KR101000092B1 - Apparatus and method of organic thin film formation - Google Patents
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Abstract
도너 및 기판의 평탄도를 유지하고, 유기물을 기판으로 원활히 전송하도록 한 유기박막 형성장치 및 방법이 개시된다. 유기박막 형성장치는 기판을 지지하는 상정반과, 상기 상정반의 하측에 배치되어 유기물이 도포된 도너를 지지하는 하정반과, 상기 하정반의 하측에 배치되어 상기 도너 측으로 광을 출사하는 광원과, 상기 하정반에 포함되어 상기 광을 투과시키는 투과정반을 포함한다.Disclosed are an organic thin film forming apparatus and method for maintaining flatness of a donor and a substrate and for smoothly transferring organic materials to the substrate. The organic thin film forming apparatus includes an upper plate for supporting a substrate, a lower plate for lowering the upper plate to support a donor coated with organic matter, a light source disposed under the lower plate and emitting light toward the donor side, and the lower plate. It is included in the transmission table for transmitting the light.
Description
본 발명은 유기박막 형성장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저를 이용하여 유기발광 다이오드의 유기박막을 형성하는 유기박막 형성장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic thin film forming apparatus and method, and more particularly, to an organic thin film forming apparatus and method for forming an organic thin film of an organic light emitting diode using a laser.
유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes;OLED)는 저소비 전력, 빠른 응답속도, 넓은 시야각 등의 장점을 가지고 있다. 이러한 OLED는 기본구조가 간단하고 제작이 용이하므로, 두께 1mm이하의 초박형, 초경량 디스플레이 장치에 사용되며, 더 나아가 유리기판 대신 플라스틱과 같은 유연한 기판 위에 제작되어 더 얇고 더 가볍고 깨지지 않는 플렉시블 디스플레이(flexible display) 장치에 사용되기도 한다.Organic Light Emitting Diodes (OLEDs) have advantages such as low power consumption, fast response speed, and wide viewing angle. These OLEDs are used for ultra-thin, ultra-light display devices of less than 1mm in thickness because of their simple structure and easy fabrication. Furthermore, they are manufactured on flexible substrates such as plastic instead of glass substrates, making them thinner, lighter and more flexible. Also used in devices.
OLED는 양극, 유기박막, 음극의 구조를 가진다. 이 중 유기박막은 단일 물질로 제작할 수 있으나, 일반적으로 정공수송층(Hole Trancport Layer;HTL), 발광 층, 전자수송층(Electron Trancport Layer;ETL) 등의 다층으로 구성된다.OLED has a structure of an anode, an organic thin film, and a cathode. The organic thin film may be made of a single material, but is generally composed of a multilayer such as a hole transport layer (HTL), a light emitting layer, and an electron transport layer (ETL).
이와 같은 OLED는 정공수송층으로부터 공급받는 정공과, 전자수송층으로부터 공급받는 전자가 발광층으로 전달되어 정공-전자로 결합되는 여기자(勵起子)를 형성하고 다시 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생되는 에너지에 의해 발광하게 된다.Such OLEDs form excitons, in which holes supplied from the hole transport layer and electrons supplied from the electron transport layer are transferred to the light emitting layer and combined with hole-electrons, and then, by the energy generated when the excitons return to the ground state. It will emit light.
한편, 유기박막을 형성하는 기술로 레이저 열전사 방법(Laser Induced Pattern-wise Sublimation;LIPS)이 개발되고 있다. LISP는 유기층을 포함하는 도너에 광을 조사하여 유기물이 승화되는 것을 이용하여 기판에 유기박막을 형성한다. On the other hand, as a technique for forming an organic thin film (Laser Induced Pattern-wise Sublimation; LIPS) has been developed. LISP forms an organic thin film on a substrate by irradiating light on a donor including an organic layer to sublimate an organic material.
