KR100770272B1 - 레이저 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법 - Google Patents

레이저 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기재층; 상기 기재층 상에 위치한 광-열변환층; 상기 광-열변환층 상에 위치하고, 포토레지스트를 포함하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치한 전사층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판을 제공한다.
또한 본 발명은 기재층을 제공하는 단계; 상기 기재층 상에 광-열변환층을 형성하는 단계; 상기 광-열변환층 상에 포토레지스트를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전사층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 화소전극이 형성된 기판을 제공하는 단계; 기재층, 상기 기재층 상에 광-열변환층, 상기 광-열변환층 상에 포토레지스트를 포함하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상에 유기막인 전사층을 차례로 적층하여 제조한 레이저 전사용 도너기판을 상기 전사층이 상기 기판을 향하도록 대향하여 서로 이격되어 배치하는 단계; 상기 도너기판의 소정영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 화소전극 상에 유기막 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
도너기판, 버퍼층, 포토레지스트, 유기전계발광소자

Description

레이저 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법 {Donor substrate for Laser Induced Thermal Imaging and method of fabricating thereof, and method of fabricating OLED using the same}
도 1a 및 도 1b는 종래의 레이저 열전사법에 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
도 2 는 본 발명의 제 1 실시예의 의한 레이저 전사용 도너기판의 구조를 나타낸 도면.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 제 2 실시예의 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
<도면부호에 대한 간단한 설명>
10: 도너기판 11: 기재층
12: 광-열변환층 13: 버퍼층
14: 전사층 400: 기판
401: 기판 402: 제 1 전극
404: 유기막패턴
본 발명은 레이저 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전사 특성을 향상시킬 수 있는 레이저 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
평판표시소자(Flat Panel Display Device) 중에서 유기전계발광소자 (Organic Light Emitting Display Device)는 자발광이며, 시야각이 넓고, 응답속도가 빠르고, 얇은 두께와 낮은 제작비용 및 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 나타냄으로써 향후 차세대 평판표시소자로 주목받고 있다.
일반적으로, 유기전계발광소자는 양극 및 음극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등의 여러 층으로 이루어져 있으며, 상기의 유기전계발광소자에 R, G 및 B의 삼원색을 나타내는 발광층을 패터닝함으로서 풀칼라를 구현할 수 있다.
상기 다층의 유기막은 새도우 마스크를 이용한 진공증착법 또는 통상적인 광식각법을 이용하여 형성되어질 수 있으나 진공 증착법의 경우에는 유기막을 미세 패턴으로 형성하는데 어려움이 있어 완벽한 풀칼라 디스플레이를 구현하는데 어려움이 있으며, 광식각법인 경우에는 현상액 또는 식각액에 의해 유기막의 손상으로 수명 및 효율 등의 발광 특성이 나빠지는 문제점이 있다.
이에 따라, 이런 문제점을 해결하기 위한 방법으로 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging : LITI)을 이용하여 유기막을 패턴하는 방식이 도입되었 다.
상기 레이저 열전사법은 광원에서 빛이 나와 도너기판의 광-열변환층에 흡수되어 빛이 열에너지로 전환되고, 전환된 열에너지에 의해 전사층에 형성된 유기물질이 기판으로 전사되어 형성되는 방법이다.
도 1a 및 1b는 종래의 레이저 열전사법에 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면, 먼저, 절연 기판(100)의 버퍼층(110)상부에 통상적인 방법으로 반도체층(125), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(135), 층간 절연막(130), 소오스/드레인 전극(145)을 구비한 박막 트랜지스터가 형성된다.
상기 기판의 전면에 걸쳐 상기 소오스/드레인 전극 상부에 평탄화막(150)을 형성하고, 상기 소오스 또는 드레인 전극(145)을 노출시키기 위한 비아홀(165)을 형성한다.
상기 평탄화막 상에 상기 비아홀(165)을 통하여 소오스 또는 드레인 전극(145)과 연결되도록 화소전극(160)을 형성한다.
이 때, 상기 비아홀(160)의 굴곡진 형태를 지닌 상기 화소전극(160)을 덮는 화소정의막(170)을 형성한 후, 상기 화소정의막(170)을 패터닝하여 상기 화소전극(160)의 일부분을 노출시키는 개구부(195)를 형성한다.
