KR100738836B1 - 수소 흡착부를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치 - Google Patents

수소 흡착부를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100738836B1
KR100738836B1 KR1020060043737A KR20060043737A KR100738836B1 KR 100738836 B1 KR100738836 B1 KR 100738836B1 KR 1020060043737 A KR1020060043737 A KR 1020060043737A KR 20060043737 A KR20060043737 A KR 20060043737A KR 100738836 B1 KR100738836 B1 KR 100738836B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
remote plasma
hydrogen
unit
heat treatment
rapid heat
Prior art date
Application number
KR1020060043737A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070058938A (ko
Inventor
조영균
노태문
김종대
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Publication of KR20070058938A publication Critical patent/KR20070058938A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100738836B1 publication Critical patent/KR100738836B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

본 발명은 급속열처리 장치와 리모트 플라즈마 형성 장치 사이에 수소 흡착 장치를 사용하여, 수소의 함유량을 최소화하고 소자의 신뢰성과 전기적 특성을 향상시키는 수소 흡착 장치를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치를 제공하기 위한 것으로, NH3 반응가스를 공급하는 가스공급 라인과, 상기 가스공급 라인을 통해 공급되는 상기 NH3 반응가스를 활성화시켜 리모트 플라즈마를 형성하는 리모트 플라즈마 형성부와, 상기 리모트 플라즈마 형성부에서 발생되는 라디컬 및 이온 중에서 수소 라디컬 및 수소 이온의 통과를 막는 수소 흡착부와, 상기 수소 흡착부를 통과한 질소 라디컬 및 질소 이온을 이용하여 질화막을 형성하는 급속 열처리부를 포함하는 포함하는 데 있다.
질화막, 급속 열처리 장치(RTP), 리모트 플라즈마, 수소 흡착 장치

