KR100816319B1 - Resist dilution system - Google Patents

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KR100816319B1
KR100816319B1 KR1020060098803A KR20060098803A KR100816319B1 KR 100816319 B1 KR100816319 B1 KR 100816319B1 KR 1020060098803 A KR1020060098803 A KR 1020060098803A KR 20060098803 A KR20060098803 A KR 20060098803A KR 100816319 B1 KR100816319 B1 KR 100816319B1
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도루 하세가와
에이지 무로부시
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

(과제) 본 발명에서는 고점도 레지스트 등의 건조되기 쉬운 액체가 흐르는 배관을 갖는 레지스트 희석 시스템을 제공한다.(Problem) The present invention provides a resist dilution system having a pipe through which a liquid which is easy to dry, such as a high viscosity resist, flows.

(해결 수단) 고점도 레지스트용 배관 (3a) 과 희석 용제용 배관 (3b) 및 1 개의 유출부 (3e) 를 갖는 배관 (3) 과, 고점도 레지스트용 배관 (3a) 으로부터 유입되고, 유출부 (3e) 로부터 유출된 고점도 레지스트와, 희석 용제용 배관 (3b) 으로부터 유입되고, 유출부 (3e) 로부터 유출된 희석 용제를 혼합시키는 조제 탱크 (2) 를 구비하는 레지스트 희석 시스템 (1) 을 사용함으로써, 사용시에, 희석 용제가 항상 배관의 표면에 잔류하고 있는 고점도 레지스트를 씻어낼 수 있다.(Solution means) It flows in from the high viscosity resist piping 3a, the dilution solvent piping 3b, the piping 3 which has one outflow part 3e, and the high viscosity resist piping 3a, and flows out from the outflow part 3e. By using the resist dilution system 1 provided with the preparation tank 2 which mixes the high-viscosity resist which flowed out from and into the dilution solvent piping 3b which flowed in from the dilution solvent piping 3b, In use, the dilute solvent can wash away any high viscosity resist that always remains on the surface of the piping.

레지스트 희석 시스템 Resist dilution system

Description

레지스트 희석 시스템{RESIST DILUTION SYSTEM}Resist Dilution System {RESIST DILUTION SYSTEM}

도 1 은 제 1 실시형태에 있어서의 레지스트 희석 시스템을 나타낸 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which showed the resist dilution system in 1st Embodiment.

도 2 는 제 2 실시형태에 있어서의 레지스트 희석 시스템을 나타낸 도면.FIG. 2 shows a resist dilution system in a second embodiment. FIG.

도 3 은 종래의 레지스트 희석 시스템을 나타낸 도면.3 shows a conventional resist dilution system.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1: 레지스트 희석 시스템 2: 조제 탱크1: resist dilution system 2: preparation tank

3: 배관 3a: 고점도 레지스트용 배관3: Piping 3a: Piping for High Viscosity Resist

3b: 희석 용제용 배관 3c: 접속부3b: dilution solvent piping 3c: connection portion

3d: 공통 배관 3e: 유출부3d: common pipe 3e: outlet

4a, 4b: 밸브 5: 고점도 레지스트4a, 4b: valve 5: high viscosity resist

6: 희석 용제 10: 희석 용제 공급 탱크6: dilution solvent 10: dilution solvent supply tank

11: 고점도 레지스트 공급 탱크 12: 연결관11: high viscosity resist supply tank 12: connector

[특허 문헌 1] 일본 공개특허공보 2001-176776호[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-176776

[특허 문헌 2] 일본 실용신안공보 소61-188351호[Patent Document 2] Japanese Utility Model Publication No. 61-188351

본 발명은 레지스트 희석 시스템에 있어서의 고점도 레지스트의 건조에 대처하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to techniques for coping with the drying of high viscosity resists in resist dilution systems.

반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 피도포체에 레지스트액을 도포하여 균일한 두께의 도막을 형성하는 전단계로서, 그 레지스트액을 조제할 필요가 있다. 레지스트액은 통상적으로 수송 비용 등의 관점에서 농축되어 제공되고 있는 고점도의 레지스트를, 실제로 사용하는 공장 등에서 희석하여 적당한 점도로 조제되고 있다.As a preliminary step of forming a coating film of uniform thickness by applying a resist liquid to a coated object such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate, it is necessary to prepare the resist liquid. The resist liquid is usually prepared in a suitable viscosity by diluting a high-viscosity resist, which is concentrated and provided in view of transportation costs, in a factory actually used.

도 3 은 종래의 레지스트 희석 시스템을 나타낸다. 레지스트 희석 시스템 (21) 은 조제 탱크 (22), 고점도 레지스트용 배관 (23), 희석 용제용 배관 (25), 밸브 (24, 26) 로 이루어진다. 고점도 레지스트용 배관 (23) 에는 고점도 레지스트 (27) 가 도입되어 조제 탱크 (22) 로 흘러들어가도록 되어 있다. 밸브 (24) 는 고점도 레지스트용 배관 (23) 에 설치되어, 조제 탱크 (22) 로 흘러들어가는 고점도 레지스트 (27) 의 유량을 조정할 수 있다. 희석 용제용 배관 (25) 에는 희석 용제 (28) 가 도입되어, 조제 탱크 (22) 로 흘러들어가도록 되어 있다. 밸브 (26) 는 희석 용제용 배관 (25) 에 설치되어, 조제 탱크 (22) 로 흘러들어가는 희석 용제 (28) 의 유량을 조정할 수 있다.3 shows a conventional resist dilution system. The resist dilution system 21 consists of the preparation tank 22, the high viscosity resist piping 23, the dilution solvent piping 25, and the valves 24 and 26. As shown in FIG. The high viscosity resist 27 is introduced into the high viscosity resist pipe 23 and flows into the preparation tank 22. The valve 24 is provided in the high viscosity resist piping 23 and can adjust the flow volume of the high viscosity resist 27 which flows into the preparation tank 22. The diluting solvent 28 is introduced into the dilution solvent piping 25 so as to flow into the preparation tank 22. The valve 26 is provided in the dilution solvent piping 25 to adjust the flow rate of the dilution solvent 28 flowing into the preparation tank 22.

