KR100732277B1 - 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 ｒｆｉｄ에서의 변/복조 장치 - Google Patents

불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 ｒｆｉｄ에서의 변/복조 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치에 관한 것으로서, RFID의 전압 멀티플라이어에서 유전율이 큰 불휘발성 강유전체 캐패시터를 이용함으로써 RFID의 전체 사이즈를 감소시킬 수 있도록 하는 기술을 개시한다. 이러한 본 발명은 불휘발성 강유전체 캐패시터를 포함하는 메모리 셀을 메모리로 채택하는 RFID 장치에 있어서, 전압 멀티플라이어와 변/복조 장치에 적용되는 캐패시터를 상술된 메모리 셀과 동일한 공정을 갖는 불휘발성 강유전체 캐패시터로 구현하고, 불휘발성 강유전체 캐패시터의 절연체를 고유전율을 갖는 강유전체 소자로 구현하여 캐패시터가 차지하는 면적을 줄일 수 있도록 한다.

Description

불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 ＲＦＩＤ에서의 변/복조 장치{Modulator/demodulator in RFID with non-volatile ferroelectric memory}
도 1은 본 발명에 따른 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID 장치의 전체 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 전압 멀티플라이어에 관한 상세 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 전압 멀티플라이어의 다른 실시예.
도 4는 본 발명에 따른 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 전압 멀티플라이어의 출력 전압 파형도.
도 5는 본 발명에 따른 복조 장치의 상세 회로도.
도 6은 본 발명에 따른 복조 장치의 다른 실시예.
도 7은 본 발명에 따른 복조 장치의 출력 전압 파형도.
도 8은 본 발명에 다른 변조 장치의 상세 회로도.
도 9는 종래기술과 본 발명의 캐패시터 특성을 비교한 테이블.
본 발명은 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치에 관한 것으로서, RFID의 전압 멀티플라이어, 모듈레이터, 및 디모듈레이터에 유전율이 큰 불휘발성 강유전체 캐패시터를 이용함으로써 RFID의 전체 사이즈를 감소시킬 수 있도록 하는 기술이다.
일반적으로 불휘발성 강유전체 메모리 즉, FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 디램(DRAM;Dynamic Random Access Memory) 정도의 데이터 처리 속도를 갖고, 전원의 오프시에도 데이타가 보존되는 특성 때문에 차세대 기억 소자로 주목받고 있다.
이러한 FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 갖는 기억소자로써 캐패시터의 재료로 강유전체를 사용하여 강유전체의 특성인 높은 잔류 분극을 이용한 것이다. 이와 같은 잔류 분극 특성으로 인하여 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다.
상술된 FeRAM에 관한 기술내용은 본 발명과 동일 발명자에 의해 출원된 대한민국 특허 출원 제 2001-57275호에 개시된 바 있다. 따라서, FeRAM에 관한 기본적인 구성 및 그 동작에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 일반적인 RFID(Radio Frequency Identification) 장치는 크게 아날로그 블럭, 디지탈 블럭 및 메모리 블럭을 구비한다. 여기서, 아날로그 블럭의 내부에는 전원전압 VDD를 생성하기 위한 전압 멀티플라이어(Voltage multiplier) 및 무 선 주파수 신호를 변/복조하기 위한 모듈레이터(Modulator)와 디모듈레이터(Demodulator)가 구비된다.
그런데, 상술된 전압 멀티플라이어, 모듈레이터 및 디모듈레이터에서 사용되는 캐패시터는 주로 PIP(Poly-Insulator-Poly) 구조를 사용한다. 이때, 절연체(Insulator)는 상유전체인 SiO2,Al2O3를 주로 사용하게 된다.
그런데, 이러한 경우 상술된 재료의 상유전체들은 유전율이 작기 때문에 원하는 캐패시턴스를 얻기 위해서는 수많은 캐패시터 소자들이 구비되어야 한다. 이에 따라, 전체적인 캐패시터의 면적이 증가하게 되고, 셀 캐패시터와 다른 공정을 적용함으로써 공정의 복잡도와 비용이 증가하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, RFID의 전압 멀티플라이어, 모듈레이터, 및 디모듈레이터에 셀 캐패시터와 동일한 공정이 적용되는 불휘발성 강유전체 캐패시터를 이용하여 RFID의 전체 사이즈를 감소시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에 있어서, 안테나를 통해 인가되는 무선 주파수 신호를 정류하고 제 1불휘발성 강유전체 캐패시터를 포함하여 정류된 전압을 각각 차지 펌핑하여 RFID의 동작 전압으로 사용되는 전원전압을 생성하는 전압 멀티플라이어; 전원전압을 동작 전압으로 하여 무선 주파수 신호를 정류하고 제 2불휘발성 강유전체 캐패시터를 포함하여 정류된 전압을 각각 차지 펌핑하여 검출된 동작 명령 신호를 RFID의 디지탈 블럭으로 출력하는 디모듈레이터; 및 전원전압을 동작 전압으로 하고, 디지탈 블럭으로부터 응답신호가 인가될 경우 제 3불휘발성 강유전체 캐패시터에 의해 입력 임피던스를 변경하여 안테나에 전송하는 모듈레이터를 구비함을 특징으로 한다.
