KR100787997B1 - 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프액츄에이터의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프액츄에이터의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 제조방법은, 전극판의 양면에 각각 압전 세라믹 소자가 접합되어 외팔보 형태로 구동되는 압전 바이모프 액츄에이터를 제조하는 방법에 있어서, 상기 세라믹 소자들을 제조하는 세라믹 소자 제조단계; 상기 전극판을 제조하는 전극판 제조단계; 상기 세라믹 소자 제조단계에서 제조된 세라믹 소자들을 상기 제조단계에서 제조된 전극판의 양면에 각각 접착시키는 접착단계; 를 포함하는 점에 특징이 있다.

Description

반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 제조방법{Method of making piezoelectric bimorph acatuator for clamping lead wire of semiconductor device}
도1은 본 발명에 따른 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 분해 사시도이다.
도2는 도1에 도시된 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 평면사진이다.
도3은 도2에 도시된 Ⅲ-Ⅲ 선의 단면도이다.
도4는 본 발명에 따른 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의제조방법의 공정도이다.
도5는 도4에 도시된 공정중 세라믹 소자 제조단계를 설명하기 위한 부분 공정도이다.
도6은 하소단계의 열처리 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도7은 소결단계의 열처리 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도8은 전극형성단계의 열처리 과정을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 전극판의 양면에 두개의 압전 세라믹 소자를 각각 접합시킨 외팔보(cantilever) 형태로 길이방향 수축의 차이에 의해 정,역방향의 굴곡변위를 발생시키는 반도체 리드(lead) 와이어 클램핑용 바이모프(bimorph) 액츄에이터의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 리드(lead) 와이어 클램핑용 바이모프(bimorph) 액츄에이터는 전기, 기계 상호변환 작용을 하는 압전 세라믹스에 전기에너지를 가하여 기계적 변위가 발생하는 역압전 효과를 이용하여 반도체의 리드 와이어를 프레임에 연결하고 절단하는 클램프 장치에 사용된다. 이러한 반도체 리드(lead) 와이어 클램핑용 바이모프(bimorph) 액츄에이터의 동작원리는 동일한 두께의 강유전체 재료인 PZT계 등의 압전 세라믹 소자 2장을 전극판을 가운데 두고 접합하여 한쪽 부분을 고정시킨 외팔보 형태로서 두께 방향으로 순방향과 역방향 전압을 인가할 때 길이 방향으로 한 쪽은 신장되고 다른 쪽은 수축되어 전체적으로는 두께 방향으로 굴곡변위(bending displacement)를 발생시키는 방식이다.
종래에는 이러한 구조의 반도체 리드(lead) 와이어 클램핑용 바이모프(bimorph) 액츄에이터를 제조하는 방법으로 구리 등의 금속 전극용 판의 양면에 각각 세라믹 소자용 세라믹 판을 접착시킨 다음, 레이저 절단기로 원하는 형상의 반도체 리드(lead) 와이어 클램핑용 바이모프(bimorph) 액츄에이터로 절단하여 제조하였다. 또한 그 제조 과정에서 상기 세라믹 소자용 세라믹 판의 양면에 각각 은 등의 도전성 금속을 도포하여야 하는데, 종래에는 이러한 도전성 금속을 화학적 증 착법(CVD, chemical vapor deposition)나 스퍼터링(sputtering) 등의 방법을 사용하였다.
그러나, 레이저를 이용한 절단방법이나, 화학적 증착법(CVD) 등의 방법을 사용하는 경우 그 장비가 매우 고가이므로 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 성능은 종래와 동일하고, 제조원가가 상대적으로 현저히 절감된 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 제조방법을 제공함에 목적이 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 제조방법은,
전극판의 양면에 각각 압전 세라믹 소자가 접합되어 외팔보 형태로 구동되는 압전 바이모프 액츄에이터를 제조하는 방법에 있어서,
상기 세라믹 소자들을 제조하는 세라믹 소자 제조단계;
상기 전극판을 제조하는 전극판 제조단계; 및
상기 세라믹 소자 제조단계에서 제조된 세라믹 소자들을 상기 제조단계에서 제조된 전극판의 양면에 각각 접착시키는 접착단계; 를 포함하는 점에 특징이 있다.