이러한 레지스트 희석 시스템 (21) 을 사용하여 고점도 레지스트를 희석시키는 방법에 대하여 설명한다. 우선, 밸브 (24) 를 개방하여, 고점도 레지스트 (27) 를 조제 탱크 (22) 에 소정량 유입시킨 후, 밸브 (24) 를 닫는다.The method of diluting high viscosity resist using this resist dilution system 21 is demonstrated. First, the valve 24 is opened, and the high viscosity resist 27 flows into the preparation tank 22 by a predetermined amount, and then the valve 24 is closed.

다음으로, 밸브 (26) 를 개방하여, 희석 용제 (28) 를 조제 탱크 (22) 로 유 입시킨다. 희석 용제 (28) 를, 고점도 레지스트 (27) 를 적당한 점도가 되도록 희석시키기 위해 필요한 양을 조제 탱크 (22) 에 유입시킨 후, 밸브 (26) 를 닫는다.Next, the valve 26 is opened, and the dilution solvent 28 is introduced into the preparation tank 22. After diluting the diluting solvent 28 into the preparation tank 22 in an amount necessary to dilute the high viscosity resist 27 to a suitable viscosity, the valve 26 is closed.

이와 같이, 고점도 레지스트용 배관, 희석 용제용 배관의 별개의 독립된 배관 각각으로부터 고점도 레지스트, 희석 용제를 도입하여, 그 고점도 레지스트를 적당한 점도가 될 때까지 희석시키고 있었다.In this way, a high viscosity resist and a diluting solvent were introduced from each of the independent pipes of the high viscosity resist pipe and the dilution solvent pipe, and the high viscosity resist was diluted until an appropriate viscosity was obtained.

또, 고점도 레지스트를 희석시키는 다른 방법으로서, 예를 들면, 특허 문헌 1 에서는, 도포막 형성 장치 내에 농도가 높은 원료액과 희석액을 유지하고, 반도체 웨이퍼에 도포액을 공급하는 노즐 선단부에서, 그 원료액과 그 희석액을 교반 혼합시키는 도포막 형성 장치가 개시되어 있다.Moreover, as another method of diluting a high-viscosity resist, For example, in patent document 1, the raw material liquid and dilution liquid with high density | concentration are maintained in a coating film forming apparatus, and the raw material is provided at the nozzle tip part which supplies a coating liquid to a semiconductor wafer. The coating film forming apparatus which stir-mixes liquid and its dilution liquid is disclosed.

또, 특허 문헌 2 에서는, 포토레지스트 탱크와 희석 노즐 사이에, 포토레지스트 희석용 용제와 포토레지스트와 혼합시키는 희석 탱크와, 그 포토레지스트 희석용 용제를 그 희석 탱크로 주입하는 장치를 구비한 포토레지스트 도포 장치가 개시되어 있다.Moreover, in patent document 2, between the photoresist tank and a dilution nozzle, the photoresist provided with the dilution tank which mixes with a photoresist dilution solvent and a photoresist, and the apparatus which injects the photoresist dilution solvent into this dilution tank. A coating apparatus is disclosed.

도 3 의 레지스트 희석 시스템 (21) 에 사용되고 있는 배관에는, 고점도 레지스트용 배관과 희석 용제용 배관이 각각 독립적으로 설치되어 있었다. 이 때문에, 고점도 레지스트용 배관의 내측 표면에는 잔류한 고점도 레지스트가 부착되고, 그것이 건조되어 고착되어 있었다. 고점도 레지스트용 배관 중, 특히 공기와 가장 접촉하는 배출구 부근에서는 그 고착이 현저했다. 따라서, 이러한 레 지스트 희석 시스템은, 정기적인 메인티넌스에 의해 고점도 레지스트용 배관을 세정하여 사용하는 것을 전제로 설계되어 있었다.In the piping used for the resist dilution system 21 of FIG. 3, the high viscosity resist piping and the dilution solvent piping were provided independently, respectively. For this reason, the remaining high viscosity resist adhered to the inner surface of the piping for high viscosity resists, and it dried and fixed. In the highly viscous resist piping, the sticking was remarkable especially in the vicinity of the outlet which most contacts air. Therefore, such a resist dilution system is designed on the premise that the piping for high viscosity resists is cleaned and used by regular maintenance.

또, 고점도 레지스트용 배관의 접속 개소나 고점도 레지스트용 배관에 설치된 밸브에 고점도 레지스트의 건조물이나 점도 변화물이 존재하는 경우, 그 건조물이나 점도 변화물에 기초하여 이물이 발생하거나 레지스트의 특성이 변화하거나 하는 등의 문제가 우려되고 있었다.In addition, when there is a dried substance or a change in viscosity of a high viscosity resist in a connection point of a highly viscous resist pipe or a valve provided in the highly viscous resist pipe, a foreign substance may be generated or the characteristics of the resist may change based on the dried substance or a change in viscosity. There was a concern such as to.

