KR100700825B1 - Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same - Google Patents

Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same Download PDF

Info

Publication number
KR100700825B1
KR100700825B1 KR1020050080343A KR20050080343A KR100700825B1 KR 100700825 B1 KR100700825 B1 KR 100700825B1 KR 1020050080343 A KR1020050080343 A KR 1020050080343A KR 20050080343 A KR20050080343 A KR 20050080343A KR 100700825 B1 KR100700825 B1 KR 100700825B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting layer
organic light
donor film
laser
Prior art date
Application number
KR1020050080343A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070024818A (en
Inventor
노석원
김무현
성진욱
송명원
김선호
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050080343A priority Critical patent/KR100700825B1/en
Priority to US11/507,792 priority patent/US7817175B2/en
Priority to JP2006234478A priority patent/JP4723438B2/en
Priority to TW095131945A priority patent/TW200721891A/en
Publication of KR20070024818A publication Critical patent/KR20070024818A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100700825B1 publication Critical patent/KR100700825B1/en
Priority to US12/882,178 priority patent/US8537185B2/en
Priority to US13/928,270 priority patent/US8623583B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 자기력을 이용하여 도너필름과 억셉터 기판을 라미네이팅하는 공정을 포함하는 레이저 열전사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a laser thermal transfer apparatus including a process of laminating a donor film and an acceptor substrate using a magnetic force.

본 발명의 레이저 열전사 장치는 제1 내지 제3 색상 유기 발광층을 포함하는 적어도 세 개의 부화소가 하나의 화소를 이루고, 상기 제1 내지 제3 색상 유기 발광층 중 적어도 한 색상의 발광층은 제1 내지 제3 부화소를 포함하는 화소부에 공통으로 형성되는 유기 발광 다이오드의 발광층을 형성하는 레이저 열전사 장치에 있어서, 자석 또는 자성체를 포함하는 기판 스테이지 및 상기 기판 스테이지와 레이저 발진기 사이에 설치되는 밀착프레임을 포함하며, 레이저 열전사가 행해지는 챔버; 상기 밀착프레임 및 도너필름에 레이저를 조사하기 위한 상기 레이저 발진기; 및 상기 밀착프레임을 상기 기판 스테이지 방향으로 왕복 이동시키는 밀착프레임 이동수단을 포함하며, 상기 밀착프레임은 자석 또는 자성체를 포함하고, 상기 제1, 제2 및 제3 부 화소들 중 동일한 행에 이웃하도록 배치된 제1 및 제2 부화소 영역에 공통으로 대응되는 개구홈을 구비한다.In the laser thermal transfer apparatus of the present invention, at least three subpixels including the first to third color organic light emitting layers form one pixel, and the light emitting layer of at least one color among the first to third color organic light emitting layers is the first to third color. A laser thermal transfer apparatus for forming a light emitting layer of an organic light emitting diode commonly formed in a pixel portion including a third subpixel, comprising: a substrate stage including a magnet or a magnetic body, and a close contact frame provided between the substrate stage and the laser oscillator A chamber including a laser thermal transfer; The laser oscillator for irradiating a laser onto the close contact frame and the donor film; And a close frame moving means for reciprocating the close contact frame toward the substrate stage, wherein the close contact frame includes a magnet or a magnetic body and is adjacent to the same row among the first, second and third subpixels. An opening groove corresponding to the first and second subpixel regions arranged in common is provided.

이러한 구성에 의하여, 진공하에서 자력을 이용하여 억셉터 기판과 도너필름을 라미네이팅할 수 있고, 자력에 의해 억셉터 기판과 도너필름을 강하게 밀착시킴으로써 발광층 전사시 억셉터 기판과 도너필름 사이에 이물질이나 공극이 발생하지 않는다. 또한, 사용되는 밀착프레임의 수를 줄이고 공정을 단순화할 수 있다. With this configuration, the acceptor substrate and the donor film can be laminated by using a magnetic force under vacuum, and the foreign matter or voids between the acceptor substrate and the donor film during transfer of the light emitting layer by strongly adhering the acceptor substrate and the donor film by magnetic force. This does not happen. In addition, the number of contact frames used can be reduced and the process can be simplified.

Description

레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조방법{Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same} Laser Thermal Transfer Device and Manufacturing Method of Organic Light Emitting Diode Using the Same {Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same}

도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a laser thermal transfer apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 사시 분해도이다.Figure 2 is a perspective exploded view showing a laser thermal transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 레이저 발진기의 일례를 도시한 구조도이다.3 is a structural diagram showing an example of a laser oscillator.

도 4a 내지 도 4b는 도 2에 도시된 기판 스테이지의 실시예들을 도시한 평면도이다.4A through 4B are plan views illustrating embodiments of the substrate stage illustrated in FIG. 2.

도 5는 도 2에 도시된 밀착프레임의 일례를 도시한 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view illustrating an example of the close contact frame illustrated in FIG. 2.

도 6은 도 5에 도시된 밀착프레임에 의해 발광층을 형성한 유기 발광 표시장치의 화소배열을 도시한 평면도이다.6 is a plan view illustrating a pixel array of an organic light emitting diode display in which a light emitting layer is formed by the close contact frame illustrated in FIG. 5.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 이용한 레이저 열전사 공정을 도시한 블럭도이다.7 is a block diagram illustrating a laser thermal transfer process using a laser thermal transfer apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100, 200: 레이저 열전사 장치 110, 210: 챔버100, 200: laser thermal transfer apparatus 110, 210: chamber

120, 220: 기판 스테이지 130, 225: 레이저 발진기120, 220: substrate stage 130, 225: laser oscillator

140, 240: 억셉터 기판 150, 250: 도너필름140, 240: acceptor substrate 150, 250: donor film

230: 밀착프레임 220a, 230a: 자석 또는 자성체230: contact frame 220a, 230a: magnet or magnetic material

230b: 개구홈 230b: opening groove

본 발명은 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 자기력을 이용하여 도너필름과 억셉터 기판을 라미네이팅하는 공정을 포함하는 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser thermal transfer apparatus and a method of manufacturing an organic light emitting diode using the same, in particular, to a laser thermal transfer apparatus including a process of laminating a donor film and an acceptor substrate using a magnetic force, and to manufacture an organic light emitting diode using the same. It is about a method.

본 발명의 적용 분야는 특정 산업분야에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 적용될 수 있지만, 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED) 제조시 유기 발광층 등을 형성하는 데 유용할 것으로 예상된다. 따라서, 이하에서는 레이저 열전사 장치(Laser Induced Thermal Imaging Apparatus)로 유기 발광층을 형성하는 경우를 가정하여 상술하기로 한다.The field of application of the present invention is not limited to a specific industry and may be variously applied, but it is expected to be useful for forming an organic light emitting layer and the like in manufacturing an organic light emitting diode (OLED). Therefore, hereinafter, it will be described on the assumption that the organic light emitting layer is formed by a laser induced thermal imaging apparatus.

일반적으로, 레이저 열 전사법(LITI: Laser Induced Thermal Imaging)을 수행하기 위해서는 적어도 레이저빔, 억셉터 기판 및 도너필름을 필요로 한다. In general, at least a laser beam, an acceptor substrate, and a donor film are required to perform laser induced thermal imaging (LITI).

이와 같은 레이저 열전사법은 기재기판(base substrate), 광-열변환층(light-to-heat conversion layer, LTHC) 및 전사층(transfer layer)을 포함하는 도너필름에 레이저를 조사시켜 기재기판을 통과한 레이저를 광-열변환층에서 열로 변화시켜 광-열변환층을 변형팽창시킴으로써 인접한 전사층을 변형팽창시켜 억셉터 기판에 전사층이 전사되게 하는 방법이다.The laser thermal transfer method passes through a substrate by irradiating a laser to a donor film including a base substrate, a light-to-heat conversion layer (LTHC), and a transfer layer. A laser is transformed from a light-to-heat conversion layer to heat to deform and expand the light-to-heat conversion layer to deform and expand an adjacent transfer layer so that the transfer layer is transferred to the acceptor substrate.

