KR100731803B1 - Barrier rib manufacturing method of display panel for discharge - Google Patents

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Abstract

본 발명은 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고온공정이 배제된 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 격벽형성방법은, 금속의 알루미늄을 증착시켜서, 에칭하여 격벽을 형성한 후, 양극산화기법을 이용하여 알루미늄을 산화물로 변화시켜서 절연체를 형성하여 격벽을 형성한다. 따라서 본 발명은 격벽 형성을 위한 고온의 소성공정이 배제되므로서, 기판의 뒤틀림을 방지하고, 전극 형성 및 유전층의 합착온도를 낮추면서 제조를 쉽게 하는 효과를 얻을 수 있다.
The present invention relates to a method for forming a partition wall of a display panel using discharge, and more particularly, to a method for forming a partition wall of a display panel using discharge in which a high temperature process is excluded. In the barrier rib forming method of the present invention, after the aluminum is deposited to be etched to form the barrier, aluminum is converted into an oxide using an anodizing method to form an insulator to form the barrier. Therefore, the present invention can eliminate the high-temperature firing process for forming the partition wall, thereby preventing distortion of the substrate, it is possible to obtain the effect of easy manufacturing while lowering the electrode formation and the bonding temperature of the dielectric layer.

플라즈마 디스플레이 패널, 격벽Plasma display panel, bulkhead

Description

방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법{Barrier rib manufacturing method of display panel for discharge} Barrier rib manufacturing method of display panel for discharge             

도 1은 일반적인 방전을 이용한 디스플레이 패널의 구조도,1 is a structural diagram of a display panel using a general discharge,

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽 형성을 위한 공정도,2 is a process chart for forming a partition wall of a display panel using discharge according to the first embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 격벽 형성시의 순차 공정도,3 is a sequential process diagram when forming a partition wall according to the first embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽 형성을 위한 공정도,4 is a process chart for forming a partition of a display panel using discharge according to a second embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 격벽 형성시의 순차 공정도.
5 is a sequential process chart at the time of forming a partition wall according to the second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 105 : 격벽재100: substrate 105: partition wall material

110 : 포토 레지스터 120 : 격벽110: photoresist 120: partition

125 : Al2O3 산화물

125: Al2O3 oxide

본 발명은 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소성공정이 배제된 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a partition wall of a display panel using discharge, and more particularly, to a method for forming a partition wall of a display panel using discharge in which a firing step is excluded.

플라즈마 디스플레이 패널은, 상판과 하판 사이에 유지전극과 어드레스전극을 매트릭스 형태로 형성하여 화소를 구동하고, 상기 전극 사이에서 방전을 일으키면서 발생한 자외선을 이용하여 화상을 구현하는 평판 디스플레이 장치이다.A plasma display panel is a flat panel display device that drives pixels by forming sustain electrodes and address electrodes in a matrix form between an upper plate and a lower plate, and implements an image using ultraviolet rays generated while causing discharge between the electrodes.

즉, 상기 플라즈마 디스플레이 패널은 상판과 하판 사이에서 방전을 발생시키며, 이러한 방전이 발생되기 위하여 상판과 하판 사이에 방전공간이 형성된다. That is, the plasma display panel generates a discharge between the upper plate and the lower plate, and a discharge space is formed between the upper plate and the lower plate to generate such a discharge.

다음은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 간단하게 살펴본다.The following briefly looks at the structure of a conventional plasma display panel.

종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 상판구조는 도 1에 도시하고 있는 바와 같이, 상부기판(50)의 동일면 상에 일정한 폭과 높이를 갖는 한쌍의 유지전극(45)을 형성하고, 상기 유지전극(45)을 절연하고, 유지방전시 낮은 전압으로도 방전을 시킬 수 있도록 방전시 여기된 전하들을 보전하기 위한 유전체층(40)을 형성한 후, 상기 유전체층(40)을 보호하는 보호층(35)으로 구성되어 있다.As shown in FIG. 1, the upper plate structure of the conventional plasma display panel includes a pair of sustain electrodes 45 having a predetermined width and height on the same surface of the upper substrate 50, and the sustain electrodes 45. Is formed of a protective layer 35 that protects the dielectric layer 40 after forming the dielectric layer 40 to insulate the dielectric layer and to maintain the electric charges excited during discharge so that the battery can be discharged even at a low voltage during sustain discharge. .

