JP4637776B2 - Laser thermal transfer method and organic electroluminescent device manufacturing method using donor film - Google Patents
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Description
本発明は、レーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法に関し、より具体的には、電磁石層が具備されたアクセプタ基板と、磁性層を含むドナーフィルムを形成することで、アクセプタ基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a laser thermal transfer method and a method for producing an organic electroluminescent device using a donor film, and more specifically, by forming an acceptor substrate provided with an electromagnet layer and a donor film including a magnetic layer, The present invention relates to a laser thermal transfer method capable of improving adhesion characteristics between an acceptor substrate and a transfer layer, and a method for producing an organic electroluminescent element using a donor film.
本発明の適用分野は特定産業分野に限定されるのではなく、多様に適用することができるが、有機発光素子製作の時有機発光層等を形成するが有用であると予想される。有機発光素子は第1電極と第2電極間に発光層を形成し、電極の間に電圧を印加することで、発光層で正孔と電子が合体することで自発発光する素子である。 The application field of the present invention is not limited to a specific industrial field, and can be applied in various ways. However, it is expected that it is useful to form an organic light emitting layer or the like when manufacturing an organic light emitting element. An organic light-emitting element is an element that spontaneously emits light when a light-emitting layer is formed between a first electrode and a second electrode and a voltage is applied between the electrodes to combine holes and electrons in the light-emitting layer.
以下では有機発光素子に用いられるレーザ熱転写装置を基準として本発明の従来の技術及び本発明の構成等が説明されるが本発明がこれに限定されるのではない。 Hereinafter, the conventional technique of the present invention and the configuration of the present invention will be described with reference to a laser thermal transfer apparatus used for an organic light emitting device, but the present invention is not limited thereto.
レーザ熱転写方法は基材基板、光熱変換層、及び転写層を含むドナー基板にレーザを照射させて基材基板を通過したレーザを光熱変換層で熱に変化させて光熱変換層を変形膨脹させることで、隣接した転写層を変形膨脹させてアクセプタ基板に転写層が接着されて転写されるようにする方法である。 In the laser thermal transfer method, the base substrate, the photothermal conversion layer, and the donor substrate including the transfer layer are irradiated with laser, and the laser that has passed through the base substrate is changed into heat by the photothermal conversion layer to deform and expand the photothermal conversion layer. In this method, the adjacent transfer layer is deformed and expanded so that the transfer layer is adhered and transferred to the acceptor substrate.
レーザ熱転写方法を施す場合、発光層の転写が行われるチャンバ内部は、発光素子形成の時の他の蒸着工程と同調されるようにするために真空状態が行われることが好ましいので、真空状態で主に行われるが、従来の方法によって真空状態でレーザ熱転写を行う場合、接着力が弱くなって、転写層の転写が十分に行われないという問題点がある。よって、レーザ熱転写方法において、ドナー基板とアクセプタ基板をラミネーティングさせる方法は、重要な意味を持ち、これを解決するためのさまざまな方案が研究されている。 When performing the laser thermal transfer method, the inside of the chamber in which the light emitting layer is transferred is preferably in a vacuum state so as to be synchronized with other vapor deposition processes when forming the light emitting element. Although it is mainly performed, when laser thermal transfer is performed in a vacuum state by a conventional method, there is a problem that the adhesive force becomes weak and transfer of the transfer layer is not sufficiently performed. Therefore, in the laser thermal transfer method, a method of laminating a donor substrate and an acceptor substrate has an important meaning, and various methods for solving this have been studied.
図1は、上述した問題点を解決するための従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。これによれば、レーザ熱転写装置10は、チャンバ11内部に位置する基板ステージ12及びチャンバ11上部に位置したレーザ照射装置13を含んで構成される。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a conventional laser thermal transfer apparatus for solving the above-described problems. According to this, the laser
基板ステージ12は、チャンバ11に導入されるアクセプタ基板14とドナーフィルム15をそれぞれ順次位置させるためのステージである。
この時、アクセプタ基板14とドナーフィルム15の間に異物や空間なしにラミネーティングされるために、レーザ熱転写が行われるチャンバ11内部を真空で維持せず、基板ステージ12下部にホース16を連結して真空ポンプPで吸いこみ、アクセプタ基板14とドナーフィルム15を合着させる。
The
At this time, since laminating is performed between the
しかし、このような従来の技術においてもアクセプタ基板14とドナーフィルム15の間の異物1と空間が発生することを完全に防止することができず、かつ、チャンバ11内部の真空状態を維持することができなくなるため、製品の寿命および信頼性に良くない影響を及ぼすことが知られている。
However, even in such a conventional technique, the generation of the
一方、前記従来のレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献1ないし3等がある。
したがって、本発明は前記従来の問題点を解消するために導出された発明であり、真空チャンバ内でアクセプタ基板一面に形成される電磁石層及び磁性層を含むドナーフィルムを形成することでアクセプタ基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法を提供することにその目的がある。 Accordingly, the present invention is an invention derived in order to solve the above-mentioned conventional problems, and by forming a donor film including an electromagnet layer and a magnetic layer formed on the entire surface of the acceptor substrate in a vacuum chamber, It is an object of the present invention to provide a laser thermal transfer method capable of enhancing the adhesion property of the transfer layer and a method for producing an organic electroluminescent device using a donor film.
前記目的を果たすための、本発明の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写ドナーフィルムを利用したレーザ熱転写方法は、チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、前記アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を形成する段階と、前記アクセプタ基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階とを含む。 According to one aspect of the present invention for achieving the above object, a laser thermal transfer method using the laser thermal transfer donor film of the present invention includes a step of positioning an acceptor substrate on a substrate stage in a chamber; Forming an electromagnet layer on at least one surface; positioning a donor film having at least a light-heat conversion layer, a transfer layer, and a magnetic layer on the other surface of the acceptor substrate; and placing the donor film on the acceptor substrate Laminating, and irradiating the donor film with a laser beam to transfer at least a portion of the transfer layer onto the acceptor substrate.
また、本発明の他の一側面によれば、本発明のドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法は、アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を形成する段階と、前記アクセプタ基板上に第1電極層を形成する段階と、前記第1電極層上に形成されて、前記第1電極層の一領域を部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、前記第1電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって磁性層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、前記転写層と前記画素規定膜上に第2電極層を形成する段階とを含む。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic electroluminescent device using the donor film of the present invention, comprising: forming an electromagnet layer on at least one surface of an acceptor substrate; Forming a first electrode layer, forming a pixel defining layer formed on the first electrode layer and having an opening so as to partially expose a region of the first electrode layer; and Transferring a donor film transfer layer including a magnetic layer onto the first electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method; forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining film; including.
本発明の他の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写方法は、チャンバ内の基板ステージ上に基板を位置させる段階と、前記基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、前記基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部を基板上に転写させる段階とを含む。 According to another aspect of the present invention, the laser thermal transfer method of the present invention includes a step of positioning a substrate on a substrate stage in a chamber, a step of forming a permanent magnet layer on at least one surface of the substrate, and the substrate. Positioning a donor film having at least a light-to-heat conversion layer, a transfer layer, and a magnetic layer on the other surface; laminating the donor film on the substrate; and irradiating the donor film with a laser beam And transferring at least a part of the transfer layer onto the substrate.
本発明の他の一側面によれば、本発明のドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法は、基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、前記基板上に第1電極層を形成する段階と、前記第1電極層上に形成されて、前記第1電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、前記第1電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって磁性層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、前記転写層と前記画素規定膜上に第2電極層を形成する段階とを含む。 According to another aspect of the present invention, a method of manufacturing an organic electroluminescent device using the donor film of the present invention includes a step of forming a permanent magnet layer on at least one surface of a substrate, and a first electrode layer on the substrate. Forming a pixel defining layer formed on the first electrode layer and having an opening so that a region of the first electrode layer is partially exposed; and the first electrode A transfer layer of a donor film including a magnetic layer is transferred onto the layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method; and a second electrode layer is formed on the transfer layer and the pixel defining film.
本発明のまた他の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写方法は、チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、前記アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、前記アクセプタ基板他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び永久磁石層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階とを含む。 According to still another aspect of the present invention, the laser thermal transfer method of the present invention includes a step of positioning an acceptor substrate on a substrate stage in a chamber, and a step of forming a magnetic layer on at least one surface of the acceptor substrate; Positioning a donor film having at least a light-to-heat conversion layer, a transfer layer, and a permanent magnet layer on the other side of the acceptor substrate; laminating the donor film on the acceptor substrate; and on the donor film Irradiating a laser beam to transfer at least a part of the transfer layer onto the acceptor substrate.