도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a laser thermal transfer apparatus according to the prior art.

도 1을 참조하면, 레이저 열전사 장치(100)는 챔버(110) 내부에 위치된 기판 스테이지(120) 및 챔버(110) 상부에 위치된 레이저 발진기(130)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, the laser thermal transfer apparatus 100 includes a substrate stage 120 positioned inside the chamber 110 and a laser oscillator 130 positioned above the chamber 110.

기판 스테이지(120)는 챔버(110)로 도입되는 억셉터 기판(140)과 도너필름(150)을 순차적으로 위치시키기 위한 스테이지이다. 이와 같은 기판 스테이지(120)에는 억셉터 기판(140)을 정렬되게 하기 위한 제1 정렬홈(145)과, 도너필름(150)을 정렬되게 하기 위한 제2 정렬홈(155)이 형성되어 있다. 통상, 억셉터 기판(140)은 도너필름(150)보다 면적이 작으므로, 제1 정렬홈(145)이 억셉터 기판(140)의 형상에 따라 형성되고 제1 정렬홈(145)의 외주에 도너필름(150)의 형상을 따라서 제2 정렬홀(155)이 단차를 이루면서 위치된다.The substrate stage 120 is a stage for sequentially placing the acceptor substrate 140 and the donor film 150 introduced into the chamber 110. The substrate stage 120 is provided with a first alignment groove 145 for aligning the acceptor substrate 140 and a second alignment groove 155 for aligning the donor film 150. In general, since the acceptor substrate 140 has a smaller area than the donor film 150, the first alignment groove 145 is formed according to the shape of the acceptor substrate 140, and is formed on the outer circumference of the first alignment groove 145. The second alignment holes 155 are positioned to form a step along the shape of the donor film 150.

즉, 기판 스테이지(120) 상에 형성된 제1 정렬홈(145)의 형상을 따라 억셉터 기판(140)이 위치되고, 기판 스테이지(120) 상에 형성된 제2 정렬홈(155)의 형상을 따라 도너필름(150)이 위치된다. That is, the acceptor substrate 140 is positioned along the shape of the first alignment groove 145 formed on the substrate stage 120, and along the shape of the second alignment groove 155 formed on the substrate stage 120. The donor film 150 is located.

여기서, 억셉터 기판(140) 상에 도너필름(150)을 라미네이션한 후, 레이저 발진기(130)를 이용하여 도너필름(150)의 상부에 레이저를 조사하여, 상기 도너필름(150)의 전사층(미도시)을 억셉터 기판(140) 상에 전사하게 되는데 이때, 도너필름(150)의 전사층(미도시)과 억셉터 기판(140) 사이에 공극 또는 이물질(160) 등이 포함될 수 있다. 따라서, 제1 정열홈(145) 및 제2 정렬홈(155) 하부영역의 일구간에 호스를 연결하여 진공펌프(P)로 산소 또는 이물질 등을 빨아들여야 한다. Here, after laminating the donor film 150 on the acceptor substrate 140, the laser is irradiated to the upper portion of the donor film 150 using the laser oscillator 130, the transfer layer of the donor film 150. (Not shown) is transferred onto the acceptor substrate 140, wherein a gap or foreign material 160 may be included between the transfer layer (not shown) of the donor film 150 and the acceptor substrate 140. . Therefore, a hose must be connected to one section of the lower region of the first alignment groove 145 and the second alignment groove 155 to suck oxygen or foreign matter into the vacuum pump P.

또한, 이러한 종래기술은 유기 발광 다이오드를 제작하는 다른 공정이 진공챔버 내에서 진행되는 것과는 달리 대기 중에서 이루어짐으로써, 산소 및 수분 등에 의해 유기 발광 소자의 신뢰성, 수명 및 소자특성의 저하를 야기시킨다. In addition, this conventional technique is performed in the air, unlike other processes for manufacturing the organic light emitting diode in the vacuum chamber, thereby causing degradation of the reliability, life and device characteristics of the organic light emitting device by oxygen and moisture.

이러한 문제점들을 해소하고자, 유기 발광 다이오드의 발광층 전사 공정을 진공챔버 내에서 수행하도록 한다. In order to solve these problems, the light emitting layer transfer process of the organic light emitting diode is performed in a vacuum chamber.

그러나, 유기 발광 다이오드의 전사 공정을 진공챔버 내에서 수행할 경우, 유기 발광 다이오드의 신뢰성, 수명 및 소자특성이 향상될 수 있으나, 전사층과 기판 사이에 미세한 공극(구멍) 또는 이물질 등이 발생되어도 진공펌프 또는 진공을 이용한 라미네이팅법을 이용하는 공정을 수행할 수가 없어, 전사층과 기판 사이의 밀착특성은 더욱 저하되는 문제점을 갖는다. However, when the transfer process of the organic light emitting diode is performed in a vacuum chamber, the reliability, lifespan, and device characteristics of the organic light emitting diode may be improved. However, even if minute pores (pores) or foreign matter are generated between the transfer layer and the substrate. Since a process using a laminating method using a vacuum pump or a vacuum cannot be performed, the adhesion property between the transfer layer and the substrate is further degraded.

따라서, 본 발명의 목적은 진공 상태에서 자기력을 이용하여 억셉터 기판과 도너필름을 라미네이팅시키고, 억셉터 기판 상의 특정 화소배열에 유리하게 이용되 는 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조방법을 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to laminating an acceptor substrate and a donor film using a magnetic force in a vacuum state, a laser thermal transfer device which is advantageously used for a specific pixel array on the acceptor substrate and a method of manufacturing an organic light emitting diode using the same. To provide.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 측면은 제1 내지 제3 색상 유기 발광층을 포함하는 적어도 세 개의 부화소가 하나의 화소를 이루고, 상기 제1 내지 제3 색상 유기 발광층 중 적어도 한 색상의 발광층은 제1 내지 제3 부화소를 포함하는 화소부에 공통으로 형성되는 유기 발광 다이오드의 발광층을 형성하는 레이저 열전사 장치에 있어서, 자석 또는 자성체를 포함하는 기판 스테이지 및 상기 기판 스테이지와 레이저 발진기 사이에 설치되는 밀착프레임을 포함하며, 레이저 열전사가 행해지는 챔버; 상기 밀착프레임 및 도너필름에 레이저를 조사하기 위한 상기 레이저 발진기; 및 상기 밀착프레임을 상기 기판 스테이지 방향으로 왕복 이동시키는 밀착프레임 이동수단을 포함하며, 상기 밀착프레임은 자석 또는 자성체를 포함하고, 상기 제1, 제2 및 제3 부 화소들 중 동일한 행에 이웃하도록 배치된 제1 및 제2 부화소 영역에 공통으로 대응되는 개구홈을 구비한다.In order to achieve the above object, in the first aspect of the present invention, at least three subpixels including the first to third color organic light emitting layers form one pixel, and at least one color of the first to third color organic light emitting layers. In the laser thermal transfer apparatus for forming a light emitting layer of an organic light emitting diode that is commonly formed in the pixel portion including the first to third sub-pixel, the light emitting layer of the substrate stage and the substrate stage and the laser oscillator A chamber including a close contact frame installed therebetween, wherein the laser thermal transfer is performed; The laser oscillator for irradiating a laser onto the close contact frame and the donor film; And a close frame moving means for reciprocating the close contact frame toward the substrate stage, wherein the close contact frame includes a magnet or a magnetic body and is adjacent to the same row among the first, second and third subpixels. An opening groove corresponding to the first and second subpixel regions arranged in common is provided.

