KR100746231B1 - 보조 칠러를 갖는 냉각장치 및 이를 이용하는 반도체 소자제조방법 - Google Patents

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Abstract

보조 칠러를 갖는 냉각장치를 제공한다. 상기 장치는 웨이퍼가 안착되고 그 내부에 냉각실(cooling room)이 형성되는 지지대를 구비한다. 주 냉매실(main coolant)을 갖는 주 칠러(main chiller)가 상기 지지대로부터 이격되게 배치된다. 냉매 유로들(coolant passages)에 의해 상기 냉각실과 상기 주 냉매실이 서로 연통된다. 상기 냉매 유로들에 착탈 가능하게(attachable) 설치되는 보조 칠러(auxiliary chiller)를 구비한다. 상기 장치를 이용한 반도체 소자의 제조방법 또한 제공한다.
웨이퍼 척, 주 칠러, 보조 칠러, 열전식 냉각 소자, 냉매

Description

보조 칠러를 갖는 냉각장치 및 이를 이용하는 반도체 소자 제조방법{Cooling apparatus having auxiliary chiller and semiconductor fabricating method using the same}
도 1은 종래의 칠러를 구비한 반도체 소자의 제조장비를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 냉각장치 및 이를 구비한 반도체 소자의 제조장비를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각장치의 보조 칠러를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 4는 본 발명에 따른 냉각장치의 보조 칠러를 설명하기 위한 개략적인 분리 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 냉각장치의 보조 칠러를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 냉각장치의 보조 칠러를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각장치의 주 칠러를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 냉각장치의 주 칠러를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 9는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
본 발명은 반도체 소자의 제조장치 및 그 방법에 관한 것으로, 특히 보조 칠러를 갖는 냉각장치, 이를 구비한 반도체 소자 제조장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 다수개의 전기 회로들을 구비한다. 상기 회로들은 포토리소그라피 기술(photolithography technique)을 사용하여 반도체 기판 상에 형성된다. 상기 포토리소그라피 기술은 기상 증착 공정(vapor deposition process)에 의해 상기 기판 상에 도전막을 증착하고, 상기 도전막을 식각하여 패터닝함으로써 회로들을 형성하는 것을 포함한다.
상기 기상 증착 공정 및 상기 식각 공정은 각각의 공정 챔버들 내에서 수행된다. 웨이퍼 척이 상기 기상 증착 공정 및 상기 식각 공정 동안에 웨이퍼를 고정한다. 최근에, 플라즈마 증착 및 식각 장비들 각각이 웨이퍼 상에 막질(layers)을 형성하고, 상기 막질을 식각하기 위해 널리 이용되고 있다.
전형적인 플라즈마 처리장비에 있어, 상기 웨이퍼 척은 상기 챔버들 내에 주입된 가스로부터 플라즈마를 형성하기 위하여 전극으로 사용된다. 이에 따라, 플라 즈마 공정이 수행될 때, 상기 챔버 내에 형성된 고온의 플라즈마에 기인하여 상기 웨이퍼 척의 온도가 증가한다. 웨이퍼 척에 의해 지지되는 웨이퍼의 온도 특성(temperature characteristics)은 상기 웨이퍼 척의 온도 변화에 의해 직접적으로 영향을 받는다. 상기 열적 환경(thermal environment)의 변동(fluctuations)은 식각 비율(etch rate)의 변화를 초래하여 막질들의 임계치수(critical dimension)의 균일도(uniformity) 및 선폭(line width)의 균일도를 저하시킨다.
따라서, 칠러(chiller)를 사용하여 상기 웨이퍼 척의 온도를 균일하게 하고 있다.
도 1은 종래의 칠러를 구비한 반도체 소자의 제조장비를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 상기 반도체 소자의 제조장비는 공정 챔버(10) 내에 배치되는 웨이퍼 척(12)을 구비한다. 상기 웨이퍼 척(12)은 상기 웨이퍼 척(12) 상에 안착되는 웨이퍼(W)를 고정시키는 역할을 한다. 또한, 상기 웨이퍼 척(12)은 반도체 소자 제조 공정 동안에 고온의 웨이퍼 척이 될 수 있다.
따라서, 상기 반도체 소자의 제조장비는 상기 웨이퍼 척(12)의 온도를 균일하게 유지하기 위한 칠러(14)를 구비한다. 또한, 상기 웨이퍼 척(12)은 그 내부에 냉각 유로(cooling passage; 16)가 형성된다. 상기 칠러(14)는 상기 냉각 유로(16)로부터 이격되게 배치되는 제1 열교환기(first heat exchanger; 18)를 구비한다. 상기 냉각 유로(16)와 상기 제1 열교환기(18)는 냉매 공급 유로(20a)와 냉매 수집 유로(20b)에 의해 연결된다. 이에 따라, 상기 제1 열교환기(18)에 의해 냉각된 냉 매는 상기 냉매 공급 유로(20a)를 통해 상기 냉각 유로(16)에 공급될 수 있다. 따라서, 상기 냉각 유로(16)에 공급된 냉매가 고온의 웨이퍼 척을 냉각시킬 수 있다.
또한, 상기 고온의 웨이퍼 척을 냉각시킨 냉매는 상기 고온의 웨이퍼 척과 열교환됨으로써 가열되어 높은 온도를 갖게 된다. 상기 고온의 냉매는 상기 냉매 수집 유로(20b)를 통해 상기 제1 열교환기(18)로 수집된다. 상기 제1 열교환기(18)로 수집된 냉매는 상기 제1 열교환기(18)에 의해 냉각된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 척(12)의 냉각 유로(16)에 공급되는 냉매는 상기 제1 열교환기(18) 및 상기 웨이퍼 척(12)을 통해 순환된다.
한편, 상기 칠러(14)는 상기 제1 교환기(18)로부터 이격되게 배치되는 제2 열교환기(22)를 구비한다. 상기 제1 및 제2 열교환기들(18,22)은 그 사이에 배치되는 콤프레셔(24)를 통해 서로 연통되게 설치된다. 이에 따라, 상기 제1 열교환기(18) 내의 냉각 매체(cooling medium)가 상기 콤프레셔(24)를 통해 상기 제2 열교환기(22)에 제공될 수 있다. 통상적으로, 상기 냉각 매체는 프레온 가스를 사용한다.
이에 더하여, 상기 제1 및 제2 열교환기들(18,22)은 그 사이에 배치되는 팽창기(expansion valve; 26)를 통해 연통되게 설치된다. 이에 따라, 상기 제2 열교환기(22) 내의 냉각 매체가 상기 팽창기(26)를 통해 상기 제1 열교환기(18)에 제공될 수 있다.
그 결과, 상기 냉각 매체는 상기 제1 열교환기(18), 상기 콤프레셔(24), 상기 제2 열교환기(22) 및 상기 팽창기(26)를 차례로 경유하면서 순환할 수 있다. 즉, 상기 냉각 매체는 상기 콤프레셔(24)를 통해 압축될 수 있고, 상기 압축된 냉각 매체는 상기 제2 열교환기(22)에 제공된다. 상기 제2 열교환기(22)에 제공된 냉각 매체는 상기 제2 열교환기(22)를 통과하는 냉각수에 의해 응축될 수 있다. 상기 응축된 냉각 매체는 상기 팽창기(26)에 제공되고, 상기 팽창기(26)에 제공된 냉각 매체는 팽창될 수 있다. 상기 팽창된 냉각 매체는 상기 제1 열교환기(18)에 제공될 수 있다. 상기 제1 열교환기(18)에 제공된 냉각 매체는 상기 제1 열교환기(18)를 통과하는 상기 고온의 냉매와 열교환됨으로써 가열되어 높은 온도를 갖게 된다. 상기 고온의 냉각 매체가 상기 콤프레셔(24)에 제공됨으로써 하나의 냉각 사이클(cooling cycle)이 이루어진다.
상기 사이클을 반복하여 진행함으로써 상기 제1 열교환기(18)를 통과하는 냉매를 냉각시킬 수 있다. 따라서, 상기 냉매의 냉각 효율은 상기 냉각 사이클의 수, 상기 제1 열교환기로부터 상기 팽창기를 통해 순환되는 냉각 매체의 양, 및 상기 냉매와 상기 냉각 매체의 온도 차이 등에 의해 결정될 수 있다.
한편, 최근의 반도체 소자의 제조공정은 동일한 공정 챔버를 이용하여 서로 다른 공정들이 진행되고 있다. 예를 들면, 동일한 공정 챔버를 이용하여 식각 공정 및 증착 공정이 실시간으로(In-situ) 수행되고 있다. 이 경우에, 상기 웨이퍼 척은 서로 다른 공정들 각각에 적합한 온도를 유지하여야 한다. 즉, 상기 웨이퍼 척의 온도는 서로 다른 공정들에 대응하여 변경되어야 한다. 따라서, 상기 웨이퍼 척을 통과하는 냉매의 온도를 미세하게 조절하여야 한다. 예를 들면, 일정한 냉각 용량(cooling capacity)을 갖는 칠러 시스템을 이용하여, 상기 냉각 용량에 대응하는 온도에 비해 상기 냉매의 온도를 미세하게 낮추어야 할 필요가 있다. 즉, 일회의 냉각 사이클을 수행한 후 제1 열교환기에 제공되는 냉각 매체의 온도를 미세하게 낮추어야 할 필요가 있다.
그러나, 종래의 칠러 시스템들은 각각의 칠러 시스템에 적합하도록 냉각 매체의 양이 한정되어 있기 때문에, 냉각 매체의 양을 변경시켜 상기 냉매의 온도를 조절하기는 용이하지 않다. 또한, 상기 냉각 사이클의 수를 증가하는 경우에 냉각 매체의 온도 변화가 매우 크게 발생하기 때문에, 상기 냉각 사이클의 수를 증가시켜 냉각 매체의 온도를 미세하게 조절하기는 쉽지 않다.
한편, 칠러 시스템의 냉각 용량의 변경을 위하여 미세하게 조정된 냉각 용량을 갖는 칠러로 기존의 칠러를 교체하는 경우에 반도체 소자의 생산비용이 증가할 뿐만 아니라 반도체 제조의 공정 시간이 연장되는 문제점이 발생한다.
따라서, 반도체 소자의 제조장비가 구비하고 있는 기존의 칠러 시스템을 이용하여 웨이퍼 척의 온도를 미세하게 조절할 수 있는 장치가 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 보조 칠러를 갖는 냉각장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 주 칠러에 착탈 가능하게 설치되는 보조 칠러를 갖는 반도체 소자의 제조장비를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 냉매의 온도를 미세하게 조절하는 데 적합한 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 본 발명은 보조 칠러를 갖는 냉각장치를 제공한다. 상기 장치는 웨이퍼가 안착되고 그 내부에 냉각실(cooling room)이 형성되는 지지대를 포함한다. 주 냉매실(main coolant room)을 갖는 주 칠러(main chiller)가 상기 지지대로부터 이격되게 배치된다. 냉매 유로들(coolant passages)에 의해 상기 냉각실과 상기 주 냉매실이 서로 연통된다. 상기 냉매 유로들에 착탈 가능하게(attachable) 설치되는 보조 칠러(auxiliary chiller)를 구비한다.
본 발명의 일 양태에 따른 몇몇 실시예들에 있어, 상기 냉매 유로들은 제1 냉매 공급 라인(first coolant supplying line) 및 제1 냉매 수집 라인(first coolant collecting line)을 포함할 수 있다. 상기 제1 냉매 공급 라인에 위치하는 제1 및 제2 연결부들을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결부들 사이에 위치하고 상기 제1 냉매 공급 라인에 설치되는 제1 스위칭 밸브를 더 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 보조 칠러는 상기 제1 및 제2 연결부들에 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어, 상기 제1 및 제2 연결부들은 상기 제1 냉매 공급 라인으로부터 분기된 연결 라인들(coupling lines), 상기 연결 라인들에 설치되는 제2 스위칭 밸브들 및 연결 너트들(coupling nuts)을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 냉각실에 전기적으로 접속되는 온도 감지부를 더 포함할 수 있다. 상기 온도 감지부, 상기 제1 및 제2 스위칭 밸브들에 전기적으로 접속되는 제어부를 더 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 온도 감지부로부터 상기 제어부에 전달된 온도값에 따라 상기 제어부가 상기 제1 및 제2 스위칭 밸브들을 온 또는 오프할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 보조 칠러는 보조 냉매실(auxiliary coolant room)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결부들에 연결되고 상기 보조 냉매실로부터 연장되는 보조 제2 냉매 공급라인들을 포함할 수 있다. 상기 보조 냉매실에 인접하는 제1 도체들이 배치될 수 있다. 상기 제1 도체들로부터 이격되는 제2 도체들이 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도체들 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2 도체들을 전기적으로 접속시키는 제1 반도체들을 포함할 수 있다. 상기 제2 도체들에 인가되는 제1 전원을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 제2 도체들에 인접하게 배치되는 냉각수 순환유로를 더 포함할 수 있다. 상기 냉각수 순환유로에 연통되는 냉각수 공급실을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 제2 도체들에 인접하게 배치되는 방열 핀들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 제1 냉매 수집 라인(first coolant collecting line)에 설치되는 냉매 가열부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 주 칠러는 상기 주 냉매실에 인접하게 배치되는 제1 열교환기(first heat exchanger)를 포함할 수 있다. 상기 제1 열교환기에 제1 및 제2 냉각매체 유로들(first and second cooling medium passages)이 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 냉각매체 유로들을 통해 상기 제1 열교환기와 연통되는 제2 열교환기를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 열교환기들 사이의 상 기 제1 냉각매체 유로에 콤프레셔가 설치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 열교환기들 사이의 상기 제2 냉각매체 유로에 팽창기들(expansion valves)이 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 주 칠러는 상기 주 냉매실에 인접하게 배치되는 제3 도체들을 포함할 수 있다. 상기 제3 도체들로부터 이격되게 배치되는 제4 도체들을 포함할 수 있다. 상기 제3 및 제4 도체들 사이에 배치되고, 상기 제3 및 제4 도체들을 전기적으로 접속시키는 제2 반도체들을 포함할 수 있다. 상기 제4 도체들에 인가되는 제2 전원을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 본 발명은 주 칠러에 착탈 가능하게 설치되는 보조 칠러를 갖는 반도체 소자의 제조장비를 제공하는 데 있다. 상기 장비는 공정 챔버를 포함한다. 상기 공정 챔버에 연통되는 공정가스 유입부가 제공된다. 상기 공정 챔버 내에 배치되고 그 내부에 냉각실이 형성되는 웨이퍼 척을 포함한다. 상기 냉각실과 상기 주 칠러를 연결하는 냉매 공급 라인을 포함한다. 상기 냉각실과 상기 주 칠러를 연결하는 냉매 수집 라인을 포함한다. 상기 냉매 공급 라인에 착탈 가능하도록 설치되는 보조 칠러가 제공된다. 상기 공정 챔버에 연통되는 공정가스 배출부가 제공된다. 상기 공정 챔버에 전기적으로 접속되는 제1 전원을 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따른 몇몇 실시예들에 있어, 상기 냉매 공급 라인에 위치하는 제1 및 제2 연결부들을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결부들 사이에 위치하고 상기 냉매 공급 라인에 설치되는 제1 스위칭 밸브를 더 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 보조 칠러는 상기 제1 및 제2 연결부들에 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어, 상기 제1 및 제2 연결부들은 상기 냉매 공급 라인으로부터 분기된 연결 라인들(coupling lines), 상기 연결 라인들에 설치되는 제2 스위칭 밸브들 및 연결 너트들(coupling nuts)을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 냉각실에 전기적으로 접속되는 온도 감지부를 더 포함할 수 있다. 상기 온도 감지부, 상기 제1 및 제2 스위칭 밸브들에 전기적으로 접속되는 제어부를 더 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 온도 감지부로부터 상기 제어부에 전달된 온도값에 따라 상기 제어부가 상기 제1 및 제2 스위칭 밸브들을 온 또는 오프할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 보조 칠러는 상기 제1 및 제2 연결부들에 연결되는 보조 냉매실을 포함할 수 있다. 상기 보조 냉매실에 인접하는 제1 도체들이 제공될 수 있다. 상기 제1 도체들로부터 이격되게 배치되는 제2 도체들이 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도체들 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2 도체들을 전기적으로 접속시키는 제1 반도체들을 포함할 수 있다. 상기 제2 도체들에 인가되는 제2 전원을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 제2 도체들에 인접하게 배치되는 냉각수 순환유로를 더 포함할 수 있다. 상기 냉각수 순환유로에 연통되는 냉각수 공급실을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 제2 도체들에 인접하게 배치되는 방열 핀들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 냉매 수집 라인(coolant collecting line)에 설치되는 냉매 가열부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 주 칠러는 상기 냉매 공급 라인 및 상기 냉매 수집 라인을 연결하는 제1 주 냉매실을 포함할 수 있다. 상기 제1 주 냉매실에 인접하게 배치되는 제1 열교환기(first heat exchanger)를 포함할 수 있다. 상기 제1 열교환기에 연결되는 제1 및 제2 냉각매체 유로들이 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 냉각매체 유로들을 통해 상기 제1 열교환기와 연통되게 설치되는 제2 열교환기를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 열교환기들 사이의 상기 제1 냉각매체 유로에 설치되는 콤프레셔가 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 열교환기들 사이의 상기 제2 냉각매체 유로에 설치되는 팽창기들(expansion valves)를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 주 칠러는 상기 냉매 공급 라인 및 상기 냉매 수집 라인을 연결하는 제2 주 냉매실을 포함할 수 있다. 상기 제2 주 냉매실에 인접하게 배치되는 제3 도체들이 제공될 수 있다. 상기 제3 도체들로부터 이격되게 배치되는 제4 도체들이 제공될 수 있다. 상기 제3 및 제4 도체들 사이에 배치되고, 상기 제3 및 제4 도체들을 전기적으로 접속시키는 제2 반도체들을 포함할 수 있다. 상기 제4 도체들에 인가되는 제3 전원을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 본 발명은 냉매의 온도를 미세하게 조절하는 데 적합한 반도체 소자의 제조방법을 제공한다. 상기 방법은 냉매(coolant)의 온도를 제어부에 설정하는 것을 포함한다. 주 칠러 내의 냉매를 냉각한다. 상기 주칠러에 의해 냉각된 냉매를 웨이퍼 척에 공급한다. 상기 웨이퍼 척에 공급된 냉매 의 온도를 측정한다. 상기 냉매의 상기 측정된 온도와 상기 설정된 온도를 비교한다. 상기 측정된 온도가 상기 설정된 온도 보다 높은 경우에 상기 냉각된 냉매를 상기 웨이퍼 척에 공급하는 것을 중단한다. 상기 주 칠러에 의해 냉각된 냉매를 보조 칠러에 공급한다. 상기 보조 칠러에 공급된 냉매를 추가 냉각한다. 상기 추가 냉각된 냉매를 상기 웨이퍼 척에 공급한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따른 몇몇 실시예들에 있어, 상기 주 칠러 내의 냉매를 냉각하기 이전에 상기 웨이퍼 척에 공급된 냉매를 수집하는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 수집된 냉매를 가열하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어, 상기 보조 칠러에 공급된 냉매를 추가 냉각하는 것은 열전 냉각 소자(thermo electric cooler)를 이용할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어, 주 칠러 내의 냉매를 냉각하는 것은 냉각 매체를 압축하는 콤프레셔, 상기 압축된 냉각 매체를 응축하는 콘덴서, 상기 응축된 냉각 매체를 팽창하는 팽창기 및 상기 팽창된 냉각 매체를 증발시키는 증발기(evaporator)를 구비하는 기계식 냉각 소자(mechanical cooler)를 이용할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하에서 설명되어지는 실시예들에 한정하지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 설명의 편의를 위해 과장되어 표현될 수도 있 다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 냉각장치 및 이를 구비한 반도체 소자의 제조장비를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각장치의 보조 칠러를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 도 4는 본 발명에 따른 냉각장치의 보조 칠러를 설명하기 위한 개략적인 분리 사시도이다. 도 5는 본 발명에 따른 냉각장치의 보조 칠러를 설명하기 위한 사시도이다. 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 냉각장치의 보조 칠러를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각장치의 주 칠러를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 냉각장치의 주 칠러를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 도 9는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 냉각장치는 주 칠러(30)를 구비한다. 상기 주 칠러(30)는 웨이퍼(W)를 고정하는 웨이퍼 척(32)을 냉각하는 데 이용될 수 있다. 그러나, 상기 주 칠러(30)는 반도체 소자의 제조를 위한 공정 챔버를 냉각하는 데 적용될 수도 있다.
상기 웨이퍼 척(32)은 반도체 소자의 제조를 위한 공정 챔버(34) 내에 배치된다. 상기 공정 챔버(34)는 플라즈마 처리 장비에 채택될 수 있다. 이 경우에, 상기 웨이퍼 척(32)은 하부 전극의 역할을 할 수 있다. 이에 더하여, 상기 웨이퍼 척(32)의 상부에 상부 전극(36)이 배치될 수 있다. 상기 상부 전극(36)의 상부에 위치하고 상기 공정 챔버(34) 내로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급유로(38)가 제공될 수 있다. 상기 공정가스 공급유로(38)는 공정가스 공급실(40)에 연통될 수 있다. 또한, 상기 공정가스 공급유로(38)는 상기 공정 챔버(34)에 위치하는 공정가스 유입부(42)에 연통될 수 있다. 상기 공정가스 공급유로(38)에 설치되는 밸브(46)가 공정가스의 공급을 조절할 수 있다. 상기 밸브(46)는 스위칭 밸브 및 솔레노이드 밸브를 포함할 수 있다.
상기 공정챔버(34)는 공정가스 배기유로(48)에 연통될 수 있다. 이 경우에, 상기 공정가스 배기유로(48)는 상기 공정챔버(34)에 제공되는 공정가스 배출부(50)에 연통될 수 있다. 또한, 상기 공정가스 배기유로(48)에 설치되는 펌프(52)가 상기 공정챔버(34) 내의 공정가스를 펌핑할 수 있다.
상기 공정챔버(34)로부터 이격되게 위치하는 고주파 전원(54)이 상기 웨이퍼 척(32)에 전기적으로 접속될 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼 척(32)에 고주파 전원을 인가하는 경우에, 상기 공정챔버(34) 내로 유입된 가스로부터 플라즈마가 발생할 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 처리 공정이 수행되는 경우에, 공정챔버 내의 고온의 플라즈마(hot plasma)에 기인하여 공정챔버 내의 웨이퍼 척의 온도가 증가한다. 따라서, 상기 웨이퍼 척이 일정한 온도를 유지하기 위해 제공된 칠러 시스템이 상기 웨이퍼 척을 냉각한다.
상기 칠러 시스템은 상기 주 칠러(30)를 포함한다. 상기 주 칠러(30)는 상기 웨이퍼 척(32)에 연통된다. 이 경우에, 상기 웨이퍼 척(32) 내에 냉각실(56)이 형성될 수 있다. 상기 냉각실(56)에 냉매가 채워질 수 있다. 상기 냉각실(56)은 다수개의 나선형 냉매 유로일수 있다. 또한, 상기 주 칠러(30)는 주 냉매실(58)을 구비 할 수 있다. 상기 주 냉매실(58)에 냉매가 채워질 수 있다. 상기 주 칠러(30)는 상기 주 냉매실(58) 내의 냉매를 냉각시킬 수 있다. 따라서, 상기 주 칠러(30)에 의해 냉각된 냉매가 상기 웨이퍼 척(32)의 냉각실(56)에 제공될 수 있다.
상기 냉각실(56)과 상기 주 냉매실(58)의 냉매는 높은 비열, 높은 열전도율, 낮은 점성도, 및 높은 절연성을 갖는 매체(medium)일 수 있다. 상기 냉매는 에틸렌 글리콜(ethylene glycol) 또는 프로필렌 글리콜일 수 있다.
상기 냉각실(56)과 상기 주 칠러(30)는 이들 사이에 위치하는 냉매 공급 라인(60a)과 냉매 수집 라인(60b)에 의해 연결될 수 있다. 냉매 공급 라인(60a)과 냉매 수집 라인(60b)에 냉매가 채워질 수 있다. 따라서, 상기 주 칠러(30) 내의 냉각된 냉매가 상기 냉매 공급 라인(60a)을 통해 상기 냉각실(56)에 제공될 수 있다. 상기 냉각실(56)에 제공된 냉매에 의해 상기 웨이퍼 척(32)이 냉각될 수 있다. 이에 따라, 상기 냉각실(56)로부터 유출되는 냉매는 고온의 냉매일 수 있다. 후속하여, 상기 냉각실(56)로부터 유출되는 상기 고온의 냉매는 상기 냉매 수집 라인(60b)을 통해 상기 주 칠러(30)의 주 냉매실(58)에 수집될 수 있다. 따라서, 냉매는 상기 주 칠러(30), 상기 냉매 공급 라인(60a), 상기 냉각실(56) 및 상기 냉매 수집 라인(60b)을 차례로 경유하면서 반복적으로 순환할 수 있다. 상기 냉매를 순환시키기 위하여, 상기 냉매 공급 라인(60a)에 펌프(62)가 배치될 수 있다.
이에 더하여, 상기 냉매 공급 라인(60a)에 밸브(64)가 설치될 수 있다. 상기 밸브(64)는 상기 냉매 공급 라인(60a)을 통해 상기 냉각실(56)에 공급되는 냉매의 양을 조절할 수 있다. 상기 밸브(64)는 스위칭 밸브 및 솔레노이드 밸브를 포함할 수 있다.
또한, 상기 냉매 공급 라인(60a)에 전기적으로 접속되는 온도 감지부(66)가 설치될 수 있다. 상기 온도 감지부(66)는 상기 냉각실(56)에 제공되는 상기 냉매 공급 라인(60a) 내의 냉매의 온도를 감지할 수 있다. 이에 더하여, 상기 냉매 수집 라인(60b)에 온도 감지부(68)가 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 온도 감지부(68)는 상기 냉각실(56)로부터 유출된 상기 냉매 수집 라인(60b) 내의 냉매의 온도를 감지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 냉각장치는 상기 냉각실(56)에 전기적으로 접속되는 온도 감지부(70)를 구비할 수 있다. 상기 온도 감지부(70)는 상기 냉각실(56) 내의 냉매의 온도를 감지할 수 있다.
또한, 상기 냉매 수집 라인(60b)에 냉매 가열부(72)가 설치될 수 있다. 상기 냉매 가열부(72)는 전원(74)을 구비할 수 있다. 상기 냉매 가열부(72)는 상기 냉매 수집 라인(60b)을 감싸는 코일을 구비할 수 있다. 이 경우에, 상기 코일은 상기 전원(74)에 전기적으로 접속될 수 있다. 이에 따라, 상기 전원(74)으로부터 소정의 전압(predetermined voltage)을 상기 코일에 인가하여 상기 냉매 수집 라인(60b) 내의 냉매를 가열할 수 있다. 상기 소정의 전압은 상기 전원(74)에 전기적으로 접속되는 제어부(76)에 의해 조절될 수 있기 때문에, 상기 냉매는 가변적으로 가열될 수 있다.
본 발명에 따른 냉각 장치는 상기 냉매 공급 라인(60a)으로부터 분기된 제1 및 제2 연결 라인들(first and second coupling lines; 78a,78b)을 구비할 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)은 서로 이격되게 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 냉매 공급 라인(60a)에 설치되는 상기 밸브(64)는 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b) 각각이 위치하는 분기 지점들 사이에 배치될 수 있다. 상기 냉매 공급 라인(60a)과 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)은 서로 연통될 수 있다. 상기 연결 라인들(78a,78b) 단부들에 밸브들(80a,80b) 및 연결 너트들(coupling nuts; 82a,82b)이 배치될 수 있다. 상기 밸브들(80a,80b)은 스위칭 밸브들 및 솔레노이드 밸브들을 구비할 수 있다. 상기 스위칭 밸브들은 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)을 통한 냉매의 유동을 개폐할 수 있다. 또한, 상기 솔레노이드 밸브들은 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)을 통해 유동되는 냉매의 양을 조절할 수 있다. 또한, 상기 연결 너트들(82a,82b)은 상기 연결 라인들(78a,78b)의 외주면에 제공되는 나사산들과 결합될 수 있다.
이에 더하여, 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)은 이들 사이에 배치되는 보조 칠러(84)와 연통된다. 상기 보조 칠러(84)는 보조 냉매실(86)을 구비할 수 있다. 또한, 상기 보조 냉매실(86)의 제1 단부에 연결되는 제1 보조 라인(88a)이 제공된다. 이와 마찬가지로, 상기 제1 단부에 대향하는 상기 보조 냉매실(86)의 제2 단부에 제2 보조 라인(88b)이 연결된다.
상기 제1 및 제2 보조 라인들(88a,88b)의 단부들의 외주면에 나사산들이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 연결 라인(78a)의 상기 연결 너트(82a)에 의해 상기 제1 보조 라인(88a)이 상기 제1 연결 라인(78a)에 결합될 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 연결 라인(78b)의 상기 연결 너트(82b)에 의해 상기 제2 보조 라인(88b)이 상기 제2 연결 라인(78b)에 결합될 수 있다. 이에 더하여, 상기 연결 너 트들(82a,82b)을 이완(release)시킴으로써 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)로부터 각각 상기 제1 및 제2 보조 라인들(88a,88b)을 분리할 수 있다. 그 결과, 상기 보조 칠러(84)는 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)에 착탈 가능할 수 있다.
한편, 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)에 상기 보조 칠러(84)를 체결하여 상기 냉매 공급 라인(60a)의 냉매를 상기 보조 칠러(84)에 제공하는 경우에, 상기 냉매 공급 라인(60a)의 밸브(64)를 조절하여 상기 냉매 공급 라인(60a)을 통하는 냉매의 양을 조절할 수 있다. 이 경우에, 상기 냉매 공급 라인(60a)의 냉매는 상기 제1 연결 라인(78a)을 통해 상기 보조 칠러(84)에 공급될 수 있다. 상기 보조 칠러(84)는 상기 보조 칠러(84)에 공급된 냉매를 냉각시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 주 칠러(30)에 의해 냉각된 냉매는 상기 보조 칠러(84)에 의해 추가 냉각될 수 있다. 상기 추가 냉각된 냉매는 상기 제2 보조 라인(88b), 상기 제2 연결 라인(78b) 및 상기 냉매 공급 라인(60a)을 차례로 경유하여 상기 웨이퍼 척(32)의 상기 냉각실(56)에 공급될 수 있다. 이에 따라, 상기 주 칠러(30)에 의해 냉각된 냉매의 추가 냉각이 필요한 경우에, 상기 주 칠러(30)에 상기 보조 칠러(84)를 장착하여 상기 냉각된 냉매를 추가 냉각할 수 있다.
상기 추가 냉각의 정도는 상기 보조 칠러(84)의 냉각 용량(cooling capacity)에 의해 결정될 수 있다. 또한, 상기 냉매 공급 라인(60a)의 밸브(64)와 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)의 밸브들(80a,80b)을 조절함으로써, 상기 보조 칠러(84)에 공급되는 냉매의 양을 조절할 수 있다. 즉, 상기 보조 칠러(84)에 공급되는 냉매의 양을 조절함으로써 추가 냉각의 정도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 척(32)의 상기 냉각실(56)에 공급되는 냉매의 온도를 제어할 수 있다. 이 경우에, 상기 밸브들(64,80a,80b), 상기 펌프(62)의 가변 전원 공급부, 및 상기 온도 감지부들(66,68,70)은 상기 제어부(76)에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제어부(76)에 피아이디(proportional integral derivatives; PID) 프로그램이 내장될 수 있다. 또한, 상기 제어부(76)에 소정의 냉매 온도값이 설정될 수 있다. 이에 따라, 상기 밸브들(64,80a,80b)이 솔레노이드 밸브들인 경우에, 상기 냉각실(56) 내의 냉매의 온도가 상기 소정의 냉매의 온도값 보다 높은 경우에, 상기 냉매 공급 라인(60a)의 밸브(64)는 폐쇄하고 상기 제1 및 제2 연결 라인들(78a,78b)의 밸브들(80a,80b)은 개방할 수 있다. 이에 따라, 상기 냉각실(56) 내로 공급되는 냉매의 온도를 추가적으로 낮출 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 보조 칠러를 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 상기 보조 칠러(84)는 열전식 소자(thermal electric cooler)를 채택할 수 있다. 상기 보조 칠러(84)가 상기 열전식 소자인 경우에, 상기 보조 칠러(84)는 상기 보조 냉매실(86)에 인접하는 제1 도체들(90a)이 배치될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제1 도체들(90a)로부터 이격되는 제2 도체들(90b)이 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도체들(90a,90b)은 플레이트형일 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 도체들(90a)은 서로 이격되게 배치될 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 도체들(90b)은 서로 이격되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도체들(90a,90b)이 서로 이격되게 배치되고, 서로 이격되어 있는 제 1 도체들 사이에 상기 제2 도체(90b)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도체들(90a,90b)은 높은 전도성을 갖는 도체들일 수 있다. 상기 제1 및 제2 도체들(90a,90b)은 알루미늄 또는 구리일 수 있다.
상기 제1 및 제2 도체들(90a,90b) 사이에 반도체들(92a,92b)이 배치될 수 있다. 상기 반도체들(92a,92b)은 다수개의 쌍의 반도체들일 수 있다. 이 경우에, 한 쌍의 반도체들은 서로 다른 도전형을 가질 수 있다. 예를 들면, 한 쌍의 반도체들 중 하나의 반도체(92a)는 N형이고, 다른 하나의 반도체(92b)는 P형일 수 있다.
상기 반도체들(92a,92b)은 상기 제1 및 제2 도체들(90a,90b)에 의해 전기적으로 접속될 수 있다. 이 경우에, 다수 쌍의 반도체들 중 각각의 쌍의 반도체들의 단부들은 상기 제1 도체들(90a)에 의해 전기적으로 접속되고, 인접하여 있는 서로 다른 쌍의 반도체들은 상기 제2 도체들(90b)에 의해 전기적으로 접속될 수 있다. 즉, 상기 반도체들은 상기 제1 및 제2 도체들(90a,90b)에 의해 전기적으로 직렬로 정렬될 수 있다.
상기와 같이 정렬된 제2 도체들에 전원(94)이 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 전원(94)으로부터 상기 제2 도체들(90b)에 전압을 인가하는 경우에, 펠티에 효과(Peltier effect)가 발생할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도체들(90a)은 상기 제2 도체들(90b) 보다 저온의 환경이 발생되고, 상기 제2 도체들(90b)은 상기 제1 도체들(90a) 보다 고온의 환경이 발생된다. 따라서, 상기 제1 도체들(90a)은 흡열판들의 역할을 하고, 상기 제2 도체들(90b)은 방열판들의 역할을 할 수 있다.
이에 따라, 상기 보조 냉매실(86)을 상기 제1 도체들(90a)에 인접하게 배치 하는 경우에, 상기 보조 냉매실(86)의 냉매는 상기 제1 도체들(90a)에 의해 냉각될 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 도체들(90a)에 인접하는 상기 보조 냉매실(86)은 상기 도체들(90a)의 상부면에 대해 지그 재그 형으로 배열될 수 있다.
이와 같이 상기 보조 냉매실(86)의 냉매를 상기 제1 도체들(90a)에 의해 냉각할 수 있기 때문에, 상기 보조 냉매실(86)의 냉매의 온도를 미세 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 도체들(90b)에 인가되는 전압을 조절함으로써 상기 제1 도체들(90a)에 의한 추가 냉각의 정도를 미세하게 조절할 수 있다.
또한, 상기 보조 냉매실(86)과 상기 제1 도체들(90a) 사이에 전기절연성 열전도체(96)가 개재될 수 있다. 상기 전기절연성 열전도체(96)는 비정질 다이아몬드 또는 세라믹이 함유된 절연체일 수 있다.
이에 더하여, 상기 방열판 역할을 하는 제2 도체들(90b)을 수냉식 냉각 소자를 사용하여 냉각할 수 있다. 즉, 상기 제2 도체들(90b)에 인접하는 냉각수 순환유로(98)가 배치될 수 있다. 상기 제2 도체들(90b) 및 상기 냉각수 순환유로(98) 사이에 전기절연성 열전도체(100)가 개재될 수 있다. 상기 냉각수 순환유로(98)는 냉각수 공급 유로(102) 및 냉각수 수집 유로(104)에 의해 냉각수 공급실(106)에 연통될 수 있다. 상기 냉각수 공급 유로(102)에 펌프(108)가 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 냉각수 공급실(106)의 냉각수가 상기 냉각수 공급 유로(102)를 통해 상기 냉각수 순환 유로(98)에 공급될 수 있다. 상기 냉각수 순환 유로(98)에 공급된 냉각수는 상기 제2 도체들(90b)을 냉각할 수 있다. 이 경우에, 상기 냉각수 순환 유로(98)에 공급된 냉각수는 상기 제2 도체들(90b)과 열교환한 후에 고온의 냉각수가 될 수 있다. 상기 고온의 냉각수는 상기 냉각수 수집 유로(104)를 통해 상기 냉각수 공급실(106) 내로 수집될 수 있다. 상기 냉각수 공급실(106)은 상기 냉각수 공급실(106) 내로 수집된 냉각수를 냉각하는 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 냉각수가 상기 냉각수 공급 유로(102), 상기 냉각수 순환 유로(98), 상기 냉각수 수집 유로(104) 및 상기 냉각수 공급실(106)을 차례로 경유하면서 순환할 수 있다.
또한, 상기 냉각수 공급 라인(102)은 서로 착탈 가능한 제1 및 제2 냉각수 공급 라인들(102a,102b)을 구비할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 냉각수 공급 라인(102a)의 단부에 연결 너트(110a)가 구비되고, 상기 제2 냉각수 공급 라인(102b)의 단부에 나사산들(112a)이 형성될 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 냉각수 수집 라인(104)은 서로 착탈 가능한 제1 및 제2 냉각수 수집 라인들(104a,104b)을 구비할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 냉각수 수집 라인(104)의 단부에 연결 너트(110b)가 구비되고, 상기 제2 냉각수 수집 라인(104b)의 단부에 나사산들(112b)이 형성될 수 있다.
한편, 도 6을 참조하면, 상기 제2 도체들(90b)은 공랭식 냉각 소자를 사용하여 냉각할 수도 있다. 이 경우에, 상기 제2 도체들(90b)에 인접하여 다수개의 방열 핀들(114)이 배치될 수 있다.
다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 상기 보조 냉매실(86) 상부에 상부 커버(116a)가 배치될 수 있다. 상기 상부 커버(116a) 및 상기 보조 냉매실(86) 사이에 절연체(118a)가 개재될 수 있다. 또한, 상기 냉각수 순환 유로(98)의 하부에 하부 커버(116b)가 설치될 수 있다. 이 경우에, 상기 냉각수 순환 유로(98)와 상기 하부 커버(116b) 사이에 절연체(118b)가 개재될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 냉각장치의 상기 주 칠러(30)를 구체적으로 설명하기로 한다. 도 7을 참조하면, 상기 주 칠러(30)는 기계식 냉각 소자(mechanical cooler)를 채택할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 주 칠러(30)는 상기 주 냉매실(58)에 인접하게 배치되는 제1 열교환기(120)를 구비할 수 있다. 상기 제1 열교환기(120)는 냉각실(122)을 구비할 수 있다. 이 경우에, 상기 냉각실(122)이 상기 주 냉매실(58)을 관통하도록 제공될 수 있다. 상기 냉각실(122) 내에 냉각 매체가 채워질 수 있다. 상기 냉각 매체는 프레온 가스일 수 있다. 상기 냉각실(122)의 단부들로부터 각각 연장되게 배치되는 냉각 매체 공급유로(124a) 및 냉각 매체 수집유로(124b)가 제공될 수 있다. 상기 제1 열교환기(120)로부터 이격되게 배치되는 제2 열교환기(126)를 구비할 수 있다. 또한, 상기 제1 열교환기(120)는 상기 냉각 매체 공급유로(124a) 및 상기 냉각 매체 수집유로(124b)를 통해 상기 제2 열교환기(126)에 연통될 수 있다. 이 경우에, 상기 냉각 매체 공급유로(124a) 및 상기 냉각 매체 수집유로(124b) 내에 냉각 매체가 채워질 수 있다. 상기 제2 열교환기(126)는 냉각 매체실(cooling medium room; 128)을 구비할 수 있다. 상기 냉각 매체실(128) 내에 냉각 매체가 채워질 수 있다. 이 경우에, 상기 냉각 매체 공급유로(124a)는 상기 냉각 매체실(128)의 제1 단부에 연결될 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 냉각 매체 수집유로(124b)는 상기 제1 단부에 대향하게 위치하는 상기 냉각 매체실(128)의 제2 단부에 연결될 수 있다.
또한, 상기 냉각 매체 공급유로(124a)에 팽창기들(130) 및 펌프(132)가 차례로 설치될 수 있다. 이에 더하여, 상기 냉각 매체 수집유로(124b)에 콤프레셔(134)가 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 열교환기(120)의 냉각실(122)로부터 상기 냉각 매체 수집유로(124b)로 유출된 냉각 매체는 상기 콤프레셔(134)에 의해 압축될 수 있다. 상기 압축된 냉각 매체는 상기 제2 열교환기(126)의 상기 냉각 매체실(128)로 유입되어 열교환될 수 있다. 이 경우에, 상기 제2 열교환기(126)는 콘덴서 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 열교환기(126)의 상기 냉각 매체실(128)로 유입된 냉각 매체는 응축될 수 있다.
상기 응축된 냉각 매체는 상기 팽창기들(130)에 의해 팽창되어 저온의 냉각 매체가 되고, 상기 저온의 냉각 매체는 상기 제1 열교환기(120)의 냉각실(122)로 유입되어 상기 주 냉매실(58)의 냉매를 냉각할 수 있다. 이와 같이, 상기 냉각 매체는 상기 콤프레셔(134), 상기 제2 열교환기(126), 상기 팽창기들(130), 및 상기 제1 열교환기(120)를 차례로 경유하면서 순환할 수 있다.
한편, 상기 제2 열교환기(126)의 상기 냉각 매체실(128)에 인접하는 냉각실(136)이 배치될 수 있다. 상기 냉각실(136)은 그 단부들 각각에 연결되는 냉각수 공급 유로(138a) 및 냉각수 수집 유로(138b)를 통해 냉각수 공급실(140)에 연통될 수 있다. 상기 냉각수 공급실(140)에 냉각수가 채워질 수 있다. 또한, 상기 냉각수 공급 유로(138a)에 펌프(142)가 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 냉각수 공급실(140)의 냉각수는 상기 펌프(142)에 의해 펌핑되어 상기 냉각수 공급 유로(138a)를 통해 상기 제2 열교환기(126)의 상기 냉각실(136)에 공급될 수 있다. 상기 냉각 실(136)에 공급된 냉각수는 상기 냉각실(136)에 인접한 상기 냉각 매체실(128)의 냉각 매체를 냉각할 수 있다. 이에 따라, 상기 냉각 매체를 냉각한 냉각수는 상기 냉각수 수집 유로(138b)를 통해 상기 냉각수 공급실(140)에 수집될 수 있다. 즉, 냉각수는 상기 냉각수 공급실(140), 상기 냉각수 공급 유로(138a), 상기 냉각실(136) 및 상기 냉각수 수집 유로(138b)를 차례로 경유하며 순환할 수 있다.
또한, 도 8을 참조하면, 상기 주 칠러(30)는 상술한 열전식 냉각 소자를 채택할 수도 있다.
도 8을 참조하면, 상기 주 냉매실(58)에 인접하는 상부 및 하부 도체들(150a,150b)이 배치될 수 있다. 상기 상부 및 하부 도체들(150a,150b) 사이에 서로 다른 도전형을 갖는 반도체들(152a,152b)이 번갈아 가며 반복되게(alternately and repeatedly) 배치될 수 있다. 또한, 상기 반도체들(152a,152b)은 상기 상부 및 하부 도체들(150a,150b)에 전기적으로 접속되어 전기적으로 직렬로 연결되도록 배열될 수 있다. 이 경우에, 상기 하부 도체들(150b)에 전기적으로 접속되는 전원(154)으로부터 상기 하부 도체들(150b)에 전압을 인가하면, 상술한 펠티에 효과가 발생한다. 이에 따라, 상기 상부 도체들(150a)은 흡열판 역할을 할 수 있고, 상기 하부 도체들(150b)은 방열판 역할을 할 수 있다. 그 결과, 상기 상부 도체들(150a)과 상기 주 냉매실(58)의 냉매가 서로 열교환함으로써, 상기 주 냉매실(58)의 냉매가 냉각될 수 있다.
또한, 상기 하부 도체들(150b)에 인접하도록 냉각수 순환 유로(156)를 배치함으로써 상기 하부 도체들(150b)을 냉각할 수 있다.
이에 더하여, 상기 상부 도체들(150a)과 상기 주 냉매실(58) 사이에 전기절연성 열전도체(158a)가 개재될 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 하부 도체들(150b)과 상기 냉각수 순환 유로(156) 사이에 전기절연성 열전도체(158b)가 개재될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기로 한다.
도1 및 도 9를 참조하면, 제어부(76)에 냉매의 온도(T1)를 설정한다(S10). 반도체 소자 제조공정을 실행한다(S20). 이 경우에, 공정 챔버(34) 내에 웨이퍼 척(32)이 배치된다. 상기 웨이퍼 척(32)은 그 상부에 안착되는 웨이퍼를 고정하는 역할을 할 수 있다. 상기 공정 챔버(34) 내에 공정가스를 주입하여 상기 공정 챔버(34) 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
냉매가 채워진 주 칠러(30)를 작동한다(S30). 상기 주 칠러(30)의 작동에 의해 상기 주 칠러(30)의 냉매가 냉각된다(S40). 상기 주 칠러(30)에 의해 냉각된 냉매를 상기 웨이퍼 척(32)의 냉각실(56)에 공급한다(S50).
상기 웨이퍼 척(32)에 공급된 냉매의 온도(T2)를 측정한다(S60). 후속하여, 상기 냉매의 측정 온도(T2)와 상기 냉매의 설정 온도(T1)를 비교한다(S70). 그 결과, 상기 측정 온도(T2)가 상기 설정 온도(T1) 보다 높은 경우에, 상기 주 칠러(30)에 의해 냉각된 냉매를 상기 웨이퍼 척(32)에 공급하는 것을 중단한다(S80). 이와 동시에, 상기 주 칠러(30)에 착탈 가능하게 설치된 보조 칠러(84)를 작동한다. 즉, 상기 주 칠러(30) 및 상기 보조 칠러(84)를 연통하는 유로들(78a,78b)에 배치된 밸브들(80a,80b)을 개방한다. 후속하여, 상기 주 칠러(30)에 의해 냉각된 냉매를 상기 보조 칠러(84)에 공급한다(S90). 상기 보조 칠러(84)에 공급된 냉매는 상기 보조 칠러(84)의 작동에 의해 추가 냉각된다(S100,S110). 이 경우에, 상기 측정 온도(T2)와 상기 설정 온도(T1)의 차이값에 대응하는 전압을 상기 보조 칠러(84)에 인가할 수 있다. 이에 따라, 상기 추가 냉각된 냉매는 상기 설정 온도값을 가질 수 있다. 상기 추가 냉각된 냉매를 상기 웨이퍼 척(32)의 냉각실(56)에 공급한다(S120). 그 결과, 상기 추가 냉각된 냉매에 의해 상기 웨이퍼 척(32)이 냉각될 수 있다(S130).
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 주 칠러 및 상기 주 칠러에 착탈 가능한 보조 칠러를 제공함으로써, 주 칠러에 의해 냉각된 냉매를 웨이퍼 척에 공급하고, 상기 냉각된 냉매의 추가 냉각이 필요한 경우에 상기 보조 칠러를 작동함으로써 상기 주 칠러에 의해 냉각된 냉매를 상기 보조 칠러에 의해 추가 냉각할 수 있다. 이에 따라, 추가 냉각된 냉매를 상기 웨이퍼 척에 공급함으로써 웨이퍼 척의 온도 변동 시에 웨이퍼 척의 온도를 균일하게 유지할 수 있다.
또한, 상기 보조 칠러의 냉각 용량은 상기 보조 칠러에 의해 인가되는 전압에 의해 결정되게 함으로써, 추가 냉각이 필요한 온도에 대응하는 전압을 상기 보조 칠러에 인가할 수 있다. 이에 따라, 상기 추가 냉각을 미세하게 조절할 수 있다.

Claims (24)

  1. 웨이퍼가 안착되고 그 내부에 냉각실(cooling room)이 형성되는 지지대;
    상기 지지대로부터 이격되게 배치되고 주 냉매실(main coolant)을 갖는 주 칠러(main chiller);
    상기 냉각실과 상기 주 냉매실을 연통하는 냉매 유로들(coolant passages); 및
    상기 냉매 유로들에 착탈 가능하게(attachable) 설치되는 보조 칠러(auxiliary chiller)를 포함하는 냉각장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉매 유로들은 제1 냉매 공급 라인(first coolant supplying line) 및 제1 냉매 수집 라인(first coolant collecting line)을 포함하되,
    상기 제1 냉매 공급 라인에 위치하는 제1 및 제2 연결부들; 및
    상기 제1 및 제2 연결부들 사이에 위치하고 상기 제1 냉매 공급 라인에 설치되는 제1 스위칭 밸브를 더 포함하고, 상기 보조 칠러는 상기 제1 및 제2 연결부들에 연결되는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 연결부들은 상기 제1 냉매 공급 라인으로부터 분기된 연결 라인들(coupling lines), 상기 연결 라인들에 설치되는 제2 스위칭 밸브들 및 연결 너트들(coupling nuts)을 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 냉각실에 전기적으로 접속되는 온도 감지부; 및
    상기 온도 감지부, 상기 제1 및 제2 스위칭 밸브들에 전기적으로 접속되는 제어부를 더 포함하되, 상기 온도 감지부로부터 상기 제어부에 전달된 온도값에 따라 상기 제어부가 상기 제1 및 제2 스위칭 밸브들을 온 또는 오프하는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 보조 칠러는
    보조 냉매실(auxiliary coolant room);
    상기 제1 및 제2 연결부들에 연결되고 상기 보조 냉매실로부터 연장되게 배치되는 보조 제2 냉매 공급라인들;
    상기 보조 냉매실에 인접하게 배치되는 제1 도체들;
    상기 제1 도체들로부터 이격되게 배치되는 제2 도체들;
    상기 제1 및 제2 도체들 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2 도체들을 전기적으로 접속시키는 제1 반도체들; 및
    상기 제2 도체들에 인가되는 제1 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 도체들에 인접하게 배치되는 냉각수 순환유로; 및
    상기 냉각수 순환유로에 연통되는 냉각수 공급실을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 도체들에 인접하게 배치되는 방열 핀들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 냉매 수집 라인(first coolant collecting line)에 설치되는 냉각수 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 주 칠러는
    상기 주 냉매실에 인접하게 배치되는 제1 열교환기(first heat exchanger);
    상기 제1 열교환기에 연결되는 제1 및 제2 냉각매체 유로들(first and second cooling medium passages);
    상기 제1 및 제2 냉각매체 유로들을 통해 상기 제1 열교환기와 연통되게 설치되는 제2 열교환기;
    상기 제1 및 제2 열교환기들 사이의 상기 제1 냉각매체 유로에 설치되는 콤프레셔; 및
    상기 제1 및 제2 열교환기들 사이의 상기 제2 냉각매체 유로에 설치되는 팽창기들(expansion valves)를 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 주 칠러는
    상기 주 냉매실에 인접하게 배치되는 제3 도체들;
    상기 제3 도체들로부터 이격되게 배치되는 제4 도체들;
    상기 제3 및 제4 도체들 사이에 배치되고, 상기 제3 및 제4 도체들을 전기적으로 접속시키는 제2 반도체들; 및
    상기 제4 도체들에 인가되는 제2 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  11. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 연통되는 공정가스 유입부;
    상기 공정 챔버 내에 배치되고 그 내부에 냉각실이 형성되는 웨이퍼 척;
    상기 냉각실과 상기 주 칠러를 연결하는 냉매 공급 라인;
    상기 냉각실과 상기 주 칠러를 연결하는 냉매 수집 라인;
    상기 냉매 공급 라인에 착탈 가능하도록 설치되는 보조 칠러;
    상기 공정 챔버에 연통되는 공정가스 배출부; 및
    상기 공정 챔버에 전기적으로 접속되는 제1 전원을 포함하는 반도체 소자 제조장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 냉매 공급 라인에 위치하는 제1 및 제2 연결부들; 및
    상기 제1 및 제2 연결부들 사이에 위치하고 상기 냉매 공급 라인에 설치되는 제1 스위칭 밸브를 더 포함하고, 상기 보조 칠러는 상기 제1 및 제2 연결부들에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 연결부들은 상기 냉매 공급 라인으로부터 분기된 연결 라인들(coupling lines), 상기 연결 라인들에 설치되는 제2 스위칭 밸브들 및 연결 너트들(coupling nuts)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 냉각실에 전기적으로 접속되는 온도 감지부; 및
    상기 온도 감지부, 상기 제1 및 제2 스위칭 밸브들에 전기적으로 접속되는 제어부를 더 포함하되, 상기 온도 감지부로부터 상기 제어부에 전달된 온도값에 따라 상기 제어부가 상기 제1 및 제2 스위칭 밸브들을 온 또는 오프하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 보조 칠러는
    상기 제1 및 제2 연결부들에 연결되는 보조 냉매실;
    상기 보조 냉매실에 인접하게 배치되는 제1 도체들;
    상기 제1 도체들로부터 이격되게 배치되는 제2 도체들;
    상기 제1 및 제2 도체들 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2 도체들을 전기적으로 접속시키는 제1 반도체들; 및
    상기 제2 도체들에 인가되는 제2 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제2 도체들에 인접하게 배치되는 냉각수 순환유로; 및
    상기 냉각수 순환유로에 연통되는 냉각수 공급실을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 제2 도체들에 인접하게 배치되는 방열 핀들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 냉매 수집 라인(coolant collecting line)에 설치되는 냉각수 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 주 칠러는
    상기 냉매 공급 라인 및 상기 냉매 수집 라인을 연결하는 제1 주 냉매실;
    상기 제1 주 냉매실에 인접하게 배치되는 제1 열교환기(first heat exchanger);
    상기 제1 열교환기에 연결되는 제1 및 제2 냉각매체 유로들;
    상기 제1 및 제2 냉각매체 유로들을 통해 상기 제1 열교환기와 연통되게 설치되는 제2 열교환기;
    상기 제1 및 제2 열교환기들 사이의 상기 제1 냉각매체 유로에 설치되는 콤프레셔; 및
    상기 제1 및 제2 열교환기들 사이의 상기 제2 냉각매체 유로에 설치되는 팽창기들(expansion valves)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 주 칠러는
    상기 냉매 공급 라인 및 상기 냉매 수집 라인을 연결하는 제2 주 냉매실;
    상기 제2 주 냉매실에 인접하게 배치되는 제3 도체들;
    상기 제3 도체들로부터 이격되게 배치되는 제4 도체들;
    상기 제3 및 제4 도체들 사이에 배치되고, 상기 제3 및 제4 도체들을 전기적으로 접속시키는 제2 반도체들; 및
    상기 제4 도체들에 인가되는 제3 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  21. 냉매(coolant)의 온도를 제어부에 설정하고,
    주 칠러 내의 냉매를 냉각하고,
    상기 주칠러에 의해 냉각된 냉매를 웨이퍼 척에 공급하고,
    상기 웨이퍼 척에 공급된 냉매의 온도를 측정하고,
    상기 냉매의 상기 측정된 온도와 상기 설정된 온도를 비교하고,
    상기 측정된 온도가 상기 설정된 온도 보다 높은 경우에 상기 냉각된 냉매를 상기 웨이퍼 척에 공급하는 것을 중단하고,
    상기 주 칠러에 의해 냉각된 냉매를 보조 칠러에 공급하고,
    상기 보조 칠러에 공급된 냉매를 추가 냉각하고, 및
    상기 추가 냉각된 냉매를 상기 웨이퍼 척에 공급하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 주 칠러 내의 냉매를 냉각하기 이전에 상기 웨이퍼 척에 공급된 냉매를 수집하고,
    상기 수집된 냉매를 가열하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 보조 칠러에 공급된 냉매를 추가 냉각하는 것은 열전 냉각 소자(thermo electric cooler)를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  24. 제 21 항에 있어서,
    주 칠러 내의 냉매를 냉각하는 것은
    냉각 매체를 압축하는 콤프레셔, 상기 압축된 냉각 매체를 응축하는 콘덴서, 상기 응축된 냉각 매체를 팽창하는 팽창기 및 상기 팽창된 냉각 매체를 증발시키는 증발기(evaporator)를 구비하는 기계식 냉각 소자(mechanical cooler)를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101227153B1 (ko) 2012-09-05 2013-01-31 (주)테키스트 열전소자를 이용한 반도체 제조 설비의 광역 온도제어시스템
KR101335435B1 (ko) * 2012-09-25 2013-11-29 유니셈(주) 반도체 제조설비용 냉각장치
KR101462837B1 (ko) * 2014-05-26 2014-11-17 파카코리아 주식회사 반도체 제조용 척의 냉각시스템
KR101564172B1 (ko) 2014-06-12 2015-10-28 주식회사 스피드터치 하이브리드 칠러
KR101937417B1 (ko) * 2018-04-05 2019-01-11 (주)테키스트 다단 냉각제어방식 반도체 제조 설비용 온도제어장치
KR20190064725A (ko) * 2017-12-01 2019-06-11 주식회사 아이오에프 증착영역을 냉각하는 유기물질 증착 화학기상 증착장비

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5401286B2 (ja) 2009-12-04 2014-01-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料台の温度制御機能を備えた真空処理装置及びプラズマ処理装置
JP6484642B2 (ja) 2014-02-14 2019-03-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 安定化された高温堆積のためのガス冷却式基板支持体
CN108281343A (zh) * 2018-01-22 2018-07-13 德淮半导体有限公司 静电吸盘温度控制系统
KR102608957B1 (ko) 2018-08-27 2023-12-01 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
JP2022507367A (ja) * 2018-11-20 2022-01-18 ラム リサーチ コーポレーション 半導体製造における二相冷却
WO2023043526A1 (en) * 2021-09-17 2023-03-23 Applied Materials, Inc. Energy efficiency improvement with continuous flow modulation in cluster tool

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040087499A (ko) * 2003-04-08 2004-10-14 삼성전자주식회사 베이크 시스템
KR20050109537A (ko) * 2003-03-07 2005-11-21 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치 및 온도 조절 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1120971C (zh) * 1995-11-14 2003-09-10 松下电器产业株式会社 建立包括除氧处理的制冷系统的方法
JP3347977B2 (ja) * 1997-07-02 2002-11-20 フリヂスター株式会社 液体循環型熱電冷却・加熱装置
KR100317829B1 (ko) * 1999-03-05 2001-12-22 윤종용 반도체 제조 공정설비용 열전냉각 온도조절장치
JP2002168551A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置の電極用冷却装置
US6508062B2 (en) * 2001-01-31 2003-01-21 Applied Materials, Inc. Thermal exchanger for a wafer chuck
US6759586B2 (en) * 2001-03-26 2004-07-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Thermoelectric module and heat exchanger

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050109537A (ko) * 2003-03-07 2005-11-21 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치 및 온도 조절 장치
KR20040087499A (ko) * 2003-04-08 2004-10-14 삼성전자주식회사 베이크 시스템

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101227153B1 (ko) 2012-09-05 2013-01-31 (주)테키스트 열전소자를 이용한 반도체 제조 설비의 광역 온도제어시스템
KR101335435B1 (ko) * 2012-09-25 2013-11-29 유니셈(주) 반도체 제조설비용 냉각장치
KR101462837B1 (ko) * 2014-05-26 2014-11-17 파카코리아 주식회사 반도체 제조용 척의 냉각시스템
KR101564172B1 (ko) 2014-06-12 2015-10-28 주식회사 스피드터치 하이브리드 칠러
KR20190064725A (ko) * 2017-12-01 2019-06-11 주식회사 아이오에프 증착영역을 냉각하는 유기물질 증착 화학기상 증착장비
KR102094820B1 (ko) * 2017-12-01 2020-03-31 주식회사 아이오에프 증착영역을 냉각하는 유기물질 증착 화학기상 증착장비
KR101937417B1 (ko) * 2018-04-05 2019-01-11 (주)테키스트 다단 냉각제어방식 반도체 제조 설비용 온도제어장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20080093057A1 (en) 2008-04-24

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