Description

수소 흡착부를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치{Rapid thermal remote plasma nitridation facility using the hydrogen absorption equipment}
도 1 은 종래 기술에 따른 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치의 구성도를 나타낸 도면
도 2 는 NH3 또는 N2 반응가스를 종래의 리모트 플라즈마 장치를 이용하여 고유전율 박막에 질화처리 하였을 때의 질소 함유량을 나타낸 그래프
도 3 은 본 발명에 따른 수소 흡착부를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치의 구성도를 나타낸 도면
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 급속 열처리부 20 : 웨이퍼
30 : 기판 유지대 40 : 수소 흡착부
50 : 리모트 플라즈마 형성부 60 : 가스공급 라인
본 발명은 수소 흡착부를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치에 관한 것으로, 특히 수소 함유량이 감소된 질화막을 형성할 수 있는 질화막 형성 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조에 있어 실리콘 웨이퍼 표면에 박막을 증착하기 위해 급속 열처리 장치(Rapid Thermal Process, RTP)가 널리 이용되고 있다.
상기 RTP 장치 중에서 근래에는 리모트 플라즈마(Remote Plasma)를 이용한 장치가 많이 사용되고 있다. 이러한 리모트 플라즈마 RTP 장치는 기존의 RTP 장치와는 달리 플라즈마를 이용하여 반응가스를 활성화시킨 상태에서 공정을 진행한다. 그러므로써, 낮은 온도에서의 공정진행, 질소함유량의 증가 등의 장점을 가진다.
따라서 상기 리모트 플라즈마 RTP는 주로 반도체 소자의 제조 공정에서 게이트 산화막 및 게이트 질화막 등을 형성할 때 사용된다.
여기에서 상기 질화막은 소자의 크기가 점점 작아짐에 따라 산화막에 추가적으로 수행되는 질화막 처리에 따라 형성되는 것으로, 수분 침투 및 표면 손상 방지, 붕소(Boron) 침투 방지, 터널링 방지 등의 우수한 특징을 갖는다.
일반적으로 상기 질화막은 NH3 또는 N2 반응가스를 이용하여, 주입된 가스를 플라즈마 형성 장치를 이용하여 플라즈마 상태로 분해하여 기판 위에 증착하는 형태로 사용된다.
도 1 은 종래 기술에 따른 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치의 구성도를 나타낸 도면으로, 도 1과 같이, 종래 리모트 플라즈마 질화막 형성장치는 웨이퍼(20)가 장착되는 기판 유지대(30)를 포함하는 급속 열처리부(10)와, 상기 급속 열처리부(10)로부터 일정한 간격을 두고 설치되어 리모트 플라즈마를 형성하는 리모트 플라즈마 형성부(50) 및 상기 리모트 플라즈마 형성부에 N2와 NH3 반응 가스를 공급하는 가스공급 라인(60)으로 구성된다.
도 2 는 N2와 NH3 반응가스를 이용하여 종래의 리모트 플라즈마 급속 열처리 장치를 이용하여 질화막을 형성했을 때 각각의 질화막에서의 질소 농도를 측정한 그래프이다.
도 2에서 알 수 있듯이, N2 반응가스를 주입하는 경우, N2 반응가스는 N≡N 결합 에너지(Binding Energy)가 강하여, 플라즈마 상태 분해에서도 잘 분해가 되지 않아 하프뮴 산화막(HfO2)내에 질소 농도가 매우 낮게 나타난다. 반면, NH3 반응가스를 주입하는 경우, NH3 반응가스는 플라즈마를 통한 N과 H의 분해가 잘 이루어져서 질소의 농도가 높게 나타남을 알 수 있다.
이러한 이유에서 리모트 플라즈마(remote plasma)를 이용한 질화막 형성시에는 N2보다 NH3을 반응가스로 이용하는 것을 선호하는 실정이다.
그러나 상기 NH3을 반응가스로 하여 웨이퍼에 증착된 질화막은 수소 성분을 일정량 이상 포함되고, 이로 인해 수소가 소자 내부로 침투하게 되어 소자의 특성 및 신뢰성이 저하되는 문제가 발생하고 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 급속열처리 장치와 리모트 플라즈마 형성 장치 사이에 수소 흡착 장치를 사용하여, 수소의 함유량을 최소화하고 소자의 신뢰성과 전기적 특성을 향상시키는 수소 흡착 장치를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수소 흡착 장치를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치의 특징은 NH3를 공급하는 가스공급 라인과, 상기 가스공급 라인을 통해 공급되는 상기 NH3를 활성화시켜 리모트 플라즈마를 형성하는 리모트 플라즈마 형성부와, 상기 리모트 플라즈마 형성부에서 발생되는 라디컬 및 이온 중에서 수소 라디컬 및 수소 이온의 통과를 막는 수소 흡착부와, 상기 수소 흡착부를 통과한 질소 라디컬 및 질소 이온을 이용하여 질화막을 형성하는 급속 열처리부를 포함하는데 있다.
바람직하게 상기 수소 흡착부는 상기 리모트 플라즈마 형성부와 상기 급속 열처리부 사이에 구성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 상기 수소 흡착부는 상기 리모트 플라즈마 형성부 내부에 구성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 상기 수소 흡착부는 수소 이온 및 수소 라디컬과 결합한 화합물의 통과를 막고, 질소 라디컬 및 질소 이온을 바이 패스하는 것을 특징으로 한다.