일반적인 LIPS 장치는 챔버의 상부에 도너를 위치시키고, 챔버의 하부에 기판을 위치시켜 도너의 상측에서 광을 하향 조사한다. 상기 LIPS 장치로 제공되는 도너는 광를 투과시키는 광 투과층과, 광을 흡수하여 열에너지로 전환하는 광 흡수층을 포함하며, 유기층은 광 흡수층 아래에 형성된다. A typical LIPS device places a donor at the top of the chamber and places a substrate at the bottom of the chamber to irradiate light downward from the top of the donor. The donor provided in the LIPS device includes a light transmitting layer for transmitting light and a light absorbing layer for absorbing light and converting the light into thermal energy, and the organic layer is formed under the light absorbing layer.
도너로 조사되는 광은 광 투과층을 투과하여 광 흡수층으로 진행하고, 광 흡수층은 열에너지를 발생시켜 광이 조사된 영역에 도포된 유기층을 승화시킨다. 유기층으로부터 승화되는 유기물은 기판에 증착되어 유기박막을 형성한다.The light irradiated with the donor passes through the light transmitting layer and proceeds to the light absorbing layer, and the light absorbing layer generates thermal energy to sublimate the organic layer applied to the light irradiated region. The organic material sublimed from the organic layer is deposited on the substrate to form an organic thin film.
상기 LIPS 장치는 유기박막의 형성 공정 진행 중에 유기물의 전송경로를 확보하기 위해 도너 및 기판의 테두리부를 각각 물리적으로 클램핑하여 도너 및 기판을 지지한다. The LIPS device supports the donor and the substrate by physically clamping the edges of the donor and the substrate, respectively, in order to secure a transmission path of the organic material during the process of forming the organic thin film.
이때, 도너 및 기판을 클램핑하는 가압력은 도너 및 기판의 테두리부로부터 도너 및 기판의 중앙부 측으로 작용한다. 이와 같이 작용하는 가압력에 의해 도너 와 기판은 중앙부가 볼록하게 휘어지고, 이는 도너와 기판의 정렬을 곤란하게 하는 문제점으로 작용한다.At this time, the pressing force for clamping the donor and the substrate acts from the edge of the donor and the substrate toward the center portion of the donor and the substrate. The donor and the substrate are bent convexly by the pressing force acting as described above, which acts as a problem that makes the donor and the substrate difficult to align.
본 발명의 목적은 도너 및 기판의 평탄도를 유지하고, 유기물을 기판으로 원활히 전송하도록 한 유기박막 형성장치 및 방법을 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide an organic thin film forming apparatus and method for maintaining the flatness of the donor and the substrate, and to smoothly transfer the organic material to the substrate.
유기박막 형성장치는 기판을 지지하는 상정반과, 상기 상정반의 하측에 배치되어 유기물이 도포된 도너를 지지하는 하정반과, 상기 하정반의 하측에 배치되어 상기 도너 측으로 광을 출사하는 광원과, 상기 하정반에 포함되어 상기 광을 투과시키는 투과정반을 포함한다.The organic thin film forming apparatus includes an upper plate for supporting a substrate, a lower plate for lowering the upper plate to support a donor coated with organic matter, a light source disposed under the lower plate and emitting light toward the donor side, and the lower plate. It is included in the transmission table for transmitting the light.
상기 유기박막 형성장치는 내부에 상기 상정반과 상기 하정반이 배치되며, 상기 광원의 상측에 배치되는 챔버를 더 포함할 수 있다.The organic thin film forming apparatus may further include a chamber disposed inside the upper plate and the lower plate, and disposed above the light source.
상기 챔버는 상기 광을 투과시키는 투과창을 포함할 수 있다.The chamber may include a transmission window for transmitting the light.
상기 유기박막 형성장치는 상기 챔버 내부를 진공 배기시키는 진공 배기부를 더 포함할 수 있다.The organic thin film forming apparatus may further include a vacuum exhaust unit configured to evacuate the inside of the chamber.
상기 상정반은 상기 기판을 냉각시켜 상기 도너보다 상기 기판의 온도가 낮게 유지시키는 냉각판을 포함할 수 있다.The upper plate may include a cooling plate for cooling the substrate to maintain a lower temperature of the substrate than the donor.