바람직하게, 상기 밀착프레임 이동수단은 상기 밀착프레임을 상하로 이동시키기 위한 상하 구동부 및 상기 상하 구동부 및 상기 밀착프레임이 안착된 제1 트레이에 연결된 연결바를 구비한다. 상기 기판 스테이지 및 상기 밀착프레임 중 적어도 하나에 포함된 상기 자석은 전자석인 것을 특징으로 한다. 상기 기판 스테이지 및 상기 밀착프레임 중 적어도 하나에 포함된 상기 자석은 영구자석인 것을 특 징으로 한다. 상기 자성체는 Fe, Ni, Cr, Fe2O3, Fe3O4, CoFe2O4, 자성 나노입자 및 그 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 하나이다. 상기 기판 스테이지에는 상기 제1 내지 제3 부화소 영역이 형성된 억셉터 기판 및 상기 억셉터 기판 상의 부화소들로 전사될 유기 발광층을 구비하는 각 도너필름이 순차적으로 이송되어 적층된다.Preferably, the close contact frame moving means has a vertical drive unit for moving the close contact frame up and down, and the connecting bar connected to the vertical drive unit and the first tray on which the close contact frame is seated. The magnet included in at least one of the substrate stage and the contact frame may be an electromagnet. The magnet included in at least one of the substrate stage and the contact frame is characterized in that the permanent magnet. The magnetic material is one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 , magnetic nanoparticles, and mixtures thereof. Each donor film including an acceptor substrate on which the first to third subpixel regions are formed and an organic light emitting layer to be transferred to subpixels on the acceptor substrate are sequentially transferred and stacked.

본 발명의 제2 측면은 레이저 열전사 장치에 의해 제1 및 제2 전극 사이의 발광층이 형성되는 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법에 있어서,자석 또는 자성체를 포함한 기판 스테이지 상에 하나의 화소를 이루는 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소 영역이 형성된 억셉터 기판을 위치시키는 억셉터 기판 이송단계;상기 억셉터 기판 상에 상기 제1 부화소 영역에 전사될 제1 색상 유기 발광층을 구비하는 도너필름을 위치시키는 제1 도너필름 이송단계;자석 또는 자성체를 포함하며 상기 제1 색상 및 제2 색상 유기 발광층을 전사하기 위한 레이저가 통과되는 개구홈이 형성된 밀착프레임을 상기 제1 도너필름에 자기적 인력으로 밀착하는 밀착프레임 밀착단계;레이저 발진기로부터 상기 밀착프레임의 개구홈을 통해 상기 제1 도너필름 상으로 레이저를 조사하여 상기 제1 색상 유기 발광층을 상기 제1 부화소 영역으로 전사하는 제1 부화소 전사단계;상기 밀착프레임을 상기 제1 도너필름으로부터 분리하는 밀착프레임 분리단계;상기 억셉터 기판 상에 상기 제2 색상 유기 발광층을 구비하는 제2 도너필름을 상기 제1 도너필름과 교환하여 위치시키는 제2 도너필름 이송단계;상기 밀착프레임을 상기 제2 도너필름에 자기적 인력으로 재밀착하는 밀착프레임 재밀착단계; 및상기 레이저 발진기로부터 상기 밀착프레임의 개구홈을 통해 상기 제2 도너필름에 레이저를 조사하여 상기 제2 색상 유기 발광층을 상기 제2 부화소 영역으로 전사하는 제2 부화소 전사단계를 포함하며,상기 제3 부화소의 제3 색상 유기 발광층은 상기 화소들이 형성되는 화소부 영역에 공통으로 증착되어 형성되는 유기 발광다이오드의 제조방법을 제공한다. According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode in which a light emitting layer is formed between a first electrode and a second electrode by a laser thermal transfer apparatus, comprising: forming a pixel on a substrate stage including a magnet or a magnetic body; An acceptor substrate transfer step of positioning an acceptor substrate having a first subpixel, a second subpixel, and a third subpixel region; a first color organic light emitting layer to be transferred to the first subpixel region on the acceptor substrate; A first donor film transfer step of placing a donor film to the; A contact frame including a magnet or a magnetic body formed with an opening groove through which a laser passes for transferring the first color and the second color organic light emitting layer to the first donor film A close contact with the frame close contact with magnetic attraction; The laser is directed from the laser oscillator to the first donor film through the opening groove of the close contact frame A first subpixel transfer step of transferring the first color organic light emitting layer to the first subpixel area; a separation frame of the adhesion frame separating the adhesion frame from the first donor film; the second substrate on the acceptor substrate A second donor film transfer step of placing a second donor film having a color organic light emitting layer in exchange with the first donor film; re-adhering the close contact frame to the second donor film by magnetic attraction; ; And a second subpixel transfer step of transferring the second color organic light emitting layer to the second subpixel area by irradiating a laser onto the second donor film through the opening groove of the close contact frame from the laser oscillator. The third color organic light emitting layer of the third subpixel provides a method of manufacturing an organic light emitting diode which is formed by being commonly deposited in the pixel area where the pixels are formed.

바람직하게, 상기 제1 내지 제3 부화소들은 1×3 행렬을 이루며 하나의 화소를 형성하고, 상기 제1 부화소 전사단계에서 상기 제1 색상 유기 발광층은 상기 화소 내의 제1 행 1열에 형성되도록 전사하고, 상기 제2 부화소 전사단계에서 상기 제2 색상 유기 발광층은 상기 화소 내의 제1행 2열에 형성되도록 전사한다. 상기 제1 색상 유기 발광층은 레드 발광층이고, 상기 제2 색상 유기 발광층은 그린 발광층이며, 상기 제3 색상 유기 발광층은 블루 발광층이다. 상기 제1 색상 유기 발광층은 그린 발광층이고, 상기 제2 색상 유기 발광층은 레드 발광층이며, 상기 제3 색상 유기 발광층은 블루 발광층이다. Preferably, the first to third subpixels form one pixel in a 1 × 3 matrix, and in the first subpixel transfer step, the first color organic light emitting layer is formed in the first row and first column of the pixel. In the second subpixel transfer step, the second color organic light emitting layer is transferred to be formed in the first row and the second column of the pixel. The first color organic light emitting layer is a red light emitting layer, the second color organic light emitting layer is a green light emitting layer, and the third color organic light emitting layer is a blue light emitting layer. The first color organic light emitting layer is a green light emitting layer, the second color organic light emitting layer is a red light emitting layer, and the third color organic light emitting layer is a blue light emitting layer.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예가 첨부된 도 2 내지 도 7을 참조하여 자세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 7 in which preferred embodiments of the present invention may be easily implemented by those skilled in the art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 사시 분해도이다.Figure 2 is a perspective exploded view showing a laser thermal transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 장치(200)는 기판 스테이지(220)와 밀착프레임(230)이 장착된 챔버(210), 레이저 발진기(225) 및 밀착프레임 이동수단(290)을 포함하여 구성된다.2, the laser thermal transfer apparatus 200 according to an embodiment of the present invention, the chamber 210, the laser oscillator 225 and the close frame moving means, on which the substrate stage 220 and the close contact frame 230 are mounted. And 290.

챔버(210)는 통상의 레이저 열전사 장치에서 사용되는 챔버를 사용할 수 있고, 챔버(210) 내부에는 기판 스테이지(220) 및 밀착프레임(230) 등이 장착된다. 또한, 챔버(210) 내로 억셉터 기판(240) 및 도너필름(250)이 이송되며 이를 위하여 챔버 외부에는 억셉터 기판(240) 및 도너필름(250)을 챔버(210) 내부로 이송하기 위한 이송수단(미도시)이 구비된다. 이와 같은 챔버(210)의 내부는 레이저 열전사 공정이 진행될 때 유기 발광 다이오드 제조시의 증착공정과 동조되도록 진공 상태로 유지되는 것이 바람직하다.The chamber 210 may use a chamber used in a conventional laser thermal transfer apparatus, and the substrate stage 220, the close contact frame 230, and the like are mounted in the chamber 210. In addition, the acceptor substrate 240 and the donor film 250 are transferred into the chamber 210. For this purpose, the acceptor substrate 240 and the donor film 250 are transferred to the chamber 210 to the outside of the chamber. Means (not shown) are provided. The interior of the chamber 210 is preferably maintained in a vacuum state so as to be synchronized with the deposition process in manufacturing the organic light emitting diode when the laser thermal transfer process is in progress.

