KR100762175B1 - 액정표시장치 - Google Patents

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KR100762175B1
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이종훈
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Abstract

본 발명에서는, 액티브 영역과, 상기 액티브 영역의 주변을 둘러싸는 비액티브 영역을 가지며, 상기 액티브 영역상에 컬러필터와 박막트랜지스터 및 화소 전극을 가지는 어레이 소자가 형성된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향되며, 상기 액티브 영역을 포함하는 영역상에 공통 전극이 형성된 제 2 기판과, 상기 제 1, 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하는 액정표시장치에 있어서, 상기 제 1 기판의 비 액티브 영역에 형성된 하부 합착키와; 상기 제 2 기판의 비 액티브 영역에서, 상기 하부 합착키와 대응되는 위치에 형성되며, 상기 공통 전극과 동일 물질로 이루어진 상부 합착키를 포함하는 액정표시장치용 합착키를 제공하므로써, 상부 기판의 공정을 단순화시킬 수 있으며, 박막트랜지스터용 블랙매트릭스를 박막트랜지스터와 동일기판에 형성하므로써, 박막트랜지스터와 블랙매트릭스간 합착 마진을 줄일 수 있고, 광누설 전류 발생을 효과적으로 방지할 수 있는 장점을 가진다.

Description

액정표시장치{Liquid Crystal Display Device}
도 1은 일반적인 액정표시장치의 단면도.
도 2는 기존의 TOC구조 액정표시장치의 단면도.
도 3은 기존의 TOC구조 액정표시장치용 상부 기판의 개략적인 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 TOC구조 액정표시장치의 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 TOC구조 액정표시장치용 상부 기판의 개략적인 평면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
V : 액티브 영역 VI : 비액티브 영역
110 : 기판 114 : 공통 전극
116 : 합착키 149 : 씰 패턴
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 TOC(Thin Film Transistor on Color Filter) 액정표시장치용 합착키에 관한 것이다.
최근에 액정표시장치는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술집약적이며 부가가치가 높은 차세대 첨단 디스플레이(display)소자로 각광받고 있다.
이러한 액정표시장치중에서도, 각 화소(pixel)별로 전압의 온/오프를 조절할 수 있는 스위칭 소자가 구비된 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 해상도 및 동영상 구현능력이 뛰어나 가장 주목받고 있다.
일반적으로, 액정표시장치는 스위칭 소자 및 화소 전극을 형성하는 어레이 기판 제조 공정과 컬러필터 및 공통 전극을 형성하는 컬러필터 기판 제조 공정을 통해, 각각 어레이 기판 및 컬러필터 기판을 형성하고, 이 두 기판 사이에 액정을 개재하는 액정셀 공정을 거쳐 완성된다.
상기 액정셀 공정은 어레이 공정이나 컬러필터 공정에 비해 상대적으로 반복되는 공정이 거의 없는 것이 특징이라고 할 수 있다. 전체 공정은 액정 분자의 배향을 위한 배향막 형성공정과 셀 갭(cell gap) 형성공정, 합착 공정, 셀 절단(cutting) 공정, 액정주입 공정으로 크게 나눌 수 있고, 이러한 액정셀 공정에 의해 액정표시장치를 이루는 기본 부품인 액정패널이 제작된다.
이하, 도 1은 일반적인 액정표시장치에 대한 개략적인 단면도이다.
도시한 바와 같이, 상부 및 하부 기판(10, 30)이 서로 일정간격 이격되어 있고, 이 상부 및 하부 기판(10, 30) 사이에는 액정층(50)이 개재되어 있다.
상기 하부 기판(30)의 투명 기판(1) 상부에는 게이트 전극(32)이 형성되어 있고, 이 게이트 전극(32) 상부에는 게이트 절연막(34)이 형성되어 있고, 이 게이트 절연막(34) 상부의 상기 게이트 전극(32)을 덮는 위치에는 액티브층(36a), 오믹콘택층(36b)이 차례대로 적층된 반도체층(36)이 형성되어 있고, 이 반도체층(36)의 상부에는 서로 일정간격 이격된 소스 및 드레인 전극(38, 40)이 형성되어 있고, 이 소스 및 드레인 전극(38, 40) 간의 이격구간에는 상기 액티브층(36a)의 일부를 노출시킨 채널(ch ; channel)이 형성되어 있고, 상기 게이트 전극(32), 반도체층(36), 소스 및 드레인 전극(38, 40), 채널(ch)은 박막트랜지스터(T)를 이룬다.