상기 세라믹 소자 제조단계는,
바인더가 포함된 세라믹 분말을 상기 세라믹 소자 모양으로 성형하여 세라믹 블럭을 형성하는 성형단계;
상기 성형단계를 거친 세라믹 블럭을 가열하여 상기 바인더를 연소시켜 제거하는 하소 단계;
상기 하소단계를 거친 세라믹 블럭을 융점 이하의 온도로 가열하여 상기 세라믹 블럭의 세라믹 분말입자들이 서로 유착되도록 하는 소결단계;
상기 소결단계를 거친 세라믹 블럭을 소정 두께로 연마하는 연마 단계;
상기 연마 단계를 거친 세라믹 블럭의 양면에 도전성 금속을 도포하는 전극형성단계; 및
상기 전극형성단계에서 제조된 세라믹 소자들에 직류의 고전압을 인가하여 그 세라믹 소자들을 분극시키는 분극단계; 를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 전극형성단계에서 상기 도전성 금속은 스크린 프린팅 방식으로 도포되는 것이 바람직하다.
상기 전극형성단계에서 도포되는 도전성 금속은 은인 것이 바람직하다.
상기 분극단계는 상기 세라믹 소자들을 실리콘유에 담근 상태에서 실시하는 것이 바람직하다.
상기 접착단계는 상기 전극판의 양면에 에폭시수지를 바르고 상기 세라믹 소자를 상기 전극판의 양면에 각각 압착시키는 것이 바람직하다.
상기 접착단계에서 상기 전극판과 상기 세라믹 소자간의 접합면에 균일한 압력이 가해지도록 투명한 유리판을 사용하여 압력을 가하는 것이 바람직하다.
상기 전극판에는 그 양면을 관통하는 관통공이 형성되어 있는 것이 바람직하 다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.
도1은 본 발명에 따른 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 분해 사시도이며, 도2는 도1에 도시된 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 평면사진이며, 도3은 도2에 도시된 Ⅲ-Ⅲ 선의 단면도이며, 도4는 본 발명에 따른 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의제조방법의 공정도이며, 도5는 도4에 도시된 공정중 세라믹 소자 제조단계를 설명하기 위한 부분 공정도이며, 도6은 하소단계의 열처리 과정을 설명하기 위한 도면이며, 도7은 소결단계의 열처리 과정을 설명하기 위한 도면이며, 도8은 전극형성단계의 열처리 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예의 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터(100)는 전극판(50)과, 2개의 세라믹 소자(60)로 이루어져 있다. 상기 세라믹 소자(60)의 양면에는 은 막(65)이 형성되어 있다. 이들 전극판(50)과, 세라믹 소자(60)들의 기본 기능에 대해서는 후술하기로 하고, 그 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터(100)의 제조방법의 일례를 설명하기로 한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예의 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터(100)의 제조방법은 전극판 제조단계(S10)와, 세라믹 소자 제조 단계(S20)와, 접착단계(S30)를 포함하고 있다.
상기 전극판 제조단계(S10)는 인청동 베릴륨 등의 전기적 도전성이 탄성이 우수한 소재중 어느나 하나를 액츄에이터용 전극판 형태로 가공하는 공정이다. 상기 전극판(50)은 도1에 도시된 바와 같이 양면을 관통하는 관통공(52)이 복수개 형성되어 있다. 상기 전극판(50)의 절단 및 관통공(52)의 가공은 널리 알려진 방전가공에 의해 이루어진다.
상기 세라믹 소자 제조단계(S20)는 도5에 도시된 바와 같이 원료분말 준비단계(S21)와, 성형단계(S22)와, 하소 단계(S23)와, 소결단계(S24)와, 연마단계(S25)와, 전극형성단계(S26)와, 분극단계(S27)를 포함하고 있다.