기판 스테이지(220)는 챔버(210)로 도입되는 억셉터 기판(240)과 도너필름(250)을 각각 순차적으로 위치시키기 위한 스테이지로써, 챔버(210)의 저면에 위치한다.The substrate stage 220 is a stage for sequentially placing the acceptor substrate 240 and the donor film 250 introduced into the chamber 210, respectively, and is positioned on the bottom surface of the chamber 210.

여기서, 기판 스테이지(220)는 억셉터 기판(240) 및 도너필름(250)을 수납하여 장착시키는 장착 수단을 구비할 수 있다. 장착수단은 이송수단에 의해 챔버(210) 내로 이송되어 온 억셉터 기판(240)이 기판 스테이지(220)의 정해진 위치에 장착되도록 한다. 장착수단으로는 제1 및 제2 지지대(270a, 280a), 제1 및 제2 가이드바(270b, 280b), 제1 및 제2 이동 플레이트(270c, 280c), 관통홀 및 제1 및 제2 장착홈(245, 255)을 포함하여 구성될 수 있다. 제1 및 제2 가이드바(270b, 280b)는 제1 및 제2 지지대(270a, 280a)와, 제1 및 제2 이동 플레이트(270c, 280c)와 동반하여 상승 또는 하강 운동한다. 좀 더 구체적으로, 제1 가이드바(270b)가 관통홀 을 통과하여 상승하면서 억셉터 기판(240)을 수용하고, 하강하면서 억셉터 기판(240)을 기판 스테이지(220) 상에 형성된 제1 장착홈(245)에 안착시키게 되는 구조이다. 그리고, 제2 가이드바(280b)가 관통홀을 통과하여 상승하면서 도너필름(250)을 수용하고, 하강하면서 도너필름(250)을 기판 스테이지(220) 상에 형성된 제2 장착홈(255)에 안착시킨다. 여기서 도너필름(250)은 제2 트레이(255)에 안착되어 챔버(210) 내로 도입된다.Here, the substrate stage 220 may be provided with mounting means for receiving and mounting the acceptor substrate 240 and the donor film 250. The mounting means allows the acceptor substrate 240, which has been transferred into the chamber 210 by the transfer means, to be mounted at a predetermined position of the substrate stage 220. As the mounting means, the first and second supports 270a and 280a, the first and second guide bars 270b and 280b, the first and second moving plates 270c and 280c, the through holes and the first and second It may be configured to include the mounting groove (245, 255). The first and second guide bars 270b and 280b move up or down with the first and second supporters 270a and 280a and the first and second moving plates 270c and 280c. More specifically, the first guide bar 270b rises through the through-hole to accommodate the acceptor substrate 240, and to lower the first guide bar 270b on the substrate stage 220. It is a structure to be seated in the groove 245. Then, the second guide bar 280b rises through the through-hole to accommodate the donor film 250, and while the second guide bar 280b descends to the second mounting groove 255 formed on the substrate stage 220. Settle down. The donor film 250 may be seated in the second tray 255 and introduced into the chamber 210.

한편, 기판 스테이지(220)는 이동되기 위한 이동수단을 더 구비할 수 있다. 기판 스테이지(220)가 이동될 경우, 레이저 발진기(225)는 일방향으로만 레이저를 조사하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 레이저가 세로방향으로 조사되고, 가로방향으로 기판 스테이지(220)를 이동시키는 구동 수단을 더 구비할 경우, 도너필름(250)의 전면적에 대해 레이저가 조사될 수 있다. Meanwhile, the substrate stage 220 may further include a moving unit for moving. When the substrate stage 220 is moved, the laser oscillator 225 may be configured to irradiate the laser only in one direction. For example, when the laser is irradiated in the longitudinal direction and further provided with a driving means for moving the substrate stage 220 in the horizontal direction, the laser may be irradiated with respect to the entire area of the donor film 250.

또한, 기판 스테이지(220)에는 자기력을 이용하여 라미네이팅할 수 있도록 적어도 하나의 자석(220a) 또는 자성체가 포함되어 있다. 여기서, 자석(220a)은 전자석 또는 영구자석이 될 수도 있고, 기판 스테이지(220) 자체가 자성체로 형성될 수도 있다. In addition, the substrate stage 220 includes at least one magnet 220a or a magnetic body to be laminated using a magnetic force. Here, the magnet 220a may be an electromagnet or a permanent magnet, or the substrate stage 220 may be formed of a magnetic material.

밀착프레임(230)은 기판 스테이지(220)의 자석(220a)과 자기력을 형성하여 기판 스테이지(220)와 밀착프레임(230) 사이에 위치하는 억셉터 기판(240)과 도너필름(250)을 강력하게 라미네이팅할 수 있도록 적어도 하나의 자석(230a) 또는 자성체를 포함한다. 여기서, 자석(230a)은 전자석 또는 영구자석이 될 수도 있고, 밀착프레임(230) 자체가 자성체로 형성될 수도 있다.The close contact frame 230 forms a magnetic force with the magnet 220a of the substrate stage 220, thereby strongly applying the acceptor substrate 240 and the donor film 250 positioned between the close contact frame 230 and the substrate stage 220. At least one magnet (230a) or a magnetic material to be laminated so as to include. Here, the magnet 230a may be an electromagnet or a permanent magnet, or the close contact frame 230 itself may be formed of a magnetic material.

또한, 밀착프레임(230)은 레이저가 통과할 수 있는 개구홈(230b)을 구비하는데, 이에 따라 밀착프레임(230)은 레이저가 소정 위치에만 조사될 수 있는 마스크 역할을 동시에 수행할 수 있다.In addition, the close contact frame 230 has an opening groove 230b through which the laser can pass, so that the close contact frame 230 may simultaneously serve as a mask in which the laser can be irradiated only at a predetermined position.

레이저 발진기(225)는 챔버(210)의 외부 또는 내부에 설치될 수 있으며 레이저가 상부에서 조사될 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다. 레이저 발진기(225)의 개략적인 구조도인 도 3에 따르면, 본 실시예에서 레이저 발진기(225)는 2개의 갈바노미터 스캐너(310a, 310b), 스캔 렌즈(320) 및 실린더 렌즈(330)를 구비하나 이에 제한되는 것은 아니다. 여기서, 레이저 발진기(225)는 CW ND:YAG 레이저(1604nm)를 사용할 수 있다. The laser oscillator 225 may be installed outside or inside the chamber 210 and is preferably installed so that the laser can be irradiated from the top. According to FIG. 3, which is a schematic structural diagram of the laser oscillator 225, the laser oscillator 225 in this embodiment includes two galvanometer scanners 310a and 310b, a scan lens 320, and a cylinder lens 330. However, the present invention is not limited thereto. The laser oscillator 225 may use a CW ND: YAG laser (1604 nm).

밀착프레임 이동수단(290)은 밀착프레임(230)을 기판 스테이지(220) 방향으로 왕복 이동하게 하는 수단이다. 이와 같은 밀착프레임 이동수단(290)은 상하 구동부(미도시)와, 상하 구동부 및 제1 트레이(235)에 연결된 연결바(290a) 및 연결바(290a)의 좌우 유동을 방지하기 위한 연결홈(290b)을 구비하여 제1 트레이(235)에 안착된 밀착프레임(230)을 기판 스테이지(220) 방향으로 왕복 이동시킨다. 여기서, 상하 구동부는 밀착프레임(230)에 형성되는 자석(230a)의 종류에 따라 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 밀착프레임(230)에 형성된 자석(230a)이 전자석일 경우 밀착프레임(230)에 소정의 전류를 흘려주게 되면 자기장이 생겨 자성을 띠게 된다. 따라서, 상하 구동부에는 밀착프레임(230)에 전류를 공급하는 소정의 수단을 구비하여 전류량과 방향에 따라 밀착프레임(230)의 밀착 강도와 동작을 조절할 수 있도록 한다.The close frame moving means 290 is a means for causing the close frame 230 to reciprocate in the direction of the substrate stage 220. The close contact frame moving means 290 is a vertical groove (not shown), the connecting groove for preventing the left and right flow of the connecting bar 290a and the connecting bar 290a connected to the vertical drive unit and the first tray 235 ( 290b is provided to reciprocate the adhesion frame 230 seated on the first tray 235 toward the substrate stage 220. Here, the vertical driving unit may be formed in various ways according to the type of the magnet 230a formed in the close contact frame 230. For example, when the magnet 230a formed on the close contact frame 230 is an electromagnet, when a predetermined current is flowed into the close contact frame 230, a magnetic field is generated and becomes magnetic. Therefore, the vertical driving unit includes a predetermined means for supplying current to the close contact frame 230 so that the close contact strength and operation of the close contact frame 230 can be adjusted according to the amount and direction of the current.