삭제
바람직하게 상기 수소 흡착부는 상기 리모트 플라즈마 형성부와 연결된 입 구(inlet)부와, 상기 급속 열처리부와 연결된 출구(outlet)부와, 상기 입구부 쪽에 위치하여 입구부에서 유입되는 수소 이온과만 결합할 수 있는 가스를 공급하는 가스주입구부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 상기 가스주입구로 상기 입구로 유입되는 라디컬 이온들 중 수소 이온과만 결합할 수 있는 가스를 주입하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 상기 수소 흡착부는 그 사용여부에 따라 온/오프(on/off)를 제어하는 제어스위치를 구성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 상기 반응가스는 NH3인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 수소 흡착 장치를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3 은 본 발명에 따른 수소 흡착부를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치의 구성도를 나타낸 도면이다.
도 3과 같이, 본 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치는 NH3 반응가스를 공급하는 가스공급 라인(60)과, 상기 가스공급 라인(60)을 통해 공급되는 NH3 반응가스를 활성화시켜 수소 라디컬 및 수소 이온 및 질소 라디컬 및 질소 이온으로 분리된 리모트 플라즈마를 형성하는 리모트 플라즈마 형성부(50)와, 상기 리모트 플라즈마 형성부(50)에서 발생되는 라디컬 및 이온 중에서 수소 이온 및 수소 라디컬의 흡착을 통해 수소 라디컬 및 수소 이온의 통과를 막고 질소 라디컬 및 질소 이온을 통과시키는 수소 흡착부(40)와, 상기 수소 흡착부(40)를 통과한 질소 라디컬 및 질소 이온을 이용하여 질화막을 형성하는 급속 열처리부(10)로 구성된다.
이때, 리모트 플라즈마 형성부(50)와 급속 열처리부(10) 사이에 수소(수소 이온 및 수소 라디컬)를 흡착하는 수소 흡착부(40)를 설치함으로써, 상기 급속 열처리부(10)로 유입되는 수소의 량을 감소시켜 웨이퍼(20)에 형성되는 질화막의 수소 함유량을 감소시킬 수 있다.
리모트 플라즈마 형성부(50)에 유입되어 리모트 플라즈마를 형성하는 반응가스로 NH3 가스를 사용함으로써, 플라즈마를 통한 N과 H의 분해도를 높일 수 있다. 상기 급속 열처리부(10)에 유입되는 높은 질소 농도를 갖는 리모트 플라즈마로 인해 질화막 형성이 매우 빠르게 이루어질 수 있게 된다. 뿐만 아니라, 상기 수소 흡착부(40)를 통해 웨이퍼(20)에 증착된 질화막에 수소 성분을 줄일 수 있어 수소로 인한 소자 내부의 침투를 막아 소자의 특성 및 신뢰도를 높일 수 있게 된다.
바람직하게는 상기 수소 흡착부(40)는 상기 리모트 플라즈마 형성부(50) 내부에 포함될 수도 있다.
또한, 상기 수소 흡착부(40)는 상기 리모트 플라즈마 형성부(50)와 연결된 입구(inlet)부와, 상기 급속 열처리부(1)와 연결된 출구(outlet)부와, 상기 입구부 쪽에 입구부에서 유입되는 수소 라디컬 이온과만 결합할 수 있는 가스를 외부에서 공급하는 가스주입구부를 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 수소 흡착부(40) 내에서는 가스주입구부로 유입되는 가스 내에 포함되어 있는 물질과 입구부에서 유입되는 수소 라디컬 및 수소 이온 간에 화학적 반응을 통해 수소 이온이 흡착된다.
또한, 수소 흡착부의 출구부 측에는 별도의 필터부를 추가로 구성할 수 있다. 필터부는 탈부착이 가능하여 주기적인 교체를 통해 수소 흡착에 따른 필터링의 성능을 지속적으로 유지시키는 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기 수소 흡착부(40)는 리모트 플라즈마 형성부(50)로부터 유입되는 라디컬 이온들 중 수소 이온과만 결합할 수 있는 가스를 상기 가스주입구에 추가로 유입시켜 필터부를 통해 수소 이온과 결합한 화합물의 통과는 막고 나머지 질소 라디컬 이온만이 출구쪽으로 바이패스 할 수 있도록 구성한다.
한편, 상기 수소 흡착부(40)는 그 사용여부에 따라 온/오프(on/off) 제어가 가능한 제어스위치를 더 포함할 수 있으며, 리모트 플라즈마를 이용하여 NH3 반응가스를 분해할 경우를 제외한 다른 막질을 형성할 경우에는 다른 막질의 형성에 영향을 미치지 않도록 하는 것이 바람직하다.
또한 상기 리모트 플라즈마 형성부(50)로부터 급속 열처리부(10)까지의 유량은 그 사이에 구성되는 수소 흡착부(40)로 인해 유량 감소가 발생되게 된다. 따라서 가스 공급 라인(60)의 굵기를 감소시킴으로써 발생되는 유속을 증가시켜 급속 열처리부(10)에 유입되는 유량 감소를 보상한다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 수소 흡착 장치를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치는 수소 흡착 장치를 이용함으로써, NH3을 이용한 질화막 형성 공정을 수행함에 있어, 반도체 소자의 신뢰성 증가와 기타 게이트 절연막의 특성 저하로 인한 문제점들을 효과적으로 해결할 수 있다.

