconductor chip. In addition, some contact force is required for complete electrical contact, and because it is vertical, it has a spring-type structure that can absorb deformation to overcome the step difference in the pad.

본 발명에서는 수직형 프로브에 변형이 생길 경우 발생되는 응력집중 현상을 제거하기 위하여 벨로우즈 형상으로 프로브를 설계한 것을 특징으로 한다. The present invention is characterized in that the probe is designed in a bellows shape in order to remove the stress concentration phenomenon that occurs when deformation occurs in the vertical probe.

수직형 프로브를 벨로우즈 형상으로 설계하면 프로브가 응력을 고르게 받을 수 있으므로 수만 회의 반복 작동횟수를 만족시킬 수 있다.Designing a vertical probe with a bellows shape allows the probe to be evenly stressed, thus meeting tens of thousands of repeat operations.

프로브, 미세 접촉, 수직형, 벨로우즈형 Probe, Fine Contact, Vertical, Bellows

Description

벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브{BELLOWS TYPE VERTICAL MICRO CONTACT PROBE}BELLOWS TYPE VERTICAL MICRO CONTACT PROBE}

도 1은 종래기술에 따른 캔틸레버(cantilever)형 미세 접촉 프로브의 사시도, 1 is a perspective view of a cantilever type micro contact probe according to the prior art;

도 2a는 종래기술에 따른 기본형의 단순 스프링 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브를 나타내는 도면, Figure 2a is a view showing a vertical micro contact probe having a simple spring shape of the basic type according to the prior art,

도 2b는 종래기술에 따른 병렬 조합형의 단순 스프링 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브를 나타내는 도면, Figure 2b is a view showing a vertical micro contact probe having a simple spring shape of the parallel combination type according to the prior art,

도 3은 종래기술에 따른 단순 스프링 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브의 응력분포를 나타내는 도면, 3 is a view showing a stress distribution of a vertical micro-contact probe having a simple spring shape according to the prior art,

도 4는 본 발명에 따른 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브를 나타내는 도면, 4 is a view showing a vertical micro contact probe having a bellows shape according to the present invention;

도 5a는 본 발명에 따른 병렬 조합형의 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브를 나타내는 도면, 5a is a view showing a vertical micro contact probe having a bellows shape of a parallel combination according to the present invention;

도 5b는 본 발명에 따른 편심형의 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브를 나타내는 도면, 5b is a view showing a vertical micro contact probe having an eccentric bellows shape according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 수직형 미세 접촉 프로브의 다양한 벨로우즈 형상을 나타내는 도면이다.6 is a view showing various bellows shapes of the vertical micro-contact probe according to the present invention.

본 발명은 프로브 카드(probe card)에 사용되는 수직형 미세 접촉 프로브에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수직형 미세 접촉 프로브에 변형이 생길 경우 발생되는 응력집중 현상을 제거할 수 있도록 벨로우즈 형상을 가지도록 만들어지는 수직형 미세 접촉 프로브에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical micro contact probe used in a probe card, and more particularly, to have a bellows shape so as to eliminate stress concentration occurring when deformation occurs in a vertical micro contact probe. A vertical micro contact probe is made.

최근 기술의 발전에 따라 반도체 칩은 점점 더 고집적화되고 있다. 일반적으로 제조가 완료된 반도체 칩은 패키징되기 전에 전기적 검사를 실시하며 검사 결과에 따라 양품은 패키징하고 불량품은 폐기처분된다. 이러한 전기적 검사에는 측정기기가 내장된 테스터와 반도체 칩의 패드 사이를 전기적으로 접촉시켜주는 프로브 카드가 사용된다.With the recent development of technology, semiconductor chips are becoming more and more highly integrated. In general, the finished semiconductor chip is subjected to electrical inspection before it is packaged. According to the inspection result, the good product is packaged and the defective product is disposed of. This electrical test uses a probe card that makes electrical contact between the tester with built-in measuring device and the pad of the semiconductor chip.

종래의 LOC(Line Of Center) 형태의 소자 측정에는 도 1에 도시된 바와 같은 캔틸레버(Cantilever) 타입의 프로브를 사용하여 전기적 측정을 실시하였다.Conventional line of center (LOC) type device measurement was performed by using a cantilever (Cantilever) type probe as shown in FIG.