게다가, 고점도 레지스트용 배관을 세정하는 경우, 그 레지스트 희석 시스템의 가동을 정지시킬 필요가 있어, 그 대체기 (세정 중의 백업 장치) 가 필요했다. 따라서, 상시 가동하는 레지스트 희석 시스템에는 적합하지 않은 점이 있었다.In addition, when washing the piping for high viscosity resists, it was necessary to stop the operation of the resist dilution system, and the replacement device (backup device during cleaning) was necessary. Therefore, there was a point that it was not suitable for the resist dilution system which always runs.

또, 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2 의 포토레지스트 도포 장치에서는, 레지스트액의 엄밀한 농도 조제가 어려워, 적절한 점도로 설정할 수 없다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포했을 때의 두께의 제어가 어려워질 우려가 있다.Moreover, in the photoresist coating apparatus of patent document 1 and patent document 2, the exact density | concentration preparation of a resist liquid is difficult and cannot be set to an appropriate viscosity. For this reason, there exists a possibility that control of the thickness at the time of apply | coating a resist liquid on a semiconductor wafer will become difficult.

상기의 과제를 감안하여, 본 발명에서는, 고점도 레지스트 등의 건조되기 쉬워 취급하기 어려운 액체가 흐르는 배관을 갖는 레지스트 희석 시스템을 제공한다.In view of the above problems, the present invention provides a resist dilution system having a piping through which a liquid, such as a high-viscosity resist, that dries easily and which is difficult to handle flows.

본 발명에 관련된 레지스트 희석 시스템은, 2 개 이상의 유입부 및 1 개 이상의 유출부를 갖는 배관과, 상기 유입부 중 제 1 유입부로부터 유입되고, 상기 유출부 중 제 1 유출부로부터 유출된 제 1 액체와, 상기 유입부 중 제 2 유입부로부터 유입되고, 상기 제 1 유출부로부터 유출된 상기 제 1 액체보다도 상대적으로 점 도가 낮은 제 2 액체를 혼합시키는 혼합부를 구비하는 것을 특징으로 한다.A resist dilution system according to the present invention includes a pipe having two or more inlets and one or more outlets, and a first liquid that is introduced from a first inlet of the inlets and out of a first outlet of the outlets. And a mixing section for mixing a second liquid, which flows in from the second inflow section of the inflow section, and has a relatively lower viscosity than the first liquid flowing out of the first outflow section.

이와 같이 구성함으로써, 사용시에, 제 2 액체가 항상 배관의 표면에 잔류하고 있는 상기 제 1 액체를 씻어낼 수 있다.In such a configuration, it is possible to wash off the first liquid in which the second liquid always remains on the surface of the pipe during use.

또, 상기 레지스트 희석 시스템에 있어서, 상기 제 1 액체는 레지스트재이고, 상기 제 2 액체는 상기 레지스트재를 희석시키는 희석제인 것을 특징으로 한다.In the resist dilution system, the first liquid is a resist material, and the second liquid is a diluent for diluting the resist material.

이와 같이 구성함으로써, 사용시에, 희석 용제가 항상 배관의 표면에 잔류하고 있는 고점도 레지스트를 씻어낼 수 있다.In such a configuration, it is possible to wash off the high-viscosity resist in which the diluting solvent always remains on the surface of the pipe during use.

또, 상기 레지스트 희석 시스템에 있어서, 상기 혼합부는 상기 제 2 액체에 의해 상기 제 1 액체를 희석시켜, 그 제 1 액체의 점도가 조제되는 조제 탱크를 갖는 것을 특징으로 한다.Moreover, in the said resist dilution system, the said mixing part has a preparation tank in which the said 1st liquid is diluted with the said 2nd liquid, and the viscosity of the 1st liquid is prepared.

이와 같이 구성함으로써, 제 2 액체에 의해 희석시킴으로써 제 1 액체의 점도를 적당한 점도가 되도록 조제할 수 있다.By configuring in this way, the viscosity of a 1st liquid can be prepared so that it may become a suitable viscosity by diluting with a 2nd liquid.

상기 레지스트 희석 시스템은, 추가로, 상기 제 1 액체를 충전할 수 있으며, 상기 제 1 유입부로 그 제 1 액체를 공급하는 제 1 공급부와, 상기 제 2 액체를 충전할 수 있으며, 상기 제 2 유입부로 그 제 2 액체를 공급하는 제 2 공급부를 구비하는 것을 특징으로 한다.The resist dilution system may further include a first supply for filling the first liquid, a first supply for supplying the first liquid to the first inlet, and a second liquid for the second inflow And a second supply portion for supplying the second liquid to the portion.

이와 같이 구성함으로써, 제 1 공급부에서 제 1 유입부로 제 1 액체를 공급하고, 제 2 공급부에서 제 2 유입부로 제 2 액체를 공급할 수 있다.With this configuration, the first liquid can be supplied from the first supply part to the first inlet part, and the second liquid can be supplied from the second supply part to the second inlet part.

상기 레지스트 희석 시스템은, 추가로, 상기 제 1 공급부와 상기 제 2 공급 부를 연결하여, 그 제 2 공급부에서 그 제 1 공급부로 상기 제 2 액체를 유입시키는 연결부를 구비하는 것을 특징으로 한다.The resist dilution system is further provided with a connection portion connecting the first supply portion and the second supply portion to introduce the second liquid from the second supply portion to the first supply portion.