상기 유기박막 형성장치는 상기 상정반을 관통하여 승강되는 복수의 상부 승강핀과, 상기 하정반을 관통하여 승강되는 복수의 하부 승강핀을 더 포함할 수 있다.The organic thin film forming apparatus may further include a plurality of upper lifting pins that are lifted through the upper plate and a plurality of lower lifting pins that are lifted through the lower plate.
복수의 상기 상부 승강핀은 상기 기판을 진공 흡착할 수 있다.The plurality of upper lifting pins may vacuum-adsorb the substrate.
복수의 상기 하부 승강핀은 상기 하정반의 테두리부를 관통하도록 배치될 수 있다.The plurality of lower lifting pins may be disposed to penetrate the edge of the lower plate.
상기 하정반은 상기 하정반의 테두리부에 배치되는 도너 척을 포함할 수 있다.The lower plate may include a donor chuck disposed at an edge of the lower plate.
상기 유기박막 형성장치는 상기 광원을 이동시키는 광원 이동모듈을 더 포함할 수 있다.The organic thin film forming apparatus may further include a light source moving module for moving the light source.
상기 유기박막 형성장치는 상기 상정반을 승강시키는 정반 승강모듈을 더 포함할 수 있다.The organic thin film forming apparatus may further include a surface lift module for lifting the upper surface plate.
유기박막 형성방법은 도너의 상측에 기판을 지지하는 지지단계와, 상기 기판을 하강시켜 상기 도너에 상기 기판을 접촉시키는 접촉단계와, 상기 도너의 온도보다 상기 기판의 온도가 낮게 상기 기판을 냉각시키는 기판 냉각단계와, 상기 도너로 광을 조사하여 상기 도너에 도포된 상기 유기물을 상기 기판으로 승화시키는 광 조사단계;를 포함할 수 있다.The organic thin film forming method includes a supporting step of supporting a substrate on an upper side of a donor, a contacting step of lowering the substrate to contact the substrate with the donor, and cooling the substrate to a temperature lower than that of the donor. And a substrate cooling step, and a light irradiation step of subliming the organic material applied to the donor to the substrate by irradiating light with the donor.
상기 지지단계는 상기 도너의 중앙부와 상기 도너의 테두리부를 함께 지지할 수 있다.The supporting step may support the central portion of the donor and the edge of the donor together.
상기 지지단계와 상기 접촉단계의 사이에는 상기 기판에 대한 상기 도너의 위치를 조절하는 정렬단계를 더 포함할 수 있다.An alignment step of adjusting the position of the donor with respect to the substrate may be further included between the supporting step and the contacting step.
상기 광 조사단계는 유기박막이 형성될 패턴에 따라 상기 광의 위치를 이동시키며 상기 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 유기박막 형성방법.The light irradiation step is a method of forming an organic thin film, characterized in that for irradiating the light while moving the position of the light according to the pattern to be formed organic thin film.
본 발명에 따른 유기박막 형성장치 및 방법은 도너 및 기판의 평탄도을 유지하고, 유기물을 기판으로 원활히 전송할 수 있는 효과가 있다.The organic thin film forming apparatus and method according to the present invention maintains the flatness of the donor and the substrate, and has an effect of smoothly transferring the organic material to the substrate.
이하, 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치 및 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, an organic thin film forming apparatus and method according to the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치로 제공되는 도너의 일부를 나타낸 확대 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 유기박막 형성장치(100)는 처리공간(111)을 제공하는 챔버(110)를 포함한다. 챔버(110)는 하단부 각 모서리에 배치되는 지지 프레임(113)에 의해 지지되어 설치장소의 바닥면으로부터 이격되도록 설치된다. 1 is a cross-sectional view showing an organic thin film forming apparatus according to the present embodiment, Figure 2 is an enlarged cross-sectional view showing a portion of the donor provided to the organic thin film forming apparatus according to this embodiment. 1 and 2, the organic thin
챔버(110)는 도너(D)와 기판(S)의 출입을 위한 도어(110a)를 포함한다. 챔버(110)는 도어(110a)의 폐쇄시 처리공간(111)이 밀폐되도록 마련된다. 유기박막 형성장치(100)는 밀폐된 처리공간(111)의 배기를 수행하여 처리공간(111)을 진공 분위기로 전환하는 진공 배기부(120)를 포함한다.The
여기서, 챔버(110) 내부로 반입되는 도너(D)는 기판(S)에 형성될 유기물이 도포된 도포부(Da)와, 도너(D)의 핸들링(handling) 및 얼라인 마크(align mark)의 삽입을 위해 테부리부에 배치되는 핸들링부(Db)를 포함한다. 도포부(Da)는 유기물로 이루어지는 유기층(10)과, 광 투과성 재료로 이루어지는 광 투과층(12)과, 광 투과층(12)을 투과한 광이 입사되면 열에너지를 발생하는 광 흡수층(11)을 포함한다. 이때 광 흡수층(11)은 니켈, 크롬, 티탄 등과 같은 금속재료로 이루어질 수 있다.Here, the donor D carried into the
챔버(110)는 하단부에 광을 투과시키는 투과창(115)이 형성된다. 투과창(115)은 처리공간(111) 내에서 지지되는 도너(D)의 도포부(Da)와 대응되는 영역에 형성된다.The
유기박막 형성장치(100)는 챔버(110)의 하측에 배치되는 광원(130)을 포함한다. 광원(130)은 챔버(110) 내부로 광을 조사한다. 광원(130)은 지지 프레임(113)의 내측에 배치되는 광원 이동모듈(131)에 의해 챔버(110)의 하측에서 평면 이동이 가능하도록 마련된다.The organic thin
유기박막 형성장치(100)는 처리공간(111)의 상부에 배치되어 승강되는 상정반(140)과, 처리공간(111)의 하부에 배치되어 상정반(140)에 대향되는 하정반(150)을 포함한다. The organic thin
상정반(140)은 챔버(110)의 상부에 배치되는 정반 승강모듈(160)에 의해 승강된다. 정반 승강모듈(160)는 챔버(110)의 상단을 관통하여 상정반(140)에 결합되는 정반 승강축(161)과, 정반 승강축(161)을 승강시키는 정반 승강펌프(163)를 포 함한다.The
정반 승강모듈(160)은 도너(D)가 하정반(150)에 지지되고 기판(S)이 상정반(140)에 지지되면, 상정반(140)을 하강시켜 기판(S)을 도너(D)에 접촉시킨다. 정반 승강모듈(160)는 기판(S)에 유기박막이 형성된 후 상정반(140)을 상승시켜 도너(D)로부터 기판(S)을 분리시킨다.The
유기박막 형성장치(100)는 상정반(140)의 상측에 배치되는 상부 승강모듈(170)와, 하정반(150)의 하측에 배치되는 하부 승강모듈(180)를 포함한다. The organic thin
상부 승강모듈(170)는 상정반(140)을 관통하여 승강되는 복수의 상부 승강핀(171)과, 복수의 상부 승강핀(171)을 승강시키는 상부 승강펌프(173)을 포함한다. 복수의 상부 승강핀(171)은 하강되어 처리공간(111)으로 반입되는 기판(S)을 흡착하고, 기판(S)을 흡착한 상태에서 상승되어 기판(S)을 상정반(140)으로 안내한다. 복수의 상부 승강핀(171)은 정반 승강모듈(160)에 의한 상정반(140)의 상승시 기판(S)의 흡착력을 유지하여, 도너(D)에 접촉된 기판(S)이 도너(D)로부터 원활하게 분리되도록 한다. 도시되지 않았지만, 복수의 상부 승강핀(171)은 기판(S)의 흡착을 위한 진공관 및 진공펌프를 포함하는 것이 바람직하다. The upper
상정반(140)은 기판(S)을 고정시키는 기판 척(141)을 포함하며, 처리공간(111)으로 반입되는 기판(S)을 지지한다. 기판 척(141)은 복수의 상부 승강핀(171)에 의해 상정반(140)으로 안내되는 기판(S)을 상정반(140)에 고정한다. The
상정반(140)은 기판 척(141)의 상측에 배치되는 냉각판(143)을 포함한다. 냉각판(143)은 내부에 냉각관(143a)이 내장되어 냉매가 순환되는 구조로 마련된다. 냉각판(143)은 도너(D)의 온도보다 기판(S)의 온도가 낮게 유지되도록 기판(S)을 냉각시킨다. 도너(D)에 도포된 유기물은 도너(D)와 기판(S)의 온도차이에 의해 기판(S) 측으로 원활하게 전송될 수 있다.The
하부 승강모듈(180)는 하정반(150)을 관통하는 복수의 하부 승강핀(181)과, 복수의 하부 승강핀(181)을 승강시키는 하부 승강펌프(183)를 포함한다. 복수의 하부 승강핀(181)은 상승되어 처리공간(111)으로 반입되는 도너(D)를 지지하고, 도너(D)를 지지한 상태에서 하강되어 도너(D)를 하정반(150)으로 안내한다. 복수의 하부 승강핀(181)은 기판(S)에 유기박막이 형성된 후 기판(S)이 상승되면, 도너(D)를 하정반(150)으로부터 이격시켜, 도너(D)가 처리공간(111)의 외부로 원활하게 배출될 수 있도록 한다.The lower elevating
도 3은 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치 중에서 하정반과 하부 승강모듈의 결합관계를 나타낸 사시도이다. 도 3을 참조하면, 하정반(150)은 도너(D)를 고정시키는 도너 척(151)을 포함하며, 투과창(115)을 투과한 광을 투과시키는 투과정반(153)이 형성된다. 투과정반(153)은 하정반(150)에 의해 지지되는 도너(D)의 도포부(Da)와 대응되는 영역에 형성된다. 따라서 도너 척(151)은 투과창(115) 및 투과정반(153)에 의해 투과되는 광에 간섭을 끼치지 않도록 하정반(150)의 테두리부에 배치되는 것이 바람직하다.3 is a perspective view illustrating a coupling relationship between a lower surface plate and a lower elevating module in the organic thin film forming apparatus according to the present embodiment. Referring to FIG. 3, the
처리공간(111)으로 반입되는 도너(D)는 도너 척(151)에 의해 핸들링부(Db)가 고정되고, 투과정반(153)에 의해 도포부(Da)가 지지된다. 따라서 투과정반(153)은 하정반(150)에 의해 지지되는 도너(D)가 자중에 의해 중앙부가 처지는 것을 방지한 다. As for the donor D carried into the
투과창(115) 및 투과정반(153)은 광 투과율이 높은 쿼츠(Quartz)와 같은 재료로 마련된다. 또한, 기판 척(141) 및 도너 척(151)은 정전기력에 의해 기판(S) 및 도너(D)를 하정반(150)과 상정반(140)에 각각 고정하는 정전척(Electrostatic Chuck;ESC)이 사용된다.The
한편, 도너(D)의 핸들링부(Db)와 기판(S)의 테두리부에는 각각 얼라인 마크(13, 15)가 형성되어 제공된다. 유기박막 형성장치(100)는 상정반(140)의 상측에 배치되는 광학모듈(191)을 포함한다. 광학모듈(191)은 기판의 얼라인 마크(23)와 도너의 얼라인 마크(13)를 촬영한다. 광학모듈(191)은 두 얼라인 마크(13, 23)의 촬영결과에 따라 기판(S)과 도너(D)의 정렬상태를 파악할 수 있도록 한다.On the other hand, the alignment marks 13 and 15 are provided in the handling part Db of the donor D, and the edge part of the board | substrate S, respectively. The organic thin
유기박막 형성장치(100)는 두 얼라인 마크(13, 23)의 촬영 결과에 따라 도너(D)를 평면 이동 및 평면 회전시켜, 기판(S)에 대한 도너(D)의 위치를 정렬하는 정렬모듈(191)을 포함한다. 정렬모듈(191)은 본 출원인에 의해 출원되어 공개된 "공개번호 10-2006-0055703;기판 합착기"에 개시된 바 있으므로, 상세한 설명은 생략하도록 한다.The organic thin
이하, 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치 및 방법의 작동에 대해, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 이하에서 언급되는 각각의 요소들은 상술한 설명과 도면을 참조하여 이해하여야 한다.Hereinafter, the operation of the organic thin film forming apparatus and method according to the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Each element mentioned below should be understood with reference to the above description and drawings.