그러나 현재 비메모리 분야와 통신분야에서는 전기적 성능을 향상시킬 수 있고 집적 밀도를 높일 수 있는 C4(Controlled Collapse Chip Connection) 형태의 소자를 사용하고 있으며, 이러한 C4 소자의 패드형태는 일반적으로 비정규 2차원 배열로 되어 있고 반도체 칩의 고집적화에 따라 반도체 칩 패드 사이의 거리(pitch)가 작아지고 있기 때문에, 이에 대응하기 위해 수직형 미세 접촉 프로브가 필요하 게 되었다.However, current non-memory and communication fields use C4 (Controlled Collapse Chip Connection) type devices that can improve electrical performance and increase integration density, and the pad form of such C4 devices is generally an irregular two-dimensional array. Since the pitch between semiconductor chip pads is getting smaller due to the higher integration of semiconductor chips, a vertical fine contact probe is required to cope with this problem.

일반적으로 수직형 미세 접촉 프로브는 전해도금과 같은 반도체 공정으로 제작되기 때문에 형상의 제약이 있다. 그리고 이러한 프로브는, 패드 사이에 단차가 있는 것을 극복하기 위해 수직변위를 흡수할 수 있는 구조를 가져야 하는 동시에, 전극표면에 존재하는 자연 산화막(native oxide)을 제거하기 위해 프로브에 횡방향 힘(lateral force)이 생길 수 있는 구조로 되어 있어야 한다.In general, the vertical micro-contact probe is limited in shape because it is manufactured by a semiconductor process such as electroplating. In addition, the probe should have a structure capable of absorbing the vertical displacement to overcome the step difference between the pads, and at the same time, the lateral force on the probe to remove the native oxide present on the electrode surface. It must be structured to create force).

이러한 조건을 만족하기 위해서 종래 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같은 단순 스프링 형상의 미세 접촉 프로브가 일반적인 수직형 프로브로서 공지되어 있었다. 도 2a에는 종래기술에 따른 기본형의 단순 스프링 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브가 도시되어 있으며, 도 2b에는 종래기술에 따른 병렬 조합형의 단순 스프링 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브가 도시되어 있다.In order to satisfy such a condition, a simple spring-shaped fine contact probe as shown in FIGS. 2A and 2B has been known as a general vertical probe. 2a shows a vertical micro contact probe with a simple spring shape of a basic type according to the prior art, and FIG. 2b shows a vertical micro contact probe with a simple spring shape of a parallel combination type according to the prior art.

그러나, 이러한 종래의 단순 스프링 형상의 미세 접촉 프로브의 경우, 압축하중을 받으면 좌굴(buckling)이 일어나기 쉽고 응력집중현상이 일어나기 쉬운 구조로 되어 있어 소성변형이 일어나기 쉽다.However, such a conventional simple spring-shaped micro-contact probe has a structure that tends to buckling and stress concentration easily under compressive load, and thus plastic deformation easily occurs.

도 3에 도시된 바와 같이, 종래의 단순 스프링 형상의 미세 접촉 프로브의 응력분포를 살펴보면, 스프링 구조의 안쪽에서는 압축응력이 작용하는 동시에 바깥쪽에서는 인장응력이 작용하며, 응력의 크기는 응력집중현상으로 인하여 항복 응력값을 훨씬 넘어서서 소성이 발생한다는 문제가 있었다.As shown in Figure 3, when looking at the stress distribution of the conventional simple spring-like micro-contact probe, the compressive stress acts on the inside of the spring structure while the tensile stress acts on the outside, the magnitude of the stress is stress concentration phenomenon Due to this, there was a problem that plasticity occurred far beyond the yield stress value.

본 발명은 이러한 종래의 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목 적은, 수직형 미세 접촉 프로브가 벨로우즈 형상을 가지도록 하여 수직형 미세 접촉 프로브에 변형이 생길 경우 발생되는 응력집중 현상을 제거할 수 있도록 하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve these conventional problems, and an object of the present invention is to make the vertical microcontact probe have a bellows shape so as to eliminate the stress concentration phenomenon generated when the vertical microcontact probe is deformed. It is intended to be.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 태양에 따르면, 반도체 칩의 전기적 검사를 수행하는 미세 접촉 프로브로서, 압축시 응력의 집중현상이 발생하지 않도록 벨로우즈 형상을 가지는 미세 접촉 프로브가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, as a fine contact probe for performing an electrical inspection of the semiconductor chip, there is provided a fine contact probe having a bellows shape so that the concentration of stress during compression does not occur.

