KR100685413B1 - 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레이저 전사법에 의한 유기막 패턴을 형성시 탄성층을 구비하는 도너 기판을 이용함으로써, 기판의 단차에 의한 영향을 줄일 수 있는 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 사용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
유기전계발광소자, 레이저 열전사법, 탄성층, 도너 기판

Description

레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법{Donor substrate for laser induced thermal imaging method and method for fabricating organic electro-luminescence display device by the same}
도 1a 및 도 1b는 종래의 레이저 열전사법에 의한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 전사용 도너 기판의 구조를 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 2실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
- 도면부호에 대한 간단한 설명 -
10 : 도너 기판 11 : 기재층
12 : 탄성층 13 : 광-열 변환층
14 : 전사층 400 : 기판
401 : 기판 402 : 제 1전극
404': 유기막 패턴
본 발명은 레이저 전사용 도너 기판 및 상기 필름을 사용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전사 특성을 향상시킬 수 있는 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 사용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 유기 발광층을 포함한 유기막에 전압를 인가하여 줌으로써 전자와 정공이 발광층내에서 재결합하여 빛을 발생하는 자체발광형으로서 LCD와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화 시킬수 있으며, 응답속도 또한 CRT와 같은 수준이며, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 이와 같은 유기 전계 발광 소자는 고화질의 동영상을 표현할 수 있어 차세대 디스플레이로서 각광을 받고 있다.
일반적으로, 유기 전계 발광 소자는 양극 및 음극 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등의 여러 층으로 이루어져 있으며, 상기의 유기 전계 발광 소자에 R, G 및 B의 삼원색을 나타내는 발광층을 패터닝함으로서 풀칼라를 구현할 수 있다.
상기 다층의 유기막은 새도우 마스크를 이용한 진공증착법 또는 통상적인 광식각법을 이용하여 형성되어질 수 있으나 진공 증착법의 경우에는 유기막을 미세 패턴으로 형성하는데 어려움이 있어 완벽한 풀칼라 디스플레이를 구현하는데 어려움이 있으며, 광식각법인 경우에는 현상액 또는 식각액에 의해 유기막의 손상으로 수명 및 효율 등의 발광 특성이 나빠지는 문제점이 있다.
이에 따라, 이런 문제점을 해결하기 위한 방법으로 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging : LITI)을 이용하여 유기막을 패턴하는 방식이 도입되었다.
상기 레이저 열전사법은 광원에서 빛이 나와 도너 기판의 광-열 변환층에 흡수되어 빛이 열에너지로 전환되고, 전환된 열에너지에 의해 전사층에 형성된 유기물질이 기판으로 전사되어 형성되는 방법이다.
상기 레이저 열전사법에 의한 유기 전계 발광 소자의 패턴 형성 방법은 한국 특허등록번호 10-0342653호에 개시되어 있으며, 또한, 미국 특허 제 5,998,085호, 6,214,520호 및 6,114,085호에 이미 개시된 바 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 레이저 열전사법에 의한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면, 먼저, 절연 기판(100)의 버퍼층(110)상부에 통상적인 방법으로 반도체층(125), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(135), 층간 절연막(130), 소오스/드레인 전극(145)을 구비한 박막 트랜지스터가 형성된다.
상기 층간 절연막(130)의 전면에 걸쳐 패시배이션막(140)을 형성하고, 상기 패시배이션막(140) 상부에 평탄화막(150)을 형성한 후 소오스/드레인 전극(145)중 한 전극의 소정 부분을 노출시키기 위한 비아홀(165)을 형성한다.
상기 비아홀(165)을 통하여 소오스/드레인 전극(145)의 노출된 소정 부분과 접하는 화소전극(160)을 형성한다.
이 때, 상기 비아홀(160)의 굴곡진 형태를 지닌 상기 화소전극(160)을 덮는 화소정의막(170)을 형성한 후, 상기 화소정의막(170) 상에 상기 화소전극(160)의 일부분을 노출시키는 개구부(195)를 형성한다.
이로써, 박막트랜지스터를 구비하며, 상기 화소 전극이 형성되어 있는 기판을 제조한다.
한편, 기재층(201), 광-열 변환층(202) 및 전사층(203)을 순차적으로 적층하여 레이저 전사용 도너 기판(200)을 제조한다.
이어서, 상기 기판의 화소 전극과 전사용 도너 기판의 전사층을 마주보게 하여 접착(lamination)한 후에 상기 도너 기판의 기재층면의 소정 부분에 레이저(X)를 조사한다.
이후에 도 1b에서와 같이, 상기 기판의 화소전극(160)상에 도너 기판으로부터 전사층이 전사되어 유기막 패턴(204')을 형성된다. 이어서, 상기 유기막 패턴(204')의 상을 포함하는 기판 전면에 상부전극(180)을 형성함으로서 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.
이때, 상기 기판에 상기 도너 기판을 접착하는 과정에 있어서, 기판의 단차로 인해 상기 도너 기판이 상기 기판에 잘 밀착되지 않아 유기막이 오픈되는 오픈불량(E)이 발생될 수 있다. 즉, 기판의 에지 부분에 유기막이 제대로 전사되지 않고 유기막이 끊어짐으로써, 쇼트현상을 일으킬 수 있다.
또한, 상기 도너 기판의 전사층이 전사 공정시 상기 전사층이 전사되어야 할 화소영역의 화소전극상과 상기 전사층의 높이(H1)가 높게 되어 큰 전사에너지를 필 요로 한다. 이에 따른 높은 전사에너지에 의해 유기막의 열화를 촉진시킬 수 있으며 결과적으로 유기 전계 발광 소자의 수명을 단축시키거나 효율이 감소될 수 있다.
이와 같은 에지 오픈 불량 및 높은 열전사 에너지로 인하여 유기 전계 발광 소자의 효율과 수명이 저하될 수 있으며, 완벽한 풀칼라 구현을 할 수 없는 문제점을 초래 할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래기술의 문제점을 보완하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 레이저 열전사법에 의해 유기막 패턴을 형성시 기판과 도너 기판을 균일하게 접착하기 위한 레이저 전사용 도너 기판을 제공한다.
또한, 본 발명은 유기막 패턴의 에지 오픈에 의한 불량 발생을 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 유기 전계 발광 소자의 효율 및 수명이 개선된 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 기재층과; 상기 기재층 상부에 위치하는 광-열 변환층과; 상기 광-열 변환층 상부에 위치하는 전사층을 포함하며,
상기 광-열 변환층 상부 또는 하부에 개재되고, 1x103 N/m2 내지 1x1010 N/m2 의 탄성계수를 갖는 탄성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판을 제공한다.
또한, 본 발명은 제 1전극이 형성된 기판이 제공되고,
이와 별도로, 기재층, 광-열 변환층 및 전사층을 순차적으로 적층하되, 상기 광-열 변환층 상부 또는 하부에 개재되어 있으며, 1x103 N/m2 내지 1x1010 N/m2 의 탄성계수를 갖는 탄성층을 구비한 도너 기판을 제조하고,
상기 기판의 제 1전극상과 상기 도너 기판의 전사층이 마주보게 얼라인하고,
상기 도너 기판의 소정 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 화소전극상으로 전사함으로써, 상기 제 1전극상에 유기막 패턴을 형성하는 것을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 전사용 도너 기판의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2a에서와 같이, 도너 기판(10)은 기재층(11)상에 탄성층(12), 광-열 변환층(13) 및 전사층(14)이 순차적으로 적층되어 있다. 이와 달리 도 2b와 같이 기재층(11)상에 광-열 변환층(13'), 탄성층(12') 및 전사층(14)이 순차적으로 적층될 수도 있다.
상기 기재층(11)은 광-열 변환층(13,13')에 빛을 전달하기 위하여 투명성을 가져야 하며, 적당한 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가진 물질로 이루어질 수 있다. 이를테면, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택된 하나이상의 고분자 물질이거나 유리로 이루어질 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(11)은 폴리에틸렌테레프탈레이트일 수 있다.
상기 탄성층(12,12')은 상기 기재층 또는 상기 광-열 변환층 상부에 형성되어 기판의 단차에 의해 불균일하게 접착되는 것을 방지하는 역할을 수행한다. 여기서, 상기 탄성층은 1x103 N/m2 내지 1x1010 N/m2 의 탄성계수를 갖는 탄성체로 이루어지는 것이 바람직하다. 이때, 탄성계수가 1x103 N/m2 미만이면 유체의 특성을 갖게 되어 고체 박막형성에 어려움이 있으며, 1x1010 N/m2 를 초과하면 금속 및 무기 재료와 같은 경도 및 취성(brittleness)을 가지며, 도너 기판의 탄력성 효과가 없게 된다. 상기 탄성체는 실리콘계, 폴리우레탄계, 폴리아크릴계, 폴리스티렌계 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
이로써, 상기 도너 기판은 탄성층으로 인하여 도너 기판의 탄력성이 존재하게 되어 불균일한 표면을 가진 기판에 쉽게 밀착시킬 수 있어 전사층이 전사되지 않거나 불균일하게 전사되는 것을 방지할 수 있다.