도 4a 내지 도 4b는 도 2에 도시된 기판 스테이지의 실시예들을 도시한 평면도이다.4A through 4B are plan views illustrating embodiments of the substrate stage illustrated in FIG. 2.

도 4a를 참조하면, 제1 장착홈(430)과 제2 장착홈(440)을 구비한 기판 스테이지(420)에는 복수의 전자석(420a)이 동심원형으로 배치된다. 여기서, 제1 장착홈(430)은 소정의 단차를 두고 제2 장착홈(440)보다 하부에 위치된다.Referring to FIG. 4A, a plurality of electromagnets 420a are arranged concentrically in the substrate stage 420 having the first mounting groove 430 and the second mounting groove 440. Here, the first mounting groove 430 is located below the second mounting groove 440 with a predetermined step.

또한, 도 4b와 같이 복수의 전자석(450a)은 가로 및 세로의 복수 열로 배치될 수도 있다. 이 경우, 제1 장착홈(460)과 제2 장착홈(470)을 구비한 기판 스테이지(450)에는 복수의 전자석(450a)이 가로 및 세로의 복수 열로 배치될 수 있다. 여기서, 도시되지는 않았지만, 각 전자석(420a, 450a)에는 전력을 인가하는 전기배선이 형성된다. 한편, 본 발명에서 자기력을 이용하여 라미네이팅하기 위하여 사용되는 자석은 전자석으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판 스테이지(420, 450)에는 적어도 하나의 영구자석이 포함되어 있을 수도 있고, 기판 스테이지(420, 450) 자체가 Fe, Ni, Cr, Fe2O3, Fe3O4, CoFe2O4, 자성 나노입자 및 그 혼합물로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 자성체로 형성될 수도 있다.In addition, as shown in FIG. 4B, the plurality of electromagnets 450a may be arranged in a plurality of horizontal and vertical rows. In this case, the plurality of electromagnets 450a may be arranged in a plurality of rows in the horizontal and vertical directions in the substrate stage 450 having the first mounting groove 460 and the second mounting groove 470. Here, although not shown, an electric wiring for applying electric power is formed in each of the electromagnets 420a and 450a. On the other hand, in the present invention, the magnet used for laminating using the magnetic force is not limited to the electromagnet. For example, the substrate stages 420 and 450 may include at least one permanent magnet, and the substrate stages 420 and 450 may be Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , or CoFe. It may be formed of at least one magnetic material selected from the group consisting of 2 O 4 , magnetic nanoparticles and mixtures thereof.

도 5는 도 2에 도시된 밀착프레임의 일례를 도시한 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view illustrating an example of the close contact frame illustrated in FIG. 2.

도 5를 참조하면, 밀착프레임(530)은 영구자석, 자성체 또는 전자석(530a) 중 적어도 하나와, 적어도 하나의 개구홈(530b)을 구비한다.Referring to FIG. 5, the close contact frame 530 includes at least one of a permanent magnet, a magnetic material, or an electromagnet 530a and at least one opening groove 530b.

여기서, 영구자석, 자성체 또는 전자석(530a)은 도 2 및 도 4a 내지 도 4b에 도시된 기판 스테이지(220, 420, 450)의 자석(220a, 420a, 450a)과 자기력을 형성하기 위하여 밀착프레임(530)에 구비되며, 개구홈들(530b) 사이에 위치된다. 여기서, 자성체란 강자성체와 약자성체를 포함하는 개념이며, Fe, Ni, Cr, Fe2O3, Fe3O4, CoFe2O4, 자성 나노입자 및 그 혼합물등이 사용될 수 있다. 한편, 자석(530a)이 전자석인 경우 각 전자석에는 전력을 인가하는 전기배선이 더 형성되어야 한다.Here, the permanent magnet, the magnetic material or the electromagnet 530a is a close contact frame (1) to form a magnetic force with the magnets (220a, 420a, 450a) of the substrate stages 220, 420, 450 shown in Figures 2 and 4a to 4b. 530 is disposed between the opening grooves 530b. Here, the magnetic material is a concept including a ferromagnetic material and a weak magnetic material, and Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 , magnetic nanoparticles and mixtures thereof may be used. On the other hand, when the magnet 530a is an electromagnet, an electric wiring for applying electric power should be further formed in each electromagnet.

개구홈(530b)은 전사될 유기 발광층이 포함된 화소 배열에 따라 다양하게 설정될 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소 내에 구비되는 제1 내지 제3 부화소 중 제1 및 제2 부화소만 레이저 열전사법에 의하여 형성하고 화소부 전체에 공통층을 증착하여 제3 부화소를 형성하는 경우, 동일한 행에 서로 이웃하도록 배치되는 제1 및 제2 부화소가 형성될 위치에는 공통 개구홈(530b)이 형성될 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 부화소는 레드 부화소 및 그린 부화소이고, 제3 부화소는 블루 부화소인 것이 바람직하나, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 이 경우, 밀착프레임(530)은 제1 및 제2 부화소를 형성하기 위한 마스크의 역할도 수행하게 된다.The opening grooves 530b may be variously set according to the pixel arrangement including the organic emission layer to be transferred. For example, when only the first and second subpixels among the first to third subpixels included in one pixel are formed by laser thermal transfer, and the third subpixel is formed by depositing a common layer on the entire pixel portion. The common opening groove 530b may be formed at a position where the first and second subpixels disposed to be adjacent to each other in the same row are formed. Here, the first and second subpixels are red subpixels and green subpixels, and the third subpixels are blue subpixels, but the present invention is not limited thereto. In this case, the close contact frame 530 also serves as a mask for forming the first and second subpixels.

여기서, 제1 및 제2 부화소를 형성하기 위한 개구홈(530b)을 공통으로 형성하였으므로, 이들 두 부화소는 동일한 밀착프레임(530)을 이용하여 형성하되 레이저 빔을 컨트롤하여 제1 및 제2 부화소의 발광층이 정확한 위치에 전사되도록 한다. 이에 의하여, 사용되는 밀착프레임(530)의 수를 줄이고 공정을 단순화할 수 있다. 그리고, 제3 부화소는 제1 및 제2 부화소의 발광층이 형성된 후 억셉터 기판 (240)을 증착챔버(미도시)로 이동시켜 열증착 등에 의하여 형성된다. 이때, 별도의 마스크 공정을 거치지 않아 공정이 더욱 단순화된다.Here, since the opening grooves 530b for forming the first and second subpixels are formed in common, these two subpixels are formed using the same close contact frame 530, but the first and second subpixels are controlled by controlling the laser beam. The light emitting layer of the subpixel is transferred to the correct position. As a result, the number of contact frames 530 used may be reduced and the process may be simplified. The third subpixel is formed by thermal evaporation by moving the acceptor substrate 240 to a deposition chamber (not shown) after the light emitting layers of the first and second subpixels are formed. At this time, the process is further simplified because it does not go through a separate mask process.

전술한 밀착프레임(540)을 이용하여 화소를 형성한 화소부(610)를 모식적으로 나타낸 도 6을 참조하면, 하나의 화소에는 제1 내지 제3 부화소(610a 내지 610c)가 포함되되, 제1 및 제2 부화소(610a, 610b)들이 형성된 영역을 제외한 나머지 화소부분이 제3 부화소(610c) 영역이 된다.Referring to FIG. 6, which schematically illustrates a pixel unit 610 in which pixels are formed by using the close contact frame 540, one pixel includes first to third subpixels 610a to 610c. The pixel portion other than the region in which the first and second subpixels 610a and 610b are formed is the third subpixel 610c region.