그리고 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 하판구조는, 도 1에 도시하고 있는 바와 같이, 하부기판(10)의 상부에 일정한 폭과 높이를 갖는 어드레스전극(15)을 형성하고, 상기 어드레스전극(15)의 상부에 절연을 위한 유전체층(20)을 형성하고, 상기 유전체층(20)의 상부에 방전공간을 형성하고, 인접한 셀(Cell) 간의 크로스토크(Crosstalk) 현상을 방지하기 위한 격벽(30)을 형성하며, 상기 격벽(30)의 측벽과 유전체층(20) 상부에 형광체층(25)을 형성하고 있다.In the lower plate structure of the conventional plasma display panel, as shown in FIG. 1, an address electrode 15 having a predetermined width and height is formed on an upper portion of the lower substrate 10, and an upper portion of the address electrode 15 is formed. Forming a dielectric layer 20 for insulation in the dielectric layer, forming a discharge space on the dielectric layer 20, and forming a barrier rib 30 for preventing a crosstalk phenomenon between adjacent cells. The phosphor layer 25 is formed on the sidewalls of the barrier rib 30 and the dielectric layer 20.

따라서 이렇게 구성되는 하판과 상판을 밀착시키면, 상기 하판과 상판 사이에 상기 격벽(30)에 의해서 형성된 방전공간(55)이 구성된다. 상기 방전공간(55)에 네온가스, 제온가스, 그리고 헬륨가스 등의 방전을 위한 가스가 주입되어지면, 최종적인 플라즈마 디스플레이 패널의 단위 셀이 형성되어진다.Therefore, when the lower plate and the upper plate is configured to be in close contact with each other, a discharge space 55 formed by the partition wall 30 is formed between the lower plate and the upper plate. When a gas for discharging neon gas, xeon gas, and helium gas is injected into the discharge space 55, a unit cell of the final plasma display panel is formed.

이와 같은 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널은 다음과 같이 방전이 일어난다.In the plasma display panel having such a structure, discharge occurs as follows.

상기 유지전극(45)과 어드레스전극(15)에 전위차가 발생 가능하도록 전압을 인가하면, 초기 방전이 일어나고, 이후 상기 방전공간(55)에서 상기 한쌍의 유지전극(45) 사이에서 면방전이 일어나면서 자외선이 발생한다. 이때, 자외선에 의해서 주위 형광체층(25)의 형광물질이 여기되면서 칼라 표시가 이루어진다. When a voltage is applied to the sustain electrode 45 and the address electrode 15 so that a potential difference can be generated, an initial discharge occurs, and then a surface discharge occurs between the pair of sustain electrodes 45 in the discharge space 55. UV light is generated. At this time, the fluorescent material of the surrounding phosphor layer 25 is excited by ultraviolet rays, and color display is performed.

즉, 방전셀 내부에 존재하는 전자들이 인가된 전압에 의해 가속되면서, 상기 방전셀 안에 400 ~ 600 토르 정도의 압력으로 채워진 불활성 혼합가스와 충돌하여 자외선을 발생시키고, 이렇게 발생된 자외선이 형광체층(25)과 충돌하면서 가시광을 발생시키게 되는 것이다.That is, as the electrons present in the discharge cell are accelerated by the applied voltage, the discharge cells collide with the inert mixed gas filled at a pressure of about 400 to 600 Torr to generate ultraviolet rays, and the generated ultraviolet rays are phosphor layers ( Collide with 25) to generate visible light.

즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전은, 상기 방전공간(55)에서 일어난다. 상기 방전공간(55)은 격벽(30)에 의해서 형성되고 있다.That is, the discharge of the plasma display panel occurs in the discharge space 55. The discharge space 55 is formed by the partition wall 30.

상기 격벽(30)은 앞서도 설명하고 있는 바와 같이, 레드(Red), 그린(Green), 블루(Blue)의 각 칼라에 따른 방전영역을 분리할 목적으로 형성된다. 그리고 상기 격벽의 형성조건으로서 균일한 방전공간을 확보하고, 크로스 토크(Cross talk)를 방지할 수 있는 격벽의 높이와 폭의 균일성이 확보되는 최적의 공정조건 설정을 필요로 한다.As described above, the partition wall 30 is formed for the purpose of separating the discharge region according to each color of red, green, and blue. In addition, it is necessary to set an optimal process condition to secure a uniform discharge space as a condition for forming the partition wall and to ensure uniformity of the height and width of the partition wall to prevent cross talk.