도 4는 본 실시예에 따른 유기박막 형성방법을 나타낸 순서도이고, 도 5a, 도 5b, 도 5c, 도 5d은 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치의 작동상태를 나타낸 작동도이다. 도 4 내지 도 5d을 참조하면, 챔버(110)의 도어(110a)가 개방되면, 도너(D)는 챔버(110) 내부로 반입된다. 복수의 하부 승강핀(181)은 상승되어 하정반(150)의 상측에서 도너(D)를 지지한다. 도너(D)를 지지하는 복수의 하부 승강핀(181)은 하강되고, 도너(D)는 하정반(150)에 안착된다. 하정반(150)에 도너가 안착되면 도너 척(151)은 도너(D)의 테두리부를 하정반(150)에 고정시킨다. 이때 도너(D)의 중앙부는 투과정반(153)에 지지되어 중앙부가 처지는 것이 방지된다. 4 is a flowchart illustrating a method for forming an organic thin film according to the present embodiment, and FIGS. 5A, 5B, 5C, and 5D are operational diagrams showing an operating state of the organic thin film forming apparatus according to the present embodiment. 4 to 5D, when the
이어, 기판(S)은 챔버(110) 내부로 반입된다. 복수의 상부 승강핀(171)은 하강되어 상정반(140)의 하측에서 기판(S)을 지지한다. 기판(S)을 지지하는 복수의 상부 승강핀(171)은 상승되고, 기판(S)은 상정반(140)에 접촉된다. 상정반(140)에 기판(S)이 접촉되면 기판 척(141)은 기판(S)을 상정반(140)에 고정시킨다. (단계;S11)(도 5a 참조) Subsequently, the substrate S is carried into the
이어, 광학모듈(191)은 기판의 얼라인 마크(23)와 도너의 얼라인 마크(13)를 촬영한다. 기판의 얼라인 마크(23)와 도너의 얼라인 마크(13)의 촬영결과에 따라 기판(S)과 도너(D)의 개략적인 정렬이 수행된다. 기판(S)과 도너(D)의 개략적인 정렬이 이루어지면, 정반 승강모듈(160)는 상정반(140)을 하강시킨다. 상정반(140)이 하강되어 기판(S)과 도너(D)가 근접되면 정렬모듈(191)은 기판(S)과 도너(D)의 정밀 정렬을 수행한다. 즉, 정렬모듈(191)은 도너(D)를 평면 이동 및 평면 회전시켜 기판(S)에 대한 도너(D)의 위치를 조절한다. (단계;S13)Subsequently, the
기판(S)과 도너(D)의 정밀 정렬이 이루어지면, 정반 승강모듈(160)는 상정 반(140)을 하강시켜 기판(S)을 도너(D)에 접촉시킨다. 기판(S)과 도너(D)가 접촉되면, 냉각판(143) 내부에는 냉매가 순환되며, 기판(S)은 냉각된다. 냉매의 순환 동작은 유기막박의 증착이 완료 될 때까지 유지된다. (단계;S15)(도 5b 참조)When the precise alignment of the substrate S and the donor D is made, the surface raising / lowering
이어, 광원 이동모듈(131)은 기판(S)에 형성될 유기박막의 위치, 패턴에 따라 광원(130)을 이동시킨다. 광원 이동모듈(131)에 의해 이동되는 광원(130)은 광을 출사시킨다. Subsequently, the light
다른 실시예로, 도너(D)의 하측에는 패턴이 형성된 마스크(미도시)를 배치하고, 광원 이동모듈(131)은 광원(130)을 일측방향에서 타측방향으로 이동시키며, 도너(D)로 광을 조사하는 방법으로 광을 조사할 수 있다.In another embodiment, a mask (not shown) having a pattern is disposed below the donor D, and the light
이와 같이 도너(D)로 조사되는 광은 투과창(115), 투과정반(153) 및 도너(D)의 광 투과층(12)을 투과하여 광 흡수층(11)에 도달한다. 광 흡수층(11)은 입사되는 광에 의해 열을 발생시키고, 열이 발생됨에 따라 해당 영역에 도포된 유기물은 기판(S) 측으로 전송된다. As such, the light irradiated to the donor D passes through the
이때, 기판(S)은 냉각판(143)에 의해 냉각되고 도너(D)는 광 흡수층(11)에 의해 온도가 상승된다. 따라서 도너(D)와 기판(S)의 온도 차이에 의해 유기물은 기판(S)으로 원활하게 전송된다. 기판(S) 측으로 전송된 유기물은 기판(S)에 증착되어 유기박막을 형성한다. (단계;S17)(도 5c 참조)At this time, the substrate S is cooled by the
이어, 정반 승강모듈(160)는 상승된다. 이때 복수의 상부 승강핀(171)은 기판(S)을 흡착하고, 기판 척(141)은 기판(S)을 고정하고 있는 상태를 유지하고 있다. 또한 도너 척(151)은 도너(D)를 흡착하고 있는 상태를 유지하고 있다. 따라서 정반 승강모듈(160)가 상승됨에 따라 기판(S)은 도너(D)로부터 이격되며 상승된다. Subsequently, the
상정반(140)이 상승되어 기판(S)이 도너(D)로부터 이격되면, 외부로부터 이송장치(미도시)가 반입된다. 복수의 상부 승강핀(171)은 흡착력을 해제하고, 기판 척(141)은 기판(S)의 고정상태를 해제한다. 기판(S)은 이송장치(미도시)에 의해 챔버(110) 외부로 배출된다.When the