이로써, 박막트랜지스터를 구비하며, 상기 화소전극(160)이 형성되어 있는 기판을 제조한다.
한편, 기재층(201), 광-열변환층(202), 버퍼층(203) 및 전사층(204)을 순차 적으로 적층하여 레이저 전사용 도너기판(200)을 제조한다.
상기 도너기판(200)은 상기 광-열변환층(202)와 상기 버퍼층(203) 사이에 가스생성층(미도시)를 더욱 포함할 수 있다.
이어서, 상기 기판의 화소 전극과 상기 전사용 도너기판의 전사층(204)을 마주보게 하여 라미네이션(lamination)한 후에 상기 도너기판의 기재층의 일부 영역에 레이저를 조사한다.
이후에 도 1b에서와 같이 상기 기판의 화소전극(160)상에 도너기판으로부터 상기 전사층(204)이 전사되어 유기막 패턴(204')을 형성된다. 이어서, 상기 유기막 패턴(204')의 상을 포함하는 기판 전면에 상부전극(180)을 형성함으로서 유기전계발광소자를 제조할 수 있다.
그러나 종래의 버퍼층 및 가스생성층을 포함한 도너기판을 레이저 열전사법에 이용하여 유기전계발광소자의 유기발광층을 형성하는 경우에는, 도너기판의 버퍼층이 열차단 역할을 제대로 수행하지 못한다. 따라서 광-열변환층에 의해 전환된 열에너지로 인하여 전사층의 유기막층이 손상되므로 유기전계발광소자의 효율과 수명을 저하시키는 문제점이 있다.
또한, 별도의 가스생성층을 형성해야함으로 공정시간이 증가하는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 레이저 열전사법에 의해 유기막 패턴을 형성할 때 레이저로 인한 전사층의 열적 손상을 방지 및 가스생성층으로서의 역할을 동시에 하는 버퍼층을 구비한 레이저 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 기재층; 상기 기재층 상에 위치한 광-열변환층; 상기 광-열변환층 상에 위치하고, 포토레지스트를 포함하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치한 전사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판을 제공한다.
또한, 본 발명은 기재층을 제공하는 단계; 상기 기재층 상에 광-열변환층을 형성하는 단계; 상기 광-열변환층 상에 포토레지스트를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전사층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 화소전극이 형성된 기판을 제공하는 단계; 기재층, 상기 기재층 상에 광-열변환층, 상기 광-열변환층 상에 포토레지스트를 포함하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상에 유기막인 전사층을 차례로 적층하여 제조한 레이저 전사용 도너기판을 상기 전사층이 상기 기판을 대향하도록 서로 이격되어 배치하는 단계; 상기 도너기판의 소정영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 화소전극 상에 유기막 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2 는 본 발명의 실시예의 의한 레이저 전사용 도너기판의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2 를 참조하면, 도너기판(10)은 기재층(11), 광-열변환층(12), 포토레지스트를 포함하는 버퍼층(13) 및 전사층(14)이 적층되어 있는 구조를 가지고 있다.
상기 기재층(11)은 상기 광-열변환층(12)에 빛을 전달하기 위하여 투명성을 가져야 하며, 적당한 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가진 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 물질이거나 유리로 이루어질 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(11)은 폴리에틸렌테레프탈레이트일 수 있다. 상기 기재층(11)의 역할은 지지기판으로서의 역할을 수행하며 복합적인 다중계도 사용 가능하다.
상기 광-열변환층(12)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부분을 열로 변환시키는 층으로서, 적당한 광학밀도(optical density)를 가져야 하며, 빛을 흡수하기 위한 광흡수성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상 기 광-열변환층(12)은 Al, Ag 및 이들의 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막이거나 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함하는 고분자로 이루어진 유기막으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필름 코팅 방법으로서, 그라비아(Gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin) 및 나이프(knife) 코팅방법 중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(13)은 상기 광-열변환층(12)에서 상기 전사층(14)으로 전달되는 과도한 열을 차단하며, 상기 전사층(14)의 열적인 손상을 방지하고 또한 가스생성층의 역할을 할 수 있는 물질로 형성된다.
상기 버퍼층(13)은 포토레지스트를 포함한다. 상기 포토레지스트는 노볼락(novolak)수지 및 디아조화합물 유도체로 구성된 광활성화합물(photo active compound)을 포함하는 포토레지스트 또는 산에 민감한 보호기를 포함하는 수지 및 광산발생제를 포함하는 포토레지스트 중 어느 하나이다.
상기 포토레지스트가 노볼락(novolak)수지 및 디아조화합물 유도체로 구성된 광활성화합물(photo active compound)을 포함하는 포토레지스트일 경우, 광 또는 열을 흡수하면 산화되어 분해반응을 일으켜서 이산화탄소(CO2) 등을 방출함으로써, 과도한 레이저 에너지에 의한 광 또는 열을 흡수하고, 가스를 형성하는 두가지 기능을 동시에 갖는다.
상기 노볼락 수지는 공지된 포토레지스트에 사용되는 노볼락 수지이면 충분 하고, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 각종 페놀류의 단독 또는 이들의 복수 종류의 혼합물을 포르말린 등의 알데히드류로 증축합시킴으로써 수득될 수 있다.
상기 노볼락 수지를 구성하는 페놀류로는 페놀, p-크레졸, m-크레졸, o-크레졸, 2,3-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 2,5-디메틸페놀, 2,6-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,3,4-트리메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 2,4,5-트리메틸페놀, 메틸렌비스페놀, 메틸렌비스 p-크레졸, 레조르신, 카테콜, 2-메틸레조르신, 4-메틸레조르신, o-클로로페놀, m-클로로페놀, p-클로로페놀, 2,3-디클로로페놀, m-메톡시페놀, p-메톡시페놀, p-부톡시페놀, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, 2,3-디에틸페놀, 2,5-디에틸페놀, p-이소프로필페놀, α-나프톨, β-나프톨 등을 들수 있고, 이들을 단독으로 또는 복수의 혼합물로서 사용할 수 있다.
또한 알데히드류로서는 포르말린 이외에, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로아세트알데히드등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 복수의 혼합물로서 사용할 수 있다.
상기 디아조화합물 유도체로는 종래 공지되어 있는 디아조화합물 유도체들을 포함하는 포토레지스트의 어떠한 것도 사용할 수 있지만, 나프토퀴논디아지드설폰산 클로라이드나 벤조퀴논디아지드설폰산 클로라이드와 같은 퀴논디아지드설폰산 할라이드와 이러한 산 할라이드와 축합반응이 가능한 관능성 그룹을 갖는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 반응시킴으로써 수득되는 것이 바람직하다. 여기서 산 할라이드와 축합 반응 가능한 관능성 그룹으로서는, 하이드록실 그룹, 아미노 그룹 등을 들 수 있고, 특히 하이드록실 그룹이 적합하다. 하이드록실 그룹을 포함하는 저분자 화합물로서는, 하이드로퀴논, 레조르신, 2,4-나하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논, 2,4,4‘-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4’-테트라하이드록시벤조페논, 2,2‘,4,4’-테트라하이드록시벤조페논, 2,2‘,3,4,6’-펜타하이드록시벤조페논 등을 들 수 있고, 하이드록실 그룹을 포함하는 고분자 화합물로서는 노볼락 수지 폴리하이드록시스티렌 등을 들 수 있다.
또한, 상기 포토레지스트가 산에 민감한 보호기를 포함하는 수지 및 광산발생제를 포함하는 포토레지스트일 경우, 광에 노출되면 광산발생제로부터 발생한 산기(H+)가 촉매로 작용하여, 상기 포토레지스트의 조성물 내의 산에 민감한 보호기를 탈리시키고, 이산화탄소(CO2)등과 같은 가스를 방출함으로써 과도한 레이저 에너지에 의한 광 또는 열을 흡수하고, 가스를 형성하는 두가지 기능을 동시에 갖는다.
상기 산에 민감한 보호기는 t-부틸, 테트라히드로피란일, 메틸테트라히드로피란일, 테트라히드로퓨란일, 메틸테프라히드로퓨란일, 메톡시에틸, 2-메톡시프로필, 에폭시에틸, 2-에톡시프로필, t-부톡시에틸, 아세톡시에톡시에틸, 아세톡시메틸, t-부톡시카르보닐 및 이소부톡시에틸로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
상기 광산발생제는 빛에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물이면 무엇이든 사 용가능하며, 트리아리술포늄염(triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염(diaryliodonium salt), 술포네이트(sulfonates) 또는 그 혼합물로 이루어질 수도 있다.
상기 버퍼층(13)의 두께는 0.5~3㎛인 것이 바람직하다. 상기 버퍼층의 두께가 0.5㎛ 이하이면, 상기 광-열변환층(12)에서 전달되는 과도한 레이저 에너지에 의한 광 또는 열을 차단하는 역할을 제대로 수행할 수 없고, 3㎛ 이상이면 상기 전사층(14)으로 열전달이 용이하지 않는 문제점이 있다.
상기 버퍼층(13)을 스핀코팅(spin coating)법을 이용하여 도포하는 것이 바람직하다.
상기 전사층(14)은, 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 정공주입층은 유기전계발광소자의 유기발광층에 정공주입을 용이하게 하며 소자의 수명을 증가시킬 수 있는 역할을 한다. 상기 정공주입층은 아릴 아민계 화합물 및 스타버스터형 아민류등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4‘,4“-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc)등으로 이루어질 수 있다.
상기 정공수송층은 정공을 쉽게 유기발광층으로 운반시킬 뿐만 아니라 상기 캐소드 전극으로부터 발생한 전자를 발광영역으로 이동되는 것을 억제시켜 줌으로 써 발광효율을 높일 수 있는 역할을 한다. 상기 정공수송층은 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐디아민유도체 및 사다리형 화합물등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1‘-바이페닐-4,4’-디아민(TPD)이거나 4,4‘-비스[N-(1-나프릴)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.
상기 유기발광층은 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도펀트), Alq3(호스트)/DCM(형광도펀트), CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도펀트), CBP(호스트)/IrPPY(인광 유기물 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA)등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다.
상기 정공억제층은 유기발광층내에서 전자이동도보다 정공이동도가 크기 때문에 정공이 전자주입층으로 이동하는 것을 방지하는 역할을 한다. 여기 상기 정공억제층은 2-비페닐-4-일-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥시디아졸(PBD), spiro-PBD 및 3-(4‘-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4’-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 전자수송층은 유기발광층상부에 적층되며 전자가 잘 수용할 수 있는 금속화합물로 이루어지며, 캐소드 전극으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)으로 이루어질 수 있다.
상기 전자주입층은 1,3,4-옥시디아졸 유도체, 1,2,4-트리아졸 유도체 및 LiF로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 이와 같은 유기막은 압출, 스핀, 나이프 코팅방법, 진공 증착법, CVD등의 방법에 의해 형성될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 2 실시예의 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a와 같이, 먼저 기판(301)이 제공되고, 상기 기판(301) 상에 제 1 전극(302)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 전극(302) 상에 위치하며 화소부를 정의하는 역할을 수행하는 화소정의막 패턴(303)이 형성된다. 여기서, 상기 기판(301)과 상기 제 1 전극(302)의 사이에 박막트랜지스터, 절연막 및 캐패시터를 포함할 수도 있다.
한편, 기재층(401)이 제공되고, 상기 기재층(401)상에 광-열변환층(402), 상기 광-열변환층(402)상에 버퍼층(403) 및 상기 버퍼층(403) 상에 전사층(404)을 순차적으로 적층하여 레이저 전사용 도너기판(400)을 제조한다.
상기 버퍼층(403)은 포토레지스트를 포함하며, 스핀코팅법을 이용하여 형성한다.
상기 포토레지스트는 노볼락(novolak)수지 및 디아조화합물 유도체로 구성된 광활성화합물(photo active compound)을 포함하는 포토레지스트 또는 산에 민감한 보호기를 포함하는 수지 및 광산발생제를 포함하는 포토레지스트 중 어느 하나이 다.
구체적인 포토레지스트 물질은 앞서 언급하였으므로 중복을 피하기 위하여 여기에서는 설명을 생략한다.
이어서, 상기 기판(301)의 화소영역과 상기 도너기판의 전사층(404)이 서로 마주보게 배치한 후 균일하게 라미네이션(lamination)한다. 이때 상기 도너기판의 버퍼층(403)의 영향으로 상기 기판(301)의 굴곡진 부분에 도너기판이 균일하게 밀착될 수 있다.
이후에 도 3b에서와 같이 상기 기판(301)에 밀착되어 있는 상기 도너기판의 기재층(401)의 일부 영역에 레이저를 조사하여 전사층(404)이 상기 기판(301)에 전사되어 유기막 패턴(404')을 형성한다.
