KR100781367B1 - 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자 - Google Patents

광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자 Download PDF

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Abstract

광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 기판; 기판 상에 위치하는 절연층; 중앙 부분이 절연층과 소정의 간격만큼 이격되어 위치하는 구조물층; 구조물층의 중앙 부분 상에 위치하고, 입사광을 반사 또는 회절시키는 상부 광반사층; 상부 광반사층 상에 위치하고, 상부 광반사층을 보호하는 상부 광반사층 보호막; 및 구조물층 상에 위치하고, 구조물층의 중앙 부분을 상하로 움직이게 하는 압전 구동체를 포함하는 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자가 제공된다. 본 발명에 의하면, 광반사층 상에 보호막을 형성하여 주변 수분 및 열에 의한 광반사층의 표면 산화 또는 열화를 방지함으로써, 광변조기 소자의 광 회절 특성 및 그 신뢰성을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
광변조기 소자, 광반사층, 광반사층 보호막.

Description

광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자{Spatial optical modulator having a protective layer on a light reflective layer}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 적용 가능한 압전 방식의 광변조기 소자의 일 형태를 나타낸 사시도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 적용 가능한 압전 방식의 광변조기 소자의 다른 형태를 나타낸 사시도.
도 3은 도 1의 광변조기 소자로 구성된 광변조기 소자 어레이의 평면도.
도 4는 도 3의 광변조기 소자 어레이에서의 광변조 원리를 설명하기 위한 도면.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자의 구조를 나타낸 사시도.
도 6은 도 5에 도시된 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자의 단면도.
도 7은 도 6에 도시된 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자의 제조 공정도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 기판
120 : 절연층
120a : 하부 광반사층
120b : 하부 광반사층 보호막
130 : 희생층
140 : 구조물층
140a : 상부 광반사층
140b : 상부 광반사층 보호막
150 : 압전 구동체
본 발명은 멤스 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광변조기 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
멤스(MEMS : Micro Electro Mechanical System)는 초소형 전기 기계 시스템 또는 소자를 말하며, 멤스(MEMS) 기술은 반도체 제조기술을 이용해 실리콘 기판 위에 3차원의 구조물을 형성하는 기술이다. 이러한 멤스(MEMS)는 다양한 응용 분야의 하나로서 광학 분야에 응용되고 있다. 멤스(MEMS) 기술을 이용하면 1mm보다 작은 광학부품을 제작할 수 있으며, 이를 통해 초소형 광시스템을 구현할 수 있다. 초소형 광시스템에 해당하는 광변조기 소자, 마이크로 렌즈 등의 마이크로 광학 부품은 빠른 응답속도와 작은 손실, 집적화 및 디지털화의 용이성 등의 장점으로 인하여 통신장치, 디스플레이 및 기록장치에 채택되어 응용되고 있다.
광변조기 소자는 광섬유 또는 광주파수대(光周波數帶)의 자유공간을 전송매체로 하는 경우에 송신기에서 신호를 빛에 싣는(광변조) 회로 또는 장치이다. 광 변조기 소자는 크게 직접 광의 온/오프를 제어하는 직접 방식과 빛의 반사 및 회절을 이용하는 간접 방식으로 나뉘며, 간접 방식은 다시 구동되는 방식에 따라 정전기 방식과 압전 방식으로 나뉜다.
이때, 간접 방식의 광변조기 소자에서는 그 구동방식에 상관없이 입사광이 반사된 반사광의 경로 차이에 의해 발생하는 간섭을 통해 광변조를 수행하게 된다. 따라서, 광변조기 소자는 빛을 반사 또는 회절시키기 위한 광반사층을 반드시 필요로 하며, 광변조기 소자의 광 회절 효율을 향상 시키기 위해서는 광반사층의 표면 특성이 극대화되어야 한다.
그러나 광반사층의 성막 공정 또는 그 이후의 제조 공정 중에 발생하는 열에 의해 광반사층의 표면 열화가 커지게 되며, 온도 변화에 따른 광반사층의 스트레스 변화도 매우 커지게 된다.
또한, 광반사층의 성막 공정 또는 그 이후의 제조 공정 중에 발생하는 주변의 수분에 의해 광반사층의 표면이 산화되는 문제가 있다.
결국 이러한 광반사층의 특성의 열화는 광변조기 소자 전체의 광 회절 특성 에 악영향을 미치며, 광변조기 소자의 신뢰성을 떨어뜨리는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 열 또는 수분에 의한 광반사층 표면의 열화 및 산화를 방지할 수 있는 광변조기 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 보호막을 통해 광반사층의 특성을 개선시킴으로써, 광변조기 소자 전체의 광 회절 특성 및 그 신뢰성을 극대화시킬 수 있는 광변조기 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 이외의 목적들은 하기의 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판; 기판 상에 위치하는 절연층; 중앙 부분이 절연층과 소정의 간격만큼 이격되어 위치하는 구조물층; 구조물층의 중앙 부분 상에 위치하고, 입사광을 반사 또는 회절시키는 상부 광반사층; 상부 광반사층 상에 위치하고, 상부 광반사층을 보호하는 상부 광반사층 보호막; 및 구조물층 상에 위치하고, 구조물층의 중앙 부분을 상하로 움직이게 하는 압전 구동체를 포함하는 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자가 제공된다.
또한, 본 발명에 따른 광변조기 소자는 절연층의 상부 및 구조물층의 하부에 위치하고, 구조물층을 지지하는 희생층을 더 포함할 수 있다. 여기서, 희생층은 구 조물층의 중앙 부분의 하면에 위치하는 부분이 식각되어 절연층과 소정의 간격만큼 이격되게 한다.
또한, 본 발명에 따른 광변조기 소자는 절연층 상에 위치하고, 입사광을 반사 또는 회절시키는 하부 광반사층; 및 하부 광반사층 상에 위치하고, 하부 광반사층을 보호하는 하부 광반사층 보호막을 더 포함할 수 있다.
여기서, 하부 광반사층 보호막 또는 상부 광반사층 보호막의 두께는 10-3㎛ 이상 1㎛ 이하인 것이 바람직하다.
여기서, 하부 광반사층 보호막 또는 상부 광반사층 보호막의 재료는 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON 및 SiOF 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 하부 광반사층 보호막 또는 상부 광반사층 보호막은 복수 층으로 구성될 수 있고, 복수 층의 층별 재료는 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON 및 SiOF 중 어느 하나일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자를 상세히 설명하되, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 본 명세서의 설명 과정에서 이용되는 숫자(예를 들어, 제1, 제2 등)는 동일 또는 유사한 개체를 순차적으로 구분하기 위한 식별기호에 불과하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명하기에 앞서 본 발명에 적용되는 압전 방식의 광변조기 소자에 대해서 먼저 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 적용 가능한 압전 방식의 광변조기 소자의 일 형태를 나타낸 사시도이며, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 적용 가능한 압전 방식의 광변조기 소자의 다른 형태를 나타낸 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 적용되는 압전 방식의 광변조기 소자는 기판(110), 절연층(120), 희생층(130), 구조물층(140) 및 압전 구동체(150)를 포함한다. 또한, 구조물층(140)의 중앙 부분에는 복수의 홀(hole)(140(b), 140(d))이 구비되어 있다. 이때, 홀이 형성되어 있지 않은 구조물층(140)의 중앙 부분 상에는 상부 광반사층(140(a), 140(c))이 형성될 수 있고, 홀의 위치와 대응되는 절연층(120) 상에는 하부 광반사층(120(a), 120(b))이 형성될 수 있다. 또한, 압전 구동체(150)는 상부 및 하부 전극간의 전압차에 의해 발생하는 상하 또는 좌우의 수축 또는 팽창 정도에 따라 구조물층(140)을 상하로 움직이도록 제어한다.
이 외에 광변조기 소자의 각 부분에 대해서는 후술할 도 5의 설명에서 상세히 설명하기로 하며, 이하 도 3 및 도 4에서는 구조물층(140)과 절연층(120)간의 높이 변화에 따른 광변조 원리를 중심으로 설명한다.
도 3은 도 1의 광변조기 소자로 구성된 광변조기 소자 어레이의 평면도이고, 도 4는 도 3의 광변조기 소자 어레이에서의 광변조 원리를 설명하기 위한 도면이 다. 이때, 도 4는 도 3의 BB'선을 기준선으로 하여 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 광변조기 소자 어레이는 각각 제1 화소(pixel #1), 제2 화소(pixel #2), …, 제m 화소(pixel #m)를 담당하는 m개의 광변조기 소자(100-1, 100-2, …, 100-m)로 구성된다. 광변조기 소자 어레이는 수직 주사선 또는 수평 주사선(여기서, 수직 주사선 또는 수평 주사선은 m개의 화소로 구성되는 것으로 가정함)의 1차원 영상에 대한 영상 정보를 담당하며, 각 광변조기 소자(100-1, 100-2, …, 100-m)는 수직 주사선 또는 수평 주사선을 구성하는 m개의 화소 중 어느 하나의 화소들을 담당한다. 따라서, 각각의 광변조기 소자에서 반사 및 회절된 광은 이후 광 스캔 장치에 의해 스크린에 2차원 영상으로 투사된다. 예를 들면, VGA 640*480 해상도의 경우 480개의 수직 화소에 대해 광 스캔 장치(미도시)의 한 면에서 640번 모듈레이션을 하여 광 스캔 장치의 한 면당 화면 1 프레임이 생성된다. 여기서, 광 스캔 장치는 폴리곤 미러(Polygon Mirror), 회전바(Rotating bar) 또는 갈바노 미러(Galvano Mirror) 등이 이용될 수 있다.
이하 제1 화소(pixel #1)를 중심으로 광변조 원리에 대하여 설명하지만, 다른 화소들에 대해서도 동일한 내용이 적용 가능함은 물론이다.
본 실시예에서는 도 1에서와 같이 구조물층(140)에 형성된 홀(140(b)-1)이 2개인 것으로 가정한다. 2개의 홀(140(b)-1)로 인하여 구조물층(140) 상부에는 3개의 상부 광반사층(140(a)-1)이 형성된다. 절연층(120)에는 2개의 홀(140(b)-1)에 상응하여 2개의 하부 광반사층이 형성된다. 그리고 제1 화소(pixel #1)와 제2 화소(pixel #2) 사이의 간격에 의한 부분에 상응하여 절연층(120)에는 또 하나의 하 부 광반사층이 형성된다. 따라서, 각 화소당 상부 광반사층(140(a)-1)과 하부 광반사층(120(a)-1)의 개수는 동일하게 되며, 이를 통하여 0차 회절광 또는 ±1차 회절광을 이용한 변조광의 휘도 조절이 가능해진다.
도 4를 참조하면, 빛의 파장이 λ인 경우 상부 광반사층(140(a))이 형성된 구조물층(140)과 하부 광반사층(120(a))이 형성된 절연층(120)간의 간격이(2n)λ/4(n은 자연수)가 되도록 하는 제1 전압이 압전 구동체(150)에 인가된다(도 4의 (a) 참조). 이때, 0차 회절광(반사광)의 경우 상부 광반사층(140(a))에서 반사된 광과 하부 광반사층(120(a))에서 반사된 광 사이의 전체 경로차는 nλ와 같아서 보강 간섭을 하여 회절광은 최대 휘도를 가진다. 여기서, +1차 및 -1차 회절광의 경우 광의 휘도는 상쇄 간섭에 의해 최소값을 가진다.
또한, 상부 광반사층(140(a))이 형성된 구조물층(140)과 하부 광반사층(120(a))이 형성된 절연층(120)간의 간격이 (2n+1)λ/4(n은 자연수)가 되도록 하는 제2 전압이 압전 구동체(150)에 인가된다(도 4의 (b) 참조). 이때, 0차 회절광(반사광)의 경우 상부 광반사층(140(a))에서 반사된 광과 하부 광반사층(120(a))에 반사된 광 사이의 전체 경로차는 (2n+1)λ/2와 같아서 상쇄 간섭을 하여 회절광은 최소 휘도를 가진다. 여기서, +1차 및 -1차 회절광의 경우 보강 간섭에 의해 광의 휘도는 최대값을 가진다.
이러한 간섭의 결과, 광변조기 소자는 반사 또는 회절광의 광량을 조절하여 신호를 빛에 실을 수 있다. 이상에서는, 상부 광반사층(140(a))이 형성된 구조물층(140)과 하부 광반사층(120(a))이 형성된 절연층(120)간의 간격이 (2n)λ/4 또는 (2n+1)λ/4인 경우를 설명하였으나, 입사광의 회절 또는 반사에 의해 간섭되는 세기를 조절할 수 있는 간격을 가지고 구동할 수 있는 다양한 실시예가 본 발명에 적용될 수 있음은 자명하다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자의 구조를 나타낸 사시도이고, 도 6은 도 5에 도시된 광변조기 소자의 단면도이다.
이하의 도면에서는 도 5에서 도시된 바와 같이 구조물층(140)의 중앙 부분에 홀을 구비하고 있는 광변조기 소자를 중심으로 설명하지만, 이는 일 예에 불과하며 본 발명의 권리범위를 제한하는 것이 아님은 물론이다. 즉, 광 회절 특성을 구현하기 위해 전극간 인가되는 전압에 따라 수축 및 팽창하여 리본에 상하 구동력을 발생시키는 압전 구동체를 포함하는 광변조기 소자라면 어느 것이든 본 발명에 이용 가능하다. 여기서, 리본은 구조물층(140) 중 압전 구동체(150)에 의해 발생하는 구동력에 의해 상하로 움직일 수 있는 소정의 부분을 통칭하는 용어로 사용하며, 본 예에서는 구조물층(140)의 중앙 부분이 여기에 해당한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 광변조기 소자는 기판(110), 절연층(120), 하부 광반사층(120a), 하부 광반사층 보호막(120b), 희생층(130), 구조물층(140), 상부 광반사층(140a), 상부 광반사층 보호막(140b) 및 압전 구동체(150) 를 포함한다.
기판(110)은 일반적으로 사용되는 반도체 기판이며, 기판(110)을 구성하는 물질로는 실리콘(Si), 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 수정(Quartz), 실리카(SiO2) 등의 물질이 사용될 수 있다.
기판(110) 상에는 절연층(120)이 위치한다. 절연층(120)은 식각 정지층(etch stop layer)으로서 역할하며, 희생층(130)으로 사용되는 물질을 식각하는 에천트(여기서 에천트는 식각 가스 또는 식각 용액임)에 비해 선택비가 높은 물질로 형성된다. 이때, 절연층(120)으로 사용되는 물질은 실리카(SiO2) 등 일 수 있다.
절연층(120) 상에는 빛을 반사하여 회절시킬 수 있는 광반사층(이하'하부 광반사층'이라 함)(120a)이 형성된다. 하부 광반사층(120a) 상에는 하부 광반사층(120a)을 보호하기 위한 보호막(이하하부 광반사층 보호막'이라 함)(120b)이 형성될 수 있다.
다만, 도 5의 광변조기 소자와 달리 홀이 구비되어 있지 않은 광변조기 소자의 경우에는 절연층(120) 상에 하부 광반사층(120a)을 형성할 필요가 없다. 이러한 경우에는 하부 광반사층 보호막(120b)도 형성할 필요가 없을 것이다.
하부 광반사층(120a) 및 하부 광반사층 보호막(120b)에 대한 상세한 설명은 추후 상부 광반사층(140a) 및 상부 광반사층 보호막(140b)의 설명에서 함께 하기로 한다.
절연층(120) 상에는 희생층(130)이 위치한다. 이때, 희생층(130)으로는 실리콘(Si) 또는 폴리 실리콘(Poly-Si) 등의 물질이 사용될 수 있다.