이와 같이 구성함으로써, 추가로, 상기 제 1 공급부의 내측 표면 및 제 1 유입부의 내측 표면에 잔류하고 있는 제 1 액체를 씻어낼 수 있다.In this way, the first liquid remaining on the inner surface of the first supply portion and the inner surface of the first inflow portion can be washed out.

본 발명에 관련된, 2 개 이상의 유입부 및 1 개 이상의 유출부를 갖는 배관과, 레지스트를 희석시켜 점도를 조제하는 조제부로 이루어지는 레지스트 희석 시스템의 사용 방법은, 상기 유입부 중 제 1 유입부로부터 제 1 액체를 유입시키고, 그 제 1 액체를 상기 유출부 중 제 1 유출부로부터 유출시켜 상기 조제부에 공급하고, 상기 제 1 액체를 공급한 후, 상기 유입부 중 제 2 유입부로부터 그 제 1 액체보다도 상대적으로 점도가 낮은 제 2 액체를 유입시키고, 그 제 2 액체를 상기 제 1 유출부로부터 유출시켜 상기 조제부에 공급하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, there is provided a method of using a resist dilution system comprising a pipe having two or more inlets and one or more outlets, and a preparation unit for diluting the resist to prepare a viscosity. After the liquid is introduced, the first liquid is discharged from the first outlet of the outlet, supplied to the preparation unit, and after the first liquid is supplied, the first liquid from the second inlet of the inlet. The second liquid having a relatively lower viscosity is introduced, and the second liquid is flowed out from the first outlet and supplied to the preparation unit.

이러한 방법에 의해, 사용시에, 제 2 액체가 항상 배관의 표면에 잔류하고 있는 상기 제 1 액체를 씻어낼 수 있다.By this method, in use, it is possible to wash off the first liquid, in which the second liquid always remains on the surface of the pipe.

또, 상기 레지스트 희석 시스템의 사용 방법에 있어서, 상기 제 1 유입부에 공급되는 상기 제 1 액체가 충전되어 있는 제 1 공급부로부터 그 제 1 액체를 공급하고, 상기 제 1 공급부로부터 그 제 1 액체를 공급한 후, 그 제 1 공급부에 상기 제 2 액체를 첨가하고, 그 제 2 액체를 그 제 1 공급부에서 상기 제 1 유입부로 공급하여 상기 제 1 유출부로부터 유출시키는 것을 특징으로 한다.In the method of using the resist dilution system, the first liquid is supplied from a first supply portion filled with the first liquid supplied to the first inflow portion, and the first liquid is supplied from the first supply portion. After the supply, the second liquid is added to the first supply portion, and the second liquid is supplied from the first supply portion to the first inlet portion and flowed out from the first outlet portion.

이러한 방법에 의해, 추가로, 상기 제 1 공급부의 내측 표면 및 제 1 유입부의 내측 표면에 잔류하고 있는 제 1 액체를 씻어낼 수 있다.By this method, the first liquid remaining on the inner surface of the first supply portion and the inner surface of the first inlet portion can be washed out.

상기 레지스트 희석 시스템의 사용 방법에 있어서, 상기 제 1 액체는 레지스트재이고, 상기 제 2 액체는 상기 레지스트재를 희석시키는 희석제인 것을 특징으로 한다.In the method of using the resist dilution system, the first liquid is a resist material, and the second liquid is a diluent for diluting the resist material.

이와 같이 구성함으로써, 상기 제 1 공급부의 내측 표면 및 제 1 유입부의 내측 표면에 잔류하고 있는 고점도 레지스트를 씻어낼 수 있다.With this configuration, the high viscosity resist remaining on the inner surface of the first supply portion and the inner surface of the first inflow portion can be washed out.

발명을 실시하기Implement the invention 위한 최선의 형태 Best form for

<제 1 실시형태> <1st embodiment>

도 1 은 본 실시형태에 있어서의 레지스트 희석 시스템을 나타낸다. 레지스트 희석 시스템 (1) 은 조제 탱크 (2), 배관 (3) 으로 주로 구성된다. 배관 (3) 은 2 개의 유입부와 1 개의 유출부를 갖는 배관이다. 2 개의 유입부 중 일방으로부터는 고점도 레지스트 (5) 가 도입된다. 이하, 고점도 레지스트 (5) 가 도입되는 쪽의 배관을 고점도 레지스트용 배관 (3a) 이라고 한다.1 shows a resist dilution system in this embodiment. The resist dilution system 1 mainly consists of the preparation tank 2 and the piping 3. The pipe 3 is a pipe having two inlets and one outlet. The high viscosity resist 5 is introduce | transduced from one of two inflow parts. Hereinafter, the piping into which the high viscosity resist 5 is introduced is called the high viscosity resist piping 3a.

또, 그 배관 (3) 중, 2 개의 유입부 중 타방으로부터는 희석 용제 (6) (저점도 용제) 가 도입된다. 이하, 희석 용제 (6) 가 도입되는 쪽의 배관을 희석 용제용 배관 (3b) 이라고 한다.Moreover, in the piping 3, the dilution solvent 6 (low viscosity solvent) is introduce | transduced from the other of two inflow parts. Hereinafter, the piping into which the dilution solvent 6 is introduced is called the dilution solvent piping 3b.