특히, 매우 높은 해상도를 요구하는 고해상도의 플라즈마 디스플레이 패널에서는 상기 제작 가능한 격벽의 폭이 결과적으로 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도와 발광효율을 결정짓기 때문에, 미세한 폭의 격벽 제작공정은 플라즈마 디스플레이 패널에서 매우 중요하게 작용한다.Particularly, in a high resolution plasma display panel requiring a very high resolution, the width of the fabricable barrier rib determines the brightness and luminous efficiency of the plasma display panel. Therefore, the process of fabricating a fine barrier rib is very important in the plasma display panel. Works.

다음은 일반적인 샌드 블라스트법에 의한 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법을 설명하면서 종래 격벽제조의 문제점을 살펴본다.Next, the problems of the conventional barrier rib manufacturing will be described while describing a method of manufacturing a barrier rib of a conventional plasma display panel by a general sand blast method.

첫째, 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서 격벽제조를 위해서는 고온의 소성공정이 항상 이루어져야만 하였다.First, in order to manufacture a partition wall in a conventional plasma display panel, a high temperature baking process should always be performed.

샌드 블라스트법에 의한 격벽제조공정은, 우선 기판에 격벽 페이스트의 건조막을 형성한다. 그리고 건조막의 표면에 드라이 필름 레지스터(DFR)을 라미네이트한다. 상기 드라이 필름 레지스터를 노광, 현상하고, 상기 드라이 필름 레지스터 패턴을 마스크로서 샌드 브라스트한다. 이후, 드라이 필름 레지스터를 제거하고 소성하여, 완성된 격벽을 형성하게 된다.In the partition wall manufacturing step by the sand blasting method, first, a dry film of partition wall paste is formed on a substrate. And a dry film register (DFR) is laminated on the surface of a dry film. The dry film register is exposed and developed and sand blasted using the dry film register pattern as a mask. Thereafter, the dry film resistor is removed and fired to form a completed partition.

상기 샌드 브라스트법에 의한 격벽제조 외에도 감광성 페이스트법, 아디티브법, 후막인쇄법 등에 있어서도 최종적으로 완성된 격벽을 형성하기 위해서는 소성공정이 항상 수행되었다. 이와 같은 소성공정은, 완전히 유기 수지를 제거하는 것 과 함께, 그래스와 유사한 재질의 격벽재를 소성시켜 충분한 강도를 가지게 하기 위함이다.In addition to the production of the partition wall by the sand blasting method, the firing process was always performed to form the finally completed partition wall in the photosensitive paste method, the additive method, the thick film printing method and the like. Such a firing step is to completely remove the organic resin and to fire a partition material of a material similar to grass to have sufficient strength.

그러나 상기 소성공정은 매우 높은 고온에서 수행된다는 문제점이 있다. 통상 유리와 같은 재질은 510도 이상부터 급격한 변형을 가져온다. 따라서 550도 이상에서 수행되는 상기 격벽의 소성공정으로 유리로 이루어진 기판 자체의 뒤틀림이 발생되면서 기설계된 패턴으로 패널이 형성되지 못하게 되는 문제를 일으키는 것이다.However, there is a problem that the firing process is performed at a very high temperature. Usually, materials such as glass bring about a sharp deformation from 510 degrees or more. Therefore, a warpage of the substrate itself made of glass is caused by the firing process of the partition wall that is performed at 550 degrees or more, thereby causing a problem that the panel cannot be formed in a predesigned pattern.

또한, 상기 격벽의 형성을 위한 소성공정이 매우 고온에서 이루어지므로서, 제조가 매우 어려운 문제점을 수반하게 된다. 특히, 매우 높은 해상도를 요구하는 플라즈마 디스플레이 패널에서는 상기 격벽의 폭이 매우 미세하게 설계된다. 따라서 상기 미세하게 설계된 격벽이 기존의 소성온도를 이용한 소성공정으로 상판을 누르는 대기압의 기계적 강도를 견디도록 재료를 선정하기는 매우 어렵다.In addition, since the firing process for the formation of the partition wall is made at a very high temperature, the production is accompanied with a very difficult problem. In particular, in the plasma display panel requiring a very high resolution, the width of the partition wall is designed very finely. Therefore, it is very difficult to select a material so that the finely designed partition wall can withstand the mechanical strength of atmospheric pressure that presses the upper plate by a firing process using a conventional firing temperature.

둘째, 기준의 샌드 블라스트 공법을 이용하여 높은 해상도의 격벽을 형성하는 경우, 미세 패턴으로 이루어진 격벽 상부의 샌드 보호층이 쉽게 격벽 상부에서 샌드의 압력과 공기의 압력에 의하여 탈리되는 현상이 발생되는 문제점이 있다.Second, in the case of forming a high resolution partition wall using the standard sand blasting method, the phenomenon that the sand protection layer of the upper part of the partition formed of a fine pattern easily detached by the pressure of the sand and air pressure in the upper part of the partition wall There is this.