Claims (8)

  1. NH3 반응가스를 공급하는 가스공급 라인과,
    상기 가스공급 라인을 통해 공급되는 상기 NH3 반응가스를 활성화시켜 리모트 플라즈마를 형성하는 리모트 플라즈마 형성부와,
    상기 리모트 플라즈마 형성부에서 발생되는 라디컬 및 이온 중에서 수소 라디컬 및 수소 이온의 통과를 막는 수소 흡착부와,
    상기 수소 흡착부를 통과한 질소 라디컬 및 질소 이온을 이용하여 질화막을 형성하는 급속 열처리부
    를 포함하는 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수소 흡착부는 상기 리모트 플라즈마 형성부와 상기 급속 열처리부 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수소 흡착부는 상기 리모트 플라즈마 형성부 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 수소 흡착부는
    상기 리모트 플라즈마 형성부와 연결된 입구부와,
    상기 급속 열처리부와 연결된 출구부와,
    상기 입구부 쪽에 위치하여 상기 입구부에서 유입되는 수소 이온 및 수소 라디컬과 흡착할 수 있는 물질이 포함된 가스를 공급하는 가스주입구부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 수소 흡착부는 상기 수소 이온 및 수소 라디컬을 흡착한 물질의 통과를 막고, 상기 질소 라디컬 및 질소 이온을 바이 패스하는 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치.
  6. 삭제
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 수소 흡착부는 그 사용여부에 따라 온/오프(on/off)를 제어하는 제어스위치를 더 포함하는 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치.
  8. 삭제
KR1020060043737A 2005-12-05 2006-05-16 수소 흡착부를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치 KR100738836B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050117629 2005-12-05
KR20050117629 2005-12-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070058938A KR20070058938A (ko) 2007-06-11
KR100738836B1 true KR100738836B1 (ko) 2007-07-12

Family

ID=38355502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060043737A KR100738836B1 (ko) 2005-12-05 2006-05-16 수소 흡착부를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100738836B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980063857A (ko) * 1996-12-05 1998-10-07 윌리엄비.켐플러 박막 실리콘 질화물 또는 실리콘 옥시니트라이드 게이트 유전체형성 방법
KR20000050308A (ko) * 1999-01-05 2000-08-05 윤종용 반도체 장치의 제조 방법
JP2001284254A (ja) 2000-03-28 2001-10-12 Canon Inc プラズマｃｖｄ装置および非単結晶半導体薄膜形成方法
KR20030093844A (ko) * 2002-06-05 2003-12-11 삼성전자주식회사 수소 함유량이 적은 박막 형성방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980063857A (ko) * 1996-12-05 1998-10-07 윌리엄비.켐플러 박막 실리콘 질화물 또는 실리콘 옥시니트라이드 게이트 유전체형성 방법
KR20000050308A (ko) * 1999-01-05 2000-08-05 윤종용 반도체 장치의 제조 방법
JP2001284254A (ja) 2000-03-28 2001-10-12 Canon Inc プラズマｃｖｄ装置および非単結晶半導体薄膜形成方法
KR20030093844A (ko) * 2002-06-05 2003-12-11 삼성전자주식회사 수소 함유량이 적은 박막 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070058938A (ko) 2007-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220220608A1 (en) Films of desired composition and film properties
KR100841866B1 (ko) 반도체 디바이스의 제조 방법 및 기판 처리 장치
US10804098B2 (en) Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
EP1967609B1 (en) Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films
KR102042281B1 (ko) 여기된 질소-산소 종을 이용한 금속 산화물의 박막 증착을 위한 시스템 및 방법
KR101736528B1 (ko) 컨포멀 붕소 질화물 막의 증착
KR20210127620A (ko) 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US7498270B2 (en) Method of forming a silicon oxynitride film with tensile stress
US8025931B2 (en) Film formation apparatus for semiconductor process and method for using the same
TW200822188A (en) Film formation apparatus and method for using the same
WO2002048427A1 (fr) Procede et dispositif servant a creer une couche mince
KR20150007989A (ko) 반응 챔버에서 아웃가싱을 감소시키는 방법 및 시스템
KR20060048790A (ko) 반도체 처리용 성막 방법, 성막 장치 및 기억 매체
WO2011109266A4 (en) Method and apparatus for single step selective nitridation
KR100753276B1 (ko) 실리콘 다이옥사이드를 포함하는 층을 형성하기 위한 원자층 증착 방법
TW202101543A (zh) 成膜方法、成膜處理用之處理容器的洗淨方法及成膜裝置
JP2003209110A (ja) 金属酸窒化膜の製造方法および絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法
US7014788B1 (en) Surface treatment method and equipment
KR100738836B1 (ko) 수소 흡착부를 이용한 급속 열처리 리모트 플라즈마 질화막 형성 장치
CN111074235B (zh) 进气装置、进气方法及半导体加工设备
KR101548129B1 (ko) 증착 챔버 내에서 산화로부터의 도전체 보호
JP6976213B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び成膜装置
JP6680190B2 (ja) 成膜装置
JP2005302892A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20020003003A (ko) 원자층 증착법을 이용한 하프니움산화막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100701

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee