KR100638105B1 - Vertical type probe - Google Patents

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KR100638105B1
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강현욱
조동우
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학교법인 포항공과대학교
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Abstract

본 발명은 수직형 프로브(vertical type probe)에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical type probe.

본 발명은, 수직방향으로 세워져 상단측이 프로브카드측에 고정되고 그 하단측의 팁이 반도체 칩의 패드와 수직으로 접촉되는 수직형 프로브에 있어서, 양단의 중간부에 일정길이로 수직하중에 대해 수직상태를 유지하면서 먼저 분산 변형을 일으켜 상기 팁으로 하중이 집중되는 것을 방지하도록 다수 방향으로 대칭되는 3차원 구조로 된 하중흡수부를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a vertical probe in which the upper end is fixed to the probe card side and the tip of the lower end is in vertical contact with the pad of the semiconductor chip. It is characterized in that it comprises a load absorbing portion having a three-dimensional structure symmetrical in a number of directions to prevent the concentration of the load to the tip by first causing the dispersion deformation while maintaining the vertical state.

따라서, 자체 및 접촉손상을 방지하면서, 반도체 칩의 패드와 전체적으로 안정적인 접촉을 실현하고, 저비용으로 대량생산이 가능하며, 고밀도 배열이 가능한 프로브가 제공되게 되어, 전반적으로 검사비용을 절감시키고 검사효율을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, it is possible to realize stable contact with the pads of the semiconductor chip, prevent mass damage, and prevent damage to itself, and provide a probe capable of mass production at a low cost and high density array, thereby reducing the overall inspection cost and improving the inspection efficiency. It is effective to improve.

프로브, 수직형, 카드, 캔틸레버, 니들, 마이크로, 광조형, 반도체, 칩Probe, vertical, card, cantilever, needle, micro, optical, semiconductor, chip

Description

수직형 프로브{VERTICAL TYPE PROBE}Vertical probes {VERTICAL TYPE PROBE}

도 1은 종래의 에폭시 고정형 링타입 프로브 카드를 개략적으로 나타내는 도면,1 is a view schematically showing a conventional epoxy fixed ring type probe card,

도 2는 종래에 있어 검사대상의 반도체 칩상의 패드에 긁힘현상이 발생된 것을 보여주는 사진,2 is a photograph showing that scratches are generated in a pad on a semiconductor chip to be inspected in the related art;

도 3은 본 발명에 따른 수직형 프로브들을 대표적으로 보여주는 도면,3 representatively shows vertical probes in accordance with the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 수직형 프로브들이 하중에 대해 변형된 일 상태를 보여주는 도면,4 is a view showing a state in which vertical probes are deformed with respect to a load according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 수직형 프로브를 이용하는 프로브 카드에 대한 개념을 설명하는 도면이다.5 is a view for explaining the concept of a probe card using a vertical probe according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 반도체 칩 12 : 패드10 semiconductor chip 12 pad

15 : 긁힘부분 20 : 프로브 카드15: scratch 20: probe card

22 : 기판부재 24 : 프로브22 substrate member 24 probe

24a : 팁 240 : 나선형 프로브24a: tip 240: spiral probe

340 : 마름모형 프로브 440 : 삼발이형 프로브340: rhombus probe 440: trigeminal probe

240a, 340a, 440a : 팁 240b, 340b, 440b : 하중흡수부240a, 340a, 440a: tips 240b, 340b, 440b: load absorbing part

300 : 프로브 카드 320 : 기판부재300: probe card 320: substrate member

322 : 고정전극322: fixed electrode

본 발명은 반도체 칩의 정상유무를 전기적으로 테스트하는데 사용되는 프로브에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 검사대상의 반도체 칩의 패드와 수직으로 접촉되어 종래의 캔틸레버형에 비해 상호간의 접촉손상을 저감하고, 그 형태상 고밀도 배열이 가능하여 고집적화된 반도체 칩의 검사에 효과적으로 대응할 수 있는 수직형 프로브에 관한 것이다.The present invention relates to a probe used to electrically test whether a semiconductor chip is normally present. More specifically, the probe is vertically contacted with a pad of a semiconductor chip to be inspected to reduce contact damage with each other, compared to a conventional cantilever type. In addition, the present invention relates to a vertical probe capable of high-density arrangement in its shape and effectively coping with inspection of highly integrated semiconductor chips.

일반적으로, 제조가 완료된 반도체 칩은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display)나 반도체 패키지로 조립되기 전에 그 전기적 특성을 검사하는 EDS(Electrical Die Sorting)검사를 실시하며, EDS검사의 결과에 따라 양품의 반도체 칩은 액정표시소자나 반도체 패키지로 조립이 진행되고, 불량의 반도체 칩은 조립되지 않고 폐기처분된다. 이러한 EDS검사는 컴퓨터에 각종 측정기기들이 내장된 테스터(tester)와 검사대상인 단위 반도체 칩을 전기적으로 접촉시킬 수 있는 프로브 카드(probe card)가 탑재된 프로버 스테이션(prober station)에서 수행된다.In general, semiconductor chips that have been manufactured are subjected to an electrical die sorting (EDS) test that examines electrical characteristics before assembling into a liquid crystal display (LCD) or semiconductor package, and according to the result of the EDS test Of the semiconductor chip is assembled into a liquid crystal display element or a semiconductor package, and the defective semiconductor chip is discarded without being assembled. The EDS test is performed in a prober station equipped with a probe card capable of electrically contacting a tester in which various measuring devices are built into a computer and a unit semiconductor chip to be inspected.

프로브 카드는 반도체 칩의 패드(pad, 접촉단자)와 테스터간을 연결시키는 전기적인 결합 매개체로서, 기판(PCB ; Printed Circuit Board)과, 기판의 회로에 연결되는 프로브(probe)로 구성되는데, 기판은 테스터측과 연결되어 검사에 필요한 전기적 신호를 테스터로부터 받아 프로브에 전달하며, 프로브는 그 끝단인 팁(tip)이 검사대상의 반도체 칩의 패드와 접촉하여 기판으로부터의 전기적 신호를 반도체 칩에 전달한다. 물론, 반도체 칩에 인가된 전기적 신호에 대응하는 전기적 신호는 역으로 반도체 칩으로부터의 프로브, 기판을 통해 테스터에 수신된다.A probe card is an electrical coupling medium that connects a pad (contact terminal) of a semiconductor chip to a tester. The probe card includes a printed circuit board (PCB) and a probe connected to a circuit of the substrate. Is connected to the tester side and receives the electrical signal required for the test from the tester, and the tip of the probe contacts the pad of the semiconductor chip to be inspected and transmits the electrical signal from the substrate to the semiconductor chip. do. Of course, the electrical signal corresponding to the electrical signal applied to the semiconductor chip is inversely received by the tester through the probe from the semiconductor chip, the substrate.

도 1은 익히 잘 알려진 에폭시(epoxy) 고정형 링(ring)타입 프로브 카드를 개략적으로 나타낸다.Figure 1 schematically shows a well known epoxy fixed ring type probe card.

링타입 기판부재(22)의 중앙홀 내부에 검사대상의 단위 반도체 칩(10)이 위치하고, 기판부재(22)의 저면측에 일단이 고정된 캔틸레버(cantilever)형 니들(needle)타입의 프로브(24)가 중앙홀 내부에 위치하는 칩(10)의 패드(12)에 그 팁(24a)이 접촉되도록 복수개 배열되어 있다.A cantilever type needle probe having a unit semiconductor chip 10 to be inspected in the center hole of the ring-type substrate member 22 and having one end fixed to the bottom surface side of the substrate member 22 ( A plurality of tips 24 are arranged so that the tip 24a contacts the pad 12 of the chip 10 located inside the central hole.

여기서, 복수개의 프로브(24)는 기판부재(22)의 저면측에 에폭시 재질의 고정부재(미도시)를 통해 고정되며, 소정부가 수평방향에서 하방 즉, 칩(10)의 패드(12) 방향으로 수직에 가깝게 절곡된 형태로, 주로 높은 강성의 실리콘과 같은 재질로 이루어져 있다.Here, the plurality of probes 24 are fixed to the bottom side of the substrate member 22 through a fixing member (not shown) made of epoxy, and a predetermined portion thereof is downward in the horizontal direction, that is, the pad 12 direction of the chip 10. It is bent close to the vertical shape, and mainly consists of high rigid silicon-like material.

그러나, 이러한 프로브 카드(20)는 프로브(24)간의 거리가 100㎛ 내외로 칩(10)상의 패드(12)의 수가 500개 내외로 제한되며, 실리콘 식각기술을 통해 제조되므로 프로브(24)의 간격을 100㎛ 이하로 줄이는데 한계가 있고, 그 형태상 수평방향으로 넓게 퍼져 있어, 고집적화된 반도체 칩(10)의 패드(12)에 대응할 수 없는 문제점이 있다.However, the probe card 20 has a distance between the probes 24 and 100 μm, and the number of the pads 12 on the chip 10 is limited to about 500, and is manufactured through silicon etching technology. There is a limit to reducing the spacing to 100 占 퐉 or less, and there is a problem in that it spreads widely in the horizontal direction and cannot cope with the pad 12 of the highly integrated semiconductor chip 10.

그리고, 매우 작은 프로브(24)를 수작업으로 절단 및 연마하여 기판부재(22) 에 고정하고 정렬해 주어야 하므로, 대량생산에 한계가 있고, 작업자의 숙련도 등에 의해서 그 특성에 큰 차이가 발생하는 문제점도 있다.In addition, since the very small probe 24 must be manually cut and polished to be fixed and aligned to the substrate member 22, there is a limitation in mass production, and there are problems in that a large difference occurs in the characteristics due to the skill of the operator. have.

또한, 실리콘 재질의 높은 강성 및 그 캔틸레버 형태에 따라 특정 부근에서 응력집중의 발생으로 부러지는 등 쉽게 파손이 발생되고, 검사가 반복되는 과정에서 쉽게 피로도(fatigue) 특성이 저하되어 결국 부러짐으로써 프로브 카드(20)의 고장원인이 되는 문제점도 있다.In addition, according to the high rigidity of the silicon material and the shape of the cantilever, the breakage occurs easily, such as breakage due to the generation of stress concentration in a specific vicinity, and the fatigue property is easily lowered and eventually broken in the course of repeated inspections. There is also a problem that causes the failure of (20).

뿐만 아니라, 칩(10)상의 패드(12)의 수가 많고 그 나열이 일정하지 않은 경우, 프로브(24)의 고정점에서 팁(24a)까지의 거리가 일정하지 않기 때문에 접촉압력이 전체적으로 일정하지 않아 도전능력이 저하되며, 이를 방지하고자 높은 하중으로 누르게 되면 특정하게 돌출된 한, 두개의 프로브(24) 팁(24a)에 하중이 집중되어 해당 프로브(24)와 패드(12)에 접촉손상이 발생되는 문제점도 있었다.In addition, when the number of pads 12 on the chip 10 is large and the arrangement thereof is not constant, the contact pressure is not constant as a whole because the distance from the fixed point of the probe 24 to the tip 24a is not constant. The conductivity is lowered, and when pressed with a high load to prevent this, the load is concentrated on the tip 24a of the two probes 24 as long as they are specifically protruded, resulting in contact damage to the probes 24 and the pad 12. There was also a problem.

나아가, 캔틸레버 형태로 되어 있어 끝단인 팁(24a)이 패드(12)에 접촉된 상태에서 일부 이동할 수 있어 자체 손상과 더불어 도 2의 사진에서 볼 수 있는 바와 같이 패드(12)상에 긁힘현상(도면상 "15" 부분)을 일으켜 패드(12)에 코팅된 골드(gold)막을 벗겨 손상시키는 문제점도 있었다.In addition, the tip of the tip (24a) is in the form of a cantilever can be moved in the state in contact with the pad 12, the scratches on the pad 12 as shown in the photograph of Figure 2 with self damage ( There was also a problem in that the "15" part in the drawing to peel off the gold film coated on the pad (12) to damage.

본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로써, 고밀도 배열이 가능하여 고집적화된 반도체 칩의 파인피치(fine pitch)에 효과적으로 대응하고, 검사시 접촉손상을 억제하도록, 광경화성수지 재질로 마이크로광조형 기술(MST ; Micro-Stereolithography Technology)에 의해 제작될 수 있는 수직형 프 로브를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to solve the above-mentioned problems, and is made of a photocurable resin material to cope with fine pitch of a highly integrated semiconductor chip capable of high density arrangement and to suppress contact damage during inspection. It is an object of the present invention to provide a vertical probe that can be manufactured by a micro-steerolithography technology (MST).

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 수직방향으로 세워져 상단측이 프로브카드측에 고정되고 그 하단측의 팁이 반도체 칩의 패드와 수직으로 접촉되는 수직형 프로브에 있어서, 양단의 중간부에 일정길이로 수직하중에 대해 수직상태를 유지하면서 먼저 분산 변형을 일으켜 상기 팁으로 하중이 집중되는 것을 방지하도록 다수 방향으로 대칭되는 3차원 구조로 된 하중흡수부를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a vertical probe in which the upper end is fixed to the probe card side and the tip of the lower end is vertically contacted with the pad of the semiconductor chip. A vertical probe comprising a load absorbing part having a three-dimensional structure that is symmetrical in a plurality of directions so as to maintain a vertical state with respect to a vertical load at a predetermined length, thereby causing a dispersion deformation to prevent the load from being concentrated at the tip. to provide.

본 발명의 상기 목적과 여러가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above objects and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 수직형 프로브들을 대표적으로 나타낸다.3 representatively represents vertical probes according to the invention.

본 발명에 따르면, 마이크로광조형 기술(MST ; Micro-Stereolithography Technology)을 이용하여 다양한 수직형 프로브(240, 340, 440)를 제작하는데, 도면에서 (a)는 나선형(240), (b)는 마름모형(340), (c)는 삼발이형(440)을 각각 나타낸다.According to the present invention, various vertical probes 240, 340, and 440 are manufactured by using micro-steerolithography technology (MST), in which (a) is a spiral 240, (b) Rhombus 340, (c) represents the triangular 440, respectively.

이러한 수직형 프로브(240, 340, 440)는 수직으로 고정되어 검사대상의 반도체 칩(10)의 패드(12)와 수직으로 접촉하여 종래의 캔틸레버형 프로브(24)보다 상 호간에 접촉손상을 줄일 수 있으며, 그 형태가 종래에 비해 수평방향으로 펴져 있지 않아 고집적화된 반도체 칩(10)의 검사에 효과적으로 대응할 수 있다.The vertical probes 240, 340, and 440 are vertically fixed so as to be in vertical contact with the pad 12 of the semiconductor chip 10 to be inspected to reduce contact damage between each other than the conventional cantilever probe 24. The shape of the semiconductor chip 10 can be effectively coped with the inspection of the highly integrated semiconductor chip 10 because its shape is not extended in the horizontal direction.

이러한 수직형 프로브(240, 340, 440)는 상단측이 프로브 카드(300)의 기판부재(320)에 고정되고, 그 하단측에는 반도체 칩(10)의 패드(12)와 접촉되는 팁(240a, 340a, 440a)이 짧은 길이로 일체 형성되어 있으며, 양단의 중간부에는 외부의 수직하중을 흡수하여 수직상태를 유지하면서 먼저 변형을 일으키는 3차원 형상의 하중흡수부(240b, 340b, 440b)가 구비된다.The vertical probes 240, 340, and 440 have upper ends fixed to the substrate member 320 of the probe card 300, and lower ends of the vertical probes 240a, 340, and 440 contact the pads 12 of the semiconductor chip 10. 340a, 440a are integrally formed with a short length, and the middle portion of both ends is provided with a three-dimensional load absorbing portion 240b, 340b, 440b, which absorbs external vertical loads and maintains a vertical state, causing deformation first. do.

나선형 프로브(240)의 하중흡수부(240b)는 적어도 한번 이상 완만하게 절곡된 형태이고, 마름모형 프로브(340)의 하중흡수부(340b)는 상호 일정각도로 이격된 복수개의 절곡된 기둥이 측면에서 보았을 때 상호 마름모형을 이루는 형태이며, 삼발이형 프로브(440)의 하중흡수부(440b)는 상호 일정각도로 이격된 세개의 기둥이 평행을 유지하다가 경사져 하단측의 팁(440a)에 집중되어 연결되는 형태를 갖는다.The load absorbing portion 240b of the helical probe 240 is gently bent at least once, and the load absorbing portion 340b of the rhombic probe 340 has a plurality of bent pillars spaced at a predetermined angle from each other. When viewed from the form of a mutual diamond shape, the load absorbing portion (440b) of the tri-shaped probe 440 is concentrated on the tip 440a of the lower side inclined while maintaining the parallel three columns spaced at a certain angle to each other It is connected form.

물론, 나선형 프로브(240)에서의 절곡회수, 마름모형 프로브(340) 및 삼발이형 프로브(440)에서의 기둥의 개수, 그들의 형태상 조건 등은 칩(10)의 패드(12)와의 접촉압력, 변형조건 등을 고려하여 적절히 선택되어야 한다.Of course, the number of bends in the spiral probe 240, the number of pillars in the rhombus probe 340 and the trigeminal probe 440, their morphological conditions, and the like may be determined by contact pressure with the pad 12 of the chip 10, It should be appropriately selected in consideration of deformation conditions.

도 4는 전술한 수직형 프로브들이 하중에 대해 변형된 일 상태를 보여준다.4 shows a state in which the above-described vertical probes are deformed with respect to a load.

본 발명에 따른 수직형 프로브들(240, 340, 440)은 상하측으로부터 작용하는 수직하중에 대해 그 하중흡수부(240b, 340b, 440b)가 수직상태를 유지하면서 응력집중없이 먼저 고르게 변형을 일으키며, 따라서 팁(240a, 340a, 440a)에 하중이 집중되는 것을 방지하여 접촉손상을 방지하고, 접촉하중을 증가시켜 모든 프로브(240, 340, 440)의 팁(240a, 340a, 440a)이 칩(10)의 패드(12)에 완전하게 접촉되도록 할 수 있다.The vertical probes 240, 340, and 440 according to the present invention first deform evenly without stress concentration while the load absorbing parts 240b, 340b, and 440b are vertical to the vertical load acting from the upper and lower sides. Therefore, to prevent contact damage by preventing load concentration on the tips 240a, 340a, and 440a, and to increase the contact load, the tips 240a, 340a, and 440a of all the probes 240, 340, and 440 are chip ( 10 may be brought into full contact with the pad 12.

나아가, 본 발명에 따른 수직형 프로브(240, 340, 440)는 마이크로광조형 기술에 의해 제작될 수 있다.Furthermore, the vertical probes 240, 340, and 440 according to the present invention can be manufactured by microoptic shaping technology.

마이크로광조형 기술은 종래의 광조형 기술(stereolithography)을 마이크로 구조물 제작에 응용한 것으로서, 자외선에 경화되는 광경화성수지(photopolymer)를 이용하여 일정한 층 두께를 가진 단면을 계속 적층하여 3차원 형상으로 제작한다.Micro-optic shaping technology is applied to conventional micro-structured fabrication (stereolithography) in the fabrication of microstructures, using a photocurable resin cured by ultraviolet light to continue to laminate the cross section having a certain layer thickness to produce a three-dimensional shape do.

이러한 마이크로광조형 기술은 2001년 한국정밀공학회 추계학술대회 논문집의 "극소광조형 기술을 이용한 3차원 구조물의 제작" 등에 잘 나타나 있으며, 아직까지 마이크로광조형 기술을 이용하여 프로브를 제작한 바는 없다.Such micro-optic technology is well represented in the "Preparation of 3D Structures Using Micro-Optic Forming Technology" in the 2001 Korean Society of Precision Engineering Conference, and no probe has been manufactured using micro-optic technology. .

이와 같은 마이크로광조형 기술을 이용하면 종래에 비해 제작비용을 절감하고 생산성을 향상시킬 수 있다.Using such a micro-optic technology can reduce the production cost and improve productivity compared to the conventional.

이와 같이, 본 발명에 따른 프로브(240, 340, 440)는 폴리머 재료로 제작되므로 종래의 실리콘에 비해 플렉시블하여 파손 가능성이 현저히 낮으며, 그 도전성 확보를 위해 도전성 재료를 표면에 코팅하거나 도전성 재료와 복합화시킨 복합재료를 이용하여 제작될 수도 있다.As described above, the probes 240, 340, and 440 according to the present invention are made of a polymer material, and thus are more flexible than conventional silicon, so the possibility of breakage is remarkably low. It may also be produced using a composite material composited.

도 5는 본 발명에 따른 수직형 프로브를 이용하는 프로브 카드에 대한 개념을 나타낸다.5 shows a concept of a probe card using a vertical probe according to the present invention.

프로브 카드(300)의 기판부재(320)상에 고정전극(322)을 만들어 고정전극(322)에 프로브(340)의 상단측을 고정시키며, 고정전극(322)은 와이어링(wiring)을 통해 회로와 연결되게 된다.The fixed electrode 322 is formed on the substrate member 320 of the probe card 300 to fix the upper side of the probe 340 to the fixed electrode 322, and the fixed electrode 322 is connected through wiring. To be connected to the circuit.

이상에서, 세가지 형태의 수직형 프로브(240, 340, 440)를 대표적으로 나타내었으나, 그 외에 하중흡수부가 지그재그 형태로 된 지그재그형 프로브 등 하중에 따른 변형조건 및 제작조건을 만족할 수 있는 다양한 형태로 제작될 수 있음은 물론이다.In the above description, three types of vertical probes 240, 340, and 440 are representatively represented, but in addition, the load absorbing parts may be zigzag-shaped, zigzag-type probes, etc. Of course, it can be produced.

이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정과 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.In the foregoing description, it should be understood that those skilled in the art can make modifications and changes to the present invention without changing the gist of the present invention as merely illustrative of a preferred embodiment of the present invention.

본 발명에 따르면, 자체 및 접촉손상을 방지하면서, 반도체 칩의 패드와 전체적으로 안정적인 접촉을 실현하고, 저비용으로 대량생산이 가능하며, 고밀도 배열이 가능한 프로브가 제공되게 되어, 전반적으로 검사비용을 절감시키고 검사효율을 향상시키는 효과가 달성될 수 있다.According to the present invention, it is possible to realize a stable contact with the pad of the semiconductor chip while preventing self and contact damage, and to provide a probe capable of mass production at a low cost and a high density arrangement, thereby reducing the overall inspection cost. The effect of improving the inspection efficiency can be achieved.

Claims (7)

수직방향으로 세워져 상단측이 프로브카드측에 고정되고 그 하단측의 팁이 반도체 칩의 패드와 수직으로 접촉되는 수직형 프로브에 있어서,In a vertical probe in which the upper end is fixed to the probe card side and the tip of the lower end is in vertical contact with the pad of the semiconductor chip. 양단의 중간부에 일정길이로 수직하중에 대해 수직상태를 유지하면서 먼저 분산 변형을 일으켜 상기 팁으로 하중이 집중되는 것을 방지하도록 다수 방향으로 대칭되는 3차원 구조로 된 하중흡수부를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.It includes a load absorbing portion having a three-dimensional structure symmetrical in a number of directions to prevent the concentration of load to the tip by first causing a dispersion deformation while maintaining a vertical state with respect to the vertical load at a predetermined length in the middle of both ends Vertical probe. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하중흡수부는,The load absorbing unit, 상호 일정각도로 이격된 복수개의 절곡된 기둥이 측면에서 보았을 때 마름모형을 이루는 형태인 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.A vertical probe, characterized in that the plurality of bent pillars spaced apart from each other by a certain angle to form a rhombus when viewed from the side. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하중흡수부는,The load absorbing unit, 상호 일정각도로 이격된 복수개의 기둥이 평행을 유지하다가 경사져 상기 팁측에 집중되어 연결되는 형태인 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.Vertical poles characterized in that the plurality of pillars spaced at a predetermined angle to each other while being parallel to the inclined to be concentrated concentrated on the tip side. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 기본적으로 광경화성수지로 이루어져,It is basically composed of photocurable resin, 마이크로광조형 기술에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.Vertical probes produced by microoptic shaping technology. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 광경화성수지의 표면에 도전성 재료를 코팅한 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.And a conductive material coated on a surface of the photocurable resin. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 광경화성수지로는,As the photocurable resin, 도전성 재료가 복합화된 것이 이용되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.A vertical probe comprising a composite of a conductive material.
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