고점도 레지스트용 배관 (3a) 과 희석 용제용 배관 (3b) 이 접속되어, 그 접속부 (3c) 에서 유출부 (3e) 로 더욱 배관이 연장된 구성을 하고 있다. 이하, 접속부 (3c) 에서 유출부 (3e) 까지의 배관 부분을 공통 배관 (3d) 이라고 한다.The high viscosity resist piping 3a and the dilution solvent piping 3b are connected, and the piping extended further from the connection part 3c to the outflow part 3e. Hereinafter, the piping part from the connection part 3c to the outflow part 3e is called common pipe 3d.

고점도 레지스트용 배관 (3a) 과 희석 용제용 배관 (3b) 에는 각각 밸브 (4a, 4b) 가 설치되어 있다. 밸브 (4a) 는 고점도 레지스트용 배관 (3a) 에서 유출부 (3e) 로 흐르는 고점도 레지스트 (5) 의 유량을 조정하기 위한 것이다. 밸브 (4b) 는 희석 용제용 배관 (3b) 에서 유출부 (3e) 로 흐르는 희석 용제 (6) 의 유량을 조정하기 위한 것이다.Valves 4a and 4b are provided in the high viscosity resist pipe 3a and the dilution solvent pipe 3b, respectively. The valve 4a is for adjusting the flow rate of the high viscosity resist 5 flowing from the high viscosity resist pipe 3a to the outlet portion 3e. The valve 4b is for adjusting the flow rate of the diluting solvent 6 flowing from the dilution solvent piping 3b to the outlet part 3e.

조제 탱크 (2) 에서는, 유출부 (3e) 로부터 유출된 고점도 레지스트 (5) 및 희석 용제 (6) 를 혼합하여 고점도 레지스트 (5) 를 희석 용제 (6) 에 의해 희석시킴으로써, 고점도 레지스트 (5) 가 소정의 점도가 되도록 조제할 수 있다.In the preparation tank 2, the high-viscosity resist 5 which mixes the high-viscosity resist 5 and the dilution solvent 6 which flowed out from the outflow part 3e, and dilutes the high-viscosity resist 5 with the dilution solvent 6, The high-viscosity resist 5 It can prepare so that may become predetermined viscosity.

이하에서는, 이러한 레지스트 희석 시스템 (1) 을 사용하여 고점도 레지스트 (5) 를 희석시키는 방법에 대하여 설명한다. 또한, 레지스트 희석 시스템 (1) 의 초기 상태는, 조제 탱크 (2) 는 비어 있고, 밸브 (4a, 4b) 는 닫힌 상태이다.Hereinafter, the method of diluting the high viscosity resist 5 using this resist dilution system 1 is demonstrated. In the initial state of the resist dilution system 1, the preparation tank 2 is empty and the valves 4a and 4b are closed.

우선, 밸브 (4a) 를 개방하여, 고점도 레지스트 (5) 를 조제 탱크 (2) 로 유입시킨다. 소정량의 고점도 레지스트 (5) 를 유입시킨 후, 밸브 (4a) 를 닫는다. 이 때, 배관 내측에서의 밸브 (4a) 의 주변, 공통 배관 (3d) 의 내측 표면 및 유출부 (3e) 에는, 잔류한 고점도 레지스트 (5) 가 부착되어 있다.First, the valve 4a is opened and the high viscosity resist 5 flows into the preparation tank 2. After the predetermined amount of high viscosity resist 5 is introduced, the valve 4a is closed. At this time, the remaining high viscosity resist 5 is attached to the periphery of the valve 4a inside the pipe, the inner surface of the common pipe 3d, and the outlet portion 3e.

다음으로, 밸브 (4b) 를 개방하여, 희석 용제 (6) 를 조제 탱크 (2) 로 소정량 유입시킨다. 이 때, 배관 내측에서의 밸브 (4a) 의 주변, 공통 배관 (3d) 의 내측 표면 및 유출부 (3e) 에 잔류한 고점도 레지스트 (5) 는, 그 희석 용제 (6) 에 의해 씻겨 없어진다. 소정량의 희석 용제 (6) 를 유입시킨 후, 밸브 (4b) 를 닫는다.Next, the valve 4b is opened and the dilution solvent 6 is introduced into the preparation tank 2 by a predetermined amount. At this time, the high-viscosity resist 5 which remained in the periphery of the valve | bulb 4a in the piping inside, the inner surface of the common piping 3d, and the outflow part 3e is wash | cleaned by the diluting solvent 6. As shown in FIG. After the predetermined amount of dilution solvent 6 is introduced, the valve 4b is closed.

그 후, 조제 탱크 (2) 에 있어서, 희석 용제 (6) 에 의해 고점도 레지스트 (5) 를 희석시킨다. 즉, 조제 탱크 (2) 내에 저장된 고점도 레지스트 (5) 와 희석 용제 (6) 를 혼합시킴으로써, 적당한 점도를 갖는 레지스트가 얻어진다.Thereafter, in the preparation tank 2, the high viscosity resist 5 is diluted with the diluting solvent 6. That is, by mixing the high viscosity resist 5 and the diluting solvent 6 stored in the preparation tank 2, the resist which has a suitable viscosity is obtained.

이와 같이, 희석 용제 (6) 를 흐르게 할 때마다, 배관 내측에서의 밸브 (4a) 의 주변, 공통 배관 (3d) 의 내측 표면 및 유출부 (3e) 에 잔류한 고점도 레지스트 (5) 를 씻어낼 수 있다. 따라서, 공통 배관 표면에 부착된 고점도 레지스트 (5) 가 건조되어 고착되는 것을 방지할 수 있다.In this way, each time the dilute solvent 6 flows, the high viscosity resist 5 remaining in the periphery of the valve 4a in the pipe, the inner surface of the common pipe 3d, and the outlet portion 3e is washed out. Can be. Therefore, the high viscosity resist 5 adhering to the common pipe surface can be prevented from being dried and fixed.

또, 조제 탱크 (2) 에서 고점도 레지스트 (5) 를 적당한 점도가 되도록 조제한 후에 반도체 웨이퍼에 사용할 수 있기 때문에, 직접 반도체 웨이퍼에 희석시킨 레지스트를 도포하는 경우와 비교하여 용이하게 점도를 제어할 수 있다.In addition, since the high-viscosity resist 5 is prepared in the preparation tank 2 so as to have a suitable viscosity, it can be used for a semiconductor wafer, and thus the viscosity can be easily controlled as compared with the case of applying a resist diluted directly on a semiconductor wafer. .

<제 2 실시형태><2nd embodiment>

제 1 실시형태에 있어서, 밸브 (4a) 를 닫았을 때에 고점도 레지스트용 배관 (3a) 안이 항상 고점도 레지스트 (5) 로 충전되어 있는 경우에는, 고점도 레지스트용 배관 (3a) 의 내측 표면이 공기와 접촉하는 경우는 거의 없기 때문에, 고점도 레지스트 (5) 가 건조되어 고점도 레지스트용 배관 (3a) 의 내측 표면에 고착되는 일은 없다.In the first embodiment, when the valve 4a is closed and the inside of the high viscosity resist pipe 3a is always filled with the high viscosity resist 5, the inner surface of the high viscosity resist pipe 3a is in contact with air. In most cases, the highly viscous resist 5 is not dried and adheres to the inner surface of the piping 3a for high viscous resist.

그러나, 고점도 레지스트용 배관 (3a) 에 대한 고점도 레지스트의 공급이 정지된 경우, 고점도 레지스트용 배관 (3a) 의 내측 표면이 공기와 접촉하기 때문에, 고점도 레지스트용 배관 (3a) 의 내측 표면에 잔류한 고점도 레지스트 (5) 가 건조되어 고착되는 일이 일어날 수 있다.However, when the supply of the high viscosity resist to the high viscosity resist piping 3a is stopped, the inner surface of the high viscosity resist piping 3a is in contact with air, and therefore remains on the inner surface of the high viscosity resist piping 3a. It may happen that the high viscosity resist 5 dries and adheres.

그래서, 본 실시형태에서는, 추가로, 고점도 레지스트용 배관 (3a) 및 고점도 레지스트용 배관 (3a) 에 고점도 레지스트 (5) 를 공급하는 공급 탱크까지도 세 정할 수 있는 레지스트 희석 시스템에 대하여 설명한다.Therefore, in this embodiment, the resist dilution system which can wash | clean even the supply tank which supplies the high viscosity resist 5 to the high viscosity resist piping 3a and the high viscosity resist piping 3a is further demonstrated.

도 2 는 본 실시형태에 있어서의 레지스트 희석 시스템을 나타낸다. 본 실시형태에 있어서의 레지스트 희석 시스템 (1) 은, 도 1 의 레지스트 희석 시스템에, 희석 용제 공급 탱크 (10), 고점도 레지스트 공급 탱크 (11), 연결관 (12) 이 추가된 것이다.2 shows a resist dilution system in this embodiment. In the resist dilution system 1 of this embodiment, the dilution solvent supply tank 10, the high viscosity resist supply tank 11, and the connection pipe 12 are added to the resist dilution system of FIG.

희석 용제 공급 탱크 (10) 에는 희석 용제 (6) 가 충전되어 있으며, 희석 용제 (6) 는 희석 용제용 배관 (3b) 에 공급된다. 고점도 레지스트 공급 탱크 (11) 에는 고점도 레지스트 (5) 가 충전되어 있으며, 그 고점도 레지스트 (5) 는 고점도 레지스트용 배관 (3a) 에 공급된다.The diluting solvent supply tank 10 is filled with the diluting solvent 6, and the diluting solvent 6 is supplied to the dilution solvent piping 3b. The high viscosity resist supply tank 11 is filled with the high viscosity resist 5, and the high viscosity resist 5 is supplied to the high viscosity resist piping 3a.

연결관 (12) 은 희석 용제 공급 탱크 (10) 와 고점도 레지스트 공급 탱크 (11) 를 연결시키기 위한 것이다. 그 연결관 (12) 을 통과하여, 희석 용제 공급 탱크 (10) 에서 고점도 레지스트 공급 탱크 (11) 로 희석 용제 (6) 가 흐른다.The connecting pipe 12 is for connecting the dilute solvent supply tank 10 and the high viscosity resist supply tank 11. The dilution solvent 6 flows from the dilution solvent supply tank 10 to the high viscosity resist supply tank 11 through the connection pipe 12.

이하에서는, 이러한 레지스트 희석 시스템 (1) 을 사용하여 고점도 레지스트를 희석시키는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, the method of diluting a high viscosity resist using this resist dilution system 1 is demonstrated.

