KR100765673B1 - Thermal type tripping device and circuit breaker using the same - Google Patents
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Abstract
과 전류에 의해 바이메탈(2)이 가열되고, 가열된 바이메탈(2)의 만곡에 의해, 회로의 트립 동작을 실행하는 열동식 트립 장치에 있어서, 바이메탈(2)의 표면의 적어도 일부를 흑색 또는 무광택의 흑색(7)으로 한 것이다. 이것에 따라, 비접촉식 온도계를 이용하여, 바이메탈(2)의 온도를 고 정밀도로 계측하는 것이 가능하게 된다. 또한, 바이메탈의 온도 계측부(8)에 굽힘 가공부(11)를 설치하고, 그 표면을 무광택의 흑색으로 했다.
In a thermal trip device in which a bimetal 2 is heated by an overcurrent, and a tripping operation of a circuit is performed by bending of the heated bimetal 2, at least a part of the surface of the bimetal 2 is black or matte. It is made of black (7). Thereby, it becomes possible to measure the temperature of the bimetal 2 with high precision using a non-contact thermometer. Moreover, the bending process part 11 was provided in the temperature measurement part 8 of bimetal, and the surface was made into the matte black.
Description
본 발명은 열동식 트립 장치 및 그것을 이용한 회로 차단기에 관한 것이다.The present invention relates to a thermal trip device and a circuit breaker using the same.
열동식 트립 장치(thermal trip device)는, 예컨대, 회로 차단기에 있어서 과 전류를 검출하여, 주 회로의 트립을 행하는 장치이다. 과 전류가 흘렀을 때의 트립 특성은, JIS 등의 규격으로 그 범위가 정해지고 있어, 제품은 그것을 충족시킬 필요가 있다. 그러나, 열동식 트립 장치에 있어서는, 구성하는 부품의 제작 격차나 소재의 격차 때문에, 트립 특성의 격차를 피할 수 없다. 그래서, 통상은 트립 특성을 조정하기 위한 구조가 짜 넣어져 있어, 특성의 조정·검사를 행하고 있다.A thermal trip device is a device which detects an overcurrent in a circuit breaker and trips a main circuit, for example. The trip characteristic when an overcurrent flows is defined by the standards, such as JIS, and the product needs to satisfy | fill it. However, in the thermal trip device, the gap of the trip characteristic cannot be avoided due to the production gap of the components to be formed and the gap of the raw materials. Therefore, usually, the structure for adjusting a trip characteristic is incorporated, and the characteristic is adjusted and inspected.
트립 특성을 조정·검사하기 위해서는, 그 특성 값을 정확하게 측정할 필요가 있다. 열동식 트립 장치에서는, 소정 전류를 통전하여 통전 개시로부터 트립 완료까지의 시간(트립 시간)이나 바이메탈 변위량을 계측함으로써 트립 특성을 측정하는 것이 많다. 한편, 바이메탈의 만곡 계수는 공지되어 있기 때문에, 바이메 탈 온도를 측정하는 것으로 바이메탈 변위량을 구할 수 있다. 따라서, 바이메탈 온도를 측정하는 것에 따라 트립 특성을 파악할 수 있다.In order to adjust and test a trip characteristic, it is necessary to measure the characteristic value correctly. In the thermal trip device, the trip characteristic is often measured by measuring a time (trip time) from the start of energization to the completion of the trip and the amount of bimetal displacement by energizing a predetermined current. On the other hand, since the curvature coefficient of a bimetal is known, the amount of bimetal displacement can be calculated | required by measuring bimetal temperature. Therefore, the trip characteristic can be grasped | ascertained by measuring bimetal temperature.
