KR100813633B1 - LED package of side view type - Google Patents
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Abstract
사이드 뷰 발광다이오드 패키지가 개시된다. 오목하게 함입된 실장공간을 구획하는 복수의 측벽을 포함하는 반사부와, 반사부에 결합되며, 실장공간의 바닥면으로 그 일부가 노출되는 한 쌍의 리드 프레임과, 실장공간의 바닥면에 실장되며, 본딩 와이어에 의해 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 LED 칩과, 실장공간에 충전되어 LED 칩 및 와이어를 피복하는 렌즈부를 포함하되, 측벽은, 실장공간의 바닥면으로부터 LED 칩의 높이, LED 칩으로부터 본딩 와이어의 높이 및 와이어의 최고(高)점으로부터 렌즈부의 피복두께를 합한 값에 상응하는 높이로 형성되며, 한 쌍의 리드 프레임은, 띠 형태로서 측벽을 관통하도록 외부로부터 그 일부가 반사부에 삽입되며, 반사부의 외부로 돌출되는 부분은 단부쪽으로 갈수록 폭이 좁아지는 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 발광다이오드 패키지는, LED 칩으로부터 방출되는 총광량을 증가시켜, 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 백라이트 장치에 장착하는 경우 암부형성을 최소화하고 백라이트의 전체 휘도를 개선할 수 있다.A side view light emitting diode package is disclosed. A reflector comprising a plurality of sidewalls defining a concavely mounted mounting space, a pair of lead frames coupled to the reflecting portion, the portion of which is exposed to the bottom surface of the mounting space, and a mounting surface on the bottom surface of the mounting space; And an LED chip electrically connected to the lead frame by a bonding wire, and a lens unit charged in the mounting space to cover the LED chip and the wire, wherein the sidewalls include the height of the LED chip from the bottom surface of the mounting space and the LED chip. And the height of the bonding wire from the highest point of the wire and the coating thickness of the lens portion from the highest point of the wire. The side view light emitting diode package, which is inserted into the projecting portion and protrudes outward from the reflecting portion, has a tapered shape that becomes narrower toward the end portion. By increasing the total amount of light emitted from the ED chip, when the side view light emitting diode package is mounted in the backlight device, it is possible to minimize darkening and improve the overall brightness of the backlight.
사이드 뷰 발광다이오드 패키지, 절단(Sawing), 리드 프레임 Side view LED package, Sawing, lead frame
Description
도 1은 LCD 백라이트 장치에 적용된 종래기술의 LED의 문제점을 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view for explaining the problem of the LED of the prior art applied to the LCD backlight device.
도 2는 종래기술의 LED의 일 예를 도시한 정면도.Figure 2 is a front view showing an example of the LED of the prior art.
도 3은 LCD 백라이트 장치에 적용된 종래기술의 LED의 다른 문제점을 설명하기 위한 단면도.Figure 3 is a cross-sectional view for explaining another problem of the LED of the prior art applied to the LCD backlight device.
도 4는 LCD 백라이트 장치에 어레이된 종래기술의 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 평면도.4 is a plan view of a side view light emitting diode package of the prior art arrayed in an LCD backlight device;
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 제조방법을 개략적으로 나타낸 순서도.Figure 5 is a flow chart schematically showing a method of manufacturing a side view light emitting diode package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리드 프레임을 도시한 평면도. 6 is a plan view showing a lead frame according to a preferred embodiment of the present invention.
도 7은 도 6의 리드 프레임 상에 반사부를 형성한 상태를 도시한 평면도.7 is a plan view illustrating a state in which a reflector is formed on the lead frame of FIG. 6.
도 8은 도 7의 A-A'선의 단면도.8 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 7.
도 9는 도 7의 B-B'선의 단면도.9 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 7.
도 10은 LED 칩을 실장하고 와이어 본딩한 상태의 단면도.10 is a cross-sectional view of a state in which an LED chip is mounted and wire bonded.
도 11은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 제조된 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도.Figure 11 is a perspective view of a side view light emitting diode package manufactured according to an embodiment of the present invention.
도 12는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 사시도.12 is a perspective view of a side view light emitting diode package according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 13은 리드 프레임의 배치를 설명하기 위한 도 12의 C-C'단면도.FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line C-C 'in FIG. 12 for explaining the arrangement of lead frames; FIG.
도 14는 반사부의 측벽을 통상적인 높이(h1)로 한 도 12의 D-D'단면도.FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line D-D 'of FIG. 12 with a sidewall of a reflector at a typical height h 1 ;
도 15는 반사부의 측벽을 바람직한 높이(h2)로 한 도 12의 D-D'단면도.FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line D-D 'of FIG. 12 with a sidewall of the reflector at a preferred height h 2 ;
도 16은 도 12의 E-E'단면도.16 is a cross-sectional view taken along the line E-E 'of FIG.
도 17은 도 12의 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 LCD 백라이트 장치에 적용한 일 예를 도시한 사시도.FIG. 17 is a perspective view illustrating an example in which the side view LED package of FIG. 12 is applied to an LCD backlight device; FIG.
도 18은 도 17의 평면도.18 is a top view of FIG. 17.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
100 : 사이드 뷰 발광다이오드 패키지 110 : 리드 프레임판100: side view light emitting diode package 110: lead frame plate
111(111a, 111b) : 리드 프레임 113 : 연결편111 (111a, 111b): Lead frame 113: Connecting piece
115 : 절단홈 120 : 반사부115: cutting groove 120: reflecting unit
121(121a, 121b, 123a, 123b) : 측벽 C : 절단(Sawing)선121 (121a, 121b, 123a, 123b): side wall C: Sawing line
130 : LED 칩 133 : 도전성페이스트130: LED chip 133: conductive paste
135 : 금(Au)와이어 137 : 렌즈부135 gold (Au) wire 137: lens unit
본 발명은 사이드 뷰 발광다이오드 패키지에 관한 것이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 이를 설명하면, 이동 통신 기기의 액정표시장치(LCD)의 백라이트 장치는 통상 도 1에 도시한 것과 같이 구성된다. 즉 백라이트 장치(10)는 기판(12) 상에 평탄한 도광판(14)이 배치되고 이 도광판(14)의 측면에는 사이드 뷰 발광다이오드 즉 LED(20)가 배치된다. 통상, 복수의 LED(20)가 어레이 형태로 배치된다. LED(20)에서 도광판(14)으로 입사된 빛(L)은 도광판(14)의 밑면에 배치된 미세한 반사 패턴 또는 반사 시트(16)에 의해 상부로 반사되어 도광판(14)에서 출사된 다음 도광판(14) 상부의 LCD 패널(18)에 백라이트를 제공하게 된다. The present invention relates to a side view light emitting diode package. Referring to FIGS. 1 and 2, a backlight device of a liquid crystal display (LCD) of a mobile communication device is generally configured as shown in FIG. 1. That is, in the
도 2는 도 1에 도시한 것과 같은 종래기술의 LED(20)의 일례를 보여주는 정면도이다. 도 2를 참조하면, LED(20)는 내부에 LED 칩(22, 도 1 참조)을 수용하는 컵 형태의 실장공간(28)과 이를 둘러싸는 상하의 얇은 측벽(24) 및 실장공간(28) 좌우의 비교적 두꺼운 측벽(26)을 갖는 패키지 본체(22)를 구비한다. 상기 컵 형태의 실장공간(28)은 LED 칩(22)에서 발생하는 빛을 외부로 안내하기 위해 도면의 전방으로 개방되어 LED 창을 형성하고, 그 내부에는 투명한 수지가 채워져 LED 칩을 외부로부터 밀봉한다. 한편, 상기 LED 칩에서 발생하는 단색광을 백색광으로 변환하도록 상기 수지에는 형광 물질 등이 함유될 수도 있다. 또한, 패키지 본체(22) 양측에는 한 쌍의 단자(29)가 설치되어 LED 칩(22)을 외부 전원과 전기적으로 연결한다.FIG. 2 is a front view showing an example of the
이와 같이 구성하면, 단자(29)가 실장공간(28)과 겹치지 않게 되므로, 전체 LED(20)의 두께를 줄일 수 있다. In this configuration, since the
특히, 근래 LCD 백라이트 장치의 두께 감소가 요구되고 있으므로 LED의 두께 감소는 백라이트 장치의 두께 감소에 유리하다. 현재 LCD 백라이트 장치용 측면형 발광 다이오드(LED)는 대략 0.6mm 이하까지의 두께가 요구되고 있으며, 향후 0.5mm 이하의 두께가 요구될 것으로 예상되고 있다.In particular, since the thickness reduction of the LCD backlight device is required in recent years, the thickness reduction of the LED is advantageous to the thickness reduction of the backlight device. Currently, a side light emitting diode (LED) for an LCD backlight device requires a thickness of approximately 0.6 mm or less, and is expected to require a thickness of 0.5 mm or less in the future.