도면으로 제시하지 않았지만, 상기 게이트 전극(32)과 연결되어 제 1 방향으로 게이트 배선이 형성되고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 상기 소스 전극(38)과 연결되는 데이터 배선이 형성되고, 이 게이트 및 데이터 배선이 교차되는 영역은 화소 영역(P)으로 정의된다.
또한, 상기 박막트랜지스터(T) 상부에는 드레인 콘택홀(44)을 가지는 보호층(42)이 형성되어 있고, 상기 화소 영역(P)에는 드레인 콘택홀(44)을 통해 상기 드레인 전극(40)과 연결되는 화소 전극(48)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 상부 기판(10)의 투명기판(1) 하부에는 상기 화소 전극(48)과 대응되는 위치에 특정 파장대의 빛만을 걸러주는 컬러필터(14)가 형성되어 있고, 이 컬러필터(14)의 컬러별 경계부에는 빛샘현상 및 상기 박막트랜지스터(T)로의 광유입을 차단하는 블랙매트릭스(12)가 형성되어 있다.
그리고, 이 컬러필터(14) 및 블랙매트릭스(12)의 하부에는 상기 액정층(50)에 전압을 인가하는 또 다른 전극인 공통 전극(16)이 형성되어 있다.
한편, 상기 상부 및 하부 기판(10, 30) 사이에 개재된 액정층(50)의 누설을 방지하기 위해, 이 상부 및 하부 기판(10, 30)의 가장자리는 씰 패턴(52)에 의해 봉지되어 있다.
이 씰 패턴(52)은 상기 상부 및 하부 기판(10, 30)의 합착 공정 전에, 두 기판간의 일정한 셀갭을 유지하여, 추후 공정에서 액정 주입을 용이하게 할 뿐 아니라, 주입된 액정이 외부로 누설되는 것을 방지하는 역할을 한다.
도면으로 제시하지 않았지만, 상기 상부 및 하부 기판(10, 30)의 액정층(50)과 각각 접하는 부분에는 액정의 배열을 용이하게 유도하기 위해 상부 및 하부 배향막을 더욱 포함한다.
상술한 액정표시장치의 합착 정도는 각 기판의 설계시 주어지는 마진(Margin)에 의해 결정되는데 보통 수 마이크로미터(㎛)정도의 정밀도가 요구된다. 상기 두 기판의 합착은 주어지는 마진을 벗어나면 빛이 새어 나오게 되어 구동시 원하는 특성을 갖지 못한다.
상기 두 기판의 합착을 위해서는 기준점으로 상기 두 기판에 각각 합착키(alignment key)를 형성한다.
상기 합착키는 구성요소가 형성되지 않는 비액티브 영역에 형성되므로 합착공정이 완료되면, 커팅되어 폐기된다.
최근, 고화질 구현을 위해 액정표시장치는 과거보다 더욱 더 고집적화되는 추세에 있기 때문에, 소자간 간격은 매우 협소해지고 있다.
따라서, 합착이 조금만 틀려도 초기설계 위치가 아닌곳에 해당 소자가 형성되어 색재현성을 저하시키고, 제품의 수율을 떨어뜨리므로, 합착의 중요성이 새삼 강조되고 있다.
그러나, 상기와 같이 컬러필터와 박막트랜지스터를 서로 다른 기판에 형성하는 구조의 액정표시장치는 다음과 같은 단점을 가진다.
첫째, 컬러필터 기판과 어레이 기판간의 합착 마진(Alignment margin)에 의해 합착 정확도 및 개구율이 떨어지기 쉽다.
둘째, 개구율을 향상시키기 위해 합착 마진을 줄일 경우, 빛샘 현상이 발생되기 쉽다.
세째, 컬러필터 기판과 어레이 기판을 각각 형성해야 되기 때문에, 공정에 소요되는 시간이 길다.
이러한 문제점을 개선하기 위하여, 박막트랜지스터 기판 상에 컬러필터를 같이 형성하는 TOC(Thin Film Transistor on Color Filter)구조 액정표시장치가 제안되었다.
도 2는 일반적인 TOC 구조 액정표시장치에 대한 단면도로서, 특히 액정이 구동되는 영역으로 정의되는 액티브 영역에서의 상부 및 하부 기판 간의 단면구조를 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이, 액정층(90)이 개재된 상부 및 하부 기판(60, 70)에 있어서, 이 하부 기판(70)의 투명 기판(1) 상부에는 컬러필터(72)가 형성되어 있고, 이 컬러필터(72)의 컬러별 경계부 및 상부에는 평탄화층(74)이 형성되어 있고, 이 평탄화층(74) 상부에 박막트랜지스터(T) 및 화소 전극(78)을 포함하는 어레이 소자(I)가 형성되어 있다.
그리고, 상기 상부 기판(60)에는 하부 기판(70)에 형성된 박막트랜지스터(T)로의 빛유입을 차단하는 역할의 블랙매트릭스(62)가 형성되어 있고, 이 블랙매트릭스(62) 하부에 공통 전극(64)이 형성되어 있다.
상기 TOC구조 액정표시장치에서는 어레이 소자(I)가 컬러필터(72) 상부에 위치하므로, 컬러필터(72)의 컬러별 색구분 및 빛샘현상은 어레이 소자(I)의 불투명 금속물질로 이루어진 배선에 의해 차단된다.
이하, 상기 TOC 구조 액정표시장치의 평면도를 통하여, 이 TOC 구조 액정표시장치에서의 합착키 형성방식에 대해서 설명한다.
도 3은 일반적인 TOC 구조 액정표시장치용 상부 기판의 평면도로서, 액정셀 공정에서 합착 단계에 해당하는 상부 기판에 대한 것이다.
도시한 바와 같이, 액티브 영역(II)과, 이 액티브 영역(II)의 주변을 두르는 외곽부에 위치하는 비액티브 영역(III)을 가지는 상부 기판(60)에는, 액티브 영역(II) 및 액티브 영역(II)과 비 액티브 영역(III)의 경계부에 걸쳐 공통 전극(64)가 형성되어 있고, 액티브 영역(II)내에서, 미도시한 하부 기판의 박막트랜지스터와 대응되는 위치에 블랙매트릭스(62)가 화소 영역별로 각각 형성되어 있고, 비액티브 영역(III)에는 블랙매트릭스(62)와 동일물질로 이루어진 합착키(94)가 각 모서리 부분에 형성되어 있다.
이때, 공통 전극(64)의 테두리 영역에는 하부 기판과의 합착 및 셀 갭 형성하는 목적으로, 일측에 액정주입구(91)을 가지는 씰 패턴(92)이 형성되어 있다.
그리고, 이 씰 패턴(92)은 공통 전극(64)의 일부 영역을 씰 패턴(92) 외부로 노출하여 하부 기판과 쇼트시키기 위한 목적으로 다수 개의 오목부(93)를 더욱 포함한다.
기존의 TOC 구조 액정표시장치에서는, 별도의 컬러필터를 포함하지 않는 상부 기판상에 하부 기판의 박막트랜지스터용 블랙매트릭스를 추가 형성하여, 상부 기판에서 블랙매트릭스 공정이 추가되었다.
그런데, 상부 기판에 박막트랜지스터용 블랙매트릭스를 형성하게 되면, 하부 기판에 형성된 박막트랜지스터와의 합착 마진에 의해 합착 정확도가 떨어지게 되고, 합착 마진을 줄이게 되면 광누설 전류가 발생되기 쉬운 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 상부 및 하부 기판간의 합착 마진을 최소화하면서, 공정이 단순화된 TOC구조 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위하여, 본 발명에서는 TOC구조 액정표시장치용 상부 기판에 투명 도전성 물질을 이용하여 공통 전극 및 합착키를 형성하고, 박막트랜지스터용 블랙매트릭스는 하부 기판에 형성하도록 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역의 주변을 둘러싸는 비액티브 영역을 가지며, 상기 액티브 영역상에 컬러필터와 박막트랜지스터 및 화소 전극을 가지는 어레이 소자가 형성된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향되며, 상기 액티브 영역을 포함하는 영역상에 공통 전극이 형성된 제 2 기판과, 상기 제 1, 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하는 액정표시장치에 있어서, 상기 제 1 기판의 비 액티브 영역에 형성된 제1 합착키와; 상기 제 2 기판의 비 액티브 영역에서, 상기 제1 합착키와 대응되는 위치에 형성되며, 상기 공통 전극과 동일 물질로 이루어진 제2 합착키를 포함하는 액정표시장치를 제공한다.
상기 박막트랜지스터 상부에는 보호층이 형성되며, 상기 보호층의 상부에 위치하여 상기 박막트랜지스터를 덮는 블랙매트릭스를 더욱 포함하며, 상기 블랙매트릭스는 블랙 레진으로 이루어지고, 상기 공통 전극은 투명 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 투명 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)이다.
그리고, 상기 제 1 기판은 컬러필터 상부에 박막트랜지스터가 형성된 TOC(Thin Film Transistor on Color Filter)구조 액정표시장치용 기판인 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
삭제
도 4는 본 발명에 따른 TOC구조 액정표시장치에 대한 단면도로서, 액티브 영역에서의 상부 및 하부 기판간의 단면구조를 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이, 상부 기판(110)과 하부 기판(130)이 일정간격 이격되어 형성되어 있고, 이 상부 및 하부 기판(110, 130) 사이에는 액정층(150)이 개재되어 있다.
상기 하부 기판(130)의 투명 기판(100) 상부에는 화소 영역별로 컬러필터(132)가 차례대로 형성되어 있고, 이 컬러필터(132)의 컬러별 경계부 및 상부에 평탄화층(134)이 형성되어 있고, 이 평탄화층(134) 상부에는 박막트랜지스터(T)와, 블랙매트릭스(112)와, 화소전극(148)을 포함하는 어레이소자(IV)가 형성되어 있다.
보다 상세하게는, 상기 평탄화층(134) 상부에는 게이트 전극(136), 반도체층(138), 소스 및 드레인 전극(140, 142)으로 구성되는 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있고, 이 박막트랜지스터(T) 상부에는 드레인 콘택홀(144)을 가지는 보호층(146)이 형성되어 있고, 이 보호층(146) 상부에는 박막트랜지스터용 블랙매트릭스(112)가 형성되어 있고, 상기 드레인 콘택홀(144)을 통해 드레인 전극(142)과 연결되며, 상기 컬러필터(132)와 대응되는 영역에 투명 도전성물질로 이루어진 화소 전극(148)이 형성되어 있다.
이 화소 전극(148) 및 컬러필터(132)는 개구율 향상을 위해 이웃하는 화소 영역까지 일정면적 연장형성된다.
그러나, 본 발명에서는 상기 화소 전극(148) 및 컬러필터(132)의 형성범위를 상기 구조로 한정하지 않는다.
그리고, 상기 컬러필터(132)는 염색법(dye method), 전착법(electrodeposition method), 안료분산법(pigment dispersion method), 인쇄법(print method) 등에 의해 형성될 수 있으며, 특히 안료분산법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 평탄화층(134) 및 보호층(146)을 이루는 재질은 유기 또는 무기 물질로서, 특히 평탄화 특성이 우수한 유기 물질로 하는 것이 바람직하다. 이러한 유기물질로는 BCB(benzocyclobutene), 아크릴 수지를 들 수 있다.
본 발명에서는 블랙매트릭스(112)를 박막트랜지스터(T)와 동일 기판에 형성하는 것을 특징으로 하며, 특히 이 블랙매트릭스(112)는 보호층(146) 상부에 위치하며, 화소 전극(148)보다 선행하여 형성하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 블랙매트릭스(112)를 이루는 재질로는 화소 전극(148)과 인접구성되므로, 유기물질인 블랙 레진(black resin)으로 하는 것이 바람직하다.
이하, 도 5는 본 발명에 따른 TOC 구조 액정표시장치용 상부 기판(이하, 기판으로 약칭함)의 개략적인 평면도이다.
도시한 바와 같이, 액티브 영역(V)과 비 액티브 영역(VI)을 가지는 기판(110) 상에는, 비 액티브 영역(VI)과의 경계부를 포함하는 액티브 영역(VI)에 공통 전극(114)이 위치하고, 이 공통 전극(114)의 테두리부에는 씰 패턴(149)이 형성되어 있다.
이 씰 패턴(149)의 기본 구조는 전술한 도 3의 씰 패턴(92) 구조를 적용할 수 있다.
그리고, 비 액티브 영역(VI)의 각 모서리부에 합착키(116)가 형성되어 있다.
본 발명에서는 상기 공통 전극(114)과 합착키(116)를 동일 공정에서 동일 물질로 형성하는 것을 특징으로 한다.
이 공통 전극(114) 및 합착키(116)를 이루는 물질은 투명 도전성물질이며, 바람직하기로는 ITO(Indium Tin Oxide)로 하는 것이다.
도면으로 제시하지는 않았지만, 상기 합착키(116)와 대응하는 위치에서 하부 기판용 합착키가 형성된다.
그리고, 본 발명에서는 TOC구조 외에도 박막트랜지스터를 하부층으로 하고, 그 상부에 컬러필터를 형성하는 방식의 COT구조 액정표시장치에서도 상기 합착키 형성방식을 적용할 수 있다.
그러나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 어긋나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 박막트랜지스터와 컬러필터를 동일 기판에 형성하는 구조의 액정표시장치에 있어서, 또 하나의 기판 상에는 투명 도전성물질을 이용하여 공통 전극과 상부 합착키를 같이 형성하므로써, 다음과 같은 장점을 가진다.
첫째, 상부 기판의 공정을 단순화시킬 수 있다.
둘째, 박막트랜지스터용 블랙매트릭스를 박막트랜지스터와 동일기판에 형성하므로써, 박막트랜지스터와 블랙매트릭스간 합착 마진을 줄일 수 있고, 광누설 전류 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

Claims (7)

  1. 액티브 영역과, 상기 액티브 영역의 주변을 둘러싸는 비액티브 영역을 가지며, 상기 액티브 영역상에 컬러필터와 박막트랜지스터 및 화소 전극을 가지는 어레이 소자가 형성된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향되며, 상기 액티브 영역을 포함하는 영역상에 공통 전극이 형성된 제 2 기판과, 상기 제 1, 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하는 액정표시장치에 있어서,
    상기 제 1 기판의 비 액티브 영역에 형성된 제1 합착키와;
    상기 제 2 기판의 비 액티브 영역에서, 상기 제1 합착키와 대응되는 위치에 형성되며, 상기 공통 전극과 동일 물질로 이루어진 제2 합착키
    를 포함하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 상부에는 보호층이 형성되며, 상기 보호층의 상부에 위치하여 상기 박막트랜지스터를 덮는 블랙매트릭스를 더욱 포함하는 액정표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스는 블랙 레진으로 이루어진 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 전극은 투명 도전성 물질로 이루어진 액정표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 투명 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)인 액정표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 컬러필터 상부에 박막트랜지스터가 형성된 TOC(Thin Film Transistor on Color Filter)구조 액정표시장치용 기판인 액정표시장치.
  7. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10152497A (ja) * 1996-09-30 1998-06-09 Otsuka Pharmaceut Factory Inc ヘリコバクター・ピロリのリピドａ
US5795458A (en) * 1994-09-14 1998-08-18 Citizen Watch Co., Ltd. Manufacturing method of thin film diode for liquid crystal display device
KR19990010077A (ko) * 1997-07-14 1999-02-05 구자홍 액정 표시 장치의 칼라 필터 구조 및 그 제조 방법
KR19990012335A (ko) * 1997-07-29 1999-02-25 양재신 좁은 공간용 리벳과 그 리벳을 위한 리벳터
KR20010003050A (ko) * 1999-06-21 2001-01-15 김영환 고개구율 액정 표시 장치 및 그 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795458A (en) * 1994-09-14 1998-08-18 Citizen Watch Co., Ltd. Manufacturing method of thin film diode for liquid crystal display device
JPH10152497A (ja) * 1996-09-30 1998-06-09 Otsuka Pharmaceut Factory Inc ヘリコバクター・ピロリのリピドａ
KR19990010077A (ko) * 1997-07-14 1999-02-05 구자홍 액정 표시 장치의 칼라 필터 구조 및 그 제조 방법
KR19990012335A (ko) * 1997-07-29 1999-02-25 양재신 좁은 공간용 리벳과 그 리벳을 위한 리벳터
KR20010003050A (ko) * 1999-06-21 2001-01-15 김영환 고개구율 액정 표시 장치 및 그 제조방법

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
공개특허 제1999-0010077호
공개특허 제1999-0012335호
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