바이메탈 온도를 계측하는 때에는, 계측에 의해 바이메탈 만곡량에 영향을 미치게 하지 않기 위해서, 비접촉으로 측정하는 방법이 바람직하다. 접촉식 온도계에 의한 계측에서는, 측정자를 거쳐서 바이메탈에 외부로부터 하중이 가해지기 때문에 바이메탈에 휨이 생겨, 트립 특성을 변화시켜 버린다. 비접촉 온도측정 방법으로서는, 적외선 흡수 소자를 짜 넣은 방사 온도계를 사용하는 것이 일반적이다.When measuring bimetal temperature, the method of non-contact measurement is preferable, in order not to affect a bimetal curvature amount by measurement. In the measurement by a contact thermometer, since a load is applied to the bimetal from the outside through a measuring instrument, the bimetal is warped and the trip characteristic is changed. As a non-contact temperature measuring method, it is common to use the radiation thermometer which incorporated the infrared absorption element.
그러나, 통상의 바이메탈 표면은, 금속 광택 면이기 때문에 정확한 온도계측이 어렵다는 문제가 있다. 또한, 누전 검출 회로를 짜 넣은 누전 회로 차단기나, 소형화된 회로 차단기에 있어서는, 바이메탈 주위의 간극이 적기 때문에, 바이메탈 표면 온도를 외부로부터 측정하는 것은 곤란하다.However, since the conventional bimetallic surface is a metallic gloss surface, there is a problem in that accurate thermometer side is difficult. In addition, in an earth leakage circuit breaker in which an earth leakage detection circuit has been incorporated or a miniaturized circuit breaker, since there are few gaps around the bimetal, it is difficult to measure the bimetal surface temperature from the outside.
본 발명은, 이러한 과제를 해결하기 위해서 행해진 것으로서, 비접촉식 온도계를 이용하여, 바이메탈 온도를 고 정밀도로 계측하는 것이 가능한 열동식 트립 장치 및 그것을 이용한 회로 차단기의 제공을 목적으로 하고 있다.The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a thermal trip device that can measure a bimetal temperature with high accuracy using a non-contact thermometer and a circuit breaker using the same.
발명의 요약Summary of the Invention
본 발명에 따른 열동식 트립 장치는, 과전류에 의해 바이메탈이 가열되어, 가열된 바이메탈의 만곡에 의해 회로의 트립 동작을 실행하는 열동식 트립 장치에 있어서, 바이메탈의 표면의 적어도 일부를 흑색 또는 무광택의 흑색으로 한 것이 다.The thermal trip device according to the present invention is a thermal trip device in which a bimetal is heated by an overcurrent, and a trip operation of a circuit is performed by the curvature of the heated bimetal, wherein at least a part of the surface of the bimetal is black or matte. It is black.
이에 따라, 비접촉식 온도계를 이용하여, 바이메탈 온도를 고정밀도로 계측하는 것이 가능하게 된다.Thereby, it becomes possible to measure bimetallic temperature with high precision using a non-contact thermometer.
또한, 본 발명은, 바이메탈의 온도 계측부의 표면을 흑색 또는 무광택의 흑색으로 한 것이다.Moreover, this invention makes the surface of the bimetallic temperature measuring part black or matte black.
또한, 본 발명은, 바이메탈의 온도 계측부에, 바이메탈의 길이 방향에 거의 직각으로 절곡한 굽힘 가공부를 설치하고, 그 표면을 흑색 또는 무광택의 흑색으로 한 것이다.Moreover, in this invention, the bending process part bent at substantially right angle to the bimetallic longitudinal direction is provided in the temperature measurement part of a bimetal, The surface is made into black or matte black.
이것에 따라, 바이메탈면의 거의 수직방향으로부터 계측이 곤란한 기종에서도 안정하여 고밀도의 온도계측이 가능해진다.Thereby, even in the model which is difficult to measure from the substantially vertical direction of a bimetallic surface, it is stable and a high density thermometer side is attained.
또한, 본 발명은, 바이메탈의 온도 계측부에, 바이메탈의 길이 방향에 거의 직각으로 절곡한 굽힘 가공부를 설치한 것이다.Moreover, this invention provides the bending process part bend | folded at substantially right angle to the longitudinal direction of a bimetal in the temperature measurement part of a bimetal.