여기에서, 복수개의 벨로우즈 형상을 가진 미세 접촉 프로브가 병렬로 연결되어 이루어진 것이 바람직하다.Here, it is preferable that fine contact probes having a plurality of bellows shapes are connected in parallel.

또한, 상기 미세 접촉 프로브의 말단에는 측정시 반도체 칩의 전극 패드와 접촉되는 팁이 돌출 형성되어 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a tip contacting the electrode pad of the semiconductor chip protrudes at the end of the micro contact probe.

또한, 상기 팁은 상기 미세 접촉 프로브 말단의 중심에 위치되어 있지 않고 일측으로 치우쳐 있는 것이 바람직하다.In addition, the tip is preferably located to one side rather than being located at the center of the micro-contact probe end.

상기 미세 접촉 프로브의 벨로우즈는, 네스팅(nesting) 타입, 평판(flat plate) 타입, 리플(ripple) 타입, 싱글 스위프(single sweep) 타입, 및 토러스(torus) 타입 중에서 선택된 어느 하나의 형상을 가질 수 있다.The bellows of the micro contact probe may have any one shape selected from a nesting type, a flat plate type, a ripple type, a single sweep type, and a torus type. Can be.

본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 반도체 칩의 전기적 검사를 수행하는 수직형 미세 접촉 프로브로서, 압축시 응력집중현상 및 좌굴이 발생하지 않도록 한 쌍의 벨로우즈 형상을 가진 미세 접촉 프로브가 서로 병렬로 대칭되도록 연결되어 있으며, 병렬 연결된 상기 미세 접촉 프로브의 말단에는 측정시 반도체 칩의 전극 패드와 접촉되는 팁이 일측으로 치우쳐 돌출 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 미세 접촉 프로브가 제공된다.According to another aspect of the present invention, a vertical micro-contact probe for performing an electrical inspection of the semiconductor chip, the micro-contact probe having a pair of bellows shape symmetrical in parallel to each other so that stress concentration and buckling does not occur during compression The micro contact probes connected in parallel are provided at the ends of the micro contact probes connected in parallel, and the vertical contact probes are provided to protrude from one side of the tip contacting the electrode pad of the semiconductor chip during measurement.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 미세 접촉 프로브를 도 4 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the micro contact probe according to the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 6.

도 4에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브가 도시되어 있다. 그리고, 도 5a에는 본 발명에 따른 병렬 조합형의 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브가 도시되어 있으며, 도 5b에는 본 발명에 따른 편심형의 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브가 도시되어 있다.4 shows a vertical micro contact probe having a bellows shape according to a preferred embodiment of the present invention. 5A shows a vertical micro contact probe having a bellows shape of a parallel combination type according to the present invention, and FIG. 5B illustrates a vertical micro contact probe having an eccentric bellows shape according to the present invention.

상술한 바와 같이, 도 2a에 도시된 일반적인 스프링 형상의 수직형 미세 접촉 프로브는 응력집중현상으로 인한 소성변형 때문에 수만 회의 반복사용에는 문제가 있었다.As described above, the general spring-shaped vertical micro-contact probe shown in FIG. 2A has a problem in tens of thousands of repeated use because of plastic deformation due to stress concentration.

