KR100791005B1 - 사입사 조건에서의 포토마스크의 투과율 측정장치 및 그를이용한 측정방법 - Google Patents

사입사 조건에서의 포토마스크의 투과율 측정장치 및 그를이용한 측정방법 Download PDF

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Abstract

투과율 보정을 위한 보정체가 형성된 포토마스크의 투과율을 사입사 조명 조건에서 측정할 수 있는 장치 및 그를 이용한 포토마스크의 투과율 측정방법을 개시한다. 본 발명에서는 포토마스크 투과율 측정장치에, 인가되는 RF 신호의 주파수에 따라 입사되는 레이저광을 편향시킬 수 있는 AOD 기판을 도입한다. 그리고 레이저광의 편향각도에 대응하여 레이저광이 AOD 기판을 통과하는 지점으로부터 일정한 거리의 원호 상에서 이동하면서 포토마스크를 투과한 레이저광의 세기를 측정할 수 있는 광검출기를 도입함으로써 포토마스크의 투과율을 사입사 조건에서 측정할 수 있다.
포토마스크, 투과율 측정, 사입사, 보정체, 광검출기

Description

사입사 조건에서의 포토마스크의 투과율 측정장치 및 그를 이용한 측정방법{Equipment and method for transmittance measurement of photomask under off axis illumination}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 투과율 측정장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 투과율 측정방법을 설명하기 위한 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 광원 12: 레이저광
20: AOD 기판 22: RF 신호
30: 포토마스크 31: 투광기판
32: 보정체 40: 광검출기
본 발명은 반도체 소자의 제조장치 및 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포토리소그래피 공정에서 사용되는 포토마스크의 투과율 측정장치 및 측정방 법에 관한 것이다.
포토리소그래피 공정에서 사용되는 포토마스크는 일반적으로 빛을 투과시키는 투광기판(light transmissive substrate) 위에 빛을 차단하는 차광패턴을 형성하여 만들어진다. 투광기판은 석영기판을 사용하고, 차광패턴은 크롬패턴을 사용할 수 있다.
포토마스크의 차광패턴을 패터닝하는 과정에서 투광기판이 전자빔이나 플라즈마에 노출되는 것에 의하여 투광기판의 성질, 특히 투과율(transmittance)과 같은 광학적 성질이 변할 수 있다. 투광기판 내에서 부분적으로 전자빔이나 플라즈마에 노출되는 정도가 달라지면 투과율도 비균일하게 변할 수 있다. 투광기판의 투과율이 비균일해지면, 동일한 크기를 갖는 차광패턴에 의해 웨이퍼에 전사되는 패턴의 임계치수(CD: critical dimension)가 달라질 수 있다. 따라서 웨이퍼의 임계치수 균일도가 저하될 수 있다. 그런데 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 반도체 소자의 임계치수가 급격히 작아지고 있고, 임계치수의 균일도가 더욱 정밀하게 요구되고 있다. 따라서 포토마스크 제조시의 에러로 인한 임계치수 비균일도의 발생을 낮추는 노력이 더욱 중요해지고 있다.
포토마스크의 투광기판의 투과율을 균일하게 하기 위한 한가지 방법으로 투광기판 내에 투과율을 보정할 수 있는 보정체(shading element)를 형성하는 기술이 도입되었다. 펨토초 레이저(femtosecond laser)에 의한 레이저빔을 투광기판에 조사하여 레이저빔이 조사된 부분의 광학적 성질을 바꿈으로서 보정체가 투광기판 내에 도입될 수 있다. 보정체는 투광기판 내에서 광학적 성질이 다른 부분으로서, 예 를 들면, 약 1㎛의 직경과 약 30㎛의 깊이를 갖도록 형성될 수 있다. 보정체는 반복된 형태로 형성될 수 있는데, 보정체의 피치를 조절함으로써 투광기판의 투과율을 조절할 수 있다. 보정체의 피치가 작은 부분은 보정체의 밀도가 높아지므로 보정체의 피치가 큰 부분보다 투과율이 더 많이 저하된다. 보정체의 피치와 투광기판의 투과율 간의 관계를 포토마스크 제조용 노광설비 내에서 투과율 측정장치를 이용하여 확인할 수 있다.
한편, 반도체 소자가 고집적화되면서 포토리소그래피 공정에서 더욱 높은 해상도와 더욱 깊은 DOF(depth of focus) 마진을 갖는 조명계 장치가 요구되었다. 반도체 소자가 고집적화에 따라 단위면적당 소자밀도가 높아지고 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 크기도 더욱 미세해지고 있는데, 미세한 패턴을 형성하기 위해서는 노광설비의 해상도가 더욱 높아져야 하고, DOF 마진은 더욱 깊어져야 한다. 이를 위하여 노광설비의 조명계 장치 중 어퍼쳐(aperture)에 변형을 준 사입사 조명(OAI:Off Axis Illumination)을 적용함으로써 해상도와 DOF 마진을 증대시킬 수 있었다. 사입사 조명을 적용하면 포토마스크에 입사되는 레이저광의 입사각이 본래 수직인 광축에 대하여 기울어진다.
그런데 종래에 사용되는 포토마스크의 투과율 측정장치는 수직입사하는 광에 대하여만 투과율을 측정할 수 있어서 사입사 조명의 투과율에 대한 영향은 고려하지 못하였다. 그리하여 포토마스크의 투과율 측정시 사입사 조명을 구현 하기 위하여 광원을 각도에 따라 움직이거나, 포토마스크 스테이지의 각도를 변형시키는 형태를 가진 장치가 고안되었다. 그러나 이와 같은 기술은 매우 정밀한 위치 정확도 를 가져야 하는 광원축 또는 포토마스크 스테이지를 움직이는 구조이므로, 사입사 투과율 측정 후 포토마스크 제조를 위한 레이저 노광의 정확성을 보장하기 어려운 단점이 있다. 더욱이 포토마스크 스테이지의 각도를 움직이는 구조에서는 투과율 측정 시 위치 정확성에 취약하여 원하는 위치에서 측정이 어려운 단점이 있다.
본 발명의 기술적 과제는 투과율을 보정하기 위한 보정체가 형성된 포토마스크의 투광기판의 투과율을 광의 입사각에 따라 측정할 수 있는 투과율 측정장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 투과율을 보정하기 위한 보정체가 형성된 포토마스크의 투광기판의 투과율을 광의 입사각에 따라 측정할 수 있는 투과율 측정방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 포토마스크의 투과율을 측정하는 장치는 광원과 포토마스크 사이에 도입되어 상기 광원으로부터 나온 광을 편향시켜 상기 포토마스크에 경사입사되도록 하는 AOD 기판; 및 상기 포토마스크를 투과한 광의 세기를 측정할 수 있는 광검출기를 포함한다.
상기 AOD 기판의 물질은 LiNbO3, BaTiO3, TeO2 또는 GaP중의 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 AOD 기판은 상기 AOD 기판에 인가되는 가변의 RF 신호의 주파수에 따라 상기 광을 다른 각도로 편향시킬 수 있다. 상기 AOD 기판은 상기 포토마스크와 평행하게 위치하는 것이 바람직하다.
상기 광이 상기 포토마스크에 경사입사되는 각도는 상기 포토마스크에 수직인 광축으로부터 2°에서 12°사이일 수 있고, 더욱 바람직하게는 4°에서 11°사이일 수 있다.
상기 광검출기는 포토다이오드로 이루어질 수 있다.
상기 광검출기는 상기 포토마스크에 수직인 광축과 상기 AOD 기판이 만나는 점으로부터 일정거리에 있는 면 위를 움직이며 상기 포토마스크를 투과한 빛의 세기를 측정할 수 있다. 또는 상기 광검출기는 상기 포토마스크와 평행한 평면 위를 움직이며 상기 포토마스크를 투과한 빛의 세기를 측정할 수 있다.
상기 포토마스크는 투광기판 내에 투과율 보정체가 형성되어 있을 수 있고,상기 투과율 보정체는 상기 투광기판과 굴절율이 다른 부분으로서 소정의 피치로 형성되어 있을 수 있다
상기 포토마스크은 위상반전 마스크(PSM: phase shift mask) 또는 이진 마스크(BM: binary mask)일 수 있다.
상기 광원은 포토마스크 제조용 노광장치의 노광원일 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 포토마스크의 투과율을 측정하는 방법은 광원과 포토마스크 사이에 AOD 기판을 도입하고, 상기 포토마스크를 투과한 광의 세기를 측정할 수 있는 광검출기를 상기 포토마스크 아래에 도입하는 단계; 상기 AOD 기판을 투과하는 상기 광을 편향시키도록 상기 AOD 기판에 RF 신호를 인가하는 단계; 상기 AOD 기판에 의하여 편향되고 상기 포토마스크 를 경사입사하여 투과한 상기 광의 세기를, 상기 광검출기를 이동하면서 상기 포토마스크의 위치에 따라 측정하는 단계를 포함한다.
상기 AOD 기판의 물질은 LiNbO3, BaTiO3, TeO2 또는 GaP중의 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 AOD 기판은 상기 AOD 기판에 인가되는 가변의 RF 신호의 주파수에 따라 상기 광을 다른 각도로 편향시킬 수 있다. 상기 AOD 기판은 상기 포토마스크와 평행하게 위치하는 것이 바람직하다.
상기 광이 상기 포토마스크에 경사입사되는 각도는 상기 포토마스크에 수직인 광축으로부터 2도에서 12도 사이일 수 있고, 더욱 바람직하게는 4°에서 11°사이일 수 있다.
상기 광검출기는 포토다이오드로 이루어질 수 있다.
상기 광검출기는 상기 포토마스크에 수직인 광축과 상기 AOD 기판이 만나는 점으로부터 일정거리에 있는 면 위를 움직이며 상기 포토마스크를 투과한 빛의 세기를 측정할 수 있다. 또는 상기 광검출기는 상기 포토마스크와 평행한 평면 위를 움직이며 상기 포토마스크를 투과한 빛의 세기를 측정할 수 있다.
상기 포토마스크는 투광기판 내에 투과율 보정체가 형성되어 있을 수 있고,상기 투과율 보정체는 상기 투광기판과 굴절율이 다른 부분으로서 소정의 피치로 형성되어 있을 수 있다
상기 포토마스크은 위상반전 마스크 또는 이진 마스크일 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 포토마스크의 투과율 측정장치의 개략적인 구성도이다. 포토마스크의 투과율 측정장치는 포토마스크의 차광패턴을 노광하기 위한 포토마스크 제조용 노광장비 내에 구성될 수 있다. 광원(10)과 광원(10)에 의해 조사되는 포토마스크(30) 사이에 AOD(Acoustic Optical Deflector) 기판(20)이 위치한다. 광원(10)은 웨이퍼의 노광을 위한 노광원과 마찬가지로 ArF 레이저나 KrF 레이저와 같은 노광원을 포함하여 사용할 수 있다.
AOD 기판(20)은 LiNbO3, BaTiO3, TeO2 또는 GaP 등의 결정으로 이루어질 수 있으며, 입사되는 레이저광을 편향(deflection)시킬 수 있다. AOD 기판(20)은 외부에서 공급되는 RF(Radio Frequency) 신호(22)에 의해 결정 내부의 굴절률이 미세한 주기로 가변되어 광학 격자(optical element)를 형성한다. 광학 격자와, AOD 기판(20)에 일정 각도를 갖고 입사되는 레이저광(12)은 서로 간섭을 일으켜 일정 레이저광(12)이 회절(refraction)하게 되며, 회절하는 정도는 AOD 드라이버에 공급되는 RF 신호(22)의 주파수에 의해 조절될 수 있다. 따라서 AOD 기판(20)에 공급되는 RF 신호(22)의 주파수를 변화시킴으로써 AOD 기판(20)을 투과하는 레이저광(12)이 편향되는 각도를 변화시킬 수 있으며, 따라서 포토마스크(30)에 입사되는 레이저 광(12)의 각도를 조절할 수 있다. 여기서 AOD 기판(20)은 포토마스크(30)에 수평일 수 있다.
웨이퍼 노광시 해상도 및 DOF 마진의 향상을 위하여 사입사 조명 방식을 사용하며, 이때 사입사 조명을 위한 변형 조명계를 거친 레이저광은 포토마스크에 대한 수직축, 또는 광축(A)에 대하여 약 4~11°의 각도로 입사될 수 있다. 투과율을 보정하기 위한 보정체(correcting element)가 형성된 포토마스크의 투광기판은 사입사조명시 레이저광의 입사각에 따라 투과율이 달라질 수 있다. 보정체가 형성된 포토마스크의 투과율 측정시 AOD 기판을 사용함으로써 이와 같은 사입사 조명 방식을 구현할 수 있다.
AOD 기판(20)에 의하여 편향된 레이저광(12)이 포토마스크(30)의 투광기판(31)를 투과한 후 포토마스크(30) 아래에 위치한 광검출기(40)에 도달한다.
포토마스크(30)는 투광기판(31) 내부에 투과율을 보정하기 위하여 일정한 피치(pitch)로 형성되어 있는 보정체(32)를 포함할 수 있다. 종래의 기술에서 설명한 바와 같이 투광기판에 펨토초(femto-second)의 짧은 지속시간을 갖는 펄스 레이저를 조사하여 짧은 시간동안 고에너지를 인가함으로써 투광기판의 성질을 변화시켜서 보정체를 형성할 수 있다. 이러한 보정체(32)는 약 1㎛의 직경과 약 30㎛의 깊이를 갖는 입체구조의 반복 형태로 형성될 수 있으며, 반복되는 보정체(32)의 피치를 조절하여 투광기판(31)의 투과율을 조절할 수 있다. 한편, 포토마스크(30)는 위상 반전 마스크(phase shift mask)가 될 수도 있고, 바이너리 마스크(binary mask)가 될 수도 있다.
광검출기(40)는 빛 에너지를 전기 에너지로 만드는 광전변환소자(photoelectric converting device)로서 보통 포토다이오드(photodiode)로 구성되며, 광검출기(40)에 조사되는 빛의 세기에 비례하여 생성되는 전류의 양이 증가하는 것을 이용하여 빛의 세기를 측정할 수 있다. 따라서 포토마스크(30)의 투광기판(32)을 투과한 레이저광(12)의 세기를 측정하고 투광기판(32)을 투과하지 않은 레이저광의 세기와 비교함으로써 투광기판(32)의 투과율을 측정할 수 있다. 이때 AOD 기판(20)과 포토마스크(30) 사이에 빔 분배기(beam splitter)(미도시)를 사용하여 투명한 기판을 통과하는 빛과 포토마스크를 통과하는 빛의 세기를 각각 측정함으로써 인시츄(in situ)로 투과율을 측정할 수도 있다.
인가된 RF 신호(22)에 따라 AOD 기판(20)에서 편향되는 각도가 다른 레이저광(12)에 대하여 포토마스크(30)를 투과하여 광검출기(40)에 도달되는 경로차가 동일하도록, 광검출기(40)는 레이저광(12)이 입사되는 AOD 기판(20)의 지점으로부터 원호상으로 이동할 수 있다. 이때 광검출기(40)는 RF 신호(22)와 동기화되어(syncronized) 광축(A)으로부터의 각도를 조절하며 이동할 수 있다. 즉, 레이저광(12)이 편향되는 각도에 대응하도록 광검출기(40)가 광축(A)으로부터 이동하면서 포토마스크(30)를 투과한 레이저광(12)의 세기를 측정할 수 있다. 광검출기(40)가 AOD 기판(20)에서 편향되는 레이저광(12)의 각도에 대응하여 이동하면서 포토마스크(30)를 투과한 레이저광(12)의 세기를 측정함으로써 포토마스크(30)에 대한 입사각도에 따른 레이저광(12)의 투과율의 차이를 비교할 수 있다.
한편, 광검출기(40)는 포토마스크(30)의 전체에 대한 투과율을 측정할 수 있 도록 포토마스크(30) 아래에서 포토마스크(30)의 평면과 평행한 평면 위를 이동하면서 레이저광(12)의 세기를 측정할 수 있다. 포토마스크(30)의 전체에 대한 투과율을 측정하면 포토마스크(30)의 투과율의 균일도를 알 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 투과율 측정방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 포토마스크 투과율 측정장치에서 광원(10)과 포토마스크(30) 사이에 AOD 기판(20)을 도입한다(S10). AOD 기판(20)의 도입과 동시에 또는 그 전후에, 포토마스크(30)를 투과한 광, 통상 레이저광의 세기를 측정할 수 있는 광검출기(40)를 포토마스크(30) 아래에 도입한다(S20). 포토마스크 제조용 노광장비 내에 AOD 기판(20)과 광검출기(40)를 도입함으로써 도 1과 같은 포토마스크(30)의 투과율을 측정하기 위한 장치가 세팅된다. 위와 같은 포토마스크 투과율 측정장치는 포토마스크 제조용 노광장치 내에 구성될 수도 있고, 노광장치와 다른 별도의 장치로 마련할 수도 있다.
광원(10)으로부터 레이저광(12)을 AOD 기판(20)에 조사하며(S30), AOD 기판(20)에 RF 신호(22)를 인가하여 레이저광(12)이 AOD 기판(20)에서 일정한 각도로 편향되도록 한다(S40). 위에서 설명한 바와 같이 광원으로는 ArF 레이저나 KrF 레이저를 포함하여 웨이퍼 노광장치에 사용되는 노광원을 사용할 수 있다. AOD 기판(20)에 인가되는 RF 신호(22)의 주파수를 조절하여 레이저광(12)의 편향각도를 조절할 수 있다. 편향각도는 3도에서 12도 범위에 있을 수 있으며, 바람직하게는 [9] 4도에서 12도 범위에 있을 수 있다.
광검출기(40)를 RF 신호(22)의 주파수에 따른 레이저광(12)의 편향각도에 대 응하여 이동하여 포토마스크(30)를 투과한 레이저광(12)의 세기를 측정한다(S50). 이때 광검출기(40)를 레이저광(12)이 AOD 기판(20)을 통과하는 지점으로부터 일정한 거리의 원호 상에서 이동하도록 함으로써, AOD 기판(20)을 지나 포토마스크(30)를 투과하여 광검출기(40)에 도달되는 레이저광(12)의 경로차가 동일하도록 할 수 있다. 한편, 광검출기(40)를 포토마스크(30)의 평면과 평행한 평면 위를 이동하면서 레이저광(12)의 세기를 측정하여 포토마스크(30)의 전체에 대한 투과율을 측정함으로써 포토마스크(30)의 투과율의 균일도를 알 수 있다.
특히, 투과율 보정을 위하여 포토마스크의 투광기판 내에 보정체가 형성되어 있는 경우, 사입사 조건에서 보정체의 피치과 투광기판의 투과율 사이의 관계를 측정하는 것은 패턴의 CD의 균일도를 향상시키는데 이용할 수 있다.
한편, 위에서 살펴본 바와 같은 사입사 조건에 따른 포토마스크의 투과율 측정은 포토마스크뿐만이 아니라 투과율을 측정하고자 하는 다른 물질, 예를 들면 투광기판에 대하여도 적용할 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 그 변형이나 개량이 가능하다.
본 발명에 의하면, 포토마스크의 투과율을 측정하기 위한 레이저광을 AOD 기판을 통과시켜서 일정한 각도로 편향시킴으로써 사입사 조건을 구현할 수 있다. 또한 광검출기를 레이저광의 편향각도에 대응하여 이동시켜서 포토마스크를 투과한 레이저광의 세기를 측정함에 따라 사입사 조건에서의 포토마스크의 투과율을 측정할 수 있다.

Claims (23)

  1. 포토마스크의 투과율을 측정하는 장치에 있어서,
    광원과 포토마스크 사이에 도입되어 상기 광원으로부터 나온 광을 편향시켜 상기 포토마스크에 경사입사되도록 하는 AOD 기판; 및
    상기 포토마스크를 투과한 광의 세기를 측정할 수 있는 광검출기를 포함하는 포토마스크의 투과율 측정장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 AOD 기판의 물질은 LiNbO3, BaTiO3, TeO2 또는 GaP중의 적어도 어느 하나를 포함하는 포토마스크의 투과율 측정장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 AOD 기판은 상기 AOD 기판에 인가되는 가변의 RF 신호의 주파수에 따라 상기 광을 다른 각도로 편향시키는 포토마스크의 투과율 측정장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 AOD 기판은 상기 포토마스크와 평행한 포토마스크의 투과율 측정장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 광이 상기 포토마스크에 경사입사되는 각도는 상기 포토마스크에 수직인 광축으로부터 2°에서 12°사이인 포토마스크의 투과율 측정장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 광이 상기 포토마스크에 경사입사되는 각도는 상기 포토마스크에 수직인 광축으로부터 4°에서 11°사이인 포토마스크의 투과율 측정장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 광검출기는 포토다이오드를 포함하는 포토마스크의 투과율 측정장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 광검출기는 상기 포토마스크에 수직인 광축과 상기 AOD 기판이 만나는 점으로부터 일정거리에 있는 면 위를 움직이는 포토마스크의 투과율 측정장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 광검출기는 상기 포토마스크와 평행한 평면 위를 움직이며 상기 포토마스크를 투과한 빛의 세기를 측정하는 포토마스크의 투과율 측정장치.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 포토마스크 기판 내에 투과율 보정체가 형성되어 있는 포토마스크의 투과율 측정장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 투과율 보정체는 상기 투광기판과 굴절율이 다른 부분으로서 소정의 피치로 형성되어 있는 포토마스크의 투과율 측정장치.
  12. 제1 항에 있어서, 상기 포토마스크은 위상반전 마스크(PSM: phase shift mask) 또는 이진 마스크(BM: binary mask)인 포토마스크의 투과율 측정장치.
  13. 제1 항에 있어서, 상기 광원은 포토마스크 제조용 노광장치의 노광원인 포토마스크의 투과율 측정장치.
  14. 포토마스크의 투과율을 측정하는 방법에 있어서,
    광원과 포토마스크 사이에 AOD 기판을 도입하고, 상기 포토마스크를 투과한 광의 세기를 측정할 수 있는 광검출기를 상기 포토마스크 아래에 도입하는 단계;
    상기 AOD 기판을 투과하는 상기 광을 편향시키도록 상기 AOD 기판에 RF 신호를 인가하는 단계;
    상기 AOD 기판에 의하여 편향되고 상기 포토마스크를 경사입사하여 투과한 상기 광의 세기를, 상기 광검출기를 이동하면서 상기 포토마스크의 위치에 따라 측정하는 단계를 포함하는 포토마스크의 투과율 측정방법.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 AOD 기판의 물질은 LiNbO3, BaTiO3, TeO2 또는 GaP중의 적어도 어느 하나를 포함하는 포토마스크의 투과율 측정방법.
  16. 제14 항에 있어서, 상기 포토마스크에 경사입사되는 각도가 상기 포토마스크에 수직인 광축으로부터 2°에서 12°사이가 되도록 상기 AOD 기판에 RF 신호를 인가하는 포토마스크의 투과율 측정방법.
  17. 제14 항에 있어서, 상기 포토마스크에 경사입사되는 각도가 상기 포토마스크에 수직인 광축으로부터 4°에서 11°사이가 되도록 상기 AOD 기판에 RF 신호를 인가하는 포토마스크의 투과율 측정방법.
  18. 제14 항에 있어서, 상기 광검출기는 포토다이오드를 포함하는 포토마스크의 투과율 측정방법.
  19. 제14 항에 있어서, 상기 광검출기는 상기 포토마스크에 수직인 광축과 상기 AOD 기판이 만나는 점으로부터 일정거리에 있는 면 위를 움직이는 포토마스크의 투과율 측정방법.
  20. 제14 항에 있어서, 상기 광검출기는 상기 포토마스크와 평행한 평면 위를 이 동하며며 상기 포토마스크를 투과한 빛의 세기를 측정하는 포토마스크의 투과율 측정방법.
  21. 제14 항에 있어서, 상기 포토마스크 기판 내에 투과율 보정체가 형성되어 있는 포토마스크의 투과율 측정방법.
  22. 제21 항에 있어서, 상기 투과율 보정체는 상기 투광기판과 굴절율이 다른 부분으로서 소정의 피치로 형성되어 있는 포토마스크의 투과율 측정방법.
  23. 제14 항에 있어서, 상기 포토마스크은 위상반전 마스크 또는 이진 마스크인 포토마스크의 투과율 측정방법.
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