삭제
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 RFID 장치의 전체 구성도이다.
본 발명의 RFID 장치는 크게 아날로그 블럭(100)과, 디지탈 블럭(200) 및 불휘발성 강유전체 메모리(FeRAM;non-volatile ferroelectric random access memory;300)를 구비한다.
여기서, 아날로그 블럭(100)은 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier;110), 전압 리미터(Voltage Limiter;120), 모듈레이터(Modulator;130), 디모듈레이터 (Demodulator;140), 전압 더블러(Voltage Doubler;150), 파워온 리셋부(Power On Reset;160) 및 클럭 발생부(170)를 구비한다.
그리고, 아날로그 블럭(100)의 안테나(10)는 외부의 리더기 또는 라이터기와 RFID 간에 데이터를 송수신하기 위한 구성이다. 전압 멀티플라이어(110)는 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에 의해 RFID의 구동전압인 전원전압 VDD을 생성한다. 전압 리미터(120)는 안테나(10)로부터 인가된 무선 주파수 신호 RF의 전송 전압의 크기를 제한하여 디모듈레이터(140)에 출력한다.
또한, 모듈레이터(130)는 디지탈 블럭(200)으로부터 인가되는 응답 신호 RP를 모듈레이팅하여 안테나(10)에 전송한다. 디모듈레이터(140)는 전압 멀티플라이어(110)와 전압 리미터(120)의 출력전압에 따라 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령신호 CMD를 디지탈 블럭(200)에 출력한다.
전압 더블러(150)는 전압 멀티플라이어(110)로부터 인가되는 전원전압 VDD을 승압하여 2배의 승압전압 VDD2를 FeRAM(300)에 공급한다. 파워온 리셋부(160)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋신호 POR를 디지탈 블럭(200)에 출력한다. 클럭 발생부(170)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD에 따라 디지탈 블럭(200)의 동작을 제어하기 위한 클럭 CLK를 디지탈 블럭(200)에 공급한다.
또한, 상술된 디지탈 블럭(200)은 아날로그 블럭(100)으로부터 전원전압 VDD, 파워 온 리셋신호 POR, 클럭 CLK 및 명령신호 CMD를 인가받아 명령신호 CMD를 해석하고 제어신호 및 처리 신호들을 생성하여 아날로그 블럭(20)에 해당하는 응답신호 RP를 출력한다. 그리고, 디지탈 블럭(200)은 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 제어신호 CTR 및 클럭 CLK을 FeRAM(300)에 출력한다. FeRAM(300)은 불휘발성 강유전체 캐패시터 소자를 이용하여 데이타를 리드/라이트 하는 메모리 블럭이다.
도 2는 도 1의 전압 멀티플라이어(110)에 관한 상세 회로도이다.
전압 멀티플라이어(110)는 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D1~D6, 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC1~FC6 및 스트레스 방지 회로부(111)를 구비한다. 스트레스 방지 회로부(111)는 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC7~FC8를 구비한다.
이러한 구성을 갖는 전압 멀티플라이어(110)는 안테나(10)로부터 무선 고주파 신호 RF가 인가될 경우, 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D1~D6의 정류작용과 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC1~FC8의 차지 펌핑 동작에 의해 RFID 칩의 동작 전압인 전원전압 VDD을 DC 전원 출력단으로 출력한다.
즉, 다이오드 D1,D2의 정류작용에 의해 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC2에 차지를 저장하고, 다이오드 D3,D4의 정류작용에 의해 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC2에 저장된 차지를 펌핑하여 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC4에 저장한다. 그리고, 이러한 정류동작과 펌핑 동작을 순차적으로 수행하여 최종단의 다이오드 D5,D6을 통해 전원전압 VDD를 생성하게 된다.