고점도 레지스트 (5) 가 고점도 레지스트용 배관 (3a) 에 계속해서 공급되면, 고점도 레지스트 공급 탱크 (11) 내의 고점도 레지스트 (5) 가 소모되어 거의 비게 된다. 그러면, 고점도 레지스트용 배관 (3a) 의 내측 표면, 배관 내측에서의 밸브 (4a) 의 주변, 및 고점도 레지스트 (11) 의 내측 표면은 공기에 노출되는 부분이 많아진다.When the high viscosity resist 5 is continuously supplied to the high viscosity resist pipe 3a, the high viscosity resist 5 in the high viscosity resist supply tank 11 is consumed and becomes almost empty. Then, the inner surface of the highly viscous resist piping 3a, the periphery of the valve 4a inside the piping, and the inner surface of the high viscosity resist 11 are exposed to air more.

다음으로, 연결관 (12) 을 통해 희석 용제 공급 탱크 (10) 에서 고점도 레지 스트 공급 탱크 (11) 로 희석 용제 (6) 를 일단 공급하여, 고점도 레지스트 공급 탱크 (11) 의 내측 표면에 잔류하고 있는 고점도 레지스트 (5) 를 씻어낸다. 그리고, 그 세정된 희석 용제 (6) 는 고점도 레지스트용 배관 (3a) 에 공급되고, 그대로 유출부 (3e) 를 경유하여 조제 탱크 (2) 로 배출된다.Next, the dilution solvent 6 is once supplied from the dilution solvent supply tank 10 to the high viscosity resist supply tank 11 through the connecting pipe 12, and remains on the inner surface of the high viscosity resist supply tank 11. The high viscosity resist 5 which exists is washed away. The washed dilution solvent 6 is supplied to the high viscosity resist pipe 3a and discharged to the preparation tank 2 via the outlet portion 3e as it is.

이와 같이, 희석 용제 공급 탱크 (10) 에서 연결관 (12) 및 고점도 레지스트 공급 탱크 (11) 를 경유하여 희석 용제 (6) 를 흐르게 할 때마다, 고점도 레지스트 공급 탱크 (11) 의 내측 표면, 고점도 레지스트용 배관 (3a), 배관 내측에서의 밸브 (4a) 의 주변, 공통 배관 (3d) 의 내측 표면, 및 유출부 (3e) 에 잔류한 고점도 레지스트 (5) 를 씻어낼 수 있다. 그 결과, 이들의 표면에 부착된 고점도 레지스트 (5) 가 건조되어 고착되는 것을 방지할 수 있다.In this way, each time the dilute solvent 6 flows from the dilute solvent supply tank 10 via the connecting pipe 12 and the high viscosity resist supply tank 11, the inner surface of the high viscosity resist supply tank 11, the high viscosity The high viscosity resist 5 remaining in the resist pipe 3a, the periphery of the valve 4a in the pipe inside, the inner surface of the common pipe 3d, and the outlet portion 3e can be washed out. As a result, the high viscosity resist 5 adhering to these surfaces can be prevented from being dried and fixed.

또한, 제 1 및 제 2 실시형태에서는, 2 개의 유입부와 1 개의 유출부를 갖는 배관을 사용했지만, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 상이한 점도의 레지스트를 혼합하거나, 여러 가지 희석 용제를 사용하거나 하는 경우도 있기 때문에, 3 개 이상의 유입부를 갖는 배관을 사용해도 된다. 이 때, 각 유입부에 밸브가 설치되고, 각 유입부에 대응하는 레지스트 공급 탱크가 구비되어 있는 것은 말할 필요도 없다.In addition, although the piping which has two inflow parts and one outflow part was used in 1st and 2nd embodiment, it is not limited to this. For example, since resists of different viscosities may be mixed or various diluting solvents may be used, a pipe having three or more inlets may be used. At this time, it is needless to say that a valve is provided at each inlet, and a resist supply tank corresponding to each inlet is provided.

또, 이와 같이 2 개 이상의 유입부를 갖는 배관을 사용한 경우, 상이한 점도의 레지스트 용액을 복수 얻고자 하는 상황도 있을 수 있기 때문에, 2 개 이상의 유출부를 갖는 배관을 사용해도 되고, 복수의 조제 탱크에 따로따로 나누어도 된다. 이와 같이 2 개 이상의 유출부를 갖는 배관을 사용하는 경우, 목적으로 하 는 유출부에 액체를 가이드하기 위한 유출 진로 전환 기구가 설치되어 있다는 것은 말할 필요도 없다.Moreover, when using the piping which has two or more inflow parts in this way, since there may be a situation where a plurality of resist solutions of different viscosity may be obtained, the piping which has two or more outflow parts may be used, and it may be used separately in several preparation tanks. You may divide it separately. In this way, it is needless to say that when a pipe having two or more outlet portions is used, an outlet passage switching mechanism for guiding liquid is provided at the outlet portion of the target.

또한, 본 발명에 관련된 레지스트 희석 시스템은, 이상에서 서술한 실시형태로 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러 가지의 구성 또는 형상을 취할 수 있다.In addition, the resist dilution system which concerns on this invention is not limited to embodiment mentioned above, It can take a various structure or shape within the range which does not deviate from the summary of this invention.

이상으로부터, 본 발명을 사용함으로써, 사용시에, 희석 용제가 항상 배관의 표면에 남은 고점도 레지스트를 씻어내기 때문에, 이물의 발생 및 점도 변화품의 혼입의 위험성을 저감시킬 수 있다. 또, 레지스트 희석 시스템의 메인티넌스 빈도를 줄일 수가 있어, 가동률의 향상에도 기여할 수 있다.As mentioned above, by using this invention, since the dilution solvent always wash | cleans the high-viscosity resist which remained on the surface of a piping at the time of use, the risk of generation | occurrence | production of a foreign material and mixing of a viscosity change product can be reduced. Moreover, the maintenance frequency of a resist dilution system can be reduced, and it can contribute to the improvement of an operation rate.