여기서 상기 유기막 패턴(404')은 적어도 유기발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입층 및 전자수송층을 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
이어서, 도 3c에서와 같이, 상기 기판(301)전면에 걸쳐 상기 유기막 패턴(404')상부에 제 2 전극(405)을 형성한 후, 봉지하면 유기전계발광소자를 제작할 수 있다.
본 발명에서는 레이저 전사용 도너기판의 광-열변환층과 전사층 사이에 포토레지스트를 포함하는 버퍼층을 형성함으로써, 전사층으로 전달되는 과도한 레이저 에너지에 의한 광 또는 열을 차단하여 전사층의 열화를 방지한다. 또한, 가스생성층의 역할도 동시에 수행하므로 공정이 단순화되는 효과가 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
본 발명은 포토레지스트를 포함하는 버퍼층을 이용한 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 전사층으로 전달되는 과도한 레이저 에너지에 의한 광 또는 열을 효과적으로 차단하여 전사층의 열화를 방지한다. 또한, 가스생성층의 역할을 동시에 수행하므로 공정이 단순화되는 효과가 있다.

Claims (27)

  1. 기재층;
    상기 기재층 상에 위치한 광-열변환층;
    상기 광-열변환층 상에 위치하고, 포토레지스트를 포함하는 버퍼층; 및
    상기 버퍼층 상에 위치한 전사층을 포함하며, 상기 포토레지스트는 노볼락(novolak)수지 및 디아조화합물 유도체로 구성된 광활성화합물(photo active compound)을 포함하는 포토레지스트 또는 산에 민감한 보호기를 포함하는 수지 및 광산발생제를 포함하는 포토레지스트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층의 두께는 0.5~3㎛ 인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사층은 유기발광층, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입 층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 노볼락 수지는 페놀, p-크레졸, m-크레졸, o-크레졸, 2,3-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 2,5-디메틸페놀, 2,6-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,3,4-트리메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 2,4,5-트리메틸페놀, 메틸렌비스페놀, 메틸렌비스 p-크레졸, 레조르신, 카테콜, 2-메틸레조르신, 4-메틸레조르신, o-클로로페놀, m-클로로페놀, p-클로로페놀, 2,3-디클로로페놀, m-메톡시페놀, p-메톡시페놀, p-부톡시페놀, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, 2,3-디에틸페놀, 2,5-디에틸페놀, p-이소프로필페놀, α-나프톨, β-나프톨 등의 단독 또는 복수의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 디아조화합물 유도체는 퀴논디아지드설폰산 할라이드 및 퀴논디아지드설폰산 할라이드와 축합반응이 가능한 관능성 그룹을 갖는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 반응시킴으로써 수득되는 화합물인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 산에 민감한 보호기는 t-부틸, 테트라히드로피란일, 메틸테트라히드로피란일, 테트라히드로퓨란일, 메틸테프라히드로퓨란일, 메톡시에틸, 2-메톡시프로필, 에폭시에틸, 2-에톡시프로필, t-부톡시에틸, 아세톡시에톡시에틸, 아세톡시메틸, t-부톡시카르보닐 및 이소부톡시에틸로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 광산발생제는 트리아리술포늄염(triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염(diaryliodonium salt), 술포네이트(sulfonates) 또는 그 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 관능성 그룹은 하이드록실 그룹 또는 아미노 그룹인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.