희생층(130)은 절연층(120) 상에 적층된 후, 후술할 공정(도 7의 (f) 참조) 을 통해 일부 또는 전부가 식각될 수 있다. 이러한 식각 공정에 의해 구조물층(140)의 중앙 부분이 절연층(120)과의 사이에서 구동 공간을 확보하며 소정의 간격만큼 이격될 수 있게 한다. 여기서, 구동 공간은 구조물층(140)과 절연층(120) 사이의 빈 공간을 의미하며, 확보된 구동 공간을 통해 구조물층(140)의 중앙 부분 즉, 리본은 압전 구동체(150)의 구동력에 상응하여 상하로 움직일 수 있게 된다. 또한, 식각 공정을 통해 제거되지 않은 희생층(130)은 구조물층(140)을 지지하는 역할을 하게 된다.
이때, 도 5가 예시하는 광변조기 소자에서는 희생층(130)의 일부만이 식각되므로 희생층(130)이 절연층(120)의 양 측단 상에 위치하여 구조물층(140)을 지지하고 있지만, 희생층(130)은 후술할 공정(도 7의 (g) 참조)을 통해 그 전부가 식각될 수도 있다. 이러한 경우 희생층(130)은 구조물층(140)을 지지하는 역할은 하지 않으며, 구조물층(140)이 상하로 움직일 수 있는 구동 공간을 확보하는 역할만을 할 수도 있다. 즉, 희생층(130)의 식각 공정에 상응하여 확보되는 구동 공간의 위치가 달라질 수 있다. 또한, 확보되는 구동 공간의 위치가 달라지는 경우에는 이에 상응하여 구조물층(140) 중 리본의 위치도 달라질 수 있음은 물론이다.
희생층(130) 상에는 구조물층(140)이 위치한다. 여기서, 구조물층(140)으로는 Si3N4 등 실리콘나이트나이드 계열(SiXNY)의 물질이 사용될 수 있다.
구조물층(140)은 후술할 공정(도 7의 (e) 참조)을 통해 특정 형태(본 예에서는 구조물층(140)의 중앙 부분에 1개 이상의 홀을 구비한 형태)가 형성되도록 선택 적으로 식각될 수 있다.
구조물층(140) 중앙 부분 즉, 리본 상에는 빛을 반사 또는 회절시킬 수 있는 광반사층(이하,'상부 광반사층'이라 함)(140a)이 형성된다. 상부 광반사층(140a) 상에는 상부 광반사층을 보호하기 위한 보호막(이하'상부 광반사층 보호막'이라 함)(140b)이 형성될 수 있다. 상부 광반사층(140a) 및 상부 광반사층 보호막(140b)에 대한 상세한 설명은 별도로 후술한다.
구조물층(140) 상에는 압전 구동체(150)가 위치한다. 압전 구동체(150)는 압전 방식에 따라 리본이 상하로 움직일 수 있도록 하는 구동력을 발생시킨다.
압전 구동체(150)는 하부 전극(151)과, 하부 전극(151) 상에 형성되며 소정의 전압이 인가되면 수축 및 팽창하여 상하 구동력을 발생시키는 압전층(152) 및 압전층(152) 상에 형성되며 하부 전극(151) 간에 압전층(152)에 형성되는 소정의 전압을 인가하는 상부 전극(153)을 포함한다.
이때, 하부 또는 상부 전극(151, 153)의 전극재료로는 백금(Pt), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), IrO2, RuO2 등이 사용될 수 있으며, 상술한 전극재료의 조합 중 어느 하나가 사용될 수도 있다. 하부 또는 상부 전극(151, 153)은 0.01~3㎛ 범위에서 스퍼터(sputter) 또는 진공 증착(evaporation) 등의 방법으로 형성할 수 있다.
압전층(152)은 하부 전극(151) 상에 습식(스크린 프린팅, Sol-Gel coating 등) 및 건식 방법(스퍼터링, Evaporation, MOCVD, Vapor Deposition 등)으로 0.01~20.0㎛ 범위에서 형성할 수 있다. 여기에서 압전층(152)으로서는 PZT, PNN-PT, PLZT, AlN, ZnO 등의 압전 재료가 사용할 수 있으며, 납(Pb), 지르코늄(Zr), 아연(Zn) 또는 티타늄(Ti) 등의 원소를 한 개 이상 포함하여 구성되는 압전 전해 재료도 사용 가능하다.
이하, 도 5의 A부분을 참조하여 상부 광반사층(140a) 및 상부 광반사층 보호막(140b)을 상세히 설명하기로 하며, 하기의 내용들은 하부 광반사층(120a) 및 하부 광반사층 보호막(120b)에도 동일하게 적용된다.
도 5의 A부분을 참조하면, 구조물층(140)의 중앙 부분 즉, 리본 상에는 상부 광반사층(140a)이 형성되어 있고, 상부 광반사층(140a) 상에는 상부 광반사층(140a) 표면의 열화 또는 산화를 방지하기 위한 상부 광반사층 보호막(140b)이 형성되어 있다.
상부 광반사층(140a)으로는 다양한 광반사 물질(예를 들어 금속재료(Pt, Cr, Ag 등))이 사용될 수 있지만, 상부 광반사층(140a)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)인 것이 바람직하다. 이는 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 광반사층의 성막 공정 또는 그 이후의 제조 공정 중에 발생하는 열에 의한 표면 열화 및 온도 변화에 따른 스트레스 변화가 다른 광반사 물질에 비해 작기 때문이다.
상부 광반사층 보호막(140b)은 상부 광반사층(140a) 상에 형성되어 주변 수분이 상부 광반사층(140a)과 직접 반응하는 것을 차단함으로써 광반사층이 산화되는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한, 상부 광반사층 보호막(140b)은 상부 광반사 층(140a)의 성막 공정 또는 그 이후의 제조 공정 중에 발생하는 열에 의한 광반사층의 표면 열화 및 온도 변화에 의한 광반사층의 스트레스 변화를 방지하는 역할을 한다. 즉, 상부 광반사층 보호막(140b)은 상부 광반사층(140a)의 표면 열화 또는 산화를 방지함으로써 광변조기 소자의 광 회절 효율 및 그 신뢰성을 향상시킨다.
상부 광반사층 보호막(140b)으로는 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2) , Si3N4 등 실리콘나이트나이드 계열(SiXNY), SiON 및 SiOF 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 또한, 상부 광반사층 보호막(140b)은 복수 층으로 구성될 수도 있으며, 이 경우 복수 층을 구성하는 각 층별 재료도 상술한 물질들이 사용될 수 있음은 물론이다.
여기서, 상부 광반사층 보호막(140b)의 두께는 10-3㎛ 이상 1㎛ 이하인 것이 바람직하다. 상기 하한치(10-3㎛)는 상부 광반사층 보호막(140b)이 광반사층의 열화 또는 산화를 방지하는 보호막으로서 역할이 가능한 최소한의 두께를 설정한 것이며, 또한 상기 상한치(1㎛)는 상부 광반사층(140a)의 광반사 특성에 영향을 주지 않을 범위 내에서 형성 가능한 보호막의 최대한의 두께를 설정한 것이다.
이때, 상부 광반사층 보호막(140b)의 성막 공정은 상부 광반사층(140a)의 성막 공정에서 이용되는 것과 동일한 챔버(chamber) 내의 진공 상태를 유지하면서 연속하여 진행하는 것이 바람직하다. 이는 광반사층의 성막 공정이 완료된 후 진공 상태의 챔버 밖의 대기 중으로 광반사층이 노출되었을 때 발생할 수 있는 광반사층 표면에서의 자연 산화 현상을 방지하기 위함이다. 예를 들어, 광반사층으로서 알루 미늄을 사용하는 경우에는 광반사층의 표면에 Al2O3막이 형성되는 문제점이 발생할 수 있는 것이다.
이처럼 광반사층 표면에 생기는 자연 산화막은 성막 공정을 통해 인위적으로 형성시키는 광반사층 보호막과는 달리 막의 결정 특성 등에 있어서 큰 차이가 있어 광반사층 보호막으로서 기능을 할 수 없다. 또한 자연 산화막은 후속하는 소자의 제조 공정의 진행에 있어서의 방해 요인으로 작용하기도 한다.
