KR100772260B1 - Cleaning apparatus of single peace type substrate - Google Patents

Cleaning apparatus of single peace type substrate Download PDF

Info

Publication number
KR100772260B1
KR100772260B1 KR1020060046604A KR20060046604A KR100772260B1 KR 100772260 B1 KR100772260 B1 KR 100772260B1 KR 1020060046604 A KR1020060046604 A KR 1020060046604A KR 20060046604 A KR20060046604 A KR 20060046604A KR 100772260 B1 KR100772260 B1 KR 100772260B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
air
air supply
type substrate
clamp pin
Prior art date
Application number
KR1020060046604A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
신종훈
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020060046604A priority Critical patent/KR100772260B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100772260B1 publication Critical patent/KR100772260B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

A cleaning apparatus of a single wafer is provided to reduce a stress which is applied on a wafer during a cleaning process, by moving a clamp pin using an air pressure. A cleaning apparatus of a single wafer includes a substrate rotating unit(110) and plural wafer mounts(120). When a spin cleaning and a spin drying process are performed, the substrate rotating unit rotates the substrate in a horizontal direction, while maintaining a horizontal position of the wafer. The wafer mounts are arranged to hold a periphery of the wafer along a perimeter of the substrate rotating unit. A clamp pin(122) is arranged to support the periphery of the wafer on the wafer mount. An air supplying unit moves the clamp pin using an air pressure. An air pressure controller controls the air pressure.

Description

매엽식 기판 세정장치{CLEANING APPARATUS OF SINGLE PEACE TYPE SUBSTRATE}Single wafer type substrate cleaning equipment {CLEANING APPARATUS OF SINGLE PEACE TYPE SUBSTRATE}

도 1은 종래의 매엽식 기판 세정장치의 정면도이고, 1 is a front view of a conventional sheet type substrate cleaning apparatus,

도 2는 종래의 매엽식 기판 세정장치의 평면도이고,2 is a plan view of a conventional sheet type substrate cleaning apparatus,

도 3은 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정장치의 개략적인 평면도이고,3 is a schematic plan view of a sheet type substrate cleaning apparatus according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정장치에서 일부분을 확대한 정단면도이다.4 is an enlarged front sectional view showing a part of the sheet type substrate cleaning apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 매엽식 기판 세정장치 110 : 기판회전부100: sheet type substrate cleaning device 110: substrate rotating part

111 : 회전축 112 : 기판지지부111: rotating shaft 112: substrate support

120 : 웨이퍼재치부 121 : 몸체120: wafer mounting portion 121: body

121a : 가이드홈 122 : 클램프 핀121a: guide groove 122: clamp pin

123 : 막음판 124 : 이동판123: blocking plate 124: moving plate

125 : 스프링 130 : 에어공급수단125: spring 130: air supply means

132 : 에어공급관 134 : 에어압력제어기132: air supply pipe 134: air pressure controller

136 : 에어공급부 140 : 약액공급부136: air supply unit 140: chemical liquid supply unit

150 : 불활성기체공급부 160 : 제어부150: inert gas supply unit 160: control unit

본 발명은 매엽식 기판 세정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체나 전자부품 등의 디바이스 제조공정에서 반도체 웨이퍼 등을 1매씩 외주연에 접촉되어 액체세정 처리하기 위한 매엽식 기판 세정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sheet type substrate cleaning apparatus. More particularly, the present invention relates to a sheet type substrate cleaning apparatus for liquid cleaning a semiconductor wafer or the like by contacting the outer periphery of a semiconductor wafer or the like in a device manufacturing process such as a semiconductor or an electronic component. .

일반적으로 웨이퍼를 제조하기 위한 공정 중에서 가장 기본적인 공정중의 하나인 세정공정은 웨이퍼를 제조하기 위해서 여러 단계의 공정을 수행하는 과정에서 웨이퍼에 부착된 각종 오염물을 제거하는 공정이다.In general, the cleaning process, which is one of the most basic processes for manufacturing a wafer, is a process for removing various contaminants adhered to the wafer in the process of performing various steps to manufacture the wafer.