이것에 따라, 바이메탈의 길이 방향으로부터 계측을 행할 수 있고, 안정하여 고밀도의 온도계측이 가능해진다.Thereby, measurement can be performed from the longitudinal direction of a bimetal, and it becomes stable and a high density thermometer side is attained.
도 1은 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 열동식 트립 장치의 바이메탈부를 도시하는 사시도,1 is a perspective view showing a bimetal part of a thermal trip device according to
도 2는 실시형태 2에 있어서의 열동식 트립 장치의 바이메탈부를 도시하는 사시도,2 is a perspective view showing a bimetal part of the thermal trip device according to the second embodiment;
도 3은 실시형태에 3에 있어서의 열동식 트립 장치의 바이메탈부를 도시하는 사시도,3 is a perspective view showing a bimetal part of the thermal trip device according to the embodiment of the present invention;
도 4는 실시형태 4에 있어서의 열동식 트립 장치의 바이메탈부를 도시하는 사시도,4 is a perspective view showing a bimetal part of the thermal trip device according to the fourth embodiment;
도 5는 실시형태 2에 관한 바이메탈의 소재 가공단계를 도시하는 평면도,5 is a plan view showing a material processing step for bimetal according to the second embodiment;
도 6은 실시형태 3에 관한 바이메탈의 소재 가공단계를 도시하는 평면도,6 is a plan view showing a material processing step of bimetal according to the third embodiment;
도 7은 비접촉 온도계를 이용하여 실시형태 3의 바이메탈의 온도를 계측하는 모양을 도시한 도면,FIG. 7 is a view showing a state of measuring the temperature of the bimetal of
도 8은 비접촉 온도계를 이용하여 실시형태4의 바이메탈의 온도를 계측하는 모양을 도시한 도면,FIG. 8 is a view showing a state of measuring the temperature of the bimetal of Embodiment 4 using a non-contact thermometer;
도 9는 열동식 트립 장치를 갖는 회로 차단기의 구조를 도시하는 일부 절단 정면도.9 is a partial cutaway front view illustrating the structure of a circuit breaker having a thermal trip device.
실시형태 1.
회로 차단기는 정격 이상의 과전류가 흐른 때에 회로를 차단하여, 사고를 막기 위한 안전 장치이다. 회로 차단기에 있어서, 과전류를 검출하는 기구를 트립 기구(trip mechanism)라고 하고, 그 검출수단의 하나에 바이메탈을 이용한 열동식이 있다. 이것은 바이메탈이 온도변화에 의해 만곡하는 특성을 이용한 것이다. 도 9는 열동식 트립 기구, 즉, 열동식 트립 기구장치를 구비한 회로 차단기의 구조를 도시하는 일부 절단 정면도이다.The circuit breaker is a safety device to prevent an accident by breaking the circuit when an overcurrent exceeding the rating flows. In the circuit breaker, a mechanism for detecting an overcurrent is called a trip mechanism, and there is a thermal type using bimetal as one of the detection means. This is because the bimetal bends due to temperature changes. 9 is a partial cutaway front view showing the structure of a thermal trip mechanism, that is, a circuit breaker provided with a thermal trip mechanism.
정격 전류 이상의 과전류가 흘렀을 때의 동작은 이하와 같다.The operation | movement when overcurrent more than a rated current flows is as follows.
(1) 히터(1) 혹은 바이메탈(2)에 과전류가 흐르는 것에 의해, 히터(1) 혹은 바이메탈(2)의 온도가 상승한다.(1) The overcurrent flows through the
(2) 바이메탈(2)의 온도의 상승에 따라 바이메탈(2)이 만곡한다.(2) The
(3) 바이메탈(2)의 만곡량이 커져, 트립 바(3)를 누른다.(3) The curvature amount of the
(4) 기구부(4)가 작동해서 주회로(5)를 즉시 차단한다[트립(trip)한다].(4) The mechanism part 4 operates to cut off the
과 전류가 흐르기 시작할 때부터 트립할 때까지의 시간은, JIS 등의 규격에 의해 범위가 정해져 있고, 제품의 트립 시간은, 그 범위를 만족해야만 한다. 그러나, 트립 기구의 작동점, 즉, 바이메탈(2)이 트립 바(3)를 누르는 위치가, 트립 기구를 구성하는 각 부품의 가공·조립 오차, 재료 특성의 격차 등, 제조 격차의 누적에 의해 변화하여, 통전 개시로부터 트립할때 까지의 시간(트립 시간)에 격차가 생긴다. 그래서, 이러한 제조 격차를 흡수하기 위해서, 바이메탈(2) 선단이나 트립 바(3)에 조정 기구(6)를 설치하고, 조립 공정에 있어서 조정·검사 작업을 행하고 있다.The time from the start of the overcurrent to the trip is determined by a standard such as JIS, and the trip time of the product must satisfy the range. However, the operating point of the trip mechanism, that is, the position where the
조정·검사 작업에서는, 워크 마다의 트립 특성을 정확하게 측정할 필요가 있다. 보통은 소정의 전류치를 통전하여 트립 시간을 계측하거나, 그동안의 바이메탈 변위량을 계측함으로써, 트립 특성을 측정하는 것이 많다. 그러나 트립 시간이나 바이메탈 변위량은, 통전 개시 시의 워크 온도나 측정 환경 온도에 크게 영향을 받기 때문에, 일정 온도에 관리된 상태에서 계측하거나, 혹은 워크 온도나 주위 온도에 따라서 계측치를 보정하지 않으면 않된다.In the adjustment and inspection work, it is necessary to accurately measure the trip characteristic for each work. Usually, the trip characteristic is measured by measuring a trip time by energizing a predetermined current value or by measuring the amount of bimetal displacement during that time. However, since the trip time and the bimetal displacement amount are greatly influenced by the work temperature and the measurement environment temperature at the start of energization, the measured value must be measured in a controlled state at a constant temperature or the measured value must be corrected according to the work temperature or the ambient temperature. .
한편, 바이메탈은 그 온도와 만곡 계수에 의해 만곡량(변위량)이 결정되지만, 만곡 계수는 공지되어 있기 때문에, 바이메탈 온도를 계측함으로써 변위량을 구할 수 있다. 따라서, 바이메탈 온도를 계측함으로써, 트립 특성을 측정하는 것이 가능하다.On the other hand, although the curvature amount (displacement amount) is determined by the temperature and curvature coefficient of a bimetal, since a curvature coefficient is known, a displacement amount can be calculated | required by measuring bimetal temperature. Therefore, it is possible to measure a trip characteristic by measuring bimetal temperature.
바이메탈 온도를 계측하기 위해서는, 일반적으로는 비접촉식의 방사 온도계를 이용한다. 이것은 접촉식 온도계를 이용하면 측정자의 접촉 하중에 의해 바이메탈의 휨이 생겨서 트립 특성이 변화되어버려, 정확한 트립 특성의 측정을 할 수 없기 때문이다.In order to measure a bimetal temperature, generally a non-contact radiation thermometer is used. This is because, when the contact thermometer is used, the bimetal warpage occurs due to the contact load of the measurer, which causes the trip characteristic to change, and thus an accurate trip characteristic cannot be measured.