하지만, 전술한 도 1 및 도 2의 구조를 갖는 LED(20)로는 0.5mm 이하의 패키지 두께 즉 장착 높이를 확보하기가 어렵다. 왜냐하면, 실장공간(28)의 개구 즉 LED 창은 LED 칩(22)에서 발생한 빛을 외부로 안내하도록 일정 치수 이상의 폭이 요구되고 있고, LED 창 상하의 측벽(24)도 역시 원하는 강도를 확보하기 위해서는 미리 정해진 치수 이상의 두께가 요구되며 사출방식의 제작방법만으로는 그 두께를 일정 수치 이하로 얇게 하는 것이 어렵기 때문이다.However, it is difficult to secure a package thickness of 0.5 mm or less, that is, a mounting height, with the
이와 같은 LCD 백라이트 장치에 적용된 종래기술의 LED의 다른 문제점을 설명하면, 실장공간(28)의 개구인 LED 창은 하부 측벽(24)의 두께(th)만큼 도광판(14)의 하부로부터 위쪽으로 이격되어 있다. 따라서, LED 칩(22)에서 발생되어 실장공간(28)의 외부로 하향 방출되는 빛(L)은 미리 정해진 길이만큼 진행한 다음 도광판(14) 하부의 반사 시트(16)에 도달한다. 이렇게 되면, 반사 시트(16)에는 빛(L)이 희미한 제1암부(33)가 존재하게 되며, 이는 전체 LCD 백라이트 장치의 효율을 떨어뜨리는 문제점이 있다.To describe another problem of the LED of the related art applied to the LCD backlight device, the LED window, which is an opening of the
한편, LCD 백라이트 장치가 장착되는 이동 통신 기기의 소형화에 따라 LCD 백라이트 장치의 도광판도 역시 그 두께가 감소하는 추세이다. 즉, 도광판의 두께가 0.5mm 이하로까지 감소하고 있다.Meanwhile, with the miniaturization of mobile communication devices in which the LCD backlight device is mounted, the thickness of the light guide plate of the LCD backlight device also decreases. That is, the thickness of the light guide plate is reduced to 0.5 mm or less.
이 경우, 종래기술의 LED를 채용하는 LCD 백라이트 장치는 아래와 같은 문제점이 발생하는데, 이를 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3에 도시한 바와 같이, 도광판(14a)의 두께가 0.5mm 이하인 경우, LED(20a)는 도광판(14a)보다 두께가 크게 된다. 이렇게 되면, LED(20a) 내부의 LED 칩(22a)에서 발생한 빛의 상당량은 도광판(14a)으로 입사하지 못하게 되므로 광손실이 발생한다. 따라서, 이를 방지하기 위해, LCD 백라이트 장치(10a)는 도광판(14a)의 측면 상단에 반사장치(36)를 설치하여 해당 빛을 도광판(14a) 안으로 안내하여 광손실을 방지한다.In this case, the LCD backlight device employing the LED of the prior art has the following problems, which will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, when the thickness of the
하지만, 이렇게 되면 LCD 백라이트 장치(10a)의 구성이 더 복잡해지고 그 제조 공정 역시 복잡해지므로 그에 따라 작업 시간 및 비용이 증가한다는 문제점이 있다.However, since the configuration of the
또한, 도 4에서와 같이 기판(12) 상에 도광판(14)의 측면에는 복수의 사이드 뷰 발광다이오드 패키지 즉 LED(20)가 어레이 형태로 배치되는데, 역시 복수의 LED(20) 사이로 LED 칩(22)에서 발생되는 빛이 희미한 제2암부(36)가 존재하게 되며, 이 또한 전체 LCD 백라이트 장치의 효율을 떨어뜨리는 문제점이 있다. In addition, as shown in FIG. 4, a plurality of side view light emitting diode packages, that is,
더욱이, LED(20)의 실장공간(28)의 깊이(즉, LED 칩(22)이 실장되는 단자(29)면으로부터 측벽(24)의 상면까지의 거리)가 통상 0.6 mm 이상이므로, LED 칩(22)에서 발산되는 빛이 측벽(24)의 내면 사이에서 반사되는 횟수가 많아 광손실이 증가하는 문제가 있다. Furthermore, since the depth of the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출 된 것으로서, 반사부를 형성하는 측벽의 높이와 LED 칩의 실장공간의 바닥면을 최소화하여, 실장공간의 경사면의 각도를 증가함으로써 LED 칩으로부터 방출되는 총광량을 개선시키고 LCD의 백라이트 장치에 장착 시에 암부 형성을 최소화할 수 있는 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, by minimizing the height of the side wall forming the reflector and the bottom surface of the mounting space of the LED chip, by increasing the angle of the inclined surface of the mounting space, the total emitted from the LED chip It is to provide a side view light emitting diode package that can improve the amount of light and minimize the formation of dark areas when mounted on the backlight device of the LCD.
또한, 본 발명은 리드 프레임의 형성 시에 절곡, 굴곡 등의 추가적인 공정 없이 스트레이트 타입의 전극을 형성시킴으로써 제작 공정을 단순화하고, 리드 프레임(리드 프레임의 단부)상에 절단실장공간을 마련하여 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 PCB 상에 실장시, 리드 프레임과 PCB 상의 도전패턴과의 전기적 접촉 및 전기 공급의 효율을 제고하는 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 제공하는 것이다.In addition, the present invention simplifies the manufacturing process by forming a straight type electrode without additional processes such as bending and bending at the time of forming the lead frame, and provides a cutting mounting space on the lead frame (end of the lead frame) to provide a side view. When mounting a light emitting diode package on a PCB, it is to provide a side view light emitting diode package that improves the efficiency of electrical contact and electrical supply between the lead frame and the conductive pattern on the PCB.
백라이트 장치의 도광판의 두께가 0.5mm 이하로 감소하는 추세에 따라, 낮은 비용으로 측벽의 두께를 0.04 mm 내지 0.05 mm가 되도록 하여 전체 두께가 0.5 mm 이하인 사이드 뷰 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.According to the trend that the thickness of the light guide plate of the backlight device is reduced to 0.5 mm or less, the side view light emitting diode package having a total thickness of 0.5 mm or less and a method of manufacturing the same by providing a side wall thickness of 0.04 mm to 0.05 mm at a low cost will be.
