KR100738819B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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KR100738819B1
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 보호막을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
이러한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 글라스에 형성된 복수개의 스캔 전극 및 서스테인 전극과 복수개의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 덮도록 형성된 유전체층 및 유전체층 상부에 차등적 두께로 형성된 보호막을 포함하고, 차등적 두께로 형성된 보호막은 스캔전극 또는 서스테인전극 중 적어도 어느 한 전극 상의 보호막의 두께가 스캔전극과 서스테인전극 사이의 보호막 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.
플라즈마 디스플레이 패널, 스캔 전극, 서스테인 전극, 유전체층, 보호막, 차등적 두께

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel}
도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도.
도 2는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 순차적으로 나타낸 순서도.
도 3은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도.
도 4a 내지 도 4c는 종래의 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 보호막이 증착되는 과정을 설명하기 위한 도.
도 5는 도 4c에 도시한 종래의 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 상부 유전체층 상부에 형성된 MgO 보호막을 나타낸 도.
도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 순차적으로 나타낸 순서도.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명에 따른 제 1 실시예로써, 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 차등적인 두께를 갖는 보호막이 증착되는 과정을 설명하기 위한 도.
도 9a 및 도 9b는 본 발명에 따른 제 2 실시예로써, 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 차등적인 두께를 갖는 보호막이 유전체층 상부에 증착되는 과정을 설명하기 위한 도.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 보호막을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 전면기판과 후면기판 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면기판(100) 및 배면을 이루는 후면 글 라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면기판(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면기판(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.
후면기판(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면기판(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이와같이, 전면 패널 제조 과정과 후면 패널 제조 과정을 거친후, 전술한 전면 패널과 후면 패널을 합착시키기 위한 실링공정을 통하여 플라즈마 디스플레이 패널의 제품이 완성된다. 여기서, 전면 패널과 후면 패널이 제조되는 과정을 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 2와 같다.
도 2는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 순차적으로 나타낸 순서도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 도 2의 좌측에 나열된 전면 패널 제조 과정과, 우측에 나열된 후면 패널 제조 과정 및 하측에 나열된 실링 과정등을 포함한 조립 과정을 포함한다.
먼저, 도 2의 좌측에 나열된 전면 패널 제조 과정을 설명하면 다음과 같다.
전면 패널은 먼저, 전면 글라스를 준비한 후(100), 전면 글라스 상부에 복수의 유지전극쌍이 형성된다(110). 이 후, 유지전극쌍 상부에 상부 유전체층이 형성되고(120), 상부 유전체층에 유지전극쌍을 보호하기 위한 MgO 물질로 이루어진 보호막이 형성된다(130).
한편, 후면 패널은 도 2의 우측에 나열된 후면 패널 제조 과정을 살펴보면 다음과 같다.
후면 패널은 전면 패널과 마찬가지로 후면 글라스를 준비하고(200), 전면 패널에 형성된 유지전극쌍과 교차하여 대향되도록 복수의 어드레스전극이 후면 글라스에 형성된다(210). 이 후, 어드레스 전극을 덮도록 하부 유전체층이 형성되고(220), 하부 유전체층 상측면에 격벽이 형성되며(230), 격벽간의 방전공간에 형광층이 형성된다(240).
이와같이 제조된 전면 패널과 후면 패널은 서로 합착되어(300) 플라즈마 디스플레이 패널(400)을 형성한다.
여기서, 전술한 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 전 면 패널의 제조공정을 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 3과 같다.
도 3은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, (a) 단계에서는 전면 글라스(300) 상부에 산화인듐과 산화주석으로 이루어진 ITO(Indium Tin Oxide) 물질의 투명전극(301)을 형성한다.
이러한 투명전극(301)의 형성 방법의 일례를 살펴보면, ITO 물질로 형성된 투명 전극막 상부에 드라이 필름 포토 레지스트(Dry Film Photo Resist: 이하 'DFR'이라 함.)를 라미네이팅하여 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(Photo Mask)의 패턴으로 노광한 후, 현상 및 에칭 공정을 거쳐 스캔용 투명전극(301a)과 서스테인용 투명전극(301b)을 형성한다.
이 후, (b) 단계에서, 스캔용 투명전극(301a)과 서스테인용 투명전극(301b)이 형성된 전면 글라스(300) 상부에 블랙층(302)을 형성하기 위한 블랙 페이스트를 인쇄한 후 약 120℃정도로 건조하고, (c) 단계에서, 건조된 블랙 페이스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(305)를 올려놓고 자외선을 조사하여 건조한다. 이러한 공정을 노광공정(Photolithography)이라 한다.
노광공정을 거친 블랙층(302) 상부에 (d) 단계에서, 버스전극(303a, 303b)을 형성하기 위해 은(Ag) 페이스트를 도포하여 인쇄한 후 건조한다.
이 후, (e) 단계에서, 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(306)를 도포된 은(Ag) 페이스트 상부에 올려놓고 노광한다. 노광공정을 거친 이 후, (f) 단계에서, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 약 550℃ 이상의 소성로(미도시)에서 약 3시간여 동안 소성함으로써 스캔용 버스전극(303a)과 서스테인용 버스전극(303b)이 형성된다.
이 후, (g) 단계에서 스캔 전극(301a, 303a) 및 서스테인 전극(301b, 303b)이 형성된 전면 글라스(300) 상부에 유전체층(307)을 형성한다. 이러한 유전체층(307)의 형성 방법의 일례를 살펴보면, 유전체 유리 페이스트를 도포하여 건조한 후, 약 500℃ ~ 600℃의 온도로 소성을 행하여 유전체층을 형성한다.
마지막으로, (h) 단계에서, 유전체층(307)의 표면상에 CVD법, 이온도금법이나 진공증착법 등을 이용하여 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호막(308)이 형성되어 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널이 완성된다.
여기서, 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 보호막을 형성하기 위한 하나의 일예인 진공증착법을 이용하여 전술한 보호층이 상부 유전체층에 형성되는 과정을 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 4a 내지 도 4c와 같다.
도 4a 내지 도 4c는 종래의 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 보호막이 증착되는 과정을 설명하기 위한 도이다. 먼저, 도 3의 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 제조공정중 (g)단계의 제조공정을 마친 전극(미도시) 및 상부 유전체층(미도시)이 형성된 전면 기판(400)을 상부 유전체층(미도시) 상부에 MgO 보호막(미도시)을 증착시키기 위하여 도 4a와 같이 진공 챔버(410) 내부로 진입시킨다.
이때, 진공 챔버(410)로 진입한 전극(미도시) 및 상부 유전체층(미도시)을 포함하는 전면 기판(400)은 도 4b에 도시된 바와 같이 상부 유전체층(404) 상부에 보호막(405)을 증착시키는 장치를 통해 MgO 보호막(405)이 증착되는데, 이러한 보호막 증착장치는 전면 기판(400) 양측면에 구비되어 패널의 이탈을 방지하기 위한 이탈방지부(440)와 전면 기판(400) 하부에 보호막(405) 증착시 보호막재가 캐리어(420)에 증착되는 것을 방지하기 위한 복수의 마스크(460)를 구비한다. 또한, 보호막(405)의 증착공정과 다음 공정을 수행하기 위해 전면 기판(400)을 이동시키는 기판이동부(470)가 구비된다.
여기서, 캐리어(420)와 소정거리로 이격되어 전면 기판(400)에 통상 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호막(405)을 증착시키는 증기발산부(450)를 포함한다. 여기에서, 전술한 증기발산부(450)는 허스(Hearth)(450a)내에 MgO 물질(450b)을 담아서 허스(Hearth)(450a)에 형성된 오리피스(Orifice)(450a1)를 통하여 전자빔(E-Beam)(470)건으로 MgO 물질(450b)을 집중 조사하는 장치를 말한다.
이와같이 제작된 진공 챔버(410)내의 보호막 증착장치를 이용하여 도 4c에 도시된 바와 같이 증기발산부(450)의 MgO 물질(450b)을 허스(Hearth)(450a)에 형성된 오리피스(Orifice)(450a1)를 통하여 전자빔(E-Beam)(470)건으로 집중 조사하면 MgO 물질(450b)은 에너지 대부분이 열로 변하게 되어 기체의 승화상태인 증기가 전면 기판(400)의 상부 유전체층(404) 표면에 달라붙게 된다.
여기서, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막 증착장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 상부 유전체층 상부에 형성된 MgO 보호막을 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 5와 같다.
도 5는 도 4c에 도시한 종래의 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 상부 유전체층 상부에 형성된 MgO 보호막을 나타낸 도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막 증착장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 MgO 보호막(505)은 상부 유전체층(504) 상부에 증착된다. 이러한, MgO 보호막(505)은 방전특성을 향상시키기 위한 이차전자 방출계수가 높아서 교류 면방전 플라즈마 디스플레이 패널의 방전개시전압을 낮추는데 결정적인 역할을 하고 있다.
여기서, 전술한 방전특성의 향상요인중의 하나인 이차전자 방출계수는 MgO 보호막(505)에 입사하는 이온의 종류, 이온의 운동에너지(kinetic energy), 이온과의 입사각도에 따라 달라지게 된다. 일반적으로, 이온의 종류와 이온의 운동에너지(kinetic energy)는 각각의 네온(Ne) 및 크세논(Xe)등과 같은 주입 가스와 전계의 변화등에 따라 이차전자 방출계수의 조절이 가능하다.
그러나, 전술한 입사하는 이온과의 입사각도는 하나의 일예로 스캔전극과 서스테인전극에 대응되게 증착된 MgO 보호막의 표면 상태에따라 결정되기 때문에 방전특성을 향상시키는 데에는 한계가 있어, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전을 위한 방전개시전압을 낮추는 데에는 한계가 있다.
전술한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널중 전면 패널의 보호막의 구조를 개선하여 방전개시전압을 낮출 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 글라스에 형성된 복수개의 스캔 전극 및 서스테인 전극과 복수개의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 덮도록 형성된 유전체층 및 유전체층 상부에 차등적 두께로 형성된 보호막을 포함하고, 차등적 두께로 형성된 보호막은 스캔전극 또는 서스테인전극 중 적어도 어느 한 전극 상의 보호막의 두께가 스캔전극과 서스테인전극 사이의 보호막 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.
또한, 차등적 두께로 형성된 보호막은 스캔전극 또는 서스테인전극 중 적어도 어느 한 전극과 대응되는 유전체층 상부에 형성된 보호막이 나머지 유전체층 상부에 형성된 보호막의 두께와 차이를 이루어 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 차등적 두께로 형성된 보호막은 스캔전극 또는 서스테인전극 중 적어도 어느 한 전극과 대응되는 유전체층 상부에 형성된 보호막의 두께가 나머지 유전체층 상부에 형성된 보호막의 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 한다.
또한, 차등적 두께로 형성된 보호막의 높이 차이는 100㎚ 이상 300㎚ 이하인 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 순차적으로 나타낸 순서도이다. 먼저, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 도 2에 도시한 것과 마찬가지로 형성된다. 다만, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 보호막을 차등적인 두께를 갖는 제 1 보호막과 제 2 보호막으로 형성한다. 이러한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 살펴보 면 다음 도 6과 같다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 도 6의 좌측에 나열된 전면 패널 제조 과정과, 우측에 나열된 후면 패널 제조 과정 및 하측에 나열된 실링 과정등을 포함한 조립 과정을 포함한다.
먼저, 도 6의 좌측에 나열된 전면 패널 제조 과정을 설명하면 다음과 같다.
전면 패널은 먼저, 전면 글라스를 준비한 후(610), 전면 글라스 상부에 복수의 유지전극쌍이 형성되고(611), 유지전극쌍 상부에 상부 유전체층이 형성된다(612). 이후, 상부 유전체층에 유지전극쌍을 보호하기 위한 MgO 물질로 이루어진 서로 차등적 두께를 갖는 제 1 보호막 및 제 2 보호막이 형성된다(613).
한편, 후면 패널은 도 6의 우측에 나열된 후면 패널 제조 과정을 살펴보면 다음과 같다.
후면 패널은 전면 패널과 마찬가지로 후면 글라스를 준비하고(620), 전면 패널에 형성된 유지전극쌍과 교차하여 대향되도록 복수의 어드레스전극이 후면 글라스에 형성된다(621). 이 후, 어드레스 전극을 덮도록 하부 유전체층이 형성되고(622), 하부 유전체층 상측면에 격벽이 형성되며(623), 격벽간의 방전공간에 형광층이 형성된다(624).
이와같이 제조된 전면 패널과 후면 패널은 서로 합착되어(630) 플라즈마 디스플레이 패널(640)을 형성한다.
여기서, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 전면 패널의 제조공정을 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 7과 같다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다. 먼저, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널은 유전체층 상부에 서로 차등적 두께를 갖는 제 1 보호막과 제 2 보호막이 형성된다. 이러한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정이 순차적으로 형성되는 공정도를 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 7a 및 도 7b와 같다.
도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, (a) 단계에서는 전면 글라스(700) 상부에 산화인듐과 산화주석으로 이루어진 ITO(Indium Tin Oxide) 물질의 투명전극(701)을 형성한다.
이러한 투명전극(701)의 형성 방법의 일례를 살펴보면, ITO 물질로 형성된 투명 전극막 상부에 드라이 필름 포토 레지스트(Dry Film Photo Resist: 이하 'DFR'이라 함.)를 라미네이팅하여 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(Photo Mask)의 패턴으로 노광한 후, 현상 및 에칭 공정을 거쳐 스캔용 투명전극(701a)과 서스테인용 투명전극(701b)을 형성한다.