이러한 세정공정을 수행하는 세정장치는 한번의 세정공정에 일정 개수의 웨이퍼를 동시에 세정하는 배치식과 한 장의 웨이퍼를 세정하는 매엽식이 있다.The cleaning apparatus for performing such a cleaning process includes a batch type for simultaneously cleaning a certain number of wafers in a single cleaning process and a sheet type for cleaning a single wafer.

현재, 반도체 장치의 고집적화에 따라 디자인 룰(design rule)은 미세화된다고 해도 칩의 크기가 커지는 것은 필연적이다. 따라서 반도체 소자의 생산성 및 수율 관점에서 웨이퍼의 대구경화가 요구된다. 그러나 배치식의 웨트 스테이션(wet station)의 경우 이에 따른 장비의 크기가 한정적이므로 매엽식의 웨이퍼 세정장치가 필요한 실정이다.At present, it is necessary to increase the size of the chip even if the design rule is miniaturized due to the high integration of the semiconductor device. Therefore, large diameter of the wafer is required from the viewpoint of productivity and yield of the semiconductor device. However, in the case of a batch wet station, the size of the equipment is limited and thus, a single wafer cleaning apparatus is required.

웨이퍼 세정장치에서 매엽식 기판 세정장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 1은 종래의 매엽식 기판 세정장치의 정면도이고, 도 2는 종래의 매엽식 기판 세정장치의 평면도이다.Referring to the accompanying drawings, the single wafer cleaning apparatus in the wafer cleaning apparatus is as follows. 1 is a front view of a conventional single wafer cleaning apparatus, and FIG. 2 is a plan view of a conventional single wafer cleaning apparatus.

도 1에 도시된 것과 같이, 밀폐된 챔버(미도시)내에서 1매의 웨이퍼(W)를 수평상태로 지지하여 회전하는 기판회전부(10)와, 세정액을 공급하는 약액공급부(20) 와, 산화방지용 불활성기체를 공급하는 불활성기체공급부(30)와, 이들의 구동부를 상호 연동시켜 제어하는 제어부(40)를 주요부로 하여 구성된다.As shown in FIG. 1, a substrate rotating unit 10 supporting and rotating a single wafer W in a horizontal state in a sealed chamber (not shown), a chemical supply unit 20 supplying a cleaning liquid, and It consists of an inert gas supply part 30 which supplies an inert gas for oxidation prevention, and the control part 40 which controls the drive part of these mutually.

먼저, 약액공급부(20)는 기판회전부(10)에 회전 지지되는 웨이퍼(W)의 표면에 세정을 공급하는 것으로서, 기판회전부(10)의 기판지지부(11)에 지지된 웨이퍼(W)의 표면에 상측으로부터 세정액을 분사공급하는 분사노즐의 형태로 되어 있다. 그리고 약액공급부(20)는 기판회전부(10)의 기판지지부(11)에 수평상태에서 회전지지되는 웨이퍼(W)의 표면에 대하여, 그 외주로부터 중심에 걸쳐서 수평으로 선회하면서, 혹은 수평선회하여 정지후에 세정액을 분사공급하도록 구성되어 있다.First, the chemical liquid supply unit 20 supplies cleaning to the surface of the wafer W that is rotationally supported by the substrate rotating unit 10, and the surface of the wafer W that is supported by the substrate supporting unit 11 of the substrate rotating unit 10. It is in the form of an injection nozzle for jetting and supplying a cleaning liquid from above. Then, the chemical liquid supply unit 20 pivots horizontally or horizontally from the outer circumference to the surface of the wafer W, which is rotated and supported in a horizontal state on the substrate support 11 of the substrate rotating unit 10, or stops horizontally. It is configured to spray supply the cleaning liquid afterwards.

불활성기체공급부(30)는 기판회전부(10)에 회전지지되는 웨이퍼(W)의 표면에 산화방지용의 불활성기체를 공급하는 것으로, 불활성기체로서 N2가스가 사용되고 있다.The inert gas supply unit 30 supplies an inert gas for oxidation prevention to the surface of the wafer W that is rotated and supported by the substrate rotating unit 10, and N 2 gas is used as the inert gas.

좀 더 구체적으로 기판회전부(10)에 회전지지되는 웨이퍼(W)의 표면 주위에 건조용 밀폐공간을 형성하는 원형 덮개체의 형태로 된 기체분출부(32)를 구비한다.More specifically, the gas ejection part 32 in the form of a circular lid is formed around the surface of the wafer W which is rotated and supported by the substrate rotating part 10.

