KR100776276B1 - 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 에칭 폐액을 확산 투석법 및 용매 추출법을 사용하여 정제함으로써 불순물인 금속 이온과 초산, 질산을 효과적으로 제거하여 고순도의 인산을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.

상기한 목적을 달성하기 위한 기술구성은, (a) 초산, 질산, 인산과 알루미늄이 함유된 원폐산으로부터 음이온교환막을 이용한 확산 투석을 30 ~ 60℃의 온도 범위에서 상기 음이온교환막의 단위 면적당 원폐산과 물의 유량비를 43㎖/hr·㎡ ~ 523㎖/hr·㎡ 대 130 ~ 654㎖/hr·㎡로 수행하여 알루미늄만을 분리 제거하는 단계; (b) 상기 확산 투석 단계를 통해 회수한 초산, 질산, 인산이 함유된 회수폐산으로부터 알킬포스포닉산(Alkyl-phosphonic acids), 알킬포스피닉산(Alkyl-phosphinic acids), 알킬포스핀 옥사이드(Alkyl-phosphine oxides) 중에서 선택된 하나의 유기 용매를 사용하여 초산, 질산을 추출 제거하는 단계로 구성된다.

에칭 폐액, 확산 투석, 용매 추출, 알루미늄, 몰리브덴, 초산, 질산, 인산

Description

폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법{Method for manufacturing phosphoric acid of high purity from waste acid solution}

도1은 본 발명에 따른 제조방법의 전체 공정도.

도2a 및 도2b는 본 발명에 따른 확산 투석 공정의 유량 실험결과를 나타낸 그래프.

도3은 본 발명에 따른 용매 추출 공정을 나타낸 공정도.

본 발명은 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 및 액정(LCD) 제조 공정에서 배출되는 에칭 폐액을 확산 투석법 및 용매 추출법을 사용하여 정제함으로써 불순물인 금속 이온과 초산, 질산을 효과적으로 제거하여 고순도의 인산을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.

반도체 및 액정(LCD) 제조 시에 배출되는 에칭 폐액의 경우 초산, 질산 및 인산이 혼합된 3원계 혼합산에 알루미늄 또는 알루미늄과 몰리브덴이 에칭되어 금속 이온의 상태로 존재한다. 이러한 에칭 폐액은 고순도의 인산용액으로 재생하여 사용할 수 있는데, 이를 위해서는 에칭 폐액에 불순물로 혼합되어 있는 나머지 산 들과 금속 이온을 제거하여야 한다.

발명자는 대한민국 등록특허 제524263호에 게시되어 있는 바와 같이, 초산, 질산, 인산이 혼합된 에칭 폐액으로부터 불순물인 초산과 질산을 용매 추출법에 의해 제거함으로써 조인산을 제조하는 방법을 이미 개발한 바 있다. 이러한 기술력을 바탕으로 에칭 과정에서 발생한 알루미늄과 몰리브덴까지 모두 분리 정제하는 방법에 대해 연구를 거듭하였다.

에칭 폐액으로부터 초산과 질산만을 제거한 조인산의 경우 공업용으로 사용이 가능하나, 알루미늄과 몰리브덴과 같은 금속 이온을 포함하고 있기 때문에 에칭액으로 재사용하기 어렵다. 따라서, 이를 에칭액으로 재사용하기 위해서는 금속 이온인 알루미늄과 몰리브덴을 1.0 ppm 이하로 제거하여야 하나, 이러한 방법은 매우 어려운 기술로 알려져 있다.

현재까지 알려져 있는 방법으로는 조인산에 황화수소(H₂S) 가스를 취입한 후 활성탄층을 통과시켜 제거하는 방법이 있으나, 황화수소 가스의 독성이 강하여 안전성 면에서 문제가 있고 공정 관리가 어려울 뿐만 아니라 부식에 견딜 수 있는 고가의 재료를 선택하여야 하는 등의 문제가 있었다. 또한, 나노필터레이션(Nanofiltration)법에 의한 정제방법도 소개되어 있으나, 막 수명 및 회수율이 낮고 과다한 시설 투자비가 필요하다는 문제점이 있었다. 이 외에도 이온수지교환법이 알려져 있으나, 인산을 20％ 정도로 희석해야 하고 이온교환수지의 수명이 매우 짧아 아직까지 실용화되지 못하고 있는 실정이다.