본 발명의 일 측면에 따르면, 오목하게 함입된 실장공간을 구획하는 복수의 측벽을 포함하는 반사부와, 반사부에 결합되며, 실장공간의 바닥면으로 그 일부가 노출되는 한 쌍의 리드 프레임과, 실장공간의 바닥면에 실장되며, 본딩 와이어에 의해 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 LED 칩과, 실장공간에 충전되어 LED 칩 및 와이어를 피복하는 렌즈부를 포함하되, 측벽은, 실장공간의 바닥면으로부터 LED 칩의 높이, LED 칩으로부터 본딩 와이어의 높이 및 와이어의 최고(高)점으로부터 렌즈부의 피복두께를 합한 값에 상응하는 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 발광다이오드 패키지가 제공된다.According to an aspect of the present invention, a reflector comprising a plurality of side walls for partitioning the recessed recessed mounting space, a pair of lead frames coupled to the reflecting portion, the portion of which is exposed to the bottom surface of the mounting space; And an LED chip mounted on the bottom surface of the mounting space and electrically connected to the lead frame by a bonding wire, and a lens unit charged in the mounting space to cover the LED chip and the wire, wherein the side wall is a bottom surface of the mounting space. And a height corresponding to the sum of the height of the LED chip, the height of the bonding wire from the LED chip, and the coating thickness of the lens portion from the highest point of the wire, the side view light emitting diode package is provided.
실장공간의 바닥면은 LED 칩의 폭과 상응하는 폭으로 형성되는 것이 바람직하다.The bottom surface of the mounting space is preferably formed to have a width corresponding to the width of the LED chip.
측벽은 실장공간의 바닥면으로부터 실장공간의 입구쪽으로 갈수록 실장공간의폭이 넓어지도록 경사면을 가지고 형성되도록 하며, 측벽의 경사면은 측벽의 높이가 유지되는 범위에서 실장공간의 입구의 폭이 넓어지도록 형성되는 것이 바람직하다.The side wall is formed with an inclined surface so that the width of the mounting space becomes wider from the bottom surface of the mounting space toward the inlet of the mounting space, and the inclined surface of the side wall is formed so that the width of the inlet of the mounting space is widened in a range where the height of the side wall is maintained. It is desirable to be.
또한, 한 쌍의 리드 프레임은 띠 형태로서 측벽을 관통하도록 외부로부터 그 일부가 반사부에 삽입되며, 반사부의 외부로 돌출되는 부분은 단부쪽으로 갈수록 폭이 좁아지는 테이퍼 형상이 되도록 할 수 있다.In addition, the pair of lead frames may be inserted into the reflecting portion from the outside so as to penetrate the side wall in the form of a strip, and the portion protruding outward of the reflecting portion may have a tapered shape that becomes narrower toward the end portion.
또한, 렌즈부는 LED 칩의 발광색에 대응하는 형광물질을 포함하는 액상 에폭시(Epoxy)를 경화시켜 형성할 수 있다.In addition, the lens unit may be formed by curing a liquid epoxy (Epoxy) containing a fluorescent material corresponding to the emission color of the LED chip.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 음극단자와 양극단자를 포함하는 리드 프레임을 제공하는 (a)단계와; 양측으로 상기 음극단자 및 양극단자의 일부가 돌출되도록 상기 리드 프레임을 둘러싸고, 상향으로 개방된 오목하게 함입된 실장공간과 상기 오목하게 함입된 실장공간을 둘러싸는 측벽을 포함하는 반사부를 형성하는 (b)단계와; 상기 오목하게 함입된 실장공간 내부의 리드 프레임 상에 LED 칩을 다이 어테치(Die Attach)하는 (c)단계와; 상기 LED 칩을 상기 음극단자 또는 상기 양극단자와 도전성 와이어로 본딩하는 (d)단계와; 상기 오목하게 함입된 실장공간 내부에 액상 경화 수지를 디스펜싱(Dispensing)하여 렌즈부를 형성하는 (e)단계와; 쏘잉머신(sawing machine)을 사용하여 서로 대향하는 상기 측벽을 상부면 상에서의 두께가 0.04 mm 내지 0.05 mm가 되도록 쏘잉(Sawing)하는 (f)단계를 포함하는 사이드 뷰 발광다이오드 패키지 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the invention, step (a) of providing a lead frame comprising a cathode terminal and a cathode terminal; (B) forming a reflecting part surrounding the lead frame such that a part of the negative electrode terminal and the positive electrode terminal protrude from both sides, and including a sidewall surrounding the recessed recessed mounting space opened upwardly and the recessed recessed mounting space; Steps; (C) die attaching the LED chip onto the lead frame in the recessed mounting space; (D) bonding the LED chip to the cathode terminal or the anode terminal with a conductive wire; (E) forming a lens unit by dispensing a liquid cured resin into the recessed mounting space; A method of manufacturing a side view light emitting diode package is provided, comprising the step (f) of sawing the side walls facing each other using a sawing machine such that the thickness on the top surface is 0.04 mm to 0.05 mm. .
여기서, 상기 리드 프레임은 은(Ag)으로 도금한 구리(Cu)판재를 프레스 금형으로 펀칭하여 형성되고, 상기 리드 프레임은 상기 음극단자 및 상기 양극단자의 외측 단부의 양측부에 절단홈을 포함하는 것이 바람직하다.Here, the lead frame is formed by punching a copper (Cu) plate plated with silver (Ag) with a press mold, and the lead frame includes cutting grooves at both sides of the outer end of the negative electrode terminal and the positive electrode terminal. desirable.
한편, 상기 반사부는 실장공간의 폭이 0.3 내지 0.35 mm가 되도록 플라스틱 사출방식으로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 측벽의 경사면은 바닥면에 대하여 소정의 경사각을 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, the reflector is preferably formed by a plastic injection method so that the width of the mounting space is 0.3 to 0.35 mm. In addition, the inclined surface of the side wall is preferably formed to have a predetermined inclination angle with respect to the bottom surface.
상기 (b)단계 내지 상기 (d)단계 중 어느 하나는 상기 측벽의 경사면에 반사물질을 코팅하거나 금속재질의 반사판을 결합시키는 단계를 더 포함할 수 있다.Any one of the steps (b) to (d) may further include coating a reflective material or bonding a metal reflective plate to the inclined surface of the sidewall.
상기 액상 경화 수지는 상기 LED 칩의 색상에 대응하여 형광물질을 액상 에폭시(Epoxy)에 혼합한 것을 포함할 수 있다. The liquid curing resin may include a mixture of a fluorescent material in a liquid epoxy corresponding to the color of the LED chip.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 한 쌍의 리드 프레임과, 상기 리드 프레임을 둘러싸며, 상향으로 개방된 오목하게 함입된 실장공간과 상기 오목하게 함입된 실장공간을 둘러싸는 측벽을 포함하는 반사부와; 상기 오목하게 함입된 실장공간에 실장되며, 와이어 본딩으로 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 LED 칩 과; 상기 오목하게 함입된 실장공간에 충전되는 렌즈부를 포함하되, 서로 대향하는 상기 측벽은 상부면 상에서의 두께가 0.04 mm 내지 0.05 mm인 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 발광다이오드 패키지가 제공된다.According to still another aspect of the present invention, a reflector includes a pair of lead frames, and a side wall surrounding the lead frame and including a recessed recessed mounting space opened upward and a recessed recessed mounting space. Wow; An LED chip mounted in the recessed mounting space and electrically connected to the lead frame by wire bonding; A side view light emitting diode package is provided, including a lens unit filled in the recessed mounting space, wherein the sidewalls facing each other have a thickness of 0.04 mm to 0.05 mm on an upper surface thereof.
상기 한 쌍의 리드 프레임은 띠 형태이고, 마주보는 각 리드 프레임은 소정간격 이격되어 일자형으로 배치되며, 그 일부가 상기 반사부의 외측으로 돌출되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 반사부의 외측으로 돌출된 상기 리드 프레임의 일부는 단부쪽으로 갈수록 폭이 좁아지는 테이퍼 형상인 것이 바람직하다. 한편, 상기 측벽의 높이는 0.25 mm 내지 0.35 mm인 것이 바람직하다.The pair of lead frames may have a band shape, and each of the opposing lead frames may be disposed in a straight line at a predetermined interval, and a part of the lead frames may protrude outward from the reflecting portion. Here, it is preferable that a part of the lead frame protruding to the outside of the reflecting portion has a tapered shape that becomes narrower toward the end portion. On the other hand, the height of the side wall is preferably 0.25 mm to 0.35 mm.
그리고, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 한 쌍의 리드 프레임과; 상기 리드 프레임을 둘러싸며, 상향으로 개방된 오목하게 함입된 실장공간과 상기 오목하게 함입된 실장공간을 둘러싸는 측벽을 포함하는 반사부와; 상기 오목하게 함입된 실장공간에 실장되며, 와이어 본딩으로 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 LED 칩과; 상기 오목하게 함입된 실장공간에 충전되는 렌즈부를 포함하되, 상기 측벽의 높이는 0.25 mm 내지 0.35 mm인 사이드 뷰 발광다이오드 패키지가 제공된다. 상기 반사부는 플라스틱 재질을 포함하며, 사출에 의해 형성되며, 상기 측벽의 경사면은 또는 상기 오목하게 함입된 실장공간의 바닥면에 대하여 소정의 경사를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.And, according to another aspect of the invention, a pair of lead frame; A reflecting portion surrounding the lead frame and including a concave recessed mounting space opened upwardly and a side wall surrounding the recessed recessed mounting space; An LED chip mounted in the recessed mounting space and electrically connected to the lead frame by wire bonding; A side view light emitting diode package including a lens unit filled in the recessed recessed mounting space and having a height of 0.25 mm to 0.35 mm is provided. The reflection part may include a plastic material, and may be formed by injection, and the inclined surface of the sidewall may be formed to have a predetermined inclination with respect to the bottom surface of the recessedly embedded mounting space.
상기 렌즈부는 상기 LED 칩의 발광색에 대응하는 형광물질을 포함하는 액상 에폭시(Epoxy)를 경화시켜 형성될 수 있다. The lens unit may be formed by curing a liquid epoxy including an fluorescent material corresponding to the emission color of the LED chip.
한편, 상기 한 쌍의 리드 프레임은 띠 형태이고, 마주보는 각 리드 프레임은 소정간격 이격되어 일자형으로 배치되며, 그 일부가 상기 반사부의 외측으로 돌출되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 반사부의 외측으로 돌출된 상기 리드 프레임의 일부는 단부쪽으로 갈수록 폭이 좁아지는 테이퍼 형상인 것이 바람직하다.On the other hand, the pair of lead frames is in the form of a band, each of the opposing lead frame is arranged in a straight line spaced apart a predetermined interval, a portion thereof is preferably protruded to the outside of the reflecting portion. Here, it is preferable that a part of the lead frame protruding to the outside of the reflecting portion has a tapered shape that becomes narrower toward the end portion.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 사이드 뷰 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 보다 상세하게 설명하도록 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the side view light emitting diode package and a method for manufacturing the same according to the present invention, in the description with reference to the accompanying drawings the same or not Corresponding components are given the same reference numerals and redundant description thereof will be omitted.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 제조방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다. 도 5를 참조하여 본 실시예에 따른 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 제조방법을 설명함에 있어, 각각의 단계를 도 6 내지 도 11을 참조하여 상술한다.5 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a side view light emitting diode package according to a preferred embodiment of the present invention. In the manufacturing method of the side view light emitting diode package according to the present embodiment with reference to FIG. 5, each step will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 11.
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 리드 프레임을 도시한 평면도이고, 도 7은 도 6의 리드 프레임 상에 반사부를 형성한 상태를 도시한 평면도이고, 도 8은 도 7의 A-A'선의 단면도이고, 도 9는 도 7의 B-B'선의 단면도이고, 도 10은 LED 칩을 실장하고 와이어 본딩한 상태의 단면도이고, 도 11은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 제조된 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.6 is a plan view illustrating a lead frame according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 7 is a plan view illustrating a state in which a reflector is formed on the lead frame of FIG. 6, and FIG. 8 is A-A of FIG. 7. 9 is a cross-sectional view of the line 'B-B' of FIG. 7, FIG. 10 is a cross-sectional view of a state in which the LED chip is mounted and wire bonded, and FIG. 11 is a side manufactured according to a preferred embodiment of the present invention. A perspective view illustrating a view light emitting diode package.
우선, 리드 프레임(110, 도 6참조)을 제공한다(S1).First, a lead frame 110 (see FIG. 6) is provided (S1).
본 실시예에서는 은(Ag)으로 도금한 구리(Cu)판재를 프레스 금형으로 펀칭하여 도 6과 같은 리드 프레임판(110)을 형성하였다. 여기서 LED 칩에서 발생하는 열을 패키지 외부로 발산하는 역할을 할 수 있도록 그 두께를 0.2mm로 한다.In this embodiment, a copper (Cu) plate material plated with silver (Ag) was punched with a press die to form a
띠 형태의 한 쌍의 리드 프레임(111)은 내측의 마주보는 단부가 소정간격(G) 이격되게 배치되고 외측의 단부는 그 양 측면에 연결편(113)으로 연결되어 있다. 한 쌍의 리드 프레임(111)은 일측은 음극단자(111a)로, 타측은 양극단자(111b)가 된다.A pair of strip-shaped lead frames 111 are disposed so that the opposite ends of the inner side are spaced apart by a predetermined interval G, and the outer ends thereof are connected to both sides thereof by connecting
한편, 리드 프레임의 외측 단부와 연결편이 만나는 부분 중의 외측부에 절단실장공간(115)이 형성되어 있다. 절단홈(115)의 역할은 후술한다.On the other hand, the
둘째로, 리드 프레임판(110) 상에 반사부(120, 도 7 내지 도9 참조)를 형성한다(S2).Secondly, a reflective part 120 (see FIGS. 7 to 9) is formed on the lead frame plate 110 (S2).
좌우 양측으로 일단부가 돌출되도록 한 쌍의 리드 프레임(111)을 둘러싸고 내부에 LED 칩(130, 도 10 참조)을 수용하는 컵 형태의 양측으로 긴 오목하게 함입된 실장공간(125)과 이를 둘러싸는 상하의 얇은 측벽(121a, 121b) 및 실장공간(125) 좌우의 비교적 두꺼운 측벽(123a, 123b)을 갖는 반사부(22)를 형성한다. 반사부(120)는 한 쌍의 리드 프레임(111)의 상부 및 하부에 형성되며, 일반적인 플라스틱 사출방식에 의해 형성된다.It surrounds a pair of long recessed recessed mounting
본 실시예에서는 상하의 얇은 측벽(121a, 121b)의 두께를 각각 0.2mm로 하였으며, 실장공간(125)의 저면 상에서의 상하의 얇은 측벽(121a, 121b)의 내면 간의 거리를 0.3mm(LED 칩이 안착되는 저면 상의 두께)로 하였다.In this embodiment, the thicknesses of the upper and
그러나, 이러한 플라스틱 사출방식으로는 측벽 특히 상하의 얇은 측벽(121a, 121b)을 두께 0.07mm이하로 할 수 없고 그 두께를 감소 시킬수록 제작비용이 증가하 게 될 뿐만 아니라, 고비용으로 측벽의 두께를 0.07mm로 반사부를 제작하더라도 전체적인 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 두께는 0.5mm를 초과하게 됨으로써 도광판(14a, 도 3 참조)의 두께가 0.5mm 이하가 요구되는 추세에 부응하지 못하고 반사부(36, 도 3 참조)를 사용해야 하는 등의 문제가 여전히 발생하게 된다. 이러한 문제의 기술적인 해결은 본 발명에 의한 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 제조방법의 마지막 단계인 리드 프레임 및 측벽의 절단(Sawing)(S6, 도 5참조)에 의해 이루어 진다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.However, the plastic injection method cannot make the sidewalls, especially the upper and lower
한편, 측벽은 실장공간의 바닥면으로부터 실장공간의 입구쪽으로 갈수록 실장공간의 폭이 넓어지도록 경사면을 갖도록 한다. 즉, 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 발광 효율을 고려하여 측벽(121a, 121b, 121a, 121b)의 내벽면은 경사을 갖도록 형성하였으며, 측벽의 내벽면(121a, 121b, 121a, 121b)에 반사물질을 코팅하거나 금속재질의 반사판을 결합시킬 수 있다.On the other hand, the side wall has an inclined surface so that the width of the mounting space becomes wider from the bottom surface of the mounting space toward the entrance of the mounting space. That is, the inner wall surfaces of the sidewalls 121a, 121b, 121a and 121b are inclined in consideration of the luminous efficiency of the side view light emitting diode package, and a reflective material is coated on the
셋째로, LED 칩(130, 도 9 참조)을 다이 어테치(Die Attach)한다(S3).Third, die attach the LED chip 130 (see FIG. 9) (S3).
본 실시예에서는 실장공간(125) 내부의 리드 프레임(111a) 상에 LED 칩(130)을 도전성 페이스트(135)를 사용하여 부착시키며, 0.24×0.48×0.1 mm 크기의 LED 칩(130)을 사용하였다. In this embodiment, the
넷째로, LED 칩(130)을 도전성 와이어(135, 도 10 참조)로 리드 프레임(111b)과 본딩한다(S4). 본 실시예에서는 금(Au) 와이어(135)를 사용하였다.Fourth, the
본 실시예에서는 LED 칩(130)을 일측의 리드 프레임(111a) 상에 도전성 페이스트(133)로 부착시킨 후에 타측의 리드 프레임(111b)에 금(Au) 와이어(135)로 본딩하여 전기적으로 연결하였으나, LED 칩을 한 쌍의 리드 프레임(111a, 111b)의 내측의 마주보는 단부 사이의 반사부(120)의 사출물 상에 비도전성 패이스트(미도시)로 부착하고 양측의 리드 프레임(111a, 111b)와 각각 와이어 본딩하는 것도 고려할 수 있다.In the present embodiment, the
다섯째로, 반사부의 실장공간(125) 내에 렌즈부 형성한다(S5).Fifth, the lens unit is formed in the mounting
실장공간(125) 내에 LED 칩(130)의 색상에 대응하여 형광물질을 혼합한 액상 에폭시(Epoxy)를 디스펜싱(Dispensing)하여 렌즈부(137)를 형성한다.The
한편, 본 실시예에서는 액상 에폭시(Epoxy)에 형광물질을 혼합하여 렌즈부(137)를 형성하였으나, 형광물질을 LED 칩(130) 상에 포팅시킨 후에 액상 에폭시(Epoxy)와 같은 경화수지를 반사부의 실장공간(125) 내에 주입함으로써 렌즈부(137)를 형성하는 방식도 고려될 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the
마지막으로, 리드 프레임판 및 측벽을 절단(Sawing)한다(S6).Finally, the lead frame plate and the side wall are cut (S6).
블레이드를 이용하는 절단기(sawing machine)을 사용하여 대향하는 양 측벽(121a, 121b)을 각각 상부면 상에서의 두께가 0.04 mm 가 되도록 절단선(C, 도 7 및 도 8참조)을 따라 절단(Sawing)함으로써 본 실시예에 의한 사이드 뷰 발광다이오드 패키지(100) 및 그 제조방법이 완성된다.Sawing both
전술한 바와 같이 사출방식으로는 측벽의 두께를 0.07 mm이하로 하기 어려운 문제가 있고 이를 해결하기 위해서 본 실시예에서는 블레이드를 이용하는 절단 기(sawing machine)을 사용하여 측벽(121a, 121b)의 두께(t2)를 각각 0.04 mm로 하였고, 반사부의 실장공간(125)의 상부 폭(t3)을 0.32 mm로 하여 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 전체 두께(t, 도11 참조)를 0.4 mm가 되게 할 수 있게 된다.As described above, there is a problem that the thickness of the side wall is less than 0.07 mm by the injection method. To solve this problem, in the present embodiment, the thickness of the
이처럼 고비용을 들이지 않고도 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 전체 두께를 획기적으로 감소시킴으로써, 0.5 mm 이하의 도광판을 사용하는 추세에 부응하여 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 채용하는 LCD 백라이트 장치의 두께를 감소시킬 수 있게 된다.By dramatically reducing the overall thickness of the side view light emitting diode package without incurring high cost, it is possible to reduce the thickness of the LCD backlight device employing the side view light emitting diode package in response to the trend of using a light guide plate of 0.5 mm or less. .
또한, 측벽(121a, 121b)의 두께(t2)를 각각 0.04 mm까지 감소시킴으로써 제1암부(33, 도1 참조)를 최소화함으로써 본 발명에 의한 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 LCD 백라이트 장치에 적용 시에 발광효율을 제고할 수 있게 된다. In addition, when the side view light emitting diode package according to the present invention is applied to the LCD backlight device by minimizing the first arm portion 33 (see FIG. 1) by reducing the thickness t2 of the
한편, 리드 프레임(110, 도 7참조) 및 반사부(120)을 절단선(C)를 따라 절단(Sawing)하게 되면, 절단홈(115)으로 인해 한 쌍의 리드 프레임(111a, 111b)는 각각 단부로 갈수록 폭이 좁아지는 테이퍼 형상이 됨으로써 절단(Sawing) 없이 단부가 형성된다.Meanwhile, when the lead frame 110 (refer to FIG. 7) and the
따라서, 리드 프레임은 은(Ag)를 도금한 구리(Cu)판재을 사용함에 따라 절단(Sawing) 시에 구리(Cu)판재로부터 도금된 은(Ag)이 떨어져 나감으로써 본 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 PCB 상에 실장 시에 리드 프레임과 PCB 상의 도전패턴과의 전기적 접촉 및 전기 공급의 효율이 떨어지는 문제점을 해결하게 된다.Therefore, the lead frame uses a silver plated copper (Cu) plate material, so that the plated silver (Ag) falls off from the copper (Cu) plate material at the time of cutting, so that the PCB of the side view LED package is viewed. Solving the problem that the electrical contact between the lead frame and the conductive pattern on the PCB and the efficiency of the electrical supply is reduced when mounted on.
도 12는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 방출되는 총광량을 개선시 킨 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 사시도이고, 도 13은 리드 프레임의 배치를 설명하기 위한 도 12의 C-C'단면도이고, 도 14는 반사부의 측벽을 통상적인 높이(h1)로 한 도 12의 D-D'단면도이고, 도 15는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 반사부의 측벽을 바람직한 높이(h2)로 한 도 12의 D-D'단면도이며, 도 16은 도 12의 E-E'단면도이다.12 is a perspective view of a side view light emitting diode package for improving the total amount of emitted light according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line C-C 'of FIG. 12 for explaining an arrangement of a lead frame. FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line D-D 'of FIG. 12 with the sidewall of the reflector at a typical height h1, and FIG. 15 is a side view of FIG. 12 with the sidewall of the reflector at a preferred height h2 in accordance with a preferred embodiment of the present invention. D-D 'sectional drawing and FIG. 16 is E-E' sectional drawing of FIG.
도 12 및 도 13을 참조하면, 좌우 양측으로 일단부가 돌출되도록 한 쌍의 리드 프레임(111')을 둘러싸고 내부에 LED 칩(130', 도 14 내지 16 참조)을 수용하는 컵 형태의 양측으로 긴 오목하게 함입된 실장공간(125')과 이를 둘러싸는 상하의 얇은 측벽(121'a, 121'b) 및 실장공간(125') 좌우의 비교적 두꺼운 측벽(123'a, 123'b)을 갖는 반사부(120')를 구비한다. 반사부(120')는 한 쌍의 리드 프레임(111')의 상부 및 하부에 형성되며, 통상적으로 일반적인 플라스틱 사출방식에 의해 형성된다.12 and 13, both sides of a cup shape are formed to surround a pair of
도 13에서와 같이 띠 형태의 한 쌍의 리드 프레임(111')는 내측의 마주보는 단부가 소정간격 이격되고, 전체적으로 굴곡이나 절곡된 면 없이 일자형(straight type)으로 배치된다. 한 쌍의 리드 프레임(111')는 일측은 음극단자(111'a)로, 타측은 양극단자(111'b)가 된다. 양 단자의 극성은 필요에 따라 바뀔 수 있다.As shown in FIG. 13, the pair of
또한, 반사부(120')를 이루는 플라스틱 사출물이 리드 프레임(111')을 감싸고 그 상하로 연결되게 하여 리드 프레임(111')을 안정적으로 지지하도록, 리드 프레임(111')의 내측의 일부가 외측 양 단부보다 그 폭을 좁게 형성하였다.In addition, a part of the inner side of the lead frame 111 'is formed so that the plastic injection-molded part forming the reflector 120' may surround the lead frame 111 'and connect the upper and lower parts thereof to stably support the lead frame 111'. The width was formed narrower than the outer both ends.
본 실시예에서는 한 쌍의 리드 프레임(111')은 은(Ag)으로 도금한 구리(Cu) 판재를 프레스 금형으로 펀칭하여 형성한 것을 사용하며, 여기서 리드 프레임(111')이 LED 칩에서 발생하는 열을 상기 사이드 뷰 발광다이오드 패키지 외부로 발산하는 역할을 할 수 있도록 그 두께를 0.2mm로 하였다.In the present embodiment, the pair of lead frames 111 'is formed by punching a copper (Cu) sheet plated with silver (Ag) with a press die, where the lead frames 111' are generated in the LED chip. The thickness was set to 0.2 mm to serve to radiate heat to the outside of the side view LED package.
또한, 한 쌍의 리드 프레임(111'a, 111'b)의 각 외측 단부는 단부로 갈 수록 폭이 좁아지는 테이퍼 형상을 구비하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that each outer edge part of a pair of lead frame 111'a, 111'b has a taper shape which becomes narrower toward an edge part.
왜냐하면, 한 쌍의 리드 프레임(111'a, 111'b)은 은(Ag)를 도금한 구리(Cu)판재로 된 리드 프레임 판을 절단(Sawing)하는 방식으로 제작하는 경우에 상기와 같은 형상으로 말미암아 구리(Cu)판재로부터 도금된 은(Ag)이 떨어져 나가는 문제를 해결할 수 있으며, 본 발명에 따른 사이드 뷰 발광다이오드 패키지(100')를 PCB에 실장 시에 PCB와 리드 프레임의 단부 사이에 솔더(Solder)가 차지할 공간을 제공함으로써 PCB 상의 도전패턴과의 전기적 접촉 효율을 제고하고 사이드 뷰 발광다이오드 패키지가 PCB상에 완전히 밀착될 수 있도록 하여 리드 프레임을 통한 방열효율이 향상되는 효과도 기대할 수 있게 된다.This is because the pair of lead frames 111'a and 111'b are shaped as described above when the lead frame plate made of copper (Cu) plated with silver (Ag) is cut. Therefore, the plated silver (Ag) from the copper (Cu) plate material can be solved, and the side view light emitting diode package 100 'according to the present invention is mounted between the PCB and the end of the lead frame when mounting the PCB. By providing a space for solder, the efficiency of electrical contact with the conductive pattern on the PCB can be improved, and the side view light emitting diode package can be completely adhered to the PCB, thereby improving heat dissipation efficiency through the lead frame. Will be.
도 16을 참조하면, 반사부(120')의 실장공간(125')의 내부를 통해 노출된 일측의 리드 프레임(111'a) 상에 LED 칩(130', 0.24×0.48×0.1 mm)이 실장되는데, LED 칩(130')은 도전성 페이스트(133')로 접착되고 타측의 리드 프레임(111'b)와 금(Au)와이어(135')로 본딩되어 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 16, an
또한, LED 칩(130')을 일측의 리드 프레임(111'a) 상에 도전성 페이스트(133')로 부착시킨 후에 타측의 리드 프레임(111'b)에 금(Au) 와이어(135')로 본딩하는 대신에, LED 칩을 일측의 리드 프레임(111'a) 상에 비도전성 페이스트(미도 시)로 부착하고 양측의 리드 프레임(111'a, 111'b)와 각각 와이어 본딩하는 것도 고려할 수 있다.In addition, after the LED chip 130 'is attached to the lead frame 111'a on one side with the conductive paste 133', gold (Au) wire 135 'is attached to the lead frame 111'b on the other side. Instead of bonding, it is also conceivable to attach the LED chip to the lead frame 111'a on one side with a non-conductive paste (not shown) and wire bond with the lead frames 111'a and 111'b on both sides, respectively. have.
한편, 반사부의 실장공간(125')내에는 LED 칩(130')과 금(Au) 와이어(135')를 보호하는 렌즈부(137')가 구비된다. 본 실시예에서는 렌즈부(137')는 LED 칩(130')의 색상에 대응하여 형광물질을 혼합한 액상 에폭시(Epoxy)를 디스펜싱(Dispensing)하여 형성된다. 형광물질에 의해서 단색광을 발산하는 LED 칩(130')을 사용하여 단색광을 만들 수 있게 된다.In the mounting
한편, 본 실시예에서는 액상 에폭시(Epoxy)에 형광물질을 혼합하여 렌즈부(137')를 형성하였으나, 형광물질을 LED 칩(130') 상에 포팅시킨 후에 액상 에폭시(Epoxy)와 같은 경화수지를 반사부의 실장공간(125') 내에 주입함으로써 렌즈부(137')를 형성하는 것도 고려될 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the lens unit 137 'is formed by mixing the fluorescent material with the liquid epoxy, but after curing the fluorescent material on the LED chip 130', the cured resin such as the liquid epoxy It may also be considered to form the lens unit 137 'by injecting the light into the mounting space 125' of the reflecting unit.
이하에서는 도 14 내지 도 18을 참조하여, 반사부의 실장공간(125')의 형상에 대해서 설명하고 특히, 반사부의 측벽을 통상적인 높이(h1)로 한 경우와 비교하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 반사부의 측벽을 바람직한 높이(h2)로 한 경우의 발광효율 및 총광량이 개선되는 이유를 설명한다.Hereinafter, the shape of the mounting
반사부의 실장공간(125')의 형상은 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 발광효율 및 총광량의 개선에 큰 영향을 미치므로 그 형상이 매우 중요한데, 측벽(121')의 높이는 실장공간(125')의 바닥면으로부터 패키지에 실장되는 LED 칩(130')의 높이, LED 칩(130')과 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(135', 도 16 참조)의 높이 및 와이어(135')의 최고(高)점으로부터 렌즈부의 피복두께를 합한 값 을 한하여 최소한의 높이로 하는 것이 바람직하다.The shape of the mounting space 125 'of the reflector has a great influence on the improvement of the luminous efficiency and the total light quantity of the side view light emitting diode package, and the shape thereof is very important, and the height of the side wall 121' is the height of the mounting space 125 '. The height of the LED chip 130 'mounted on the package from the bottom surface, the height of the bonding wire 135' (see FIG. 16) electrically connecting the LED chip 130 'and the lead frame, and the highest of the wire 135'. The minimum height is preferably limited to the sum of the coating thicknesses of the lens parts from the high point.
또한, 실장공간(125')의 바닥면은 패키지에 실장되는 LED 칩(130')의 폭과 LED 칩(130')의 다이 어테치시에 필요한 제조오차을 고려하여 최소한의 폭으로 형성하는 것이 좋다.In addition, the bottom surface of the mounting
한편, 측벽(121')의 형상은 실장공간의 바닥면으로부터 실장공간의 입구쪽으로 갈수록 실장공간의 폭이 넓어지도록 경사면을 갖도록 하고, 상기한 바와 같이 결정된 측벽(121')의 높이가 유지되는 범위에서 가급적 실장공간의 입구의 폭이 넓어지도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 전체두께(t, 도 11참조)를 줄일 수 있음과 동시에, 측면으로 발산되는 빛의 각도를 나타내는 θv (View Angle)를 증가할 수 있다.On the other hand, the shape of the side wall 121 'has a sloped surface such that the width of the mounting space becomes wider from the bottom surface of the mounting space toward the entrance of the mounting space, and the height of the side wall 121' determined as described above is maintained. It is desirable to make the inlet of the mounting space as wide as possible. In this way, the overall thickness (t, see FIG. 11) of the side view light emitting diode package can be reduced, and θv (View Angle) representing the angle of light emitted to the side can be increased.
도 14는 반사부의 실장공간(125')을 구획하는 측벽(121')의 높이를 0.6mm(h1)로 한 경우에 LED 칩(130', 0.24×0.48×0.1 mm)에서 발산되는 빛의 반사특성을 보여주고 있다. FIG. 14 illustrates the light emitted from the LED chips 130 'and 0.24 × 0.48 × 0.1 mm when the height of the sidewall 121' dividing the mounting space 125 'of the reflector is 0.6 mm (h 1 ). Reflective characteristics are shown.
실장공간(125')내의 바닥면의 폭(t2')는 LED 칩(130')의 폭 0.24mm와 제조오차 0.06mm(실장공간의 바닥면에서 LED 칩의 측면에서 측벽까지의 거리를 0.03mm으로 할 경우)을 고려하여 0.3mm으로 하고, 측벽(121')의 상부 상에서의 두께(t1')은 구조적 안정성과 사출방식으로 제조함을 고려하여 0.1mm로 한다. 여기서, 측벽(121')의 경사면은 빛의 반사를 위해 경사를 갖는데, 그 경사각은 θ1이 된다.The width t 2 ′ of the bottom surface of the mounting
이때, LED 칩(130')에서 발산되는 빛(L1)은 측벽(121')의 경사면에 4회 반사하게 되며 그 반사시 빛의 입자는 측벽(121')의 경사면과의 충돌로 인하여 일정량의 에너지가 손실되게 된다.At this time, the light L 1 emitted from the
도 15는 반사부의 실장공간(125')을 구획하는 측벽(121')의 높이를 0.3mm(h2)로 한 경우에 LED 칩(130')에서 발산되는 빛의 반사특성을 보여주고 있다.FIG. 15 shows reflection characteristics of light emitted from the LED chip 130 'when the height of the side wall 121' dividing the mounting space 125 'of the reflector is 0.3 mm (h 2 ).
LED 칩(130')의 두께를 통상적인 수치인 0.1 mm로 한 경우에 LED 칩(130')으로부터 리드 프레임 (111')을 전기적으로 본딩하는 금(Au)와이어(135', 도 16 참조)의 최고점 높이가 통상 0.15 내지 0.2 mm가 되고, 이를 봉지하여 보호하기 위한 렌즈부(137', 도 16 참조)의 피복두께는 0.25 내지 0.35 mm의 범위가 바람직하므로, 구조적 안정성을 고려하여 측벽(121')의 높이를 0.3mm(h2)로 하였다.Gold (Au) wire 135 'which electrically bonds the lead frame 111' from the LED chip 130 'when the thickness of the LED chip 130' is 0.1 mm, which is a typical value. The height of the peak is usually 0.15 to 0.2 mm, and the coating thickness of the lens portion 137 '(see FIG. 16) for encapsulating and protecting it is preferably in the range of 0.25 to 0.35 mm, so that the
이때, t1', t2', 및 t'를 도 14에서와 동일하게 한 조건에서 측벽(121')의 경사면의 경사각은 θ2가 되며, θ2가 θ1에 비해 증가하게 된다. 이처럼 θ2의 증가에 따라 LED 칩(130')에서 발산되는 빛의 반사특성도 변한다.At this time, the inclination angle of the inclined surface of the side wall 121 'becomes θ 2 under the condition that t 1 ′, t 2 ′, and t' are the same as in FIG. 14, and θ 2 increases compared to θ 1 . As such, the reflection characteristic of light emitted from the
LED 칩(130')에서 발산되는 빛(L2)의 측벽(121')의 경사면에 대한 반사횟수가 4회(L1의 반사회수, 도 14참조)에서 1회로 감소하게 되고, 동시에 반사 시 빛의 입자가 측벽(121')의 경사면과의 충돌로 인하여 손실되는 에너지량도 감소하게 됨으로써 본 발명에 따른 사이드 뷰 발광다이오드 패키지(100')의 방출되는 총광량이 개선된다.The number of reflections on the inclined surface of the side wall 121 'of the light L 2 emitted from the LED chip 130' is reduced to one at four times (the number of reflections of L 1 , see FIG. 14) and at the same time, The amount of energy lost by the impact of particles of light due to collision with the inclined surface of the side wall 121 'is also reduced, thereby improving the total amount of light emitted from the side view light emitting diode package 100' according to the present invention.
한편, 측벽은 실장공간의 바닥면으로부터 실장공간의 입구쪽으로 갈수록 실장공간의 폭이 넓어지도록 경사면을 가지고 형성하되, 측벽의 경사면은 측벽의 높이가 유지되는 범위에서 가급적 실장공간의 입구의 폭이 넓어지도록 형성하여 경사각 θ2 가 크게 되도록 하는 것이 바람직하다.On the other hand, the side wall is formed with an inclined surface so that the width of the mounting space becomes wider from the bottom surface of the mounting space toward the inlet of the mounting space, the inclined surface of the side wall is as wide as possible the inlet width of the mounting space in the range that the height of the side wall is maintained It is preferable to form so as to make the inclination angle θ 2 large.
본 실시예에서는 도광판의 두께를 0.5mm 이하로 요구하는 최근의 추세를 고려 할 때, t1을 줄이는 것은 제작방식이나 비용상 문제가 있고, t2를 줄이는 것은 LED 칩의 크기에 따른 제한이 있는 조건 하에서 반사부의 실장공간을 구획하는 측벽의 높이를 0.3mm까지 줄임으로써, 측벽의 경사면의 경사각을 증가시켜 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 방출되는 총광량을 효과적으로 개선시킨다. In this embodiment, considering the recent trend of requiring the thickness of the light guide plate to be 0.5 mm or less, reducing t 1 has a manufacturing method or a cost problem, and reducing t 2 has a limitation depending on the size of the LED chip. By reducing the height of the side wall partitioning the mounting space of the reflector to 0.3 mm under the conditions, the inclination angle of the inclined surface of the side wall is increased to effectively improve the total amount of emitted light of the side view light emitting diode package.
도 16은 도 12의 E-E'단면도로써, 측벽(123'a, 123'b)의 높이를 종래기술의 통상적인 높이인 0.6mm(h1)로 한 경우와 본 발명의 바람직한 높이인 0.3mm(h2)로 한 경우에 그 효과상의 차이를 비교하기 위해서, 전자는 점선으로 도시하였다.FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line E-E 'of FIG. 12, wherein the heights of the side walls 123'a and 123'b are 0.6 mm (h 1 ), which is a typical height in the prior art, and 0.3, which is a preferred height of the present invention. In order to compare the effect difference in the case of mm (h 2 ), the former is shown by the dotted line.
도 16에서와 같이, 측벽(123'a, 123'b)의 상부면 상의 두께(t3')를 일정한 조건에서 측벽(123'a, 123'b)의 높이를 0.6mm(h1)에서 0.3mm(h2)로 낮춤으로써, 측면으로 발산되는 빛의 각도를 나타내는 θv (View Angle)이 θv1 에서 θv2 로 증가함을 알 수 있다.As shown in FIG. 16, the heights of the sidewalls 123'a and 123'b are set at 0.6 mm (h 1 ) under the condition that the thickness t 3 'on the upper surfaces of the sidewalls 123'a and 123'b is constant. By lowering to 0.3 mm (h 2 ), it can be seen that θv (View Angle) representing the angle of light emitted to the side increases from θv 1 to θv 2 .
도 17은 도 12의 사이드 뷰 발광다이오드 패키지(100')를 LCD 백라이트 장치에 적용한 일 예를 도시한 사시도이고, 도 18은 도 17의 평면도이다.17 is a perspective view illustrating an example in which the side
도 17 및 도 18을 참조하면, 도광판(114)의 일 측면에 인접한 기판(112) 상에 복수의 사이드 뷰 발광다이오드 패키지(100')가 어레이 형태로 배치된다.17 and 18, a plurality of side view light emitting
여기서, 본 발명에 따르면 도 16에서 전술한 바와 같이 θv (View Angle)이 증가하고, 이에 따라 복수의 사이드 뷰 발광다이오드 패키지(100') 사이로 도광판(114) 상에 발생하는 암부(136)의 면적이 종래의 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 장착한 경우의 제2암부(도 4 참조)에 비해 감소하게 됨으로써, 종래의 전체 LCD 백라이트 장치의 효율을 떨어뜨리는 일 문제점을 해결하게 된다.Here, according to the present invention, as described above with reference to FIG. 16, θv (View Angle) is increased, and accordingly, the area of the
이하에서는 도 14 및 도 15를 참조하여 반사부의 실장공간의 형상에 따른 비교실험 예를 설명한다.Hereinafter, a comparative experiment example according to the shape of the mounting space of the reflector will be described with reference to FIGS. 14 and 15.
실험에 사용된 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 전체두께(t')는 0.425 mm로, 측벽의 상부면 상의 두께(t1')은 0.042 mm로, LED 칩(130')이 안착되는 실장공간의 바닥면의 폭(t2')은 0.3 mm로 하고, LED 칩(130')은 0.24×0.48×0.1 mm 크기의 청색 칩을 사용하였고, 다이본딩용 페이스트로는 Clear type(DX-20-4)를 사용하여 1mil규격의 금(Au) 와이어(135')로 일측의 리드 프레임(111'b)과 본딩하고, 렌즈부(137')는 YESMTECH사의 액상 에폭시(YE 1205 A/B Epoxy)에 형광체(30%)를 혼합하여 디스펜싱(Dispensing)함으로써 백색광이 방출되도록 하였다. 또한, LED 칩(130')당 인가전압을 20mA로 하였다.The total thickness (t ') of the side view light emitting diode package used in the experiment was 0.425 mm, the thickness (t 1 ') on the top surface of the side wall was 0.042 mm, and the bottom of the mounting space where the LED chip 130 'was seated. The width (t 2 ') of the surface was 0.3 mm, and the blue chip (0.24 x 0.48 x 0.1 mm) was used for the LED chip 130', and the clear type (DX-20-4) was used as the die bonding paste. Bonded with lead frame 111'b on one side using 1mil gold wire (135 ') of 1mil standard, and lens unit (137') is a phosphor in liquid epoxy (YE 1205 A / B Epoxy) of YESMTECH (30%) was mixed and dispensed to allow white light to be emitted. In addition, the applied voltage per LED chip 130 'was 20 mA.
측정 장비로는 현재 LED업계에서 초기화(Data Calibration용) 장비로 많이 사용되는 독일의 Instrument사의 CAS 140B를 사용하고, 측정위치는 LED 칩(130')으 로부터 100 mm로 하였다.As the measurement equipment, CAS 140B, a German instrument company, which is widely used as an initialization (data calibration) equipment in the LED industry, was used, and the measurement position was 100 mm from the LED chip 130 '.
상기와 같은 조건에서 반사부의 실장공간(125')을 구획하는 측벽(121')의 높이를 0.57 mm으로 한 경우(a)와 0.3 mm로 한 경우(b)에 있어 방출되는 빛의 휘도를 비교하였다.Under the above conditions, the luminance of the emitted light is compared when the height of the side wall 121 'partitioning the mounting space 125' of the reflector is set to 0.57 mm (a) and 0.3 mm (b). It was.
상기의 비교실험에서의 실험결과는 표 1에 나타나 있듯이 측벽(121')의 높이를 0.57 mm으로 한 경우에 비해 그 높이를 0.3 mm로 한 사이드 뷰 발광다이오드 패키지의 경우에 방출되는 총광량(즉, 휘도)이 10% 가량 증가함을 알 수 있었다.As shown in Table 1, the results of the comparative experiments show that the total amount of light emitted in the side view light emitting diode package having a height of 0.3 mm compared to a case where the height of the side wall 121 'is 0.57 mm (i.e., , Brightness) increased by about 10%.
<표 1 : 측벽의 높이에 따른 휘도 비교실험 데이터><Table 1: Comparison data of luminance according to side wall height>
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였지만, 해당기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, those skilled in the art may variously modify and modify the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. It will be appreciated that it can be changed.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, LED 칩으로부터 방출되는 총광량을 증가시켜, 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 백라이트 장치에 장착하는 경우 암부형성을 최소화하고 백라이트의 전체 휘도를 개선할 수 있다.According to the present invention having the above configuration, by increasing the total amount of light emitted from the LED chip, when mounting the side view light emitting diode package to the backlight device it is possible to minimize the dark portion formation and improve the overall brightness of the backlight.
반사부를 형성하는 리드 프레임을 둘러싼 사출물를 그 측벽의 두께를 0.04 mm 내지 0.05 mm가 되도록 블레이드를 이용하여 절단(Sawing)함으로써 전체 두께가 0.5 mm 이하인 사이드 뷰 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.A side view light emitting diode package having a total thickness of 0.5 mm or less and a method of manufacturing the same may be provided by cutting the injection molding surrounding the lead frame forming the reflector using a blade such that the thickness of the sidewall thereof is 0.04 mm to 0.05 mm. .
또한, 본 발명은 리드 프레임의 형성 시에 절곡, 굴곡 등의 추가적인 공정 없이 스트레이트 타입의 전극을 형성시킴으로써 제작 공정을 단순화 할 수 있고, 리드 프레임(리드 프레임의 단부)상에 절단실장공간을 마련하여 PCB 상에 실장시, 리드 프레임과 PCB 상의 도전패턴과의 전기적 접촉 및 전기 공급의 효율이 향상된 사이드 뷰 발광다이오드 패키지와 그 제조 방법을 제공할 수 있다.In addition, the present invention can simplify the manufacturing process by forming a straight type electrode without additional processes such as bending and bending at the time of forming the lead frame, by providing a cutting mounting space on the lead frame (end of the lead frame) When mounting on a PCB, it is possible to provide a side view light emitting diode package and a method of manufacturing the same, wherein the efficiency of electrical contact and electrical supply between the lead frame and the conductive pattern on the PCB is improved.
또한, 반사부를 형성하는 측벽의 높이와 LED 칩의 실장공간의 바닥면을 최소화하여, 실장공간의 경사면의 각도를 증가함으로써 LED 칩으로부터 방출되는 총광량을 개선시키고 LCD의 백라이트 장치에 장착 시에 암부 형성을 최소화할 수 있는 사이드 뷰 발광다이오드 패키지를 제공할 수 있다.In addition, by minimizing the height of the side wall forming the reflector and the bottom surface of the mounting space of the LED chip, the angle of the inclined surface of the mounting space is increased, thereby improving the total amount of light emitted from the LED chip and the dark portion when mounted on the backlight device of the LCD. A side view light emitting diode package capable of minimizing formation can be provided.
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