이 기체분출부(32)는 내부가 연통배관을 통하여 불활성기체가 공급되는 편평한 중공형상으로 되며, 그 평면저부, 즉 평판형상의 저판에 공급구(34)가 설치되어 잇다. The gas ejection part 32 has a flat hollow shape in which an inert gas is supplied through a communication pipe, and a supply port 34 is provided at the flat bottom, that is, a flat bottom plate.

제어부(40)는 각 구성부를 상호 연동하여 구동제어하는 것으로, 이 제어부(40)에 의해 일련의 액체처리공정이 전자동으로 실행된다.The control unit 40 performs drive control in cooperation with each component, and the control unit 40 automatically executes a series of liquid treatment steps.

그리고 기판회전부(10)는, 1매의 웨이퍼(W)를 스핀세정시 및 스핀건조시에 있어서 수평상태로 지지하면서 수평 회전시켜서 웨이퍼(W)표면에 부착된 이물질을 원심력에 의해 제거되도록 하도록 하는 것으로서, 회전축(10a)의 선단부분에 기판지지부(11)가 수평상태로 설치되어 지지됨과 동시에, 이 회전축(10a)을 회전구동시키는 구동모터(미도시)를 구비하여 형성된다.The substrate rotating unit 10 rotates horizontally while supporting one wafer W in a horizontal state during spin cleaning and spin drying to remove foreign matter adhering to the surface of the wafer W by centrifugal force. In this case, the substrate supporting portion 11 is installed and supported at the front end of the rotating shaft 10a in a horizontal state, and is provided with a drive motor (not shown) for rotating the rotating shaft 10a.

그리고 기판지지부(11)에는 웨이퍼(W)의 주연부를 재치 지지하는 웨이퍼재치부(12)를 구비하여 이루어진다.In addition, the substrate support part 11 is provided with the wafer mounting part 12 which mounts and supports the peripheral part of the wafer W. As shown in FIG.

도 2를 참고하면, 웨이퍼재치부(12)는 원주 방향을 따라 등간격으로 복수개가 설치되며, 이 각 웨이퍼재치부(12)에는 웨이퍼(W)의 외주연 즉, 에지부분을 클램핑하는 클램프 핀(13)이 설치된다. Referring to FIG. 2, a plurality of wafer placing parts 12 are installed at equal intervals along the circumferential direction, and each of the wafer placing parts 12 includes clamp pins for clamping the outer circumference of the wafer W, that is, the edge portion. (13) is installed.

클램프 핀(13)은 웨이퍼재치부(12)의 내부에서 압축되어 있던 스프링(14)의 해제로 웨이퍼(W)를 전진시켜서 클램핑하게 되며, 다시 스프링(14)을 압축시키면서 원위치로 위치되어 웨이퍼(W)의 클램핑이 해제되는 작동을 하게 된다.The clamp pin 13 is clamped by advancing the wafer W by releasing the spring 14 compressed in the wafer mounting portion 12, and again, the clamp pin 13 is positioned in the original position while compressing the spring 14. The clamping of W) is released.