셋째, 종래에는 상기 격벽이 어드레스전극과 유전층이 형성된 후에 이루어지기 때문에, 상기 격벽의 소성공정온도는 상기 어드레스전극과 유전층의 형성을 위한 온도에도 영향을 미친다는 문제점이 있다.Thirdly, since the barrier rib is conventionally formed after the address electrode and the dielectric layer are formed, there is a problem in that the baking process temperature of the barrier rib also affects the temperature for forming the address electrode and the dielectric layer.

즉, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널은, 그래스(Glass)로 이루어진 하부기판(10) 상부에 셀을 선택적으로 선별하기 위한 어드레스전극(15)을 스트라이프(Stripe) 형태로 세로로 형성시킨 후, 상기 어드레스전극(15)을 보호하고, 절연하기 위하여 상기 전극 전면을 유전층(20)으로 도포하고 있다. 그리고 상기 유전층(20) 상부로, 방전시 각 셀의 방전공간(55)을 만들기 위한 격벽(30)을 형성시키고 있다. 따라서 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 하판은, 하부기판(10) 상부에 격벽(30)이 형성하기 전에 어드레스전극(15)과 유전층(20)을 먼저 형성시켜야 하였다.That is, in the conventional plasma display panel, an address electrode 15 for selectively selecting a cell is formed vertically in a stripe shape on a lower substrate 10 made of glass, and then the address electrode is formed. The entire surface of the electrode is coated with a dielectric layer 20 to protect and insulate (15). The barrier layer 30 is formed on the dielectric layer 20 to make the discharge space 55 of each cell during discharge. Accordingly, in the lower plate of the conventional plasma display panel, the address electrode 15 and the dielectric layer 20 must be formed before the barrier rib 30 is formed on the lower substrate 10.

따라서 상기 하부기판(10) 상에 어드레스전극(15)과 유전층(20)을 형성시킬 때, 약 500도 이하에서 공정이 가능함에도 불구하고 상기 격벽(30) 형성을 위한 소성공정에서 약 550도 이상을 유지해야만 하기 때문에, 상기 격벽(30)의 형성 전에 하부기판(10) 상에 우선 형성해야 하는 어드레스전극(15)과 유전층(20)의 공정에서도 필요이상의 고온(약 550도 이상)을 유지해줘야하는 문제점이 발생되는 것이다.Therefore, when the address electrode 15 and the dielectric layer 20 are formed on the lower substrate 10, although the process can be performed at about 500 degrees or less, at least about 550 degrees in the firing process for forming the partition 30. In order to maintain the high temperature (more than about 550 degrees), even in the process of the address electrode 15 and the dielectric layer 20, which must be first formed on the lower substrate 10 before the partition wall 30 is formed, it must be maintained. The problem is that.

또한, 상기 격벽(30) 형성을 위한 고온의 소성공정으로 인하여, 그래스로 이루어진 하부기판(10)의 뒤틀림이 발생되고, 결과적으로 기판 상에 이미 형성되고 있는 어드레스전극(15)의 위치가 변형되는 문제가 발생되는 것이다.In addition, due to the high-temperature firing process for forming the partition 30, distortion of the lower substrate 10 made of grass occurs, and as a result, the position of the address electrode 15 already formed on the substrate is deformed. Problems arise.

플라즈마 디스플레이 패널은, 각 셀간의 균일한 방전공간을 위해서는 격벽과 격벽의 중앙부와 패널에 형성되어 있는 어드레스전극과의 얼라인을 가능한 정확하게 하여야 한다. 그러나 상기와 같은 제조공법에 의한 어드레스전극의 위치 변형으로 얼라인(Align)에 문제가 발생되면서 공정 수율이 저하되어 제조비용이 상승되는 문제점을 발생시켰다. 특히, 종래 플라즈마 디스플레이 패널 제조시에 발생되는 얼라인의 문제는 매우 높은 해상도를 요구하는 플라즈마 디스플레이 패널에서는 더욱 큰 문제점으로 예상된다.
In the plasma display panel, alignment between the partition wall, the central portion of the partition wall, and the address electrode formed in the panel should be as accurate as possible for a uniform discharge space between the cells. However, a problem occurs in alignment due to the positional deformation of the address electrode by the manufacturing method as described above, resulting in a problem in that the manufacturing yield is lowered and the manufacturing cost is increased. In particular, the alignment problem generated in the conventional plasma display panel manufacturing is expected to be a further problem in the plasma display panel requiring a very high resolution.