고점도 레지스트용 배관에 희석 용제용 배관을 접속시킴으로써, 사용시에, 희석 용제가 항상 배관의 표면에 남은 고점도 레지스트를 씻어내기 때문에, 이물의 발생 및 점도 변화품의 혼입의 위험성을 저감시킬 수 있다. 또, 레지스트 희석 시스템의 메인티넌스 빈도를 줄일 수가 있어, 가동률의 향상에도 기여할 수 있다.By connecting the dilution solvent piping to the high viscosity resist piping, the dilute solvent always washes off the high viscosity resist remaining on the surface of the piping at the time of use, thereby reducing the risk of foreign matter generation and mixing of the viscosity-changing product. Moreover, the maintenance frequency of a resist dilution system can be reduced, and it can contribute to the improvement of an operation rate.

Claims (8)

2 개 이상의 유입부 및 1 개 이상의 유출부를 갖는 배관과,A pipe having at least two inlets and at least one outlet, 상기 유입부 중 제 1 유입부로부터 유입되고, 상기 유출부 중 제 1 유출부로부터 유출된 제 1 액체와, 상기 유입부 중 제 2 유입부로부터 유입되고, 상기 제 1 유출부로부터 유출된 상기 제 1 액체보다도 상대적으로 점도가 낮은 제 2 액체를 혼합시키는 혼합부와, A first liquid flowing from a first inflow portion of the inflow portion, outflowing from a first outflow portion of the inflow portion, and a second liquid flowing out of the second inflow portion of the inflow portion, and outflowing from the first outflow portion; A mixing section for mixing the second liquid having a viscosity lower than that of the one liquid, 상기 제 1 액체를 충전할 수 있으며, 상기 제 1 유입부로 그 제 1 액체를 공급하는 제 1 공급부와,A first supply part capable of filling the first liquid and supplying the first liquid to the first inlet part; 상기 제 2 액체를 충전할 수 있으며, 상기 제 2 유입부로 그 제 2 액체를 공급하는 제 2 공급부와,A second supply part capable of filling the second liquid and supplying the second liquid to the second inlet part; 상기 제 1 공급부와 상기 제 2 공급부를 연결하여, 그 제 2 공급부에서 그 제 1 공급부로 상기 제 2 액체를 유입시키는 연결부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 희석 시스템.And a connection portion connecting the first supply portion and the second supply portion to introduce the second liquid from the second supply portion to the first supply portion. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 액체는 레지스트재이고, The first liquid is a resist material, 상기 제 2 액체는 상기 레지스트재를 희석시키는 희석제인 것을 특징으로 하는 레지스트 희석 시스템.And the second liquid is a diluent for diluting the resist material. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 혼합부는 상기 제 2 액체에 의해 상기 제 1 액체를 희석시켜, 그 제 1 액체의 점도가 조제되는 조제 탱크를 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 희석 시스템.And the mixing section has a preparation tank in which the first liquid is diluted with the second liquid, and the viscosity of the first liquid is prepared. 삭제delete 삭제delete 2 개 이상의 유입부 및 1 개 이상의 유출부를 갖는 배관과, 레지스트를 희석시켜 점도를 조제하는 조제부로 이루어지는 레지스트 희석 시스템의 사용 방법으로서, A method of using a resist dilution system comprising a pipe having two or more inlets and one or more outlets, and a preparation for diluting the resist to prepare a viscosity, 상기 유입부 중 제 1 유입부로부터 제 1 액체를 유입시키고, 그 제 1 액체를 상기 유출부 중 제 1 유출부로부터 유출시켜 상기 조제부에 공급하고, A first liquid is introduced from a first inlet of the inlets, and the first liquid is supplied from the first outlet of the outlets and supplied to the preparation unit; 상기 제 1 액체를 공급한 후, 상기 유입부 중 제 2 유입부로부터 그 제 1 액체보다도 상대적으로 점도가 낮은 제 2 액체를 유입시키고, 그 제 2 액체를 상기 제 1 유출부로부터 유출시켜 상기 조제부에 공급하며, After supplying the first liquid, a second liquid having a viscosity lower than that of the first liquid is introduced from the second inflow portion among the inflow portions, and the second liquid is discharged from the first outlet portion to prepare the preparation. Supplies to wealth, 상기 제 1 유입부에 공급되는 상기 제 1 액체가 충전되어 있는 제 1 공급부로부터 그 제 1 액체를 공급하고,Supplying the first liquid from a first supply portion filled with the first liquid supplied to the first inlet portion, 상기 제 1 공급부로부터 그 제 1 액체를 공급한 후, 그 제 1 공급부에 상기 제 2 액체를 첨가하며,After supplying the first liquid from the first supply part, the second liquid is added to the first supply part, 그 제 2 액체를 그 제 1 공급부에서 상기 제 1 유입부로 공급하여 상기 제 1 유출부로부터 유출시키는 것을 특징으로 하는 레지스트 희석 시스템의 사용 방법.A method of using a resist dilution system, characterized in that the second liquid is supplied from the first supply to the first inlet and out from the first outlet. 삭제delete 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 1 액체는 레지스트재이고, The first liquid is a resist material, 상기 제 2 액체는 상기 레지스트재를 희석시키는 희석제인 것을 특징으로 하는 레지스트 희석 시스템의 사용 방법.And wherein said second liquid is a diluent for diluting said resist material.
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