한편, 전술한 밀착프레임(530)의 구조는 본 실시예에 의해 한정된 것은 아니며, 당업자라면 적용 가능한 범위 내에서 변형이 가능하다. On the other hand, the structure of the close contact frame 530 described above is not limited by this embodiment, it can be modified within a range applicable to those skilled in the art.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 이용한 레이저 열전사 공정을 도시한 블럭도이다. 도 7을 설명할 때, 설명의 편의를 위하여 유기 발광 표시장치의 화소를 형성하는 경우를 가정하여 설명하기로 한다. 여기서, 유기 발광표시장치의 화소는 제1 내지 제3 부화소들을 구비하며, 각 부화소들에 포함된 발광층은 레이저 열전사 공정에 의하여 형성된다.7 is a block diagram illustrating a laser thermal transfer process using a laser thermal transfer apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, a case of forming a pixel of an organic light emitting diode display will be described for convenience of description. The pixel of the organic light emitting diode display may include first to third subpixels, and the light emitting layer included in each subpixel is formed by a laser thermal transfer process.

도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 이용하여 유기 발광표시장치의 화소를 형성하는 레이저 열전사 공정은 억셉터 기판 이송단계(S1), 제1 도너필름 이송단계(S2), 밀착프레임 밀착단계(S3), 제1 부화소 전사단계(S4), 밀착프레임 분리단계(S5), 제2 도너필름 이송단계(S6), 밀착프레임 재밀착단계(S7) 및 제2 부화소 전사단계(S8)를 포함한다.Referring to FIG. 7, a laser thermal transfer process of forming a pixel of an organic light emitting display device using a laser thermal transfer apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention may include an acceptor substrate transfer step (S1) and a first donor film transfer step ( S2), the close contact frame (S3), the first sub-pixel transfer step (S4), the close contact frame separation step (S5), the second donor film transfer step (S6), the close contact frame (S7) and the second Sub-pixel transfer step (S8) is included.

이하에서는, 도 7과 레이저 열전사 장치를 도시한 사시 분해도인 도 2를 결 부하여 레이저 열전사 공정을 각 단계별로 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the laser thermal transfer process will be described in detail for each step by referring to FIG. 7 and FIG. 2, which is a perspective exploded view showing the laser thermal transfer apparatus.

억셉터 기판(240) 이송단계는 자석(220a) 또는 자성체를 포함하는 기판 스테이지(220)의 제1 장착홈(245)에 유기 발광층이 형성될 억셉터 기판(240)을 위치시키는 단계이다. 억셉터 기판(240)에는 도너필름(250)으로부터 전사될 발광층이 형성될 화소 영역이 정의되어 있다. 이와 같은 억셉터 기판(240)의 화소 영역은 세 개의 부화소가 하나의 화소를 형성하도록 배열되어 있다. 여기서, 부화소들은 모자이크 형상을 띠되, 제1 및 제2 부화소 영역을 제외한 부분이 제3 부화소 영역이 되도록 배열된다.(S1)The acceptor substrate 240 transfer step is a step of placing the acceptor substrate 240 on which the organic light emitting layer is to be formed in the first mounting groove 245 of the substrate stage 220 including the magnet 220a or the magnetic material. In the acceptor substrate 240, a pixel region in which a light emitting layer to be transferred from the donor film 250 is to be formed is defined. The pixel region of the acceptor substrate 240 is arranged such that three subpixels form one pixel. Here, the subpixels have a mosaic shape and are arranged such that portions except the first and second subpixel regions are the third subpixel regions (S1).

제1 도너필름 이송단계는 제1 도너필름을 억셉터 기판(240) 상으로 이송하는 단계이다. 여기서, 제1 도너필름에는 억셉터 기판(240)의 제1 부화소 영역에 전사될 발광층이 구비되어 있다. 이 때, 발광층은 제1 색상으로 구성될 수 있고, 예를 들어 레드로 구성될 수 있다.(S2)The first donor film transfer step is a step of transferring the first donor film onto the acceptor substrate 240. The first donor film is provided with a light emitting layer to be transferred to the first subpixel area of the acceptor substrate 240. In this case, the light emitting layer may be configured of a first color, for example, of red (S2).

밀착프레임(230) 밀착단계는 밀착프레임(230)을 제1 도너필름에 자기적 인력으로 밀착하는 단계이다. 여기서, 밀착프레임(230)은 자석(230a) 또는 자성체를 포함하며 제1 도너필름의 제1 색상 유기 발광층을 전사하기 위한 레이저가 통과되는 개구홈(230b)을 구비한다. 이때, 밀착프레임(230)은 일차적으로는 밀착프레임 이동수단에 의해 기판 스테이지(220) 상으로 이동되어 밀착되고, 이차적으로는 기판 스테이지(220)와 밀착프레임(230) 간의 자기적 인력에 의해 보다 강력하게 밀착되는 것이 바람직하다.(S3)The close contact frame 230 is a step of contacting the close contact frame 230 to the first donor film with magnetic attraction. Here, the close contact frame 230 includes a magnet 230a or a magnetic material, and includes an opening groove 230b through which a laser for transferring the first color organic light emitting layer of the first donor film passes. In this case, the close contact frame 230 is primarily moved onto the substrate stage 220 by the close contact frame moving means, and closely adhered thereto, and secondly, the close contact frame 230 is more closely contacted by the magnetic attraction between the close contact frame 230 and the close contact frame 230. It is preferable to be in close contact with each other. (S3)

제1 부화소 전사단계는 레이저 발진기(225)로부터 밀착프레임(230)의 개구홈 (230b)을 통해 제1 도너필름 상으로 레이저를 조사하여, 제1 도너필름에 형성된 제1 색상 유기 발광층을 팽창시켜 억셉터 기판(240)의 제1 부화소 영역으로 전사하는 단계이다. 이때, 개구홈(230b) 중 제1 부화소 영역으로만 레이저가 조사될 수 있도록 레이저 조사범위가 조절된다.(S4)In the first subpixel transfer step, the laser is irradiated onto the first donor film from the laser oscillator 225 through the opening groove 230b of the contact frame 230 to expand the first color organic light emitting layer formed on the first donor film. To transfer to the first subpixel area of the acceptor substrate 240. At this time, the laser irradiation range is adjusted so that the laser can be irradiated only to the first subpixel area of the opening groove 230b.

밀착프레임(230) 분리단계는 밀착프레임(230)을 제1 도너필름으로부터 분리하는 단계이다. 이때, 밀착프레임(230)은 일차적으로는 자기적 척력에 의해 제1 도너필름으로부터 분리되고, 이차적으로는 밀착프레임(230) 이동수단에 의해 챔버(210) 상부로 이동된다.(S5) The close contact frame 230 is a step of separating the close contact frame 230 from the first donor film. At this time, the close contact frame 230 is primarily separated from the first donor film by magnetic repulsive force, and secondly, the close contact frame 230 is moved to the upper portion of the chamber 210 by the close contact frame 230.

제2 도너필름 이송단계는 제1 도너필름을 억셉터 기판(240) 상에서 챔버(210) 외부로 이송하고, 제2 도너필름을 억셉터 기판(240) 상으로 이송하는 단계이다. 여기서, 제2 도너필름에는 억셉터 기판(240)의 제2 부화소 영역에 전사될 발광층이 구비되어 있다. 이 때, 발광층은 제2 색상으로 구성될 수 있고, 예를 들어 그린으로 구성될 수 있다.(S6)The second donor film transfer step is a step of transferring the first donor film to the outside of the chamber 210 on the acceptor substrate 240 and transferring the second donor film onto the acceptor substrate 240. Here, the second donor film is provided with a light emitting layer to be transferred to the second subpixel area of the acceptor substrate 240. In this case, the light emitting layer may be configured of a second color, for example, of green. (S6)

밀착프레임(230) 재밀착단계는 밀착프레임(230)을 제2 도너필름에 자기적 인력으로 밀착하는 단계이다. 여기서, 밀착프레임(230)은 제2 도너필름의 제2 색상 유기 발광층을 전사하기 위한 레이저가 통과되는 개구홈(230b)을 구비한다.(S7)The adhesion frame 230 may be in close contact with the adhesion frame 230 by magnetic attraction to the second donor film. Here, the close contact frame 230 includes an opening groove 230b through which a laser for transferring the second color organic light emitting layer of the second donor film passes.

