KR100770259B1 - 유기전계발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 격벽을 구비하여 유기물 증착 마스크 공정 시 발생할 수 있는 불량을 방지하고, 얇은 제 2 전극으로 인한 전압 강하를 방지할 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 평탄화막; 상기 평탄화막 상에 위치하며, 각 화소 사이에 위치하는 격벽; 상기 평탄화막 상에 위치하는 제 1 전극 및 상기 격벽 상에 위치하는 버스전극; 상기 평탄화막 및 제 1 전극 상에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키는 화소정의막; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막층; 및 상기 유기막층 및 상기 버스전극 상에 위치하는 제 2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
격벽, 유기전계발광소자.
Description
도 1은 종래 유기전계발광소자의 단면도.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.
<도면 주요부호에 대한 부호의 설명>
200 : 기판 210 : 버퍼층
220 : 반도체층 230 : 게이트 절연막
240 : 게이트 전극 250 : 층간 절연막
251,252 : 콘택홀 261,262 : 소스/드레인 전극
270 : 평탄화막 280 : 격벽
290 : 제 1 전극 295 : 버스 전극
300 : 화소정의막 310 : 유기막층
320 : 제 2 전극
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 격벽을 구비하여 유기물 증착 마스크 공정 시 발생할 수 있는 불량을 방지하고, 얇은 제 2 전극으로 인한 전압 강하를 방지할 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같은 종래의 표시소자의 단점을 해결하는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광장치(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display panel)등과 같은 평판형 표시장치(flat panel display device)가 주목받고 있다.
상기 액정표시장치는 자체발광소자가 아니라 수광소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, PDP는 자체발광소자이기는 하지만, 다른 평판형표시장치에 비해 무게가 무겁고, 소비전력이 높을 뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있다.
반면에, 유기전계발광장치는 자체발광소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량, 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
도 1은 종래 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 절연 유리 또는 플라스틱으로 이루어진 기판(100) 상에 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터(110)가 위 치한다.
상기 박막 트랜지스터(110) 상에 비어홀을 구비한 평탄화막(120)이 위치하고, 상기 평탄화막 및 비어홀 상에 반사막(130)을 구비한 제 1 전극(140)이 위치한다.
상기 제 1 전극(140)을 포함한 기판(100) 상에 상기 제 1 전극을 노출시키는 개구부를 포함하는 화소정의막(150)이 위치한다. 상기 제 1 전극(140) 상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층(160)이 위치하고, 상기 기판(100) 전면에 제 2 전극(170)이 위치한다.
그러나, 종래 유기전계발광소자에 있어서, 파인메탈마스크(fine metal mask)를 사용하여 유기막층을 증착할 때, 유기물 파티클이 화소정의막과 제 1 전극의 에지부분에 형성되어 추후에 형성되는 유기막층이 오픈불량이 발생하고 제 1 전극과 제 2 전극이 전기적으로 연결되어 쇼트가 발생하는 단점이 있다.
또한, 전면발광 구조에서 금속으로 이뤄진 제 2 전극이 무척 얇기 때문에 저항이 커져 전압 강하와 같은 문제가 발생하는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 격벽을 구비하여 유기물 증착 마스크 공정 시 발생할 수 있는 유기물 파티클에 의한 불량을 방지하고, 얇은 제 2 전극으로 인한 전압 강하를 방지할 수 있는 유기전계발광소자를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 평탄화막; 상기 평탄화막 상에 위치하며, 각 화소 사이에 위치하는 격벽; 상기 평탄화막 상에 위치하는 제 1 전극 및 상기 격벽 상에 위치하는 버스전극; 상기 평탄화막 및 제 1 전극 상에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키는 화소정의막; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막층; 및 상기 제 1 전극 및 버스전극 상에 위치하는 제 2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판(200)을 제공한다. 상기 기판(200)은 절연유리, 플라스틱 또는 도전성 기판으로 이루어질 수 있다. 상기 기판(200) 전면에 버퍼층(210)을 형성한다. 상기 버퍼층(210)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.