이 후, (b) 단계에서, 스캔용 투명전극(701a)과 서스테인용 투명전극(701b)이 형성된 전면 글라스(700) 상부에 블랙층(702)을 형성하기 위한 블랙 페이스트를 인쇄한 후 약 120℃정도로 건조하고, (c) 단계에서, 건조된 블랙 페이스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(705)를 올려놓고 자외선을 조사하여 건조한다. 이러한 공정을 노광공정(Photolithography)이라 한다.
노광공정을 거친 블랙층(702) 상부에 (d) 단계에서, 버스전극(703a, 703b)을 형성하기 위해 은(Ag) 페이스트를 도포하여 인쇄한 후 건조한다.
이 후, (e) 단계에서, 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(706)를 도포된 은(Ag) 페이스트 상부에 올려놓고 노광한다. 노광공정을 거친 이 후, (f) 단계에서, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 약 550℃ 이상의 소성로(미도시)에서 약 3시간여 동안 소성함으로써 스캔용 버스전극(703a)과 서스테인용 버스전극(703b)이 형성된다.
이 후, (g) 단계에서 스캔 전극(701a, 703a) 및 서스테인 전극(701b, 703b)이 형성된 전면 글라스(700) 상부에 유전체층(707)을 형성한다. 이러한 유전체층(707)의 형성 방법의 일례를 살펴보면, 유전체 유리 페이스트를 도포하여 건조한 후, 약 500℃ ~ 600℃의 온도로 소성을 행하여 유전체층을 형성한다.
마지막으로, (h) 단계에서, 전술한 유전체층(707)의 표면상에 CVD법, 이온도금법이나 진공증착법 등을 이용하여 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 제 1 보호막(708a)이 형성되고, (i) 단계에서 전술한 제 1 보호막(708a) 상부에 이차전자방출계수를 더욱 높이기 위한 위한 제 2 보호막(708b)이 서로 차등적으로 형성되어 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널이 완성된다.
여기서, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 제 1 보호막과 제 2 보호막이 서로 차등적인 두께를 가지고 유전체층(707) 상부에 증착되는 과정을 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 8a 내지 도 8e와 같다.
<제 1실시예>
도 8a 내지 도 8e는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 차등 적인 두께를 갖는 보호막이 증착되는 과정을 설명하기 위한 도이다. 먼저, 도 4a에 도시한 것과 마찬가지로, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 제조공정중 전극(미도시) 및 상부 유전체층(미도시)이 형성된 전면 기판(800)을 상부 유전체층(미도시) 상부에 MgO 보호막(미도시)을 증착시키기 위하여 도 8a와 같이 진공 챔버(810) 내부로 진입시킨다.
이때, 진공 챔버(810)로 진입한 전극(미도시) 및 상부 유전체층(미도시)을 포함하는 전면 기판(800)은 도 8b에 도시된 바와 같이 상부 유전체층(804) 상부에 보호막(805a, 805b)을 증착시키는 장치를 통해 제 1 보호막 및 제 2 보호막(805a, 805b)이 상부 유전체층(804) 상부에 서로 차등적으로 증착되는데, 이러한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막 증착장치의 구성요소는 도 4b에 도시한 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막 증착장치의 구성요소와 동일하므로 각각의 기능을 갖는 구성요소의 설명은 이하 생략하기로 한다. 다만, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 제 1 보호막(805a)과 제 2 보호막(805b)을 상부 유전체층(804) 상부에 서로 차등적인 두께로 증착시키기 위한 소정의 패턴을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막 패턴장치(미도시)가 더 구비된다.
이와같이 제작된 진공 챔버(810)내의 보호막 증착장치를 이용하여 도 8c에 도시된 바와 같이 증기발산부(850)의 MgO 물질(850b)을 허스(Hearth)(850a)에 형성된 오리피스(Orifice)(850a1)를 통하여 전자빔(E-Beam)(870)건으로 집중 조사하면 MgO 물질(850b)은 에너지 대부분이 열로 변하게 되어 기체의 승화상태인 증기가 전 면 기판(800)의 상부 유전체층(804) 표면에 달라붙게 된다. 여기서, 전술한 상부 유전체층(804) 상부에 증착되는 제 1 보호막(805a)의 두께(t1)는 400㎚ 이상 500㎚ 이하의 두께(t1)로 증착된다.