제2 부화소 전사단계는 레이저 발진기(225)로부터 밀착프레임(230)의 개구홈(230b)을 통해 제2 도너필름 상으로 레이저를 조사하여, 제2 도너필름에 형성된 제2 색상 유기 발광층을 팽창시켜 억셉터 기판(240)의 제2 부화소 영역으로 전사하는 단계이다. 이때, 개구홈(230b) 중 제2 부화소 영역으로만 레이저가 조사될 수 있도 록 레이저 조사범위가 조절된다.(S8)In the second subpixel transfer step, the laser is irradiated onto the second donor film from the laser oscillator 225 through the opening groove 230b of the contact frame 230 to expand the second color organic light emitting layer formed on the second donor film. Transfer to the second subpixel area of the acceptor substrate 240. At this time, the laser irradiation range is adjusted so that the laser can be irradiated only to the second subpixel area of the opening groove 230b.

전술한 바와 같이 제1 및 제2 부화소의 유기 발광층이 형성되면, 억셉터 기판(240)을 증착챔버로 이송하여 제3 부화소의 유기 발광층을 형성할 수 있다. 이때, 제3 부화소의 유기 발광층은 열증착 등에 의하여 화소부에 공통으로 형성될 수 있고, 제3 부화소는 블루 부화소인 것이 바람직하다.As described above, when the organic light emitting layers of the first and second subpixels are formed, the acceptor substrate 240 may be transferred to the deposition chamber to form the organic light emitting layer of the third subpixel. In this case, the organic light emitting layer of the third subpixel may be commonly formed in the pixel portion by thermal deposition, and the third subpixel may be a blue subpixel.

한편, 전술한 공정 단계는 진공 챔버(210) 내에서 진행되며, 각 전사단계에서 전사될 유기 발광층의 배열에 따라서 레이저 조사방법은 달라질 수 있다. 예를 들어, 1×3 행렬로 배열된 세 개의 부화소가 하나의 화소를 이루는 경우, 제1 부화소 전사단계에서 제1 부화소가 1행 1열 영역에 형성되도록 레이저를 조사하고, 제2 부화소 전사단계에서 제2 부화소는 1행 2열에 형성되도록 레이저를 조사할 수 있다. On the other hand, the above-described process step is performed in the vacuum chamber 210, the laser irradiation method may vary depending on the arrangement of the organic light emitting layer to be transferred in each transfer step. For example, when three subpixels arranged in a 1 × 3 matrix form one pixel, the laser is irradiated so that the first subpixel is formed in the one row and one column region in the first subpixel transfer step, and the second subpixel is formed in one pixel. In the subpixel transfer step, the second subpixel may be irradiated with a laser so as to be formed in one row and two columns.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조방법에 의하면, 진공하에서 자력을 이용하여 억셉터 기판과 도너필름을 라미네이팅할 수 있게 되어 유기 발광 다이오드의 다른 공정과 동조되도록 할 수 있다. 또한, 자력에 의해 억셉터 기판과 도너필름을 강하게 밀착시킴으로써 발광층 전사시 억셉터 기판과 도너필름 사이에 이물질이나 공극이 발생하지 않는다.As described above, according to the laser thermal transfer apparatus and the method of manufacturing the organic light emitting diode using the same, the acceptor substrate and the donor film can be laminated using a magnetic force under vacuum, and thus the Can be synchronized. In addition, by adhering the acceptor substrate and the donor film strongly by magnetic force, no foreign matter or voids are generated between the acceptor substrate and the donor film during transfer of the light emitting layer.

또한, 레이저 열전사법에 의해 제1 및 제2 부화소들을 형성할 때 하나의 밀착프레임을 사용함으로써, 사용되는 밀착프레임의 수를 줄이고 공정을 단순화할 수 있다. In addition, by using one contact frame when forming the first and second subpixels by laser thermal transfer, it is possible to reduce the number of contact frames used and simplify the process.

Claims (10)