상기 탄성층은 탄성체 물질을 통상적인 코팅 방법에 의해 형성한 뒤, 경화하는 공정을 거쳐 형성할 수 있다. 여기서, 코팅 방법은 스핀코팅, 롤 코팅, 딥코팅 및 그라비아 코팅중에 하나일 수 있다. 또한, 상기 경화 공정은 탄성층의 재료특성에 따라 자외선 경화, 열 경화, 상온 경화및 촉매 경화중에 하나의 방식을 선택하 여 형성할 수 있다.
또한, 상기 탄성층은 1000 내지 20000Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 탄성층의 두께가 1000Å미만이면, 완충작용에 의한 도너 기판과 기판의 접착성을 향상시키는 효과가 없으며, 20000Å를 초과하면 레이저 열전사시의 열/충격에너지를 대부분 흡수하여 레이저 전사가 잘 일어나지 않을 수 있다.
상기 광-열 변환층(13,13')은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부분을 열로 변환시키는 층으로서, 적당한 광학밀도(optical density)를 가져야 하며, 빛을 흡수하기 위한 광흡수성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 광-열 변환층은 Al, Ag 및 이들의 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막이거나 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함하는 고분자로 이루어진 유기막으로 이루어질수 있다. 여기서, 상기 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필림 코팅 방법으로서, 롤 코팅, 그라비아, 압출, 스핀 코팅 및 나이프 코팅 방법중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 전사층(14)은 전계 발광성 유기막, 정공 주입성 유기막, 정공 수송성 유기막, 정공 억제 유기막, 전자 수송성 유기막 및 전자 주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어지거나 적층막으로 이루어질 수 있다.
여기서, 전계 발광성 유기막은 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도판트), Alq3(호스트)/DCM(형광도판트), CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도판트), CBP(호스트)/IrPPy(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다.
상기 정공 주입성 유기막은 유기 전계 발광 소자의 유기 발광층에 정공 주입을 용이하게 하며 소자의 수명을 증가시킬 수 있는 역할을 한다. 상기 정공 주입성 유기막은 아릴 아민계 화합물, 포피린계의 금속착체 및 스타버스터형 아민류등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페틸아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc)등으로 이루어 질 수 있다.
상기 정공 수송성 유기막은 정공을 쉽게 유기 발광층으로 운반시킬 뿐만 아니라 상기 캐소드 전극으로부터 발생한 전자를 발광영역으로 이동되는 것을 억제시켜 줌으로서 발광효율을 높일 수 있는 역할을 한다. 상기 정공수송성 유기막은 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐 디아민 유도체 및 사다리형 화합물등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD)이거나 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.
상기 정공억제 유기막은 유기발광층내에서 전자 이동도보다 정공 이동도가 크기 때문에 정공이 전자주입층으로 이동하는 것을 방지하는 역할을 한다. 여기 상 기 정공억제 유기막은 2-비페닐-4-일-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥시디아졸(PBD), spiro-PBD 및 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 전자수송성 유기막은 유기발광층상부에 적층되며 전자가 잘 수용할 수 있는 금속화합물로 이루어지며 캐소드 전극으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)로 이루어질 수 있다.
상기 전자주입성 유기막은 1,3,4-옥사디아졸 유도체, 1,2,4-트리아졸 유도체 및 LiF로 이루어진 군에서 선택되 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 이와 같은 유기막은 압출, 스핀, 나이프 코팅 방법, 진공 증착법, CVD등의 방법에 의해 형성될 수 있다.
한편, 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 전사층(14)과 광-열변환층(13) 또는 탄성층(12')사이에 용도에 따라 중간층을 더 포함할 수 있다.
상기 중간층은 버퍼층, 가스생성층 및 금속층 중에 하나 이상일 수 있다.
상기 버퍼층은 전사 패턴 특성이 향상될 수 있도록 전사층과의 접착력을 제어하는 역할을 할 뿐만 아니라, 전사층으로 전사층 하부에 생성된 물질내의 유기 게스나 이물질이 확산되는 것을 방지하는 역할을 수행하며, 금속산화물, 비금속 무기 화합물 또는 불활성 고분자로 이루어질 수 있다.
상기 가스생성층은 광 또는 열을 흡수하면 분해반응을 일으켜 질소 가스나 수소 가스등을 방출함으로서 전사에너지를 제공하는 역할을 수행하며, 사질산펜타 에리트리트 또는 트리니트로톨루엔등으로 이루어질 수 있다.
