KR100745337B1 - Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Method using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 억셉터 기판과 도너필름의 전사층 사이의 밀착특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법에 관한 것이다. The present invention relates to a laser thermal transfer apparatus capable of improving the adhesion between the acceptor substrate and the transfer layer of the donor film and a laser thermal transfer method using the same.

본 발명의 레이저 열 전사 장치는 레이저 발진기를 이용하여 도너필름의 전사층을 유기 전계 발광소자의 발광층으로 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서, 상기 레이저 열 전사 장치 내에 자성체를 포함하는 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지 상부와 소정간격 이격되어 자석을 포함하는 밀착 프레임이 구비된다. The laser thermal imager of the present invention is a laser thermal imager which forms a transfer layer of a donor film as a light emitting layer of an organic electroluminescent element by using a laser oscillator, comprising: a substrate stage including a magnetic body in the laser thermal imager; An adhesion frame including a magnet spaced apart from the upper portion of the substrate stage by a predetermined distance is provided.

이에 따라, 억셉터 기판과 도너필름의 전사층 사이의 밀착특성을 향상시킬 수 있으며, 유기 소자의 수명, 수율 및 신뢰성를 향상시킬 수 있다. Accordingly, the adhesion property between the acceptor substrate and the transfer layer of the donor film can be improved, and the life, yield and reliability of the organic device can be improved.

라미네이션, 도너필름, 자성체, 밀착판, 자석  Lamination, Donor Film, Magnetic Material, Contact Sheet, Magnet

Description

레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법{Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Method using the same}Laser thermal transfer device and laser thermal transfer method using the device {Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Method using the same}

도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열 전사 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a laser thermal transfer apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 레이저 열 전사 장치의 사시도.2 is a perspective view of a laser thermal transfer apparatus according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 레이저 발진기를 나타내는 구성도.3 is a block diagram showing a laser oscillator according to the present invention.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 레이저 열전사장치에 따른 레이저 열 전사법의 단계별 단면도.4A to 4F are step-by-step cross-sectional views of the laser thermal transfer method according to the laser thermal transfer apparatus of the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 레이저 열 전사법을 도시하는 블럭도. 5 is a block diagram showing a laser thermal transfer method according to the present invention.

♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣♣ Explanation of symbols for the main parts of the drawing ♣

210 : 공정챔버 220 : 레이저 발진기   210: process chamber 220: laser oscillator

230: 밀착 프레임 트레이 240 : 도너필름 트레이  230: close contact frame tray 240: donor film tray

250 : 억셉터 기판 260 : 기판 스테이지  250: acceptor substrate 260: substrate stage

본 발명은 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 자성체를 구비된 기판 스테이지와, 자석을 포함하는 밀착 프레임을 구비함으로써, 억셉터 기판과 전사층의 밀착특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser thermal transfer apparatus and a laser thermal transfer method using the apparatus, and more particularly, has a substrate stage with a magnetic body and an adhesion frame including a magnet, thereby providing a close contact between the acceptor substrate and the transfer layer. A laser thermal transfer apparatus capable of improving the temperature and a laser thermal transfer method using the apparatus.

일반적으로, 레이저 열 전사법(LITI: Laser Induced Thermal Imaging)을 수행하기 위해서는 적어도 레이저빔, 억셉터 기판 및 도너필름을 필요로 한다. 도너필름은 기재기판, 광-열 변환층 및 전사층을 포함한다. In general, at least a laser beam, an acceptor substrate, and a donor film are required to perform laser induced thermal imaging (LITI). The donor film includes a base substrate, a light-to-heat conversion layer, and a transfer layer.

레이저 열 전사 공정에 있어서는 전사층을 억셉터 기판에 대향 되도록 하여 도너필름을 억셉터 기판 상에 라미네이션한 후, 기재기판 상에 레이저빔을 조사한다. 기재기판 상에 조사된 레이저빔은 광-열 변환층에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 열에너지에 의해 전사층은 억셉터 기판 상으로 전사된다. In the laser thermal transfer process, the donor film is laminated on the acceptor substrate with the transfer layer facing the acceptor substrate, and then the laser beam is irradiated onto the base substrate. The laser beam irradiated onto the substrate is absorbed by the light-to-heat conversion layer and converted into thermal energy, and the transfer layer is transferred onto the acceptor substrate by the thermal energy.

이하에서는 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 레이저 열 전사법을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a laser thermal transfer method according to the related art will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열 전사 장치의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a laser thermal transfer apparatus according to the prior art.