제1 내지 제3 색상 유기 발광층을 포함하는 적어도 세 개의 부화소가 하나의 화소를 이루고, 상기 제1 내지 제3 색상 유기 발광층 중 적어도 한 색상의 발광층은 제1 내지 제3 부화소를 포함하는 화소부에 공통으로 형성되는 유기 발광 다이오드의 발광층을 형성하는 레이저 열전사 장치에 있어서,At least three subpixels including the first to third color organic light emitting layers form one pixel, and the light emitting layer of at least one of the first to third color organic light emitting layers includes the first to third subpixels. A laser thermal transfer apparatus for forming a light emitting layer of an organic light emitting diode commonly formed in a portion, 자석 또는 자성체를 포함하는 기판 스테이지 및 상기 기판 스테이지와 레이저 발진기 사이에 설치되는 밀착프레임을 포함하며, 레이저 열전사가 행해지는 챔버;A chamber including a substrate stage including a magnet or a magnetic body and an adhesion frame installed between the substrate stage and the laser oscillator, wherein the chamber is subjected to laser thermal transfer; 상기 밀착프레임 및 도너필름에 레이저를 조사하기 위한 상기 레이저 발진기; 및The laser oscillator for irradiating a laser onto the close contact frame and the donor film; And 상기 밀착프레임을 상기 기판 스테이지 방향으로 왕복 이동시키는 밀착프레임 이동수단을 포함하며,A contact frame moving means for reciprocating the contact frame toward the substrate stage; 상기 밀착프레임은 자석 또는 자성체를 포함하고, 상기 제1, 제2 및 제3 부화소들 중 동일한 행에 이웃하도록 배치된 제1 및 제2 부화소 영역에 공통으로 대응되는 개구홈을 구비하는 레이저 열전사 장치.The close contact frame may include a magnet or a magnetic material, and the laser may include an opening groove corresponding to the first and second subpixel regions disposed to be adjacent to the same row among the first, second and third subpixels. Thermal transfer device. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 밀착프레임 이동수단은 The close frame moving means 상기 밀착프레임을 상하로 이동시키기 위한 상하 구동부; 및A vertical drive unit for moving the contact frame up and down; And 상기 상하 구동부 및 상기 밀착프레임이 안착된 제1 트레이에 연결된 연결바를 구비한 레이저 열전사 장치.And a connecting bar connected to the first tray on which the vertical drive unit and the contact frame are seated. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 기판 스테이지 및 상기 밀착프레임 중 적어도 하나에 포함된 상기 자석은 전자석인 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.And the magnet included in at least one of the substrate stage and the contact frame is an electromagnet. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 기판 스테이지 및 상기 밀착프레임 중 적어도 하나에 포함된 상기 자석은 영구자석인 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.And the magnet included in at least one of the substrate stage and the contact frame is a permanent magnet. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 자성체는 Fe, Ni, Cr, Fe2O3, Fe3O4, CoFe2O4, 자성 나노입자 및 그 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 하나인 레이저 열전사 장치.The magnetic material is a laser thermal transfer apparatus is one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 , magnetic nanoparticles and mixtures thereof. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 기판 스테이지에는 상기 제1 내지 제3 부화소 영역이 형성된 억셉터 기판 및 상기 억셉터 기판 상의 부화소들로 전사될 유기 발광층을 구비하는 각 도너필름이 순차적으로 이송되어 적층되는 레이저 열전사 장치.And a donor film including an acceptor substrate having the first to third subpixel regions and an organic light emitting layer to be transferred to the subpixels on the acceptor substrate. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항의 레이저 열전사 장치에 의해 제1 및 제2 전극 사이의 발광층이 형성되는 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법에 있어서,In the method of manufacturing an organic light emitting diode, wherein the light emitting layer between the first and second electrodes is formed by the laser thermal transfer apparatus according to any one of claims 1 to 6, 자석 또는 자성체를 포함한 기판 스테이지 상에 하나의 화소를 이루는 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소 영역이 형성된 억셉터 기판을 위치시키는 억셉터 기판 이송단계;An acceptor substrate transfer step of positioning an acceptor substrate on which a first subpixel, a second subpixel, and a third subpixel region forming one pixel are formed on a substrate stage including a magnet or a magnetic material; 상기 억셉터 기판 상에 상기 제1 부화소 영역에 전사될 제1 색상 유기 발광층을 구비하는 도너필름을 위치시키는 제1 도너필름 이송단계;A first donor film transfer step of placing a donor film having a first color organic light emitting layer to be transferred to the first subpixel area on the acceptor substrate; 자석 또는 자성체를 포함하며 상기 제1 색상 및 제2 색상 유기 발광층을 전사하기 위한 레이저가 통과되는 개구홈이 형성된 밀착프레임을 상기 제1 도너필름에 자기적 인력으로 밀착하는 밀착프레임 밀착단계;A close contact frame contacting step of closely contacting the close contact frame including a magnet or a magnetic material and having an opening groove through which a laser for transferring the first and second color organic light emitting layers pass, to the first donor film with magnetic attraction; 레이저 발진기로부터 상기 밀착프레임의 개구홈을 통해 상기 제1 도너필름 상으로 레이저를 조사하여 상기 제1 색상 유기 발광층을 상기 제1 부화소 영역으로 전사하는 제1 부화소 전사단계;A first subpixel transfer step of transferring the first color organic light emitting layer to the first subpixel region by irradiating a laser onto the first donor film through an opening groove of the adhesion frame from a laser oscillator; 상기 밀착프레임을 상기 제1 도너필름으로부터 분리하는 밀착프레임 분리단계;An adhesion frame separation step of separating the adhesion frame from the first donor film; 상기 억셉터 기판 상에 상기 제2 색상 유기 발광층을 구비하는 제2 도너필름을 상기 제1 도너필름과 교환하여 위치시키는 제2 도너필름 이송단계;A second donor film transfer step of placing a second donor film including the second color organic light emitting layer on the acceptor substrate in exchange with the first donor film; 상기 밀착프레임을 상기 제2 도너필름에 자기적 인력으로 재밀착하는 밀착프레임 재밀착단계; 및An adhesion frame re-adhesion step of re-adhering the adhesion frame to the second donor film with magnetic attraction; And 상기 레이저 발진기로부터 상기 밀착프레임의 개구홈을 통해 상기 제2 도너필름에 레이저를 조사하여 상기 제2 색상 유기 발광층을 상기 제2 부화소 영역으로 전사하는 제2 부화소 전사단계를 포함하며,상기 제3 부화소의 제3 색상 유기 발광층은 상기 화소들이 형성되는 화소부 영역에 공통으로 증착되어 형성되는 유기 발광다이오드의 제조방법.And a second subpixel transfer step of transferring the second color organic light emitting layer to the second subpixel area by irradiating a laser to the second donor film through the opening groove of the close contact frame from the laser oscillator. The third color organic light emitting layer of the subpixels is formed by being deposited in common in the pixel region where the pixels are formed. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 내지 제3 부화소들은 1×3 행렬을 이루며 하나의 화소를 형성하고,The first to third subpixels form one pixel in a 1 × 3 matrix, 상기 제1 부화소 전사단계에서 상기 제1 색상 유기 발광층은 상기 화소 내의 제1 행 1열에 형성되도록 전사하고, 상기 제2 부화소 전사단계에서 상기 제2 색상 유기 발광층은 상기 화소 내의 제1행 2열에 형성되도록 전사하는 유기 발광다이오드의 제조방법.In the first subpixel transfer step, the first color organic light emitting layer is transferred to be formed in the first row 1 column of the pixel, and in the second subpixel transfer step, the second color organic light emitting layer is the first row 2 in the pixel. A method of manufacturing an organic light emitting diode that is transferred to be formed in a heat. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 색상 유기 발광층은 레드 발광층이고, 상기 제2 색상 유기 발광층은 그린 발광층이며, 상기 제3 색상 유기 발광층은 블루 발광층인 유기 발광다이오드의 제조방법.Wherein the first color organic light emitting layer is a red light emitting layer, the second color organic light emitting layer is a green light emitting layer, and the third color organic light emitting layer is a blue light emitting layer. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 색상 유기 발광층은 그린 발광층이고, 상기 제2 색상 유기 발광층은 레드 발광층이며, 상기 제3 색상 유기 발광층은 블루 발광층인 유기 발광다이오드의 제조방법.Wherein the first color organic light emitting layer is a green light emitting layer, the second color organic light emitting layer is a red light emitting layer, and the third color organic light emitting layer is a blue light emitting layer.
KR1020050080343A 2005-08-30 2005-08-30 Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same KR100700825B1 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050080343A KR100700825B1 (en) 2005-08-30 2005-08-30 Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same
US11/507,792 US7817175B2 (en) 2005-08-30 2006-08-21 Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
JP2006234478A JP4723438B2 (en) 2005-08-30 2006-08-30 Laser thermal transfer apparatus and organic light emitting device manufacturing method using the same
TW095131945A TW200721891A (en) 2005-08-30 2006-08-30 Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
US12/882,178 US8537185B2 (en) 2005-08-30 2010-09-14 Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
US13/928,270 US8623583B2 (en) 2005-08-30 2013-06-26 Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050080343A KR100700825B1 (en) 2005-08-30 2005-08-30 Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070024818A KR20070024818A (en) 2007-03-08
KR100700825B1 true KR100700825B1 (en) 2007-03-27

Family

ID=38099151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050080343A KR100700825B1 (en) 2005-08-30 2005-08-30 Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100700825B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101297376B1 (en) * 2011-09-05 2013-08-19 주식회사 에스에프에이 Film Alignment Apparatus for Vacuum Chamber

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6688365B2 (en) 2001-12-19 2004-02-10 Eastman Kodak Company Method for transferring of organic material from a donor to form a layer in an OLED device
US6695029B2 (en) 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6695029B2 (en) 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device
US6688365B2 (en) 2001-12-19 2004-02-10 Eastman Kodak Company Method for transferring of organic material from a donor to form a layer in an OLED device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101297376B1 (en) * 2011-09-05 2013-08-19 주식회사 에스에프에이 Film Alignment Apparatus for Vacuum Chamber

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070024818A (en) 2007-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8623583B2 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
US7502043B2 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method and fabricating method of organic light-emitting diode using the same
KR100711878B1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and Laser induced thermal imaging method
TWI621723B (en) Deposition mask, deposition apparatus, deposition method, and manufacturing method of organic EL display device
KR101145201B1 (en) Thin layers deposition apparatus for manufacturing oled
JP2003187973A (en) Vapor deposition device for manufacturing organic electroluminescent element using electromagnet and vapor deposition method using the same
US8017295B2 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method and organic light emitting display device using the same
KR100700825B1 (en) Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same
KR100700841B1 (en) Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Method using the same
US20110212400A1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method
KR100700824B1 (en) Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same
KR100700823B1 (en) Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Preparing Method of Organic Light Emittingg Diode Using the Same
KR100745335B1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and preparing method of organic light emitting device using the same
KR100745336B1 (en) Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Method using the same
KR100745337B1 (en) Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Method using the same
KR100700826B1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and Laser induced thermal imaging method
KR100636501B1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and method using the same
KR100700837B1 (en) Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Method using the same
JP2019194359A (en) Vapor deposition apparatus and vapor deposition method and manufacturing method of organic el display device
KR100719681B1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and preparing method of organic light emitting device using the same
KR100711888B1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus
JP4642684B2 (en) Laser thermal transfer apparatus and laser thermal transfer method using the apparatus
KR100711887B1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 13