따라서, 광반사층 보호막의 성막 공정을 광반사층의 성막 공정시 이용되는 동일한 챔버 내에서의 진공 상태에서 연속하여 진행하게 되면, 광반사층의 표면에 자연 산화막이 형성되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 7은 도 5에 도시된 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자의 제조 공정도이다.
도 7의 (a)를 참조하면, 기판(110) 상에 절연층(120)을 형성한다. 여기서 절연층(120)은 식각 정지층(etch stop layer)의 역할을 한다.
도 7의 (b)를 참조하면, 절연층(120) 상에 희생층(130)을 형성한다. 여기서 희생층(130)은 추후 공정(도 7의 (g) 참조)을 거쳐 리본이 구동 공간을 확보하며 절연층(120)과 소정의 간격만큼 이격될 수 있도록 그 일부 또는 전부가 식각될 수 있다.
도 7의 (c)를 참조하면, 희생층(130) 상에 구조물층(140)을 형성한다. 구조 물층(140)은 추후 공정(도 7의 (e) 참조)을 거쳐 특정 형태(예를 들어, 1개 이상의 홀을 구비한 형태)가 형성되도록 선택적으로 식각될 수 있다.
도 7의 (d)를 참조하면, 구조물층(140)의 양 측단 상에 압전 구동체(150)를 형성한다. 압전 구동체(150)는 구조물층(140) 상에 하부 전극(151)을 적층하고, 하부 전극(151) 상에 압전층(152)를 적층하며, 압전층(152) 상에 상부 전극(153)을 적층한 이후에 구조물층(140)의 양 측단 상에 적층된 상부 전극(153), 압전층(152) 및 하부 전극(151)을 제외한 부분에 적층된 상부 전극(153), 압전층(152) 및 하부 전극(151)을 식각하는 방법으로 형성한다.
다만, 도 7에서 예시하는 광변조기 소자의 경우와는 달리 압전 구동체(150)가 구조물층(140)의 양 측단 상이 아닌 구조물층(140) 상의 전면에 형성될 수 도 있으며, 이러한 경우에는 상술한 식각 공정은 불필요할 수 도 있음은 물론이다.
또한, 도 7에서는 도시하지 않았지만, 하부 전극(151)의 식각시에 그 하면에 위치한 구조물층(140)의 상부를 보호하기 위하여 구조물층(140)의 상부와 하부 전극(151)의 하부 사이에 일정 두께의 SiO2층을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다.
도 7의 (e)를 참조하면, 구조물층(140)의 중앙 부분 즉, 리본 상에는 상부 광반사층(140a)을 형성하고, 절연층(120) 상에는 및 하부 광반사층(120a)을 형성한다.
이때, 상부 및 하부 광반사층(140a, 120a)을 형성시키는 공정 이전에 리본 및 리본 하면의 희생층(120)을 선택적으로 식각하는 공정이 선행될 수 있다. 예를 들어, 리본에 홀이 형성되도록 식각한 후, 리본에 형성된 홀을 통하여 리본 하면의 희생층(120)을 식각하는 공정이 선행될 수 있는 것이다. 이 경우에는 선행 공정을 통해 형성된 홀을 통하여 상부 및 하부 광반사층(140a, 120a)을 단일 공정에 의해 형성시킬 수도 있게 된다.
다만, 홀을 구비한 광변조기 소자가 아닌 경우에는 앞서 설명한 바와 같이 하부 광반사층(120a)을 형성할 필요가 없음은 물론이다. 하부 광반사층(120a)을 형성하지 않는 경우에는 하부 광반사층 보호막(120b)도 형성할 필요가 없다.
도 7의 (f)를 참조하면, 상부 및 하부 광반사층(140a, 120a) 상에 상부 및 하부 광반사층(140a, 120a) 표면의 열화 또는 산화를 방지하기 위한 상부 광반사층 보호막(140b) 및 하부 광반사층 보호막(120b)을 각각 형성한다.
상부 광반사층 보호막(140b) 및 하부 광반사층 보호막(120b)으로서는 상술한 바와 같이 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), Si3N4 등 실리콘나이트나이드 계열(SiXNY), SiON 및 SiOF 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 또한, 상부 광반사층 보호막(140b)은 복수 층으로 구성될 수도 있으며, 이때에 복수 층을 구성하는 각 층별 재료 또한 상술한 물질들이 사용될 수 있음은 물론이다.
여기서, 상부 광반사층 보호막(140b) 또는 하부 광반사층 보호막(120b)의 두께는 10-3㎛ 이상 1㎛ 이하인 것이 바람직하다.
이때, 도 7의 단계 (e)에서 설명한 바와 같이 리본에 홀이 형성되는 경우에는 상부 광반사층 보호막(140b) 및 하부 광반사층 보호막(120b)도 단일 공정을 통 해 형성시킬 수 있을 것이다.
도 7에서는 상부 광반사층 보호막(140b) 및 하부 광반사층 보호막(120b)의 성막 공정(도 7의 (f) 참조)과 상부 광반사층(140a) 및 하부 광반사층(120a)의 성막 공정(도 7의 (e) 참조)을 구분하여 기술하였지만, 상부 광반사층 보호막(140b) 및 하부 광반사층 보호막(120b)의 성막 공정은 상부 광반사층(140a) 및 하부 광반사층(120a)의 성막 공정에서 이용되는 것과 동일한 챔버내의 진공 상태에서 연속하여 진행될 수 있다.
도 7의 (g)를 참조하면, 상부 광반사층 보호막(140b) 및 하부 광반사층 보호막(120b)이 형성된 후, 희생층(130)은 에천트(여기서 에천트는 식각 가스 또는 식각 용액임)에 의해 리본이 구동 공간을 확보하며 절연층(120)과 소정의 간격만큼 이격될 수 있도록 그 일부 또는 전부가 식각된다.
이때, 희생층(130)의 식각은 도 7의 단계 (e)를 통해 리본에 형성된 홀로 에천트를 주입하는 방법으로 행해질 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자 및 그 제조 방법에 의하면, 열 또는 수분에 의한 광반사층 표면의 열화 및 산화를 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 보호막을 통해 광반사층의 특성을 개선시킴으로써, 광변조기 소자 전체의 광 회절 특성 및 그 신뢰성을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 절연층;
    중앙 부분이 상기 절연층과 이격되어 위치하는 구조물층;
    상기 구조물층의 중앙 부분 상에 위치하고, 입사광을 반사 또는 회절시키는 상부 광반사층;
    상기 상부 광반사층 상에 위치하고, 상기 상부 광반사층을 보호하는 상부 광반사층 보호막; 및
    상기 구조물층 상에 위치하고, 상기 구조물층의 중앙 부분을 상하로 움직이게 하는 압전 구동체
    를 포함하는 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층의 상부 및 상기 구조물층의 하부에 위치하고, 상기 구조물층을 지지하는 희생층을 더 포함하되,
    상기 희생층은 상기 구조물층의 상기 중앙 부분의 하면에 위치하는 부분이 식각되어 상기 절연층과 상기 구조물층의 상기 중앙 부분 간을 이격되게 하는 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연층 상에 위치하고, 입사광을 반사 또는 회절시키는 하부 광반사층; 및
    상기 하부 광반사층 상에 위치하고, 상기 하부 광반사층을 보호하는 하부 광반사층 보호막
    을 더 포함하는 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 광반사층 보호막 또는 상기 상부 광반사층 보호막의 두께는 10-3㎛ 이상 1㎛ 이하인 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 하부 광반사층 보호막 또는 상기 상부 광반사층 보호막의 재료는 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON 및 SiOF 중 어느 하나인 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 하부 광반사층 보호막 또는 상기 상부 광반사층 보호막은 복수 층으로 구성되며, 상기 복수 층의 층별 재료는 Al2O3, SiO2, Si3N4, SiON 및 SiOF 중 어느 하나인 광반사층 상에 보호막을 갖는 광변조기 소자.
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