KR100814623B1 - 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 화학적 상호 작용을 제어하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 화학적 상호 작용을 제어하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에서는 마이크로 전자 기판을 평탄화하기 위한 방법 및 장치가 제공된다. 일 실시예에서, 마이크로 전자 기판은 평탄화 패드와 평탄화액을 포함하는 평탄화 매체와 결합되며, 상기 평탄화 패드와 평탄화액 중 적어도 하나는 평탄화 매체의 개별 소자(연마 입자와 같은)로부터 부식 방지제를 제거하거나 또는 개별 소자에 부식 방지제가 결합되는 것을 방지하는 화학제를 포함한다. 화학제는 부식 방지제에 직접 작용하거나 개질 화학제를 형성하도록 평탄화액의 성분과 먼저 반응한 후 부식 방지제와 상호 작용할 수 있다. 대안적으로, 개질 화학제는 예를 들면 재료 제거 속도와 같은, 마이크로 전자 기판으로부터 재료가 제거되는 방식의 다른 개념을 제어할 수 있다.
마이크로 전자 기판, 평탄화 패드, 평탄화액, 평탄화 매체, 부식 방지제, 화학제

Description

마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 화학적 상호 작용을 제어하기 위한 방법 및 장치{Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates}
본 발명은 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 화학적 상호 작용, 예를 들면 부식 방지제의 상호 작용을 제어하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
기계적 및 화학 기계적 연마 공정("CMP"라 총칭함)은 반도체 웨이퍼, 전계 방출 디스플레이 및 다수의 다른 마이크로 전자 장치 기판 조립체 상에 평탄한 표면을 형성하기 위해 전자 장치의 제조시에 사용되고 있다. CMP 공정은 일반적으로 기판 조립체 상의 재료의 층에 정밀한 높이로 매우 평탄한 표면을 생성하도록 기판 조립체로부터 재료를 제거하는 것이다. 도 1은 기판(12)을 평탄화하기 위한 기존의 웨브-포맷 평탄화 기계(10)를 개략적으로 도시한다. 평탄화 기계(10)는 평탄화 패드(40)의 작동부(A)가 배치된 작업 스테이션에서 상부 패널(16)을 갖는 지지 테이블(14)을 구비한다. 상부 패널(16)은 일반적으로 강성 플레이트이며, 평탄화 패드(40)의 특정 섹션이 평탄화 중에 고정될 수 있는 평탄하고 단단한 표면을 제공한다.
상기 평탄화 기계(10)는 또한 상부 패널(16)의 상부로 평탄화 패드(40)를 안내하고 위치시키며 유지하기 위한 복수의 롤러를 구비한다. 상기 롤러들은 공급 롤러(20), 제 1 및 제 2 아이들러(idler) 롤러(21a, 21b), 제 1 및 제 2 가이드 롤러(22a, 22b) 및 권취 롤러(23)를 포함한다. 공급 롤러(20)는 평탄화 패드(40)의 미사용된 또는 사전 작동부를 이송하며, 권취 롤러(23)는 평탄화 패드(40)의 사용된 또는 차후 작동부를 이송한다. 부가적으로, 제 1 아이들러 롤러(21a) 및 제 1 가이드 롤러(22a)는 작동 중에 평탄화 패드(40)를 정지 상태로 유지하기 위해 상기 평탄화 패드(40)를 상부 패널(16) 상으로 신장시킨다. 상부 패널(16)을 가로질러 평탄화 패드(40)를 연속적으로 전진시키도록 모터(도시 생략)가 공급 롤러(20)와 권취 롤러(23) 중 적어도 하나를 구동한다. 따라서, 평탄화 패드(40)의 청결한 사전 작동 섹션은 기판(12)의 평탄화 및/또는 세척을 위한 균일한 표면을 제공하도록 사용된 섹션들과 신속하게 교체될 수 있다.
웨브-포맷 평탄화 기계(10)는 또한 평탄화 중에 기판(12)을 제어하고 보호하는 캐리어 조립체(30)를 구비한다. 상기 캐리어 조립체(30)는 일반적으로 평탄화 공정의 적절한 단계에서 기판(12)을 픽업하고 유지하며 해제하기 위한 기판 홀더(32)를 구비한다. 기판 홀더(32)에 부착된 다수의 노즐(33)이 평탄화 패드(40)의 평탄화 표면(42) 상에 평탄화액(44)을 분배한다. 캐리어 조립체(30)는 또한 일반적으로 받침대(gantry)(34)를 따라 병진 이동할 수 있는 구동 조립체(35)를 이송하는 지지 받침대(34)를 구비한다. 구동 조립체(35)는 일반적으로 액추에이터(36), 상기 액추에이터(36)에 결합된 구동 샤프트(37) 및 구동 샤프트(37)로부터 돌출된 아암(38)을 구비한다. 상기 아암(38)은 구동 조립체(35)가 축(B-B) 둘레로 기판 홀더(32)를 선회시키도록(화살표(R1)로 나타낸 바와 같음) 터미널 샤프트(39)를 통해 기판 홀더(32)를 이송한다. 터미널 샤프트(39)는 그 중심축(C-C) 둘레로 기판 홀더(32)를 또한 회전시킬 수 있다(화살표(R2)로 나타낸 바와 같음).
평탄화 패드(40) 및 평탄화액(44)은 기판(12)의 표면으로부터 재료를 기계적으로 및/또는 화학 기계적으로 제거하는 평탄화 매체를 규정한다. 웨브-포맷 평탄화 기계(10)에 사용된 평탄화 패드(40)는 통상적으로 연마 입자들이 현탁 물질에 단단히 고착되어 있는 고정 연마제 평탄화 패드이다. 고정 연마제 적용에 있어서, 평탄화액은 연마 입자들이 평탄화 패드(40)의 평탄화 표면(42)을 가로질러 고정적으로 분포되어 있기 때문에 연마 입자들이 없는 "청결액"이다. 다른 적용에서, 평탄화 패드(40)는 연마 입자들이 없는 무연마제 평탄화 패드일 수 있다. 무연마제 평탄화 패드와 함께 사용되는 평탄화액(44)은 통상 기판으로부터 재료를 제거하는 연마 입자들 및 화학제들을 갖는 CMP 슬러리이다.
평탄화 기계(10)에 의해 기판(12)을 평탄화하기 위해, 캐리어 조립체(30)는 평탄화액(44)의 존재하에 평탄화 패드(40)의 평탄화 표면(42)에 대해 기판(12)을 가압한다. 다음, 구동 조립체(35)는 축(B-B) 둘레로 기판 홀더(32)를 선회시키며, 선택적으로 축(C-C) 둘레로 기판 홀더(32)를 회전시켜 평탄화 표면(42)을 가로질러 기판(12)을 병진 이동시킨다. 그 결과, 평탄화 매체의 연마 입자들 및/또는 화학제들은 기판(12)의 표면으로부터 재료를 제거한다.
CMP 공정은 회로 및 포토 패턴의 정밀한 제조를 위해 기판 조립체 상에 균일한 평탄화 표면을 일관적으로 정확하게 형성해야 한다. 트랜지스터, 접점, 상호 접속부 및 다른 특징부들의 제조 중에, 다수의 기판 조립체는 기판 조립체를 가로지르는 매우 지형적인 표면(topographic surface)을 생성시키는 큰 "단차 높이(step heights)"를 생성한다. 더욱이, 비균일 기판 표면이 서브 미크론 특징부들 형성의 어려움을 상당히 증가시키기 때문에 직접 회로의 밀도가 증가함에 따라 기판 조립체 처리 중에 다수의 중간 단계에서 평탄한 기판 표면을 제공해야 할 필요가 있다. 예를 들면, 서브 미크론 포토리소그래피 장비는 일반적으로 매우 한정된 초첨 심도를 갖기 때문에, 비균일 기판 표면에 0.1 미크론 정도의 오차 내에서 포토 패턴을 정확하게 초점 설정하는 것이 곤란하다. 따라서, CMP 공정은 종종 지형적인 기판 표면을 매우 균일한 평탄 기판 표면으로 변화시키는데 사용된다.
몇몇 종래의 CMP 공정에서, 평탄화 패드(40)는 높은 영역과 낮은 영역을 갖는 매우 지형적인 표면을 구비하는 기판(12)의 금속 부분과 결합된다. 평탄화액(44)은 평탄화 중에 금속의 제거 속도를 증가시키기 위해 금속을 화학적으로 산화시키거나 및/또는 에칭하는 용매 또는 다른 작용제를 포함할 수 있다. 평탄화 공정 중에, 에칭제의 유리한 가속 효과는 감소될 수 있는데, 이는 에칭제가 적어도 금속 부분의 높은 영역에서와 마찬가지의 속도로 금속 부분의 낮은 영역에 작용할 수 있기 때문이다. 따라서, 낮은 영역은 높은 영역으로부터 침하될 수 있으며 기판(12)의 평탄도가 감소된다.
이러한 단점을 해결하기 위한 하나의 접근법은 에칭제의 작용을 제한하거나 정지시키기 위해 평탄화액(44)에 부식 방지제를 제공하는 것이다. 이는 화학적 상호 작용을 억제하기 위해 평탄화 패드(40)와 기판(12) 사이의 기계적 상호 작용을 가능하게 한다. 따라서, 마이크로 일렉트로닉 기판(12)의 높은 영역에서의 제거 속도는 일반적으로 낮은 영역에서 보다 높은데, 이는 높은 영역이 낮은 영역에서 보다 평탄화 패드(40)에 더 많은 기계적 접촉부를 갖기 때문이다. 그 결과, 높은 영역과 낮은 영역 사이의 높이차가 보다 신속하게 감소된다. 그러나, 방지제는 전체 제거 속도 및 평탄화 공정의 다른 개념에 악영향을 미칠 수 있다.
본 발명은 마이크로 전자 기판을 평탄화하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 개념에 따른 방법은 평탄화 표면을 갖는 평탄화 패드와 평탄화액을 구비하는 평탄화 매체와 마이크로 전자 기판을 결합하는 단계를 포함하며, 상기 평탄화액과 평탄화 패드 중 적어도 하나는 선택된 화학제를 갖는다. 상기 방법은 또한 선택된 화학제를 갖는 평탄화 매체의 개별 소자(연마 입자와 같은)로부터 패비세이션제(부식 방지제와 같은)를 분리하며 및/또는 선택된 화학제를 갖는 평탄화 매체의 개별 소자에 부식 방지제가 결합되는 것을 억제하는 단계를 또한 포함한다. 상기 방법은 또한 마이크로 전자 기판으로부터 재료를 제거하기 위해 평탄화 패드와 마이크로 전자 기판 중 적어도 하나를 다른 하나에 대해 이동시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 개념에서, 선택된 화학제는 부식 방지제를 용해시키거나 평탄화액에 용해되는 성분으로 부식 방지제를 분해할 수 있다. 선택된 화학제는 부식 방지제와 직접 상호 작용할 수 있으며, 또는 개질 화학제를 형성하기 위해 평탄화액의 적어도 하나의 성분과 먼저 반응한 후 부식 방지제와 반응할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 선택된 화학제는 제 2 화학제를 형성하도록 평탄화액의 성분과 반응한 후 마이크로 전자 기판으로부터 재료를 제거하는 속도 및/또는 방식을 제어할 수 있다. 예를 들면, 제 2 화학제는 평탄화 패드와 화학적으로 상호 작용하는 부식 방지제의 양을 제한할 수 있으며, 또는 제 2 화학제는 마이크로 전자 기판으로부터 재료의 제거 속도를 가속화시키는 에칭제를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 마이크로 전자 기판을 평탄화하기 위한 평탄화 매체에 관한 것이다. 본 발명의 일 개념에서, 평탄화 매체는 마이크로 전자 기판과 결합하도록 구성된 평탄화 표면을 갖는 평탄화 패드와, 평탄화 패드에 인접한 평탄화액을 포함할 수 있다. 평탄화 패드와 평탄화액 중 적어도 하나는, 평탄화 매체의 개별 소자로부터 패시베이션제 (부식 방지제와 같은)를 분리하며 및/또는 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 부식 방지제가 개별 소자에 부착되는 것을 억제하도록 선택된 화학제를 포함한다. 본 발명의 일 개념에서, 화학제는 부식 방지제와 평탄화 패드 사이의 상호 작용을 제한하는 개질 화학제를 형성하도록 평탄화액의 성분과 반응하도록 선택될 수 있다. 대안적으로, 개질 화학제는 마이크로 전자 기판으로부터 재료를 제거하는 다른 개념을 제어하도록 선택될 수 있다.
도 1은 종래의 평탄화 장치의 부분 개략 측면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 매립된 연마 소자 및 매립된 반응 화학제를 갖는 평탄화 패드를 부분적으로 도시하는 개략 측면도.
도 3은 반응성 화학제를 포함하는 평탄화액을 지지하는 평탄화 패드를 부분적으로 도시하는 개략 측면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 CMP 기계 상에 평탄화액을 지지하는 평탄화 패드의 부분 개략 측면도.
본 명세서는 마이크로 전자 장치의 제조에 사용되는 기판의 화학적 및/또는 화학 기계적 평탄화를 위한 평탄화 매체 및 평탄화 매체를 사용하기 위한 방법을 개시한다. 본 발명의 특정 실시예들의 다수의 특정한 세부사항은 하기의 상세한 설명 및 상기 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 도 2 내지 도 4에 설명되어 있다. 그러나, 본 기술 분야의 숙련자들은 본 발명이 부가의 실시예들을 포함할 수 있으며, 또는 본 발명이 하기에 설명한 다수의 세부사항 없이 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 평탄화 매체(150)를 갖는 CMP 기계(110)의 부분을 도시하는 개략 측면도이다. 평탄화 매체(150)는 평탄화 패드(140)와, 상기 평탄화 패드(140) 상에 배치된 평탄화액(160)을 구비할 수 있다. 상기 평탄화 기계(110)는 도 1을 참조하여 상술한 바와 일반적으로 유사한 방식으로 평탄화 매체(150)를 지지하는 지지 테이블(114)과 상부 패널(116)을 구비한다. 평탄화 기계(110)는 또한 도 1을 참조하여 상술한 바와 일반적으로 유사한 방식으로 마이크로 전자 기판(112)을 지지하는 기판 홀더(132)를 구비한다. 본원에 사용된 바와 같이, 용어 마이크로 전자 기판은 마이크로 전자 장치 또는 특징부의 조립체를 갖거나 갖지 않는 마이크로 전자 기판 재료를 나타낸다.
일 실시예에서, 평탄화액(160)은 기판 홀더(132)의 포트(133)로부터 평탄화 패드(140) 상에 분산된다. 대안적으로, 평탄화액(160)은 평탄화 패드(140)에 인접하여 배치된 도관(도시 생략)과 같은 다른 소스로부터 평탄화 패드(140)로 배향될 수 있다. 어느 실시예에서도, 평탄화액(160)은 평탄화 중에 마이크로 전자 기판(112)으로부터 재료가 제거되는 방식 및 제거 속도를 제어하는 하나 이상의 화학제를 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화액(160)은 마이크로 전자 기판(112)을 에칭하기 위한 에칭제 및/또는 평탄화 공정의 선택된 상태 중에 부식 또는 에칭을 방지하거나 제한하는 부식 방지제와 같은 패시베이션제를 포함할 수 있다. 본 실시예의 일 개념에서, 마이크로 전자 기판(112)은 구리층 또는 구리 소자를 구비할 수 있으며, 평탄화액(160)은 CMP 공정의 선택된 상태에서 구리의 에칭을 방지하기 위한 벤졸트리아졸을 포함할 수 있다. 대안적으로, 평탄화액(160) 및/또는 평탄화 패드(140)는 평탄화 매체(150)와 마이크로 전자 기판(112) 사이의 화학적 상호 작용을 방지하는 다른 화학제를 포함할 수 있다.
평탄화 패드(140)는 패드 본체(141)와 상기 패드 본체(141)를 지지하는 백킹층(backing layer)(142)을 구비할 수 있다. 패드 본체(141)는 폴리카보네이트, 수지, 아크릴 제품, 폴리머(폴리우레탄과 같은) 또는 다른 적절한 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 연마 소자(143)가 평탄화 패드(140)의 평탄화 표면(144)에 근접하여 평탄화 패드 본체(141)에 분포된다. 평탄화 패드(140)가 평탄화 중에 마모됨에 따라, 새로운 연마 소자(143)가 평탄화 표면(144)에 노출되어 평탄화 공정에 걸쳐 평탄화 패드(140)의 연마 특성을 유지하거나 제어한다. 연마 소자(143)는 마이크로 전자 기판(112)으로부터 재료를 기계적으로 및/또는 화학 기계적으로 제거하는 알루미나, 산화 세륨, 티타니아 또는 다른 적절한 연마 재료를 포함할 수 있다.
평탄화 중에, 연마 소자(143)의 성능은 평탄화액 내의 화학제에 의해 손상될 수 있다. 예를 들면, 벤졸트리아졸 또는 다른 방지제는 연마 소자(143)의 표면에 부착될 수 있으며, 연마 소자(143)와 마이크로 전자 기판(112) 사이의 화학적 및/또는 기계적 상호 작용을 감소시킬 수 있다. 따라서, 일 실시예에서 평탄화 매체(150)는 연마 소자(143)에 대한 방지제의 효과를 감소시키거나 배제하는 화학제(146)를 포함한다. 본 실시예의 일 개념에서, 화학제(146)는 평탄화 패드 본체(141)에 매립되며 평탄화 패드(140)가 마모됨에 따라 평탄화액(160) 내로 배출된다. 본 실시예의 다른 개념에서, 화학제(146)는 개질 화학제를 형성하도록 평탄화액(160) 또는 평탄화액(160)의 성분과 화학 반응하도록 선택된다. 그 후에, 개질 화학제는 방지제가 연마 소자(143)와 마이크로 전자 기판(112) 사이의 화학적 및/또는 기계적 상호 작용을 제한하는 정도로 느려지거나 정지한다. 예를 들면, 화학제(146)는 연마 소자(143)로부터 방지제를 제거하며 방지제가 연마 소자(143)에 부착, 결합되고 및/또는 화학적으로 상호 작용하는 것을 방지하는 용매 또는 에칭제를 형성하도록 선택될 수 있다.
일 실시예에서, 화학제(146)는 인, 염소, 질소, 황 또는 이들을 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 따라서, 화학제는 평탄화액(160)과 화학 반응할 때 각각 인산, 염화수소산, 질산, 또는 황산을 포함하는 개질 화학제를 형성할 수 있다. 대안적으로, 화학제(146)는 연마 소자(143)와 방지제 사이의 상호 작용을 제한하거나 방지하는 다른 화학제를 형성하는 평탄화액(160)과 반응하는 다른 화합물 또는 성분을 포함할 수 있다.
상기 실시예들의 일 개념에서, 개질 화학제는 방지제를 용해할 수 있다. 대안적으로, 개질 화학제는 방지제 단독으로 존재할 때 보다 평탄화액(160) 내에 더욱 잘 용해되는 화합물을 형성하도록 방지제와 반응할 수 있다. 따라서, 방지제는 평탄화액(160)에 보다 양호하게 용해될 수 있다. 다른 대안적인 실시예에서, 개질 화학제는 방지제 단독으로 존재할 때 보다 평탄화액(160) 내에 더욱 잘 용해되는 성분으로 방지제를 화학 변화시킬 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 개질 화학제는 방지제와 연마 소자(143) 사이의 화학적 상호 작용을 적어도 제한하는 방지제와의 다른 반응을 수행하거나 상호 작용할 수 있다.
다른 실시예에서, 화학제(146)는 평탄화액(160)과 먼저 반응하지 않고 방지제와 직접 반응할 수 있다. 예를 들면, 화학제(146)는 상술한 바와 같은 산 화합물과 같은 용매, 또는 방지제를 용해시키거나 연마 소자(143)의 유효성을 손상시키는 방지제의 성능을 제한하는 다른 적절한 화합물을 포함할 수 있다.
화학제(146)가 방지제와 직접 반응하거나, 또는 평탄화액(160)과 먼저 반응하여 방지제와 반응하는 개질 화학제를 형성하여도, 화학제(146)는 평탄화 패드 본체(141) 내에 매립될 수 있다. 일 실시예에서, 화학제(146)의 고형 미립자는 액체 또는 연성 평탄화 패드 재료에 분산되며, 다음 평탄화 패드 재료는 화학제(146) 둘레로 고형화되도록 경화되어 화학제(146) 둘레에 개별 셀(145)을 형성한다. 예를 들면, 상기 화학제(146)는 연마 소자(143)가 분포되는 것과 일반적으로 유사한 방식으로 평탄화 패드 본체(141)에 분포될 수 있다. 대안적으로, 개별 셀(145)은 평탄화 패드 본체(141)에 미리 형성될 수 있으며 다음 화학제(146)로 충전될 수 있다. 이러한 대안적인 실시예에서, 화학제(146)는 액상, 교질상 또는 고체상일 수 있다. 상기 평탄화 본체(141) 내의 화학제(146)의 분포를 위한 상기 방법들에서, 평탄화 패드 본체(141) 내의 셀(145)의 크기, 형상 및 분포는 평탄화 패드 본체의 연마 특성에 대한 화학제(146)의 영향을 감소시키도록 선택될 수 있다. 예를 들면, 셀(145)은 연마 소자(143)의 분포 및/또는 작동과 간섭하지 않도록 소형이며 평탄화 패드 본체(141)에 균일하게 분포될 수 있다. 본 실시예의 일 개념에서, 셀(145)은 임의적으로 분포되며 연마 소자(143)의 크기의 약 50% 내지 약 100%의 범위이다. 대안적으로, 셀(145)은 연마 소자(143)와 간섭하지 않는한 더욱 크거나 더욱 작게 형성될 수 있다. 셀(145)은 일 실시예에서 일반적으로 타원형 형상을 가질 수 있으며, 다른 실시예에서는 다른 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 개념에 따른 실시예에서, 평탄화액(160)의 pH는 부식 방지제와 연마 소자(143) 사이의 화학적 상호 반응을 감소시키는 것으로 고려되는 선택된 레벨로 제어될 수 있다. 예를 들면, 본 실시예의 일 개념에서, 연마 소자(143)는 제 1 제타(zeta) 전위를 가지며 마이크로 전자 기판(112)은 제 2 제타 전위를 갖는 금속 또는 다른 성분을 포함한다. 본원에 사용된 바와 같이, 용어 제타 전위는 특정 평탄화 매체의 표면의 전위를 칭한다. 예를 들면, 평탄화액(160)이 부식 방지제를 포함할 때, 상기 방지제는 통상 음전하 이온을 포함한다. 따라서, 평탄화액(160)의 pH는, 연마 소자(143)들이 그들이 반발하는 부식 방지제와 유사한(즉, 동일 극성) 제타 전위를 갖도록 선택될 수 있다. 이는 부식 방지제와 평탄화 패드(140) 사이의 화학적 상호 작용을 방지할 수 있다. 본 실시예의 일 개념에서, 예를 들면 연마 소자(143)가 알루미나를 포함하고 마이크로 전자 기판(112)이 구리를 포함하는 경우, 평탄화액(160)은 약 6 내지 약 10의 pH를 갖는다. 본 실시예의 특정 개념에서, 평탄화액(160)은 약 7의 pH를 가지며, 다른 실시예들에서는 평탄화액은 다른 값의 pH를 갖는다.
도 2를 참조하여 상술한 평탄화 매체(150)의 실시예의 한 특징은 평탄화 패드(140)가 평탄화액(160) 내의 방지제와 평탄화 패드(140)의 연마 소자(143) 사이의 화학적 상호 작용을 적어도 제한하는 화학제(146)를 구비한다는 것이다. 화학제(146)는 또한, 방지제와 마이크로 전자 기판(112) 사이의 상호 작용을 적은 정도로 제한할 수 있지만, 화학제(146)의 주 효과는 일반적으로 방지제와 연마 소자(143) 사이의 화학적 상호 작용을 제한하는 것이다. 이러한 특징의 장점은 연마 소자(143)의 표면이 마이크로 전자 기판(112)을 평탄화하도록 화학적으로 활성화되어 유지될 수 있다는 것이다. 이는 방지제가 연마 소자(143)의 유효성을 제한할 수 있는 종래의 기술과 구별되는 점이다.
평탄화 매체(150)의 실시예의 다른 장점은, 평탄화 패드(140)가 화학제(146)를 배출시키기에 충분히 마모될 때까지 화학제(146)가 평탄화 패드(140) 내에 매립되어 유지된다는 것이다. 따라서, 평탄화액(160) 내로 배출된 화학제(146)의 양은 평탄화 패드(140) 내의 화학제(146)의 농도 및 분포를 제어하고 평탄화 중에 평탄화 패드(140)가 평탄화하는 속도를 제어함으로써 제어될 수 있다.
다른 실시예에서, 화학제(146)(평탄화 중에 평탄화 패드(140)가 연마할 때 배출되는)는 평탄화액(160)과 상호 작용하여 평탄화 공정의 다른 개념을 제어하는 화합물을 형성한다. 예를 들면, 화학제(146)는 평탄화액(160)과 반응하여 마이크로 전자 기판(112)으로부터 재료를 제거하는 용매 또는 에칭제를 형성할 수 있다. 본 실시예의 일 개념에서, 화학제(146)는 평탄화액(160)에 노출될 때 질산을 형성하는 질소 또는 질소 화합물(질산 칼륨과 같은)을 포함할 수 있다. 질산은 금속이 노출될 때 마이크로 전자 기판의 평탄화 속도를 증가시키기 위해 마이크로 전자 기판(112)으로부터 구리 또는 다른 금속을 직접 에칭시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 화학제(146)는 다른 화학 화합물을 형성하도록 평탄화액(160)과 반응할 수 있다. 예를 들면, 화학제(146)는 평탄화 공정의 속도 및 균일성을 증가시키기 위해 평탄화 패드(140) 및/또는 마이크로 전자 기판(112)의 습윤 표면적을 증가시키는 계면 활성제를 형성할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 화학제(146)는 마이크로 전자 기판(112)으로부터의 재료 제거의 속도 및/또는 방식을 제어하는 다른 화학 성분 또는 화합물을 형성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 평탄화 패드(240)와 평탄화액(260)을 포함하는 평탄화 매체(250)를 지지하는, 도 2를 참조하여 상술한 평탄화 기계(110)를 부분적으로 도시하는 개략 측면도이다. 평탄화 패드(240)는 복수의 연마 소자(243)를 갖는 평탄화 패드 본체(241)를 지지하는 백킹층(242)을 포함할 수 있다. 평탄화 패드(240)는 매립된 화학제를 포함하지 않고, 그 대신에 화학제(246)는 평탄화액(260)에 직접 제공된다.
본 실시예의 일 개념에서, 화학제(246)는 먼저 평탄화액(260)과 화학 반응하지 않고 방지제와 연마 입자(243) 사이의 화학적 상호 작용을 직접 제한한다. 대안적으로, 화학제(246)는 도 2를 참조하여 상술한 바와 일반적으로 유사한 방식으로 방지제와 연마 입자(243) 사이의 상호 작용을 제한하는 개질 화학제를 형성하도록 먼저 평탄화액(260)과 반응할 수 있다.
도 3을 참조하여 상술한 평탄화 매체(250)의 실시예의 일 특징은 화학제(246)가 평탄화액(260)에 직접 제공될 수 있다는 것이다. 따라서, 평탄화 패드(240) 및 마이크로 전자 기판(112)과 접촉하는 화학제(246)의 양은 평탄화액(260)에 혼합된 화학제(246)의 양을 제어함으로써 제어될 수 있다. 이러한 특징의 장점은 평탄화 패드(140)와 상호 작용하는 화학제의 양이 평탄화 패드(140)의 특성과 무관하게 제어될 수 있다는 것이다.
도 4는 일반적으로 원형의 정반 또는 테이블(320), 캐리어 조립체(330), 상기 테이블(320) 상에 배치된 평탄화 패드(340) 및 상기 평탄화 패드(340) 상에 위치되는 평탄화액(360)을 구비하는 회전형 평탄화 기계(310)의 부분 개략 단면도이다. 평탄화 패드(340) 및 평탄화액(360)의 조성은 도 2 및 도 3을 참조하여 상술한 평탄화 패드 및 평탄화액의 조성과 일반적으로 유사할 수 있다. 대안적으로, 평탄화액(360)은 연마 소자의 현탁액을 갖는 슬러리일 수 있으며, 평탄화 패드(340)는 연마 소자를 갖지 않을 수 있다. 평탄화 기계(310)는 평탄화 패드(340)를 지지하기 위해 테이블(320)의 상부면(322)에 부착된 언더 패드(under pad)(325)를 또한 구비할 수 있다. 구동 조립체(326)는 평탄화 중에 평탄화 패드(340)를 이동시키기 위해 테이블(320)을 회전시키며(화살표 F) 및/또는 왕복 이동시킨다(화살표 G).
캐리어 조립체(330)는 평탄화 중에 마이크로 전자 기판(112)을 제어하며 보호한다. 캐리어 조립체(330)는 통상 흡착에 의해 마이크로 전자 기판(112)을 유지하는 패드(334)를 갖는 기판 홀더(332)를 구비한다. 캐리어 조립체(330)의 구동 조립체(336)는 통상 기판 홀더(332)를 회전 및/또는 병진 이동시킨다(각각, 화살표 H, I). 대안적으로, 기판 홀더(332)는 평탄화 패드(340) 상부를 미끄럼 이동하는 가중식 자유 부동형 디스크(도시 생략)를 포함할 수 있다.
평탄화 기계(310)로 마이크로 전자 기판(112)을 평탄화하기 위해 캐리어 조립체(330)는 평탄화 패드(340)의 평탄화 표면(342)에 대해 마이크로 전자 기판(112)을 가압한다. 그 후에, 테이블(320) 및/또는 기판 홀더(332)는 평탄화 표면(342)을 가로질러 마이크로 전자 기판(112)을 병진 이동시키도록 서로에 대해 이동한다. 그 결과, 평탄화 패드(340)의 연마 입자 및/또는 평탄화액(360) 내의 화학제는 마이크로 전자 기판(112)의 표면으로부터 재료를 제거한다.
상술한 바로부터, 본 발명의 특정 실시예의 예시를 위해 본원에서 설명했으나, 여러 변경들이 본 발명의 정신 및 범주를 벗어나지 않고서 이루어질 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 청구범위에 의해서만 한정된다.

Claims (66)

  1. 평탄화 표면을 갖는 평탄화 패드와 평탄화액을 구비하는 평탄화 매체와 마이크로 전자 기판을 결합시키는 단계로서, 상기 평탄화액 및 평탄화 패드 중 적어도 하나는 선택된 화학제를 구비하며, 상기 선택된 화학제는 상기 평탄화 매체의 개별 연마 소자로부터 패시베이션제(passivating agent)를 분리하며 및/또는 상기 개별 연마 소자에 상기 패시베이션제가 결합하는 것을 억제하도록 구성되는, 결합 단계와,
    상기 선택된 화학제를 갖는 상기 평탄화 매체의 개별 연마 소자로부터 패시베이션제를 분리하며 및/또는 상기 선택된 화학제를 갖는 상기 평탄화 매체의 개별 연마 소자에 상기 패시베이션제가 결합하는 것을 억제하는 단계, 및
    상기 마이크로 전자 기판으로부터 재료를 제거하기 위해 상기 평탄화 패드와 상기 마이크로 전자 기판 중 적어도 하나를 다른 하나에 대해 이동시키는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 부식 방지제를 포함하는 상기 패시베이션제를 선택하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 패시베이션제를 분리 및/또는 억제하는 단계는 상기 선택된 화학제와 상기 패시베이션제를 화학 반응시키고, 상기 패시베이션제를 상기 평탄화액에서 용해하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 패시베이션제를 분리 및/또는 억제하는 단계는 상기 선택된 화학제와 상기 패시베이션제를 화학 반응시키고, 상기 패시베이션제를 성분으로 분해하여, 상기 성분들을 상기 평탄화액에서 용해하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 개별 연마 소자들은 상기 평탄화 패드에 일정하게 분산되는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 평탄화액의 적어도 하나의 성분과 상기 선택된 화학제를 반응시켜서 개질 화학제를 형성하는 단계와, 상기 개질 화학제를 상기 패시베이션제와 반응시키는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 인산을 포함하는 상기 선택된 화학제를 선택하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 패시베이션제는 벤졸트리아졸(benzoltriazole)을 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 에칭제를 포함하는 상기 선택된 화학제를 선택하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  10. 제 2 항에 있어서, 상기 개별 연마 소자는 상기 평탄화 패드에 포함되고 제 1 제타(zeta) 전위를 가지며, 상기 마이크로 전자 기판은 제 2 제타 전위를 갖는 성분을 포함하고, 상기 부식 방지제와 상기 개별 연마 소자가 그 pH에서 유사한 극성의 전하를 갖는 방식으로 pH를 갖도록 상기 평탄화액을 선택하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 약 6 내지 약 10의 pH를 갖는 상기 평탄화액을 선택하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 약 7의 pH를 갖는 상기 평탄화액을 선택하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판 평탄화 방법.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 패시베이션제는 부식 방지제이고,
    상기 방법은,
    상기 마이크로 전자 기판과 상기 평탄화 패드의 평탄화 표면을 결합시키는 단계, 및
    상기 평탄화 패드로부터 상기 화학제를 배출하기 위해 상기 마이크로 전자 기판과 상기 평탄화 패드 중 하나가 다른 하나에 대해 이동할 때에 상기 평탄화 패드로부터 재료를 제거하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 평탄화 패드로부터 재료를 제거하는 단계는 상기 평탄화 패드의 평탄화 표면으로부터 재료를 연마(abrading)하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  15. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 마이크로 전자 기판은 상기 평탄화 패드의 평탄화 표면과 결합되고,
    상기 선택된 화학제는 상기 평탄화 패드에 매립된 제 1 화학제이며, 상기 방법은 상기 마이크로 전자 기판과 상기 평탄화 패드 중 하나가 다른 하나에 대해 이동할 때에 상기 평탄화 패드로부터 재료를 제거함으로써 상기 제 1 화학제를 배출하는 단계를 부가로 포함하고,
    상기 평탄화 패드의 외부에서의 화학 반응으로 상기 제 1 화학제를 제 2 화학제로 화학적으로 변화시키는 단계를 또한 포함하며,
    상기 패시베이션제는 부식 방지제이고, 상기 방법은 상기 평탄화 패드를 상기 제 2 화학제에 노출시킴으로써 상기 평탄화 패드와 화학적으로 서로 작용하는 상기 부식 방지제의 양을 제한하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 부식 방지제의 양을 제한하는 단계는 상기 제 2 화학제를 갖는 상기 평탄화 패드로부터 상기 부식 방지제를 제거하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 부식 방지제의 양을 제한하는 단계는 상기 부식 방지제가 상기 평탄화 패드에 결합하는 것을 방지하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  18. 제 15 항에 있어서, 인, 염소, 황 및/또는 질소를 포함하는 상기 제 1 화학제를 선택하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  19. 제 15 항에 있어서, 인산, 염화수소산, 황산 및/또는 질산을 포함하는 제 2 화학제를 형성하도록 상기 제 1 화학제를 선택하는 단계를 부가로 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  20. 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 화학제를 화학 변화시키는 단계는 상기 제 1 화학제를 상기 평탄화 패드의 성분과 화합시키는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  21. 제 15 항에 있어서, 상기 평탄화액은 물을 포함하고, 상기 제 1 화학제를 화학 변화시키는 단계는 제 2 화학제를 형성하기 위해 상기 제 1 화학제를 물과 화합시키는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  22. 제 15 항에 있어서, 상기 부식 방지제를 제한하는 단계는 상기 제 2 화학제와 상기 부식 방지제를 화학 반응시키는 단계와, 상기 부식 방지제를 상기 평탄화액에서 용해하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  23. 제 15 항에 있어서, 상기 개별 연마 소자들은 상기 평탄화 패드에 일정하게 분산되며, 상기 부식 방지제를 제한하는 단계는 상기 부식 방지제를 상기 개별 연마 소자로부터 분리하는 단계 및/또는 상기 부식 방지제가 상기 연마 소자들과 결합하는 것을 제한하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  24. 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 화학제는 상기 평탄화 표면에 인접하여 상기 평탄화 패드에 매립되는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  25. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 선택된 화학제는 상기 평탄화 패드에 매립된 제 1 화학제이고,
    상기 제 1 화학제는 상기 평탄화 패드로부터 재료를 제거하고, 상기 제 1 화학제를 상기 평탄화액에 노출시킴으로써 상기 평탄화액 내로 배출되며,
    상기 제 1 화학제는 상기 제 1 화학제와는 화학적으로 상이한 제 2 화학제로 변화되도록 상기 평탄화액과 화학 반응하며,
    상기 마이크로 전자 기판으로부터 재료를 제거하는 속도 및/또는 방식은 상기 제 2 화학제로 상기 평탄화 패드에 화학적으로 영향을 부여함으로써 제어되는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 재료를 제거하는 상기 속도 및/또는 방식을 제어하는 단계는 상기 부식 방지제와 상기 제 2 화학제를 화학적으로 화합함으로써 상기 평탄화 패드와 화학적으로 상호 작용하는 상기 부식 방지제의 양을 제한하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  27. 제 25 항에 있어서, 상기 제 2 화학제는 에칭제를 포함하고, 상기 재료를 제거하는 상기 속도 및/또는 방식을 제어하는 단계는 상기 마이크로 전자 기판을 상기 에칭제에 노출시킴으로써 상기 마이크로 전자 기판으로부터 상기 재료를 제거하는 속도를 가속화하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화 방법.
  28. 마이크로 전자 기판과 결합하기 위해 구성된 평탄화 표면을 갖는 평탄화 패드와,
    상기 평탄화 패드에 인접한 평탄화액을 포함하며,
    상기 평탄화 패드와 평탄화액 중 적어도 하나는 개별 연마 소자들과, 상기 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 상기 개별 연마 소자로부터 패시베이션제를 분리하고 및/또는 상기 패시베이션제가 상기 개별 연마 소자들에 부착하는 것을 억제하기 위해 선택되는 화학제를 갖는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 화학제는 부식 방지제를 포함하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  30. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 화학제는 상기 평탄화액에서 상기 패시베이션제를 용해하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  31. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 화학제는 상기 평탄화액에 용해 가능한 성분들로 상기 패시베이션제를 분해하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  32. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 화학제는 인산을 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  33. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 화학제는 에칭제를 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  34. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 개별 연마 소자는 상기 평탄화 패드에 일정하게 분산되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  35. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 화학제는 상기 개별 연마 소자로부터 상기 패시베이션제를 분리하고 및/또는 상기 패시베이션제가 상기 개별 연마 소자들에 부착하는 것을 제한하는 개질 화학제를 형성하기 위해 상기 평탄화액의 성분과 반응하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  36. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 평탄화액은 약 6 내지 약 10의 pH를 갖는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 평탄화액은 약 7의 pH를 갖는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  38. 제 29 항에 있어서, 상기 개별 연마 소자들은 상기 평탄화 패드에 포함되고 제 1 제타 전위를 가지며, 상기 마이크로 전자 기판은 제 2 제타 전위를 갖는 성분을 포함하고, 상기 평탄화액은 상기 부식 방지제와 개별 연마 소자가 그 pH에서 유사한 극성의 전하를 갖는 방식으로 pH를 갖는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  39. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 평탄화 패드는 상기 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 부식되는 평탄화 패드 재료를 포함하고,
    상기 선택된 화학제는 상기 평탄화 표면에 인접하여 상기 평탄화 패드에 매립되며, 상기 화학제는 상기 평탄화 패드의 부식에 의해 상기 화학제가 노출될 때에 배출되고,
    상기 패시베이션제는 부식 방지제인 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  40. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 화학제는 제 1 화학제이고, 상기 평탄화 패드로부터 배출될 때에 화학 반응을 받아서 상기 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 상기 평탄화 패드로부터 부식 방지제를 제거하고 및/또는 상기 부식 방지제가 상기 평탄화 패드에 결합하는 것을 방지하도록 구성된 제 2 화학제를 형성하기 위해 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  41. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 평탄화 패드는 상기 마이크로 전자 기판을 결합하기 위해 구성된 평탄화 표면을 가지며, 상기 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 부식되는 평탄화 패드 재료를 구비하는 평탄화 패드 본체를 포함하고,
    상기 화학제는 상기 평탄화 표면에 인접하여 상기 평탄화 패드 본체에 매립된 제 1 화학제이며, 상기 제 1 화학제는 평탄화액과 화학 반응을 받아서 상기 평탄화 패드 본체의 부식에 의해 상기 제 1 화학제가 평탄화액에 노출될 때에 상기 제 1 화학제와는 상이한 제 2 화학제를 형성하기 위해 선택되며, 상기 제 2 화학제는 상기 평탄화 패드 본체의 화학적 특성에 영향을 미침으로써 상기 마이크로 전자 기판으로부터 재료 제거 방식을 제어하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  42. 제 41 항에 있어서, 상기 제 2 화학제는 상기 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 상기 평탄화 패드 재료의 부식의 양을 제한하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  43. 제 41 항에 있어서, 상기 제 2 화학제는 상기 마이크로 전자 기판으로부터의 재료의 제거 속도를 가속화하기 위한 에칭제를 포함하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  44. 제 41 항에 있어서, 상기 제 1 화학제는 인, 염소, 황 및/또는 질소를 포함하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  45. 제 41 항에 있어서, 상기 제 1 화학제는 인산, 염화수소산, 황산 및/또는 질산을 포함하는 제 2 화학제를 형성하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  46. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 평탄화 패드는 상기 마이크로 전자 기판을 결합하기 위해 구성된 평탄화 표면을 가지며, 상기 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 부식되는 평탄화 패드 재료를 구비하는 평탄화 패드 본체를 포함하고,
    상기 화학제는 상기 평탄화 표면에 인접하여 상기 평탄화 패드 본체에 매립된 제 1 화학제이며, 상기 제 1 화학제는 평탄화액과 화학 반응을 받아서 상기 평탄화 패드 본체의 부식에 의해 상기 제 1 화학제가 상기 평탄화액에 노출될 때에 제 2 화학제를 형성하기 위해 선택되며, 상기 제 2 화학제는 상기 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 부식 방지제가 상기 평탄화 패드 본체와 화학적으로 상호 작용하는 것을 적어도 제한하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  47. 제 46 항에 있어서, 상기 부식 방지제는 벤졸트리아졸을 포함하고, 상기 제 2 화학제는 상기 벤졸트리아졸이 상기 평탄화 패드 본체의 평탄화 표면에 결합하는 것을 제한하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  48. 제 46 항에 있어서, 상기 제 2 화학제는 상기 마이크로 전자 기판의 평탄화 중에 상기 부식 방지제가 상기 개별 연마 소자들과 화학적으로 상호 작용하는 것을 적어도 제한하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  49. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 상기 개별 연마 소자들은 알루미나 입자들을 포함하는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  50. 제 46 항에 있어서, 상기 마이크로 전자 기판은 구리를 포함하고, 상기 부식 방지제는 구리의 부식을 방지하도록 선택되며, 상기 제 2 화학제는 상기 부식 방지제를 상기 평탄화 패드로부터 제거하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  51. 제 46 항에 있어서, 상기 제 1 화학제는 염소, 인, 황 및 질소로부터 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
  52. 제 46 항에 있어서, 상기 제 1 화학제는 염화수소산, 인산, 황산 및/또는 질산을 포함하는 제 2 화학제를 형성하도록 선택되는 마이크로 전자 기판의 평탄화용 평탄화 매체.
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