本発明の他の一側面によれば、本発明のドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法は、アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、前記アクセプタ基板上に第1電極層を形成する段階と、前記第1電極層上に形成されて、前記第1電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、前記第1電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって永久磁石層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、前記転写層と前記画素規定膜上に第2電極層を形成する段階とを含む。 According to another aspect of the present invention, a method for manufacturing an organic electroluminescent device using the donor film of the present invention includes a step of forming a magnetic layer on at least one surface of an acceptor substrate, and a first electrode on the acceptor substrate. Forming a layer, forming a pixel defining layer formed on the first electrode layer and having an opening so as to partially expose a region of the first electrode layer, and the first Transferring a donor film transfer layer including a permanent magnet layer onto the electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method; and forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining film. Including.
以上のように、本発明によれば、真空下で磁力を利用してドナーフィルムと基板をラミネーティングできるようになって有機発光素子の以前工程と同じく真空状態を維持することができるだけではなく、ドナーフィルムと基板の間に異物や空隙が発生することを防止することができる。よって、有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を維持することができる。 As described above, according to the present invention, not only can the donor film and the substrate be laminated using a magnetic force under vacuum, and the vacuum state can be maintained as in the previous step of the organic light emitting device. Generation | occurrence | production of a foreign material and a space | gap between a donor film and a board | substrate can be prevented. Therefore, the lifetime, yield and reliability of the organic light emitting device can be maintained.
以下では本発明のさまざまな実施例を参照し、本発明をより詳細に説明する。図2aないし図2fは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。 The invention is described in more detail below with reference to various embodiments of the invention. 2a to 2f are process sectional views for explaining a laser thermal transfer method according to one aspect of the present invention.
図2aないし図2fは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図であり、図3は、レーザ熱転写方法を示すブロック図である。 2a to 2f are process sectional views for explaining a laser thermal transfer method according to one aspect of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing the laser thermal transfer method.
<第1実施例>
図2aを参照すれば、本発明の第1実施例によるレーザ熱転写方法を説明するために、まず、移送チャンバ200b内にロボット腕240とエンドエフェクタ(end-effector)250をローディングする。前記移送チャンバ200bは、真空雰囲気を維持することが好ましい。
<First embodiment>
Referring to FIG. 2a, in order to describe the laser thermal transfer method according to the first embodiment of the present invention, first, a
前記エンドエフェクタ250上に電磁石層260と前記アクセプタ基板270を安着させる。前記電磁石層260は、一つの大きい平面磁石や複数個が配列された形態が可能である。前記電磁石層260が配置される類型には制限がないが、ラミネーティングをより有利に遂行するためには大きい平面磁石で形成することが好ましい(S1参照)。
The
図2bを参照すれば、前記エンドエフェクタ250上に安着された前記電磁石層260と前記アクセプタ基板270を前記工程チャンバ200a内に移送させるために、前記エンドエフェクタ250を前記工程チャンバ200a内に移送させる。以後、前記エンドエフェクタ250上に安着された前記電磁石層260と前記基板270は、前記エンドエフェクタ250内部に形成された所定数の貫通ホール(図示せず)を通じて上部方向に上昇された前記基板支持台220上に安着される。
Referring to FIG. 2b, in order to transfer the
前記基板支持台220は、前記基板ステージ230の貫通ホールを通じて上部または下部に移動することができる。前記電磁石層260とアクセプタ基板270を前記基板ステージ230上に安着させるために、前記基板支持台220を下部方向に下降させて前記電磁石層260と前記アクセプタ基板270を前記基板ステージ230上に安着させる。この時、前記工程チャンバ200aは真空雰囲気を維持することが好ましい(S2参照)。
The
図2cを参照すれば、前記エンドエフェクタ250上に安着された前記電磁石層260及び前記アクセプタ基板270を前記基板支持台220上に安着させた後、前記エンドエフェクタ250を前記移送チャンバ200b内に移送させる。以後、前記移送チャンバ200b内に位置した前記エンドエフェクタ250上にドナーフィルム280が具備されたフィルムトレイ280aを位置させる。
Referring to FIG. 2c, after the
前記フィルムトレイ280aの中心には開口部が形成されており、前記開口部には前記ドナーフィルム280が介在されている。また、前記ドナーフィルム280は基材基板、磁性層、光-熱変換層、中間層及び転写層が含まれる。
An opening is formed at the center of the film tray 280a, and the
図2dを参照すれば、前記エンドエフェクタ250上に安着された前記ドナーフィルム280が具備された前記フィルムトレイ280aを前記工程チャンバ200a内に移動させる。前記工程チャンバ200a内に移動された前記フィルムトレイ280aを前記ドナーフィルム支持台210上に安着させる。
Referring to FIG. 2d, the film tray 280a having the
図2eを参照すれば、前記フィルムトレイ280aを前記ドナーフィルム支持台210上に安着させた後、前記エンドエフェクタ250を前記移送チャンバ200b内に移送させる。以後、前記ドナーフィルム支持台210上に安着された前記フィルムトレイ210の前記ドナーフィルム280を前記アクセプタ基板270上にラミネーションさせるために、前記電磁石層260に形成された電気配線(図示せず)に電力を印加させた後、前記工程チャンバ200a内に位置した前記ドナーフィルム支持台210を下部方向に下降させて前記ドナーフィルム280を前記アクセプタ基板270上にラミネーションさせる。この時、前記基板270下部に形成された前記電磁石層260と磁性層が具備された前記ドナーフィルム280の間に磁気力が作用することで、前記アクセプタ基板270と前記ドナーフィルムの転写層280の間に密着特性はさらに向上させることができる(S3参照)。
Referring to FIG. 2e, after the film tray 280a is seated on the
図2fを参照すれば、前記ドナーフィルム280の転写層を前記アクセプタ基板270上に転写させるために前記移送チャンバ200bと前記工程チャンバ200aの間に形成されたゲートバルブ200を閉じる。この時、前記工程チャンバ200a内部または外部に形成されたレーザオシレータ290が作動して前記ドナーフィルム280上部にレーザを照射させる。前記レーザオシレータ290は、前記転写層が転写されるライン別に移送可能である。
Referring to FIG. 2f, the
以下では、前記レーザオシレータ290をより具体的に説明する。
前記レーザオシレータ290は、前記ドナーフィルム280上部に位置される。前記レーザオシレータ290は、チャンバの外部または内部に設置されうるし、前記レーザが上部から照らされうるように設置されることが好ましい。また、レーザオシレータの概略的な構成図290によれば、本実施例でレーザオシレータは、CWND:YAGレーザ(1604nm)を使って、2個のガルバノメータスキャナ(Galvanometer)291、292を具備し、スキャンレンズ293及びシリンダレンズ294を具備するがこれに制限されるものではない(S4参照)。
Hereinafter, the
The
<第2実施例>
本発明の第2実施例によるレーザ熱転写方法を説明するために、まず、移送チャンバ200b内にロボット腕240とエンドエフェクタ250をローディングする。前記エンドエフェクタ250上に永久磁石層260と前記アクセプタ基板270を安着させる。前記永久磁石層260は、一つの大きい平面磁石や複数個が配列された形態が可能である。前記永久磁石層260が配置される類型には制限がないが、ラミネーティングをより有利に遂行するためには大きい平面磁石で形成することが好ましい。
<Second embodiment>
In order to describe the laser thermal transfer method according to the second embodiment of the present invention, first, the
一方、前記エンドエフェクタ250を前記移送チャンバ200b内に移送させた後、前記移送チャンバ200b内に位置した前記エンドエフェクタ250上にドナーフィルム280が具備されたフィルムトレイ280aを位置させる。この時前記ドナーフィルム280は基材基板、磁性層、光-熱変換層、中間層及び転写層を含む。
Meanwhile, after the
前述したように、前記磁性層をドナーフィルム280に挿入させることで、前記アクセプタ基板270上部に位置される時、前記基板270一面に形成された永久磁石層260と相互磁気的引力を形成する。よって、ドナーフィルムとアクセプタ基板も磁力によって密着されるようにする効果がある。
As described above, the magnetic layer is inserted into the
<第3実施例>
本発明の第3実施例によるレーザ熱転写方法を説明するために、まず、移送チャンバ200b内にロボット腕240とエンドエフェクタ250をローディングする。前記エンドエフェクタ250上に磁石層260と前記アクセプタ基板270を安着させる。前記磁石層260はFe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4及びその混合物で構成されるグループより選択される一つからなる。
<Third embodiment>
In order to describe the laser thermal transfer method according to the third embodiment of the present invention, first, the
一方、前記エンドエフェクタ250を前記移送チャンバ200b内に移送させた後、前記移送チャンバ200b内に位置した前記エンドエフェクタ250上にドナーフィルム280が具備されたフィルムトレイ280aを位置させる。前記ドナーフィルム280は、基材基板、永久磁石層、光-熱変換層、中間層及び転写層を含む。
この時、前記永久磁石層は、前記アクセプタ基板の一面に形成された磁性層と互いに磁気力を形成させるために挿入される層であり、アルニコ磁石(Alnico Magnet)、フェライト磁石(Ferrite Magnet)、稀土類磁石、ゴム磁石、プラスチック磁石等が使用されうる。
Meanwhile, after the
At this time, the permanent magnet layer is a layer inserted in order to form a magnetic force with the magnetic layer formed on one surface of the acceptor substrate, Alnico Magnet, Ferrite Magnet, Rare earth magnets, rubber magnets, plastic magnets, etc. can be used.
前述したように、前記永久磁石層をドナーフィルム280に挿入させることで、前記アクセプタ基板270上部に位置される時、前記基板270一面に形成された磁性層260と相互磁気的引力を形成する。よって、ドナーフィルムとアクセプタ基板も磁力によって密着されるようにする効果がある。
As described above, the permanent magnet layer is inserted into the
図4は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第1実施例を示した断面図である。
図4を参照すれば、前記ドナーフィルム280は、基材基板281、前記基材基板281の一面に位置する磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層282、前記光-熱変換層282上に位置する中間層283と、前記中間層283上に位置する転写層284からなる。
説明の重複を避けるために、前記第1実施例と同じ構成要素である基材基板281、中間層283及び転写層284に対する具体的な説明は略する。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a first embodiment of a donor film structure for laser transfer according to the present invention.
Referring to FIG. 4, the
In order to avoid duplication of explanation, specific explanations of the
前記基材基板281は、透明性高分子、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレンまたはポリスチレンからなり、これらに制限されない。
The
前記磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層282は、前記基材基板281上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層282は、磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば、鉄、ニッケル、クロム及びこれらの合金(Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質または磁性ナノ粒子の中で少なくとも一つの物質とこれらの複合層の中で一つを含んで形成されうる。前記磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層282は、磁性を帯び、レーザビームを吸収して熱に変化させる役割をする。
The light-to-
前記中間層283は、前記磁性物質を帯びる光-熱変換層282上にパッド形態で所定間隔を持って形成されうる。
The intermediate layer 283 may be formed in a pad shape with a predetermined interval on the light-
前記転写層284は、前記中間層283上に形成され、前記基板上にパターニング対象の層として、有機物質、例えば、高分子または低分子物質からなる。
The
図5は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第2実施例を示した断面図である。
図5を参照すれば、ドナーフィルム380は、基材基板381、前記基材基板381の一面に形成される前記磁性層382と、前記磁性層382上に形成される光-熱変換層383と、前記光-熱変換層383上に形成される中間層384と、前記中間層384上に形成される転写層385からなる。
FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of the donor film structure for laser transfer according to the present invention.
Referring to FIG. 5, the
前記基材基板381は、透明性高分子、例えば、ポリエチレン、テレフタレート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレンまたはポリスチレンからなり、これらに制限されない。
The
前記磁性層382は、前記基材基板381上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記磁性層382は、磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば、鉄、ニッケル、クロム及びこれらの合金(Fe3O4、CoFeO4、MnFeO4)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質の中で少なくとも一つの物質からなる。
The
前記光-熱変換層383は、磁性層382上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記光-熱変換層383は、有機膜、金属及びこれらの複合層の中で一つからなることができるし、レーザビームを吸収して熱に変化させる役割をする。
The light-
前記中間層384は、前記光-熱変換層383上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記中間層384は、無機物質または有機物質の中で一つからなる。前記中間層384は、前記光-熱変換層383を保護するためのもので、高い熱抵抗を有することが好ましい。
The
前記転写層385は、前記中間層384上に形成され、前記基板上にパターニング対象の層として、有機物質、例えば、高分子または低分子物質からなる。
The
図6は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第3実施例を示した断面図である。
図6を参照すれば、前記ドナーフィルム480は、基材基板481、前記基材基板481の一面に位置する光-熱変換層482、前記光-熱変換層482上に位置する磁性層483と、前記磁性層483上に位置する中間層484と、前記中間層484上に位置する転写層485からなる。
説明の重複を避けるため、前記第1実施例と同じ構成要素である基材基板481、光-熱変換層482、転写層485に対する具体的な説明は略する。
FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of the donor film structure for laser transfer according to the present invention.
Referring to FIG. 6, the
In order to avoid duplication of description, detailed explanations of the
前記基材基板481は、透明性高分子、 例えば、ポリエチレン、テレフタレート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレンまたはポリスチレンからなり、これらに制限されない。
The
前記光-熱変換層482は、基材基板481にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。
前記磁性層483は、前記光-熱変換層482上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記磁性層483は、磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば、鉄、ニッケル、クロム及びこれらの合金(Fe3O4、CoFeO4、MnFeO4)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質の中で少なくとも一つの物質からなる。
The light-
The magnetic layer 483 may be formed on the light-
前記中間層484は、前記磁性層483上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記中間層484は、転写パターンの特性が向上されるように前記転写層485との転写力を制御する役割をする。
The intermediate layer 484 may be formed on the magnetic layer 483 in a pad shape at a predetermined interval. The intermediate layer 484 serves to control the transfer force with the
前記転写層485は、前記中問層484上に形成され、前記基板上にパターニングしようとする層として、有機物質、例えば、高分子または低分子物質からなる。
The
前記実施例で磁性層282、382、483は、基材基板381の一面、光-熱変換層482の一面及び光-熱変換層282に含んで形成されたが、前記磁性層は、これの位置に限定されず、基材基板、光-熱変換層及び中間層の少なくとも一側に形成されうることは勿論であり、磁性を帯びる物質を含む基材基板を形成することができることは勿論である。ただし、転写層一面及び他面に磁性層を形成する場合、転写層の特性が変化されうることがあり、転写層一面及び他面には磁性層を形成しない。
In the embodiment, the
図7aないし図7eは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を順次示した断面図である。 7a to 7e are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of an organic electroluminescent device using a donor film according to another embodiment of the present invention.
まず、図7aに示されたように、前記基板500下部に前記電磁石層510を形成する。前記基板500の一領域上に前記第1電極層520が形成される。前記画素規定膜530は、前記第1電極層520上に形成されて、前記基板500上に前記第1電極層520を少なくとも部分的に露出させる開口部540を含む。前記画素規定膜530は、500Åないし3000Åの範囲厚さで形成される。
First, as shown in FIG. 7 a, the
そして、図7bに示されたように、前記基板500上にドナーフィルム550を位置させる。前記ドナーフィルム550と前記基板500の間に密着が良いほど後続転写工程での転写效率が向上するので、前記ドナーフィルム550の転写層555を前記基板500上によく密着されるようにラミネーションすることが好ましい。
Then, as shown in FIG. 7 b, a
次に、図7cに示されたように、前記基板500上に転写される領域に前記ドナーフィルム550の上部に局部的に選択された画素領域にレーザを照射する。
前記ドナーフィルム550の選択された画素領域上にレーザが照射されれば、前記光-熱変換層553が膨脹するにつれて前記転写層555が膨脹されつつ前記ドナーフィルム550の基材基板551から分離して有機電界発光素子の基板500に転写される。この時、前記電磁石層510に形成された電気配線(図示せず)に電力を印加させる。これによって、前記磁性層552と前記電磁石層510の間に磁気力が作用されることで、前記転写層555の転写特性をさらに高めることができる。
Next, as shown in FIG. 7 c, a region of the pixel transferred locally on the
When the selected pixel region of the
次に、図7dのように、前記基板500上に前記転写層555aが転写されれば、前記ドナーフィルム550と前記基板500を分離させる。前記分離した基板500上には前記開口部540に沿って前記転写層555aが転写され、前記ドナーフィルム550下部の前記転写層555a中レーザが照射された領域の前記転写層555aのみ転写され、レーザが照射されない領域の前記転写層555bは、前記ドナーフィルム540上にそのまま残るようになる。
Next, as shown in FIG. 7d, when the
以後、図7eのように、前記転写層555aが転写された後、前記転写層555a上に第2電極層560を形成する。また、前記基板500と対向される位置に前記封止カバー580が形成される。前記封止カバー580の内側面、すなわち、前記基板500の積層物と対向される位置に前記吸湿剤570が形成される。
Thereafter, as shown in FIG. 7e, after the
前記吸湿剤570は、前記封止カバー580内に形成された水気及び酸素を吸収することができる。これによって、有機電界発光表示素子の有機層が水気などによって損傷及び腐食されることを防止することができる。
The
以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。 The present invention has been described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is only illustrative, and various modifications and other equivalent implementations may be made by those having ordinary skill in the art. It can be understood that the form is possible.
210 ドナーフィルム支持台
220 基板支持台
230 基板ステージ
260 電磁石層
270 アクセプタ基板
280 ドナーフィルム
290 レーザオシレータ
210 Donor
Claims (22)
前記アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を積層する段階と、
前記アクセプタ基板の他面に、少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が積層されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするレーザ熱転写方法。 Positioning an acceptor substrate on a substrate stage in a chamber;
Laminating an electromagnet layer on at least one surface of the acceptor substrate;
Positioning a donor film having at least a light-heat conversion layer, a transfer layer, and a magnetic layer laminated on the other surface of the acceptor substrate;
Laminating the donor film onto the acceptor substrate;
Irradiating the donor film with a laser beam to transfer at least a portion of the transfer layer onto the acceptor substrate;
Only including,
The laser thermal transfer method , wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film .
Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4及びその混合物で構成されるグループより選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。 The magnetic layer is
2. The laser thermal transfer according to claim 1, wherein the laser thermal transfer is any one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 and a mixture thereof. Method.
真空チャンバであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。 The chamber is
The laser thermal transfer method according to claim 1, wherein the laser thermal transfer method is a vacuum chamber.
基材基板と、
前記基材基板上に形成される磁性層と、
前記磁性層上に形成される光-熱変換層と、
前記光-熱変換層上に形成される転写層と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。 The donor film is
A base substrate;
A magnetic layer formed on the base substrate;
A light-to-heat conversion layer formed on the magnetic layer;
A transfer layer formed on the light-heat conversion layer;
The laser thermal transfer method according to claim 1, comprising:
磁性物質をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のレーザ熱転写方法。 The light-to-heat conversion layer is
5. The laser thermal transfer method according to claim 4, further comprising a magnetic substance.
前記アクセプタ基板上に第1電極層を形成する段階と、
前記第1電極層上に形成され、前記第1電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、
前記第1電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって、磁性層が積層されたドナーフィルムの転写層が転写される段階と、
前記転写層と前記画素規定膜上に第2電極層を形成する段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法。 Laminating an electromagnet layer on at least one surface of the acceptor substrate;
Forming a first electrode layer on the acceptor substrate;
Forming a pixel defining layer formed on the first electrode layer and having an opening so that a region of the first electrode layer is partially exposed;
A transfer layer of a donor film having a magnetic layer laminated thereon is transferred onto the first electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method;
Forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining layer;
Only including,
The method for manufacturing an organic electroluminescent element using a donor film, wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film.
前記基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、
前記基板の他面に、少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が積層されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部を基板上に転写させる段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするレーザ熱転写方法。 Positioning a substrate on a substrate stage in a chamber;
Forming a permanent magnet layer on at least one surface of the substrate;
Positioning a donor film having at least a light-to-heat conversion layer, a transfer layer, and a magnetic layer laminated on the other surface of the substrate;
Laminating the donor film onto the substrate;
Irradiating the donor film with a laser beam to transfer at least a portion of the transfer layer onto the substrate;
Only including,
The laser thermal transfer method , wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film .
少なくとも一つの棒または円筒形状で形成されることを特徴とする請求項7に記載のレーザ熱転写方法。 The permanent magnet layer is
8. The laser thermal transfer method according to claim 7, wherein the laser thermal transfer method is formed in at least one rod or cylindrical shape.
磁性ナノパーティクルからなることを特徴とする請求項7に記載のレーザ熱転写方法。 The permanent magnet layer is
The laser thermal transfer method according to claim 7, comprising magnetic nanoparticles.
Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4及びその混合物で構成されるグループより選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項7に記載のレーザ熱転写方法。 The magnetic layer is
The laser thermal transfer according to claim 7, wherein the laser thermal transfer is any one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 and mixtures thereof. Method.
真空チャンバであることを特徴とする請求項7に記載のレーザ熱転写方法。 The chamber is
The laser thermal transfer method according to claim 7, wherein the laser thermal transfer method is a vacuum chamber.
基材基板と、
前記基材基板上に形成される磁性層と、
前記磁性層上に形成される光-熱変換層と、
前記光-熱変換層上に形成される転写層と、
を含むことを特徴とする請求項7に記載のレーザ熱転写方法。 The donor film is
A base substrate;
A magnetic layer formed on the base substrate;
A light-to-heat conversion layer formed on the magnetic layer;
A transfer layer formed on the light-heat conversion layer;
The laser thermal transfer method according to claim 7, comprising:
磁性物質をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のレーザ熱転写方法。 The light-to-heat conversion layer is
The laser thermal transfer method according to claim 13, further comprising a magnetic substance.
前記基板上に第1電極層を形成する段階と、
前記第1電極層上に形成され、
前記第1電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、
前記第1電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって、磁性層が積層されたドナーフィルムの転写層が転写される段階と、
前記転写層と前記画素規定膜上に第2電極層を形成する段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法。 Forming a permanent magnet layer on at least one surface of the substrate;
Forming a first electrode layer on the substrate;
Formed on the first electrode layer;
Forming a pixel defining layer having an opening so that a region of the first electrode layer is partially exposed;
A step of transferring a transfer layer of a donor film in which a magnetic layer is laminated on the first electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method;
Forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining layer;
Only including,
The method for manufacturing an organic electroluminescent element using a donor film, wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film.
前記アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、
前記アクセプタ基板の他面に、少なくとも光-熱変換層、転写層及び永久磁石層が積層されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするレーザ熱転写方法。 Positioning an acceptor substrate on a substrate stage in a chamber;
Forming a magnetic layer on at least one surface of the acceptor substrate;
Positioning a donor film having at least a light-heat conversion layer, a transfer layer, and a permanent magnet layer laminated on the other surface of the acceptor substrate;
Laminating the donor film onto the acceptor substrate;
Irradiating the donor film with a laser beam to transfer at least a portion of the transfer layer onto the acceptor substrate;
Only including,
The laser thermal transfer method , wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film .
Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4及びその混合物で構成されるグループより
選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項16に記載のレーザ熱転写方法。 The magnetic layer is
LITI according to claim 16, Fe, Ni, Cr, characterized in that one one selected from the group consisting of Fe 2 O 3, Fe 3 O 4, CoFe 2 O 4 and mixtures thereof Method.
真空チャンバであることを特徴とする請求項16に記載のレーザ熱転写方法。 The chamber is
The laser thermal transfer method according to claim 16, wherein the laser thermal transfer method is a vacuum chamber.
基材基板と、
前記基材基板上に形成される永久磁石層と、
前記磁性層上に形成される光-熱変換層と、
前記光-熱変換層上に形成される転写層を含むことを特徴とする請求項16に記載のレーザ熱転写方法。 The donor film is
A base substrate;
A permanent magnet layer formed on the base substrate;
A light-to-heat conversion layer formed on the magnetic layer;
The laser thermal transfer method according to claim 16, further comprising a transfer layer formed on the light-heat conversion layer.
真空チャンバであることを特徴とする請求項16に記載のレーザ熱転写方法。 The chamber is
The laser thermal transfer method according to claim 16, wherein the laser thermal transfer method is a vacuum chamber.
前記アクセプタ基板上に第1電極層を形成する段階と、
前記第1電極層上に形成され、
前記第1電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、
前記第1電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって、永久磁石層が積層されたドナーフィルムの転写層が転写される段階と、
前記転写層と前記画素規定膜上に第2電極層を形成する段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法。 Forming a magnetic layer on at least one surface of the acceptor substrate;
Forming a first electrode layer on the acceptor substrate;
Formed on the first electrode layer;
Forming a pixel defining layer having an opening so that a region of the first electrode layer is partially exposed;
A step of transferring a transfer layer of a donor film in which a permanent magnet layer is laminated on the first electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method;
Forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining layer;
Only including,
The method for manufacturing an organic electroluminescent element using a donor film, wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film.
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