따라서 본 발명의 목적은 매우 강성의 알루미늄을 이용하여 소성공정을 배제하여 격벽을 제조할 수 있는 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽제조방법을 제공함에 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a partition wall of a display panel using a discharge capable of manufacturing a partition wall by excluding a firing process using very rigid aluminum.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽제조방법은, 일정 크기의 기판 상부에 금속의 격벽재를 형성하는 단계, 상기 격벽재에 대하여 격벽이 형성되어야 할 격벽 패턴과 에칭될 부분을 차별화하는 패턴을 형성하는 단계, 상기 에칭될 부분을 에칭하여 격벽을 형성하는 단계, 상기 형성된 금속 격벽의 외부에 산화물을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
또한 본 발명에 따른 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽제조방법은, 일정 크기의 기판 상부에 드라이 필름 레지스터를 형성하는 단계, 상기 기판 상부에 격벽이 형성될 부분의 드라이 필름 레지스터를 제거시키는 패터닝을 수행하는 단계, 상기 격벽이 형성될 부분에 일정 높이의 금속을 증착하는 단계, 상기 기판 상부에 형성되어 있는 드라이 필름 레지스터를 박리하여 금속 격벽을 형성하는 단계, 상기 금속 격벽 외부에 산화물을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 금속을 증착하기 전에 상기 격벽의 접착력을 높이도록 매개층을 형성하는 단계를 더 포함하여 구성된다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a partition wall of a display panel using discharge according to the present invention includes forming a partition wall of a metal on a substrate having a predetermined size, and forming a partition wall with respect to the partition wall. Forming a pattern for differentiating a portion to be formed, etching the portion to be etched to form a partition, and forming an oxide outside the formed metal partition.
In addition, according to the present invention, a method of manufacturing a partition wall of a display panel using discharge includes forming a dry film resistor on a substrate having a predetermined size, and performing patterning to remove the dry film resistor at a portion where the partition wall is formed on the substrate. And depositing a metal having a predetermined height on a portion where the partition wall is to be formed, peeling off a dry film resistor formed on the substrate to form a metal partition wall, and forming an oxide outside the metal partition wall. It is configured by.
And forming an intermediate layer to increase adhesion of the barrier ribs prior to depositing the metal.

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본 발명의 상기 금속격벽은, 산화가 가능한 금속재질을 이용하는 것을 특징으로 한다. The metal partition of the present invention is characterized by using a metal material capable of oxidation.                     

본 발명은 양극산화기법을 이용하여 상기 금속격벽의 표면을 산화시키는 것을 특징으로 한다. The present invention is characterized by oxidizing the surface of the metal partition wall using an anodization technique.

본 발명의 상기 금속격벽은, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 이용하는 것을 특징으로 한다.The metal partition of the present invention is characterized by using aluminum or an aluminum alloy.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽제조방법에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a partition wall of a display panel using discharge according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽 제조를 위한 공정 순서도이다. 그리고 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 격벽 제조과정을 보여주는 순차 공정도이다.2 is a process flowchart for manufacturing a partition wall of a display panel using discharge according to the first embodiment of the present invention. 3 is a sequential process chart showing a partition wall manufacturing process according to the first embodiment of the present invention.

우선, 격벽이 형성되기 위한 기판을 가공/세정하여, 일정크기의 기판(100)을 형성한 후, 상기 기판(100)의 상부에 격벽재(105)를 형성한다. 이때, 상기 격벽재(105)는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금을 이용하여, 기판(100) 상부에 증착시킨다(제 200 단계). 이때, 도 1에 도시하고 있는 바와 같이, 상기 기판(100) 상부에 어드레스 전극 및 유전체층이 형성된 후에 격벽이 형성되는 구조에서는, 상기 기판(100)의 상부로 어드레스 전극 및 유전체층의 형성공정 후, 상기 알루미늄의 격벽재(105)가 형성되어야 할 것이다.First, the substrate for forming the partition wall is processed / cleaned to form a substrate 100 having a predetermined size, and then the partition wall 105 is formed on the substrate 100. In this case, the barrier rib material 105 is deposited on the substrate 100 using aluminum (Al) or an aluminum alloy (step 200). In this case, as shown in FIG. 1, in the structure in which the partition wall is formed after the address electrode and the dielectric layer are formed on the substrate 100, the process of forming the address electrode and the dielectric layer on the substrate 100 is performed. Aluminum partition wall material 105 will have to be formed.

상기 제 200 단계에서 격벽재(105)가 기판(100) 상부에 형성되면, 격벽 패터닝을 수행한다(제 210 단계). 상기 제 210 단계는, 드라이 필름을 노광, 현상 한 후, 도 3의 두번째 공정에서와 같이, 격벽이 형성되야 할부분에는 드라이 필름(110)으로 마스크되고, 그 외의 격벽재 부분은 노출되어져, 형성될 격벽부분과 에칭될 부분이 차별화되는 패터닝공정을 수행한다.When the partition wall material 105 is formed on the substrate 100 in the 200 th step, partition wall patterning is performed (step 210). In the step 210, after the dry film is exposed and developed, as shown in the second process of FIG. 3, the part where the partition is to be formed is masked with the dry film 110, and the other part of the partition material is exposed and formed. A patterning process is performed in which the partition portion to be etched and the portion to be etched are differentiated.

다음, 패터닝된 패널을 에칭시키면 또는 드라이 필름 패턴을 마스크로서 샌드 블라스트하면(제 220 단계), 도 3의 세번째 공정에서 보여지는 바와 같이, 격벽(120) 부분만이 남겨진 상태로 알루미늄의 격벽이 형성된다.Next, by etching the patterned panel or sandblasting the dry film pattern as a mask (step 220), as shown in the third process of FIG. 3, the partition wall of aluminum is formed with only the partition wall 120 remaining. do.

그리고 본 발명의 격벽형성을 위한 마지막 단계로서, 상기 알루미늄의 격벽 외부에 절연층을 형성하는 공정을 수행한다(제 230 단계).As a final step for forming the barrier rib of the present invention, a process of forming an insulating layer outside the barrier rib of aluminum is performed (step 230).

상기 알루미늄은 금속재이고, 강한 도체의 성질을 가지고 있다. 그러나 상기 격벽은, 각 셀과 셀 사이의 방전영역을 분리할 목적으로 형성되기 때문에, 각 셀과 셀은 전기적으로 분리되어 있어야 한다. 따라서 본 발명은 알루미늄의 격벽이 형성된 후, 상기 알루미늄을 산화시켜서 상기 격벽(120) 외부에 부도체로 덮이도록 한다.The aluminum is a metal material and has a strong conductor property. However, since the partition is formed for the purpose of separating the discharge region between each cell and each cell, each cell and the cell must be electrically separated. Therefore, after the barrier rib of aluminum is formed, the aluminum is oxidized to be covered with an insulator outside the barrier 120.

이를 위해서 본 발명은 알루미늄의 격벽(120)의 형성이 완료되면, 양극산화기법을 이용하여, 상기 알루미늄 상부에 부도체가 형성되도록 한다. 즉, 알루미늄(Al)에 전계를 걸어서 산 속에 놓아두면, 빠른 속도로 알루미늄(Al)의 표면 일부가 산화되어 Al2O3로 변화된다. To this end, in the present invention, when the formation of the barrier rib 120 of aluminum is completed, an insulator is formed on the aluminum by using an anodization technique. In other words, when an electric field is applied to aluminum (Al) and placed in the acid, a portion of the surface of aluminum (Al) is rapidly oxidized and changed to Al 2 O 3.

상기 Al은 강한 도전체이지만, 상기 산화물인 Al2O3는 부도체이다. 따라서 도 3의 마지막 단계에서 보여지고 있는 바와 같이, 알루미늄의 격벽(120) 상부에 부도체의 산화물(125)이 형성되어, 상기 격벽을 전기적으로 절연시키는 역할을 수행한다.Al is a strong conductor, but the oxide Al2O3 is an insulator. Accordingly, as shown in the last step of FIG. 3, an oxide 125 of a non-conductor is formed on the partition wall 120 of aluminum to electrically insulate the partition wall.

또한, 상기 제 230 단계에 의한 알루미늄의 격벽(120) 외부에 절연층(125)을 형성하는 공정은, 별도의 절연물을 상기 격벽(120)의 상부에서 도포하여 형성하는 것도 가능하다.In addition, the step of forming the insulating layer 125 on the outside of the aluminum partition wall 120 according to the 230th step, it is also possible to form a separate insulator applied to the upper portion of the partition wall (120).

또한, 상기 제 230 단계에 의한 알루미늄의 격벽(120) 외부에 절연층(125)을 형성하는 공정은, 상기 격벽(120)이 형성된 패널을 산화분위기에서 약 300도 이상에서 가열하여, 산화알루미늄으로 변화시키는 것도 가능할 것이다.In addition, the step of forming the insulating layer 125 on the outside of the aluminum partition wall 120 in the 230 step, by heating the panel on which the partition wall 120 is formed at about 300 degrees or more in an oxidation atmosphere, It will be possible to change.

다음, 도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽 형성방법을 도시하는 흐름도이다. 그리고 도 5는 도 4에 따른 공정도이다.Next, FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of forming a partition wall of a display panel using discharge according to a second embodiment of the present invention. 5 is a process diagram according to FIG. 4.

본 발명의 제 2 실시예는, 리프트 오프법(lift-off)으로 격벽을 형성하는 과정을 설명하고 있다.The second embodiment of the present invention describes a process of forming the partition wall by a lift-off method.

즉, 기판(400) 상부에 드라이 필름 레지스터(410)를 형성하고(제 300 단계), 격벽이 형성되지 않을 부분에만 드라이 필름 레지스터(410)를 남기고, 격벽이 형성될 부분의 드라이 필름 레지스터(410)는 제거시키는 패터닝공정을 수행한다(제 310 단계).That is, the dry film register 410 is formed on the substrate 400 (step 300), the dry film register 410 is left only in a portion where the partition wall is not formed, and the dry film register 410 is formed in the partition wall. ) Performs a patterning process of removing (operation 310).

따라서 도 5의 두번째에서 설명되고 있는 바와 같은 형상으로 드라이 필름 레지스터(410)가 패턴되면, 기판(400)과 형성될 격벽의 접착력을 높이기 위한 매개층(430)을 형성한다(제 315 단계). 상기 매개층(430)은, 접착력이 높은 Au, Ni, Cr을 이용하는 것이 바람직하다. Accordingly, when the dry film register 410 is patterned in the shape as described in FIG. 5, the intermediate layer 430 is formed to increase the adhesion between the substrate 400 and the partition wall to be formed (operation 315). As the intermediate layer 430, it is preferable to use Au, Ni, Cr having high adhesion.

상기 제 315 단계에서 격벽이 형성될 부분에 매개층(430)이 형성되면, 다음은 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 격벽(420)을 형성하고자 하는 격벽의 높이만큼 증착시킨다(제 320 단계). When the intermediate layer 430 is formed at the portion where the partition wall is to be formed in step 315, the deposition layer 430 is deposited by the height of the partition wall to form the partition wall 420 of aluminum or aluminum alloy (step 320).

상기 제 320 단계에 의해서 알루미늄의 격벽(420)이 기판(400) 상부에 형성되면, 기판(400) 상부에 형성되고 있던 레지스터(410)를 박리하여, 도 5의 네번째 공정에서 도시되고 있는 바와 같이, 알루미늄 격벽(420)을 형성시킨다(제 330 단계).When the barrier rib 420 of aluminum is formed on the substrate 400 by the step 320, the resistor 410 formed on the substrate 400 is peeled off, as shown in the fourth process of FIG. 5. In operation 330, an aluminum barrier rib 420 is formed.

그리고 마지막으로, 상기 알루미늄의 격벽(420)이 형성된 패널을 양극산화법을 이용하여 산화알루미늄으로 변화되도록 한다. 따라서 패널은 산화알루미늄으로 변화된 격벽(425)을 형성하게 되는 것이다.And finally, the panel on which the aluminum partition wall 420 is formed is changed to aluminum oxide using anodization. Therefore, the panel forms the partition wall 425 changed to aluminum oxide.

이와 같이 하여, 본 발명은 기판 상부에 격벽을 형성함에 있어서 종래의 격벽 형성시에 수행되던 고온의 소성공정을 배제시켰다. 이것은 상기 격벽재로서 매우 강성의 알루미늄을 이용하기 때문이며, 종래와 같이 격벽으로서의 강성을 유지하기 위하여 고온의 소성공정을 수행할 필요가 없기 때문이다.In this way, the present invention eliminates the high-temperature firing process that is performed at the time of forming the partition wall in forming the partition wall on the substrate. This is because very rigid aluminum is used as the partition material, and it is not necessary to perform a high-temperature firing process to maintain the rigidity as the partition wall as in the prior art.

따라서 종래에서와 같이 격벽 소성공정에 따른 하부기판의 뒤틀림이 방지되면서 하판에 형성되어 있는 전극의 위치변형을 방지하게 되고, 더불어 상판과의 얼라인을 쉽게 조절할 수 있게 된다.Therefore, as shown in the related art, the lower substrate is prevented from being warped due to the partition wall firing process, thereby preventing the position deformation of the electrode formed on the lower plate, and the alignment with the upper plate can be easily adjusted.

더불어 본 발명에서는 강성의 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 격벽을 형성하고 있다. 상기 알루미늄 합금은, 알루미늄의 압박으로 벗겨지는 것을 방지하기 위해서, 알루미늄에 Zr, Ti, Si 등을 첨가재로 하여 구성시키는 것이 바람직하다.
In the present invention, the partition wall is formed of rigid aluminum or aluminum alloy. In order to prevent the said aluminum alloy from peeling off by the press of aluminum, it is preferable to comprise Zr, Ti, Si, etc. in aluminum as an additive material.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 격벽형성방법은, 격벽 형성할 때 고온의 소성공정을 배제하므로서 최초 설계시의 격벽사이의 상대위치를 유지하는 것이 가능하고, 전극 등의 형성에 있어서 공정이 간편하며 더불어 상하부기판 사이의 얼라인 조절이 쉬워지는 잇점을 얻을 수 있다. As described above, the partition wall forming method according to the present invention can maintain the relative position between the partition walls at the time of initial design by eliminating the high-temperature firing step when forming the partition walls, and the process is simple in the formation of the electrodes. In addition, it is possible to obtain an advantage that the alignment between the upper and lower substrates becomes easier.

특히, 본 발명의 격벽재로 사용하는 알루미늄은 구조적으로 강하고, 블랙 칼라를 갖는 것이 가능하다. 따라서 상기 격벽 자체에 의해서 셀과 셀 사이의 외부 반사광을 차단하는 효과를 갖게 되므로 콘트라스트를 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.In particular, aluminum used as the partition material of this invention is structurally strong, and can have a black collar. Therefore, since the partition wall itself has an effect of blocking external reflected light between the cell and the cell, the contrast can be improved.

Claims (6)

일정 크기의 기판 상부에 금속의 격벽재를 형성하는 단계,Forming a barrier rib of metal on the substrate having a predetermined size; 상기 격벽재에 대하여 격벽이 형성되어야 할 격벽 패턴과 에칭될 부분을 차별화하는 패턴을 형성하는 단계,Forming a pattern that differentiates the partition pattern to be formed from the partition pattern to be formed with respect to the partition material, 상기 에칭될 부분을 에칭하여 격벽을 형성하는 단계,Etching the portion to be etched to form a partition wall, 상기 형성된 금속 격벽의 외부에 산화물을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법.Forming an oxide on the outside of the formed metal partition wall partition wall forming method using a discharge comprising a. 일정 크기의 기판 상부에 드라이 필름 레지스터를 형성하는 단계,Forming a dry film resistor on the substrate of a predetermined size, 상기 기판 상부에 격벽이 형성될 부분의 드라이 필름 레지스터를 제거시키는 패터닝을 수행하는 단계,Performing patterning to remove the dry film register of the portion where the partition wall is to be formed on the substrate; 상기 격벽이 형성될 부분에 일정 높이의 금속을 증착하는 단계,Depositing a metal having a predetermined height on a portion where the barrier rib is to be formed; 상기 기판 상부에 형성되어 있는 드라이 필름 레지스터를 박리하여 금속 격벽을 형성하는 단계,Peeling the dry film resistor formed on the substrate to form a metal partition; 상기 금속 격벽 외부에 산화물을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법.And forming an oxide on the outside of the metal partition wall. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 금속을 증착하기 전에 상기 격벽의 접착력을 높이도록 매개층을 형성하는 단계를 더 포함하여 구성되는 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법.The method of claim 1, further comprising: forming an intermediate layer to increase adhesion of the barrier ribs before depositing the metal. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 금속격벽은, 산화가 가능한 금속재질을 이용하는 것을 특징으로 하는 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법.The metal partition wall is a barrier rib forming method of a display panel using a discharge, characterized in that using a metal material capable of oxidation. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 산화물의 도포는, 양극산화기법을 이용하여 상기 금속격벽의 표면을 산화시키는 것을 특징으로 하는 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법.The method of forming a partition wall of a display panel using electric discharge is characterized in that the oxide is applied to oxidize the surface of the metal partition wall using an anodization technique. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 금속격벽은, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 이용하는 것을 특징으로 하는 방전을 이용한 디스플레이 패널의 격벽형성방법.The metal partition wall, the partition wall forming method of the display panel using a discharge, characterized in that using aluminum or aluminum alloy.
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