비접촉식 온도계는 물체로부터 방사되는 적외선의 방사 에너지량을 검지함으로써 물체의 온도를 측정한다. 물체로부터 방사되는 적외선의 방사량은, 재질이나 그 표면상태에 의해 차이가 있고, 동일온도에서도 방사하는 적외선 에너지량(방사율)은 다르다. 비접촉 온도계에서는 이상 흑체(ideal black body)(방사율 100%의 이론적인 물체)를 기준으로 온도를 산출하고 있어, 그 이외의 물체에서는 각각의 방사율에 따라 보정을 행하지 않으면 않된다.Non-contact thermometers measure the temperature of an object by detecting the amount of radiation energy of infrared radiation emitted from the object. The amount of infrared radiation emitted from an object differs depending on the material and its surface state, and the amount of infrared energy (emissivity) emitted even at the same temperature is different. In the non-contact thermometer, the temperature is calculated on the basis of an ideal black body (theoretical object of 100% emissivity), and other objects must be corrected according to the respective emissivity.
방사율은 보통 실험적으로 얻을 수 있는 것으로, 측정 물의 방사율을 단시간에 구하는 것은 곤란하기 때문에, 양산 공정으로 워크 마다 방사율을 구할 수는 없다. 따라서, 바이메탈의 방사율이 변화되고 있는 경우에는, 그 격차가 온도계측의 격차가 되어 버린다. 또한, 바이메탈 표면은 일반적으로는 금속 광택면으로 되어 있기 때문에, 히터 등의 바이메탈 근방에 있는 것 외의 열원으로부터 방사되는 적외선이 바이메탈 표면에서 반사되기 쉽다. 그 반사광이 방사 온도계에 입사해버리면 측정 오차가 되어 버린다.Emissivity is usually obtained experimentally, and it is difficult to obtain the emissivity of the measurement object in a short time, and thus the emissivity cannot be determined for each work in a mass production process. Therefore, when the bimetallic emissivity changes, the gap becomes a gap on the thermometer side. In addition, since the bimetal surface is generally made of a metallic gloss surface, infrared rays emitted from heat sources other than those near the bimetal such as a heater are likely to be reflected on the bimetal surface. When the reflected light enters the radiation thermometer, it becomes a measurement error.
또한, 방사율이 낮은 경우에도 방사율에 따라 보정을 행하는 것으로 온도의 측정은 가능하지만, 적외선의 절대량이 적어지므로 측정에서의 노이즈 성분이 많아지고, 온도측정 정밀도가 저하해 버린다. 따라서, 고 정밀도의 온도 계측을 위해서는 방사율이 높고 또한 일정한 것이 요망된다.In addition, even if the emissivity is low, the temperature can be measured by correcting according to the emissivity. However, since the absolute amount of infrared rays decreases, the noise component in the measurement increases, and the temperature measurement accuracy decreases. Therefore, for high precision temperature measurement, emissivity is high and constant is desired.
그래서, 본 발명에서는 바이메탈(2)의 온도 계측부가 되는 표면을 흑색, 바람직하게는, 무광택 흑색(7)(도 1 참조)으로 하는 것에 의해 방사율을 높고 또한 일정하게 했다. 이것에 의해 다른 워크에서도 일정한 높은 방사율이 되기 때문에, 바이메탈 온도를 고정밀도로 안정하게 측정할 수 있다. 또한, 무광택 도장으로 함으로써 다른 열원으로부터의 반사를 억제할 수 있고, 계측 오차를 적게 할 수 있다. 도 1은 본 발명의 실시형태1에 있어서의 열동식 트립 장치의 바이메탈부를 도시하는 사시도이다. 흑색으로 하기 위해서는 예를 들면 도장이나 에칭에 의한 방법이 있다. 무광택 흑색으로 하기 위해서는, 무광택용의 흑색 도료를 사용하면 좋다. 또한, 에칭과 함께 산화시키는 것에 의해 무광택 흑색으로 하여도 무방하다. 이 경우, 에칭액으로서는, 바이메탈(2)이 철계의 소재인 때에는, 예를 들면 수산화나트륨 용액이나 인산염 용액을 채용하고, 동계의 소재인 때에는, 예를 들면 셀렌(selenium)을 함유하는 산성 수용액을 채용한다.Therefore, in the present invention, emissivity is made high and constant by making the surface serving as the temperature measuring section of the bimetal 2 black, preferably matt black 7 (see Fig. 1). As a result, a constant high emissivity is obtained even in other workpieces, so that the bimetal temperature can be measured stably with high accuracy. Moreover, by setting it as a matte coating, reflection from another heat source can be suppressed and a measurement error can be reduced. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows the bimetal part of the thermal tripping apparatus in
실시형태 2.
바이메탈 온도를 고 정밀도로 계측하기 위해서는, 바이메탈 내에서의 온도 측정 위치, 즉 온도 계측부(8)(도 2 참조)를 고정해 놓을 필요가 있다. 이것은 히터에 의한 바이메탈(2)의 가열에 있어서는, 바이메탈 전체를 균일하게 가열하는 것은 어려우므로, 바이메탈(2)내에서 온도 분포가 존재하기 때문이다. 따라서, 실시형태 1에 기재한 바이메탈(2)의 표면의 흑화 처리를 온도 계측부에 실시하면 좋다. 도 2는 실시형태 2에 있어서의 열동식 트립 장치의 바이메탈부를 도시하는 사시도이다.In order to measure bimetal temperature with high precision, it is necessary to fix the temperature measuring position in bimetal, ie, the temperature measuring part 8 (refer FIG. 2). This is because in the heating of the bimetal 2 by the heater, it is difficult to uniformly heat the whole bimetal, so that a temperature distribution exists in the
보통, 회로 차단기에 이용하는 바이메탈(2)은 가늘고 긴 바이메탈 소재(9)로부터 프레스 가공에 의해 제조된다(도 5 참조). 따라서, 소재(9)의 단계에서 온도계측부가 되는 개소만을 흑색, 바람직하게는, 무광택 흑색(7)으로서 두고, 그것을 프레스가공 하는 것으로 필요한 개소만을 흑색화한 바이메탈 편을 얻을 수 있다. 도 5는 실시형태 2에 관한 바이메탈의 소재 가공 단계를 도시하는 평면도이다. 바이메탈편의 상태에서 흑색화 처리하는 것보다도 소재상태에서 일괄해서 처리한 쪽이 가공 공정이 간략화할 수 있고, 가공비의 저감이 된다. 또한, 실시형태 2와 같이 처리 부분을 최소화하는 것에 의해서, 더욱 가공비의 저감이 된다.Usually, the bimetal 2 used for a circuit breaker is manufactured by press working from the elongate bimetallic material 9 (refer FIG. 5). Therefore, the bimetal piece which blackened only the part which becomes a thermometer side part in the step of the
실시형태 3.
바이메탈 소재(9)에 2개소의 흑색부를 설치한 예를 도 6에 도시한다. 바이메탈의 형상에는 선단을 향해서 서서히 폭이 좁아져 있는 것도 있고, 그 경우는 바이메탈편의 방향을 교대로 조합시켜 프레스 가공함으로써 소재(9)의 수율을 높일 수 있다. 롤(roll) 형상 소재로부터 바이메탈 소재(9)를 인출하여 2개의 흑색부를 설치해 두고, 그것으로부터 도 6과 같이 프레스 가공된다. 실시형태 3에서 형성된 바이메탈을 이용한 열동식 트립 장치의 주요부의 사시도를 도 3에 도시한다.An example in which two black portions are provided in the
실시형태 4.Embodiment 4.
비접촉 온도계를 이용하여, 바이메탈의 온도를 계측하기 위해서는, 바이메탈의 온도 계측부(8)로부터 거의 수직방향으로 온도계를 설치하고, 그 동안에 적외선을 차단하는 장해물이 없는 공간이 필요하다. 도 7은 비접촉 온도계(10)를 이용하여 실시형태 3의 바이메탈(2)의 온도를 계측하는 모양을 도시한 도면이다.In order to measure the temperature of the bimetal using a non-contact thermometer, a space is provided in which the thermometer is provided in a substantially vertical direction from the
그러나, 예를 들면 누전 회로 차단기에서는 바이메탈에 인접해서 누전 검출부가 짜 넣어져 있어, 상기 공간을 확보할 수 없는 경우가 많다. 또한, 회로 차단기에 있어서도 제품의 소형화에 의해 바이메탈 온도를 측정할 수 있는 개소가 한정되어 오고 있어, 바이메탈상의 이상적인 온도 계측점을 계측하는 것이 불가능할 경우가 있다. 실시형태 4는 이러한 경우에서도 원하는 장소에서의 온도계측을 가능하게 하는 것이다.However, in the ground fault circuit breaker, for example, the ground fault detection unit is incorporated adjacent to the bimetal, and thus the space cannot be secured in many cases. In addition, in circuit breakers, the locations where the bimetal temperature can be measured are limited due to the miniaturization of the product, and it may be impossible to measure the ideal temperature measurement point of the bimetal phase. Embodiment 4 enables the thermometer side at a desired place even in this case.
실시형태 4에 있어서의 열동식 트립 장치의 바이메탈부의 사시도를 제4도에 도시한다. 바이메탈의 온도 계측부(8)가 되는 개소에 굽힘 가공부(11)를 설치한다.The perspective view of the bimetal part of the thermal trip apparatus in Embodiment 4 is shown in FIG. The bending process part 11 is provided in the part used as the bimetal
도 8과 같이 바이메탈의 길이 방향으로부터 온도 측정을 할 수 있도록, 바이메탈의 온도 계측부(8)에, 바이메탈(2)의 길이 방향과 거의 직각으로 굽힘 가공부(11)를 설치한다. 열동식 트립 장치로는 바이메탈(2)이 만곡하기 위한 스페이스(space)가 필요한 것과, 트립 특성을 조정할 필요가 있는 것으로부터, 바이메탈(2)의 길이 방향으로는 계측 가능한 공간이 있는 것이 많다. 그러나, 종래의 바이메탈에서는 이 방향으로부터는 판두께 만큼 밖에 측정할 수 있는 부분이 없기 때문 온도 계측이 매우 곤란하다.As shown in FIG. 8, the bend-processing part 11 is provided in the bimetal
그래서 바이메탈(2)의 온도 계측부(8)가 되는 개소에 굽힘 가공을 실시하고, 굽힘 가공부(11)를 설치하고, 온도계측에 필요한 면적을 확보함으로써, 도 8과 같이, 윗쪽으로부터 바이메탈(2)의 길이 방향으로 병행하여 비접촉 온도계(10)에 의한 온도계측이 가능해진다. 굽힘 가공을 실시하는 위치를 바꾸는 것으로, 바이메탈의 임의의 장소에서의 온도계측이 가능하다.Therefore, by bending the part to be the
또한, 그 굽힘 가공부의 표면에서 온도계측이 행하여지는 개소에는, 굽힘 가공 후 또는 굽힘 가공 전에 흑색, 바람직하게는, 무광택의 흑색으로 하면, 보다 한층, 바이메탈 온도를 고 정밀도로 계측하는 것이 가능하게 된다.In addition, when the temperature side is performed on the surface of the bent portion, a black, preferably matte black color is obtained after the bending process or before the bending process, whereby the bimetal temperature can be more accurately measured. .
이상과 같이 본 발명의 열동식 트립 장치는, 비접촉식 온도계를 이용하여, 바이메탈 온도를 고정밀도로 계측하는 것이 가능하게 되므로, 바이메탈 변위량을 정확하게 구할 수 있고, 이것을 회로 차단기에 적용하기에 적합하고, 회로 차단기의 특성을 용이하게 안정화시킬 수 있다.As described above, the thermal trip device of the present invention can measure the bimetal temperature with high accuracy using a non-contact thermometer, so that the amount of bimetal displacement can be accurately calculated and suitable for application to the circuit breaker. The characteristics of can be stabilized easily.
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