  10. 기재층을 제공하는 단계;
    상기 기재층 상에 광-열변환층을 형성하는 단계;
    상기 광-열변환층 상에 포토레지스트를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼층 상에 전사층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 스핀코팅(spin coating)법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 버퍼층의 두께는 0.5~3㎛인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 노볼락(novolak)수지 및 디아조화합물 유도체로 구성된 광활성화합물(photo active compound)을 포함하는 포토레지스트 또는 산에 민감한 보호기를 포함하는 수지 및 광산발생제를 포함하는 포토레지스트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 전사층은 유기발광층, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 노볼락 수지는 페놀, p-크레졸, m-크레졸, o-크레졸, 2,3-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 2,5-디메틸페놀, 2,6-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,3,4-트리메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 2,4,5-트리메틸페놀, 메틸렌비스페놀, 메틸렌비스 p-크레졸, 레조르신, 카테콜, 2-메틸레조르신, 4-메틸레조르신, o-클로로페놀, m-클로로페놀, p-클로로페놀, 2,3-디클로로페놀, m-메톡시페놀, p-메톡시페놀, p-부톡시페놀, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, 2,3-디에틸페놀, 2,5-디에틸페놀, p-이소프로필페놀, α-나프톨, β-나프톨 등의 단독 또는 복수의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 디아조화합물 유도체는 퀴논디아지드설폰산 할라이드 및 퀴논디아지드설폰산 할라이드와 축합반응이 가능한 관능성 그룹을 갖는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 반응시킴으로써 수득되는 화합물인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 산에 민감한 보호기는 t-부틸, 테트라히드로피란일, 메틸테트라히드로피란일, 테트라히드로퓨란일, 메틸테프라히드로퓨란일, 메톡시에틸, 2-메톡시프로필, 에폭시에틸, 2-에톡시프로필, t-부톡시에틸, 아세톡시에톡시에틸, 아세톡시메틸, t-부톡시카르보닐 및 이소부톡시에틸로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 광산발생제는 트리아리술포늄염(triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염(diaryliodonium salt), 술포네이트(sulfonates) 또는 그 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 관능성 그룹은 하이드록실 그룹 또는 아미노 그룹인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판의 제조방법.
  20. 화소전극이 형성된 기판을 제공하는 단계;
    기재층, 상기 기재층 상에 광-열변환층, 상기 광-열변환층 상에 포토레지스트를 포함하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상에 유기막인 전사층을 차례로 적층하여 제조한 레이저 전사용 도너기판을 상기 전사층이 상기 기판을 대향하도록 서로 이격되어 배치하는 단계; 및
    상기 도너기판의 일부 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 화소전극 상에 유기막 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 스핀코팅(spin coating)법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 버퍼층의 두께는 0.5~3㎛인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 노볼락(novolak)수지 및 디아조화합물 유도체로 구성된 광활성화합물(photo active compound)을 포함하는 포토레지스트 또는 산에 민감한 보호기를 포함하는 수지 및 광산발생제를 포함하는 포토레지스트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 전사층은 유기발광층, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입 층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 노볼락 수지는 페놀, p-크레졸, m-크레졸, o-크레졸, 2,3-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 2,5-디메틸페놀, 2,6-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,3,4-트리메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 2,4,5-트리메틸페놀, 메틸렌비스페놀, 메틸렌비스 p-크레졸, 레조르신, 카테콜, 2-메틸레조르신, 4-메틸레조르신, o-클로로페놀, m-클로로페놀, p-클로로페놀, 2,3-디클로로페놀, m-메톡시페놀, p-메톡시페놀, p-부톡시페놀, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, 2,3-디에틸페놀, 2,5-디에틸페놀, p-이소프로필페놀, α-나프톨, β-나프톨 등의 단독 또는 복수의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 디아조화합물 유도체는 퀴논디아지드설폰산 할라이드 및 퀴논디아지드설폰산 할라이드와 축합반응이 가능한 관능성 그룹을 갖는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 반응시킴으로써 수득되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 관능성 그룹은 하이드록실 그룹 또는 아미노 그룹인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002216957A (ja) 2001-01-19 2002-08-02 Sharp Corp 転写法を用いた有機led表示パネルの製造方法およびそれにより製造された有機led表示パネル
JP2002280174A (ja) 2001-03-22 2002-09-27 Sharp Corp ドナーフィルムおよびそれを用いて製造された有機led表示パネル
JP2003077658A (ja) 2001-09-05 2003-03-14 Sharp Corp 有機el素子製造用ドナーフィルムおよび有機el素子用基板
KR20050063534A (ko) * 2003-12-22 2005-06-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 필름 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자
KR20060040238A (ko) * 2004-11-04 2006-05-10 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002216957A (ja) 2001-01-19 2002-08-02 Sharp Corp 転写法を用いた有機led表示パネルの製造方法およびそれにより製造された有機led表示パネル
JP2002280174A (ja) 2001-03-22 2002-09-27 Sharp Corp ドナーフィルムおよびそれを用いて製造された有機led表示パネル
JP2003077658A (ja) 2001-09-05 2003-03-14 Sharp Corp 有機el素子製造用ドナーフィルムおよび有機el素子用基板
KR20050063534A (ko) * 2003-12-22 2005-06-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 필름 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자
KR20060040238A (ko) * 2004-11-04 2006-05-10 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법

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