KR100805076B1 - Wafer inspecting equipment - Google Patents

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KR100805076B1
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wafer
inspection
chuck
thinner
camera
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배기선
김호열
강민철
박종하
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주식회사 디이엔티
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

An apparatus for inspecting a wafer is provided to immediately determine the defectiveness of a wafer in one module by performing a thinner attack inspection, a lateral inspection and a thickness measurement of photoresist while using one apparatus. A main body(1) of an apparatus has an upper surface, a lower surface and lateral surfaces. A chuck(2) fixes and rotates a wafer(W). A first apparatus detects a thinner attack on the surface of the wafer mounted on the chuck, installed on the chuck. A second apparatus(4) simultaneously inspects the upper and lower lateral surfaces of the wafer and performs a lateral inspection of the wafer by the composition of the simultaneous inspections, installed in another lower portion of the first apparatus. A third apparatus(5) measures the thickness of photoresist of the wafer, installed over the second apparatus. The main body can transfer along a side rail(R1) on a base(6) having lateral guides(6a) at its sides.

Description

웨이퍼의 검사장비{Wafer inspecting equipment}Wafer inspecting equipment

도 1 내지 도 4c는 일반적인 웨이퍼의 신나 어텍을 설명하기 위한 예시도로서,1 to 4C are exemplary views for explaining a thinner attack of a general wafer.

도 1은 웨이퍼에 포토 레지스터를 도포하는 과정을 나타낸 평면도.1 is a plan view illustrating a process of applying a photoresist to a wafer.

도 2는 웨이퍼 상의 포토 레지스터 도포상태를 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view showing a photoresist application state on a wafer;

도 3a,도 3b는 불필요한 웨이퍼 상의 포토 레지스터를 제거하는 과정을 나타낸 정면도 및 평면도.3A and 3B are front and plan views illustrating a process of removing an unnecessary photoresist on a wafer.

도 4a 내지 도 4c는 신나 어텍이 발생되는 과정을 나타낸 예시도.4A to 4C are exemplary views illustrating a process in which a thinner attack is generated.

도 5a,도 5b는 에지 노광(edge expose) 과정을 나타낸 단면도.5A and 5B are cross-sectional views illustrating edge exposure processes.

도 6은 본 발명의 전체적인 구성을 나타낸 단면도.6 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the present invention.

도 7은 도 5의 제2 장치를 나타낸 부분 확대 사시도.FIG. 7 is a partially enlarged perspective view of the second device of FIG. 5; FIG.

도 8a는 본 발명 제2 장치의 제1 실시예를 나타낸 개략 구성도.8A is a schematic structural diagram showing a first embodiment of a second device of the present invention;

도 8b는 본 발명 제2 장치의 제2 실시예를 나타낸 개략 구성도.8B is a schematic structural diagram showing a second embodiment of the second device of the present invention.

도 9는 본 발명 제2 장치의 검사 과정을 나타낸 평면도.9 is a plan view showing an inspection process of the second device of the present invention.

도 10은 본 발명 제3 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도.10 is a configuration diagram schematically showing the configuration of the third apparatus of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1:장비 본체 2:척(chuck)1: Equipment Body 2: Chuck

3:제1 장치 4:제2 장치3: first device 4: second device

5:제3 장치 6:베이스5: Third Device 6: Base

6a:측면 가이드 31:신나 어텍 검출용 카메라6a: Side guide 31: Thinner attack detection camera

32:서포터 33:조명부32: Supporter 33: Lighting part

33a:지지체 33b:램프33a: support 33b: lamp

41,42:제1,2 칩핑검사부 41a,42a:제1,2 반사프리즘41, 42: 1st, 2nd chipping inspection part 41a, 42a: 1st, 2nd reflection prism

41b,42b:제1,2 칩핑검사용 카메라 43,44:상.하부 반사프리즘41b, 42b: First and second chipping inspection cameras 43, 44: Upper and lower reflection prism

44a:연장부 45:칩핑검사용 카메라44a: extension part 45: chipping inspection camera

51:헤드 52:발광부51: head 52: light emitting unit

53:수광부 54:분광센서53: light receiver 54: spectroscopy sensor

55:제어부 W:웨이퍼55: control unit W: wafer

본 발명은 웨이퍼의 검사장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하나의 장비로 웨이퍼의 신나 어텍 검사와 웨이퍼 표면에 도포된 포토 레지스터의 두께 측정 및 에지 노광을 포함한 웨이퍼의 측면 검사를 모두 함께 검사할 수 있도록 한 웨이퍼의 검사장비에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer inspection equipment, and more specifically, a single device can inspect both a thinner attack inspection and a side inspection of a wafer including thickness measurement of photoresist applied to the wafer surface and edge exposure. To inspect the wafers.

