KR100805122B1 - 플라즈마 표시 장치 및 전원 공급 장치 - Google Patents

플라즈마 표시 장치 및 전원 공급 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 전원 공급 장치에 관한 것이다.
이를 위하여, 본 발명은 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널, 플라즈마 표시 패널을 구동하는 구동부 및 입력되는 교류 전압 신호를 변환하여 생성되는 복수의 전압을 구동부에 공급하되, 교류 전압 감지 회로를 이용하여 교류 전압 신호의 전압 레벨을 감지하는 전원 공급 장치를 포함하며, 교류 전압 감지 회로는, 제1 전압을 기준으로 상하로 진동하는 교류 전압 신호 중 제2 전압보다 높은 부분의 전압을 제2 전압으로 클램핑하고 제2 전압보다 낮은 부분의 전압을 제3 전압으로 하강시켜 제1 신호를 생성하고, 제1 신호에서 직류 바이어스 성분을 제거하여 제2 신호를 생성하는 전압 변환부 및 제2 신호에 비례하는 제3 신호를 출력하는 출력부를 포함하는 플라즈마 표시 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 주변 온도와 관계없이 정상적인 교류 전압 감지 동작을 수행할 수 있다.
PDP, 온도, 교류 전압, 감지

Description

플라즈마 표시 장치 및 전원 공급 장치{PLASMA DISPLAY APPARATUS AND POWER SUPPLIER}
도 1은 일반적인 교류 전압 감지 회로를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(610) 각 부분의 전압 파형을 도시한 전압 파형도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로 각 부분의 전압 파형을 도시한 전압 파형도이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 전원 공급 장치에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 표시 장치로서, 그 크기에 따라 수십에서 수백 만개 이상의 화소(방전 셀)가 매트릭스 형태로 배열되어 있다. 이러한 플라즈마 표시 장치는 인가되는 구동 전압 파형의 형태와 방전 셀의 구조에 따라 직류형과 교류형으로 구분된다.
직류형 플라즈마 표시 장치의 패널은 전극이 방전 공간에 그대로 노출되어 있어서 전압이 인가되는 동안 전류가 방전공간에 그대로 흐르게 되며, 이를 위해 전류 제한을 위한 저항을 만들어 주어야 하는 단점이 있다. 반면 교류형 플라즈마 표시 장치의 패널은 전극을 유전체층이 덮고 있어 자연스러운 커패시턴스 성분의 형성으로 전류가 제한되며 방전 시 이온의 충격으로부터 전극이 보호되므로 직류형에 비해 수명이 길다는 장점이 있다.
이러한 플라즈마 표시 장치는 통상적으로 플라즈마 방전에 필요한 여러 가지 고전압, 예를 들면, 유지방전 전압(Vs), 어드레스 전압(Va), 리셋 전압(Vset) 및 주사 전압 등을 구동 회로로 공급하고, 또 다른 회로부 즉, 이미지 프로세싱부, 팬(fan), 오디오부, 제어 회로부 등에 저전압을 공급하는 전원 공급 장치를 구비한다.
일반적으로 전원 공급 장치는 스위칭 모드 파워 서플라이(Switching Mode Power Supply)로 구현되고, 스위칭 모드 파워 서플라이로 입력되는 교류(AC) 전압의 정상 공급 여부를 감지하기 위한 교류 전압 감지 회로를 포함한다.
도 1은 일반적인 교류 전압 감지 회로를 도시한 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 일반적인 교류 전압 감지 회로(10)는 일단이 교류 전압이 입력되는 교류 전압 입력단에 연결되는 저항(R), 애노드가 저항(R)의 타단에 연결되고 캐소드가 접지단에 연결되는 포토 다이오드(Photo Diode, PC1), 컬렉터가 Vcc 전압을 공급하는 전원(Vcc)에 연결되고 포토 다이오드(PC1)와 함께 포토 커플러(Photo Coupler, PC)를 이루는 포토 트랜지스터(PC2)를 포함한다. 교류 전압 감지 회로(10)는 입력되는 교류 전압에 비례하는 감지 전압(Vdet)를 포토 트랜지스터(PC2)의 에미터를 통해 출력한다.