이어서, 상기 버퍼층(210) 상에 반도체층(220)을 형성한다. 상기 반도체층(220)은 비정질실리콘 또는 비정질실리콘을 결정화한 다결정실리콘일 수 있다. 상기 기판(200) 전면에 게이트 절연막(230)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(230)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.
다음에, 상기 게이트 절연막(230) 상에 상기 반도체층(220)과 대응되는 게이트 전극(240)을 형성한다. 상기 게이트 전극(240)은 Al, Cu 또는 Cr을 사용할 수 있다.
이어서, 상기 기판(200) 전면에 층간 절연막(250)을 형성한다. 상기 층간 절연막(250)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 층간 절연막(250) 및 게이트 절연막(230)을 식각하여 상기 반도체층(220)을 노출시키는 콘택홀(251,252)을 형성한다. 이어, 상기 층간 절연막(250) 상에 소스/드레인 전극(261,262)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(261,262)은 Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd 또는 Ag로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다. 또한, 상기 소스/드레인 전극(261,262)은 상기 콘택홀(251,252)을 통해 상기 반도체층(220)과 연결된다.
이후에, 도 3을 참조하면, 상기 기판(200) 전면에 평탄화막(270)을 형성한다. 상기 평탄화막(270)은 유기막으로 형성할 수 있고, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 폴리에스테르계 수지를 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 평탄화막(270)은 소스/드레인 전극(261,262)중 어느 하나를 노출시키는 비어홀(271)을 구비한다.
다음에, 상기 평탄화막(270) 상에 격벽(280)을 형성한다. 상기 격벽(280)은 상부에서 하부로 경사진 역상구조로 형성한다. 즉, 상기 평탄화막(270) 상에 감광성 물질을 스핀코팅법으로 도포하고, 상기 감광성 물질 상에 차단부, 반투과부 및 투과부로 이루어진 하프톤 마스크를 위치시키고, 노광 및 현상하게 되면 상기와 같은 역상구조의 격벽(280)을 형성할 수 있다.
이때, 상기 격벽(280)은 감광성 물질로 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 폴리에스테르계 수지로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있고, 각 화소들 사이에 형성한다.
또한, 상기 격벽(280)은 이후 공정에서 형성되는 화소정의막의 높이보다 3 내지 4배정도 두껍게 형성한다. 이는 유기막을 증착하는 과정에서 유기물 파티클이 제 1 전극과 연결되는 것을 방지하기 위함이다. 이때, 상기 격벽(280)의 높이가 상기 화소정의막의 높이보다 4배 이상 높으면 소자의 두께가 너무 두꺼워지게 되고, 3배 이하로 낮으면 유기물 파티클이 제 1 전극과 연결되는 단점이 발생하게 된다.
이후에, 상기 기판(200) 상에 제 1 전극(290) 및 버스 전극(295)을 형성한다. 상기 제 1 전극(290) 및 버스 전극(295)은 상기 기판(200) 상에 도전물질을 증착하여 제 1 전극(290)을 형성하고, 상기 격벽(280) 상에 증착된 도전물질은 버스 전극(295)으로 작용하게 된다.
이때, 상기 제 1 전극(290)은 ITO, IZO 또는 ZnO를 사용할 수 있고 반사막을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(290) 및 버스 전극(295)은 동일한 물질로 이루어진다.
이후에, 도 4를 참조하면, 상기 기판(200) 전면에 화소정의막(300)을 형성한다. 상기 화소정의막(300)은 아크릴계 수지 또는 폴리이미드계 수지를 사용할 수 있다. 또한, 상기 화소정의막(300)은 0.5 내지 3㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 이어서, 상기 화소정의막(300)을 식각하여 상기 제 1 전극(290)의 일부 영역을 노출시키는 개구부를 형성한다.
이어서, 상기 화소정의막(300) 및 제 1 전극(290) 상에 유기막층(310)을 형성한다. 상기 유기막층(310)은 적어도 발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.
상기 유기막층(310)은 파인메탈마스크(fine metal mask)를 사용하여 증착할 수 있고, 상기 격벽(280)의 높이 차로 인해 유기막 증착 공정에서 유기물 파티클이 묻어도 상기 제 1 전극(290)과 추후 형성되는 제 2 전극이 전기적으로 연결되지 않게 된다. 따라서, 종래 파인메탈마스크에 유기물 파티클이 묻어 유기막층이 제 1 전극 상부에 전체를 증착시키지 못하는 오픈불량이 발생하여 제 1 전극과 제 2 전극이 전기적으로 연결되어 쇼트가 발생하는 단점을 방지할 수 있다.
이후에, 상기 기판(200) 전면에 제 2 전극(320)을 형성한다. 상기 제 2 전극(320)은 Ag, Ag합금, Al, Al합금, Au, Pt, Cu 또는 Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.
이때, 상기 버스 전극(295) 상에도 상기 제 2 전극(320)이 형성된다. 이는 전면발광 구조에서 상기 제 2 전극(320)이 얇게 형성되어 전압 강하가 발생하는 문제를 상기 버스 전극(295)으로 인해 방지할 수 있다.
상기와 같이, 각 화소 사이에 격벽을 형성함으로써, 유기막 증착 공정에서 파인메탈마스크에 유기물 파티클이 묻어 발생하는 유기막층의 오픈불량으로 인한 제 1 전극과 제 2 전극간의 쇼트를 방지할 수 있고, 전면발광 구조에서 제 2 전극이 얇기 때문에 발생하는 전압 강하를 상기 격벽 상에 위치하는 버스 전극으로 인해 방지할 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 유기전계발광소자는 격벽을 구비함으로써, 유기막층을 형성하는 공정에서 마스크 증착 시 발생할 수 있는 불량 및 얇은 제 2 전극으로 인한 전압 강하를 방지할 수 있는 효과가 있다.
Claims (7)
- 기판;상기 기판 상에 위치하는 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 평탄화막;상기 평탄화막 상에 위치하며, 각 화소 사이에 위치하는 격벽;상기 평탄화막 상에 위치하는 제 1 전극 및 상기 격벽 상에 위치하는 버스전극;상기 평탄화막 및 제 1 전극 상에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키는 화소정의막;상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막층; 및상기 유기막층 및 상기 버스전극 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며,상기 격벽 상에 위치하는 버스전극은 상기 제 1 전극과 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽은 감광성물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 감광성물질은 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽은 상기 화소정의막의 3 내지 4 배의 두께인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 각 화소들은 상기 격벽에 의해 분할된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽은 상부에서 하부방향으로 경사진 역상구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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|---|---|---|---|---|
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| CN108649057B (zh) * | 2018-05-14 | 2020-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010012097A (ko) * | 1998-02-25 | 2001-02-15 | 후지다 히로미찌 | 유기 전계 발광 표시용 기판, 그 제조방법 및 유기 전계 발광 표시소자 |
| KR20020000875A (ko) * | 2000-02-16 | 2002-01-05 | 도미나가 가즈토 | 액티브 구동형 유기 전기발광장치 및 이의 제조방법 |
| KR20040058845A (ko) * | 2002-12-27 | 2004-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
-
2006
- 2006-02-28 KR KR1020060019723A patent/KR100770259B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR20010012097A (ko) * | 1998-02-25 | 2001-02-15 | 후지다 히로미찌 | 유기 전계 발광 표시용 기판, 그 제조방법 및 유기 전계 발광 표시소자 |
| KR20020000875A (ko) * | 2000-02-16 | 2002-01-05 | 도미나가 가즈토 | 액티브 구동형 유기 전기발광장치 및 이의 제조방법 |
| KR20040058845A (ko) * | 2002-12-27 | 2004-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
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