도 1을 참고하면, 상기 챔버(100) 내의 하부에 스테이지(110)를 마련한다. 상기 스테이지(110)는 억셉터 기판(140)과 도너필름(160)을 각각 정렬되게 하기 위해 제1 정열홈(170)과 제2 정열홈(180)을 형성한다. 상기 제2 정렬홈(180)은 상기 제1 정열홈(170)과 단차를 이루며 형성된다. 상기 스테이지(110) 상에 형성된 제1 정렬홈(170)의 형상을 따라 상기 억셉터 기판(140)이 위치되고, 상기 스테이지(110) 상에 형성된 제2 정렬홈(180)의 형상을 따라 상기 도너필름(160)이 위치된다. Referring to FIG. 1, a stage 110 is provided below the chamber 100. The stage 110 forms a first alignment groove 170 and a second alignment groove 180 to align the acceptor substrate 140 and the donor film 160, respectively. The second alignment groove 180 is formed to form a step with the first alignment groove 170. The acceptor substrate 140 is positioned along the shape of the first alignment groove 170 formed on the stage 110, and the shape of the second alignment groove 180 is formed on the stage 110. The donor film 160 is located.

상기 억셉터 기판(140) 상에 상기 도너필름(160)이 라미네이션된 후, 레이저 발진기(190)를 이용하여 상기 도너필름(160)의 상부에 레이저를 조사하여, 상기 도너필름(160)의 전사층(미도시)을 상기 억셉터 기판(140) 상에 전사한다. After the donor film 160 is laminated on the acceptor substrate 140, the laser is irradiated onto the donor film 160 using the laser oscillator 190 to transfer the donor film 160. A layer (not shown) is transferred onto the acceptor substrate 140.

그러나 상기 도너필름(160)의 전사층(미도시)과 상기 억셉터 기판(140) 사이에 공극또는 이물질(150) 등이 포함될 수 있다. 따라서, 제1 정열홈(170) 및 제2 정렬홈(180) 하부영역의 일구간에 호스를 연결하여 진공펌프(130)로 산소 또는 이물질 등을 빨아들여야 한다. However, a gap or foreign material 150 may be included between the transfer layer (not shown) of the donor film 160 and the acceptor substrate 140. Therefore, the hose should be connected to one section of the lower region of the first alignment groove 170 and the second alignment groove 180 to suck oxygen or foreign matter into the vacuum pump 130.

또한, 이러한 종래기술은 유기 발광 소자를 제작하는 다른 공정이 진공챔버 내에서 진행되는 것과는 달리 대기 중에서 이루어짐으로써, 산소 및 수분 등에 의해 유기 발광 소자의 신뢰성, 수명 및 소자특성의 저하를 야기시킨다. In addition, this conventional technique is performed in the air, unlike other processes for manufacturing the organic light emitting device is carried out in the vacuum chamber, causing degradation of the reliability, lifespan and device characteristics of the organic light emitting device by oxygen and moisture.

이러한 문제점들을 해소하고자, 유기 발광 소자의 전사 공정을 진공챔버 내에서 수행하도록 한다. In order to solve these problems, the transfer process of the organic light emitting device is performed in a vacuum chamber.

그러나, 유기 발광 소자의 전사 공정을 진공챔버 내에서 수행할 경우, 유기 발광 표시 소자의 신뢰성, 수명 및 소자특성이 향상될 수 있으나, 전사층과 억셉터 기판 사이에 미세한 공극(구멍) 또는 이물질 등이 발생되어도 진공펌프 또는 진공을 이용한 라미네이팅법을 이용하는 공정을 수행할 수가 없어, 전사층과 억셉터 기판 사이의 밀착특성은 더욱 저하되는 문제점을 갖는다. However, when the transfer process of the organic light emitting device is performed in a vacuum chamber, the reliability, lifespan, and device characteristics of the organic light emitting display device may be improved, but fine pores (pores) or foreign matter between the transfer layer and the acceptor substrate may be improved. Even if this occurs, the process using the laminating method using the vacuum pump or the vacuum cannot be performed, and thus the adhesion property between the transfer layer and the acceptor substrate is further degraded.

따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해소하기 위해 도출된 발명으로, 진공챔버 내에 자성체를 포함하는 기판 스테이지와 자석을 포함하는 밀착프레임을 구비함으로써 억셉터 기판과 도너필름의 전사층 사이의 밀착특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법을 제공함에 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems. The present invention provides a close contact between the acceptor substrate and the transfer layer of the donor film by providing a close contact frame including a magnet and a substrate stage including a magnetic material in a vacuum chamber. It is an object of the present invention to provide a laser thermal transfer apparatus capable of improving characteristics and a laser thermal transfer method using the apparatus.