그러나 도 4, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같은 본 발명의 벨로우즈 형상의 수직형 미세 접촉 프로브의 경우, 수직방향으로 압축되더라도 응력분포가 전체적으로 고르게 분포되어 응력집중현상이 발생하지 않으며, 그에 따라 응력완화 효과를 얻을 수 있다. 또한 전해도금법으로 제작하기에 벨로우즈 형상일지라도 제작하는데 큰 어려움은 없다.
도 4, 도 5a 및 도 5b에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 수직형 미세 접촉 프로브는, 상하 길이방향, 즉 하중이 가해지는 방향을 따라 단위 형상이 반복적으로 배열되어 주름관과 같은 벨로우즈 형상을 가진다.
도 4에는 벨로우즈 형상을 갖는 본 발명에 따른 수직형 미세 접촉 프로브의 전체 형상이 도시되어 있다. 본 발명에 따르면, 단위 형상은 서로 다른 복수의 패턴이 순차적으로 연결되어 이루어진다.
단위 형상은 도 4에 도시된 기본 네스팅(nesting) 타입(혹은 기본 리플(ripple) 타입)의 형상 이외에도, 도 6을 참조하여 후술하는 바와 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.
However, in the case of the bellows-shaped vertical micro contact probe of the present invention as shown in FIGS. 4, 5A and 5B, even when compressed in the vertical direction, the stress distribution is distributed evenly as a whole, and thus stress concentration does not occur. A stress relaxation effect can be obtained. In addition, even if the bellows shape to be produced by the electroplating method, there is no great difficulty.
As shown in Figures 4, 5A and 5B, the vertical micro-contact probe according to the present invention, the unit shape is repeatedly arranged along the longitudinal direction in the vertical direction, that is, the direction of the load is applied bellows shape such as corrugated pipe Has
4 shows the overall shape of a vertical micro contact probe according to the invention having a bellows shape. According to the present invention, the unit shape is formed by sequentially connecting a plurality of different patterns.
The unit shape may have various shapes as described below with reference to FIG. 6 in addition to the shape of the basic nesting type (or basic ripple type) shown in FIG. 4.

일반적으로 수직형 프로브는 압축시 좌굴이 발생할 수 있으며(도 4 참조), 좌굴 발생시 인접한 또 다른 프로브와 간섭이 일어날 수 있다. 좌굴의 발생을 방지하기 위해서, 도 5a에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 벨로우즈 형상의 수직형 미세 접촉 프로브를 서로 병렬로 대칭되도록 연결하여 사용하는 것이 바람직하다. 이때 도 5a 및 도 5b에 도시되어 있는 바와 같이, 서로 대칭으로 병렬 연결된 한 쌍의 벨로우즈 형상의 프로브는 일체로 되어 하나의 수직형 프로브가 되어 함께 변형하게 된다.In general, vertical probes may cause buckling during compression (see FIG. 4), and when buckling occurs, interference with another adjacent probe may occur. In order to prevent the occurrence of buckling, as shown in Figure 5a, it is preferable to use a pair of bellows-shaped vertical micro-contact probes connected in parallel to each other in parallel. At this time, as shown in Figures 5a and 5b, a pair of bellows-shaped probes connected in parallel to each other in symmetry are integrated into a single vertical probe to deform together.

이와 같이 복수개, 즉 한 쌍의 벨로우즈 형상의 프로브를 대칭상으로 병렬 연결하면, 설계조건 내에서 좌굴이 일어나지 않도록 할 수 있다.In this way, when a plurality of pairs of bellows-shaped probes are connected in parallel in a symmetrical manner, buckling can be prevented from occurring within design conditions.

도 5a에 도시된 바와 같이, 대칭상으로 병렬 연결된 병렬조합형의 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브가 압축되더라도, 상하방향의 변형만이 발생할 뿐 좌굴은 전혀 발생하지 않는다.As shown in Figure 5a, even if the vertical micro-contact probe having a bellows shape of the parallel combination symmetrical parallel connection is compressed, only the deformation in the vertical direction occurs but no buckling at all.

도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 병렬조합형의 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브의 말단, 즉 도면에서 볼 때 프로브의 상단에는, 반도체 칩의 전극 패드와 접촉되는 팁이 돌출 형성된다.As shown in FIGS. 5A and 5B, a tip contacting the electrode pad of the semiconductor chip protrudes from the end of the vertical microcontact probe having the bellows shape of the parallel combination, that is, the upper end of the probe in the drawing.

도 5a의 경우에는 프로브 상단의 상기 팁이 중심에 위치되어 있기 때문에, 프로브의 압축시 좌우방향으로의 횡방향 힘(lateral force)이 발생하지 않고, 단지 상하방향으로의 변형만이 발생한다.In the case of FIG. 5A, since the tip of the probe is located at the center, no lateral force in the left and right directions occurs during compression of the probe, and only deformation in the vertical direction occurs.