여기서, 도 8d에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 하나의 일예인 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 차등적인 두께(t2)를 갖는 제 2 보호막(805b)은 전술한 제 1 보호막(805a)과 서로 차등적인 두께(t1, t2)가 되도록 제 2 보호막(805b)이 소정의 두께(t2)로 제 1 보호막(805a) 상부에 증착된다. 이러한, 차등적인 두께(t2)를 갖는 제 2 보호막(805b)은 제 1 보호막(805a) 상부에 제 1 보호막(805a)과 서로 차등적인 두께로 증착시키기 위한 소정의 패턴을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막 패턴장치(880)에 의해 형성된다.
이때, 도 8e에 도시된 바와 같이 차등적인 두께(t2)를 갖는 제 2 보호막(805b)은 스캔전극(802) 또는 서스테인전극(803)중 적어도 어느 한 전극(802, 803)과 대응되는 상부 유전체층(804) 상부에 형성되는데, 바람직하게는 스캔전극(802)에 대응되는 상부 유전체층(804) 상부에 제 2 보호막(805b)의 두께(t2)가 100㎚ 이상 300㎚ 이하의 두께(t2)로 형성된다.
이와같이 MgO 보호막(805a, 805b)의 표면이 차등적으로 형성된 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널은 스캔전극(802)과 대응되게 증착된 제 2 보호막(805b)의 박막 표면의 면적이 넓게 형성되므로, 입사하는 이온과의 입사각도를 좁힐 수가 있어 방전특성을 향상시킬 수가 있게된다. 이에따라, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전을 위한 방전개시전압은 낮아지게 된다.
한편, 전술한 제 1 보호막 상부에 형성되는 제 2 보호막의 박막 표면의 면적에 따라 방전특성을 더욱 향상시킬 수가 있는데, 이러한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 차등적인 두께를 갖는 제 2 보호막을 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 9a 및 도 9b와 같다.
<제 2실시예>
도 9a 및 도 9b는 본 발명에 따른 제 2 실시예로써, 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 차등적인 두께를 갖는 보호막이 유전체층 상부에 증착되는 과정을 설명하기 위한 도이다. 먼저, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 차등적인 두께를 갖는 MgO 보호막중 제 1 보호막은 도 8a 내지 도 8c에 도시한 것과 마찬가지로, 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막 증착장치를 이용하여 유전체층 상부에 증착되므로 각각의 기능을 갖는 보호막 증착장치의 구성요소의 설명은 이하 생략하기로 한다.
여기에, 도 9a에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 또 하나의 일예인 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 차등적인 두께(t2)를 갖는 제 2 보호막(905b)은 제 1 보호막(905a)과 서로 차등적인 두께(t1, t2)가 되도록 제 2 보호막(905b)이 소정의 두께(t2)로 제 1 보호막(905a) 상부에 증착된다. 이러한, 차등적인 두께(t2)를 갖는 제 2 보호막(905b)은 제 1 보호막(905a) 상부에 제 1 보호막(905a)과 서로 차등적 인 두께로 증착시키기 위한 소정의 패턴을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막 패턴장치(980)에 의해 형성된다.
이때, 도 9b에 도시된 바와 같이 차등적인 두께(t2)를 갖는 제 2 보호막(905b)은 스캔전극(902) 및 서스테인전극(903)에 대응되는 상부 유전체층(904) 상부에 제 2 보호막(905b)의 두께(t2)가 100㎚ 이상 300㎚ 이하의 두께(t2)로 형성된다.
이와같이 MgO 보호막(905a, 905b)의 표면이 차등적으로 형성된 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 전면 패널은 스캔전극(902) 및 서스테인전극(903)과 각각 대응되게 증착된 제 2 보호막(905b)의 박막 표면의 면적이 더 넓게 형성되므로, 입사하는 이온과의 입사각도를 더욱 좁힐 수가 있어 방전특성을 더욱 향상시킬 수가 있게된다. 이에따라, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전을 위한 방전개시전압은 더욱 낮아지게 된다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널중 전면 패널의 방전특성을 개선시켜 플라즈마 방전시 방전개시전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 글라스에 형성된 복수개의 스캔 전극 및 서스테인 전극;
    상기 복수개의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 덮도록 형성된 유전체층 및
    상기 유전체층 상부에 차등적 두께로 형성된 보호막
    을 포함하고
    상기 차등적 두께로 형성된 보호막은
    상기 스캔전극 또는 서스테인전극 중 적어도 어느 한 전극 상의 보호막의 두께가 상기 스캔전극과 서스테인전극 사이의 보호막 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 차등적 두께로 형성된 보호막은
    상기 스캔전극 또는 서스테인전극 중 적어도 어느 한 전극과 대응되는 상기 유전체층 상부에 형성된 보호막의 두께가 나머지 상기 유전체층 상부에 형성된 보호막의 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 차등적 두께로 형성된 보호막의 높이 차이는 100㎚ 이상 300㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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