또한, 스트레스 방지 회로부(111)는 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC1~FC6에 임계 전압(예를 들면, 약 0.5V) 이상의 전압이 가해지지 않도록 한다. 즉, 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC1~FC6에 임계 전압 이상의 전압이 인가될 경우 전압 스트레스에 의해 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC1~FC6의 유전체에 손상이 발생하여 누설 전류가 증가할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 스트레스 방지 회로부(111)는 전원전압 VDD 출력단과 접지전압 VSS 출력단 사이에 일정전압(예를 들면, 약 0.5V)을 갖는 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC7와 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC8를 각각 직렬 연결한다. 이에 따라, 임계전압 이상의 전압 스트레스가 캐패시터에 인가되는 것을 방지하여 전원전압 VDD이 안정된 고유영역 구간에서만 동작할 수 있도록 한다.
도 3은 도 1의 전압 멀티플라이어(110)에 관한 다른 실시예이다.
전압 멀티플라이어(110)는 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D7~D14, 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC9~FC14 및 스트레스 방지 회로부(112)를 구비한다. 스트레스 방지 회로부(112)는 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC15~FC16를 구비한다.
여기서, 전압 멀티플라이어(110)는 도 2의 실시예와 다이오드 및 캐패시터의 연결 관계가 서로 상이하다. 즉, 다이오드 D7,D8는 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC9~FC10와 교차되어 서로 다른 방향으로 연결된다. 그리고, 다이오드 D9,D10는 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC11~FC12와 교차되어 서로 다른 방향으로 연결된다. 또한, 다이오드 D11,D12는 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC13~FC14와 교차되어 서로 다른 방향으로 연결된다. 그리고, 최종단의 다이오드 D13,D14을 통해 전원전압 VDD를 생성하게 된다.
이러한 구성을 갖는 전압 멀티플라이어(110)는 안테나(10)로부터 무선 고주파 신호 RF가 인가될 경우, 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D7~D14의 정류작용과 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC9~FC14의 차지 펌핑 동작에 의해 RFID 칩의 동작 전압인 전원전압 VDD을 DC 전원 출력단으로 출력한다.
또한, 스트레스 방지 회로부(111)는 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC7~FC14에 임계 전압(예를 들면, 약 0.5V) 이상의 전압이 가해지지 않도록 한다. 즉, 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC9~FC14에 임계 전압 이상의 전압이 인가될 경우 전압 스트레스에 의해 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC9~FC14의 유전체에 손상이 발생할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 스트레스 방지 회로부(112)는 전원전압 VDD 출력단과 접지전압 VSS 출력단 사이에 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC15,FC16를 직렬 연결하여 임계전압 이상의 전압 스트레스가 캐패시터에 인가되는 것을 방지하게 된다.
도 4는 상술된 전압 멀티플라이어(110)의 출력전압 VDD에 관한 파형도이다.
도 4의 파형도를 보면, 안테나(10)로부터 주파수가 900㎒인 무선 주파수 신호 RF가 인가될 경우, 피크 투 피크(Peak-to-peak) 입력 전압이 200㎷이고, 출력 전류가 10㎂일때 출력되는 전원전압 VDD은 약 1.4V 임을 알 수 있다.
도 5는 도 1의 디모듈레이터(140)에 관한 상세 회로도이다.
디모듈레이터(140)는 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D15~D18, 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC17~FC20 및 저항 R1을 구비한다.
여기서, 디모듈레이터(140)는 다이오드 D15,D16의 정류작용에 의해 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC19에 차지를 저장하고, 다이오드 D17,D18의 정류작용에 의해 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC19에 저장된 차지를 펌핑하여 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC20에 저장한다. 이러한 정류동작과 펌핑 동작을 순차적으로 수행하여 출력전압 Vout을 생성하게 된다. 그리고, 출력전압 Vout 인가단과 접지전압 VSS 인가단 사이에 저항 R1이 구비된다.
이러한 구성을 갖는 디모듈레이터(140)는 안테나(10)로부터 무선 고주파 신호 RF가 인가될 경우, 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D15~D18의 정류작용과 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC17~FC20의 차지 펌핑 동작에 의해 디지탈 블럭(200)에 출력전압 Vout을 갖는 명령신호 CMD를 출력한다.
여기서, 디모듈레이터(140)의 다이오드 D15~D18 갯수는 4개로 이루어져 출력전압 Vout이 저전압으로 제한되는 것이 바람직하다. 또한, 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC17~FC20의 캐패시터 용량이 전압 멀티플라이어(110) 보다 작게 설계된다.
도 6은 도 1의 디모듈레이터(140)에 관한 다른 실시예이다.
디모듈레이터(140)는 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D19~D23, 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC21~FC25 및 저항 R2을 구비한다.
여기서, 디모듈레이터(140)는 도 5의 실시예와 다이오드 및 캐패시터의 연결 관계가 서로 상이하다. 즉, 다이오드 D19,D20는 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC21~FC22와 교차되어 서로 다른 방향으로 연결된다. 그리고, 다이오드 D21,D22는 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC23~FC24와 교차되어 서로 다른 방향으로 연결된다. 그리고, 이러한 정류동작과 펌핑 동작을 순차적으로 수행하여 최종단의 다이오드 D23을 통해 출력전압 Vout을 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC25에 저장한다. 또한, 출력전압 Vout 인가단과 접지전압 VSS 인가단 사이에 저항 R2이 구비된다.
이러한 구성을 갖는 디모듈레이터(140)는 안테나(10)로부터 무선 고주파 신호 RF가 인가될 경우, 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D19~D23의 정류작용과 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC21~FC24의 차지 펌핑 동작에 의해 디지탈 블럭(200)에 출력전압 Vout을 갖는 명령신호 CMD를 출력한다.
여기서, 디모듈레이터(140)의 다이오드 D19~D22 갯수는 4개로 이루어져 출력전압 Vout이 저전압으로 제한되는 것이 바람직하다. 또한, 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC21~FC24의 캐패시터 용량이 전압 멀티플라이어(110) 보다 작게 설계된다.
도 7은 상술된 디모듈레이터(140)에 관한 출력전압 Vout의 파형도이다.
디모듈레이터(140)는 안테나(10)로부터 무선 고주파 신호 RF가 인가되어 명령신호를 감지할 경우 도 7과 같은 출력전압 Vout을 갖는 명령신호 CMD를 디지탈 블럭(200)에 출력한다.
도 8은 도 1의 모듈레이터(130)에 관한 상세 구성도이다.
모듈레이터(130)는 입력 임피던스 모듈레이션부(131)와 모듈레이터 구동부(132)를 구비한다. 여기서, 입력 임피던스 모듈레이션부(131)는 직렬 연결되어 각각의 연결단자를 통해 모듈레이터 구동부(132)의 출력이 인가되는 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터 FC26~FC28를 구비한다.
모듈레이터(130)의 변조는 백스캐터(Backscatter) 동작에 의해서 수행된다. 즉, 모듈레이터 구동부(132)는 디지탈 블럭(200)으로부터 인가되는 응답신호 RP에 따라 모듈레이터 구동신호를 입력 임피던스 모듈레이션부(131)에 출력한다.
그리고, 백워드(Backward) 연결이 활성화되면 리더기(Reader)에서 연속 주파수를 갖는 캐리어(Carrier) 신호를 발송한다. 그러면, 입력 임피던스 모듈레이션부(131)는 입력 임피던스를 변경하여 안테나(10)로부터 백스캐터되는 무선 주파수 신호 RF를 변조한다. 이에 따라, 모듈레이터(130)는 입력 캐패시턴스를 변경하여 위상 변조를 수행함으로써 백스캐터된 신호를 안테나(10)를 통해 외부의 리더기에 전송하게 된다.
도 9는 종래기술과 본 발명의 캐패시터 특성을 비교한 테이블이다.
도 9를 보면, 종래기술에 따른 통상의 캐패시터는 주로 PIP(Poly-Insulator-Poly) 구조를 사용한다. 이때, 절연체(Insulator)는 상유전체인 SiO2,Al2O3를 주로 사용하게 된다. 그런데, 이러한 경우 상유전체 SiO2는 유전율이 3.7이고, 상유전체 Al2O3는 유전율이 8에 불과하여 낮은 유전율을 갖는다. 또한, 캐패시터의 공정은 메모리 셀과 다른 공정으로 설계된다.
이에 반하여, 본원발명에 적용되는 불휘발성 강유전체 캐패시터는 메모리 셀의 캐패시터와 동일한 공정으로 구현된다. 또한, 캐패시터의 유전체로서 고유전율을 갖는 표면장벽형 트랜지스터(SBT;Surface Barrier Transistor) 또는 압전소자인 PZT(Plumbum-Zirconate-Titanate)를 사용하게 된다. 이러한 SBT 유전체는 유전율이 250이고 PZT는 유전율이 500으로, 고유전율을 갖기 때문에 RFID에 사용되는 캐패시터의 면적을 줄일 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 메모리 셀과 동일한 공정을 수행하는 캐패시터를 사용하여 공정을 단순화시킬 수 있고, 이와 더불어 고유전율의 캐패시터를 적용하여 RFID의 전체적인 사이즈를 감소시킬 수 있도록 하는 효과를 제공한다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (21)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 안테나를 통해 인가되는 무선 주파수 신호를 정류하고 제 1불휘발성 강유전체 캐패시터를 포함하여 정류된 전압을 각각 차지 펌핑하여 상기 RFID의 동작 전압으로 사용되는 전원전압을 생성하는 전압 멀티플라이어;
    상기 전원전압을 동작 전압으로 하여 상기 무선 주파수 신호를 정류하고 제 2불휘발성 강유전체 캐패시터를 포함하여 정류된 전압을 각각 차지 펌핑하여 검출된 동작 명령 신호를 상기 RFID의 디지탈 블럭으로 출력하는 디모듈레이터; 및
    상기 전원전압을 동작 전압으로 하고, 상기 디지탈 블럭으로부터 응답신호가 인가될 경우 제 3불휘발성 강유전체 캐패시터에 의해 입력 임피던스를 변경하여 상기 안테나에 전송하는 모듈레이터를 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 전압 멀티플라이어는
    상기 안테나를 통해 인가되는 상기 무선 주파수 신호를 정류하여 출력하는 복수개의 제 1쇼트키 다이오드;
    상기 복수개의 제 1쇼트키 다이오드에서 정류된 전압을 각각 차지 펌핑하여 저장하고 상기 RFID의 동작 전압으로 사용되는 상기 전원전압을 생성하는 복수개의 제 1불휘발성 강유전체 캐패시터; 및
    상기 복수개의 제 1불휘발성 강유전체 캐패시터에 임계전압 이상의 전압 스트레스가 인가되는 것을 방지하는 스트레스 방지 회로부를 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 스트레스 방지 회로부는
    상기 전원전압의 최종 출력단과 접지전압단 사이에 직렬 연결되어 일정 전압을 차지하여 저장하는 복수개의 강유전체 캐패시터를 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  10. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 복수개의 제 1불휘발성 강유전체 캐패시터는 상기 불휘발성 강유전체 메모리의 셀 캐패시터와 동일한 공정에 의해 형성됨을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  11. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 복수개의 제 1불휘발성 강유전체 캐패시터의 강유전체는 고유전율을 갖는 표면 장벽형 트랜지스터(SBT)로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  12. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 복수개의 제 1불휘발성 강유전체 캐패시터의 강유전체는 고유전율을 갖는 압전 트랜지스터(PZT)로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  13. 제 7항에 있어서, 상기 디모듈레이터는
    상기 안테나를 통해 인가되는 상기 무선 주파수 신호를 정류하여 출력하는 복수개의 제 2쇼트키 다이오드;
    상기 복수개의 제 2쇼트키 다이오드에서 정류된 전압을 각각 차지 펌핑하여 저장하고 상기 동작명령 신호를 출력하는 복수개의 제 2불휘발성 강유전체 캐패시터; 및
    상기 동작명령 신호의 출력전압단과 접지전압단 사이에 연결된 저항을 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 복수개의 제 2불휘발성 강유전체 캐패시터는 상기 불휘발성 강유전체 메모리의 셀 캐패시터와 동일한 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 복수개의 제 2불휘발성 강유전체 캐패시터의 강유전체는 고유전율을 갖는 표면 장벽형 트랜지스터(SBT)로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 복수개의 제 2불휘발성 강유전체 캐패시터의 강유전체는 고유전율을 갖는 압전 트랜지스터(PZT)로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  17. 제 7항에 있어서, 상기 모듈레이터는
    상기 응답신호에 따라 모듈레이터 구동신호를 출력하는 모듈레이터 구동부; 및
    상기 모듈레이터 구동신호의 인가시 상기 제 3불휘발성 강유전체 캐패시터의 캐패시턴스 값에 따라 상기 입력 임피던스를 변경하여 위상 변조된 신호를 상기 안테나에 전송하는 입력 임피던스 모듈레이션부를 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 입력 임피던스 모듈레이션부는 직렬 연결되어 각각의 연결단자를 통해 상기 모듈레이터 구동신호가 인가되는 복수개의 제 3불휘발성 강유전체 캐패시터를 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 복수개의 제 3불휘발성 강유전체 캐패시터는 상기 불휘발성 강유전체 메모리의 셀 캐패시터와 동일한 공정에 의해 형성됨을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  20. 제 18항에 있어서, 상기 복수개의 제 3불휘발성 강유전체 캐패시터의 강유전체는 고유전율을 갖는 표면 장벽형 트랜지스터(SBT)로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
  21. 제 18항에 있어서, 상기 복수개의 제 2불휘발성 강유전체 캐패시터의 강유전체는 고유전율을 갖는 압전 트랜지스터(PZT)로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 변/복조 장치.
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