따라서, 에칭 폐액으로부터 초산 및 질산뿐만 아니라 알루미늄, 몰리브덴과 같은 금속 이온을 효과적으로 제거할 수 있는 실용적인 방법의 개발이 시급히 요구되고 있다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 초산, 질산, 인산과 알루미늄, 몰리브덴의 금속이온이 함유된 폐산액으로부터 음이온교환막을 이용한 확산 투석법을 통해 알루미늄만을 먼저 제거하고, 유기 용매를 이용한 용매 추출법을 통해 초산, 질산, 몰리브덴을 함께 제거함으로써 고순도의 인산을 제조할 수 있는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법은, (a) 초산, 질산, 인산과 알루미늄이 함유된 원폐산으로부터 음이온교환막을 이용한 확산 투석을 30 ~ 60℃의 온도 범위에서 상기 음이온교환막의 단위 면적당 원폐산과 물의 유량비를 43㎖/hr·㎡ ~ 523㎖/hr·㎡ 대 130 ~ 654㎖/hr·㎡로 수행하여 알루미늄만을 분리 제거하는 단계; (b) 상기 확산 투석 단계를 통해 회수한 초산, 질산, 인산이 함유된 회수폐산으로부터 알킬포스포닉산(Alkyl-phosphonic acids), 알킬포스피닉산(Alkyl-phosphinic acids), 알킬포스핀 옥사이드(Alkyl-phosphine oxides) 중에서 선택된 하나의 유기 용매를 사용하여 초산, 질산을 추출 제거하는 단계로 구성된다.

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또한, 상기 (b) 단계는, (b-1) 추출된 초산, 질산, 몰리브덴이 함유된 유기 용매에 물을 혼합하여 상기 초산, 질산, 몰리브덴을 분리 제거함으로써 유기 용매를 재생하는 탈거 단계를 더 포함하고, 상기 (b)의 추출 단계와 (b-1)의 탈거 단계는 다단 향류법에 의해 이루어지는 것이 바람직하다.

한편, 상기 (b) 단계는, (c) 상기 용매 추출 단계를 통해 회수한 인산 용액에서 총 유기탄소를 제거하고 이를 진공 증발시켜 농축하는 단계를 더 포함할 수도 있다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조로 본 발명에 따른 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법에 대해 보다 상세히 설명한다.

본 발명의 전체 공정을 나타낸 도1에서 보듯이 본 발명의 제조방법은 크게 확산 투석, 용매 추출, 총 유기탄소 제거, 진공 증발의 단계로 이루어진다. 이 중에서 본 발명의 목적인 고순도 인산을 얻기 위한 가장 기본적이고 특징적인 기술은 앞의 확산 투석 단계와 용매 추출 단계이므로, 이하에서는 이들 2단계를 중심으로 본 발명의 특징적 기술구성을 상세히 설명하기로 한다.

앞에서 언급한 바와 같이, 반도체 특히 LCD의 에칭 단계에서 발생하는 폐산액(이하에서 "원폐산"이라 한다)에는 초산, 질산, 인산뿐만 아니라 에칭 단계에서 발생하는 알루미늄, 몰리브덴과 같은 금속이온이 함께 포함되어 있다. 반도체 공정에서 발생하는 원폐산에는 알루미늄만이 포함되어 있을 수 있고, 알루미늄과 몰리브덴이 함께 포함되어 있을 수도 있다. 이 중에서 인산만을 재생해 내면 에칭액으로 다시 사용할 수 있는데, 이를 위해서는 초산, 질산뿐만 아니라 상기 금속이온을 함께 분리해 내어야 한다.

원폐산으로부터 금속이온을 효과적으로 분리해 내기 위해서는 원폐산 내에 금속이온이 어떠한 상태로 존재하는지를 알아야 한다. 본 발명자는 연구 결과 상기 금속이온 중에서 알루미늄은 산화성이 강하여 Al³⁺, Al²⁺ 과 같은 양이온으로 존재하나, 몰리브덴은 전이금속으로서 환원성이 강하여 대다수가 음이온으로 존재한다는 사실을 알아냈다. 또한, 초산(HAc), 질산(HNO₃), 인산(H₃PO₄)과 같은 산들이 수용액 내에서 음이온으로 존재한다는 것을 이미 잘 알려진 사실이다.

이러한 사실을 토대로 본 발명자는 양이온으로 존재하는 알루미늄은 음이온교환막을 이용한 확산 투석법에 의해 분리하고, 음이온으로 존재하는 몰리브덴은 상기한 초산, 질산과 함께 유기 용매를 이용한 추출법에 의해 분리해 낼 수 있도록 하는 방법을 창안하였다. 따라서, 본 발명은 기술적 특징은 상기 확산 투석 단계에서 알루미늄을 가장 효과적으로 분리할 수 있는 조건을 찾아내는 것과 상기 용매 추출 단계에서 초산, 질산, 몰리브덴을 가장 효과적으로 분리할 수 있는 추출제를 찾아내는데 있다 할 것이다.

본 발명의 첫 번째 단계인 알루미늄을 제거하기 위한 확산 투석은 양이온 활성기가 첨가된 음이온교환막을 이용하여 음이온만을 선택적으로 확산되도록 함으로써 원폐산 내에 음이온으로 존재하는 초산, 질산, 인산 및 몰리브덴을 회수하여 알루미늄만을 제거할 수 있도록 한 것이다(S10).

음이온교환막을 이용한 확산 투석법은 1935년 영국의 B.A.애덤스와 F.L.홈스가 다가(多價)의 페놀과 포름알데히드를 축합시킨 수지가 양이온을, 또 m-페닐렌디 아민과 포름알데히드를 축합시킨 수지가 음이온을 교환한다는 사실을 처음 발견한 후에 막의 종류 및 확산 효율 등에 대한 기술이 비약적으로 발전하여 현재에는 폐수 처리, 바닷물의 담수화, 신장 투석 등 산업계의 여러 분야에서 이용되고 있는 기술이다.

본 발명에서는 상기한 확산 투석법의 원리에 따라 2개의 인접한 셀 중앙에 음이온교환막을 수직하게 위치시키고 한쪽 셀에서는 음이온교환막을 따라 원폐산을 아래에서 위로 공급하고, 인접한 셀에는 물을 위에서 아래로 공급하여 원폐산 내에 존재하는 산과 몰리브덴이 물 쪽으로 확산되어 나가도록 하였다. 이와 같이 구성하면 원폐산은 위쪽으로 갈수록 농도가 낮고 물은 아래쪽으로 갈수록 농도가 높아져 안정적인 농도 구배를 유지할 수 있다.

확산 투석법에 사용되는 음이온교환막은 현재 시중에서 판매되고 있는 것으로 공업적 효율성이 인정된 것이라면 어느 것이라도 무방하다. 본 발명에 따른 실시예에서는 일본 아사히 글라스 회사 제품으로 고어텍스로 코팅되어 확산 효율이 우수한 APS 음이온교환막을 사용하였다. 본 발명에 따른 확산 투석 단계의 가장 중요한 기술적 특징은 음이온, 그중에서도 최종적으로 회수하고자 하는 인산의 확산 투석이 가장 효과적으로 일어날 수 있는 조건을 설정하는 것이다. 본 발명자는 실험 결과 확산 투석의 온도와 원폐산 대 물의 유량비를 조절함으로써 투석의 효과를 크게 향상시킬 수 있다는 사실을 발견하였다.

먼저, 확산 투석은 30 ~ 60℃의 온도 범위 내에서 이루어지는 것이 바람직하다. 통상적으로 확산 투석은 상온에서 이루어지나, 본 발명에 따른 확산 투석 시에 는 인산의 용해열을 고려하여 상기와 같은 온도 범위에서 행하는 것이 확산 효율을 높일 수 있다. 인산이 물에 흡수될 때에는 그 용해열로 인해 발열 반응이 일어난다. 따라서, 인산의 용해열로 인한 온도의 상승을 고려해 확산 투석의 온도를 미리 높여 놓으면 인산의 유동성이 좋아지고 국부적인 발열로 생긴 내부응력 불균형으로 인한 막손상을 방지할 수 있다. 따라서, 투석 온도는 30℃ 이상으로 유지하는 것이 바람직하다. 다만, 투석 온도가 60℃를 넘게 되면 음이온교환막 및/또는 가스켓이 손상되므로 그 이상은 상승시키지 않는 것이 바람직하다.

확산 투석 시에 인산의 회수율을 높일 수 있는 또 다른 중요한 인자가 바로 원폐산과 물의 유량비에 의해 반응 속도를 조절하는 것이다. 이때에는 인산의 확산 효율뿐만 아니라 알루미늄의 확산 효율도 고려하여야 한다. 왜냐하면, 음이온교환막이 양이온의 통과를 100％ 방지할 수 있는 것이 아니기 때문에 반응 시간이 길게 되면 양이온으로 존재하는 알루미늄도 원폐산과 물의 농도 차로 인해 물쪽으로 확산되기 때문이다.

앞에서 설명한 바와 같이, 확산 투석은 가운데 설치된 음이온교환막을 기준으로 그 양쪽으로 원폐산과 물이 수직하게 흐르도록 구성된다. 따라서, 원폐산과 물의 시간당 유량이 너무 많으면(반응 속도가 너무 빠르면) 확산 투석이 일어날 시간이 충분하지 못해 인산의 회수율이 저하되고, 유량이 너무 적게 되면(반응 속도가 너무 느리면) 분리 대상인 알루미늄까지 확산되어 알루미늄의 농도가 높아진다.

도2a 및 도2b는 원폐산과 물의 유량의 변화에 따른 인산 회수율과 물 내의 알루미늄 농도를 나타낸다. X축은 원폐산의 유량, Y축은 물의 유량을 나타내며 단위는 분당 흐르는 부피(㎖/min)로 표시되어 있다. 실제 조업 시에는 시간당 흐르는 부피(㎖/hr)로 제어하기 때문에 이하에서도 후자의 단위를 사용하여 설명하기로 한다. 그래프에서 0.5 ㎖/min은 30 ㎖/hr으로 환산된다(0.5 ㎖/min × 60 min/hr = 30 ㎖/hr).

먼저, 도2a를 보면 확산 투석 시 인산의 회수율은 원폐산의 유량이 6 ~ 72 ㎖/hr(0.1 ~ 1.2 ㎖/min)이고 물의 유량이 18 ~ 90 ㎖/hr(0.3 ~ 1.5 ㎖/min) 일 때 80％ 이상의 회수율을 나타낸다는 것을 알 수 있다. 그리고, 도2b에서 보면 원폐산의 유량이 6 ~ 72㎖/hr이고 물의 유량이 18 ~ 90 ㎖/hr일 때 물로 확산된 알루미늄(Al) 농도를 4.0 ppm 미만으로 유지할 수 있다는 것을 알 수 있다. 최종 처리된 인산 용액 내의 알루미늄 농도는 1.0 ppm 이하로 조절되어야 에칭액으로 재사용할 수 있는데, 1단 확산 투석 시에 알루미늄 농도가 4.0 ppm 미만으로 유지되면 후술하는 다단 투석의 방법으로 인산의 회수율을 높게 유지하면서 알루미늄 농도를 1.0 ppm 미만으로 용이하게 낮출 수 있다.

상기한 실험 결과를 종합해 보면, 인산 회수율을 80％ 이상으로 유지하면서 확산 투석 후 물에 함유된 알루미늄의 농도를 기준치 이하로 만들기 위해서는 확산 투석에 사용되는 원폐산과 물의 유량비를 6 ~ 72㎖/hr 대 18 ~ 90㎖/hr로 조절하는 것이 바람직하다. 인산 회수율과 알루미늄의 농도는 사용하는 막의 크기에 따라 달라지므로 상기 원폐산과 물의 유량비를 실험에 사용된 음이온교환막의 면적 0.1376㎡으로 나누어 단위 면적(㎡)당 유량비로 나타내면, 원폐산과 물의 유량비가 43㎖/hr·㎡ ~ 523㎖/hr·㎡ 대 130 ~ 654㎖/hr·㎡일 때 확산 투석의 효율이 가장 좋 은 것으로 나타났다.

하기 [표1]은 상기한 원폐산과 물의 최적 유량비 내에서 확산 투석을 실시한 결과이다. 사용된 음이온교환막의 면적은 0.1376㎡이며 유량은 ㎖/hr 단위로 표시하였다.

[표1]

구분	Input		Output		회수율(%)
	원폐산	물	폐액	회수폐산
유량(/hr)	25.20	43.20	29.76	36.96
인산(g/l)	1035.70	0.00	65.8	653.20	92.5
질산(g/l)	116.70	0.00	2.6	77.50	97.4
초산(g/l)	92.70	0.00	23.9	44.00	69.6
알루미늄(ppm)	278.65	0.00	234.45	1.25	0.66

원폐산과 물의 유량비를 25.20㎖/hr 대 43.20㎖/hr로 확산 투석을 실시한 결과 회수폐산으로의 인산의 회수율은 92.5％를 나타냈고, 회수폐산 내의 알루미늄 농도는 1.25ppm을 나타냈다. 이는 확산 투석 단계에서 인산의 회수율을 가능한 한 높게 유지하면서 알루미늄을 최대한 분리하고자 하는 본 발명의 목적에 부합하는 것이다.

한편, 본 발명에 따른 확산 투석 단계는 다단 투석법에 의해 회수폐산 내의 알루미늄 농도를 1ppm 이하로 만드는 것이 더욱 바람직하다. 왜냐하면, 도2a 및 도2b에서 보듯이 1단의 확산 투석에 의해 회수폐산 내의 알루미늄 농도를 1ppm 이하로 만들기 위해서는 인산 회수율이 40％ 이하로 저하되어 고순도의 인산 용액의 재생이라는 본 발명의 목적을 달성할 수 없기 때문이다. 이를 실험적으로 설명하기 위해 먼저 원폐산과 물의 유량비를 42.6㎖/hr 대 61.2㎖/hr로 하여 2단으로 확산 투석을 실시하였다. 이 때 사용된 음이온교환막의 면적은 0.1376㎡이며, 그 결과는 하기한 [표2] 및 [표3]과 같다.

[표2]

1단 확산 투석의 결과

구분	Input		Output		회수율(%)
	원폐산	물	폐액	회수폐산
유량(/hr)	42.6	61.2	43.0	58.2
인산(g/l)	1038.1	0.00	55.1	718.9	95
알루미늄(ppm)	302.8	0.00	295.8	3	1.35

[표3]

2단 확산 투석의 결과

구분	Input		Output		회수율(%)
	원폐산	물	폐액	회수폐산
유량(/hr)	42.6	61.2	42.8	58.8
인산(g/l)	718.9	0.00	25.2	504.9	97
알루미늄(ppm)	3	0.00	2.8	0.14	6.4

표2에서 보듯이 상기한 원폐산과 물의 유량비로 1단 확산 투석을 실시한 결과 인산의 회수율은 95％로 높은 반면 회수폐산 내의 알루미늄 농도가 3ppm이나 되어 효과적인 알루미늄의 분리가 이루어지지 못했다. 그러나, 이 회수폐산을 가지고 2단 확산 투석을 실시한 결과 표3에서 보듯이 인산의 회수율은 97％로 여전히 높게 유지되면서 알루미늄 농도는 0.14ppm으로 낮아져 확산 투석에 의한 알루미늄 분리가 이루어졌다.

이에 반해, 1단 투석에 의해 알루미늄 농도를 0.14ppm으로 낮추려면 원폐산에 대해 상대적으로 물의 양을 줄여야 하므로 하기한 표4에서 보듯이 인산의 회수율이 18％까지 낮아진다. 따라서, 이 방법은 본 발명의 최종 목적인 인산 회수에 효과적이지 못하다. 따라서, 높은 인산 회수율을 유지하기 위해서는 본 발명에 따른 확산 투석법은 다단 투석으로 이루어지는 것이 바람직하다.

[표4]

구분	Input		Output		회수율(%)
	원폐산	물	폐액	회수폐산
유량(/hr)	107.1	30.5	104.6	28
인산(g/l)	1038.1	0.00	868.1	725.1	18
알루미늄(ppm)	302.8	0.00	309.75	0.14	0.01

본 발명의 두 번째 단계는 상기 확산 투석 단계를 통해 회수한 초산, 질산, 인산 및 몰리브덴이 함유된 회수폐산으로부터 알킬포스포닉산(Alkyl-phosphonic acids), 알킬포스피닉산(Alkyl-phosphinic acids), 알킬포스핀 옥사이드(Alkyl-phosphine oxides) 중에서 선택된 하나의 유기 용매를 사용하여 초산, 질산, 몰리브덴을 추출 제거하는 것이다(S20). 원폐산에 몰리브덴이 함유되어 있지 않은 경우에는 초산, 질산만이 추출된다.

상기 3가지 유기 용매는 인산에 대해서는 추출 효과가 없고 초산, 질산, 몰리브덴에 대해서만 선택적으로 추출 효과를 나타낸다. 3가지 유기 용매에 속하는 추출제를 가지고 4가지 추출 대상에 대한 비이커 테스트를 실시하였고 그 결과는 다음 표5와 같다.

[표5]

추출제	실험과정	몰리브덴(ppm)	초산(중량%)	질산(중량%)	인산(중량%)
알킬포스포닉계 추출제	추출 전	117	4.2	3.9	36
	추출 후	84	3.5	3.0	36.1
알킬포스피닉산계 추출제	추출 전	122	4.1	3.8	34.3
	추출 후	91	3.3	3.0	35.4
알킬포스핀 옥사이드계 추출제	추출 전	115	4.1	3.8	37.5
	추출 후	77	3.0	1.0	37.2

3가지 유기 추출제는 모두 인산에 대한 추출 효과는 거의 없고 초산, 질산, 몰리브덴에 대한 선택적 추출 효과만 있는 것으로 나타났고, 그 중에서 알킬포스핀 옥사이드 계열의 추출제가 가장 우수한 추출 효과를 나타내는 것으로 밝혀졌다. 따라서, 본 발명의 추출 단계에서는 상기 알킬포스포닉산, 알킬포스피닉산, 알킬포스핀 옥사이드 중에서 선택된 하나의 유기 용매를 사용할 수 있고, 그 중에서도 일킬포스핀 옥사이드를 사용하는 것이 가장 바람직하다.

추출 단계가 완료된 후 추출액 내에는 초산, 질산이 다량 함유되어 있다. 몰리브덴이 함유된 원폐산의 경우에는 추출액 내에 몰리브덴도 함께 포함되어 있으며, 이하에서는 이 경우를 예를 들어 설명한다. 초산, 질산, 몰리브덴이 추출액인 증류수, 이온수와 같이 고순도의 물을 혼합하면 초산, 질산, 몰리브덴에 대한 분배비의 차이에 의해 유기 용매 내부에 존재하던 것들이 물로 다시 이동하여 유기 용매로부터 분리되는데, 이를 탈거 단계라 한다. 그 결과 유기 용매는 추출제로 재생되어 상기 추출 공정에 다시 사용될 수 있다.

상기 표5에서도 확인할 수 있듯이 유기 용매에 따른 추출은 1회 실시만으로는 효과가 크지 않다. 이는 탈거 과정에서도 마찬가지이다. 따라서, 본 발명에서는 상기 유기 용매에 의한 추출 과정 및 물에 의한 탈거 과정을 향류 다단법을 이용해 2단 이상으로 실시함으로써 추출 효과를 배가시킬 수 있도록 구성하는 것이 바람직 하다.

향류 다단법은 2개의 유체가 서로 다른 방향으로 흐르면서 혼합 및 분리되는 과정이 둘 이상의 스테이지(stage)를 통해 반복 실행되는 것을 말하며, 서로 반대쪽으로 상분리가 되므로 분리 효율이 높고, 여러 스테이지를 거치므로 추출 및 탈거 효율이 더욱 향상된다.

도3은 6개의 스테이지로 구성된 향류 다단법에 의한 추출 공정과 탈거 공정을 나타낸다. 확산 투석 단계를 통해 알루미늄이 분리된 회수폐산은 6개의 스테이지를 통해 유기 추출제와 접촉하고 이에 의해 인산만이 회수된다. 그 후, 초산 등을 함유한 추출액은 6개의 스테이지를 통해 물과 접촉하고 이에 의해 유기 용매가 추출제로 재생된다.

상기한 6개의 스테이지를 가진 향류 다단법에 의한 추출 및 탈거공정의 일 실시예가 하기 표6에 나타나 있다.

[표6]

	몰리브덴(ppm)	함량(중량%)
		초산	질산	인산
투입액	207	4.2	4.7	40
추출 1단	113	4.2	1.1	41.6
추출 2단	54.4	2.9	0.2	41.7
추출 3단	21.2	1.5	―	41.5
추출 4단	7.8	0.7	―	41
추출 5단	1.1	0.2	―	41
추출 6단	0.3	―	―	41
탈거 1단	2.7	1.3	0.9	0.6
탈거 2단	1.5	0.8	0.6	0.2
탈거 3단	1.1	0.6	0.4	―
탈거 4단	0.6	0.4	0.3	―
탈거 5단	0.3	0.2	0.2	―
탈거 6단	―	―	―	―

초산, 질산, 인산 및 몰리브덴의 함량은 유기상에서는 측정이 어렵고 수상에 서만 가능하기 때문에, 상기 표6에 표시된 함량도 추출 단계에서는 회수폐산 내의 함량을 측정하고 탈거 단계에서는 물 내의 함량을 측정하여 나타낸 것이다. 표6에 게시된 바와 같이 추출 단계에서는 6개의 스테이지를 거치는 동안 추출 6단에서 보듯이 회수산 내에 인산만이 41 중량% 잔류하게 되고 몰리브덴도 1ppm 이하(0.3ppm)로 잔류하기 때문에 에칭 용액으로 다시 사용될 수 있다.

한편, 추출액은 6개의 스테이지를 거치는 동안 탈거 1단에서 보듯이 초산, 질산, 인산 및 몰리브덴이 물 내로 분리되므로 유기 추출제로 재생되어 다시 사용된다.

이상에서 설명한 확산 투석, 추출, 탈거 단계를 거쳐 재생된 에칭 용액에는 약 40 중량% 이상의 인산이 함유되어 있다. 이 에칭 용액을 그대로 사용할 수도 있으나, 보다 우수한 품질의 에칭 용액으로 만들기 위해서 몇 가지 후속 공정이 더 추가된다. 먼저, 재생된 에칭 용액에는 추출제의 용매 성분이나 초산 등의 유기 탄소 성분이 미량 포함되어 있으므로 이를 활성탄법, 오존산화법, UV법, 가압부상법, Bubble Tank법 등에 의해 모두 제거한다(S30). 그 후, 진공 증발을 통해 인산의 농도를 85중량% 이상으로 농축하면 공업적으로 유용한 에칭 용액이 된다(S40).

상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법에 의하면, 반도체 공정 등에서 배출되는 알루미늄과 몰리브덴이 함유된 에칭 폐액을 확산 투석과 용매 추출 단계를 통해 효과적으로 재생함으로써 에칭액으로 다시 사용할 수 있도록 해준다.

Claims (10)

1. (a) 초산, 질산, 인산과 알루미늄이 함유된 원폐산으로부터 음이온교환막을 이용한 확산 투석을 30 ~ 60℃의 온도 범위에서 상기 음이온교환막의 단위 면적당 원폐산과 물의 유량비를 43㎖/hr·㎡ ~ 523㎖/hr·㎡ 대 130 ~ 654㎖/hr·㎡로 수행하여 알루미늄만을 분리 제거하는 단계;

   (b) 상기 확산 투석 단계를 통해 회수한 초산, 질산, 인산이 함유된 회수폐산으로부터 알킬포스포닉산(Alkyl-phosphonic acids), 알킬포스피닉산(Alkyl-phosphinic acids), 알킬포스핀 옥사이드(Alkyl-phosphine oxides) 중에서 선택된 하나의 유기 용매를 사용하여 초산, 질산을 추출 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 원폐산에는 몰리브덴이 더 포함되고, 이 몰리브덴은 상기 (b) 단계에서 사용된 유기 용매에 의해 초산, 질산과 함께 추출되는 것을 특징으로 하는 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법.
3. 삭제
4. 삭제
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (a) 단계는

   확산 투석이 2단 이상의 다단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 단계는

   유기 용매로서 알킬포스핀 옥사이드(Alkyl-phosphine oxides)를 사용하는 것을 특징으로 하는 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는

   (b-1) 추출된 초산, 질산이 함유된 유기 용매에 물을 혼합하여 상기 초산, 질산을 분리 제거함으로써 유기 용매를 재생하는 탈거 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법.
8. 제2항에 있어서, 상기 (b) 단계는

   (b-1) 추출된 초산, 질산 및 몰리브덴이 함유된 유기 용매에 물을 혼합하여 상기 초산, 질산 및 몰리브덴을 분리 제거함으로써 유기 용매를 재생하는 탈거 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법.
9. 제7항 또는 제8항에 있어서,

   상기 (b) 추출 단계와 (b-1) 탈거 단계는 다단 향류법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법.
10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 단계는

    (c) 상기 용매 추출 단계를 통해 회수한 인산 용액에서 총 유기탄소를 제거하고 이를 진공 증발시켜 농축하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법.

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