일반적으로 포토 레지스터의 코팅방법은 웨이퍼를 스테이지에 고정 및 안착시킨 후 도 1에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(W)의 상면 중심에 포토 레지스 터(PR)를 분사하고 상기 웨이퍼(W)를 소정의 속도로 회전시켜 중심부에 집중되어 있는 포토 레지스터(PR)를 웨이퍼 전면으로 도포시켜 이루어지게 되는 것으로서, 이는 웨이퍼 전영역에 걸쳐 포토 레지스터가 고르게 코팅됨에 따라 노광시 웨이퍼 중앙부와 주변부에 동일한 노광 에너지를 사용해도 패턴 디파인이 일정수준이 되도록 하기 위한 것이다.In general, the coating method of the photoresist is fixed and seated on the stage of the wafer after the photoresist (PR) is sprayed on the center of the upper surface of the wafer (W) as shown in Figure 1 and the wafer (W) The photoresist (PR), which is concentrated at the center, is rotated at the speed and is applied to the entire surface of the wafer. This is because the photoresist is uniformly coated over the entire wafer area. The degree of pattern fine is to be a certain level.

그리고, 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼 상의 포토 레지스터(PR)는 단면으로 표시된 부분과 같이 웨이퍼(W)의 상면에 대해서만 코팅되어야 하나, 웨이퍼의 회전에 의한 원심력에 의해서 포토 레지스터(PR)가 가상선으로 표시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 에지(edge) 즉, 웨이퍼의 측면과 하면의 일부분을 덮어 다수의 웨이퍼가 적층되는 카세트 내부의 측면 및 밑면을 오염시키는 주요인이 되어 왔다.As shown in FIG. 2, the photoresist PR on the wafer should be coated only on the top surface of the wafer W, as shown in the cross-section. However, the photoresist PR is simulated by the centrifugal force caused by the rotation of the wafer. As indicated by the lines, the edges of the wafers W, that is, portions of the side and bottom surfaces of the wafers are covered to become the main contaminants that contaminate the side and bottom surfaces of the cassettes in which a plurality of wafers are stacked.

이를 위해서 도 2의 수직 방향으로 표시된 선을 따라 포토 레지스터를 제거하게 되는데, 이때 포토 레지스터에 대한 용해능력이 우수한 신나(thinner)가 사용되고, 상기 신나는 도 3a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 상.하부에 배치 구성되는 신나 노즐(100)을 통한 신나의 강력한 분사에 의해서 도 3b에 도시된 바와 같이 회전하는 웨이퍼(W)의 불필요한 포토 레지스터(PR)를 제거하게 되는 것이다.To this end, the photoresist is removed along a line indicated in the vertical direction of FIG. 2, wherein a thinner having excellent dissolving ability to the photoresist is used, and the exciting image of the wafer W is shown in FIG. 3A. By the powerful injection of the thinner through the thinner nozzle 100 arranged at the bottom, unnecessary photoresist PR of the rotating wafer W is removed as shown in FIG. 3B.

이와함께 신나 노즐(100)로부터 분사된 신나는 도 4a에 도시된 바와 같이 웨이퍼의 표면에 도포된 포토 레지스터와 챔버(120)의 내벽에 순차적으로 부딪힌 후 다시 신나 노즐(100)의 입구 측으로 튀게 되는데, 이때 상기 신나에는 점도성의 포토 레지스터가 용해되어 있기 때문에 도 4b에 도시된 바와 같이 신나 노즐(100) 입구측에 둘러 붙어 응고됨으로써 신나 노즐(100)로부터 분사되는 신나가 직진성을 갖지 못하고 일부가 입구측에 굳어 붙은 신나에 부딪혀 직진성을 잃고 불규칙적으로 웨이퍼의 표면으로 튀어 도 4c에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(W)의 표면에 신나의 얼룩이 생기는 신나 어텍(thinner attach)(130)이 발생하게 되고, 이러한 신나 어텍(130)은 고정밀도를 요하는 웨이퍼의 제조에 있어 치명적인 불량을 초래하게 되므로 신나 어텍에 대한 검사를 요하게 되는데, 이때 상기 육안으로 확인이 가능한 것과 너무 작아 육안 확인이 불가능한 것이 있다.Together with the thinner injected from the thinner nozzle 100 as shown in Figure 4a sequentially hits the photoresist applied to the surface of the wafer and the inner wall of the chamber 120 and then bounces back to the inlet side of the thinner nozzle 100, At this time, since the viscous photoresist is dissolved in the thinner, as shown in FIG. 4B, the thinner sprayed from the thinner nozzle 100 does not have a straightness by being solidified by being wrapped around the inlet side of the thinner nozzle 100. A thinner attach 130 that loses straightness by hitting a thinner adhered to the wafer and irregularly bounces on the surface of the wafer and irregularly causes thinner stains on the surface of the wafer W, as shown in FIG. 4C, is generated. The thinner attack 130 may cause fatal defects in the manufacture of wafers requiring high precision, so the thinner attack 130 requires inspection of the thinner attack. In this case, the naked eye can not be confirmed and the visual confirmation is too small.

그리고, 상기한 신나 어텍에 대한 검사뿐만 아니라 웨이퍼의 표면에 도포된 포토 레지스터의 두께에 대한 균일성을 검사하는 것도 요구되며, 웨이퍼의 제조시 웨이퍼의 측면이 떨어져 나가 발생된 결함을 검사하는 칩핑(chipping)검사 즉, 측면 검사도 요구되는 것이다.In addition, it is required to inspect the uniformity of the thickness of the photoresist applied to the surface of the wafer as well as the above-described inspection of the thinner or attack, and chipping for inspecting defects generated by the side of the wafer falling off during the manufacture of the wafer ( Chipping, or side inspection, is also required.

또한, 상기 측면 검사에는 에지 노광(edge expose)에 의한 불량을 검사하는 것도 포함하게 되는 것으로서, 상기 에지 노광에 대하여 첨부된 도면을 참조로 하여 좀더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In addition, the side inspection includes inspection of defects caused by edge exposure, and the edge exposure will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

통상, 도 3a에 도시된 바와 같이 신나 노즐(100)을 이용하여 웨이퍼의 측면 및 하면을 덮은 불필요한 포토 레지스터(PR)를 제거하더라도 노광(Expose)을 통하여 실제로 사용되는 부분은 도 5a에 도시된 바와 같이 표시된 경계의 안쪽 포토 레지스터(PR)이고, 경계의 바깥쪽 포토 레지스터(PR)는 오차 허용범위를 확보하기 위한 것으로서, 노광후에는 이역시 불필요한 포토레지스터가 되어 제거해야만 된다.Generally, even though the unnecessary photoresist PR covering the side and the bottom surface of the wafer is removed using the thinner nozzle 100 as shown in FIG. 3A, the portion actually used through exposure is shown in FIG. 5A. The inner photoresist PR of the boundary indicated as shown above and the outer photoresist PR of the boundary are for securing an error tolerance range, and after exposure, the photoresist PR becomes an unnecessary photoresist and must be removed.

그 제거방법은 웨이퍼의 노광시 경계의 안쪽 포토 레지스터(PR)는 광을 받아 굳어진 상태가 되나, 경계의 바깥쪽 포토 레지스터(PR)는 아직 굳어지지 않은 상태 이기 때문에 별도의 노광을 통해 굳어지게 한 후, 현상할 때 경계의 안쪽과 바깥쪽 포토 레지스터를 함께 제거하게 되는 것이다.When the wafer is exposed, the photoresist PR inside the border becomes hardened by receiving light, but the photoresist PR outside the border is not yet hardened. After development, the inner and outer photoresist of the boundary is removed together.

한편, 이러한 일련의 검사 즉, 신나 에텍에 의한 웨이퍼의 얼룩검사와 웨이퍼의 표면에 도포된 포토 레지스터의 두께에 대한 검사는 즉시 함께 이루어지지 못하고 각각 별도의 다른 검사장비를 이용해 상기 결함을 검출 및 확인할 수 있도록 되어 있어 검사 작업의 번거로움 및 불편성은 물론 작업의 신속성 및 효율성 저하를 초래하는 문제점이 있었다.On the other hand, such a series of inspections, such as the inspection of the wafer stain by Shinna Etec and the thickness of the photoresist applied to the surface of the wafer, are not immediately performed together, and each defect is detected and identified using a separate inspection equipment. Since it is possible to be troublesome and inconvenient of the inspection work, there was a problem that causes a decrease in the speed and efficiency of the work.

또한, 상기 신나 어텍에 의한 웨이퍼의 얼룩검사는 육안으로 확인이 가능한 것에 대해서만 검사가 이루어졌을 뿐 육안으로 확인이 불가능한 신나 어텍에 대해서는 검사가 이루어지 못했고, 상기 측면 검사의 경우에도 웨이퍼의 상.하부에 카메라를 설치하여 웨이퍼 상.하면의 파티클 등에 대한 검사만 수행했을 뿐 실질적인 웨이퍼의 에지부분에 대한 칩핑 검사 즉, 측면 검사를 하지 못했던 것이다.In addition, the inspection of the stain of the wafer by the thinner or attack is only performed for the visually identifiable inspection, but the thinner and the irrevocable inspection cannot be performed with the naked eye. The camera was installed on the wafer to inspect particles on the upper and lower surfaces of the wafer, but the chipping inspection on the edge of the wafer, that is, the side inspection, was not performed.

이에 본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 그 목적은 하나의 장비로 웨이퍼의 신나 어텍 검사와 웨이퍼 표면에 도포된 포토 레지스터의 두께 측정 및 에지 노광을 포함한 웨이퍼의 측면 검사를 모두 함께 검사할 수 있도록 하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the conventional problems as described above, the object of the wafer including the thinner attack inspection of the wafer and the thickness measurement of the photoresist applied on the wafer surface and edge exposure with one equipment It is to be able to check both side tests together.

이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해 상.하면 및 측면을 갖는 장비 본체의 내부에, 웨이퍼를 고정하고 회전시키는 척과; 상기 척의 상부측에 설치되어 척에 탑재된 웨이퍼의 표면 신나 어텍을 검출하는 제1 장치와; 상기 척에 탑재된 웨 이퍼의 상부 측면과 하부 측면을 동시에 검사하여 이들의 조합에 의해서 웨이퍼의 측면 검사가 이루어지게 하는 제2 장치와; 상기 척에 탑재된 웨이퍼의 포토 레지스터 두께를 측정하는 제3 장치;가 구비된 것을 특징으로 한 웨이퍼의 검사장비가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention to the inside of the equipment body having a top, bottom and side, the chuck for fixing and rotating the wafer; A first device provided on an upper side of the chuck and detecting a surface thinner attack of the wafer mounted on the chuck; A second device for simultaneously inspecting the upper side and the lower side of the wafer mounted on the chuck to perform side inspection of the wafer by a combination thereof; And a third device for measuring the photoresist thickness of the wafer mounted on the chuck.

또한, 상기 장비 본체는 양측에 측면 가이드를 갖는 베이스 상의 사이드 레일을 따라 이동 가능하게 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, the equipment main body is characterized in that it is provided to be movable along the side rail on the base having side guides on both sides.

또한, 상기 제1 장치는 하부 수직방향으로 설치되는 신나 어텍 검출용 카메라로 구성되고, 상기 신나 어텍 검출용 카메라는 사이드 레일을 갖는 서포터에 의해서 장비 본체의 측면부를 따라 이동 가능하게 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, the first device is composed of a thinner attack detection camera is installed in the lower vertical direction, wherein the thinner attack detection camera is provided to be movable along the side of the main body of the equipment by a supporter having a side rail do.

또한, 상기 신나 어텍 검출용 카메라는 카메라의 경통부가 중앙부를 관통하는 지지체 하면에 다수의 램프가 구비된 조명부가 일체로 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the thinner attack detection camera is characterized in that the illumination portion provided with a plurality of lamps integrally formed on the lower surface of the support body through the barrel portion of the camera.

또한, 상기 제2 장치는 웨이퍼의 일측 및 타측 상.하부에 각각 구비되고 사이드 레일을 따라 장비 본체의 측면을 따라 이동하는 제1,2 칩핑검사부로 구성되고; 상기 제1,2 칩핑검사부는 웨이퍼의 일측 상부 및 타측 하부에 각각 구비되고 45도 반사각을 갖는 제1,2 반사프리즘과, 조명에 의해서 상기 제1,2 반사프리즘으로부터 입사되는 웨이퍼의 이미지를 촬영하는 제1,2 칩핑검사용 카메라;로 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, the second device comprises a first and a second chipping inspection unit which is provided on one side and the other side of the wafer, respectively, and moves along the side of the equipment main body along the side rail; The first and second chipping inspection units are provided at upper and lower sides of the wafer, respectively, and capture first and second reflection prisms having a 45 degree reflection angle, and images of the wafers incident from the first and second reflection prisms by illumination. Characterized in that consisting of; first, second chipping inspection camera.

또한, 상기 제2 장치는 웨이퍼의 일측 상부에 구비되고 45도 반사각을 갖는 상부 반사프리즘과; 상기 상부 반사프리즘과 대향되게 웨이퍼의 하부에 구비되고 상부 반사프리즘에 의해 반사된 이미지가 입사되는 연장부를 포함하는 하부 반사프리즘과; 상기 하부 반사프리즘으로부터 입사되는 이미지를 촬영하는 칩핑검사용 카메라;로 구성되고, 상기 상.하부 반사프리즘과 칩핑검사용 카메라는 사이드 레일을 따라 함께 이동하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the second device includes an upper reflection prism provided on one side of the wafer and having a 45 degree reflection angle; A lower reflection prism provided at a lower portion of the wafer to face the upper reflection prism and including an extension to which an image reflected by the upper reflection prism is incident; And a chipping inspection camera for capturing an image incident from the lower reflection prism. The upper and lower reflection prisms and the camera for chipping inspection may be configured to move together along a side rail.

또한, 상기 제3 장치는 이송레일을 따라 웨이퍼의 반경방향으로 이동 가능한 헤드를 통하여 발광부의 광이 웨이퍼의 표면에 조사되고, 반사된 광은 헤드를 통하여 수광부에서 수신되며, 이 수신된 광은 분광센서에 의해 파장대별로 분리되어 이 분리된 파장대별 신호의 세기에 따라 웨이퍼의 표면에 도포된 포토 레지스터의 두께 측정이 이루어지도록 구성한 것을 특징으로 한다.In addition, the third apparatus is configured to irradiate the surface of the wafer with the light of the light emitting part through a head movable in the radial direction of the wafer along the transfer rail, and the reflected light is received at the light receiving part through the head, and the received light is spectroscopically. The thickness of the photoresist coated on the surface of the wafer according to the intensity of the separated wavelength band signal separated by the wavelength band by the sensor is configured to be made.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 구성을 실시예에 따라 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration of the present invention according to the embodiment.

도 6은 본 발명의 전체적인 구성을 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the present invention.

이에 도시된 바와 같이 본 발명은 상.하면 및 측면을 갖는 장비 본체(1)가 구비되고, 상기 장비 본체(1)의 내부에, 웨이퍼(W)를 진공 흡착에 의해서 고정하고 회전되는 척(2)과, 상기 척(2)에 탑재된 웨이퍼(W)의 표면 신나 어텍을 검출하는 제1 장치(3)와, 상기 웨이퍼(W)의 측면 검사를 수행하는 제2 장치(4)와, 상기 웨이퍼(W)의 포토 레지스터 두께를 측정하는 제3 장치(5)가 구비되어 하나의 모듈내에서 웨이퍼의 신나 어텍과 측면 검사 및 포토 레지스터의 두께 측정이 함께 이루어질 수 있도록 한 것을 특징으로 하고 있는 것이다.As shown therein, the present invention is provided with an equipment main body 1 having an upper and lower sides and a side, and inside the equipment main body 1, the wafer W is fixed by vacuum suction and rotated by a chuck 2 ), A first device 3 for detecting a surface thinner or attack of the wafer W mounted on the chuck 2, a second device 4 for performing side inspection of the wafer W, and The third device 5 for measuring the thickness of the photoresist of the wafer W is provided so that the thinner attack, the side inspection and the thickness measurement of the photoresist can be performed together in one module. .

그리고, 상기 장비 본체(1)는 베이스(6) 상의 사이드 레일(R1)을 따라 이동 가능하게 구성되는 것이며, 장비 본체(1)의 이동을 안내할 수 있도록 베이스(6)의 양측에는 측면 가이드(6a)가 일체로 형성된다.In addition, the equipment main body 1 is configured to be movable along the side rails R1 on the base 6, and side guides are provided at both sides of the base 6 so as to guide the movement of the equipment main body 1. 6a) is integrally formed.

상기 제1 장치(3)는, 척(2)에 탑재된 웨이퍼(W)의 상부에 신나 어텍 검출용 카메라(31)가 상기 웨이퍼를 향해서 하부 수직방향으로 설치되는 것으로서, 촬영된 웨이퍼의 표면 이미지를 통하여 웨이퍼의 신나 어텍을 검출하게 되는 것이며, 사이드 레일(R1)을 갖는 서포터(32)에 의해서 장비 본체(1)의 측면부에 이동 가능하게 구비된다.In the first apparatus 3, a thinner attack detection camera 31 is installed in the lower vertical direction on the wafer W mounted on the chuck 2 in the lower vertical direction, and thus the surface image of the photographed wafer. It is to detect the thinner or attack of the wafer through the supporter 32 having the side rails R1, and is provided to be movable to the side part of the main body 1 of the equipment.

또한, 상기 신나 어텍 검출용 카메라(31)는 조명부(33)가 일체로 형성되는 것으로서, 상기 조명부(33)는 카메라의 경통부가 중앙부를 관통하는 지지체(33a)로 구성되고, 상기 지지체(33a)의 하면에 다수의 램프(33b)가 구비된다.In addition, the thinner attack detection camera 31 is integrally formed with the illumination unit 33, the illumination unit 33 is composed of a support 33a through which the barrel portion of the camera passes through the central portion, and the support 33a The lower surface of the plurality of lamps 33b are provided.

본 발명의 제2 장치(4)는 도 7에 도시된 바와 같이 사이드 레일(R1)을 따라 이동 가능하게 구비되는 것이며, 척(2)에 탑재된 웨이퍼(W)의 측면부에 위치된다.As shown in FIG. 7, the second device 4 of the present invention is provided to be movable along the side rail R1 and is located at the side of the wafer W mounted on the chuck 2.

도 8a는 본 발명 제2 장치의 제1 실시예로서, 이에 도시된 바와 같이 본 발명은 웨이퍼(W)의 일측 및 타측 상.하부에 구비되고 사이드 레일(R1)을 따라 장비 본체(1)의 측면을 따라 이동하는 제1,2 칩핑검사부(41)(42)로 구성된다.FIG. 8A is a first embodiment of the second device of the present invention, and as shown therein, the present invention is provided on one side and the other side of the wafer W and on the lower side of the equipment body 1 along the side rails R1. The first and second chipping inspection parts 41 and 42 move along side surfaces.

상기 제1,2 칩핑검사부(41)(42)는 웨이퍼의 일측 상부 및 타측 하부에 각각 구비되고 45도 반사각을 갖는 제1,2 반사프리즘(41a)(42a)과, 조명(46)에 의해서 상기 제1,2 반사프리즘(41a)(42a)으로부터 입사되는 웨이퍼의 이미지를 촬영하는 제1,2 칩핑검사용 카메라(41b)(42b);로 구성된다.The first and second chipping inspection units 41 and 42 are provided on one side of the wafer and the other side of the wafer, respectively, and are provided by the first and second reflective prisms 41a and 42a having a 45 degree reflection angle. And first and second chipping inspection cameras 41b and 42b for capturing an image of a wafer incident from the first and second reflection prisms 41a and 42a.

이와 같이 구성된 본 발명은 제1 칩핑검사부(41)에 의해서 촬영된 웨이퍼의 상부 측면에 대한 이미지와 제2 칩핑검사부(42)에 의해서 촬영된 웨이퍼의 하부 측면에 대한 이미지를 조합함으로써 웨이퍼(W)의 측면 검사가 이루어지게 되는데, 이때 상기 웨이퍼는 도 10도시된 바와 같이 척(2)에 의해 180도씩 회전하고 상기 제1 칩핑검사부(41) 및 제2 칩핑검사부(42)는 사이드 레일(R1)을 따라 직선왕복운동을 하면서 웨이퍼에 대한 측면 검사가 이루어지게 되는 것이다.The present invention configured as described above allows the wafer W by combining an image of the upper side of the wafer photographed by the first chipping inspection unit 41 and an image of the lower side of the wafer photographed by the second chipping inspection unit 42. Side inspection is performed, wherein the wafer is rotated by 180 degrees by the chuck 2 as shown in Figure 10 and the first chipping inspection section 41 and the second chipping inspection section 42 side rail (R1) Along the straight reciprocating motion along the side of the wafer will be made.

도 8b는 본 발명 제2 장치의 제2 실시예로서, 이에 도시된 바와 같이 본 발명은 웨이퍼(W)의 일측 상부에 45도 반사각을 갖는 상부 반사프리즘(43)이 구비되고, 웨이퍼(W)의 타측 하부에는 상기 상부 반사프리즘(43)과 대향되고 상부 반사프리즘(43)에 의해 반사된 이미지가 입사되도록 연장부(44a)를 갖는 하부 반사프리즘(44)이 구비되는 것이며, 상기 하부 반사프리즘(44)의 측면부에는 하부 반사프리즘(44)으로부터 입사되는 이미지를 촬영하는 칩핑검사용 카메라(45)가 구비되는 것으로서, 상기 제1 실시예와 마찬가지로 웨이퍼는 회전되고 상기 상.하부 반사프리즘(43)(44)과 칩핑검사용 카메라(45)는 사이드 레일(R1)을 따라 함께 직선왕복운동을 하도록 구성된다.FIG. 8B is a second embodiment of the second device of the present invention. As shown therein, the present invention includes an upper reflective prism 43 having a 45 degree reflection angle on one side of the wafer W, and the wafer W. FIG. A lower reflection prism 44 having an extension portion 44a is provided at the lower side of the other side to face the upper reflection prism 43 and to reflect the image reflected by the upper reflection prism 43. The side of the 44 is provided with a chipping inspection camera 45 for capturing an image incident from the lower reflection prism 44, the wafer is rotated and the upper and lower reflection prism 43 as in the first embodiment 44 and the chipping inspection camera 45 is configured to perform a linear reciprocating motion along the side rail (R1).

도 9는 본 발명의 제3 장치를 나타낸 구성도이다.9 is a configuration diagram showing a third device of the present invention.

이에 도시된 바와 같이 본 발명의 제3 장치는 분광센서(54)에 의한 파장을 이용하여 웨이퍼(W)의 표면에 도포된 포토 레지스터(PR)의 두께를 측정하도록 구성된 것으로서, 이를 위하여 이송레일(R2)을 따라 웨이퍼의 반경방향으로 이동 가능한 헤드(51)가 구비되고, 상기 헤드(51)는 발광부(52) 및 수광부(53)와 연결되며, 상기 수광부(53)는 제어부(55)와 연결된 분광센서(54)와 연결되는 회로를 구성한다.As shown in the drawing, the third apparatus of the present invention is configured to measure the thickness of the photoresist PR applied on the surface of the wafer W by using the wavelength of the spectroscopic sensor 54. A head 51 movable in the radial direction of the wafer is provided along R2, and the head 51 is connected to the light emitting unit 52 and the light receiving unit 53, and the light receiving unit 53 is connected to the control unit 55. A circuit is connected to the connected spectroscopy sensor 54.

이와 같이 구성된 본 발명은 먼저, 발광부(52)의 광이 헤드(51)를 통하여 웨이퍼(W)의 표면에 조사되고, 웨이퍼로부터 반사된 광은 다시 헤드(51)를 통하여 수광부(53)에 수신된다. 그리고 이 수시된 광은 분광센서(54)에 의해서 파장대별로 분리되어 이 분리된 파장대별 신호의 세기에 따라 제어부(55)에서 웨이퍼의 표면에 도포된 포토 레지스터의 두께를 측정하게 되는 것으로, 이때 파장대별 신호의 세기는 투과율에 비례하고 두께에 반비례한다. 즉, 두께가 크면 투과율이 낮고 두께가 작으면 투과율이 높게 나타나 웨이퍼의 표면에 도포된 포토 레지스터의 두께 측정이 가능해지는 것이다.In the present invention configured as described above, first, light from the light emitting unit 52 is irradiated onto the surface of the wafer W through the head 51, and the light reflected from the wafer is reflected back to the light receiving unit 53 through the head 51. Is received. And the received light is separated by the wavelength band by the spectroscopy sensor 54 and the control unit 55 measures the thickness of the photoresist applied to the surface of the wafer in accordance with the intensity of the separated signal for each wavelength band, wherein the wavelength The intensity of the bulk signal is proportional to the transmittance and inversely proportional to the thickness. In other words, if the thickness is large, the transmittance is low, and if the thickness is small, the transmittance is high, and thus the thickness of the photoresist coated on the surface of the wafer can be measured.

한편, 상기 사이드 레일(R1) 및 이송레일(R2)을 통한 장비 본체(1)와 신나어텍 검출용 카메라(31) 및 PR 두께 검출용 헤드(51)의 이동은 통상의 장치에 의하고, 그 대표적인 것으로 LM가이드의 적용이 가능하다.On the other hand, the movement of the main body 1, the thinner technology detection camera 31 and the PR thickness detection head 51 through the side rail (R1) and the transfer rail (R2) is a typical device, the representative It is possible to apply LM guide.

상술한 바와 같이 본 발명은 하나의 장비로 웨이퍼의 신나 어텍 검사와 측면 검사 및 포토 레지스터의 두께 측정이 함께 이루어질 수 있도록 함으로써 기존에 별도의 장비로 각 검사를 수행한 후 검사결과를 조합하여 웨이퍼의 불량 유무를 판단해야만 되는 작업의 번거로움 및 불편성 없이 하나의 모듈내에서 즉시 웨이퍼의 불량 여부를 판단할 수 있어, 웨이퍼 검사의 신속성 및 간편성을 확보할 수 있을 뿐 아니라 기존에 검사가 불가능했던 에지 노광을 포함한 측면 검사도 함께 이루어 지므로 웨이퍼 검사의 정확성 및 효율성을 기할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention allows the thinner attack test, the side inspection, and the photoresist thickness measurement to be performed together with a single device. It is possible to immediately determine whether a wafer is defective within a module without the hassle and inconvenience of having to determine whether it is defective, which ensures the speed and convenience of wafer inspection, as well as the edges that were previously impossible to inspect. Side inspection, including exposure, is also performed, resulting in the accuracy and efficiency of wafer inspection.

Claims (7)

상.하면 및 측면을 갖는 장비 본체(1)의 내부에,Inside the equipment body 1 having a top, bottom, and side, 웨이퍼(W)를 고정하고 회전시키는 척(2)과;A chuck 2 for fixing and rotating the wafer W; 상기 척(2)의 상부측에 설치되어 척(2)에 탑재된 웨이퍼(W)의 표면 신나 어텍을 검출하는 제1 장치(3)와;A first device (3) installed on the upper side of the chuck (2) and detecting a surface thinner attack of the wafer (W) mounted on the chuck (2); 상기 제1 장치(3)의 타측 하부에 설치되어 척(2)에 탑재된 웨이퍼(W)의 상부 측면과 하부 측면을 동시에 검사하여 이들의 조합에 의해서 웨이퍼(W)의 측면 검사가 이루어지게 하는 제2 장치(4)와;The upper side and the lower side of the wafer W mounted on the lower side of the first device 3 and mounted on the chuck 2 are simultaneously examined to perform side inspection of the wafer W by a combination thereof. A second device 4; 상기 제2 장치(4)의 상부측에 설치되어 척(2)에 탑재된 웨이퍼(W)의 포토 레지스터 두께를 측정하는 제3 장치(5);가 구비된 것을 특징으로 한 웨이퍼의 검사장비.And a third device (5) installed on the upper side of the second device (4) to measure the photoresist thickness of the wafer (W) mounted on the chuck (2). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 장비 본체(1)는 양측에 측면 가이드(6a)를 갖는 베이스(6) 상의 사이드 레일(R1)을 따라 이동 가능하게 구비되는 것을 특징으로 한 웨이퍼의 검사장비.The equipment main body (1) is a wafer inspection equipment, characterized in that it is provided to move along the side rail (R1) on the base (6) having side guides (6a) on both sides. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 장치(3)는 하부 수직방향으로 설치되는 신나 어텍 검출용 카메라(31)로 구성되고, 상기 신나 어텍 검출용 카메라(31)는 사이드 레일(R1)을 갖는 서포터(32)에 의해서 장비 본체(1)의 측면부를 따라 이동 가능하게 구비되는 것을 특징으로 한 웨이퍼의 검사장비.The first device 3 is composed of a thinner attack detecting camera 31 installed in a lower vertical direction, and the thinner attack detecting camera 31 is equipped by a supporter 32 having a side rail R1. Inspection equipment for a wafer, characterized in that provided to be movable along the side of the main body (1). 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 신나 어텍 검출용 카메라(31)는 카메라의 경통부가 중앙부를 관통하는 지지체(33a) 하면에 다수의 램프(33b)가 구비된 조명부(33)가 일체로 형성된 것을 특징으로 한 웨이퍼의 검사장비.The thinner attack detection camera (31) is a wafer inspection equipment, characterized in that the illumination unit (33) having a plurality of lamps (33b) is integrally formed on the lower surface of the support (33a) through the center portion of the camera. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 장치(4)는 웨이퍼의 일측 및 타측 상.하부에 각각 구비되고 사이드 레일(R1)을 따라 장비 본체(1)의 측면을 따라 이동하는 제1,2 칩핑검사부(41)(42)로 구성되고;The second device 4 is provided on one side and the other side of the wafer, respectively, and the first and second chipping inspection parts 41 and 42 moving along the side of the equipment main body 1 along the side rail R1. Consisting of; 상기 제1,2 칩핑검사부(41)(42)는 웨이퍼의 일측 상부 및 타측 하부에 각각 구비되고 45도 반사각을 갖는 제1,2 반사프리즘(41a)(42a)과, 조명에 의해서 상기 제1,2 반사프리즘(41a)(42a)으로부터 입사되는 웨이퍼의 이미지를 촬영하는 제1,2 칩핑검사용 카메라(41b)(42b);로 이루어진 것을 특징으로 한 웨이퍼의 검사장비.The first and second chipping inspection units 41 and 42 are provided on one side of the wafer and the other side of the wafer, respectively, and the first and second reflection prisms 41a and 42a having a 45 degree reflection angle, and the first ones by illumination. And a first and second chipping inspection camera (41b) (42b) for photographing an image of the wafer incident from the second reflection prism (41a) (42a). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 장치(4)는 웨이퍼(W)의 일측 상부에 구비되고 45도 반사각을 갖는 상부 반사프리즘(43)과;The second device (4) comprises an upper reflecting prism (43) provided on one side of the wafer (W) and having a 45 degree reflection angle; 상기 상부 반사프리즘(43)과 대향되게 웨이퍼(W)의 하부에 구비되고 상부 반사프리즘(43)에 의해 반사된 이미지가 입사되는 연장부(44a)를 포함하는 하부 반사 프리즘(44)과;A lower reflecting prism (44) disposed below the wafer (W) opposite the upper reflecting prism (43) and including an extension (44a) into which an image reflected by the upper reflecting prism (43) is incident; 상기 하부 반사프리즘(44)으로부터 입사되는 이미지를 촬영하는 칩핑검사용 카메라(45);로 구성되고,A chipping inspection camera 45 for taking an image incident from the lower reflection prism 44; 상기 상.하부 반사프리즘(43)(44)과 칩핑검사용 카메라(45)는 사이드 레일(R1)을 따라 함께 이동하도록 구성되는 것을 특징으로 한 웨이퍼의 검사장비.The upper and lower reflection prism (43) (44) and the chipping inspection camera 45 is a wafer inspection equipment, characterized in that configured to move along the side rail (R1). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제3 장치(5)는 이송레일(R2)을 따라 웨이퍼의 반경방향으로 이동 가능한 헤드(51)를 통하여 발광부(52)의 광이 웨이퍼의 표면에 조사되고, 반사된 광은 헤드(51)를 통하여 수광부(53)에서 수신되며, 이 수신된 광은 분광센서(54)에 의해 파장대별로 분리되어 이 분리된 파장대별 신호의 세기에 따라 웨이퍼의 표면에 도포된 포토 레지스터의 두께 측정이 이루어지도록 구성한 것을 특징으로 한 웨이퍼의 검사장비.The third apparatus 5 irradiates the surface of the wafer with the light of the light emitting part 52 through the head 51 which is movable in the radial direction of the wafer along the transfer rail R2, and the reflected light is the head 51. Received by the light receiving unit 53, and the received light is separated by the wavelength band by the spectroscopy sensor 54, and the thickness of the photoresist applied to the surface of the wafer is measured according to the intensity of the separated signal by the wavelength band. Inspection equipment of the wafer, characterized in that configured to lose.
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