그런데, 이와 같이 클램프 핀(13)이 스프링(14)의 탄성을 이용하여 웨이퍼(W)를 클램핑하는 종래의 매엽식 기판 세정장치에서는, 스프링(14)의 탄성력을 제어할 수 없기 때문에 웨이퍼(W)에 스트레스(stress)를 줄 수밖에 없으며, 이로 인하여 후속공정에서 웨이퍼(W)에 심각한 결함을 초래하게 하는 문제점이 있었다.By the way, in the conventional single wafer type | mold board | substrate cleaning apparatus which clamps the wafer W using the elasticity of the spring 14 in this way, since the elastic force of the spring 14 cannot be controlled, the wafer W There is a stress to the stress (), thereby causing a serious defect in the wafer (W) in the subsequent process.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 클램핑시 웨이퍼에 전달되는 충격을 최소화하기 위하여 클램프 핀의 이동을 에어의 압력으로 이루어지게 함으로써 세정시 웨이퍼의 스트레스 감소시켜 서 수율을 증대를 가져오는 매엽식 기판 세정장치를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, the object of the present invention is to reduce the stress of the wafer during cleaning by making the movement of the clamp pin to the pressure of air to minimize the shock delivered to the wafer during clamping of the wafer It is to provide a sheet-fed substrate cleaning apparatus that increases the yield.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 1매의 웨이퍼를 스핀세정시 및 스핀건조시에 있어서 수평상태로 지지하면서 수평 회전시키는 기판회전부와, 기판회전부 상에 원주 방향을 따라 웨이퍼의 주연부를 재치 지지하는 복수의 웨이퍼재치부가 마련된 매엽식 기판 세정장치에 있어서, 각 웨이퍼재치부에 웨이퍼의 외주연을 접촉 지지하도록 설치되는 클램프 핀과, 클램프 핀이 에어의 압력으로 이동 가능하도록 하는 에어공급수단과, 에어공급수단에 에어의 압력을 제어할 수 있는 에어압력제어기를 포함하는 매엽식 기판 세정장치를 제공한다.The present invention for realizing the above object comprises a substrate rotating portion for horizontally rotating while supporting a single wafer in a horizontal state during spin cleaning and spin drying, and the peripheral portion of the wafer along the circumferential direction on the substrate rotating portion. A sheet type substrate cleaning apparatus provided with a plurality of wafer placing parts, comprising: clamp pins provided to contact and support an outer periphery of a wafer in each wafer placing portion, and air supply means for allowing the clamp pins to move at an air pressure; It provides a single wafer cleaning apparatus comprising an air pressure controller that can control the pressure of the air to the air supply means.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정장치의 개략적인 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정장치에서 일부분을 확대한 정단면도이다.3 is a schematic plan view of a sheet type substrate cleaning apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is an enlarged front sectional view of a portion of the sheet type substrate cleaning apparatus according to the present invention.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정장치(100)는, 크게 밀폐된 챔버(미도시)내에서 1매의 웨이퍼(W)를 수평상태로 지지하여 회전하는 기판회전부(110)와, 세정액을 공급하는 약액공급부(140)와, 산화방지용 불활성기체를 공급하는 불활성기체공급부(150)와, 이들의 구동부를 상호 연동시켜 제어하는 제어부(160)를 주요부로 하여 구성된다.As shown in FIGS. 3 and 4, the sheet type substrate cleaning apparatus 100 according to the present invention supports and rotates one wafer W in a horizontal state in a large hermetically sealed chamber (not shown). Main parts include the substrate rotating unit 110, the chemical liquid supply unit 140 for supplying the cleaning liquid, the inert gas supply unit 150 for supplying the inert gas for oxidation prevention, and the controller 160 for interlocking and controlling the driving unit. It is composed.

미도시된 챔버는 상부가 밀폐 가능한 세정처리용 공간으로 형성되고, 상부 공간에는 개폐 가능한 웨이퍼 기판의 반출입구가 형성되어 폐쇄 시에 기밀성 및 수밀성이 확보되는 구조를 가진다.The chamber, not shown, is formed as a space for the cleaning process that can be sealed in the upper portion, and has a structure in which airtightness and watertightness are ensured in the upper space by opening and closing the opening and closing of the wafer substrate.

기판회전부(110)는, 1매씩의 웨이퍼(W)를 스핀세정시 및 스핀건조시에 있어서 수평상태로 지지하면서 수평 회전시켜서 웨이퍼(W)표면에 부착된 이물질을 원심력에 의해 제거되도록 하도록 하는 것으로서, 회전축(111)의 선단부분에 기판지지부(112)가 수평상태로 설치되어 지지됨과 동시에, 이 회전축(111)을 회전구동시키는 구동모터(미도시)를 구비하여 형성된다.The substrate rotating unit 110 rotates the wafers W horizontally while supporting the wafers W in a horizontal state during spin cleaning and spin drying so as to remove foreign substances adhering to the wafer W surface by centrifugal force. In addition, the substrate support part 112 is installed and supported in a horizontal state at the front end portion of the rotating shaft 111, and is provided with a driving motor (not shown) for rotating the rotating shaft 111.

그리고 기판지지부(112)에는 본 발명의 특징에 따라서 웨이퍼(W)의 주연부를 재치 지지하는 웨이퍼재치부(120)와 웨이퍼재치부(120)에 에어를 공급할 수 있는 에어공급수단(130)이 설치된다.In addition, the substrate support part 112 is provided with a wafer placing part 120 for mounting and supporting the periphery of the wafer W and an air supply means 130 for supplying air to the wafer placing part 120 according to the characteristics of the present invention. do.