전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명의 레이저 열 전사 장치는 레이저 발진기를 이용하여 도너필름의 전사층을 유기 전계 발광소자의 발광층으로 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서, 상기 레이저 열 전사 장치 내에 전자석이 포함된 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지 상부와 소정간격 이격되어 자석을 포함하는 밀착 프레임이 구비된다. According to an aspect of the present invention, to achieve the above object, the laser thermal transfer apparatus of the present invention in the laser thermal transfer apparatus for forming a transfer layer of the donor film as a light emitting layer of the organic electroluminescent element using a laser oscillator The substrate stage includes an electromagnet in the laser thermal transfer apparatus, and a close contact frame including a magnet spaced apart from the upper portion of the substrate stage by a predetermined distance.

바람직하게, 상기 자석과 상기 자성체 사이에는 자기력이 작용하며, 상기 자석은 전자석 또는 영구자석으로 이루어진다. Preferably, a magnetic force acts between the magnet and the magnetic body, and the magnet is made of an electromagnet or a permanent magnet.

상기 전자석은 전압을 인가하기 위한 전기배선이 포함된다.  The electromagnet includes electric wiring for applying a voltage.

상기 영구자석은 적어도 하나의 막대 또는 원통형상으로 형성되거나, 상기 영구자석은 자성 나노 파티클로 이루어지며, 상기 자성 나노 파티클은 스핀 코팅, E-Beam 증착 또는 잉크젯 공정 중 어느 하나를 이용한다. The permanent magnet is formed in at least one rod or cylindrical shape, or the permanent magnet is made of magnetic nanoparticles, the magnetic nanoparticles using any one of spin coating, E-Beam deposition or inkjet process.

상기 자성체는 철, 니켈, 크롬 또는 자성을 갖는 유기물, 자성을 갖는 무기물 및 자성 나노 입자 중 적어도 하나의 물질로 형성된다. The magnetic body is formed of at least one material of iron, nickel, chromium, or a magnetic substance having magnetic properties, a magnetic substance having magnetic properties, and magnetic nanoparticles.

이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 도시한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 레이저 열 전사 장치의 사시도이다.2 is a perspective view of a laser thermal transfer apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 레이저 열 전사 장치(200)는 레이저 발진기(220)를 이용하 여 자성체를 포함하는 기판 스테이지(260)와, 상기 기판 스테이지(260) 상부에 위치되는 도너필름(241)과 상기 도너필름(241) 상부에 위치되는 자석을 포함하는 밀착 프레임(232)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the laser thermal imager 200 includes a substrate stage 260 including a magnetic material using a laser oscillator 220, a donor film 241 positioned on the substrate stage 260, and the The contact frame 232 includes a magnet located on the donor film 241.

상기 레이저 열 전사 장치(200)의 공정챔버(210) 하부에는 적어도 하나의 자성체를 포함하는 기판 스테이지(260)가 형성된다. 상기 기판 스테이지(260)는 상기 공정챔버(210) 내로 도입되는 상기 억셉터 기판(250)과 상기 도너필름(241)을 각각 순차적으로 위치시키기 위한 스테이지로써, 공정챔버(210)의 저면에 위치한다.The substrate stage 260 including at least one magnetic material is formed under the process chamber 210 of the laser thermal transfer apparatus 200. The substrate stage 260 is a stage for sequentially placing the acceptor substrate 250 and the donor film 241 which are introduced into the process chamber 210, respectively, and is located on the bottom surface of the process chamber 210. .

상기 자성체(264)는 상기 기판 스테이지(260)의 상부, 하부, 내부 또는 자성체(264) 자체가 상기 기판 스테이지(260) 전체로 형성될 수 있다. 상기 자성체(264)는 자석에 붙는 일반적인 물질로 이루어지며, 예컨데 철(Fe), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 이들의 합금(Fe3O4, CoFeO4, MnFeO4) 또는 자석에 붙는 모든 무기·유기 물질 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. The magnetic body 264 may include an upper portion, a lower portion, an inner portion of the substrate stage 260, or the magnetic substance 264 itself as the entire substrate stage 260. The magnetic material 264 is made of a general material attached to the magnet, for example iron (Fe), nickel (Ni), chromium (Cr) and their alloys (Fe 3 O 4 , CoFeO 4 , MnFeO 4 ) or attached to the magnet It may consist of at least one of all inorganic and organic materials.

상기 억셉터 기판(250)은 상기 기판 지지대(265) 상에 위치된다. 상기 억셉터 기판(250)은 상기 기판 스테이지(260) 내부에 형성된 소정수의 제1 정열홈(261)을 통해 상부 방향으로 상승된 상기 기판 지지대(265) 상에 안착된 후, 상기 억셉터 기판(250)이 안착된 기판 지지대(265)를 하부 방향으로 하강시켜 상기 억셉터 억셉터 기판(250)을 상기 기판 스테이지260) 상에 안착시킨다. 상기 기판 지지대(265)는 상기 기판 스테이지(260) 내부에 형성된 제1 정열홈(261)을 통해 상부 또 는 하부로 이동될 수 있다. 이때, 상기 억셉터 기판(250)은 서브픽셀 단위로 형성된 박막 트랜지스터(미도시)가 소정수 구비된다. The acceptor substrate 250 is located on the substrate support 265. The acceptor substrate 250 is seated on the substrate support 265 which is lifted upward through a predetermined number of first alignment grooves 261 formed in the substrate stage 260, and then the acceptor substrate 250. The acceptor acceptor substrate 250 is seated on the substrate stage 260 by lowering the substrate support 265 on which the 250 is mounted. The substrate support 265 may be moved upward or downward through the first alignment groove 261 formed in the substrate stage 260. In this case, the acceptor substrate 250 includes a predetermined number of thin film transistors (not shown) formed in subpixel units.

상기 도너필름(241)이 구비된 도너필름 트레이(240)를 상기 억셉터 기판(250) 상부에 위치시킨다. 상기 도너필름(241)이 구비된 도너필름 트레이(240)는 상기 기판 스테이지(260) 내부에 형성된 소정수의 제2 정열홈(262)을 통해 상부 방향으로 상승된 상기 도너필름 지지대(266) 상에 안착된 후, 상기 도너필름 지지대(266)를 하부 방향으로 하강시켜 상기 도너필름(241)이 구비된 도너필름 트레이(240)를 상기 기판 스테이지(260) 상에 안착시킨다. 상기 도너필름 트레이(240)의 중심에는 개구부가 형성되어 있고, 상기 개구부에는 상기 도너필름(241)이 개재되어있다. 상기 도너필름(241)은, 적어도 기재 기판, 광-열 변환층 및 전사층을 구비하며, 광-열 변환층과 전사층 사이에 중간층이 더 구비될 수 있다. 상기 도너필름(241)이 상기 억셉터 기판(250) 상에 위치될 때, 상기 도너필름의 전사층이 상기 억셉터 기판(250)과 대향되도록 위치시킨다. The donor film tray 240 having the donor film 241 is positioned on the acceptor substrate 250. The donor film tray 240 having the donor film 241 is formed on the donor film support 266 that is raised upward through a predetermined number of second alignment grooves 262 formed in the substrate stage 260. After being mounted on the donor film support 266, the donor film tray 240 having the donor film 241 is mounted on the substrate stage 260 by lowering the donor film support 266 downward. An opening is formed in the center of the donor film tray 240, and the donor film 241 is interposed in the opening. The donor film 241 may include at least a substrate substrate, a light-to-heat conversion layer, and a transfer layer, and an intermediate layer may be further provided between the light-to-heat conversion layer and the transfer layer. When the donor film 241 is positioned on the acceptor substrate 250, the transfer layer of the donor film is positioned to face the acceptor substrate 250.

상기 자석(234)을 포함하는 밀착프레임(232)은 상기 기판 스테이지(260) 내부에 형성된 자성체(264)와 자기력을 형성하여 상기 기판 스테이지(260)와 상기 밀착프레임(232) 사이에 위치하는 상기 억셉터 기판(250)과 상기 도너필름(241)을 강력하게 라미네이팅 한다. 상기 자석(234)은 전자석 또는 영구자석으로 이루어지며, 상기 밀착 프레임(232)의 상부, 하부, 내부 또는 상기 자석(234) 자체가 상기 밀착 프레임(232) 전체로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 영구자석은 적어도 하나의 막대, 원통형상 또는 자성 나노 파티클 중 하나로 이루어질 수 있으며, 자성 나노 파티클로 형성될 경우, E-Beam 증착 또는 잉크젯 공정 중 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있다. 한편, 상기 자석(234)이 전자석으로 형성될 경우 상기 전자석 상에 전압을 인가해주기 위한 전기배선이 형성된다. The close contact frame 232 including the magnet 234 forms a magnetic force with the magnetic body 264 formed inside the substrate stage 260, and thus is located between the close contact frame 232 and the close contact frame 232. The acceptor substrate 250 and the donor film 241 are strongly laminated. The magnet 234 is made of an electromagnet or a permanent magnet, the upper, lower, inner or the magnet 234 itself of the contact frame 232 may be formed of the entire contact frame 232. In addition, the permanent magnet may be formed of at least one rod, cylindrical shape or magnetic nanoparticles, and when formed of magnetic nanoparticles, may be formed using any one of an E-Beam deposition or an inkjet process. On the other hand, when the magnet 234 is formed of an electromagnet is formed an electrical wiring for applying a voltage on the electromagnet.

또한, 상기 밀착프레임(232)은 레이저가 통과될 수 있는 개구홈(233)이 구비된다. 상기 개구홈(233)이 형성됨에 따라 상기 레이저 발진기(220)에서 조사되는 레이저가 상기 도너필름(241) 상에 조사된다. 상기 개구홈(233)은 상기 도너필름(241)의 전사될 영역에 대응하는 크기의 홈이 형성된다. In addition, the close contact frame 232 is provided with an opening groove 233 through which the laser can pass. As the opening groove 233 is formed, the laser irradiated from the laser oscillator 220 is irradiated onto the donor film 241. The opening groove 233 has a groove size corresponding to a region to be transferred of the donor film 241.

상기 밀착프레임 이동수단(231)은 상기 밀착 프레임(232)이 개재된 상기 밀착 프레임 트레이(230)을 상기 기판 스테이지(260) 방향으로 왕복 이동하게 하는 수단이다. The close frame moving means 231 is a means for reciprocating the close frame frame 230 in which the close frame 232 is interposed in the direction of the substrate stage 260.

상기 레이저 발진기(220)는 상기 공정챔버(210) 상부에 위치된다. 상기 레이저 발진기(220)는 상기 공정챔버(210)의 외부 또는 내부에 설치될 수 있으며, 상기 레이저 발진기(220)에서 발생하는 레이저가 상기 도너필름(241) 상부에서 전사될 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다. The laser oscillator 220 is located above the process chamber 210. The laser oscillator 220 may be installed outside or inside the process chamber 210, and the laser oscillator 220 may be installed so that the laser generated from the laser oscillator 220 may be transferred on the donor film 241. Do.

도 3은 본 발명에 따른 레이저 발진기를 나타내는 구성도이다.3 is a block diagram showing a laser oscillator according to the present invention.

상기 레이저 발진기(220)는 상기 도너필름(241) 상부에 위치된다. 상기 레이저 발진기(220)는 챔버의 외부 또는 내부에 설치될 수 있으며, 상기 레이저 발진기(220)에서 발생하는 레이저가 도너필름 상부에서 비춰질 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 레이저 발진기(220)의 개략적이 구성도인 도 3에 따르면, 본 실시 예에서 레이저 발진기는 CW ND:YAG 레이저(1604nm)를 사용하고, 2개의 갈바노미터 스캐너(221,222)를 구비하며, 스캔렌즈(223) 및 실린더렌즈(224)를 구비하나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 레이저 발진기(220)에 의해 발생된 레이저빔은 상기 프로젝션 렌즈(224)를 통과하여 상기 억셉터 기판(250) 상에 라미네이 션된 상기 도너필름(241) 상부에서 조사된다. The laser oscillator 220 is positioned above the donor film 241. The laser oscillator 220 may be installed outside or inside the chamber, and the laser oscillator 220 may be installed so that the laser generated from the laser oscillator 220 may be projected on the donor film. In addition, according to FIG. 3, which is a schematic configuration diagram of the laser oscillator 220, the laser oscillator in the present embodiment uses a CW ND: YAG laser (1604 nm) and includes two galvanometer scanners 221 and 222. The scan lens 223 and the cylinder lens 224 are provided, but the present invention is not limited thereto. The laser beam generated by the laser oscillator 220 passes through the projection lens 224 and is irradiated on the donor film 241 laminated on the acceptor substrate 250.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 레이저 열전사장치에 따른 레이저 열 전사법의 단계별 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 레이저 열 전사법을 도시하는 블럭도이다. 4A to 4F are step-by-step cross-sectional views of the laser thermal transfer method according to the laser thermal transfer apparatus of the present invention, and FIG. 5 is a block diagram showing the laser thermal transfer method according to the present invention.

도 4a를 참조하면, 본 레이저 열 전사법을 설명하기 위해서는, 우선, 이송 챔버(400) 내에 로봇팔(420)과 엔드이펙트(end-effector:410)를 로딩한다. 상기 이송 챔버(400)는 진공 분위기를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 이송챔버(400) 내에 로딩된 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 억셉터 기판(250)을 안착시킨다. (S1참조) Referring to FIG. 4A, in order to explain the present laser thermal transfer method, first, the robot arm 420 and an end effector 410 are loaded into the transfer chamber 400. The transfer chamber 400 preferably maintains a vacuum atmosphere. An acceptor substrate 250 is seated on the end effector 410 loaded in the transfer chamber 400. (See S1)

도 4b를 참조하면, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 안착된 상기 억셉터 기판(250)을 상기 공정챔버(210) 내로 이송시키기 위해, 상기 엔드이펙트(end-effector:410)를 상기 공정챔버(210) 내로 이송시킨다. 이 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 안착 된 상기 억셉터 기판(250)은 상기 기판 스테이지(260) 내부에 형성된 소정수의 관통 홀을 통해 상부 방향으로 상승된 상기 기판 지지대(265) 상에 안착된다. 상기 기판 지지대(265)는 상기 기판 스테이지(260)의 관통 홀을 통해 상부 또는 하부로 이동할 수 있다. 이 후, 상기 억셉터 기판(250)을 상기 기판 스테이지(260) 상에 안착시키기 위해, 상기 기판 지지대(265)를 하부 방향으로 하강시켜 상기 억셉터 기판(250)을 상기 기판 스테이지(260) 상에 안착시킨다. 상기 기판 스테이지(260)는 자성체를 포함하며, 상기 자성체는 상기 기판 스테이지(260)의 상부, 하부, 내부 또는 자성체 자체가 상기 기판 스테이지(260) 전체로 형성될 수 있다. 이때, 상기 공정챔버(210)는 진공 분위기를 유지하는 것이 바람직하다. (S2참조) Referring to FIG. 4B, the end effector 410 is moved to transfer the acceptor substrate 250 seated on the end effector 410 into the process chamber 210. Transfer to the process chamber 210. Subsequently, the acceptor substrate 250 mounted on the end effector 410 is lifted upward through a predetermined number of through holes formed in the substrate stage 260. 265). The substrate support 265 may move upward or downward through a through hole of the substrate stage 260. Thereafter, in order to seat the acceptor substrate 250 on the substrate stage 260, the substrate support 265 is lowered to lower the acceptor substrate 250 on the substrate stage 260. Settle on The substrate stage 260 may include a magnetic material, and the magnetic material may be formed on the substrate stage 260 as an upper portion, a lower portion, an inner portion, or a magnetic material itself. In this case, the process chamber 210 preferably maintains a vacuum atmosphere. (See S2)

도 4c를 참조하면, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 안착 된 상기 억셉터 기판(250)을 상기 기판 지지대(265) 상에 안착시킨 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:410)를 상기 이송 챔버(400) 내로 이송시킨다. 이 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 도너필름(241)이 개재된 도너필름 트레이(240)를 위치시킨다. 상기 도너필름(241)은 기재기판, 광-열 변환층, 중간층 및 전사층이 포함된다. Referring to FIG. 4C, the acceptor substrate 250 mounted on the end effector 410 is seated on the substrate support 265, and then the end effector 410 is mounted. Is transferred into the transfer chamber 400. Thereafter, the donor film tray 240 having the donor film 241 interposed thereon is placed on the end effector 410. The donor film 241 includes a base substrate, a light-to-heat conversion layer, an intermediate layer, and a transfer layer.

도 4d를 참조하면, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 안착 된 상기 도너필름(241)이 개재된 도너필름 트레이(240)를 상기 공정챔버(210) 내로 이동시킨다. 상기 공정챔버(210) 내로 이동된 상기 도너필름 트레이(240)는 상기 도너필름 지지대(266) 상에 안착시킨다. 또한, 상기 도너필름(241)의 전사층은 상기 억셉터 기판(250) 상부에 대향되도록 위치시킨다. (S3참조) Referring to FIG. 4D, the donor film tray 240 including the donor film 241 seated on the end effector 410 is moved into the process chamber 210. The donor film tray 240 moved into the process chamber 210 is seated on the donor film support 266. In addition, the transfer layer of the donor film 241 is positioned to face the upper portion of the acceptor substrate 250. (See S3)

도 4e를 참조하면, 상기 도너필름 트레이(240)를 상기 도너필름 지지대(266) 상에 안착시킨 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:410)를 상기 이송 챔버(400) 내로 이송한다. 이 후, 상기 도너필름 지지대(266) 상에 안착된 상기 도너필름 트레이(240)의 도너필름(241)을 상기 억셉터 기판(250) 상에 라미네이션 하기 위해, 상기 밀착 프레임 이송수단(231)을 하부 방향으로 하강시켜 상기 도너필름(241)을 상기 억셉터 기판(250) 상에 라미네이션 시킨다. 이 때 상기 공정챔버(210) 하부에 형성된 자성체를 포함하는 상기 기판 스테이지(230)와 자석을 포함하는 상기 밀 착 프레임(232) 사이에 자기력이 작용함으로써 상기 억셉터 기판(250)과 상기 도너필름(241)의 전사층 사이에 밀착특성은 더욱 향상된다.(S4참조) Referring to FIG. 4E, after placing the donor film tray 240 on the donor film support 266, the end effector 410 is transferred into the transfer chamber 400. Thereafter, in order to laminate the donor film 241 of the donor film tray 240 seated on the donor film support 266 on the acceptor substrate 250, the close frame transfer means 231 may be used. The donor film 241 is laminated on the acceptor substrate 250 by descending downward. In this case, a magnetic force is applied between the substrate stage 230 including the magnetic material formed below the process chamber 210 and the adhesion frame 232 including the magnet, thereby allowing the acceptor substrate 250 and the donor film. The adhesion between the transfer layers of 241 is further improved. (See S4.)

도 6f를 참조하면, 상기 도너필름(241)의 전사층을 상기 억셉터 기판(250) 상에 전사시키기 위해 상기 이송 챔버(400)와 상기 공정챔버(210) 사이에 형성된 게이트 밸브(300)를 닫아준다. 이때, 상기 공정챔버(210) 내부 또는 외부에 형성된 레이저 발진기(220)가 작동되어 상기 도너필름(241) 상에 레이저를 조사시킨다. 상기 레이저 발진기(220)는 상기 전사층이 전사되는 라인(line)별로 이송 가능하다. 이에 따라, 상기 전사층은 상기 억셉터 기판(250) 상부에 전사되어, 유기 전계 발광소자의 발광층을 형성한다. (S5참조)Referring to FIG. 6F, a gate valve 300 formed between the transfer chamber 400 and the process chamber 210 to transfer the transfer layer of the donor film 241 onto the acceptor substrate 250 is provided. Close it. At this time, the laser oscillator 220 formed inside or outside the process chamber 210 is operated to irradiate a laser onto the donor film 241. The laser oscillator 220 may be transported for each line to which the transfer layer is transferred. Accordingly, the transfer layer is transferred onto the acceptor substrate 250 to form a light emitting layer of the organic EL device. (See S5)

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 진공하에서 자력을 이용하여 도너필름과 억셉터 기판을 라미네이팅 할 수 있게 되어 유기 발광소자의 이전 공정과 동일하게 진공상태를 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 도너필름과 억셉터 기판 사이에 이물질이나 공극이 발생하는 것을 방지하면서 라미네이팅하여 유기 발광소자의 발광층의 전사가 보다 효율적으로 이루어진다. 이에 따라, 유기 발광 소자의 수명, 수율 및 신뢰성를 유지할 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to laminate the donor film and the acceptor substrate by using a magnetic force under vacuum, and not only can maintain the vacuum state in the same manner as the previous process of the organic light emitting element, but also the donor film and the acceptor. The lamination is performed while preventing foreign substances or voids from occurring between the substrates, so that the transfer of the light emitting layer of the organic light emitting device is performed more efficiently. Accordingly, the lifespan, yield and reliability of the organic light emitting device can be maintained.

Claims (16)

레이저 발진기를 이용하여 도너필름의 전사층을 유기 전계 발광소자의 발광층으로 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서, In the laser thermal transfer apparatus for forming a transfer layer of the donor film as a light emitting layer of the organic EL device using a laser oscillator, 상기 레이저 열 전사 장치 내에 자성체를 포함하는 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지 상부와 소정간격 이격되어 자석을 포함하는 밀착 프레임이 구비되는 레이저 열 전사 장치. And a substrate stage including a magnetic material in the laser thermal transfer apparatus, and a close contact frame including a magnet spaced apart from the upper portion of the substrate stage by a predetermined distance. 제1 항에 있어서, 상기 자석과 상기 자성체 사이에는 자기력이 작용하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치. The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 1, wherein a magnetic force acts between the magnet and the magnetic body. 제1 항에 있어서, 상기 자석은 상기 밀착 프레임의 상부, 상기 밀착 프레임의 하부 또는 상기 밀착 프레임의 내부 중 어느 한곳에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 1, wherein the magnet is formed at any one of an upper portion of the contact frame, a lower part of the contact frame, or an inside of the contact frame. 레이저 발진기를 이용하여 도너필름의 전사층을 유기 전계 발광소자의 발광층으로 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서, In the laser thermal transfer apparatus for forming a transfer layer of the donor film as a light emitting layer of the organic EL device using a laser oscillator, 상기 레이저 열 전사 장치 내에 자성체를 포함하는 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지 상부와 소정간격 이격되어 자석으로 형성된 밀착 프레임이 구비되는 레이저 열 전사 장치.And a substrate stage including a magnetic material in the laser transfer apparatus, and a close contact frame formed of a magnet at a predetermined interval from an upper portion of the substrate stage. 제1 항에 있어서, 상기 밀착 프레임은 상기 도너필름의 전사될 부분에 대응하는 패턴의 개구부가 형성되는 레이저 열 전사 장치. The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 1, wherein the close contact frame has an opening having a pattern corresponding to a portion to be transferred of the donor film. 제1 항에 있어서, 상기 자석은 전자석 또는 영구자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 1, wherein the magnet is made of an electromagnet or a permanent magnet. 제6 항에 있어서, 상기 전자석은 전압을 인가하기 위한 전기배선이 포함되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치. 7. The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 6, wherein the electromagnet includes electrical wiring for applying a voltage. 제6 항에 있어서, 상기 영구자석은 적어도 하나의 막대 또는 원통형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치. 7. The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 6, wherein the permanent magnet is formed in at least one rod or cylindrical shape. 제6 항에 있어서, 상기 영구자석은 자성 나노 파티클로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치. 7. The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 6, wherein the permanent magnet is made of magnetic nanoparticles. 제9 항에 있어서, 상기 자성 나노 파티클은 스핀 코팅, E-Beam 증착 또는 잉크젯 공정 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치. 10. The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 9, wherein the magnetic nanoparticles use any one of spin coating, E-Beam deposition, or inkjet process. 제1 항에 있어서, 상기 자성체는 철, 니켈, 크롬 또는 자성을 갖는 유기물, 자성을 갖는 무기물 및 자성 나노 입자 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 1, wherein the magnetic body is formed of at least one of iron, nickel, chromium, or an organic material having magnetic properties, an inorganic material having magnetic properties, and magnetic nanoparticles. 제11 항에 있어서, 상기 자성체는 상기 기판 스테이지의 상부, 상기 기판 스테이지의 하부 또는 상기 기판 스테이지의 내부 중 어느 한곳에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.12. The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 11, wherein the magnetic material is formed at any one of an upper portion of the substrate stage, a lower portion of the substrate stage, or an interior of the substrate stage. 제11 항에 있어서, 상기 자성체는 상기 기판 스테이지 자체인 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치. 12. The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 11, wherein the magnetic material is the substrate stage itself. 제1 항에 있어서, 상기 기판 스테이지는 소정수의 관통 홀을 통해 상기 기판 스테이지 상에 안착되는 억셉터 기판을 상부 또는 하부로 이동시키는 기판 지지대를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사장치.The laser induced thermal imaging apparatus according to claim 1, wherein the substrate stage further comprises a substrate support for moving the acceptor substrate mounted on the substrate stage upward or downward through a predetermined number of through holes. 챔버 내에 자성체를 포함하는 기판 스테이지 상에 억셉터 기판을 위치시키는 단계,Positioning the acceptor substrate on a substrate stage comprising a magnetic material in the chamber, 상기 억셉터 기판 상부에 적어도 기재기판, 광-열 변환층 및 전사층이 구비된 도너필름을 위치시키는 단계, Placing a donor film having at least a substrate substrate, a light-to-heat conversion layer, and a transfer layer on the acceptor substrate; 상기 도너필름 상부에 자성이 구비된 밀착 프레임을 위치시키는 단계,Positioning the close contact frame provided with a magnet on the donor film, 상기 도너필름을 상기 억셉터 기판 상에 라미네이션 하는 단계,Laminating the donor film on the acceptor substrate, 상기 도너필름 상에 레이저빔을 조사하여 상기 도너필름의 전사층 일부를 상기 억셉터 기판 상에 전사시키는 단계를 포함하는 레이저 열 전사 장치를 이용한 레이저 열 전사법. And irradiating a laser beam on the donor film to transfer a portion of the transfer layer of the donor film onto the acceptor substrate. 제15 항에 있어서, 상기 챔버는 진공챔버인 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치를 이용한 레이저 열 전사법. 16. The laser thermal transfer method according to claim 15, wherein the chamber is a vacuum chamber.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11158605A (en) 1997-12-01 1999-06-15 Anelva Corp Vacuum deposition apparatus, its mask attaching and detaching device thereof and mask alignment method
US6695029B2 (en) 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device
KR20060021213A (en) * 2004-09-02 2006-03-07 삼성에스디아이 주식회사 Method of fabricating donor substrate and method of fabricating oled using the same
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Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11158605A (en) 1997-12-01 1999-06-15 Anelva Corp Vacuum deposition apparatus, its mask attaching and detaching device thereof and mask alignment method
US6695029B2 (en) 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device
KR20060021213A (en) * 2004-09-02 2006-03-07 삼성에스디아이 주식회사 Method of fabricating donor substrate and method of fabricating oled using the same
KR20060034586A (en) * 2004-10-19 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 Substrate supporting frame, substrate supporting frame assembly including the frame, method for framing a substrate using the frame, fabrication method for donor substrate using the substrate supporting frame and fabrication method for oled using the donor substrate

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