KR100753942B1 - Method for improving quality of nitride film and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 성막 온도를 증가시키는 일 없이, 질화막 중의 염소 함유량을 저감시키는 것이다. An object of the present invention is to reduce the chlorine content in the nitride film without increasing the film formation temperature.

실리콘 기판(11) 상에 450 ℃의 성막 온도로 Si2Cl6와 같은 염소 함유 가스와 NH3를 이용하여 LPCVD법에 의해 질화막(12)을 형성한다. 400 ℃의 온도에서 수소 래디컬(14)을 포함하는 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마 중에 질화막(12)을 노출시킨다. 질화막(12) 중으로 도입된 수소 래디컬(14)이 염소(13)와 결합하여 염화수소(15)를 생성하고, 염화수소(15)가 질화막(12)으로부터 이탈 분리된다. The nitride film 12 is formed on the silicon substrate 11 by LPCVD using chlorine-containing gas such as Si 2 Cl 6 and NH 3 at a film formation temperature of 450 ° C. A plasma containing hydrogen radicals 14 is generated at a temperature of 400 ° C., and the nitride film 12 is exposed in the plasma. Hydrogen radicals 14 introduced into the nitride film 12 combine with chlorine 13 to produce hydrogen chloride 15, and the hydrogen chloride 15 is separated from the nitride film 12.

실리콘 기판, 질화막, 수소 래디컬, 염화수소, 게이트 절연막Silicon substrate, nitride film, hydrogen radical, hydrogen chloride, gate insulating film

Description

질화막의 막질 개선 방법 및 반도체 장치의 제조 방법{METHOD FOR IMPROVING QUALITY OF NITRIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}METHOD FOR IMPROVING QUALITY OF NITRIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}

도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 질화막의 막질 개선 방법을 설명하기 위한 공정 단면도. 1 is a cross sectional view for explaining a film quality improving method of a nitride film according to a first embodiment of the present invention;

도2는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도. Fig. 2 is a cross sectional view for explaining the manufacturing method of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

11, 21 : 기판(실리콘 기판)11, 21: substrate (silicon substrate)

12, 24 : 질화막12, 24: nitride film

13, 25 : 염소13, 25: goat

14, 26 : 수소 래디컬14, 26: hydrogen radical

15, 27 : 염화수소15, 27: hydrogen chloride

22 : 게이트 절연막(게이트 산화막)22: gate insulating film (gate oxide film)

23 : 게이트 전극23: gate electrode

28 : 사이드 월28: sidewall

본 발명은, 반도체 장치 등에 이용되는 질화막의 막질 개선 방법 및 그 질화막을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for improving the film quality of a nitride film used for a semiconductor device or the like and a method for manufacturing a semiconductor device using the nitride film.

종래, SiH2Cl2, SiCl4, Si2Cl6과 같은 염소 함유 Si 원료 가스와 NH3 가스를 이용한 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)법에 의해 질화막을 성막하고 있었다. 이 LPCVD법에서는, 650 ℃ 내지 800 ℃의 성막 온도가 일반적으로 이용되고 있었다. Conventionally, nitride films have been formed by LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) method using chlorine-containing Si source gas such as SiH 2 Cl 2 , SiCl 4 , Si 2 Cl 6 and NH 3 gas. In this LPCVD method, the film-forming temperature of 650 degreeC-800 degreeC was generally used.

그러나, 열이력(Thermal Budget)을 저감시키기 위해 상기 성막 온도를 600 ℃ 이하로 저온화한 경우, 질화막 중에 불순물로서 염소가 많이 잔류되어 버려 질화막의 막질이 열화되어 버린다고 하는 문제가 있었다. However, when the film formation temperature is lowered to 600 ° C. or lower in order to reduce the thermal budget, there is a problem that much chlorine remains as impurities in the nitride film and the film quality of the nitride film is deteriorated.

또한, 이러한 질화막을 반도체 장치에 적용한 경우 질화막 중에 잔류되는 염소가 다른 소자로 확산되어 버려, 반도체 장치의 신뢰성이 저하될 가능성이 있었다. 예를 들어, 게이트 전극 측벽의 사이드 월을 질화막에 의해 형성하는 경우에는, 질화막의 불순물이 게이트 전극으로 확산되어 버려 게이트 전극 중의 불순물 농도가 변화되어 버린다고 하는 문제가 있었다. In addition, when such a nitride film is applied to a semiconductor device, chlorine remaining in the nitride film may diffuse into other devices, which may lower the reliability of the semiconductor device. For example, when the sidewalls of the gate electrode sidewalls are formed of a nitride film, there is a problem that impurities in the nitride film diffuse to the gate electrode and the impurity concentration in the gate electrode changes.

본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 성막 온도를 증가시키는 일 없이 질화막 중의 염소 함유량을 저감시키는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in order to solve the said conventional subject, and it aims at reducing chlorine content in a nitride film, without increasing a film-forming temperature.

본 발명에 관한 질화막의 막질 개선 방법은, 기판 상에 600 ℃ 이하의 온도에서 염소 함유의 Si 원료 가스와 NH3을 이용하여 LPCVD법에 의해 질화막을 형성하는 공정과, A step for film quality improvement method of the nitride film of the present invention, and at a temperature not higher than 600 ℃ on a substrate using a Si source gas and NH 3 in the chlorine-containing form a nitride film by the LPCVD method,

상기 질화막 내에 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다. And introducing hydrogen radicals or hydrogen ions into the nitride film.

본 발명에 관한 막질 개선 방법에 있어서, 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정은 플라즈마에 의해 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 발생시키는 공정을 포함하는 것이 적합하다. In the film quality improving method according to the present invention, the step of introducing the hydrogen radicals or hydrogen ions preferably includes a step of generating the hydrogen radicals or hydrogen ions by plasma.

본 발명에 관한 막질 개선 방법에 있어서, 상기 질화막을 형성하는 공정과 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정을 동일한 제조 장치 내에서 연속하여 행하는 것이 적합하다. In the film quality improving method according to the present invention, it is preferable to continuously perform the step of forming the nitride film and the step of introducing the hydrogen radical or hydrogen ion in the same production apparatus.

본 발명에 관한 반도체 장치의 제조 방법은 기판 상에 반도체 요소를 형성하는 공정과, The manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this invention is a process of forming a semiconductor element on a board | substrate,

상기 반도체 요소 상에 600 ℃ 이하의 온도에서 염소 함유의 Si 원료 가스와 NH3을 이용하여 LPCVD법에 의해 질화막을 형성하는 공정과, Forming a nitride film on the semiconductor element by LPCVD using Si source gas containing chlorine and NH 3 at a temperature of 600 ° C. or lower,

상기 질화막 내에 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다. And introducing hydrogen radicals or hydrogen ions into the nitride film.

본 발명에 관한 제조 방법에 있어서, 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정은 플라즈마에 의해 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 발생시키는 공정을 포함하는 것이 적합하다. In the production method according to the present invention, the step of introducing the hydrogen radicals or hydrogen ions preferably includes a step of generating the hydrogen radicals or hydrogen ions by plasma.

본 발명에 관한 제조 방법에 있어서, 상기 질화막을 형성하는 공정과 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정을 동일한 제조 장치 내에서 연속하여 행하는 것이 적합하다. In the manufacturing method which concerns on this invention, it is suitable to perform the process of forming the said nitride film, and the process of introducing the said hydrogen radical or hydrogen ion continuously in the same manufacturing apparatus.

본 발명에 관한 제조 방법에 있어서 상기 반도체 요소는 게이트 전극이며, In the manufacturing method according to the present invention, the semiconductor element is a gate electrode,

상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입한 후, 상기 질화막을 에칭함으로써 상기 게이트 전극의 측벽에 사이드 월을 형성하는 공정을 더 포함하는 것이 적합하다. After introducing the hydrogen radicals or hydrogen ions, it is preferable to further include a step of forming sidewalls on the sidewalls of the gate electrodes by etching the nitride film.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도면 중, 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 부호를 붙여 그 설명을 간략화 내지 생략하는 경우가 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings. In the drawings, the same or corresponding parts may be denoted by the same reference numerals, and the description thereof may be simplified or omitted.

(제1 실시 형태) (1st embodiment)

도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 질화막의 막질 개선 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. 1 is a cross sectional view for explaining a film quality improving method of a nitride film according to a first embodiment of the present invention.

우선, 도1의 (a)에 도시한 바와 같이 기판(11)으로서의 실리콘 기판 상에 Si2Cl6과 같은 염소 함유 가스를 이용하여 600 ℃ 이하의 성막 온도로 LPCVD법에 의해 질화막(12)을 형성한다. First, as shown in FIG. 1A, the nitride film 12 is formed on the silicon substrate as the substrate 11 by the LPCVD method using a chlorine-containing gas such as Si 2 Cl 6 at a film formation temperature of 600 ° C or lower. Form.

여기서 질화막(12)의 성막 조건은, 예를 들어 Si2Cl6 유량 : 10 내지 50 sccm ; NH3 유량 : 300 내지 1000 sccm ; 압력 : 1.33 × 102㎩(1 Torr) ; 온도 : 450 ℃이다. 또한 질화막(12)의 형성막 두께는, 이하에 서술하는 수소 래디컬(14)의 도입을 고려하면, 예를 들어 1 ㎚ 내지 100 ㎚가 적합하고 1 ㎚ 내지 50 ㎚가 보다 적합하다. 이와 같이, 염소 함유 가스를 이용하여 600 ℃ 이하의 저온에서 성막된 질화막(12) 중에는 불순물로서의 염소(13)가 다량 포함된다. The film forming conditions of the nitride film 12 are, for example, Si 2 Cl 6 flow rate: 10 to 50 sccm; NH 3 flow rate: 300-1000 sccm; Pressure: 1.33 × 10 2 kPa (1 Torr); Temperature: 450 ° C. In addition, considering the introduction of the hydrogen radicals 14 described below, the formed film thickness of the nitride film 12 is preferably 1 nm to 100 nm, and more preferably 1 nm to 50 nm. In this way, the nitride film 12 formed at a low temperature of 600 ° C. or lower using chlorine-containing gas contains a large amount of chlorine 13 as an impurity.

다음에, 도1의 (b)에 도시한 바와 같이 수소 래디컬 또는 수소 이온(이하 「수소 래디컬」이라 함)(14)을 포함하는 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마 중에 질화막(12)을 노출시킨다. 이에 의해, 질화막(12) 중에 수소 래디컬(14)이 도입되고, 도입된 수소 래디컬(14)은 염소(13)와 결합하여 염화수소(15)를 생성한다. 이와 같이 생성된 염화수소(15)는 질화막(12)으로부터 이탈 분리된다. Next, as shown in Fig. 1B, a plasma containing hydrogen radicals or hydrogen ions (hereinafter referred to as “hydrogen radicals”) 14 is generated, and the nitride film 12 is exposed in the plasma. As a result, hydrogen radicals 14 are introduced into the nitride film 12, and the introduced hydrogen radicals 14 combine with chlorine 13 to generate hydrogen chloride 15. The hydrogen chloride 15 thus produced is separated from the nitride film 12.

여기서 처리 조건은, 예를 들어 H2 유량 ; 5 내지 20 sccm ; RF 전력 : 1 ㎾ ; 온도 : 400 ℃이다. Treatment conditions herein include, for example, H 2 flow rate; 5 to 20 sccm; RF power: 1 ㎾; Temperature: 400 ° C.

또한, 본 처리를 행하는 시간은 질화막(12) 중의 염소(13)의 감소량에 따라서 적절하게 결정하면 좋으며, 예를 들어 10분이다. 이 경우, 질화막(12) 중의 염소(13)가 30 ％ 감소하는 것을 본 발명자는 확인하였다. In addition, what is necessary is just to determine suitably the time which this process is performed according to the decrease amount of the chlorine 13 in the nitride film 12, for example, it is 10 minutes. In this case, the inventors confirmed that the chlorine 13 in the nitride film 12 was reduced by 30%.

또한, 본 처리의 온도는 상기 400 ℃에 한정되지 않으며, 질화막(12)의 성막 온도 이하이면 좋다. In addition, the temperature of this process is not limited to said 400 degreeC, What is necessary is just below the film-forming temperature of the nitride film 12.

이상 설명한 바와 같이, 본 제1 실시 형태에서는 염소 함유 가스를 이용하여 600 ℃ 이하의 온도에서 LPCVD법에 의해 질화막(12)을 형성한 후, 질화막(12) 내에 수소 래디컬(14)을 도입하였다. 질화막(12) 내로 도입된 수소 래디컬(14)과 질화막(12) 중의 염소(13)를 결합시켜 제거함으로써, 질화막(12) 중의 염소(13)를 감소시킬 수 있어 질화막(12)의 막질을 개선할 수 있다. As described above, in the first embodiment, after the nitride film 12 is formed by LPCVD at a temperature of 600 ° C. or lower using chlorine-containing gas, hydrogen radicals 14 are introduced into the nitride film 12. By combining and removing the hydrogen radicals 14 introduced into the nitride film 12 and the chlorine 13 in the nitride film 12, the chlorine 13 in the nitride film 12 can be reduced to improve the film quality of the nitride film 12. can do.                     

또한, 질화막(12)의 성막과 질화막(12)으로의 수소 래디컬(14)의 도입을 동일한 제조 장치(LPCVD 장치)로 행함으로써, 작업 처리량을 향상시킬 수 있다. 또한, 질화막(12)의 성막 온도와 수소 래디컬(14)의 생성 및 도입 온도를 동일 온도로 함으로써, 작업 처리량을 더욱 향상시킬 수 있다. In addition, the throughput can be improved by forming the nitride film 12 and introducing the hydrogen radicals 14 into the nitride film 12 using the same manufacturing apparatus (LPCVD apparatus). In addition, the throughput can be further improved by setting the deposition temperature of the nitride film 12 and the generation and introduction temperature of the hydrogen radicals 14 to the same temperature.

또, 본 제1 실시 형태에서는 플라즈마를 발생시킴으로써 수소 래디컬(14)을 생성하였지만, 열적 방법이나 촉매를 이용하여 수소 래디컬을 생성시켜도 좋다(후술하는 제2 실시 형태에 대해서도 동일). 단, 열적 방법을 이용하는 경우에는 질화막의 성막 온도 이하로 할 필요가 있다. In addition, although the hydrogen radicals 14 were produced | generated by generating a plasma in this 1st Embodiment, you may generate | generate hydrogen radicals using a thermal method or a catalyst (the same also about 2nd Embodiment mentioned later). However, when using a thermal method, it is necessary to be below the film-forming temperature of a nitride film.

또한, 염소 함유의 Si 원료 가스로서는 상기 Si2Cl6 이외에 SiH2Cl2 , SiCl4를 이용할 수 있다. As the chlorine-containing Si source gas, SiH 2 Cl 2 and SiCl 4 may be used in addition to the Si 2 Cl 6 .

(제2 실시 형태) (2nd embodiment)

도2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. 2 is a cross sectional view for explaining the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

본 제2 실시 형태는, 전술한 제1 실시 형태의 막질 개선 방법을 반도체 장치의 제조 방법에 적용한 일예이다. This second embodiment is an example in which the film quality improving method of the first embodiment described above is applied to a method for manufacturing a semiconductor device.

우선, 도2의 (a)에 도시한 바와 같이 기판(21)으로서의 실리콘 기판 상에, 열산화법을 이용하여 게이트 절연막(22)으로서의 게이트 산화막을 형성한다. 다음에, 게이트 절연막(22) 상에 폴리실리콘막을 형성하고, 상기 폴리실리콘막을 패터닝함으로써 폴리실리콘막으로 이루어지는 게이트 전극(반도체 요소)(23)을 형성한 다. 또, 게이트 전극(23)은 폴리실리콘막과 실리사이드막과의 적층 구조와 같이, 그 구조는 임의라도 좋다. 도시하지 않았지만, 게이트 전극(23)을 마스크로 하여 저농도의 불순물을 이온 주입법에 의해 주입함으로써, 기판(21) 상층에 연장부 영역을 형성할 수 있다.First, as shown in Fig. 2A, a gate oxide film as the gate insulating film 22 is formed on the silicon substrate as the substrate 21 by thermal oxidation. Next, a polysilicon film is formed on the gate insulating film 22, and the polysilicon film is patterned to form a gate electrode (semiconductor element) 23 made of a polysilicon film. The gate electrode 23 may have any structure, such as a laminated structure of a polysilicon film and a silicide film. Although not shown, an extension region can be formed over the substrate 21 by implanting impurities of low concentration by the ion implantation method using the gate electrode 23 as a mask.

다음에 도2의 (b)에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(23) 상에 Si2Cl6 및 NH3을 이용하여 성막 온도 450 ℃에서 LPCVD법에 의해 질화막(24)을 형성한다. 질화막(24)의 처리 조건 및 막 두께는, 전술한 제1 실시 형태와 동일하므로 설명을 생략한다. 이와 같이, 염소 함유 가스를 이용하여 600 ℃ 이하의 저온에서 성막된 질화막(24) 중에는 불순물로서의 염소(25)가 다량 포함된다. Next, as shown in Fig. 2B, the nitride film 24 is formed on the gate electrode 23 by LPCVD at a film formation temperature of 450 DEG C using Si 2 Cl 6 and NH 3 . The processing conditions and the film thickness of the nitride film 24 are the same as those in the above-described first embodiment, and thus description thereof is omitted. In this way, the nitride film 24 formed at a low temperature of 600 ° C. or lower using chlorine-containing gas contains a large amount of chlorine 25 as an impurity.

다음에, 도2의 (c)에 도시한 바와 같이 수소 래디컬(26)을 포함하는 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마 중에 질화막(24)을 노출시킨다. 이에 의해, 질화막(24) 중에 수소 래디컬(26)이 도입되고, 도입된 수소 래디컬(26)은 염소(25)와 결합하여 염화수소(27)를 생성한다. 이 생성된 염화수소(27)는 질화막(24)으로부터 이탈 분리된다. Next, as shown in Fig. 2C, a plasma including hydrogen radicals 26 is generated, and the nitride film 24 is exposed in the plasma. As a result, hydrogen radicals 26 are introduced into the nitride film 24, and the introduced hydrogen radicals 26 combine with chlorine 25 to generate hydrogen chloride 27. The generated hydrogen chloride 27 is separated from the nitride film 24.

본 처리의 처리 조건은, 전술한 제1 실시 형태와 동일하므로 설명을 생략한다. Since the processing conditions of this process are the same as that of 1st Embodiment mentioned above, description is abbreviate | omitted.

또한, 도2의 (d)에 도시한 바와 같이 질화막(24)을 드라이 에칭 등의 이방성 에칭함으로써, 게이트 전극(23)의 측벽에 질화막으로 이루어지는 사이드 월(28)을 형성한다. 도시하지 않았지만, 게이트 전극(23) 및 사이드 월(28)을 마스크로 하 여 고농도의 불순물을 이온 주입법에 의해 주입함으로써, 기판(21) 상층에 소스/드레인 영역을 형성할 수 있다.As shown in Fig. 2D, the nitride film 24 is anisotropically etched, such as dry etching, to form sidewalls 28 made of nitride film on the sidewall of the gate electrode 23. As shown in Figs. Although not illustrated, a source / drain region can be formed on the substrate 21 by implanting a high concentration of impurities by the ion implantation method using the gate electrode 23 and the side wall 28 as a mask.

이상 설명한 바와 같이, 본 제2 실시 형태에서는 게이트 전극(23)을 덮도록 염소 함유 가스를 이용하여 600 ℃ 이하의 온도에서 LPCVD법에 의해 질화막(24)을 형성한 후, 질화막(24) 내로 수소 래디컬(26)을 도입하였다. 질화막(24) 내로 도입된 수소 래디컬(26)과 질화막(24) 중의 염소(25)를 결합시켜 제거함으로써, 질화막(24) 중의 염소(25)를 감소시킬 수 있어 질화막(24)의 막질을 개선할 수 있다. As described above, in the second embodiment, the nitride film 24 is formed by the LPCVD method at a temperature of 600 ° C. or lower using a chlorine-containing gas so as to cover the gate electrode 23, and then hydrogen is introduced into the nitride film 24. Radial 26 was introduced. By combining and removing the hydrogen radicals 26 introduced into the nitride film 24 and the chlorine 25 in the nitride film 24, the chlorine 25 in the nitride film 24 can be reduced to improve the film quality of the nitride film 24. can do.

또한, 질화막(24)을 에칭함으로써 게이트 전극(23)의 측벽을 덮는 사이드 월(28)을 형성하였다. 막질이 개선된 질화막으로 이루어지는 사이드 월(28)은 염소 농도가 낮으므로, 후속 공정에서 열이 가해진 경우라도 사이드 월(28)로부터 게이트 전극(23)으로 불순물이 확산되지 않는다. 따라서, 막질이 개선된 질화막을 반도체 장치에 적용함으로써, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In addition, the sidewalls 28 covering the sidewalls of the gate electrode 23 were formed by etching the nitride film 24. Since the side wall 28 made of the nitride film with improved film quality has a low chlorine concentration, impurities do not diffuse from the side wall 28 to the gate electrode 23 even when heat is applied in a subsequent step. Therefore, by applying the nitride film with improved film quality to the semiconductor device, the reliability of the semiconductor device can be improved.

또, 본 제2 실시 형태에서는 반도체 요소로서의 게이트 전극(23) 상에 질화막(24)을 형성하는 경우에 대해 설명하였지만 이에 한정되지 않으며, 예를 들어 질화막을 라이너로서 형성하는 경우에 대해서도 적용할 수 있다. In addition, although the case where the nitride film 24 is formed on the gate electrode 23 as a semiconductor element was demonstrated in this 2nd Embodiment, it is not limited to this, For example, it is applicable also to the case where a nitride film is formed as a liner. have.

본 발명에 따르면, 성막 온도를 증가시키는 일 없이 질화막 중의 염소 함유량을 저감시킬 수 있다. According to the present invention, the chlorine content in the nitride film can be reduced without increasing the film formation temperature.

Claims (8)

기판 상에 600 ℃ 이하의 온도에서 염소 함유의 Si 원료 가스와 NH3을 이용하여 LPCVD법에 의해 질화막을 형성하는 공정과, Forming a nitride film by LPCVD using a Si source gas containing chlorine and NH 3 at a temperature of 600 ° C. or lower on a substrate; 상기 질화막 내로 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화막의 막질 개선 방법. And a step of introducing hydrogen radicals or hydrogen ions into the nitride film. 제1항에 있어서, 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정은, 플라즈마에 의해 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 발생시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화막의 막질 개선 방법. The method of improving a film quality of a nitride film according to claim 1, wherein the step of introducing the hydrogen radicals or hydrogen ions comprises a step of generating the hydrogen radicals or hydrogen ions by plasma. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 질화막을 형성하는 공정과 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정을 동일한 제조 장치 내에서 연속하여 행하는 것을 특징으로 하는 질화막의 막질 개선 방법The method for improving the film quality of a nitride film according to claim 1 or 2, wherein the step of forming the nitride film and the step of introducing the hydrogen radical or hydrogen ion are continuously performed in the same manufacturing apparatus. 기판 상에 반도체 요소를 형성하는 공정과, Forming a semiconductor element on the substrate; 상기 반도체 요소 상에 600 ℃ 이하의 온도에서 염소 함유의 Si 원료 가스와 NH3을 이용하여 LPCVD법에 의해 질화막을 형성하는 공정과, Forming a nitride film on the semiconductor element by LPCVD using Si source gas containing chlorine and NH 3 at a temperature of 600 ° C. or lower, 상기 질화막 내에 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법. And a step of introducing hydrogen radicals or hydrogen ions into the nitride film. 제4항에 있어서, 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정은, 플라즈마에 의해 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 발생시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the step of introducing the hydrogen radicals or hydrogen ions includes a step of generating the hydrogen radicals or hydrogen ions by plasma. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 질화막을 형성하는 공정과 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입하는 공정을 동일한 제조 장치 내에서 연속하여 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor device manufacturing method according to claim 4 or 5, wherein the step of forming the nitride film and the step of introducing the hydrogen radical or hydrogen ion are continuously performed in the same manufacturing apparatus. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 반도체 요소는 게이트 전극이고, The semiconductor device according to claim 4 or 5, wherein the semiconductor element is a gate electrode, 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입한 후, 상기 질화막을 에칭함으로써 상기 게이트 전극의 측벽에 사이드 월을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.And introducing the hydrogen radicals or hydrogen ions, and forming sidewalls on the sidewalls of the gate electrodes by etching the nitride film. 제6항에 있어서, 상기 반도체 요소는 게이트 전극이고, The semiconductor device of claim 6, wherein the semiconductor element is a gate electrode, 상기 수소 래디컬 또는 수소 이온을 도입한 후, 상기 질화막을 에칭함으로써 상기 게이트 전극의 측벽에 사이드 월을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.And introducing a sidewall of the gate electrode by etching the nitride film after the introduction of the hydrogen radicals or the hydrogen ions.
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