도 5b의 경우에는 프로브 상단의 상기 팁이 중심에 위치되어 있지 않고 일측으로 치우쳐 편심되어 있기 때문에, 프로브의 압축시 상하방향으로 변형하는 동시에 좌우방향으로의 횡방향 힘이 유발된다.In the case of FIG. 5B, since the tip of the upper end of the probe is not centered and eccentrically biased to one side, the tip is deformed in the vertical direction while compressing the probe, and a lateral force in the left and right directions is induced.

그에 따라 프로브의 압축시 상기 팁이 반도체 칩의 전극 패드 상에서 횡방향 으로 이동하면서 이 전극 패드 상의 자연 산화막을 제거하여 더욱 정확한 테스트가 가능해진다.Accordingly, when the probe is compressed, the tip moves laterally on the electrode pad of the semiconductor chip, thereby removing a natural oxide film on the electrode pad, thereby enabling a more accurate test.

도 5b에는 프로브 상단의 팁이 도면에서 볼 때 중심으로부터 우측으로 치우쳐 위치되어 있어, 프로브가 압축되면 좌측에 비해서 우측의 벨로우즈 형상이 좀 더 압축되는 모습이 도시되어 있다. 그러나, 본 발명의 병렬 연결된 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브에 의하면, 이와 같이 프로브가 어느 한쪽으로 좀더 압축되더라도 근처의 다른 프로브와 간섭될 정도의 좌굴은 전혀 발생하지 않는다.In FIG. 5B, the tip of the probe is positioned to the right side from the center when viewed in the drawing. When the probe is compressed, the bellows shape of the right side is more compressed than the left side. However, according to the vertical micro-contact probe having the bellows shape connected in parallel in the present invention, even if the probe is further compressed to either side, there is no buckling to interfere with another nearby probe.

본 발명에 따른 수직형 미세 접촉 프로브의 벨로우즈 형상은, 도 4, 도 5a 및 도 5b에 도시된 기본적인 네스팅(nesting) 타입(혹은 기본 리플(ripple) 타입)의 형상 이외에도, 도 6에 도시된 바와 같은 다양한 형상을 가질 수 있다.The bellows shape of the vertical micro contact probe according to the present invention is shown in FIG. 6 in addition to the shape of the basic nesting type (or basic ripple type) shown in FIGS. 4, 5A and 5B. It may have various shapes as shown.

도 6의 (a)에는 평판(flat plate) 타입의 벨로우즈 형상이, 도 6의 (b)에는 리플(ripple) 타입의 벨로우즈 형상이, 도 6의 (c)에는 싱글 스위프(single sweep) 타입의 벨로우즈 형상이, 그리고 도 6의 (d)에는 토러스(torus) 타입의 벨로우즈 형상이 도시되어 있다. 본 발명에서는 이러한 다양한 형상의 벨로우즈를 미세 접촉 프로브에 접목시켜서 응용할 수 있다.6 (a) shows a flat plate type bellows shape, FIG. 6 (b) shows a ripple type bellows shape, and FIG. 6 (c) shows a single sweep type. The bellows shape, and in Figure 6 (d) is shown a torus type bellows shape. In the present invention, the bellows of various shapes can be applied to the micro contact probe.

이상에서는 본 발명이 특정 실시예를 중심으로 하여 설명되었지만, 본 발명의 취지 및 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 변형, 변경 또는 수정이 당해 기술 분야에서 있을 수 있으며, 따라서 전술한 설명 및 도면은 본 발명의 기술사상을 한정하는 것이 아닌 본 발명을 예시하는 것으로 해석되어야 한다.While the invention has been described above with reference to specific embodiments, various modifications, changes, or modifications may be made in the art within the spirit and scope of the appended claims, and thus, the foregoing description and drawings illustrate It should be construed as illustrating the present invention, not limiting the technical spirit of the invention.

상술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 수직형 미세 접촉 프로브가 벨로우즈 형상을 가지도록 하여 수직형 미세 접촉 프로브에 변형이 생길 경우 발생되는 응력집중 현상을 제거할 수 있게 된다.According to the present invention as described above, the vertical micro-contact probe has a bellows shape, it is possible to eliminate the stress concentration phenomenon that occurs when the vertical micro-contact probe deformation occurs.

다시 말해서, 수직형 미세 접촉 프로브를 벨로우즈 형상으로 설계하면 이 프로브가 응력을 고르게 받을 수 있으므로 수만 회의 반복 작동횟수를 만족시킬 수 있으며, 패드의 단차에도 유연하게 대처할 수 있는 효과가 있다.In other words, when the vertical micro contact probe is designed in a bellows shape, the probe can be evenly stressed, thereby satisfying tens of thousands of repeated operations, and flexibly coping with the step of the pad.

또한 본 발명에 따르면, 병렬구조의 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브가 제공되어, 설계범위 안에서 좌굴이 일어나지 않게 된다.In addition, according to the present invention, there is provided a vertical micro-contact probe having a bellows shape of the parallel structure, so that buckling does not occur within the design range.

또한 본 발명에 따르면, 반도체 칩의 전극 패드와 접촉하는 프로브의 말단에 형성되는 팁의 위치를 중심으로부터 편심되도록 설정함으로써 프로브의 압축시 전극 표면에 있는 자연 산화막을 제거하여 더욱 정확한 측정이 가능해진다.In addition, according to the present invention, by setting the position of the tip formed at the end of the probe in contact with the electrode pad of the semiconductor chip so as to be eccentric from the center, it is possible to remove the natural oxide film on the electrode surface during compression of the probe to enable more accurate measurement.

Claims (6)

반도체 칩의 전기적 검사를 수행하는 미세 접촉 프로브로서, A micro contact probe for performing an electrical inspection of a semiconductor chip, 상기 미세 접촉 프로브는, 하중이 가해지는 방향을 따라 단위 형상이 반복적으로 배열된 벨로우즈 형상을 가지며, 상기 단위 형상은 서로 다른 복수의 패턴이 순차적으로 연결되어 이루어져, 압축시 응력의 집중현상이 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 미세 접촉 프로브.The micro-contact probe has a bellows shape in which unit shapes are repeatedly arranged along a direction in which a load is applied, and the unit shape is formed by sequentially connecting a plurality of different patterns, so that concentration of stress does not occur during compression. Micro-contact probe, characterized in that not. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 벨로우즈 형상을 가진 한 쌍의 상기 미세 접촉 프로브가 대칭상으로 병렬 연결되어 일체로 이루어진 것을 특징으로 하는 미세 접촉 프로브.And a pair of the microcontact probes having a bellows shape are symmetrically connected in parallel to each other to form a microcontact probe. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 미세 접촉 프로브의 말단에는 측정시 반도체 칩의 전극 패드와 접촉되는 팁이 돌출 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 미세 접촉 프로브.And a tip contacting the electrode pad of the semiconductor chip at the end of the micro contact probe to protrude. 청구항 3에 있어서, The method according to claim 3, 상기 팁은 상기 미세 접촉 프로브 말단의 중심에 위치되어 있지 않고 일측으로 치우쳐 있는 것을 특징으로 하는 미세 접촉 프로브.And the tip is not located at the center of the microcontact probe end but is biased to one side. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 미세 접촉 프로브의 벨로우즈는, 네스팅(nesting) 타입, 평판(flat plate) 타입, 리플(ripple) 타입, 싱글 스위프(single sweep) 타입, 및 토러스(torus) 타입 중에서 선택된 어느 하나의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 미세 접촉 프로브.The bellows of the micro contact probe has a shape selected from a nesting type, a flat plate type, a ripple type, a single sweep type, and a torus type. Micro-contact probe, characterized in that. 반도체 칩의 전기적 검사를 수행하는 수직형 미세 접촉 프로브로서, A vertical micro contact probe for performing an electrical inspection of a semiconductor chip, 압축시 응력집중현상 및 좌굴이 발생하지 않도록, 하중이 가해지는 방향을 따라 단위 형상들이 반복적으로 배열된 벨로우즈 형상을 가지는 한 쌍의 상기 미세 접촉 프로브가 대칭상으로 병렬 연결되어 일체로 이루어져 있으며, In order to prevent stress concentration and buckling during compression, a pair of the micro-contact probes having a bellows shape in which unit shapes are repeatedly arranged along a load direction are integrally connected in parallel in a symmetrical manner, 병렬 연결된 상기 미세 접촉 프로브의 말단에는 측정시 반도체 칩의 전극 패드와 접촉되는 팁이 일측으로 치우쳐 돌출 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 미세 접촉 프로브.And a tip contacting the electrode pad of the semiconductor chip to the side of the micro-contact probe connected in parallel to be protruded to one side.
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