KR100748361B1 - Logic gate, scan driver and organic light emitting display using the same - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 부정 논리곱 게이트를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a negative AND gate according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 논리합 게이트를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating a logic sum gate according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 논리 게이트들을 이용하여 구성되는 주사 구동부를 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a scan driver configured using the logic gates illustrated in FIGS. 1 and 2.
도 4는 도 3의 입력단자들로 공급되는 구동파형의 실시예를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating an embodiment of a driving waveform supplied to the input terminals of FIG. 3.
도 5는 도 3에 도시된 부정 논리곱 게이트들 입력단자의 연결 구성을 나타내는 도면이다. FIG. 5 is a diagram illustrating a connection configuration of negative AND gates input terminals illustrated in FIG. 3.
도 6a는 도 4에 도시된 제 1입력단자, 제 2입력단자 및 제 3입력단자로 공급되는 구동파형을 상세히 나타내는 도면이다.FIG. 6A is a diagram illustrating in detail a driving waveform supplied to a first input terminal, a second input terminal, and a third input terminal shown in FIG. 4.
도 6b는 제 1입력단자로 공급되는 구동파형의 다른 실시예를 나타내는 도면이다. 6B is a diagram illustrating another embodiment of a driving waveform supplied to the first input terminal.
도 7은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 도면이 다. 7 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
10,12,14,20,22,24,26 : 구동부 30,32,34 : 디코더10, 12, 14, 20, 22, 24, 26:
110 : 주사 구동부 120 : 데이터 구동부110: scan driver 120: data driver
130 : 화소부 140 : 화소130: pixel portion 140: pixel
150 : 타이밍 제어부150: timing controller
본 발명은 논리 게이트 및 이를 이용한 주사 구동부와 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 피모스(PMOS) 트랜지스터들로 구현되는 논리 게이트 및 이를 이용한 주사 구동부와 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a logic gate, a scan driver using the same, and an organic light emitting display, and more particularly, to a logic gate implemented using PMOS transistors, and a scan driver using the same.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. The flat panel display includes a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, and an organic light emitting display.
평판표시장치 중 유기전계발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode : OLED)를 이용하여 화상을 표시한다. 이러한, 유기전계발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다. Among flat panel displays, an organic light emitting display device displays an image using an organic light emitting diode (OLED) that generates light by recombination of electrons and holes. Such an organic light emitting display device has an advantage of having a fast response speed and being driven with low power consumption.
일반적으로, 유기전계발광 표시장치는 매트릭스 형태로 배열되는 화소들과, 화소들과 접속된 데이터선들을 구동하기 위한 데이터 구동부와, 화소들과 접속된 주사선들을 구동하기 위한 주사 구동부를 구비한다. In general, an organic light emitting display device includes pixels arranged in a matrix, a data driver for driving data lines connected to the pixels, and a scan driver for driving scan lines connected with the pixels.
주사 구동부는 수평기간마다 주사신호를 순차적으로 공급하면서 라인 단위로 화소들을 선택한다. 데이터 구동부는 주사신호에 의하여 라인 단위로 선택된 화소들로 데이터신호를 공급한다. 그러면, 화소들 각각은 데이터신호에 대응하는 소정의 전류를 유기 발광 다이오드로 공급함으로써 데이터신호에 대응되는 소정의 화상을 표시한다. The scan driver sequentially selects pixels on a line-by-line basis while sequentially supplying scan signals for each horizontal period. The data driver supplies a data signal to pixels selected in line units by the scan signal. Then, each of the pixels displays a predetermined image corresponding to the data signal by supplying a predetermined current corresponding to the data signal to the organic light emitting diode.
한편, 유기전계발광 표시장치의 제조비용 등을 절감하기 위해서는 주사 구동부가 패널에 실장되어야 한다. 하지만, 종래의 주사 구동부는 피모스(PMOS) 트랜지스터 및 엔모스(NMOS) 트랜지스터로 구성되기 때문에 패널에 실장되기 곤란했다. 다시 말하여, 피모스 및 엔모스 트랜지스터로 구성된 주사 구동부가 패널에 형성될 때 마스크 수가 증가하는 문제점이 발생한다. 따라서, 피모스 트랜지스터들로 구현되어 패널에 형성될 수 있는 주사 구동부가 요구되고 있다. On the other hand, in order to reduce the manufacturing cost of the organic light emitting display device, the scan driver must be mounted on the panel. However, since the conventional scan driver is composed of a PMOS transistor and an NMOS transistor, it is difficult to be mounted on a panel. In other words, a problem arises in that the number of masks increases when a scan driver composed of PMOS and NMOS transistors is formed in a panel. Accordingly, there is a need for a scan driver that can be implemented in PMOS transistors and formed in a panel.
따라서, 본 발명의 목적은 피모스(PMOS) 트랜지스터들로 구현되는 논리 게이 트 및 이를 이용한 주사 구동부와 유기전계발광 표시장치를 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a logic gate implemented with PMOS transistors, a scan driver using the same, and an organic light emitting display device.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 논리 게이트는 제 1전원 및 상기 제 1전원 보다 낮은 전압값으로 설정되는 제 2전원과; 상기 제 1전원 및 제 2전원의 사이에 위치되며, 자신의 제 1전극에 출력단자가 접속되는 제어 트랜지스터와; 상기 제어 트랜지스터의 제 1전극과 상기 제 1전원 사이에 위치되며 외부로부터 공급되는 복수의 입력신호들에 대응하여 상기 제 1전극과 상기 제 1전원 사이의 접속을 제어하는 제 1구동부와; 상기 제어 트랜지스터의 제 1전극과 게이트전극 사이에 위치되며 상기 복수의 입력신호들에 대응하여 상기 제어 트랜지스터의 제 1전극과 게이트전극의 접속을 제어하는 제 2구동부와; 상기 제어 트랜지스터의 게이트전극과 상기 제 2전원의 사이에 위치되며 외부로부터 입력되는 복수의 입력바신호들에 대응하여 제어 트랜지스터의 게이트전극과 상기 제 2전원 사이의 접속을 제어하는 제 3구동부를 구비하며; 상기 제 1구동부, 제 2구동부 및 제 3구동부 각각은 복수의 트랜지스터들을 포함하며, 상기 트랜지스터들 및 상기 제어 트랜지스터는 피모스(PMOS)로 형성된다. In order to achieve the above object, a logic gate according to an embodiment of the present invention comprises a first power source and a second power source set to a lower voltage value than the first power source; A control transistor positioned between the first power supply and the second power supply, and having an output terminal connected to its first electrode; A first driver disposed between the first electrode of the control transistor and the first power source and controlling a connection between the first electrode and the first power source in response to a plurality of input signals supplied from the outside; A second driver positioned between the first electrode and the gate electrode of the control transistor and controlling a connection between the first electrode and the gate electrode of the control transistor in response to the plurality of input signals; A third driver disposed between the gate electrode of the control transistor and the second power source and controlling a connection between the gate electrode of the control transistor and the second power source in response to a plurality of input bar signals input from the outside; To; Each of the first driver, the second driver, and the third driver includes a plurality of transistors, and the transistors and the control transistor are formed of a PMOS.
본 발명의 실시예에 따른 논리 게이트는 제 1전원 및 상기 제 1전원 보다 낮은 전압값으로 설정되는 제 2전원과; 상기 제 1전원과 제 1노드 사이에 위치되며 외부로부터 공급되는 복수의 입력신호들에 대응하여 상기 제 1노드의 전압을 제어하기 위한 제 1구동부와; 상기 제 1노드와 상기 제 2전원 사이에 위치되어 상기 제 1노드의 전압값을 제어하기 위한 제 2구동부와; 상기 제 1전원과 출력단자 사이에 위치되며 상기 제 1노드에 인가되는 전압값에 의하여 상기 제 1전원과 상기 출력단자의 접속여부를 제어하는 제 3구동부와; 상기 제 3구동부와 상기 제 2전원 사이에 접속되는 제어 트랜지스터와; 상기 제어 트랜지스터의 게이트전극과 상기 제 2전원 사이에 접속되며 상기 복수의 입력신호들에 대응하여 상기 제어 트랜지스터의 게이트전극과 상기 제 2전원의 접속을 제어하는 제 4구동부를 구비하며; 상기 제 1구동부, 제 2구동부, 제 3구동부 및 제 4구동부 각각은 복수의 트랜지스터들을 포함하며, 상기 트랜지스터들 및 상기 제어 트랜지스터는 피모스(PMOS)로 형성된다.A logic gate according to an embodiment of the present invention includes a first power supply and a second power supply set to a lower voltage value than the first power supply; A first driver positioned between the first power source and the first node and controlling a voltage of the first node in response to a plurality of input signals supplied from the outside; A second driver positioned between the first node and the second power source to control a voltage value of the first node; A third driver positioned between the first power source and the output terminal and controlling whether the first power source and the output terminal are connected by a voltage value applied to the first node; A control transistor connected between the third driver and the second power source; A fourth driver connected between the gate electrode of the control transistor and the second power source and controlling a connection between the gate electrode of the control transistor and the second power source in response to the plurality of input signals; Each of the first driver, the second driver, the third driver, and the fourth driver includes a plurality of transistors, and the transistors and the control transistor are formed of a PMOS.
본 발명의 실시예에 따른 주사 구동부는 복수의 부정 논리곱 게이트들을 구비하는 적어도 하나의 디코더와, 각각이 서로 다른 주사선들과 접속되며 상기 디코더의 출력들을 논리합 연산하여 주사신호를 생성하는 복수의 논리합 게이트들을 구비하며, 상기 부정 논리곱 게이트들 및 상기 논리합 게이트들 각각은 복수의 피모스(PMOS) 트랜지스터들로 구성된다.According to an embodiment of the present invention, a scan driver includes at least one decoder having a plurality of negative AND gates, and a plurality of logical sums connected to different scan lines, respectively, to generate a scan signal by performing an OR operation on the outputs of the decoders. Gates, and each of the negative AND gates and the OR gate is composed of a plurality of PMOS transistors.
본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 데이터선들로 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부와, 주사선들로 주사신호를 공급하기 위한 주사 구동부와, 상기 데이터선 및 주사선에 접속되며 상기 주사신호가 공급될 때 상기 데이터신호에 대응되는 전압을 충전하기 위한 복수의 화소들을 구비하며, 상기 주사 구동부는 복수의 부정 논리곱 게이트들을 구비하는 적어도 하나의 디코더와, 각각이 서로 다른 주사선들과 접속되며 상기 디코더의 출력들을 논리합 연산하여 주사신호를 생성하는 복수의 논리합 게이트들을 구비하며, 상기 부정 논리곱 게이트들 및 상기 논리합 게이트들 각각은 복수의 피모스(PMOS) 트랜지스터들로 구성된다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a data driver for supplying a data signal to data lines, a scan driver for supplying a scan signal to scan lines, and a scan signal connected to the data line and the scan line. Is provided with a plurality of pixels for charging a voltage corresponding to the data signal, wherein the scan driver is connected to at least one decoder having a plurality of negative AND gates, each of which is connected to different scan lines; And a plurality of logical sum gates configured to perform an OR operation on the outputs of the decoder to generate a scan signal, wherein each of the negative AND gates and the OR gates include a plurality of PMOS transistors.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 첨부된 도 1 내지 도 7을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 7 to which a person skilled in the art may easily implement the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 부정 논리곱(NAND) 게이트를 나타내는 도면이다. 여기서, 본 발명의 실시예에 의한 부정 논리곱 게이트는 피모스 트랜지스터들로 구현된다. 1 is a diagram illustrating an NAND gate according to an exemplary embodiment of the present invention. Here, the negative AND gate according to the embodiment of the present invention is implemented with PMOS transistors.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 부정 논리곱 게이트는 출력단자(Vout)로 공급되는 전압을 제어하기 위한 제 7트랜지스터(M7)(제어 트랜지스터)와, 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M7) 사이에 위치되며 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3)의 극성(하이 또는 로우)에 대응하여 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극의 접속 여부를 제어하는 제 1구동부(10)와, 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극과 게이트전극 사이에 위치되며 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3)의 극성(하이 또는 로우)에 대응하여 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극과 게이트전극의 접속 여부를 제어하는 제 2구동부(12)와, 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극과 제 2전원(VSS) 사이에 위치되며 제 1입력바신호(/IN1), 제 2입력바신호(/IN2) 및 제 3입력바신호(/IN3)의 극성(하 이 또는 로우)에 대응하여 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극과 제 2전원(VSS) 사이의 접속 여부를 제어하는 제 3구동부(14)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a negative AND gate according to an exemplary embodiment of the present invention may include a seventh transistor M7 (control transistor), a first power source VDD, and a second voltage for controlling a voltage supplied to an output terminal Vout. Located between the seventh transistor M7 and corresponding to the polarity (high or low) of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3, The
제 7트랜지스터(M7)는 자신의 게이트전극으로 공급되는 전압에 대응하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 예를 들어, 제 7트랜지스터(M7)는 자신의 게이트전극으로 제 1전원(VDD)의 전압이 공급될 때 턴-오프되고, 제 2전원(VSS)의 전압이 공급될 때 턴-온된다. 이를 위하여, 제 1전원(VDD)은 제 2전원(VSS) 보다 높은 전압으로 설정된다. 예를 들어, 제 1전원(VDD)은 양극성의 전압으로 설정되고, 제 2전원(VSS)의 그라운드 전압 또는 부극성의 전압으로 설정될 수 있다. The seventh transistor M7 is turned on or turned off in response to the voltage supplied to its gate electrode. For example, the seventh transistor M7 is turned off when the voltage of the first power source VDD is supplied to its gate electrode, and is turned on when the voltage of the second power source VSS is supplied. To this end, the first power source VDD is set to a higher voltage than the second power source VSS. For example, the first power source VDD may be set to a positive voltage, and may be set to a ground voltage or a negative voltage of the second power source VSS.
제 1구동부(10)는 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극 사이에 병렬로 접속되는 제 1트랜지스터(M1), 제 2트랜지스터(M2) 및 제 3트랜지스터(M3)를 구비한다. 이와 같은 제 1구동부(10)는 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 중 어느 하나가 로우극성으로 설정될 때 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극을 전기적으로 접속시킨다.The
상세히 설명하면, 제 1트랜지스터(M1)는 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M1)의 제 1전극 사이에 접속되고, 제 1입력신호(IN1)에 의하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, 제 1트랜지스터(M1)는 제 1입력신호(IN1)가 로우극성일 때 턴-온되고, 그 외의 경우에는 턴-오프된다. In detail, the first transistor M1 is connected between the first power supply VDD and the first electrode of the seventh transistor M1, and is turned on or turned off by the first input signal IN1. . That is, the first transistor M1 is turned on when the first input signal IN1 is low polarity, and is otherwise turned off.
제 2트랜지스터(M2)는 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M1)의 제 1전극 사이에 접속되고, 제 2입력신호(IN2)에 의하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, 제 2트랜지스터(M2)는 제 2입력신호(IN2)가 로우극성일 때 턴-온되고, 그 외의 경우에는 턴 -오프된다.The second transistor M2 is connected between the first power supply VDD and the first electrode of the seventh transistor M1, and is turned on or turned off by the second input signal IN2. That is, the second transistor M2 is turned on when the second input signal IN2 is low polarity, and is otherwise turned off.
제 3트랜지스터(M3)는 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M1)의 제 1전극 사이에 접속되고, 제 3입력신호(IN3)에 의하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, 제 3트랜지스터(M3)는 제 3입력신호(IN3)가 로우극성일 때 턴-온되고, 그 외의 경우에는 턴-오프된다.The third transistor M3 is connected between the first power supply VDD and the first electrode of the seventh transistor M1, and is turned on or turned off by the third input signal IN3. That is, the third transistor M3 is turned on when the third input signal IN3 is low polarity, and is turned off otherwise.
제 2구동부(12)는 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극과 게이트전극 사이에 병렬로 접속되는 제 4트랜지스터(M4), 제 5트랜지스터(M5) 및 제 6트랜지스터(M6)를 구비한다. 이와 같은 제 2구동부(12)는 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 중 어느 하나가 로우극성으로 설정될 때 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극과 게이트전극을 전기적으로 접속시킨다. The
상세히 설명하며, 제 4트랜지스터(M4)는 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극과 게이트전극 사이에 접속되며, 제 3입력신호(IN3)에 의하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, 제 4트랜지스터(M4)는 제 3입력신호(IN3)가 로우극성일 때 턴-온되고, 그 외의 경우에는 턴-오프된다. In detail, the fourth transistor M4 is connected between the first electrode and the gate electrode of the seventh transistor M7 and is turned on or turned off by the third input signal IN3. That is, the fourth transistor M4 is turned on when the third input signal IN3 is low polarity, and is turned off otherwise.
제 5트랜지스터(M5)는 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극과 게이트전극 사이에 접속되며, 제 2입력신호(IN2)에 의하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, 제 5트랜지스터(M5)는 제 2입력신호(IN2)가 로우극성일 때 턴-온되고, 그 외의 경우에는 턴-오프된다. The fifth transistor M5 is connected between the first electrode and the gate electrode of the seventh transistor M7 and is turned on or turned off by the second input signal IN2. That is, the fifth transistor M5 is turned on when the second input signal IN2 is low polarity, and is otherwise turned off.
제 6트랜지스터(M6)는 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극과 게이트전극 사이에 접속되며, 제 1입력신호(IN1)에 의하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, 제 6트랜지 스터(M6)는 제 1입력신호(IN1)가 로우극성일 때 턴-온되고, 그 외의 경우에는 턴-오프된다. The sixth transistor M6 is connected between the first electrode and the gate electrode of the seventh transistor M7 and is turned on or turned off by the first input signal IN1. That is, the sixth transistor M6 is turned on when the first input signal IN1 is low polarity, and is otherwise turned off.
제 3구동부(14)는 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극과 제 2전원(VSS) 사이에 직렬로 접속되는 제 8트랜지스터(M8), 제 9트랜지스터(M9) 및 제 10트랜지스터(M10)를 구비한다. 이와 같은 제 3구동부(14)는 제 1입력바신호(/IN1), 제 2입력바신호(/IN2) 및 제 3입력바신호(/IN3)가 로우극성으로 설정될 때 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극과 제 2전원(VSS)을 전기적으로 접속시킨다.The
상세히 설명하면, 제 8트랜지스터(M8), 제 9트랜지스터(M9) 및 제 10트랜지스터(M10)는 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극과 제 2전원(VSS) 사이에 직렬로 설치된다. 여기서, 제 8트랜지스터(M8)는 제 1입력바신호(/IN1)가 로우극성일 때 턴-온되고, 제 9트랜지스터(M9)는 제 2입력바신호(/IN2)가 로우극성일 때 턴-온된다. 그리고, 제 10트랜지스터(M1)는 제 3입력바신호(/IN3)가 로우극성일 때 턴-온된다. In detail, the eighth transistor M8, the ninth transistor M9, and the tenth transistor M10 are installed in series between the gate electrode of the seventh transistor M7 and the second power source VSS. Here, the eighth transistor M8 is turned on when the first input bar signal / IN1 is low polarity, and the ninth transistor M9 is turned on when the second input bar signal / IN2 is low polarity. -On. The tenth transistor M1 is turned on when the third input bar signal / IN3 is low polarity.
표 1은 부정 논리곱 게이트의 진리표를 나타낸다.Table 1 shows the truth table of negative AND gates.
도 1 및 표 1을 참조하여 동작과정을 상세히 설명하기로 한다. 먼저, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 중 어느 하나가 로우극성으로 설정될 때 제 1트랜지스터(M1), 제 2트랜지스터(M2) 및 제 3트랜지스터(M3) 중 어느 하나가 턴-온된다. 그러면, 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극이 전기적으로 접속되어 출력단자(vout)로 제 1전원(VDD)의 전압이 출력된다. 즉, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 중 어느 하나가 로우극성으로 설정될 때 하이극성의 전압이 출력단자(vout)로 공급된다.Referring to Figure 1 and Table 1 will be described in detail the operation process. First, when any one of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 is set to low polarity, the first transistor M1, the second transistor M2, and the first transistor One of the three transistors M3 is turned on. Then, the first power source VDD and the first electrode of the seventh transistor M7 are electrically connected, and the voltage of the first power source VDD is output to the output terminal vout. That is, when any one of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 is set to low polarity, a high polarity voltage is supplied to the output terminal vout.
제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 중 어느 하나가 로우극성으로 설정될 때 제 4트랜지스터(M4), 제 5트랜지스터(M5) 및 제 6트랜지스터(M6) 중 어느 하나가 턴-온된다. 그러면, 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극이 전기적으로 접속된다. 이 경우, 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극과 제 1전극 사이에 위치되는 제 1커패시터(C1)의 양단 전압이 동일(즉, 제 1전원(VDD)) 하게 설정된다. 즉, 제 1커패시터(C1)는 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극과 제 1전극 사이의 전압을 동일하게 유지하여 제 7트랜지스터(M7)로부터 제 2전극(VSS)으로 누설전류가 흐르는 것을 방지한다.The fourth transistor M4, the fifth transistor M5, and the sixth transistor when any one of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 are set to low polarity. Any one of M6 is turned on. Then, the first electrode VDD and the gate electrode of the seventh transistor M7 are electrically connected. In this case, voltages at both ends of the first capacitor C1 positioned between the gate electrode and the first electrode of the seventh transistor M7 are set to be the same (that is, the first power source VDD). That is, the first capacitor C1 maintains the same voltage between the gate electrode and the first electrode of the seventh transistor M7 to prevent the leakage current from flowing from the seventh transistor M7 to the second electrode VSS. do.
그리고, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 중 어느 하나가 로우극성으로 설정되면, 제 1입력바신호(/IN1), 제 2입력바신호(/IN2) 및 제 3입력바신호(/IN3) 중 어느 하나가 하이극성으로 설정된다. 이 경우, 제 8트랜지스터(M8), 제 9트랜지스터(M9) 및 제 10트랜지스터(M10) 중 어느 하나가 턴-오프되어 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극과 제 2전원(VSS)이 전기적으로 차단된다. When any one of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 is set to low polarity, the first input bar signal / IN1 and the second input bar signal Any one of / IN2 and the third input bar signal / IN3 is set to high polarity. In this case, any one of the eighth transistor M8, the ninth transistor M9, and the tenth transistor M10 is turned off so that the gate electrode of the seventh transistor M7 and the second power source VSS are electrically connected to each other. Is blocked.
한편, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 모두가 하이극성으로 설정될 때 제 1트랜지스터(M1), 제 2트랜지스터(M2) 및 제 3트랜지스터(M3)가 턴-오프된다. 그러면, 제 1전원(VDD)과 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극이 전기적으로 차단된다. Meanwhile, when all of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 are set to high polarity, the first transistor M1, the second transistor M2, and the third transistor M3 is turned off. Then, the first electrode VDD and the first electrode of the seventh transistor M7 are electrically cut off.
제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 모두가 하이극성으로 설정될 때 제 4트랜지스터(M4), 제 5트랜지스터(M5) 및 제 6트랜지스터(M6)가 턴-오프된다. 그러면, 제 7트랜지스터(M7)의 제 1전극과 게이트전극이 전기적으로 차단된다.When the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 are all set to high polarity, the fourth transistor M4, the fifth transistor M5, and the sixth transistor M6. ) Is turned off. Then, the first electrode and the gate electrode of the seventh transistor M7 are electrically blocked.
한편, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 모두가 하이극성으로 설정될 때, 제 1입력바신호(/IN1), 제 2입력바신호(/IN2) 및 제 3입력바신호(/IN3)가 로우극성으로 설정된다. 이 경우, 제 8트랜지스터(M8), 제 9트랜지스터(M9) 및 제 10트랜지스터(M10)가 턴-온되어 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극으로 제 2전원(VSS)의 전압이 공급된다. 제 7트랜지스터(M7)의 게이트전극으로 제 2전원(VSS)의 전압이 공급되면 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온되어 출력단자(vout)로 제 2전원(VSS)의 전압이 공급된다. 즉, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 모두가 하이극성으로 설정될 때 출력단자(vout)로는 로우극성에 대응하는 제 2전원(VSS)의 전압이 출력된다. Meanwhile, when all of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 are set to high polarity, the first input bar signal / IN1 and the second input bar signal ( / IN2) and the third input bar signal / IN3 are set to low polarity. In this case, the eighth transistor M8, the ninth transistor M9, and the tenth transistor M10 are turned on to supply the voltage of the second power source VSS to the gate electrode of the seventh transistor M7. When the voltage of the second power supply VSS is supplied to the gate electrode of the seventh transistor M7, the seventh transistor M7 is turned on to supply the voltage of the second power supply VSS to the output terminal vout. That is, when all of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 are set to high polarity, the second terminal VSS corresponding to the low polarity is output to the output terminal vout. The voltage of is output.
상술한 바와 같은 본 발명의 부정 논리곱 게이트는 모두 PMOS 트랜지스터들로 구성된다. 따라서, 유기전계발광 표시장치의 패널에 내장되어 구현될 수 있고, 이에 따라 제조비용을 절감함과 아울러 제조공정을 단축시킬 수 있는 이점이 있다. The negative AND gates of the present invention as described above are all composed of PMOS transistors. Accordingly, the organic light emitting display device may be embedded in a panel, thereby reducing manufacturing costs and shortening the manufacturing process.
한편, 도 1에서는 3개의 입력을 가지는 부정 논리곱 게이트를 도시하였지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다시 말하여, 제 1구동부(10), 제 2구동부(12) 및 제 3구동부(14) 각각에 포함되는 트랜지스터들의 수를 조절하여 입력의 수를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제 1구동부(10), 제 2구동부(12) 및 제 3구동부(14) 각각에 4개의 트랜지스터가 포함되면 4개의 입력을 가지는 부정 논리곱 게이트를 만들 수 있다. Meanwhile, although FIG. 1 illustrates a negative AND gate having three inputs, the present invention is not limited thereto. In other words, the number of inputs may be controlled by adjusting the number of transistors included in each of the
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 논리합(OR) 게이트를 나타내는 도면이다. 여기서, 본 발명의 실시예에 의한 논리합 게이트는 피모스 트랜지스터들로 구현된다.2 illustrates an OR gate according to an exemplary embodiment of the present invention. Here, the OR gate according to the embodiment of the present invention is implemented with PMOS transistors.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 논리합 게이트는 출력단자(vout)로 공급되는 전압을 제어하기 위한 제 18트랜지스터(M18)(제어 트랜지스터)와, 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1) 사이에 위치되며 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3)의 극성(하이 또는 로우)에 대응하여 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1)의 접속 여부를 제어하는 제 4구동부(20)(제 1구동부)와, 제 1노드(N1)와 제 2전원(VSS) 사이에 위치되어 제 1노드(N1)의 전압을 제어하기 위한 제 5구동부(22)(제 2구동부)와, 제 18트랜지스터(M18)의 제 1전극과 제 1전원(VDD) 사이에 접속되며 제 1노드(N1)의 전압에 대응하여 제 18트랜지스터(M18)의 제 1전극과 제 1전원(VDD)의 접속 여부를 제어하는 제 6구동부(24)(제 3구동부)와, 제 18트랜지스터(M18)의 게이트전극과 제 2전원(VSS) 사이에 접속되며 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3)의 극성(하이 또는 로우)에 대응하여 제 18트랜지스터(M18)의 게이트전극과 제 2전원(VSS)의 접속 여부를 제어하는 제 7구동부(26)(제 4구동부)를 구비한다. Referring to FIG. 2, the OR gate according to an exemplary embodiment of the present invention includes an eighteenth transistor M18 (control transistor), a first power source VDD, and a first power source for controlling a voltage supplied to an output terminal vout. Located between the nodes N1, the first power source VDD and the first power source correspond to the polarity (high or low) of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3. The voltage is controlled between the fourth driver 20 (first driver) controlling the connection of the node N1 and between the first node N1 and the second power source VSS to control the voltage of the first node N1. The 18th transistor is connected between the 5th drive part 22 (2nd drive part), the 1st electrode of the 18th transistor M18, and the 1st power supply VDD, and respond | corresponds to the voltage of the 1st node N1. Between the sixth driver 24 (third driver) for controlling whether the first electrode of the M18 and the first power source VDD are connected, and between the gate electrode of the eighteenth transistor M18 and the second power source VSS. Connected to the first input signal Corresponding to the polarity (high or low) of the arc IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3, whether the gate electrode of the eighteenth transistor M18 and the second power supply VSS are connected or not. A seventh drive part 26 (fourth drive part) to control is provided.
제 18트랜지스터(M18)는 자신의 게이트전극에 공급되는 전압에 대응하여 턴-온 또는 턴-오프되면서 출력단자(Vout)로 공급되는 전압을 제어한다. 예를 들어, 제 18트랜지스터(M18)는 자신의 게이트전극으로 제 1전원(VDD)의 전압이 공급될 때 턴-오프되고, 제 2전원(VSS)의 전압이 공급될 때 턴-온된다.The eighteenth transistor M18 controls the voltage supplied to the output terminal Vout while being turned on or off in response to the voltage supplied to its gate electrode. For example, the eighteenth transistor M18 is turned off when the voltage of the first power source VDD is supplied to its gate electrode, and is turned on when the voltage of the second power source VSS is supplied.
제 4구동부(20)는 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1) 사이에 직렬로 접속되는 제 11트랜지스터(M11)(제 1트랜지스터), 제 12트랜지스터(M12)(제 2트랜지스터) 및 제 13트랜지스터(M13)(제 3트랜지스터)를 구비한다. 이와 같은 제 4구동부(20)는 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3)가 로우극성으로 설정될 때 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1)를 전기적으로 접속시킨다. The
상세히 설명하면, 제 11트랜지스터(M11)는 제 1입력신호(IN1)가 로우극성일 때 턴-온되고, 제 12트랜지스터(M12)는 제 2입력신호(IN2)가 로우극성일 때 턴-온된다. 그리고, 제 13트랜지스터(M13)는 제 3입력신호(IN3)가 로우극성일 때 턴-온된다. 여기서, 제 11트랜지스터(M11), 제 12트랜지스터(M12) 및 제 13트랜지스터(M13)가 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1) 사이에 직렬로 접속되기 때문에 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 모두가 로우극성일 때 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1)가 전기적으로 접속된다. In detail, the eleventh transistor M11 is turned on when the first input signal IN1 is low polarity, and the twelfth transistor M12 is turned on when the second input signal IN2 is low polarity. do. The thirteenth transistor M13 is turned on when the third input signal IN3 is low polarity. Here, since the eleventh transistor M11, the twelfth transistor M12, and the thirteenth transistor M13 are connected in series between the first power source VDD and the first node N1, the first input signal IN1 is used. When the second input signal IN2 and the third input signal IN3 are all low polarity, the first power source VDD and the first node N1 are electrically connected to each other.
제 5구동부(22)는 제 1노드(N1)와 제 2전원(VSS) 사이에 접속되는 제 14트랜지스터(M14)(제 4트랜지스터)와, 제 14트랜지스터(M14)의 게이트전극과 제 2전원(VSS) 사이에 접속되는 제 15트랜지스터(M15)(제 5트랜지스터)와, 제 14트랜지스터(M14)의 게이트전극과 제 1전극 사이에 접속되는 제 2커패시터(C2)를 구비한다. 이와 같은 제 5구동부(22)는 제 1노드(N1)로 제 1전원(VDD)의 전압이 공급될 때 제 1전원(VDD)의 전압을 유지하고, 그 외의 경우에는 제 1노드(N1)의 전압을 제 2전원(VSS)의 전압으로 유지한다.The
상세히 설명하면, 제 15트랜지스터(M15)의 제 1전극은 제 14트랜지스터(M14)의 게이트전극에 접속되고, 게이트전극 및 제 2전극은 제 2전원(VSS)에 접속된다. 즉, 제 15트랜지스터(M15)는 다이오드 형태로 접속되어 제 14트랜지스터(M14)의 게이트전극의 전압을 대략 제 2전원(VSS)의 전압으로 유지한다. In detail, the first electrode of the fifteenth transistor M15 is connected to the gate electrode of the fourteenth transistor M14, and the gate electrode and the second electrode are connected to the second power source VSS. That is, the fifteenth transistor M15 is connected in a diode form to maintain the voltage of the gate electrode of the fourteenth transistor M14 at approximately the voltage of the second power source VSS.
제 4구동부(20)에 의하여 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1)가 전기적으로 차단되는 경우 제 14트랜지스터(M14)는 제 1노드(N1)의 전압을 로우극성(즉, 제 2전원(VSS))으로 유지한다. 그리고, 제 4구동부(20)에 의하여 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1)가 전기적으로 접속되는 경우 제 14트랜지스터(M14)는 제 1노드(N1)의 전압을 하이극성(즉, 제 1전원(VDD))으로 유지한다. 이를 위하여, 제 14트랜지스터(M14)의 채널/길이비(W/L)는 제 11트랜지스터(M11), 제 12트랜지스터(M12) 및 제 13트랜지스터(M13) 각각의 채널/길이비(W/L) 보다 좁게 설정된다. When the first power source VDD and the first node N1 are electrically disconnected by the
그러면, 제 1노드(N1)로 제 1전원(VDD)의 전압이 공급될 때 제 1전원(VDD)의 전압을 안정적으로 유지할 수 있다. 한편, 제 1노드(N1)로 제 1전원(VDD)의 전압이 공급될 때 제 14트랜지스터(M14)에 의하여 소정의 누설전류가 발생될 수 있다. 하지만, 제 1노드(N1)로 제 1전원(VDD)이 공급되는 경우는 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 모두가 로우극성을 갖는 경우로 동작과정 중 극히 일부분의 기간이고, 이에 따라 누설전류에 의하여 많은 소비전력이 소모되지 않는다. 한편, 제 2커패시터(C2)는 제 14트랜지스터(M14)의 제 1전극과 게이트전극 사이의 전압을 충전하여 제 14트랜지스터(M14)의 동작을 안정화한다. Then, when the voltage of the first power source VDD is supplied to the first node N1, the voltage of the first power source VDD may be stably maintained. Meanwhile, when the voltage of the first power source VDD is supplied to the first node N1, a predetermined leakage current may be generated by the fourteenth transistor M14. However, when the first power source VDD is supplied to the first node N1, when the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 all have low polarity. This is only a part of the furnace operation process, and therefore, a lot of power consumption is not consumed by the leakage current. Meanwhile, the second capacitor C2 charges a voltage between the first electrode and the gate electrode of the fourteenth transistor M14 to stabilize the operation of the fourteenth transistor M14.
제 6구동부(24)는 제 1전원(VDD)과 제 18트랜지스터(M18)의 제 1전극 사이에 접속되는 제 16트랜지스터(M16)(제 6트랜지스터)와, 제 16트랜지스터(M16)의 게이트전극과 제 2전극 사이에 접속되는 제 17트랜지스터(M17)(제 7트랜지스터)를 구비한다. 이와 같은 제 6구동부(24)는 제 1노드(N1)로 공급되는 전압에 대응하여 제 1전원(VDD)과 제 18트랜지스터(M18)의 제 1전극의 접속 여부를 제어한다.The
상세히 설명하면, 제 16트랜지스터(M16) 및 제 17트랜지스터(M17)는 제 1노드(N1)로 로우극성의 전압이 공급될 때 턴-온되고, 그 외의 경우에 턴-오프된다. 제 16트랜지스터(M16)가 턴-온되면 제 1전원(VDD)의 전압이 출력단자(Vout)로 공급된다. 제 17트랜지스터(M17)가 턴-온되면 제 18트랜지스터(M18)의 제 1전극과 게이트전극이 전기적으로 접속된다. 즉, 제 17트랜지스터(M17)가 턴-온되면 제 1전원(VDD)이 제 18트랜지스터(M18)의 게이트전극으로 공급되어 제 18트랜지스터(M18)를 턴-오프시킨다. 여기서, 제 18트랜지스터(M18)의 제 1전극과 게이트전극 사이에 접속되는 제 3커패시터(C3)는 제 18트랜지스터(M18)의 제 1전극과 게이트전극 사이의 전압을 충전하여 제 18트랜지스터(M18)로부터 누설전류가 발생하는 것을 방지한다. In detail, the sixteenth transistor M16 and the seventeenth transistor M17 are turned on when the low polarity voltage is supplied to the first node N1, and is otherwise turned off. When the sixteenth transistor M16 is turned on, the voltage of the first power source VDD is supplied to the output terminal Vout. When the seventeenth transistor M17 is turned on, the first electrode and the gate electrode of the eighteenth transistor M18 are electrically connected to each other. That is, when the seventeenth transistor M17 is turned on, the first power supply VDD is supplied to the gate electrode of the eighteenth transistor M18 to turn off the eighteenth transistor M18. Herein, the third capacitor C3 connected between the first electrode and the gate electrode of the eighteenth transistor M18 charges a voltage between the first electrode and the gate electrode of the eighteenth transistor M18 and the eighteenth transistor M18. This prevents leakage current from occurring.
제 7구동부(26)는 제 18트랜지스터(M18)의 게이트전극과 제 2전원(VSS) 사이에 직렬로 접속되는 제 19트랜지스터(M19)(제 9트랜지스터), 제 20트랜지스터(M20)(제 10트랜지스터) 및 제 21트랜지스터(M21)(제 11트랜지스터)를 구비한다. 이와 같은 제 7구동부(26)는 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3)가 로우극성으로 설정될 때 제 18트랜지스터(M18)의 게이트전극과 제 2전원(VSS)을 전기적으로 접속시킨다. The
상세히 설명하면, 제 19트랜지스터(M19)는 제 1입력신호(IN1)가 로우극성일 때 턴-온되고, 제 20트랜지스터(M20)는 제 2입력신호(IN2)가 로우극성일 때 턴-온된다. 그리고, 제 21트랜지스터(M21)는 제 3입력신호(IN3)가 로우극성일 때 턴-온된다. 여기서, 제 19트랜지스터(M19), 제 20트랜지스터(M20) 및 제 21트랜지스터(M21)가 제 18트랜지스터(M18)의 게이트전극과 제 2전원(VSS) 사이에 직렬로 접속되기 때문에 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 모두가 로우극성일 때 제 18트랜지스터(M18)의 게이트전극과 제 2전원(VSS)이 전기적으로 접속된다. In detail, the 19th transistor M19 is turned on when the first input signal IN1 is low polarity, and the 20th transistor M20 is turned on when the second input signal IN2 is low polarity. do. The twenty-first transistor M21 is turned on when the third input signal IN3 has a low polarity. Here, the first input signal is because the 19th transistor M19, the 20th transistor M20, and the 21st transistor M21 are connected in series between the gate electrode of the 18th transistor M18 and the second power source VSS. When IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 are all low polarity, the gate electrode of the eighteenth transistor M18 and the second power source VSS are electrically connected.
표 2는 논리합 게이트의 진리표를 나타내다.Table 2 shows the truth table of the OR gate.
도 2 및 표 2를 참조하여 동작과정을 상세히 설명하기로 한다. 먼저, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 중 어느 하나가 하이극성으로 설정될 때 제 11트랜지스터(M11), 제 12트랜지스터(M12) 및 제 13트랜지스터(M13) 중 어느 하나가 턴-오프된다. 그러면, 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1)가 전기적으로 차단되고, 이에 따라 제 1노드(N1)의 전압이 대략 제 2전원(VSS)의 전압으로 설정된다. Referring to Figure 2 and Table 2 will be described in detail the operation process. First, when any one of the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 is set to high polarity, the eleventh transistor M11, the twelfth transistor M12, and the first transistor One of the 13 transistors M13 is turned off. Then, the first power source VDD and the first node N1 are electrically cut off, and thus the voltage of the first node N1 is set to approximately the voltage of the second power source VSS.
제 1노드(N1)의 전압이 로우극성으로 설정되면 제 16트랜지스터(M16) 및 제 17트랜지스터(M17)가 턴-온된다. 제 16트랜지스터(M16) 및 제 17트랜지스터(M17)가 턴-온되면 출력단자(Vout)로 제 1전원(VDD)의 전압이 출력된다.(즉, 하이극성의 전압 출력) 그리고, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3) 중 어느 하나가 하이극성으로 설정될 때 제 19트랜지스터(M19), 제 20트랜지스터(M20) 및 제 21트랜지스터(M21) 중 어느 하나가 턴-오프된다. 그러면, 제 18트랜지스터(M18)의 게이트전극과 제 2전원(VSS)이 전기적으로 차단되어 하이극성의 출력전압이 안정적으로 유지된다. When the voltage of the first node N1 is set to low polarity, the sixteenth transistor M16 and the seventeenth transistor M17 are turned on. When the sixteenth transistor M16 and the seventeenth transistor M17 are turned on, the voltage of the first power source VDD is output to the output terminal Vout (that is, a high polarity voltage output) and a first input. When any one of the signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 is set to high polarity, the 19th transistor M19, the 20th transistor M20, and the 21st transistor M21 are selected. Either of them is turned off. As a result, the gate electrode of the eighteenth transistor M18 and the second power supply VSS are electrically blocked to maintain the high polarity output voltage.
한편, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3)가 로우극성으로 설정될 때 제 11트랜지스터(M11), 제 12트랜지스터(M12) 및 제 13트랜지스터(M13)가 턴-온된다. 그러면, 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1)가 전기적으로 접속되고, 이에 따라 제 1노드(N1)의 전압이 대략 제 1전원(VDD)의 전압으로 설정된다.Meanwhile, when the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 are set to low polarity, the eleventh transistor M11, the twelfth transistor M12, and the thirteenth transistor ( M13) is turned on. As a result, the first power source VDD and the first node N1 are electrically connected to each other, so that the voltage of the first node N1 is set to approximately the voltage of the first power source VDD.
제 1노드(N1)의 전압이 하이극성으로 설정되면 제 16트랜지스터(M16) 및 제 17트랜지스터(M17)가 턴-오프된다. 그리고, 제 1입력신호(IN1), 제 2입력신호(IN2) 및 제 3입력신호(IN3)가 로우극성으로 설정될 때 제 19트랜지스터(M19), 제 20트랜지스터(M20) 및 제 21트랜지스터(M21)가 턴-온된다. 그러면, 제 18트랜지스터(M18)의 게이트전극으로 제 2전원(VSS)의 전압이 공급되어 제 18트랜지스터(M18)가 턴-온되고, 이에 따라 출력단자(Vout)로 로우극성의 전압이 출력된다.When the voltage of the first node N1 is set to high polarity, the sixteenth transistor M16 and the seventeenth transistor M17 are turned off. In addition, when the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 are set to low polarity, the 19th transistor M19, the 20th transistor M20, and the 21st transistor ( M21) is turned on. Then, the voltage of the second power supply VSS is supplied to the gate electrode of the eighteenth transistor M18, and the eighteenth transistor M18 is turned on, thereby outputting a low polarity voltage to the output terminal Vout. .
상술한 바와 같이 본 발명의 논리합 게이트는 모두 PMOS 트랜지스터들로 구성된다. 따라서, 유기전계발광 표시장치의 패널에 내장되어 구현될 수 있고, 이에 따라 제조비용을 절감함과 아울러 제조공정을 단축시킬 수 있는 이점이 있다. As described above, the logic sum gates of the present invention are all composed of PMOS transistors. Accordingly, the organic light emitting display device may be embedded in a panel, thereby reducing manufacturing costs and shortening the manufacturing process.
한편, 도 2에서는 3개의 입력을 가지는 논리합 게이트를 도시하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다시 말하여, 제 4구동부(20) 및 제 7구동부(26) 각각에 포함되는 트랜지스터들의 수를 조절하여 입력의 수를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제 4구동부(20) 및 제 7구동부(26) 각각에 4개의 트랜지스터가 포함되면 4개의 입력을 가지는 논리합 게이트를 만들 수 있다. On the other hand, in Fig. 2 is shown an OR gate having three inputs, the present invention is not limited thereto. In other words, the number of inputs may be controlled by adjusting the number of transistors included in each of the
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 부정 논리곱 게이트 및 논리합 게이트를 이용하여 구현되는 주사 구동부를 나타내는 도면이다. 도 3에서는 설명의 편의성을 위하여 주사 구동부가 320개의 주사선(S1 내지 S320)들과 접속됨과 아울러 주사선들(S1 내지 S320)로 주사신호가 순차적으로 공급된다고 가정하기로 한다.FIG. 3 is a diagram illustrating a scan driver implemented using an AND gate and an OR gate illustrated in FIGS. 1 and 2. In FIG. 3, it is assumed that the scan driver is connected to 320 scan lines S1 to S320 and the scan signals are sequentially supplied to the scan lines S1 to S320 for convenience of description.
도 3을 참조하면, 본 발명의 주사 구동부는 복수개의 디코더(30, 32, 34)와, 디코더들(30, 32, 34)의 출력을 논리합 연산하여 주사신호를 생성하기 위한 논리합 게이트들(OR1 내지 OR320)을 구비한다. Referring to FIG. 3, the scan driver of the present invention performs a logical OR operation on the plurality of
제 1디코더(30) 및 제 2디코더(32)는 3개의 입력단자와 8개의 출력단자를 구비하며, 제 3디코더(34)는 3개의 입력단자와 5개의 출력단자를 구비한다. 즉, 제 1디코더(30) 및 제 2디코더(32) 각각에는 8개의 부정 논리곱 게이트들이 포함되고, 제 3디코더(34)에는 5개의 부정 논리곱 게이트가 포함된다. 여기서, 각각의 디코더들(30, 32, 34)에 포함되는 부정 논리곱 게이트들의 수는 주사 구동부에 접속되는 주사선들(S1 내지 S320)의 수에 의하여 결정된다. 예를 들어, 도 3에서는 320개의 주사선들(S1 내지 S320)로 주사신호를 공급하기 위해서는 21개의 부정 논리곱 게이트가 형성된다.The
제 1디코더(30)는 8개의 부정 논리곱 게이트들(NAND1 내지 NAND8)을 구비한다. 이와 같은 제 1디코더(30)는 제 1입력단자(a1), 제 2입력단자(a2) 및 제 3입력단자(a3)로부터 공급되는 입력신호들과, 제 1입력단자(a1)와 접속되는 제 1인버터(INV1), 제 2입력단자(a2)와 접속되는 제 2인버터(INV2) 및 제 3입력단자(a3)와 접속되는 제 3인버터(INV3)로부터 공급되는 입력바신호들을 부정 논리곱 게이트들(NAND1 및 NAND8)로 적절히 공급한다. 부정 논리곱 게이트들(NAND1 내지 NAND8)로 공급되는 입력신호들 및 입력바신호들은 추후에 설명하기로 한다. The
제 2디코더(32)는 8개의 부정 논리곱 게이트들(NAND9 내지 NAND16)을 구비한다. 이와 같은 제 2디코더(32)는 제 4입력단자(a4), 제 5입력단자(a5) 및 제 6입력단자(a6)로부터 공급되는 입력신호들과, 제 4입력단자(a4)와 접속되는 제 4인버터(INV4), 제 5입력단자(a5)와 접속되는 제 5인버터(INV5) 및 제 6입력단자(a6)와 접속되는 제 6인버터(INV6)로부터 공급되는 입력바신호들을 부정 논리곱 게이트들(NAND9 내지 NAND16)로 적절히 공급한다. 부정 논리곱 게이트들(NAND9 내지 NAND16)로 공급되는 입력신호들 및 입력바신호들은 추후에 설명하기로 한다.The
제 3디코더(34)는 5개의 부정 논리곱 게이트들(NAND17 내지 NAND21)을 구비한다. 이와 같은 제 3디코더(34)는 제 7입력단자(a7), 제 8입력단자(a8) 및 제 9입력단자(a9)로 공급되는 입력신호들과, 제 7입력단자(a7)와 접속되는 제 7인버터(INV7), 제 8입력단자(a8)와 접속되는 제 8인버터(INV8) 및 제 9입력단자(a9)와 접속도는 제 9인버터(INV9)로부터 공급되는 입력바신호들을 부정 논리곱 게이트들(NAND17 내지 NAND21)로 적절히 공급한다. 부정 논리곱 게이트들(NAND17 내지 NAND21)로 공급되는 입력신호들 및 입력바신호들은 추후에 설명하기로 한다. The
논리합 게이트들(OR1 내지 OR320) 각각은 제 1디코더(30), 제 2디코더(32) 및 제 3디코더(34)로부터의 출력신호를 공급받고, 공급받은 출력신호를 논리합 연산하여 주사선들(S1 내지 S320)로 공급한다. Each of the OR gates OR1 to OR320 receives an output signal from the
여기서, 제 1논리합 게이트(OR1)는 제 1부정 논리곱 게이트(NAND1), 제 9부정 논리곱 게이트(NAND9) 및 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)의 출력을 논리합 연산하여 제 1주사선(S1)으로 주사신호를 공급한다. 제 2논리합 게이트(OR1)는 제 2부정 논리곱 게이트(NAND2), 제 9부정 논리곱 게이트(NAND9) 및 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)의 출력을 논리합 연산하여 제 2주사선(S2)으로 주사신호를 공급한다. Here, the first logical sum gate OR1 performs an OR operation on the outputs of the first negative AND gate, NAND1, the ninth AND logic gate, NAND9, and the seventeenth AND logic gate NAND17, and generates a first scan line S1. The scan signal is supplied to The second logical sum gate OR1 performs an OR operation on the outputs of the second negative AND gate NAND2, the ninth negative AND gate NAND9, and the seventeenth negative AND gate NAND17, and passes the result to the second scan line S2. Supply the scan signal.
그리고, 제 64논리합 게이트(OR64)는 제 8부정 논리곱 게이트(NAND8), 제 16부정 논리곱 게이트(NAND16) 및 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)의 출력을 논리합 연산하여 제 64주사선(S64)으로 공급한다. 제 320논리곱 게이트(OR320)는 제 8부정 논리곱 게이트(NAND8), 제 16부정 논리합 게이트(NAND16) 및 제 21부정 논리합 게이트(NAND21)의 출력을 논리합 연산하여 제 320주사선(S320)으로 공급한다. 즉, 본 발명에서 논리합 게이트들(OR1 내지 OR320) 각각은 디코더들(30, 32, 34)의 출력을 논리합 연산하여 어느 하나의 주사선(S1 내지 S320 중 어느 하나)으로 주사신호를 공급하게 된다. The 64th logical sum gate OR64 performs an OR operation on the outputs of the eighth negative AND gate NAND8, the sixteenth AND logic gate NAND16, and the seventeenth AND logic gate NAND17. ). The 320th logical gate OR320 performs an OR operation on the outputs of the eighth negative AND gate NAND8, the sixteenth AND logic gate NAND16, and the 21st negative OR gate NAND21, and supplies the same to the 320th scan line S320. do. That is, in the present invention, each of the OR gates OR1 to OR320 may OR the outputs of the
도 4는 도 3에 도시된 입력단자들로 공급되는 구동파형을 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating a driving waveform supplied to the input terminals illustrated in FIG. 3.
도 4를 참조하면, 입력단자들(a1 내지 a9)로는 서로 다른 주파수를 가지는 구동파형들이 공급된다. 실제로, 구동파형의 주파수들은 제 9입력단자(a9)로부터 제 1입력단자(a1)로 갈수록 2배씩 증가하도록 설정된다. 다시 말하여, 제 8입력단자(a8)로 공급되는 구동파형의 주파수는 제 9입력단자(a9)로 공급되는 구동파형의 주파수보다 2배 높은 주파수로 설정되고, 제 7입력단자(a7)로 공급되는 구동파형의 주파수는 제 8입력단자(a8)로 공급되는 구동파형의 주파수보다 2배 높은 주파수로 설정된다. 또한, 제 6입력단자(a6)로 공급되는 구동파형의 주파수는 제 7입력단자(a7)로 공급되는 구동파형의 주파수보다 2배 높은 주파수로 설정되고, 제 5입력단자(a5)로 공급되는 구동파형의 주파수는 제 6입력단자(a6)로 공급되는 구동파형의 주파수보다 2배 높은 주파수로 설정된다.Referring to FIG. 4, driving waveforms having different frequencies are supplied to the input terminals a1 to a9. In practice, the frequencies of the driving waveform are set to increase by two times from the ninth input terminal a9 to the first input terminal a1. In other words, the frequency of the driving waveform supplied to the eighth input terminal a8 is set to a frequency two times higher than the frequency of the driving waveform supplied to the ninth input terminal a9, and the seventh input terminal a7. The frequency of the driving waveform supplied is set to a frequency two times higher than the frequency of the driving waveform supplied to the eighth input terminal a8. In addition, the frequency of the driving waveform supplied to the sixth input terminal a6 is set to a frequency two times higher than the frequency of the driving waveform supplied to the seventh input terminal a7 and is supplied to the fifth input terminal a5. The frequency of the driving waveform is set to a frequency two times higher than the frequency of the driving waveform supplied to the sixth input terminal a6.
한편, 본 발명에서는 입력받는 주파수에 대응하여 디코더들(30, 32, 34)의 배치함으로써 라인배선의 기생캡을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 빠른 주파수를 입력받는 디코더를 논리합 게이트들(OR1 내지 OR320)과 가깝게 배치함으로써 기생캡 및 저항을 낮출 수 있고, 이에 따라 동작속도가 개선될 수 있다. Meanwhile, in the present invention, the parasitic cap of the line wiring can be minimized by disposing the
도 5는 도 3에 도시된 부정 논리곱 게이트들의 연결을 나타내는 도면이다. 도 6a는 도 4에 도시된 제 1입력단자(a1), 제 2입력단자(a2) 및 제 3입력단자(a3)로 공급되는 구동파형을 상세히 나타내는 도면이다. 도 5에서는 설명의 편위성을 위하여 제 1디코더(30)에 포함되는 부정 논리곱 게이트들(NAND1, NAND2, NAND3,.., NAND8)의 연결을 나타내기로 한다. 여기서, 제 2디코더(32) 및 제 3디코더(34)에 포함된 부정 논리곱 게이트들(NAND9 내지 NAND21)의 연결구성도 연결되는 입력단자만 상이할 뿐 동일하게 설정된다.FIG. 5 is a diagram illustrating a connection of negative AND gates illustrated in FIG. 3. FIG. 6A is a diagram illustrating in detail a driving waveform supplied to the first input terminal a1, the second input terminal a2, and the third input terminal a3 shown in FIG. 4. In FIG. 5, for the convenience of description, connection of negative AND gates NAND1, NAND2, NAND3,... And NAND8 included in the
다시 말하여, 도 5와 같이 제 1부정 논리곱 게이트(NAND1)가 제 1입력바단자(/a1) 내지 제 3입력바단자(/a2)로 접속되면, 제 9부정 논리곱 게이트(NAND9)는 제 4입력바단자(/a4) 내지 제 6입력바단자(/a6)와 접속된다. 마찬가지로, 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)도 제 7입력바단자(/a7) 내지 제 9입력바단자(/a9)와 접속된다. In other words, when the first negative AND gate NAND1 is connected to the first input bar terminal / a1 to the third input bar terminal / a2 as shown in FIG. 5, the ninth negative AND gate NAND9 is connected. Is connected to the fourth input bar terminal / a4 to the sixth input bar terminal / a6. Similarly, the seventeenth negative AND gate NAND17 is also connected to the seventh input bar terminal / a7 to the ninth input bar terminal / a9.
도 5를 참조하면, 주사신호를 순차적으로 출력하기 위해서 제 1부정 논리곱 게이트(NAND1) 내지 제 8부정 논리곱 게이트(NAND8)는 로우극성의 신호를 순차적으로 출력해야 한다. 이를 위해서, 제 1부정 논리곱 게이트(NAND1)는 제 1입력바단자(/a1)로부터의 구동신호를 제 1입력신호(IN1)로 공급받고, 제 2입력바단자(/a2)로부터의 구동신호를 제 2입력신호(IN2)로 공급받는다. 그리고, 제 1부정 논리곱 게이트(NAND1)는 제 3입력바단자(/a3)로부터의 구동신호를 제 3입력신호(IN3)로 공급받는다.(여기서, 제 1입력단자(a1)의 구동신호는 제 1입력바신호(/IN1), 제 2입력단자(a2)의 구동신호는 제 2입력바신호(/IN2), 제 3입력단자(a3)의 구동신호는 제 3입력바신호(/IN3)로 사용된다.)Referring to FIG. 5, in order to sequentially output scan signals, the first negative AND gates NAND1 to the eighth negative AND gate NAND8 should sequentially output low polarity signals. To this end, the first negative AND gate NAND1 receives the driving signal from the first input bar terminal / a1 as the first input signal IN1 and the driving from the second input bar terminal / a2. The signal is supplied to the second input signal IN2. The first negative AND gate NAND1 receives the driving signal from the third input bar terminal / a3 as the third input signal IN3 (wherein, the driving signal of the first input terminal a1). Is the first input bar signal / IN1, the drive signal of the second input terminal a2 is the second input bar signal / IN2, and the drive signal of the third input terminal a3 is the third input bar signal (/ IN3).)
그러면, 도 6a에 도시된 제 1기간(T1) 동안 제 1부정 논리곱 게이트(NAND1)로부터 로우극성의 전압이 출력된다. 한편, 제 1기간(T1) 동안에는 제 4입력바신호(/a4), 제 5입력바신호(/a5) 및 제 6입력바신호(/a6)가 하이극성으로 설정되기 때문에 제 9부정 논리곱 게이트(NAND9)에서 로우극성의 전압이 출력된다. 그리고, 제 1기간(T1) 동안 제 7입력바신호(/a7), 제 8입력바신호(/a8) 및 제 9입력바신호(/a9)가 하이극성으로 설정되기 때문에 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)에서 로우극성의 전압이 출력된다. Then, a low polarity voltage is output from the first negative AND gate NAND1 during the first period T1 shown in FIG. 6A. On the other hand, since the fourth input bar signal / a4, the fifth input bar signal / a5 and the sixth input bar signal / a6 are set to high polarity during the first period T1, the ninth negative logical product. A low polarity voltage is output from the gate NAND9. In addition, since the seventh input bar signal / a7, the eighth input bar signal / a8, and the ninth input bar signal / a9 are set to high polarity during the first period T1, the seventeenth negative logical product The low polarity voltage is output from the gate NAND17.
이 경우, 제 1부정 논리곱 게이트(NAND1), 제 9부정 논리곱 게이트(NAND9) 및 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)와 접속된 제 1논리합 게이트(OR1)에서 로우극성의 신호, 즉 주사신호가 출력된다. 즉, 제 1기간(T1) 동안에는 제 1주사선(S1)으로 주사신호가 출력된다.In this case, a low polarity signal, that is, a scan, is performed at the first logic gate OR1 connected to the first negative AND gate NAND1, the ninth negative AND gate NAND9, and the seventeenth negative AND gate NAND17. The signal is output. That is, the scan signal is output to the first scan line S1 during the first period T1.
제 2부정 논리곱 게이트(NAND2)는 제 1입력단자(a1)로부터의 구동신호를 제 1입력신호(IN1)로 공급받고, 제 2입력바단자(/a2)로부터의 구동신호를 제 2입력신호(IN2)로 공급받는다. 그리고, 제 2부정 논리곱 게이트(NAND2)는 제 3입력바단자(/a3)로부터의 구동신호를 제 3입력신호(IN3)로 공급받는다.(여기서, 제 1입력바단자(/a1)의 구동신호는 제 1입력바신호(/IN1), 제 2입력단자(a2)의 구동신호는 제 2입력바신호(/IN2), 제 3입력단자(a3)의 구동신호는 제 3입력바신호(/IN3)로 사용된다.)The second negative AND gate NAND2 receives the driving signal from the first input terminal a1 as the first input signal IN1, and the driving signal from the second input bar terminal / a2 to the second input. It is supplied by the signal IN2. The second negative AND gate NAND2 receives the driving signal from the third input bar terminal / a3 as the third input signal IN3 (wherein the first input bar terminal / a1). The driving signal is the first input bar signal / IN1, the driving signal of the second input terminal a2 is the second input bar signal / IN2, and the driving signal of the third input terminal a3 is the third input bar signal. (/ IN3).)
그러면, 제 2기간(T2) 동안 제 2부정 논리곱 게이트(NAND2)로부터 로우극성의 전압이 출력된다. 한편, 제 2기간(T2) 동안에는 제 4입력바신호(/a4), 제 5입력바신호(/a5) 및 제 6입력바신호(/a6)가 하이극성으로 설정되기 때문에 제 9부정 논리곱 게이트(NAND9)에서 로우극성의 전압이 출력된다. 그리고, 제 2기간(T2) 동안 제 7입력바신호(/a7), 제 8입력바신호(/a8) 및 제 9입력바신호(/a9)가 하이극성으로 설정되기 때문에 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)에서 로우극성의 전압이 출력된다. Then, a low polarity voltage is output from the second negative AND gate NAND2 during the second period T2. On the other hand, since the fourth input bar signal / a4, the fifth input bar signal / a5, and the sixth input bar signal / a6 are set to high polarity during the second period T2, the ninth negative logical product. A low polarity voltage is output from the gate NAND9. In addition, since the seventh input bar signal / a7, the eighth input bar signal / a8, and the ninth input bar signal / a9 are set to high polarity during the second period T2, the seventeenth negative AND The low polarity voltage is output from the gate NAND17.
이 경우, 제 2부정 논리곱 게이트(NAND2), 제 9부정 논리곱 게이트(NAND9) 및 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)와 접속된 제 2논리합 게이트(OR2)에서 로우극성의 신호, 즉 주사신호가 출력된다. 즉, 제 2기간(T2) 동안에는 제 2주사선(S2)으로 주사신호가 출력된다.In this case, a low polarity signal, that is, a scan, is performed at the second logic gate OR2 connected to the second negative AND gate NAND2, the ninth negative AND gate NAND9, and the seventeenth negative AND gate NAND17. The signal is output. That is, the scan signal is output to the second scan line S2 during the second period T2.
제 8부정 논리곱 게이트(NAND8)는 제 1입력단자(a1)로부터의 구동신호를 제 1입력신호(IN1)로 공급받고, 제 2입력단자(a2)로부터의 구동신호를 제 2입력신호(IN2)로 공급받는다. 그리고, 제 8부정 논리곱 게이트(NAND8)는 제 3입력단자(a3)로부터의 구동신호를 제 3입력신호(IN3)로 공급받는다.(여기서, 제 1입력바단자(/a1)의 구동신호는 제 1입력바신호(/IN1), 제 2입력바단자(/a2)의 구동신호는 제 2입력바신호(/IN2), 제 3입력바단자(/a3)의 구동신호는 제 3입력바신호(/IN3)로 사용된다.)The eighth negative AND gate NAND8 receives the driving signal from the first input terminal a1 as the first input signal IN1, and receives the driving signal from the second input terminal a2. IN2). The eighth negative AND gate NAND8 receives the driving signal from the third input terminal a3 as the third input signal IN3. Here, the driving signal of the first input bar terminal / a1. Is the first input bar signal / IN1, the second input bar terminal / a2 drive signal is the second input bar signal / IN2, the third input bar terminal / a3 drive signal is the third input Used as a bar signal (/ IN3).)
그러면, 제 8기간(T2) 동안 제 8부정 논리곱 게이트(NAND8)로부터 로우극성의 전압이 출력된다. 한편, 제 8기간(T8) 동안에는 제 4입력바신호(/a4), 제 5입력바신호(/a5) 및 제 6입력바신호(/a6)가 하이극성으로 설정되기 때문에 제 9부정 논리곱 게이트(NAND9)에서 로우극성의 전압이 출력된다. 그리고, 제 8기간(T8) 동안 제 7입력바신호(/a7), 제 8입력바신호(/a8) 및 제 9입력바신호(/a9)가 하이극성으로 설정되기 때문에 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)에서 로우극성의 전압이 출력된다. Then, a low polarity voltage is output from the eighth negative AND gate NAND8 during the eighth period T2. On the other hand, since the fourth input bar signal / a4, the fifth input bar signal / a5, and the sixth input bar signal / a6 are set to high polarity during the eighth period T8, the ninth negative logical product. A low polarity voltage is output from the gate NAND9. In addition, since the seventh input bar signal / a7, the eighth input bar signal / a8, and the ninth input bar signal / a9 are set to high polarity during the eighth period T8, the seventeenth negative logical product The low polarity voltage is output from the gate NAND17.
이 경우, 제 8부정 논리곱 게이트(NAND8), 제 9부정 논리곱 게이트(NAND9) 및 제 17부정 논리곱 게이트(NAND17)와 접속된 제 8논리합 게이트(OR8)에서 로우극성의 신호, 즉 주사신호가 출력된다. 즉, 제 8기간(T2) 동안에는 제 8주사선(S8)으로 주사신호가 출력된다.In this case, a low polarity signal, that is, a scan, is performed at the eighth logic gate OR8 connected to the eighth negative AND gate NAND8, the ninth negative AND gate NAND9, and the seventeenth negative AND gate NAND17. The signal is output. That is, the scan signal is output to the eighth scan line S8 during the eighth period T2.
이와 같은 방식으로 본 발명의 주사 구동부는 주사선들(S1 내지 S320)로 주사신호를 순차적으로 공급한다. 여기서, 본 발명의 주사 구동부는 PMOS로 이루어진 부정 논리곱 게이트들(NAND1 내지 NAND21) 및 PMOS로 이루어진 논리합 게이트들(OR1 내지 OR320)로 구성된다. 즉, 본 발명의 주사 구동부는 유기전계발광 표시장치의 패널에 실장 가능하다는 장점이 있다.In this manner, the scan driver of the present invention sequentially supplies the scan signal to the scan lines S1 to S320. Here, the scan driver of the present invention is composed of negative AND gates NAND1 to NAND21 made of PMOS and OR gates OR1 to OR320 made of PMOS. That is, the scan driver of the present invention can be mounted on a panel of an organic light emitting display device.
한편, 도 3에서는 주사선들(S1 내지 S320)으로 주사신호를 순차적으로 공급되는 연결구성을 도시하였으나, 본 발명에 이에 한정되는 것은 아니다. 현재, 유기전계발광 표시장치의 화소들의 전압편차 등을 보완하기 위하여 유기전계발광 표시장치를 디지털방식으로 구동하는 방법이 제안되었다. 디지털 방식은 "1" 또는 "0"의 데이터신호를 공급하고, 화소들 각각의 발광시간을 제어함으로써 소정의 화상을 표시하는 방식이다.Meanwhile, although FIG. 3 illustrates a connection configuration in which scan signals are sequentially supplied to the scan lines S1 to S320, the present invention is not limited thereto. Currently, a method of digitally driving an organic light emitting display device has been proposed to compensate for voltage deviations of pixels of the organic light emitting display device. The digital method is a method of displaying a predetermined image by supplying a data signal of "1" or "0" and controlling the emission time of each pixel.
이와 같은 디지털 방식을 서브 프레임 단위로 나누어 구동하는 경우 의사윤곽 노이드(Contour noise) 등이 발생하는 문제점이 있다. 따라서, 주사신호를 순차적으로 공급하지 않고 임의의 선으로 공급하는 방식이 제안되었다. 예를 들어, 제 10주사선(S10)으로 주사신호를 공급한 후 제 60주사선(S60)으로 주사신호를 공급하는 방식으로 비발광 시간을 줄여 의사윤곽 노이즈 등을 제거하게 된다. 여기서, 본 발명의 주사 구동부는 도 4에 도시된 구동파형 및/또는 도 3에 도시된 연결 구성을 변경함으로서 간단히 임의의 선으로 주사신호를 공급할 수 있다.When driving the digital system by dividing it into sub-frame units, there is a problem in that a contour noise is generated. Therefore, a method of supplying an arbitrary line without supplying scan signals sequentially has been proposed. For example, after the scan signal is supplied to the tenth scan line S10 and the scan signal is supplied to the 60th scan line S60, the non-emission time is reduced to remove pseudo contour noise. Here, the scan driver of the present invention can simply supply the scan signal by an arbitrary line by changing the drive waveform shown in FIG. 4 and / or the connection configuration shown in FIG.
예를 들어, 제 1논리합 게이트(OR1)를 제 10주사선(S10)에 접속시키고, 제 2논리합 게이트(OR2)를 제 60주사선(S60)에 접속시킬 수 있다. 다시 말하여, 본 발명에서는 제 1논리합 게이트들(OR1 내지 OR320)의 연결위치를 변경함으로써 주사신호를 공급하고자 하는 곳으로 공급할 수 있는 장점이 있고, 이에 따라 디지털 구동에 쉽게 적용 가능하다.For example, the first logic gate OR1 may be connected to the tenth scan line S10, and the second logic gate OR2 may be connected to the 60th scan line S60. In other words, the present invention has an advantage in that it is possible to supply the scan signal to a place to be supplied by changing the connection positions of the first logical gates OR1 to OR320, and thus it is easily applicable to digital driving.
한편, 본 발명에서는 도 6b와 같이 출력단자들(a1 내지 a9, /a1 내지 /a9)로 공급되는 구동파형에서 로우극성의 기간보다 하이극성의 기간을 길게 설정할 수 있다. Meanwhile, in the present invention, as shown in FIG. 6B, the high polarity period may be set longer than the low polarity period in the driving waveforms supplied to the output terminals a1 to a9 and / a1 to / a9.
상세히 설명하면, 제 1입력단자(a1)로 공급되는 구동파형에서 하이극성의 기간은 로우극성의 기간보다 길게 설정된다. 그리고, 제 1입력바단자(/a1)로 공급되는 구동파형에서 하이극성의 기간을 로우극성의 기간보다 길게 설정한다. 이 경우, 제 1입력바단자(/a1)로 공급되는 구동파형은 인버터(INV1)에 의하여 생성되지 않고, 외부로부터 공급된다. 이와 같이, 구동파형에서 하이극성의 기간이 로우극성의 기간보다 길게 설정되면 딜레이 등에 의하여 로우기간이 중첩되는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 안정된 구동을 확보할 수 있다. In detail, the period of the high polarity in the driving waveform supplied to the first input terminal a1 is set longer than the period of the low polarity. The period of high polarity is set longer than the period of low polarity in the driving waveform supplied to the first input bar terminal / a1. In this case, the driving waveform supplied to the first input bar terminal / a1 is not generated by the inverter INV1 but is supplied from the outside. As described above, when the period of the high polarity is set longer than the period of the low polarity in the driving waveform, the row periods can be prevented from overlapping by a delay or the like, thereby ensuring stable driving.
도 7은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차영역에 형성된 화소들(140)을 포함하는 화소부(130)와, 주사선들(S1 내지 Sn)을 구동하기 위한 주사 구동부(110)와, 데이터선들(D1 내지 Dm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(120)와, 주사 구동부(110) 및 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 타이밍 제어부(150)를 구비한다. Referring to FIG. 7, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a pixel
데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(150)로부터 공급되는 데이터 구동제어신호(DCS)에 응답하여 데이터신호들을 생성하고, 생성된 데이터신호들을 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급한다. 이때, 데이터 구동부(120)는 각각의 수평기간(1H) 마다 한 라인분의 데이터신호를 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급한다. The
주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)로부터 공급되는 주사 구동제어신호(SCS)(예를 들면, 도 4와 같은 구동파형)에 응답하여 주사신호를 생성하고, 생성된 주사신호를 주사선들(S1 내지 Sn)로 공급한다. 여기서, 주사 구동부(110)에서 생성된 주사신호는 임의의 순서로 주사선들(S1 내지 Sn)로 공급되거나 순차적으로 공급된다. 그리고, 주사 구동부(110)는 도 3에 도시된 바와 같이 PMOS 트랜지스터들로 이루어진 다수의 부정 논리곱 게이트 및 다수의 논리합 게이트들로 구성되어 패널에 형성된다. The
한편, 주사 구동부(110)에 포함되는 디코더들(30, 32, 34)은 패널의 실장 면적을 줄이기 위하여 데이터 구동부(120)에 집적회로 형태로 형성될 수 있다. 다시 말하여, 데이터 구동부(120)의 칩을 형성할 때 디코더들(30, 32, 34)이 포함되도록 데이터 구동부(120)를 형성한다. 그리고, 패널에 형성되는 논리합 게이트들과 디코더들(30, 32, 34)을 전기적으로 접속시킴으로써 패널의 실장 면적을 줄이면서 주사 구동부(110)를 안정적으로 구동시킬 수 있다. Meanwhile, the
타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 동기신호들에 대응하여 데이터 구동제어신호(DCS) 및 주사 구동제어신호(SCS)를 생성한다. 타이밍 제어부(150)에서 생성된 데이터 구동제어신호들(DCS)은 데이터 구동부(120)로 공급되고, 주사 구동제어신호들(SCS)은 주사 구동부(110)로 공급된다. 그리고, 타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 데이터(Data)를 재정렬하여 데이터 구동부(120)로 공급한다. The
화소부(130)는 외부로부터 제 1구동전원(ELVDD) 및 제 2구동전원(ELVSS)을 공급받아 화소들(140) 각각으로 공급한다. 제 1구동전원(ELVDD) 및 제 2구동전원(ELVSS)을 공급받은 화소들(140)은 데이터신호에 대응하여 제 1구동전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제 2구동전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. The
상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.The above detailed description and drawings are merely exemplary of the present invention, but are used only for the purpose of illustrating the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical protection scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 논리 게이트 및 이를 이용한 주사 구동부와 유기전계발광 표시장치에 의하면 PMOS로 이루어진 부정 논리곱 게이트들 및 PMOS로 이루어진 논리합 게이트들을 이용하여 주사 구동부를 구성할 수 있다. 이 경우, 주사 구동부에 포함되는 트랜지스터들이 모두 PMOS로 설정되기 때문에 마스크 수 증가 없이 패널에 실장 가능하고, 이에 따라 제조비용 등을 절감할 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명의 주사 구동부는 구동파형 또는 논리 게이트들간의 연결을 변경함으로써 주사선들로 공급되는 주사신호의 순서를 다양하게 설정할 수 있고, 이에 따라 다양한 구동방식에 쉽게 적용 가능하다. As described above, according to the logic gate, the scan driver using the same, and the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention, the scan driver may be configured by using negative AND gates made of PMOS and logical sum gates made of PMOS. have. In this case, since the transistors included in the scan driver are all set to PMOS, the transistors can be mounted on the panel without increasing the number of masks, thereby reducing manufacturing costs. In addition, the scan driver of the present invention can variously set the order of the scan signals supplied to the scan lines by changing the connection between the driving waveforms or the logic gates, and thus can be easily applied to various driving methods.
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