상기 원료분말 준비단계(S21)에서는 Pb(SbxNb1-x)y(Zr0.47Ti0.45)1-yO3(0<x<1, 0<y<1)의 조성을 가지는 PZT계 원료분말을 증류수와, 소포제와, 분산제와, 이형제를 첨가하여 혼합한다. 상기 혼합은 상기 원료분말 50kg에 증류수 60ℓ를 넣고 볼밀을 사용하여 40rpm의 회전속도로 24시간 정도 혼합하였다. 상기 이형제는 후술하는 성형단계에서 성형물이 금형에서 쉽게 분리될 수 있도록 하기 위하여 첨가되는 것이다. 상기 분산제는 상기 PZT계 원료 분말중 PbO와 ZrTiO3의 비중차이로 인한 혼합문제를 해결하여 원활한 혼합이 가능하도록 하기 위하여 첨가된다. 상기 소포제는 상기 원료분말의 혼합시 거품이 발생하지 않도록 하기 위해 첨가되는 것이다. 이렇게 원료분말과 증류수 등의 혼합과정이 끝나면 그 혼합액을 수십장의 거름판과 거름천을 사용하여 증류수를 걸러낸다. 이 때 상기 혼합액에 가해지는 압력은 4kgf/cm2 내지 10kgf/cm2정도로 유지하며, 그 압력을 위한 동력원은 유압프레스를 사용한다. 그런 다음, 혼합액에서 여분의 수분을 더 제거하기 위해 건조기에서 150℃로 10시간 건조시킨다. 그러면, 수분이 제거된 PZT 고형물을 얻을 수 있다. 상기 PZT 고형물을 잘게 분쇄한다. 그런 다음, 혼합된 원료분말을 850℃ 내지 1000℃에서 2시간 정도 유지하여 상기 원료분말에 포함된 여러가지 조성물들이 화합물화 되도록 한다. 이와 같은 열처리를 거친후 다시 고형화된 덩어리들을 분쇄한다. 이와 같이 분쇄된 분말에 다시 바인더로 폴리비닐알콜(PVA, polyvinyl alcohol)을 첨가하며, 이에 더하여 소포제와 이형제를 첨가하고 볼밀을 사용하여 35rpm으로 24시간 혼합시킨다. 여기에서 바인더란 일종의 접착제로서 후술하는 성형단계(S22)에서 원료분말의 고형화가 원활하게 이루어지도록 하는 역할을 한다. 이와 같이 혼합된 혼합물을 분사하면서 고열로 수분을 제거한다. 이렇게 준비된 원료분말을 체로 걸러내어 분진가루는 송풍기로 흡입키고 고른입자를 가진 최종 원료분말을 얻는다.
상기 성형단계(S22)에서는 널리 알려진 유압 프레스기로 상기 최종 원료분말을 가압하여 상기 전극판(50)과 같은 형태의 단면형상을 가지는 세라믹 블럭(미도시)으로 만든다. 이 때 상기 세라믹 블럭의 두께는 2mm 정도이다. 이 성형단계에서 상기 폴리비닐알콜(PVA)은 원료분말 입자들이 성형된 상태로 유지될 수 있도록 각 입자들을 결합시키는 역할을 한다.
상기 하소단계(S23)에서는 성형단계에서 제조된 상기 세라믹 블럭을 열처리로에 넣고 도6에 도시된 바와 같이 상온으로부터 650℃까지 서서히 승온시킨다. 이 는 상기 세라믹 블럭에서 잔존유기물질을 연소시켜 제거하기 위한 것이다. 이 과정에서 상기 잔존유기물의 완전 연소를 위해 공기를 상기 열처리로에 공급해 준다. 또한 상기 승온공정이 끝나고 상온까지 냉각하는 과정에서는 급냉에 의한 균열(crack)이 발생하지 않도록 서냉 하는 것이 바람직하다.
상기 소결단계(S24)에서는 상기 하소단계(S23)에서 제조된 상기 세라믹 블럭을 열처리로에서 도7에 도시된 바와 같이 상온으로부터 상기 최종 원료분말의 융점 이하인 약 1200℃까지 승온시켜서 가열한다. 이 단계에서 상기 세라믹 블럭을 이루는 입자들은 그 분말 입자끼리 유착하여 공극이 감소되며, 치밀하고 강도가 큰 고체 덩어리가 된다. 이 현상을 소결(燒結, sintering)이라고 하며, 그 원리는 널리 공지된 것이므로 상세한 서술은 생략하기로 한다. 이 과정에서, 상기 세라믹 블럭으로부터 PbO가 증발되는 것을 억제시키기 위해 도가니로 상기 세라믹 블럭을 감싸주는 것이 바람직하다.
상기 연마단계(S25)에서는 상기 소결단계에서 제조된 세라믹 블럭을 약 0.3mm가 되도록 양면을 연마시킨다. 이와 같이 상기 세라믹 블럭을 연마시키는 이유는 세라믹 소자(60)로서 작동하기 위해서는 Pb의 양이 일정량 이상 그 세라믹 소자(60)에 포함되어 있어야 하는데, 상기 소결단계(S24)에서 Pb가 양쪽 표면부로부터 증발되기 때문에 중심부에 있는 세라믹 블럭을 세라믹 소자(60)로 사용하기 위한 것이다. 상기 연마단계(S25)에서는 SiC 분말을 연마제로 사용하며, 그 연마제의 입도는 20㎛ 정도이다. 상기 SiC분말 15%와 물 80%와, 수용성 절삭유 5%를 무게비로 혼합하여 연마용액으로 사용한다.
상기 전극형성단계(S26)에서는 상기 연마단계(S25)를 거친 세라믹 블럭의 양면에 스크린 프린팅방식으로 전기적으로 도전성이 우수한 은을 페이스트 상태로 도포시킨다. 이 때 주의할 것은 상기 세라믹 블럭의 양면에 도포된 은 막(65)이 서로 연결되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 상기 세라믹 블럭의 양면에 도포된 은 막이 서로 연결되면 후술하는 분극단계에서 분극이 되지 않는 문제점이 있다. 상기 세라믹 블럭의 양면에 도포된 은과 그 세라믹 블럭이 잘 고착화된 세라믹 소자를 만들기 위해 도8에 도시된 바와 같이 은이 도포된 세라믹 블럭을 약 800℃까지 가열하였다가 냉각시킨다.
상기 분극단계(S27)에서는 상기 전극형성단계(S26)에서 제조된 세라믹 소자(60)들에 직류의 고전압을 인가하여 상기 세라믹 소자(60)들을 분극시킨다. 상기 분극단계(S27)에서는 상기 전극판(50)과 세라믹 소자(60)들이 접착된 상태로 전기적으로 절연성이 우수한 실리콘유에 담근 다음 상기 전극판(50)의 양면에 접착된 세라믹 소자(60)에 최대전압 30KV, 최대전류 5mA의 전압을 인가하여 8시간 이상 분극시킨다.
상기 전극판 제조단계(S10)와 상기 세라믹 소자 제조단계(S20)의 순서는 도4에 도시된 바와 같이 상기 전극판 제조단계(S10)가 먼저 행해질 수도 있으나, 그 순서가 서로 바뀌어도 본 발명의 목적을 달성함에는 영향이 없다.