웨이퍼재치부(120)는 기판지지부(112) 상에서 원주 방향을 따라 등간격으로 복수개가 설치되며, 몸체(121)와, 몸체(121)로부터 돌출되어 웨이퍼(W)의 외주연을 접촉하여 지지하는 클램프 핀(122)이 설치된다.A plurality of wafer mounting portion 120 is installed at equal intervals along the circumferential direction on the substrate support portion 112, protrudes from the body 121 and the body 121 to contact and support the outer circumference of the wafer (W) The clamp pin 122 is installed.

대략 사각의 밀폐된 공간을 형성하는 몸체(121)의 상부면에는 가이드홈(121a)이 길이 방향으로 형성되며, 가이드홈(121a)으로부터 돌출된 클램프 핀(122)은 가이드홈(121a)을 따라 전, 후진 이동이 이루어진다.The guide groove 121a is formed in the longitudinal direction on the upper surface of the body 121 forming a substantially rectangular sealed space, and the clamp pin 122 protruding from the guide groove 121a is along the guide groove 121a. Forward and backward movements are made.

클램프 핀(122)은 대략 8mm 내지 12mm의 높이를 가지고, 바람직하게는 웨이퍼(W)의 외주연을 지지할 수 있는 원호 형상의 지지홈(122a)이 내측으로 4mm 내지 6mm의 깊이를 가지고 형성되는 것이 바람직하다.The clamp pin 122 has a height of approximately 8 mm to 12 mm, and preferably, an arc-shaped support groove 122 a capable of supporting the outer circumference of the wafer W is formed with a depth of 4 mm to 6 mm inwardly. It is preferable.

이러한 클램프 핀(122)에는 하부로 하여 몸체(121)의 내부 공간에 위치되는 막음판(123)과, 막음판(123)과 직교하는 이동판(124)이 일체로 형성되어, 이동판(124)은 몸체(121)의 내부 공간을 구획할 수 있을 크기를 가지고 이동 가능하게 형성되며, 이동판(124)의 이동에 따라 막음판(123)은 클램프 핀(122)의 이동에 따른 몸체(121)의 가이드홈(121a)을 커버하게 된다.The clamp pin 122 is integrally formed with a blocking plate 123 positioned downward in the inner space of the body 121 and a moving plate 124 orthogonal to the blocking plate 123. ) Has a size that can partition the internal space of the body 121 is formed to be movable, the blocking plate 123 according to the movement of the moving plate 124 is the body 121 according to the movement of the clamp pin 122 To cover the guide groove 121a.

더욱이 몸체(121)의 내측면과 이동판(124)의 일면 사이에 스프링(125)이 고정 설치되어, 하기에서 설명하는 에어공급수단(130)을 통하여 공급되는 에어로 전진 이동된 이동판(124)의 복귀를 돕게 된다.Furthermore, the spring 125 is fixedly installed between the inner surface of the body 121 and one surface of the moving plate 124, and the moving plate 124 is moved forward with air supplied through the air supply means 130 described below. Will help the return.

한편, 에어공급수단(130)으로써 몸체(121)의 내부와 연통되는 에어공급관(132)이 설치되며, 에어공급관(132)의 후단으로는 에어를 공급할 수 있는 에어공급부(136)가 설치된다. 후단에 에어공급부(136)를 가지는 에어공급관(132)은 각 몸체(121)로 분기 연결되어 각각의 몸체(121)로 에어를 공급하는 것이 바람직하다.On the other hand, the air supply means 130 is provided with an air supply pipe 132 that communicates with the inside of the body 121, the rear end of the air supply pipe 132 is provided with an air supply unit 136 for supplying air. Air supply pipe 132 having an air supply unit 136 at the rear end is preferably branched to each body 121 to supply air to each body 121.

또한, 에어공급관(132) 상에는 공급되는 에어의 압력을 제어할 수 있는 에어압력제어기(134)가 더 설치되어, 공급되는 에어의 량을 제어하게 된다.In addition, an air pressure controller 134 is further installed on the air supply pipe 132 to control the pressure of the supplied air, thereby controlling the amount of air supplied.