기판(S)이 배출되면 복수의 하부 승강핀(181)은 상승된다. 복수의 하부 승강핀(181)이 상승됨에 따라 도너(D)는 하정반(150)으로부터 이격된다. 도너(D)가 하정반(150)으로부터 이격되면, 외부로부터 이송장치(미도시)가 반입되고, 도너(D)는 챔버(110) 외부로 배출된다. (도 5d 참조)When the substrate S is discharged, the plurality of lower lifting pins 181 are raised. As the plurality of lower lifting pins 181 are raised, the donor D is spaced apart from the
도 1은 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an organic thin film forming apparatus according to the present embodiment.
도 2는 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치로 제공되는 도너의 일부를 나타낸 확대 단면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the donor provided in the organic thin film forming apparatus according to the present embodiment.
도 3은 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치 중에서 하정반과 하부 승강모듈의 결합관계를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a coupling relationship between a lower surface plate and a lower elevating module in the organic thin film forming apparatus according to the present embodiment.
도 4는 본 실시예에 따른 유기박막 형성방법을 나타낸 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a method of forming an organic thin film according to the present embodiment.
도 5a, 도 5b, 도 5c, 도 5d은 본 실시예에 따른 유기박막 형성장치의 작동상태를 나타낸 작동도이다.5A, 5B, 5C, and 5D are operation diagrams showing an operating state of the organic thin film forming apparatus according to the present embodiment.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>
100 : 유기박막 형성장치 110 : 챔버100: organic thin film forming apparatus 110: chamber
115 : 투과창 140 : 상정반115: transmission window 140: upper plate
141 : 냉각판 150 : 하정반141: cooling plate 150: lower plate
153 : 투과정반 153: transmission table
Claims (15)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080126835A KR101000092B1 (en) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | Apparatus and method of organic thin film formation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080126835A KR101000092B1 (en) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | Apparatus and method of organic thin film formation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100068112A KR20100068112A (en) | 2010-06-22 |
KR101000092B1 true KR101000092B1 (en) | 2010-12-09 |
Family
ID=42366608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080126835A KR101000092B1 (en) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | Apparatus and method of organic thin film formation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101000092B1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR101420162B1 (en) | 2012-02-13 | 2014-07-21 | 주식회사 선익시스템 | Apparatus for Cooling Substrates |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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