상기 접착단계(S30)에서는 상기 세라믹 소자 제조단계(S20)에서 제조된 세라믹 소자(60)들을 상기 전극판(50)의 양면에 접착시킨다. 이 과정에서 상기 전극판(50)의 양면에 접착제로 에폭시 수지 등을 바르고 상기 세라믹 소자(60)를 상기 전극판(50)의 양면에 각각 압착시키는 것이 바람직하다. 이 때 상기 세라믹 소자(60)들을 압착시키기 위한 수단으로써 투명한 유리판을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 투명한 유리판은 압력이 가해지는 면의 평탄도가 우수하며, 작업자가 상기 전극판(50)과 그 전극판(50)에 부착되는 세라믹 소자(60)들을 보면서 압력을 가할 수 있으므로 상기 전극판(50)과 상기 세라믹 소자(60)들의 테두리가 잘 맞추어 지도록 하는 것이 가능하기 때문이다. 이 과정에서 상기 전극판(50)에 형성된 관통공(52)은 그 전극판(50)의 양면에 부착되는 세라믹 소자(60)들을 서로 연결하여 접착강도를 높혀주는 역할을 한다.
이와 같은 방법에 의해 제조된 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터(100)의 평면 사진이 도2에 도시되어 있다. 상기 도2에 도시된 Ⅲ-Ⅲ 선의 단면도가 도3에 도시되어 있다.
이하, 이러한 구성을 가지는 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터(100)의 작용을 상세하게 설명하기로 한다.
상기 전극판(50)에는 0V 또는 300V의 전압이 일정한 시간 간격을 두고 번갈아 인가된다. 상기 전극판(50)에 접합된 세라믹 소자(60)들은 그 소자들에 전원이 인가되지 전에는 동일한 분극상태를 가지도록 접합되어 있다. 즉, 도3에 도시된 바와 같이 상측에 양전하가 집중되고 하측에 음전하가 배치되어 있다. 이 상태에서 도3에서 상측에 배치된 세라믹 소자(60)의 상면에 300V의 전압이 가해지고, 하측에 배치된 세라믹 소자(60)의 하면에 0V의 전압이 가해지면, 역압전 효과에 의해 상기 상측에 배치된 세라믹 소자(60)는 길이가 신장되고, 하측에 배치된 세라믹 소자(60)는 길이가 변하지 않는다. 따라서 상기 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터(100)는 하측으로 휜다. 한편, 상기 전극판(50)에 300V의 전원이 인가되면, 역압전 효과에 의해 상측에 배치된 세라믹 소자(60)는 길이변화가 없고, 하측에 배치된 세라믹 소자(60)는 길이가 신장된다. 따라서 상기 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터(100)는 상측으로 휜다. 이와 같이 상기 전극판(50)에 번갈아 0V와 300V의 전압을 번갈아 인가하면 클램핑 작용이 가능한 액츄에이터가 되는 것이다. 상기 전극판(50)에 가해지는 접압차를 크게하면 굽혀지는 변위가 커지게 된다는 것은 공지의 압전 세라믹의 원리에 의해 쉽게 이해될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 제조방법은 레이저기기 등의 고가의 장비를 사용하지 않고서도 종래의 액츄에이터와 동일한 성능을 가지는 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터(100)를 제작할 수 있으므로 그 제조원가를 현저하게 낮출수 있는 효과가 있다. 한편, 본 발명의 실시예에서와 같이 상기 도전성 금속을 스크린 프린팅 방식으로 도포하면, 고가의 화학적 증착장치나 스퍼터링 장치가 필요없으므로 더욱 더 제조원가가 절감되는 효과가 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 전극형성단계에서 상기 도전성 금속은 스크린 프린팅 방식으로 도포되는 것으로 서술하였으나, 상기 도전성 금속은 종래와 같이 화학적 증착법이나 스퍼터링 등의 방법에 의하더라도 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 전극형성단계에서 도포되는 도전성 금속은 은인 것으로 서술하였으나, 도전성이 우수한 금속이라면 금 등의 다른 금속을 사용하더라도 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 접착단계는 상기 전극판(50)의 양면에 에폭시수지를 바르고 상기 세라믹 소자(60)를 상기 전극판(50)의 양면에 각각 압착시키는 것으로 서술하였으나, 상기 에폭시 수지를 사용하지 않더라도 적절한 다른 접착제를 사용하더라도 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 접착단계에서 상기 전극판(50)과 상기 세라믹 소자(60)간의 접합면에 균일한 압력이 가해지도록 투명한 유리판을 사용하여 압력을 가하는 것으로 서술하였으나, 평탄도가 우수한 압착수단이라면 유리판이 아니어도 본 발명의 목적을 달성할 수 있으며, 반투명 또는 불투명한 압착수단을 사용하더라도 효율은 떨어지겠지만 본 발명의 범위에서 벗어나는 것은 아니다.
본 발명의 실시예에서, 상기 전극판(50)에는 그 양면을 관통하는 관통공이 형성되어 있는 것으로 도시하였으나, 접착제의 성능이 우수하다면 상기 관통공이 없더라도 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
이상, 바람직한 실시예를 들어 본 발명에 대해 설명하였으나, 본 발명이 그러한 예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주 내에서 다양한 형태의 실시예가 구체화될 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 제조방법은, 레이저기기 등의 고가의 장비를 사용하지 않고서도 종래의 액츄에이터와 동일한 성능을 가지는 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터를 제작할 수 있으므로, 그 제조원가를 현저하게 낮출수 있는 효과가 있다. 한편, 본 발명의 실시예에서와 같이 상기 도전성 금속을 스크린 프린팅 방식으로 도포하면, 고가의 화학적 증착장치나 스퍼터링 장치가 필요없으므로 더욱 더 제조원가가 절감되는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 전극판의 양면에 각각 압전 세라믹 소자가 접합되어 외팔보 형태로 구동되는 압전 바이모프 액츄에이터를 제조하는 방법에 있어서,
    상기 세라믹 소자들을 제조하는 세라믹 소자 제조단계;
    상기 전극판을 제조하는 전극판 제조단계; 및
    상기 세라믹 소자 제조단계에서 제조된 세라믹 소자들을 상기 제조단계에서 제조된 전극판의 양면에 각각 접착시키는 접착단계; 를 포함하며,
    상기 세라믹 소자 제조단계는,
    바인더가 포함된 세라믹 분말을 상기 세라믹 소자 모양으로 성형하여 세라믹 블럭을 형성하는 성형단계;
    상기 성형단계를 거친 세라믹 블럭을 가열하여 상기 바인더를 연소시켜 제거하는 하소 단계;
    상기 하소단계를 거친 세라믹 블럭을 융점 이하의 온도로 가열하여 상기 세라믹 블럭의 세라믹 분말입자들이 서로 유착되도록 하는 소결단계;
    상기 소결단계를 거친 세라믹 블럭을 소정 두께로 연마하는 연마 단계;
    상기 연마 단계를 거친 세라믹 블럭의 양면에 도전성 금속을 도포하는 전극형성단계; 및
    상기 전극형성단계에서 제조된 세라믹 소자들에 직류의 고전압을 인가하여 그 세라믹 소자들을 분극시키는 분극단계; 를 포함하며,
    상기 전극형성단계에서 상기 도전성 금속은 스크린 프린팅 방식으로 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접착단계는 상기 전극판의 양면에 에폭시수지를 바르고 상기 세라믹 소자를 상기 전극판의 양면에 각각 압착시키며,
    상기 접착단계에서 상기 전극판과 상기 세라믹 소자간의 접합면에 균일한 압력이 가해지도록 투명한 유리판을 사용하여 압력을 가하며,
    상기 전극판에는 그 양면을 관통하는 관통공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제4항의 방법에 의해 제조된 반도체 소자 리드 와이어 클램핑용 압전 바이모프 액츄에이터.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20000013070U (ko) * 1998-12-23 2000-07-15 신현준 고주파수 대역의 변위 제어용 압전 바이몰프 액츄에이터
WO2004015728A1 (en) 2002-08-08 2004-02-19 Xcom Wireless, Inc. Microfabricated double-throw relay with multimorph actuator and electrostatic latch mechanism
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