그러나, 일반적인 교류 전압 감지 회로(10)에 포함되는 포토 커플러(PC)는 플라즈마 표시 장치의 주변 온도가 상승함에 따라 전류 전달비(Current Transfer Ratio; CTR)가 낮아지게 되어 정상적인 교류 전압 감지 동작을 수행하기 힘들다는 문제가 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 주변 온도와 관계없이 정상적인 교류 전압 감지 동작을 수행하는 플라즈마 표시 장치 및 전원 공급 장치를 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 특징에 따른 플라즈마 표시 장치는 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널, 상기 플라즈마 표시 패널을 구동하는 구동부 및 입력되는 교류 전압 신호를 변환하여 생성되는 복수의 전압을 상기 구동부에 공급하되, 교류 전압 감지 회로를 이용하여 상기 교류 전압 신 호의 전압 레벨을 감지하는 전원 공급 장치를 포함하며, 상기 교류 전압 감지 회로는, 제1 전압을 기준으로 상하로 진동하는 상기 교류 전압 신호 중 제2 전압보다 높은 부분의 전압을 상기 제2 전압으로 클램핑하고 상기 제2 전압보다 낮은 부분의 전압을 제3 전압으로 하강시켜 제1 신호를 생성하고, 상기 제1 신호에서 직류 바이어스 성분을 제거하여 제2 신호를 생성하는 전압 변환부 및 상기 제2 신호에 비례하는 제3 신호를 출력하는 출력부를 포함 한다.
또한, 본 발명의 특징에 따른 전원 공급 장치는, 입력되는 교류 전압 신호를 변환하여 복수의 전압을 생성하되, 상기 교류 전압 신호의 전압 레벨을 감지하는 교류 전압 감지 회로를 포함하는 전원 공급 장치로서, 상기 교류 전압 감지 회로는, 제1 전압을 기준으로 상하로 진동하는 상기 교류 전압 신호 중 제2 전압보다 높은 부분의 전압을 상기 제2 전압으로 클램핑하고, 상기 제2 전압보다 낮은 부분의 전압을 제3 전압으로 하강시켜 제1 신호를 생성하고, 상기 제1 신호의 직류 바이어스 성분을 제거하여 제2 신호를 생성하는 전압 변환부 및 상기 제2 신호에 비례하는 제3 신호를 출력하는 출력부를 포함 한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 기재한 벽 전하란 용어는 셀의 벽(예를 들어, 유전체 층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 의미한다. 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 "형성됨", "축적됨" 또는 "쌓임"과 같이 설명하며, 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.
또한, 본 명세서에서 전압을 유지한다는 표현은 특정 2점간의 전위 차가 시간 경과에 따라 변화하여도 그 변화가 설계 상 허용될 수 있는 범위 내이거나 변화의 원인이 당업자의 설계 관행에서는 무시되고 있는 기생 성분에 의한 경우를 포함한다. 또한 방전 전압에 비해 반도체 소자(트랜지스터, 다이오드 등)의 문턱 전압이 매우 낮으므로 문턱 전압을 0V로 간주하고 근사 처리한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 전원 공급 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어장치(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400), 유지 전극 구동부(500) 및 전원 공급 장치(600)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)을 포함한다. 유지 전극(X1∼Xn)은 각 주사 전극(Y1∼Yn)에 대응해서 형성되며, 일반적으로 그 일단이 서로 공통으로 연결되어 있다. 그리고 플라즈마 표시 패널(100)은 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)이 배열된 기판(도시하지 않음)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 배열된 기판(도시하지 않음)으로 이루어진다. 두 기판은 주사 전극(Y1∼Yn)과 어드레스 전극(A1∼Am) 및 유지 전극(X1∼Xn)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 각각 직교하도록 방전 공간을 사이에 두고 대향하여 배치된다. 이때, 어드레스 전극(A1∼Am), 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전 셀을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다.
제어장치(200)는 외부로부터 영상신호를 수신하여 어드레스 전극 구동 제어 신호(Sa), 유지 전극 구동 제어신호(Sx) 및 주사 전극 구동 제어신호(Sy)를 출력한다. 그리고 제어장치(200)는 한 프레임을 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다. 또한, 제어장치(200)는 전원 공급 장치(600)로부터 전달받은 DC 전압을 이용하여 어드레스 기간에 어드레스(Address)되지 않는 셀에 인가되는 스캔 하이 전압(Vscan_h)을 생성하여 주사 전극 구동부(400) 또는 유지 전극 구 동부(500)로 전달한다.
어드레스 전극 구동부(300)는 제어장치(200)로부터 어드레스 전극 구동 제어신호(Sa)를 수신하여 표시하고자 하는 방전 셀을 선택하기 위한 표시 데이터 신호를 각 어드레스 전극에 인가한다.
주사 전극 구동부(400)는 제어장치(200)로부터 주사 전극 구동 제어신호(Sy)를 수신하여 주사 전극(Y)에 구동 전압을 인가한다.
유지 전극 구동부(500)는 제어장치(200)로부터 유지 전극 구동 제어신호(Sx)를 수신하여 유지 전극(X)에 구동 전압을 인가한다.
전원 공급 장치(600)는 플라즈마 표시 장치의 구동에 필요한 전원을 제어장치(200) 및 각 구동부(300, 400, 500)에 공급한다.
이하, 도 2의 전원 공급 장치(600)에 포함되는 본 발명의 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로를 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로를 도시한 도면이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(610)는 전압 변환부(612) 및 출력부(614)를 포함한다.
전압 변환부(612)는 일단이 교류 전압이 입력되는 교류 전압 입력단에 연결되는 저항(R1), 캐소드가 저항(R1)의 타단에 연결되고 애노드가 접지단에 연결되는 제너 다이오드(ZD1), 일단이 저항(R1)의 타단에 연결되는 커패시터(C1) 및 일단이 커패시터(C1)의 타단에 연결되고 타단이 제너 다이오드(ZD1)의 애노드에 연결되는 트랜스포머의 1차 코일(L1)을 포함한다.
출력부(614)는 일단이 접지단에 연결되는 트랜스포머의 2차 코일(L2), 일단이 트랜스포머의 2차 코일(L2)의 타단에 연결되고 타단이 감지 전압(Vdet)을 출력하는 출력단에 연결되는 커패시터(C2), 일단이 커패시터(C2)의 타단에 연결되고 타단이 트랜스포머의 2차 코일(L2)의 일단에 연결되는 다이오드(D1)를 포함한다.
참고로, 전압 변환부(612)의 접지단 및 출력부(614)의 접지단의 전압 레벨은 서로 다르게 설정하는 것이 일반적이나 이와는 달리 서로 같은 전압 레벨이 되도록 설정될 수도 있다.
이하, 도 4를 참조하여 도 3에 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(610)의 구동을 상세히 설명한다. 참고로, 아래에서는 트랜스포머의 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 권선비를 1 : 1로 가정하고 설명하나, 트랜스포머의 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 권선비는 이와 다르게 설정될 수 있음은 물론이다. 여기에서, 트랜스포머의 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 권선비가 1 : 1 이라는 것은 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 인덕턴스 값이 동일하다는 것을 의미한다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(610) 각 부분의 전압 파형을 도시한 전압 파형도이다.
먼저, 도 4 (a)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(610)로 입력되는 교류 전압을 도시한 것이다. 도 4 (a)에 도시한 바와 같이, 입력 교류 전압은 직류(DC) 성분인 바이어스 전압(VDD)을 기준으로 소정 레벨 상하로 진동하는 전압 파형으로 나타난다.
도 4 (b)는 P1 지점의 전압인 V1 전압을 나타낸 것이다. 제너 다이오드(ZD1)는 소자 고유의 전압 내압(VZD1)을 가지고, 이 전압 내압(VZD1)보다 높은 전압이 캐소드단에 입력되면 이를 클램핑(Clamping)한다. 이 때문에, V1 전압은 도 4 (b)에 도시한 것과 같이, 도 4 (a)로 나타낸 전압 파형 중 제너 다이오드(ZD1)의 전압 내압(VZD1)보다 높은 부분의 전압이 제너 다이오드(ZD1)의 전압 내압(VZD1)까지 클램핑되고, 제너 다이오드(ZD1)의 전압 내압(VZD1)보다 낮은 부분의 전압은 접지 전압까지 하강한 구형파가 된다.
참고로, 입력 전압은 저항(R1)의 저항값에 대응하여 소정 레벨 강압되는 것은 당연하므로 도 4 (b)로 나타낸 전압 파형에서는 저항(R1)에 의한 전압 강하는 나타내지 않고 생략하였다.
도 4 (c)는 P2 지점의 전압인 V2 전압을 나타낸 것이다. 커패시터(C1)는 직류 성분을 필터링하여 교류 성분만을 통과시키므로, 트랜스포머의 1차 코일(L1)에 인가되는 전압 파형은 V1 전압에서 V1 전압의 평균값인 Vavg 전압만큼 낮은 전압 파형이 된다. 트랜스포머의 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 권선비가 1 : 1 이면, 트랜스포머의 1차 코일(L1)을 통해 2차 코일(L2)로 유도되는 전압인 V2 전압은 트랜스포머의 2차측인 출력부(614)의 접지단 전압을 기준으로 V1 전압에서 Vavg 전압만큼 낮은 전압을 갖는 구형파가 된다.
도 4 (d)는 P3 지점의 전압, 즉 출력부(도 3의 614)의 출력 전압인 Vdet 전 압을 나타낸 것이다.
커패시터(C2)는 도4 (c)에서 V2 전압이 양(Plus)의 값을 갖는 때에 P2 지점에서 P3 지점으로 향하는 방향으로 충전되고, V2 전압이 음(Minus)의 값을 갖는 때에 충전되어 있는 전압을 트랜스포머의 2차 코일(L2) 및 다이오드(D1)를 경유하는 전류 경로를 통해 P3 지점으로 공급한다. 이때, 트랜스포머의 1차 코일(L1)으로부터 2차 코일(L2)로 유도되는 전압도 함께 P3 지점으로 공급된다. 커패시터(C2)의 용량은 커패시터(C1)에 의해 필터링된 바이어스 전압(VDD)을 보상하도록 설정되고, 이로 인해 Vdet 전압은 V2 전압에 비해 Vavg 전압만큼 높은 전압이 된다. 즉, Vdet 전압은 트랜스포머의 2차측인 출력부(614)의 접지단 전압을 기준으로 도 4 (b)로 나타낸 V1 전압과 같은 구형파로 나타난다.
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로를 설명한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로를 도시한 도면이다. 참고로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(620)는 도 3에 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(610)와 유사한 부분이 많으므로, 유사한 부분에 대한 중복 설명은 생략하고, 서로 다른 부분만을 설명한다. 또한, 도 5에서 도 3과 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
도 5로 나타낸 본 발명의 제2 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(620)에 포함되는 전압 변환부(622)는 일단이 교류 전압이 입력되는 교류 전압 입력단에 연결 되는 저항(R1), 일단이 접지단에 연결되고 기준 전압(Vref)이 충전되어 있는 커패시터(C3), 비반전 입력단이 저항(R1)의 타단에 연결되고 반전 입력단이 커패시터(C3)의 타단에 연결되는 비교기(6221), 일단이 비교기(6221)의 출력단에 연결되는 커패시터(C1), 캐소드가 커패시터(C1)의 일단에 연결되고 애노드가 접지단에 연결되는 제너 다이오드(ZD1) 및 일단이 커패시터(C1)의 타단에 연결되고 타단이 제너 다이오드(ZD1)의 애노드에 연결되는 트랜스포머의 1차 코일(L1)을 포함한다.
참고로, 전압 변환부(622)의 접지단 및 출력부(624)의 접지단의 전압 레벨은 서로 다르게 설정하는 것이 일반적이나 이와는 달리 서로 같은 전압 레벨이 되도록 설정될 수도 있다.
이하, 도 6을 참조하여 도 5에 나타낸 본 발명의 제2 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(620)의 구동을 상세히 설명한다. 참고로, 아래에서는 트랜스포머의 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 권선비를 1 : 1로 가정하고 설명하나, 트랜스포머의 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 권선비는 이와 다르게 설정될 수 있음은 물론이다. 여기에서, 트랜스포머의 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 권선비가 1 : 1 이라는 것은 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 인덕턴스 값이 동일하다는 것을 의미한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로 각 부분의 전압 파형을 도시한 전압 파형도이다.
먼저, 도 6 (a)는 본 발명의 제2 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(620)로 입력되는 교류 전압을 도시한 것으로, 입력 교류 전압은 기준 전압(Vref)을 기준으로 소정 레벨 상하로 진동하는 전압 파형으로 나타난다.
도 6 (b)는 P4 지점의 전압인 V3 전압을 나타낸 것이다. 비교기(도 4의6221)는 각각 비반전 입력단 및 반전 입력단으로 입력되는 교류 전압 및 기준 전압을 비교하고, 비교 결과 교류 전압이 기준 전압(Vref)보다 높으면 Vcc 전압을 출력하고, 낮으면 접지 전압을 출력한다. 제너 다이오드(ZD1)는 소자 고유의 전압 내압(VZD1)보다 높은 전압이 캐소드단에 입력되면 이를 클램핑(Clamping)하므로, V3 전압은 비교기(6221)로부터 출력되는 Vcc 전압이 제너 다이오드(ZD1)의 전압 내압까지 하강한 전압을 갖는 구형파가 된다. 이때, Vcc 전압은 제너 다이오드(ZD1)의 전압 내압(VZD1)보다 높은 전압으로 설정된다.
도 6 (c)는 P5 지점의 전압인 V4 전압을 나타낸 것이다. 도 6 (b)로 나타낸 V3 전압에 포함되는 직류(DC) 성분인 바이어스 전압(VDD)이 커패시터(C1)를 통과하면서 제거되어 트랜스포머의 1차 코일(L1)에 인가되는 전압은 V3 전압에서 V3 전압의 평균값인 Vavg 전압만큼 낮은 전압이 된다. 트랜스포머의 1차 코일(L1)과 2차 코일(L2)의 권선비가 1 : 1 이면, 트랜스포머의 1차 코일(L1)을 통해 2차 코일(L2)로 유도되는 전압인 V4 전압은 트랜스포머의 2차측인 출력부(624)의 접지단 전압을 기준으로 V3 전압에서 Vavg 전압만큼 낮은 전압을 갖는 구형파가 된다.
도 6 (d)는 P6 지점의 전압, 즉 출력부(도 5의 624)의 출력 전압인 Vdet 전압을 나타낸 것이다.
커패시터(C2)는 도6 (c)에서 V4 전압이 양(Plus)의 값을 갖는 때에 P5 지점에서 P6 지점으로 향하는 방향으로 충전되고, V4 전압이 음(Minus)의 값을 갖는 때 에 충전되어 있는 전압을 트랜스포머의 2차 코일(L2) 및 다이오드(D1)를 경유하는 전류 경로를 통해 P6 지점으로 공급한다. 이때, 트랜스포머의 1차 코일(L1)으로부터 2차 코일(L2)로 유도되는 전압도 함께 P6 지점으로 공급된다. 커패시터(C2)의 용량은 커패시터(C1)에 의해 필터링된 바이어스 전압(VDD)을 보상하도록 설정되고, 이로 인해 Vdet 전압은 V4 전압에 비해 Vavg 전압만큼 높은 전압이 된다. 즉, Vdet 전압은 트랜스포머의 2차측인 출력부(624)의 접지단 전압을 기준으로 도 6 (b)로 나타낸 V3 전압과 동일한 구형파로 나타난다.
상술한 본 발명의 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(610, 620)는 도 1로 나타낸 일반적인 교류 전압 감지 회로(10)와 달리 플라즈마 표시 장치의 주변 온도의 변동에 민감하지 않은 수동(Passive) 소자들만을 포함하므로, 주변 온도와 관계없이 정상적인 교류 전압 감지 동작을 수행할 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 실시예에 따른 교류 전압 감지 회로(610, 620)는 플라즈마 표시 장치 뿐 아니라 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display;LCD)를 포함하는 디스플레이 장치의 전원 공급 장치 또는 일반적인 전원 공급 장치에 폭넓게 이용될 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 특징에 따르면, 플라즈마 표시 장치의 주변 온도의 변동에 민감하지 않은 수동(Passive) 소자들만을 이용하여 교류 전압 감지 회로를 구현함으로써 주변 온도와 관계없이 정상적인 교류 전압 감지 동작을 수행할 수 있다.

Claims (18)

  1. 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널;
    상기 플라즈마 표시 패널을 구동하는 구동부 및
    입력되는 교류 전압 신호를 변환하여 생성되는 복수의 전압을 상기 구동부에 공급하되, 교류 전압 감지 회로를 이용하여 상기 교류 전압 신호의 전압 레벨을 감지하는 전원 공급 장치를 포함하며,
    상기 교류 전압 감지 회로는,
    제1 전압을 기준으로 상하로 진동하는 상기 교류 전압 신호 중 제2 전압보다 높은 부분의 전압을 상기 제2 전압으로 클램핑하고 상기 제2 전압보다 낮은 부분의 전압을 제3 전압으로 하강시켜 제1 신호를 생성하고, 상기 제1 신호에서 직류 바이어스 성분을 제거하여 제2 신호를 생성하는 전압 변환부 및
    상기 제2 신호에 비례하는 제3 신호를 출력하는 출력부
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전압 변환부는,
    캐소드가 상기 교류 전압 신호가 입력되는 신호 입력단에 연결되고 애노드가 제4 전압을 공급하는 제1 전원에 연결되는 제너 다이오드;
    일단이 상기 제너 다이오드의 캐소드에 연결되는 제1 커패시터 및
    일단이 상기 제1 커패시터의 타단에 연결되고 타단이 상기 제너 다이오드의 애노드에 연결되는 제1 인덕터
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 전압은 상기 제너 다이오드의 전압 내압인 플라즈마 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 출력부는,
    상기 제1 인덕터와 함께 트랜스포머를 이루며, 일단이 제5 전압을 공급하는 제2 전원에 연결되는 제2 인덕터;
    일단이 상기 제2 인덕터의 타단에 연결되고 타단이 출력단에 연결되는 제3 커패시터 및
    캐소드가 상기 제3 커패시터의 타단에 연결되고 애노드가 상기 제2 인덕터의 일단에 연결되는 제1 다이오드
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 신호는 상기 제1 인덕터에 인가되는 신호이고, 상기 제3 신호는 상기 제1 인덕터로부터 상기 제2 인덕터로 유도되는 제4 신호 및 상기 제3 커패시터 에 충전되는 제6 전압을 더한 신호인 플라즈마 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 인덕터의 인덕턴스 값은 동일하고, 상기 제3 신호는 상기 제1 신호와 동일한 신호인 플라즈마 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 내지 상기 제4 신호는 구형파 신호인 플라즈마 표시 장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제3 내지 제5 전압은 접지 전압인 플라즈마 표시 장치.
  9. 입력되는 교류 전압 신호를 변환하여 복수의 전압을 생성하되, 상기 교류 전압 신호의 전압 레벨을 감지하는 교류 전압 감지 회로를 포함하는 전원 공급 장치에 있어서,
    상기 교류 전압 감지 회로는,
    제1 전압을 기준으로 상하로 진동하는 상기 교류 전압 신호 중 제2 전압보다 높은 부분의 전압을 상기 제2 전압으로 클램핑하고, 상기 제2 전압보다 낮은 부분의 전압을 제3 전압으로 하강시켜 제1 신호를 생성하고, 상기 제1 신호의 직류 바이어스 성분을 제거하여 제2 신호를 생성하는 전압 변환부 및
    상기 제2 신호에 비례하는 제3 신호를 출력하는 출력부
    를 포함하는 전원 공급 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전압 변환부는,
    일단이 제4 전압을 공급하는 제1 전원에 연결되는 제1 커패시터;
    비반전 입력단이 상기 교류 전압 신호가 입력되는 신호 입력단에 연결되고 반전 입력단이 상기 제1 커패시터의 타단에 연결되는 비교기;
    캐소드가 상기 비교기의 출력단에 연결되고 애노드가 상기 제1 전원에 연결되는 제너 다이오드;
    일단이 상기 제너 다이오드의 캐소드에 연결되는 제2 커패시터 및
    일단이 상기 제2 커패시터의 타단에 연결되고 타단이 상기 제너 다이오드의 애노드에 연결되는 제1 인덕터
    를 포함하는 전원 공급 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 전압은 상기 제너 다이오드의 전압 내압인 전원 공급 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 비교기는,
    상기 교류 전압 신호 및 상기 제1 커패시터에 충전되어 있는 제5 전압을 비교하여 상기 교류 전압 신호가 상기 제5 전압보다 크면 제6 전압을 출력하고, 작으면 상기 제6 전압보다 낮은 제7 전압을 출력하는 전원 공급 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제6 전압은 상기 제2 전압보다 높은 전압인 전원 공급 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 출력부는,
    상기 제1 인덕터와 함께 트랜스포머를 이루며, 일단이 제8 전압을 공급하는 제2 전원에 연결되는 제2 인덕터;
    일단이 상기 제2 인덕터의 타단에 연결되고 타단이 출력단에 연결되는 제3 커패시터 및
    캐소드가 상기 제3 커패시터의 타단에 연결되고 애노드가 상기 제2 인덕터의 일단에 연결되는 제1 다이오드
    를 포함하는 전원 공급 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 신호는 상기 제1 인덕터에 인가되는 신호이고, 상기 제3 신호는 상 기 제1 인덕터로부터 상기 제2 인덕터로 유도되는 제4 신호 및 상기 제3 커패시터에 충전되는 제9 전압을 더한 신호인 전원 공급 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 인덕터의 인덕턴스 값은 동일하고, 상기 제3 신호는 상기 제1 신호와 동일한 신호인 전원 공급 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 내지 상기 제4 신호는 구형파 신호인 전원 공급 장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제4 전압, 상기 제7 전압 및 상기 제8 전압은 접지 전압인 전원 공급 장치.
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