그리고 약액공급부(140)는 기판회전부(110)에 회전 지지되는 웨이퍼(W)의 표면에 세정을 공급하는 것으로서, 기판회전부(110)의 기판지지부(112)에 지지된 웨이퍼(W)의 표면에 상측으로부터 세정액을 분사공급하는 분사노즐의 형태로 되어 있다. 그리고 약액공급부(140)는 기판회전부(110)의 기판지지부(112)에 수평상태에서 회전 지지되는 웨이퍼(W)의 표면에 대하여, 그 외주로부터 중심에 걸쳐서 수평으로 선회하면서, 혹은 수평선회하여 정지후에 세정액을 분사공급하도록 구성되어 있다.In addition, the chemical supply unit 140 supplies cleaning to the surface of the wafer W that is rotationally supported by the substrate rotating unit 110. The chemical solution supply unit 140 is provided to the surface of the wafer W that is supported by the substrate supporting unit 112 of the substrate rotating unit 110. It is in the form of a spray nozzle for spraying and supplying the cleaning liquid from the upper side. The chemical liquid supply unit 140 rotates horizontally from the outer circumference to the center of the wafer W, which is rotated and supported in the horizontal state on the substrate support 112 of the substrate rotating unit 110, or stops horizontally. It is configured to spray supply the cleaning liquid afterwards.

약액공급부(140)에서는 APM액, 초순수, DHF액의 공급 등이 이루어진다.In the chemical liquid supply unit 140, APM liquid, ultrapure water, and DHF liquid are supplied.

불활성기체공급부(150)는 기판회전부(110)에 회전지지되는 웨이퍼(W)의 표면에 산화방지용의 불활성기체를 공급하는 것으로, 불활성기체로서 N2가스가 사용되고 있다.The inert gas supply unit 150 supplies an inert gas for oxidation prevention to the surface of the wafer W that is rotated and supported by the substrate rotating unit 110, and N 2 gas is used as the inert gas.

좀 더 구체적으로 기판회전부(110)에 회전지지되는 웨이퍼(W)의 표면 주위에 건조용 밀폐공간을 형성하는 원형 덮개체의 형태로 된 기체분출부(152)를 구비한다.More specifically, the gas ejection unit 152 is formed in the form of a circular cover body to form a drying airtight space around the surface of the wafer W which is rotated and supported by the substrate rotating unit 110.

이 기체분출부(152)는 내부가 연통배관을 통하여 불활성기체가 공급되는 편평한 중공형상으로 되며, 그 평면저부, 즉 평판형상의 저판에 공급구(154)가 설치되어 있다. The gas ejection section 152 has a flat hollow shape in which an inert gas is supplied through a communication pipe, and a supply port 154 is provided at the flat bottom, that is, a flat bottom plate.

제어부(160)는 각 구성부를 상호 연동하여 구동 제어하는 것으로, 이 제어부(160)에 의해 일련의 액체처리공정이 전자동으로 실행된다.The control unit 160 controls driving of each component in cooperation with each other, and the control unit 160 executes a series of liquid treatment processes automatically.

이와 같은 구조로 이루어진 매엽식 기판 세정장치의 동작은 다음과 같이 이루어진다.Operation of the sheet type substrate cleaning device having such a structure is performed as follows.

웨이퍼재치부(120)의 몸체(121) 내부에서 후퇴되어 있는 이동판(124)은 일체의 클램프 핀(122)을 오픈 상태로 위치시키게 되며, 이와 같은 클램프 핀(122)의 오픈 상태에서 웨이퍼(W)가 안착됨과 동시에, 에어공급수단(130)의 에어공급부(136)로부터 공급된 에어는 각 몸체(121)에 연결된 각각의 에어공급관(132)을 따라 에어가 공급된다.The moving plate 124 retracted from the inside of the body 121 of the wafer mounting unit 120 positions the clamp pin 122 in an open state, and the wafer (in the open state of the clamp pin 122). At the same time as W) is seated, the air supplied from the air supply unit 136 of the air supply unit 130 is supplied with air along each air supply pipe 132 connected to each body 121.

몸체(121)로 유입된 에어는 몸체(121)내부의 이동판(124)을 일측으로 밀게되 며, 이에 따라 클램프 핀(122)은 스프링(125)을 인장시키면서 가이드홈(121a)을 따라 전진되어 안착되는 웨이퍼(W)를 클램프 하게 된다.The air introduced into the body 121 pushes the moving plate 124 inside the body 121 to one side, and thus the clamp pin 122 moves forward along the guide groove 121a while tensioning the spring 125. Then, the wafer W to be seated is clamped.

이 때, 클램프 핀(122)의 전진 이동과 같이 막음판(123)은 개방되는 가이드홈(121a)을 커버하여 에어의 유출을 방지하게 되며, 이 에어의 공급량은 웨이퍼(W)가 세정되는 동안 계속하여 에어압력제어기(134)로 제어가 이루어진다. At this time, as the forward movement of the clamp pin 122, the blocking plate 123 covers the guide groove 121a to be opened to prevent the outflow of air, and the supply amount of the air is while the wafer W is being cleaned. Subsequently, control is performed by the air pressure controller 134.

따라서 압력이 제어되는 에어를 통하여 클램핑되는 클램프 핀(122)은 웨이퍼(W)의 외주연에 가해지는 충격이 완화되어 웨이퍼(W)의 스트레스를 최소화시킬 수 있다.Therefore, the clamp pin 122 clamped through the air whose pressure is controlled may be alleviated by the impact applied to the outer circumference of the wafer W to minimize the stress of the wafer W.

다음과 같이 클램핑 된 웨이퍼(W)상에는 제어부(160)를 통한 구동으로 약액공급부(140)와 불활성기체공급부(150)로 세정이 이루어진다.The chemical liquid supply unit 140 and the inert gas supply unit 150 are cleaned by driving the controller 160 on the clamped wafer W as follows.

그리고 세정이 완료된 웨이퍼(W)는 에어공급부(136)로부터 에어의 공급이 중단됨과 동시에 스프링(125)의 복원력은 이동판(124)을 잡아당겨서 막음판(123) 및 클램프 핀(122)이 원위치로 이동된다.In addition, the cleaning is completed, the wafer W is stopped supplying air from the air supply unit 136 and the restoring force of the spring 125 pulls the moving plate 124 so that the blocking plate 123 and the clamp pin 122 return to their original positions. Is moved to.

이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 클램프 핀(122)의 이동이 에어공급수단(130)을 통하여 이루어지게 함으로써 웨이퍼(W)의 클램핑 시 웨이퍼(W)의 스트레스를 최대한 줄여서 웨이퍼(W)의 세정 효율을 증대시킨다. 또한, 후속공정시 웨이퍼(W)의 결함발생을 감소시켜서 수율을 증대시키게 된다.As described above, according to the preferred embodiment of the present invention, the clamp pin 122 is moved through the air supply means 130, thereby reducing the stress of the wafer W during clamping of the wafer W to minimize the wafer W. Increase the cleaning efficiency. In addition, the yield of wafers W may be reduced in subsequent processes, thereby increasing yield.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정장치는, 웨이퍼의 클램핑시 웨이퍼에 전달되는 충격을 최소화하기 위하여 클램프 핀의 이동을 에어의 압 력으로 이루어지게 함으로써 세정시 웨이퍼의 스트레스 감소시켜서 수율 증대의 효과를 가지고 있다. As described above, the sheet type substrate cleaning apparatus according to the present invention reduces the stress of the wafer during cleaning by reducing the stress of the wafer during cleaning by performing the movement of the clamp pin to minimize the impact delivered to the wafer during clamping of the wafer. It has the effect of augmentation.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다. What has been described above is just one embodiment for implementing the sheet type substrate cleaning apparatus according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, and as claimed in the following claims, Without departing from the gist of the present invention, one of ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (4)

1매의 웨이퍼를 스핀세정시 및 스핀건조시에 있어서 수평상태로 지지하면서 수평 회전시키는 기판회전부와, 상기 기판회전부 상에 원주 방향을 따라 상기 웨이퍼의 주연부를 재치 지지하는 복수의 웨이퍼재치부가 마련된 매엽식 기판 세정장치에 있어서,A substrate rotating portion for horizontally rotating while supporting one wafer in a horizontal state at the time of spin cleaning and spin drying, and a plurality of wafer placing portions for placing the peripheral portion of the wafer along the circumferential direction on the substrate rotating portion. In the leaf type substrate cleaning device, 상기 각 웨이퍼재치부에 상기 웨이퍼의 외주연을 접촉 지지하도록 설치되는 클램프 핀과,A clamp pin provided to contact and support the outer periphery of the wafer in each of the wafer placing parts; 상기 클램프 핀이 에어의 압력으로 이동 가능하도록 하는 에어공급수단과,Air supply means for allowing the clamp pin to move at a pressure of air; 상기 에어공급수단에 에어의 압력을 제어할 수 있는 에어압력제어기Air pressure controller that can control the pressure of air to the air supply means 를 포함하는 매엽식 기판 세정장치.Sheet type substrate cleaning device comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 에어공급수단은,The air supply means, 상기 클램프 핀의 하부에 일체로 이어지는 이동판이 위치되어 전, 후진 이동이 가능하도록 공간을 형성하는 상기 웨이퍼재치부의 몸체와,A body of the wafer placing unit which is formed at a lower portion of the clamp pin and integrally connected to form a space for forward and backward movement; 상기 몸체의 내부로 연통되게 이어지는 에어공급관과,An air supply pipe leading to the interior of the body; 상기 에어공급관의 후단에 설치되어 에어를 공급하는 에어공급부,An air supply unit installed at a rear end of the air supply pipe to supply air; 를 포함하는 매엽식 기판 세정장치.Sheet type substrate cleaning device comprising a. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 몸체에는 상기 이동판의 일면에 고정되는 스프링이 설치되어, 전진 이 동된 상기 이동판의 복귀를 돕는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정장치.The body is provided with a spring fixed to one side of the moving plate, the sheet type substrate cleaning device, characterized in that to help the return of the moving plate is moved forward. 삭제delete
KR1020060046604A 2006-05-24 2006-05-24 Cleaning apparatus of single peace type substrate KR100772260B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060046604A KR100772260B1 (en) 2006-05-24 2006-05-24 Cleaning apparatus of single peace type substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060046604A KR100772260B1 (en) 2006-05-24 2006-05-24 Cleaning apparatus of single peace type substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100772260B1 true KR100772260B1 (en) 2007-11-01

Family

ID=39060494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060046604A KR100772260B1 (en) 2006-05-24 2006-05-24 Cleaning apparatus of single peace type substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100772260B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103963489A (en) * 2014-05-28 2014-08-06 重庆金龙科技有限公司 Code-spraying quick hot-drying device
CN112207086A (en) * 2020-09-23 2021-01-12 嘉兴珉瑶贸易有限公司 Duplicator protection device for office supply air pressure clamping vibration quick cleaning

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990019399U (en) * 1997-11-19 1999-06-15 구본준 Wafer Scrubber for Semiconductor Manufacturing

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990019399U (en) * 1997-11-19 1999-06-15 구본준 Wafer Scrubber for Semiconductor Manufacturing

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103963489A (en) * 2014-05-28 2014-08-06 重庆金龙科技有限公司 Code-spraying quick hot-drying device
CN112207086A (en) * 2020-09-23 2021-01-12 嘉兴珉瑶贸易有限公司 Duplicator protection device for office supply air pressure clamping vibration quick cleaning

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101608105B1 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR101699657B1 (en) Substrate processing device
TWI652754B (en) Substrate processing device
JP2010130020A (en) Substrate support unit, and apparatus and method for polishing substrate by using the same
CN108269752B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI607487B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR101551995B1 (en) Liquid processing apparatus
KR101658969B1 (en) Substrate treating apparatus and method
US10685856B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI654700B (en) Substrate processing method
KR100772260B1 (en) Cleaning apparatus of single peace type substrate
KR101829975B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20120138697A (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
CN115565925A (en) Substrate processing apparatus and method for cleaning antifogging material
JP3717399B2 (en) Substrate processing equipment
KR101654623B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate cleaning method
JP6416652B2 (en) Substrate processing equipment
KR101909476B1 (en) Brush unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR20140090588A (en) Method for treating substrate
US11955365B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6405259B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2002177854A (en) Substrate treatment apparatus
KR101502858B1 (en) Apparatus and method for washing mask
JP2015192050A (en) Substrate processing device
KR20130060627A (en) Apparatus for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee