KR100769475B1 - 국부적 불활성 기체 분위기에서 결정화시키는 레이저결정화 장치 - Google Patents
국부적 불활성 기체 분위기에서 결정화시키는 레이저결정화 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100769475B1 KR100769475B1 KR1020050109598A KR20050109598A KR100769475B1 KR 100769475 B1 KR100769475 B1 KR 100769475B1 KR 1020050109598 A KR1020050109598 A KR 1020050109598A KR 20050109598 A KR20050109598 A KR 20050109598A KR 100769475 B1 KR100769475 B1 KR 100769475B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- inert gas
- laser
- substrate
- crystallization
- blocking curtain
- Prior art date
Links
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 20
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 title abstract description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 title abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 17
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
- H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
본 발명은 국부적으로 불활성 기체 분위기를 유도하여 그 불활성 기체 분위기 하에서 비정질층을 결정화시키는 레이저 결정화 방법 및 장치에 관한 것으로서, 비정질층이 형성되어 있는 기판(40) 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 비정질층을 결정화 시키되, 차단 커튼(150)을 이용하여 상기 레이저 빔이 조사되는 국부영역에만 불활성 기체를 불어넣어 일시적으로 불활성 기체 분위기를 만들므로써 상기 결정화가 대기압 이상의 불활성 기체 분위기에서 일어나도록 하는 것을 특징으로 한다.
불활성 기체, 차단커튼, 결정화, 레이저, 대기압
Description
도 1은 종래의 레이저 결정화 장치를 설명하기 위한 도면;
도 2는 본 발명에 따른 레이저 열처리 방법 및 장치를 설명하기 위한 전체 개략도;
도 3은 도 2의 불활성 기체 주입구(140)를 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 참조번호의 설명>
10: 레이저 장치 20: 반사경
30, 130: 챔버 32, 132: 투명창
34: 기체 주입구 36, 136: 기체 배기구
38: 진공펌프 40: 기판
140: 불활성 기체 주입 노즐 150: 차단 커튼
본 발명은 레이저 결정화 방법에 관한 것으로서, 특히 국부적으로 불활성 기체 분위기를 유도하여 그 불활성 기체 분위기 하에서 비정질층을 결정화시키는 레이저 결정화 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기 레이저 결정화 방법에 적합한 레이저 결정화 장치에 관한 것이기도 하다.
유리를 기판으로 사용하는 액정 패널의 스위칭 소자로서 비정질 실리콘을 사용할 경우에는 액정패널 구동소자의 전기적 특성과 신뢰성 저하 및 표시소자의 대면적화에 어려움이 생긴다. 따라서 표시소자의 대면적화, 높은 해상도, 밝기 등을 향상시키기 위해서 비정질 실리콘 대신에 우수한 전기적 특성(예: 전계효과 이동도)과 고주파 동작 특성 및 낮은 누설전류를 갖는 다결정 실리콘을 스위칭 소자로 사용한다.
액정패널의 스위칭 소자로 사용되는 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘층을 증착한 후에 이를 결정화시켜 만드는데, 상기 결정화 방법으로는 ELA(Eximer Laser Annealing)와 SLS(sequential lateral solidification) 등이 있다.
SLS 방법은 측면 성장을 유도하여 단결정에 가까운 결정을 얻는 방법으로서 이렇게 해서 얻어진 결정은 큰 전계효과 이동도를 갖는다. 그러나 조사되는 레이저 빔의 에너지 의존도가 높아 공정 마진이 크지 않고, 기판이 올려 놓여지는 스테이지의 정밀도가 공정에 크게 영향을 미치기 때문에 기판 전체에 대해 균일한 결 과를 얻기가 어렵다.
ELA 방법은 버티칼 성장을 유도하는 방법으로서 SLS 방법에 비하여 결정화 특성은 떨어지나 기판 전체에 대한 균일도는 더 좋으므로 양산화에 가장 적극적으로 검토되고 있다. 그러나 이 방법은 SLS 방법에 비하여 생산성이 현저히 낮다. 이는 ELA 방법의 경우 비정질 실리콘을 결정화하기 위해 많은 레이저 펄스가 필요하기 때문이며 (펄스 반복율이 큼), 또한 산소 분위기에서의 노출을 피하기 위하여 진공 분위기 또는 불활성 분위기를 조성해야 하므로 진공 시스템이 필요하기 때문이다.
도 1은 종래의 레이저 결정화 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(30)에는 기체 주입구(34) 및 기체 배기구(36)가 형성되어 있으며, 기체 배기구(36)는 진공펌프(38)에 연결된다. 챔버(30)의 윗면에는 쿼츠(quartz)로 이루어진 투명창(32)이 설치된다. 챔버(30) 내의 저면에는 수평이동 가능한 스테이지(미도시)가 설치되며, 상기 스테이지 상에는 기판(40)이 수평하게 올려 놓여진다. 기판(40)의 윗면에는 비정질 실리콘층이 형성되어 있다. 레이저 빔은 레이저 장치(10)에서 출사되어 반사경(20)에서 반사된 후에 투명창(32)을 통하여 기판(40)에 조사된다.
상기 비정질 실리콘층을 결정화시키기 위해서는 상기 비정질 실리콘층이 상기 레이저 빔에 의하여 상당한 온도까지 가열되어야 하는데, 이 경우 레이저 빔 조사 분위기에 산소가 존재한다면 실리콘의 산화가 발생하게 되어 바람직하지 않다. 따라서 챔버(30) 내의 분위기를 불활성 기체로 이루어진 진공 분위기로 하는 것이 바람직하다. 그러기 위해서는 진공펌프(38) 및 챔버 실링과 같은 진공 시스템이 구축되어야 한다. 따라서 양산화에 문제가 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 진공 시스템의 도움을 받지 않고서도 불활성 기체 분위기에서 열처리가 가능한 레이저 열처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 레이저 열처리 방법에 적합한 레이저 열처리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저 열처리 방법은, 비정질층이 형성되어 있는 기판 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 비정질층을 결정화 시키되, 상기 레이저 빔이 조사되는 국부영역에 불활성 기체를 불어넣어 일시적으로 불활성 기체 분위기를 만들므로서 상기 결정화가 불활성 기체 분위기에서 일어나도록 하는 것을 특징으로 한다.
상기 불활성 기체 분위기는 대기압 이상인 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저 열처리 장치는, 윗면에는 투명창이 설치되며, 배기구가 소정 위치에 형성되어 있는 챔버; 상기 챔버 내의 저면에 수평이동 가능하게 설치되며, 비정질층이 형성된 기판이 수평으 로 올려 놓여지는 스테이지; 상기 투명창을 통하여 상기 비정질층 상에 레이저 빔을 조사하는 레이저 장치; 상기 비정질층 상에 조사되는 레이저 빔을 측면에서 감싸도록 상기 투명창의 밑에 설치되는 차단 커튼; 상기 차단 커튼의 내부공간에 불활성 기체를 주입하도록 상기 투명창 근방에 설치되는 불활성 기체 주입 노즐;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 차단커튼의 아래쪽 끝단은 상기 기판과 이격되는 것이 바람직하다.
상기 배기구는 상기 챔버의 측면에 설치되는 것이 바람직하며, 이 때 상기 스테이지는 상기 배기구에서 멀어지는 방향으로 수평이동하고, 상기 차단커튼은 위쪽 끝보다 아래쪽 끝이 상기 배기구 쪽으로 가깝게 경사지게 설치되는 것이 바람직하다. 이 경우 상기 차단커튼의 아래쪽 끝은 상기 배기구 쪽이 더 짧은 것이 바람직하다.
상기 불활성 기체 주입 노즐은 상기 기판의 수평이동방향에 대해 수직한 방향으로 수평하게 놓여지는 막대형태인 것이 바람직하다.
상기 불활성 기체 주입 노즐의 분사 끝단에 복수개의 미세 홀이 규칙적으로 배열되도록 하여 불활성 가스가 상기 미세 홀을 통하여 분사되도록 하는 것이 바람직하다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에 있어서, 동일한 참조번호는 동일기능을 수행하는 구성요소를 나타낸다. 아래의 실시예는 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시된 것일 뿐이며 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 많은 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 권리범위가 이러한 실시예에 한정되는 것으로 해석돼서는 안 된다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 레이저 열처리 방법 및 장치를 설명하기 위한 도면들로서, 도 2는 전체 개략도이고, 도 3은 불활성 기체 주입구(140)를 설명하기 위한 것이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(130)에는 기체 배기구(136)가 설치되지만 종래와 달리 기체 배기구(136)가 진공펌프에 반드시 연결될 필요는 없고 불활성 기체 주입 노즐(140)에서 공급되는 불활성 기체를 외부로 배출할 수 있는 정도이면 되므로 후드 개념이면 족하다. 따라서 종래와 같이 진공 시스템이 필요 없다.
챔버(130)의 윗면에는 쿼츠(quartz)로 이루어진 투명창(132)이 설치된다. 챔버(130) 내의 저면에는 수평이동 가능한 스테이지(미도시)가 설치되며, 상기 스테이지 상에는 기판(40)이 수평하게 올려 놓여진다. 기판(40)의 윗면에는 비정질 실리콘층이 형성되어 있다. 레이저 빔은 레이저 장치(10)에서 출사되어 반사경(20)에서 반사된 후에 투명창(132)을 통하여 기판(40)에 조사된다.
투명창(132)의 밑에는 기판(40)에 조사되는 레이저 빔을 측면에서 감싸도록 차단 커튼(150)이 설치된다. 차단 커튼(150)은 레이저 빔이 조사되는 영역을 순간적으로 원하는 분위기로 만들기 위한 공간을 제공코자 하는 것이므로 평행판 형태일 수도 있고 직사각 기둥 형태일 수도 있으며, 모양에 특별히 한정 받지 않는다. 단지 레이저 빔을 옆에서 상당부분 감싸는 형태면 된다.
상기 비정질 실리콘층을 결정화시키기 위해서는 상기 비정질 실리콘층이 상 기 레이저 빔에 의하여 상당한 온도까지 가열되어야 하는데, 이 경우 흄(fume)이 발생한다. 상기 흄을 그대로 두면 다시 밑으로 가라앉아 기판(40) 상에 묻거나 투명창(140)에 닿게 되면 투명창(140)을 청소해야 하는 번거로움이 생긴다. 따라서 이러한 흄을 외부로 신속하게 외부로 배출하는 것이 바람직하다.
이러한 관점에서 차단 커튼(150)의 아래쪽 끝이 기판(40)에서 약간 이격되도록 하여 불활성 기체 노즐(140)을 통해서 불어넣어지는 불활성 기체가 빨리 배기구(136)를 통해서 빠져나갈 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 배기구(136)는 챔버(140)의 측면에 설치되는 것이 바람직하고, 이 경우 차단커튼(150)은 위쪽 끝보다 아래쪽 끝이 배기구(140) 쪽으로 가깝게 경사지게 설치되는 것이 바람직하다. 차단커튼(150)의 아래쪽 끝은 배기구(136) 쪽이 더 짧은 것이 바람직하다. 열처리된 부분에 흄이 묻는 것을 방지하기 위하여 기판(40)은 배기구(136)에서 멀어지는 방향(A)으로 수평 이동되는 것이 바람직하다.
불활성 기체 주입 노즐(140)은 차단 커튼(150)의 내부 공간에 불활성 기체를 주입할 수 있도록 투명창(132) 근방에 설치된다. 불활성 기체 주입 노즐(140)은 균일한 분사를 위해 도 3에 도시된 바와 같이 기판(40)의 수평이동방향에 대해 수직한 방향으로 수평하게 놓여지는 막대형태인 것이 바람직하다. 이 경우 차단 커튼(150)은 막대형태인 불활성 기체 주입 노즐(140)의 양쪽에 나란한 평행판 형태로 설치되는 것이 바람직할 것이다. 불활성 기체 주입 노즐(140)의 분사 끝단에는 복수개의 미세 홀이 규칙적으로 배열되어 있어서 상기 미세 홀을 통하여 기체가 분사되도록 하는 것이 바람직하다.
상술한 본 발명에 따른 레이저 결정화 장치에 의하면, 비정질 실리콘층이 형성되어 있는 기판(40) 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화 시키되, 상기 레이저 빔이 조사되는 국부영역에 불활성 기체를 불어넣어 일시적으로 불활성 기체 분위기를 만들므로써 상기 결정화가 불활성 기체 분위기에서 일어나도록 할 수 있게 된다. 상기 불활성 기체 분위기의 압력은 진공 시스템이 사용되지 않는 한 실질적으로 대기압 이상일 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 진공 시스템 없이도 대기압 이상에서 산화없이 비정질 실리콘층을 결정화 시킬 수 있게 되고, 또한 결정화 과정에서 발생하는 흄(fume)의 악영향을 최소화 할 수 있게 된다.
Claims (9)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 윗면에는 투명창이 설치되며, 배기구가 소정 위치에 형성되어 있는 챔버;상기 챔버 내의 저면에 수평이동 가능하게 설치되며, 비정질층이 형성된 기판이 수평으로 올려 놓여지는 스테이지;상기 투명창을 통하여 상기 비정질층 상에 레이저 빔을 조사하는 레이저 장치;상기 비정질층 상에 조사되는 레이저 빔을 측면에서 감싸도록 상기 투명창의 밑에 설치되는 차단 커튼;상기 차단 커튼의 내부공간에 불활성 기체를 주입하도록 상기 투명창 근방에 설치되는 불활성 기체 주입 노즐;을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 차단커튼의 아래쪽 끝단이 상기 기판과 이격되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 배기구는 상기 챔버의 측면에 설치되며 상기 스테이지는 상기 배기구에서 멀어지는 방향으로 수평이동하고, 상기 차단커튼은 위쪽 끝보다 아래쪽 끝이 상기 배기구 쪽으로 가깝게 경사지게 설치되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 차단커튼의 아래쪽 끝은 상기 배기구 쪽이 더 짧은 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 불활성 기체 주입 노즐은 상기 기판의 수평이동방향에 대해 수직한 방향으로 수평하게 놓여지는 막대형태인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 불활성 기체 주입 노즐의 분사 끝단에 복수개의 미세 홀이 규칙적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050109598A KR100769475B1 (ko) | 2005-11-16 | 2005-11-16 | 국부적 불활성 기체 분위기에서 결정화시키는 레이저결정화 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050109598A KR100769475B1 (ko) | 2005-11-16 | 2005-11-16 | 국부적 불활성 기체 분위기에서 결정화시키는 레이저결정화 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070052045A KR20070052045A (ko) | 2007-05-21 |
| KR100769475B1 true KR100769475B1 (ko) | 2007-10-23 |
Family
ID=38274901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050109598A KR100769475B1 (ko) | 2005-11-16 | 2005-11-16 | 국부적 불활성 기체 분위기에서 결정화시키는 레이저결정화 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100769475B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9029809B2 (en) * | 2012-11-30 | 2015-05-12 | Ultratech, Inc. | Movable microchamber system with gas curtain |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05182923A (ja) * | 1991-05-28 | 1993-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーアニール方法 |
| KR20040024758A (ko) * | 2002-09-16 | 2004-03-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법 |
-
2005
- 2005-11-16 KR KR1020050109598A patent/KR100769475B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05182923A (ja) * | 1991-05-28 | 1993-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーアニール方法 |
| KR20040024758A (ko) * | 2002-09-16 | 2004-03-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070052045A (ko) | 2007-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6746942B2 (en) | Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device | |
| KR100495828B1 (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| US20060030164A1 (en) | Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and a structure of such film regions | |
| JP2000138180A (ja) | 空気周囲におけるエキシマレ―ザアニ―ルによるシリコン膜の結晶化中の酸素の混入を制御する方法 | |
| JP2002118076A (ja) | シリコン膜のエキシマレーザー処理時に多結晶シリコン膜に混入する酸素量を制御する装置 | |
| JP3573811B2 (ja) | 線状レーザー光の照射方法 | |
| JP2010010526A (ja) | レーザアニール装置 | |
| JPH07249592A (ja) | 半導体デバイスのレーザー処理方法 | |
| US20040087116A1 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacture thereof | |
| KR100769475B1 (ko) | 국부적 불활성 기체 분위기에서 결정화시키는 레이저결정화 장치 | |
| KR20020093037A (ko) | 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법 | |
| KR20120086303A (ko) | 레이저 빔으로 비결정질 반도체 층의 결정화하기 위한 방법 및 장치 | |
| JP3375988B2 (ja) | レーザー処理装置 | |
| KR100654091B1 (ko) | 윈도우의 오염을 방지할 수 있는 레이저 열처리 챔버의윈도우 모듈 | |
| JP2002093738A (ja) | 多結晶半導体膜の製造装置 | |
| JPH05275336A (ja) | 多結晶半導体薄膜の製造方法及びレーザアニール装置 | |
| KR20080056524A (ko) | 질소 블로잉 장치를 포함하는 결정화 시스템 | |
| US20040084679A1 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacture thereof | |
| CN104821278B (zh) | 低温多晶硅的制造方法及装置、多晶硅 | |
| KR100727890B1 (ko) | 레이저 조사 전후의 가열에 의한 레이저 결정화 방법 및장치 | |
| JP4036278B2 (ja) | イオンドーピング装置 | |
| JP2001257173A (ja) | エネルギービーム改質方法およびエネルギービーム改質装置 | |
| KR101391939B1 (ko) | 플라즈마 이온 주입에 의한 비결정질 반도체 박막을 결정화하는 방법 및 장치 | |
| JP4199166B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| KR100603330B1 (ko) | 레이저 결정화 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130417 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131017 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141020 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151020 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160907 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170921 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190909 Year of fee payment: 13 |