상기 금속층은 도너 기판의 기재층에 조사된 레이저를 반사시킴으로서 광-열 변환층에 더 많은 에너지가 전달되도록 하는 역할을 할 뿐만 아니라 가스생성층이 도입되는 경우에 있어서, 상기 가스생성층으로부터 발생되는 가스가 전사층으로 침투하는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 2실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a와 같이, 먼저 절연기판(301)이 제공되고 상기 기판의 상에 제 1전극(302)형성되어 있으며, 상기 제 1전극 상에 위치하며 화소부를 정의하는 역할을 수행하는 화소정의막 패턴(303)을 구비한 기판(300)을 제공한다. 여기서, 기판(300)은 기판(301)과 제 1전극(302)의 사이에 박막트랜지스터, 절연막 및 캐패시터를 포함할 수도 있다.
한편, 기재층(401)이 제공되고, 상기 기재층(401) 상에 탄성층(402), 광-열 변환층(403) 및 전사층(404)의 순서이거나, 상기 기재층(401)상에 광-열 변환층(402), 탄성층(403) 및 전사층(404)을 순차적으로 적층하여 레이저 전사용 도너 기판(400)을 제조한다.
여기서, 탄성층(402 또는 403)은 1x103 N/m2 내지 1x1010 N/m2 의 탄성계수를 갖는 탄성체로 이루어져 있으며, 더욱 상세하게는 실리콘계, 폴리우레탄계, 폴리아크릴계, 폴리스티렌계 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
이어서, 상기 기판의 화소 영역과 상기 도너 기판의 전사층이 서로 마주보게 배치한 후 균일하게 접착(lamination)한다. 이때 상기 도너 기판의 탄성층의 영향으로 상기 기판의 굴곡진 부분에 도너 기판이 균일하게 밀착될 수 있다.
이후에 도 3b에서와 같이 상기 기판에 밀착되어 있는 상기 도너 기판의 기재층 상부에 레이저를 조사하여 전사층이 상기 기판에 전사되어 유기막 패턴(404')을 형성한다.
여기서, 상기 유기막 패턴은 유기발광층을 포함하며 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입층, 전자수송층을 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
이어서, 도 3c에서와 같이, 상기 기판전면에 걸쳐 상기 유기막 패턴(404')상부에 제 2전극(405)을 형성한 후, 봉지하면 유기 전계 발광 소자를 제작할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 레이저 열전사법에 의해 유기막 패턴을 형성시 기판의 단차에 의한 영향을 배제할 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 유기막 패턴이 균일하게 형성할 수 있어 깨끗한 화질을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 유기막 패턴의 에지 오픈에 의한 불량 발생을 방지할 수 있어 효율 및 수명이 개선된 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.

Claims (12)

  1. 기재층과;
    상기 기재층 상부에 위치하는 광-열 변환층과;
    상기 광-열 변환층 상부에 위치하는 전사층을 포함하며,
    상기 광-열 변환층 상부 또는 하부에 개재되고, 1x103 N/m2 내지 1x1010 N/m2 의 탄성계수 및 1000Å 내지 20000Å의 두께를 갖는 탄성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 탄성층은 실리콘계, 폴리우레탄계, 폴리아크릴계, 폴리스티렌계 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 탄성체로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 탄성층은 습식 코팅에 의해 형성된 후, 자외선 경화, 상온 경화 및 촉매 경화로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방식을 채택하여 경화하여 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기재층은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 폴리스티렌으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 투명성 고분자이거나 유리로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 광-열 변환층은 광 흡수물질을 포함하는 유기막, 금속, 상기 금속의 산화물 또는 황화물 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 전사용 도너 기판은 상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
  8. 제 8항에 있어서,
    상기 중간층은 가스생성층, 버퍼층 및 금속 반사막으로 이루어진 군에서 선 택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 전사층은 전계 발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 정공억제 유기막, 전자전달성 유기막 및 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
  10. 제 1 전극이 형성된 기판이 제공되고,
    이와 별도로, 기재층, 광-열 변환층 및 전사층을 순차적으로 적층하되, 상기 광-열 변환층 상부 또는 하부에 개재되어 있으며, 1x103 N/m2 내지 1x1010 N/m2의 탄성계수 및 1000Å 내지 20000Å의 두께를 갖는 탄성층을 구비한 도너 기판을 제조하고,
    상기 기판의 제 1전극상과 상기 도너 기판의 전사층이 마주보게 얼라인하고,
    상기 도너 기판의 소정 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 제 1 전극상으로 전사함으로써, 상기 제 1전극상에 유기 발광층을 포함하는 유기막 패턴을 형성하는 것을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 탄성층은 실리콘계, 폴리우레탄계, 폴리아크릴계, 폴리스티렌계 및 이 들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 탄성체로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 유기막 패턴은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 단층막 또는 둘 이상의 다층막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
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