KR100467681B1 - Method for manufacturing partition of plasma display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 가열부를 사이에 두고 제1전극과 제2전극이 소정간격 이격되는 소정 패턴의 전극을 기판에 형성하는 전극형성단계; 상기 제1전극과 상기 제2전극이 형성된 기판위에 유전체층을 형성하는 유전체층형성단계; 상기 가열부에 열을 전달시킬수 있는 가열수단을 구비하여 가열하는 가열단계; 상기 유전체층이 형성된 기판위에 격벽재료의 페이스트를 도포 및 건조시킴으로써 격벽 적층부를 형성하는 단계; 상기 격벽 적층부상에 포토레지스트 재료를 도포 및 건조시키는 단계; 상기 포토레지스트 재료에 격벽에 상응하는 소정 형상의 패턴으로 형성된 노광마스크를 씌워 노광하는 단계; 상기 포토레지스트에 샌드블라스팅을 하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 격벽 재료 페이스트를 소성하여 격벽을 형성하는 단계;를 포함하는 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조방법을 개시한다. 여기서, 상기 가열부의 격벽을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있으며, 상기 가열수단은 레이저일 수 있다.The present invention provides an electrode forming step of forming an electrode having a predetermined pattern on a substrate in which a first electrode and a second electrode are spaced apart from each other by a heating portion therebetween; A dielectric layer forming step of forming a dielectric layer on the substrate on which the first electrode and the second electrode are formed; A heating step of heating the heating unit having heating means capable of transferring heat; Forming a barrier layer stack by applying and drying a paste of barrier material on a substrate on which the dielectric layer is formed; Applying and drying a photoresist material on the partition stack; Exposing the photoresist material with an exposure mask formed in a pattern having a predetermined shape corresponding to the partition wall; Sandblasting the photoresist; Removing the photoresist; And firing the barrier material paste to form a barrier rib. Here, the method may further include removing the partition wall of the heating unit, and the heating unit may be a laser.

Description

플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조 방법{Method for manufacturing partition of plasma display device}Method for manufacturing partition of plasma display device

본 발명은 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 분할 구동되는 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a partition wall of a plasma display device, and more particularly, to a method of manufacturing a partition wall of a plasma display device that is dividedly driven.

플라즈마 디스플레이 소자는 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하여, CRT를 대체할 수 있는 표시 소자로 각광을 받고 있다. 이러한 플라즈마 디스플레이 소자는 전극에 인가되는 직류 또는 교류 전압에 의하여 전극 사이의 가스에서 방전이 발생하고, 여기에서 수반되는 자외선의 방사에 의하여 형광체를 여기시켜 발광하게 된다.Plasma display elements are used to display images using gas discharge phenomena. They are excellent in various display capacities such as display capacitance, brightness, contrast, afterimage, viewing angle, and the like. In the plasma display device, a discharge is generated in a gas between the electrodes by a direct current or an alternating voltage applied to the electrode, and the phosphor emits light by exciting the phosphor by radiation of ultraviolet rays.

도 1a는 종래 분할구동되는 교류형 플라즈마 디스플레이 소자의 구조에 관한 분해 사시도이며, 도1b는 도1a의 Ⅰ-Ⅰ에 따른 배면기판의 단면도이다.FIG. 1A is an exploded perspective view of a structure of an AC plasma display device which is divided and driven in the related art, and FIG. 1B is a cross-sectional view of the back substrate according to I-I of FIG. 1A.

도1a를 참조하면, 유리와 같은 투명한 전면기판(11)의 배면측에는 공통(common)전극(13X)과 주사(scan)전극(13Y)이 쌍을 이루어 스트립형상으로 형성되고, 배면기판(12)의 전면측에는 어드레스(address) 전극(13A)이 중앙부에서 분리되어 형성된다. 그리고, 전면기판(11)과 배면기판(12)이 상호 조립되었을 때 상호 직각으로 교차된다. 전면기판(11)의 내측면에는 유전체층(14)과 보호층(15)이 차례로 적층된다. 한편, 배면기판(12)에는 유전체층(14')의 상부 표면에 격벽(17)이 형성되며, 격벽(17)에 의해 셀(19)이 형성된다. 셀(19)내에는 방전개스로서 불활성 개스가 충전된다. 또한 각각의 셀(19)을 형성하는 격벽(17)의 내측에는 소정 부위에 형광체(18)가 도포된다. 각각의 셀(19)에는 적색(R), 녹색(G) 및, 청색(B)의 화소에 해당하는 형광체(18)가 도포된다. 도면에는 도시되지 않았으나, 공통전극 및 주사전극(13X, 13Y)에는 버스 전극이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1A, a common electrode 13X and a scan electrode 13Y are formed in a strip shape on the rear side of a transparent front substrate 11 such as glass, and the rear substrate 12 is formed. An address electrode 13A is formed separately from the center on the front side of the. When the front substrate 11 and the rear substrate 12 are assembled to each other, they cross at right angles to each other. The dielectric layer 14 and the protective layer 15 are sequentially stacked on the inner surface of the front substrate 11. On the other hand, the rear substrate 12 is formed with a partition wall 17 on the upper surface of the dielectric layer 14 ', the cell 19 is formed by the partition wall 17. The cell 19 is filled with an inert gas as a discharge gas. In addition, the phosphor 18 is applied to a predetermined portion inside the partition wall 17 forming each cell 19. Each cell 19 is coated with phosphors 18 corresponding to the pixels of red (R), green (G), and blue (B). Although not shown, bus electrodes may be formed on the common electrode and the scan electrodes 13X and 13Y.

위와 같은 구성을 가지는 플라즈마 디스플레이 소자의 작동을 설명하면, 우선 방전을 일으킬 수 있도록 트리거 전압(trigger voltage)이 인가되면 유전층(14)에 양이온이 축적되고, 쓰레숄드 전압(threshold voltage)을 넘어서면, 인접하는 공통전극(13X)과 주사전극(13Y) 사이에서 안정적인 방전 상태가 유지된다. 안정된 방전 상태에서는 자외선 영역의 광들이 형광체(18)를 여기시켜 발광하게 하며, 이에 따라 셀(19)별로 형성되는 각 화소가 디스플레이할 수 있도록 화상을 형성한다.Referring to the operation of the plasma display device having the above configuration, first, when a trigger voltage is applied to cause a discharge, positive ions are accumulated in the dielectric layer 14, and when the threshold voltage is exceeded, A stable discharge state is maintained between the adjacent common electrode 13X and the scan electrode 13Y. In the stable discharge state, light in the ultraviolet region excites the phosphor 18 to emit light, thereby forming an image for display by each pixel formed by each cell 19.

위에 설명된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽은 형광막이 도포되는 장소 및, 방전 공간을 제공한다. 이러한 격벽은 샌드 블라스트 법 예컨데, 유리와 같은 배면 기판위에 격벽 재료의 페이스트를 일정한 두께로 도포하고 건조시키고, 그 위에 원하는 격벽 모양의 보호막을 형성하거나 또는 샌드 블라스트용 마스크를 삽입한 상태에서 연마 입자인 샌드를 고압 분사함으로써 불필요한 부분을 제거하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.As described above, the partition wall of the plasma display element provides a place where a fluorescent film is applied and a discharge space. Such a partition is sand blasting method, for example, a paste of partition material is applied on a back substrate such as glass to a certain thickness and dried, and a protective film in the shape of a desired partition is formed thereon, It can be formed by the method of removing the unnecessary part by spraying the sand under high pressure.

도 2a 및 도 2b는 샌드 블라스트 방법을 이용하여 격벽을 형성하는 과정을 도1의 Ⅱ-Ⅱ단면 기판상에 도시한 것이며, 도 2c는 샌드블라스팅공정에서 정전기가 발생하여 전극의 단부에 전하가 축적되는 상태를 도1의 Ⅲ-Ⅲ 단면 기판상에 도시한 것이다.2A and 2B illustrate a process of forming a partition wall by using a sand blasting method on the II-II cross-sectional substrate of FIG. 1, and FIG. 2C shows that static electricity is generated in the sand blasting process to accumulate charge at the end of the electrode. Is shown on the III-III cross-sectional substrate of FIG.

도 2a를 참조하면, 기판(21)상에는 소정 패턴의 전극(22)과, 상기 전극(22)을 덮는 유전체층(23)이 형성되어 있다. 유전체층(23)은 유전체 재료를 도포 및 건조하여 소성된 상태로 형성된다. 격벽을 형성하기 위해서는 상기 유전체층(23)의 상부에 격벽 재료 페이스트의 적층부(24)를 형성하고 마스크(25)를 씌우게 된다. 마스크(25)에는 차폐부(26)와 통공부(27)가 형성되어 있으며, 차폐부(26)는 고속으로 분사되는 연마 입자(28)를 격벽 페이스트의 적층부(24)에 대하여 차폐하는 반면에, 통공부(27)를 통해서 분사되는 연마 입자(28)는 격벽 페이스트 적층부(24)를 소정 형태로 마모시키게 된다.Referring to FIG. 2A, an electrode 22 having a predetermined pattern and a dielectric layer 23 covering the electrode 22 are formed on the substrate 21. The dielectric layer 23 is formed in a baked state by applying and drying a dielectric material. In order to form the partition wall, the stack 24 of the partition material paste is formed on the dielectric layer 23 and the mask 25 is covered. The mask 25 is provided with a shield 26 and a through hole 27. The shield 26 shields the abrasive particles 28 sprayed at a high speed against the stack 24 of the partition paste. The abrasive particles 28 sprayed through the through hole 27 wear the partition paste laminate 24 in a predetermined form.

도 2b를 참조하면, 유전층(23)의 상부에 소정 형태의 격벽(24a)이 형성된 것을 알 수 있다. 격벽(24a)이 형성된 이후에는 다시 소성 과정을 거치게 된다.Referring to FIG. 2B, it can be seen that a partition wall 24a having a predetermined shape is formed on the dielectric layer 23. After the partition wall 24a is formed, it is subjected to the firing process again.

도 2c를 참조하면, 샌드블라스팅 공정시에 연마입자(28)가 격벽재료 페이스트의 적층부(17)를 마모시킬 때 정전기가 발생하게 된다. 이러한 정전기에 의한 전기장의 형성은 연마입자(28)의 마모작용을 방해하게 되고, 격벽형성 불량의 원인이 된다. 특히, 대형 플라즈마 디스플레이 소자는, 어드레싱(addressing)주기를 짧게 함으로써 상대적으로 유지방전 주기를 보다 길게 함으로써 휘도를 향상시키기 위하여 어드레스 전극을 상부와 하부로 분할하여 구동하는데, 샌드블라스팅에 공정에 따른 전하는 도시된 바와 같이 화살표방향으로 유전체의 표면을 따라 이동하여 도체인 전극(13A,13A')의 단부(23,24)에 축적된다. 따라서, 전극(13A,13A')사이에 전위차가 발생하게 되고 그 상호작용으로 단부(23,24)사이 또는 그 주위의 유전체를손상시키게 된다. 즉, 유전체의 유전율이 감소되고, 나아가 유전체의 크랙이 발생하게 된다. 더욱이 전극(13A,13A')의 단부(23,24)에 축적된 전하에 의하여 중앙부에서 격벽 형성이 특히 방해받게 되므로써 격벽형성의 불량이 크게 된다.Referring to FIG. 2C, static electricity is generated when the abrasive particles 28 wear the stacked portion 17 of the partition material paste during the sandblasting process. The formation of the electric field by the static electricity interferes with the abrasion action of the abrasive particles 28, and causes the barrier formation failure. In particular, large plasma display devices are driven by dividing the address electrodes into upper and lower parts in order to improve luminance by shortening the addressing period and increasing the sustain discharge period. As shown in the figure, they move along the surface of the dielectric in the direction of the arrow and accumulate at the ends 23 and 24 of the electrodes 13A and 13A 'which are conductors. Thus, a potential difference occurs between the electrodes 13A and 13A ', and the interaction damages the dielectric between or around the ends 23 and 24. That is, the dielectric constant of the dielectric is reduced, and further, cracks in the dielectric are generated. Furthermore, the formation of barrier ribs at the central portion is particularly hindered by the charge accumulated at the ends 23 and 24 of the electrodes 13A and 13A ', so that the failure of barrier rib formation is large.

본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 정전기의 발생에 따른 격벽형성의 불량 및 유전체층의 손상을 방지하는 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a partition of a plasma display device that prevents a poor formation of partition walls and damage of a dielectric layer due to the generation of static electricity.

도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 소자의 분해 사시도이고.1 is an exploded perspective view of a conventional plasma display device.

도 2a 및 도 2b 는 종래 기술에 따른 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조 방법을 단면으로 도시한 것이며, 도 2c는 샌드블라스팅공정에서 정전기가 발생하여 전극의 단부에 전하가 축적되는 상태를 도시한 것이다.2A and 2B illustrate cross-sectional views of a method of fabricating a partition of a plasma display device according to the related art, and FIG. 2C illustrates a state in which charge is accumulated at an end of an electrode due to static electricity generated in a sandblasting process.

도 3 내지 도 11은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조 방법을 단면으로 도시한 것이다.3 to 11 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a partition wall of the plasma display device according to the present invention.

도 12는 본 발명에 따른 방법에 의하여 제조된 격벽을 포함하는 기판을 도시한 사시도이다.12 is a perspective view illustrating a substrate including a partition wall manufactured by the method according to the present invention.

< 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 ><Brief Description of Major Codes in Drawings>

112. 기판112. Substrate

123a. 제1전극 123b. 제2전극123a. First electrode 123b. Second electrode

130. 유전체층130. Dielectric layer

140. 격벽적층부 140a. 격벽140. Bulkhead laminate part 140a. septum

150. 포토레지스트층 160. 연마입자150. Photoresist layer 160. Abrasive particles

170. 노광마스크170. Exposure Mask

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일측면에 따른 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조 방법은, 가열부를 사이에 두고 제1전극과 제2전극이 소정간격 이격되는 소정 패턴의 전극을 기판에 형성하는 전극형성단계; 상기 제1전극과 상기 제2전극이 형성된 기판위에 유전체층을 형성하는 유전체층형성단계; 상기 가열부에 열을 전달시킬수 있는 가열수단을 구비하여 가열하는 가열단계; 상기 유전체층이 형성된 기판위에 격벽재료의 페이스트를 도포 및 건조시킴으로써 격벽 적층부를 형성하는 단계; 상기 격벽 적층부상에 포토레지스트 재료를 도포 및 건조시키는 단계; 상기 포토레지스트 재료에 격벽에 상응하는 소정 형상의 패턴으로 형성된 노광마스크를 씌워 노광하는 단계; 상기 포토레지스트에 샌드블라스팅을 하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 격벽 재료 페이스트를 소성하여 격벽을 형성하는 단계;를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a partition wall of a plasma display device according to an aspect of the present invention includes forming electrodes on a substrate having a predetermined pattern in which the first electrode and the second electrode are spaced a predetermined distance apart from each other with a heating portion interposed therebetween. Electrode forming step; A dielectric layer forming step of forming a dielectric layer on the substrate on which the first electrode and the second electrode are formed; A heating step of heating the heating unit having heating means capable of transferring heat; Forming a barrier layer stack by applying and drying a paste of barrier material on a substrate on which the dielectric layer is formed; Applying and drying a photoresist material on the partition stack; Exposing the photoresist material with an exposure mask formed in a pattern having a predetermined shape corresponding to the partition wall; Sandblasting the photoresist; Removing the photoresist; And baking the barrier material paste to form a barrier.

더 나아가, 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조방법은 상기 가열부의 격벽을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 그리고, 상기 가열부에는 격벽이 형성되지 않을 수도 있다. 또한, 상기 가열수단은 샌드블라스팅을 하는 동안에 상기 가열부를 가열할 수 있다. 여기서, 상기 가열수단은 레이저를 이용한 것일 수 있다.Furthermore, the method of manufacturing a partition wall of the plasma display device may further include removing the partition wall of the heating unit. The partition may not be formed in the heating unit. In addition, the heating means may heat the heating unit during sandblasting. Here, the heating means may be using a laser.

이하에서 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조방법에 대하여 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a partition wall of a plasma display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도3 내지 도12는 본 발명에 따른 일실시예로서 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조공정을 도시한 것이다.3 to 12 illustrate a barrier rib manufacturing process of a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도3은 본 발명에 따른 일실시예로서 기판위에 형성된 전극을 도시한 사시도이다.3 is a perspective view showing an electrode formed on a substrate as an embodiment according to the present invention.

도시된 바와 같이, 기판(112)에는 어드레스전극(123)이 형성되는데, 상기 어드레스전극(123)은 그 중앙부에서 상부와 하부로 소정간격 이격되어 분리된 제1전극(123a)과 제2전극(123b)을 구비한다. 상기 제1전극(123a)과 제2전극(123b)은 서로 대향하여 배치되고 그 사이의 이격된 거리에 의하여 가열부(112a)가 마련된다. 여기서 가열부(112a)는 후술하는 샌드블라스팅공정에서 축적되는 전하를 분산 또는 제거하기 위하여 가열하는 부분을 의미한다.As illustrated, an address electrode 123 is formed on the substrate 112, and the address electrode 123 is separated from the center at an upper portion and a lower portion by a predetermined distance from the first electrode 123a and the second electrode ( 123b). The first electrode 123a and the second electrode 123b are disposed to face each other, and the heating part 112a is provided by a spaced distance therebetween. Here, the heating part 112a means a part for heating in order to disperse or remove charges accumulated in the sandblasting process described later.

상기 전극(123a,123b) 패턴은 인쇄법, 포토리소그래피법, 리프트오프(lift off)법 및 에칭(etching)법 등을 이용하여 형성될 수 있으며, 그 일예로서 포토리소프래피법을 설명하면 다음과 같다. 포토레지스트에 소정의 기능재를 분산시킨 다음에 필요에 따라 바인더, 분산제, 계면활성제, 감광보조제 등을 첨가하여 감광성 페이스트를 만든 후, 기판위에 전면 도포 및 건조한 후, 상기 전극(123a,123b)의 패턴으로 형성된 노광용 포토마스크(photo mask)를 통하여 노광 및 현상하여 기판(112)상에 원하는 소정의 전극 패턴막을 형성한다.The electrode 123a and 123b patterns may be formed using a printing method, a photolithography method, a lift off method, an etching method, and the like. As an example, the photolithography method will be described below. Same as After dispersing a predetermined functional material in the photoresist, a binder, a dispersant, a surfactant, a photoresist, and the like are added to make a photosensitive paste. The photoresist is then coated and dried on a substrate, and then the electrodes 123a and 123b are removed. A desired electrode pattern film is formed on the substrate 112 by exposure and development through an exposure photo mask formed in a pattern.

도4a는 도3의 Ⅰ-Ⅰ의 단면 기판상에 유전체층이 형성된 것을 도시한 것이며, 도4b는 도3의 Ⅱ-Ⅱ의 단면 기판상에 유전체층이 형성된 것을 도시한 것이다.FIG. 4A shows a dielectric layer formed on the cross-sectional substrate of FIG. 3 I-I, and FIG. 4B shows a dielectric layer formed on the cross-sectional substrate of II-II of FIG.

도면을 참조하면, 전극(123a,123b)이 형성된 기판(112)상에 스크린 인쇄법에 의하여 1회 내지 2회에 걸쳐서 유전체재료를 전면 인쇄하고, 소정시간동안 건조시킨후에, 다시 소성공정을 거치면 유전체층이 형성된다. 여기서, 상기 소성공정은 후술하는 격벽 소성공정에서 함께 할 수도 있다. 그리고, 본 발명은 여기에 한정되는 것은 아니며, 기판(112)과 전극(123a,123b)위에 유전체층을 형성하는 공정을 생략함으로써 곧바로 격벽을 형성할 수도 있다.Referring to the drawings, the entire surface of the dielectric material is printed once or twice on the substrate 112 on which the electrodes 123a and 123b are formed by screen printing, dried for a predetermined time, and then subjected to the firing process again. A dielectric layer is formed. Here, the said baking process can also be carried out together in the partition baking process mentioned later. In addition, the present invention is not limited thereto, and the partition wall may be immediately formed by omitting the process of forming the dielectric layer on the substrate 112 and the electrodes 123a and 123b.

도 5 내지 도8a 및 도 9는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ의 단면 기판상에 형성되는 격벽을 도시한 것이며, 도8b는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ의 단면 기판상에 형성되는 격벽을 도시한 것이다.5 to 8A and 9 illustrate a partition formed on the cross-sectional substrate of I-I of FIG. 3, and FIG. 8B illustrates a partition formed on the cross-sectional substrate of IV-IV of FIG.

도 5에 도시된 바와 같이, 전극이 형성된 기판(112)의 상부에 격벽 재료 페이스트의 적층부(140)를 형성한다. 격벽 재료의 페이스트는 본 발명의 기술분야에서 통상적인 것을 사용할 수 있으며, 도포 및 건조 과정을 통해서 소정 두께로 전면에 적층한다.As shown in FIG. 5, the stacked portion 140 of the barrier material paste is formed on the substrate 112 on which the electrodes are formed. The paste of the partition material may be conventionally used in the art, and is laminated on the front surface to a predetermined thickness through a coating and drying process.

도6에 도시된 바와 같이, 격벽 재료 페이스트의 적층부(140)의 상부에 포토레지스트(150)를 도포한다. 그 다음에 노광용 마스크(170)를 상기 포토레지스트(150)에 씌운 상태에서 노광을 실시한다. 상기 마스크(170)에는 광의 투과부(170a)와 차광부(170b)가 형성되어 있다. 여기서, 마스크(170)의 투과부(170a)는 후속 공정으로서 격벽이 형성될 위치에 대응하는 곳에 배치된다. 노광이 실시되면 광을 받은 포토레지스트(150)의 부분은 경화되는 반면에 다른 부분은 경화되지 아니하게 된다. 여기서 상기 포토레지스트로서 이용될수 있는 재료중에는 드라이 필름 레지스트(dry film resist;DFR)를 사용하는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 6, a photoresist 150 is applied on top of the stack 140 of partition material paste. Next, exposure is performed in a state where the exposure mask 170 is covered with the photoresist 150. Light transmitting part 170a and light blocking part 170b are formed in the mask 170. Here, the transmissive portion 170a of the mask 170 is disposed at a position corresponding to the position where the partition wall is to be formed in a subsequent process. When the exposure is performed, the portion of the photoresist 150 that receives the light is cured while the other portion is not cured. Among the materials which can be used as the photoresist, it is preferable to use a dry film resist (DFR).

도7은 포토레지스트의 노광이 완료된 상태를 도시한 것이다. 도면을 참조하면, 격벽재료 페이스트(140)의 상부에서 포토레지스트(150)는 경화된 포토레지스트 패턴(150a)과 경화되지 않은 포토레지스트 패턴(150b)을 구비하게 된다.7 shows a state where the exposure of the photoresist is completed. Referring to the drawing, the photoresist 150 on the barrier material paste 140 includes a cured photoresist pattern 150a and an uncured photoresist pattern 150b.

도 8a에 도시된 바와 같이, 샌드블라스팅 공정을 실시하면, 연마입자(160)는 경화된 포토레지스트 패턴(150a)에서는 통과하지 못하여 차폐되지만, 경화되지 않은 포토레지스트 패턴(150b)에서는 충돌하면서 마모한다. 그런데, 샌드블라스팅 공정에서 연마입자(160) 또는 격벽페이스트 등의 마찰로 인하여 정전기가 발생하여 분리된 전극(123a,123b;도 4b참조)의 단부(125,126)에 전하가 축적된다.As shown in FIG. 8A, when the sand blasting process is performed, the abrasive particles 160 are shielded by not passing through the cured photoresist pattern 150a, but wear while colliding with the uncured photoresist pattern 150b. . However, in the sand blasting process, the static electricity is generated due to the friction of the abrasive particles 160 or the partition paste, and the charges are accumulated at the ends 125 and 126 of the separated electrodes 123a and 123b (see FIG. 4B).

도 8b에 도시된 바와 같이, 이를 방지하기 위하여 가열수단을 구비하여 샌드블라스팅공정을 수행할 동안 화살표방향(A)에서 기판(112)의 외표면을 가열한다. 그리고 가열수단은 샌드블라스팅을 하는 동안 축적된 전하를 분산 또는 제거하기 위하여 기판(112)를 소정의 온도로 가열하는 것이며, 그 가열온도, 가열주기 또는 가열시간은 기판등의 재료의 물성값에 따라 다르게 될 수 있다.As shown in FIG. 8B, in order to prevent this, the outer surface of the substrate 112 is heated in the arrow direction A during the sandblasting process with a heating means. And the heating means is to heat the substrate 112 to a predetermined temperature in order to disperse or remove the charge accumulated during sandblasting, the heating temperature, heating cycle or heating time is different depending on the physical properties of the material such as the substrate Can be.

이러한 가열수단은 본 기술분야에서 통상 사용될 수 있는 것이면 제한없이 사용될 수 있으며, 그 일예로서 레이저 발생부(180)를 구비할 수 있다. 레이저 발생부(180)는 가열을 위해 사용될 수 있는 것이면 그 제한이 없으며, 가이드레일과 볼스크류(미도시) 등을 이용하면 화살표방향으로 이동시키면서 가열할 수 있다. 여기서 화살표방향은 전극(123a,123b;도 3 및 도 4b참조)의 단부(125,126) 사이의 전하가 축적된 부분으로서 전극(123a,123b)이 형성된 기판의 반대면에서 도3의 Ⅳ-Ⅳ을 따라 이동하는 방향이다. 즉, 기판(112a)의 가열부(112a;도3참조)를 따라 이동하는 방향이다. 상기 가열수단으로서, 히터코일(미도시)과 같은 열선을 사용하여 열전달시킴으로써 제1전극(123a)와 제2전극(123b)사이에 축적되는 전하를 분산시킬 수도 있다.Such heating means may be used without limitation as long as it can be commonly used in the art, it may be provided with a laser generating unit 180 as an example. The laser generating unit 180 is not limited as long as it can be used for heating, and can be heated while moving in the direction of the arrow using a guide rail and a ball screw (not shown). Here, the arrow direction is a portion in which charges are accumulated between the ends 125 and 126 of the electrodes 123a and 123b (see FIGS. 3 and 4b), and IV-IV of FIG. 3 is shown on the opposite side of the substrate on which the electrodes 123a and 123b are formed. The direction to move along. That is, the direction moves along the heating part 112a (refer FIG. 3) of the board | substrate 112a. As the heating means, heat may be transferred using a heating wire such as a heater coil (not shown) to disperse the charge accumulated between the first electrode 123a and the second electrode 123b.

도 9a는 샌드블라스팅 공정에 의하여 형성된 격벽을 도시한 것이다. 도면을 참조하면, 샌드블라스팅 공정에 의해서 격벽(140a)이 형성되는데, 격벽(140a)의 위에는 광경화된 포토레지스트 패턴(150a)이 잔류하여 남아있게 된다. 여기서, 도9b는 도3a의 Ⅲ-Ⅲ의 단면 기판상에서 샌드블라스팅 공정으로 형성된 격벽을 도시한 것이다.9A illustrates a partition wall formed by a sandblasting process. Referring to the drawings, the partition wall 140a is formed by a sandblasting process, and the photocured photoresist pattern 150a remains on the partition wall 140a. Here, FIG. 9B shows a partition wall formed by a sandblasting process on the III-III cross-sectional substrate of FIG. 3A.

도10은 도9b에서 포토레지스트가 제거된 상태를 도시한 것이다. 포토레지스트(150a)를 제거하는 방법으로서는 여러 가지가 있을 수 있으나, 그 일예로서 DFR을 포함하는 포토레지스트의 제거방법은 박리과정에 의한다. 즉, 박리장비를 이용하여 염기성인 박리액을 산성인 DFR에 통과시키면, 산염기 중화반응에 의하여 박리되어지므로, 이를 제거할 수 있게 된다. 그리고 소성과정을 거치면 스트라이프 타입의 격벽으로 된다.FIG. 10 shows a state in which the photoresist is removed in FIG. 9B. There may be various methods of removing the photoresist 150a, but as an example, the method of removing the photoresist including the DFR may be based on a peeling process. That is, when the basic stripping solution is passed through the acidic DFR using the stripping equipment, it can be removed by the acid group neutralization reaction, it can be removed. And after the firing process, it becomes a stripe-type partition wall.

소성과정을 거쳐 형성된 스트라이프 타입의 격벽(140a)에 있어서 "B"부분은 제거하지 않을 수도 있으나, 이러한 경우 제조공정에 있어서 격벽(140a)의 영향으로 인하여 방전공간의 진공전도도(vaccumm-conduction)가 상대적으로 낮아지고 방전공간의 배기가 원활하게 되지 못하며, "B"영역에 잔류하는 불순물이 플라즈마 형성용 가스의 순도를 떨어뜨리고 플라즈마 표시패널의 화질을 떨어뜨리게 되므로, "B"부분을 제거한다. 도시된 바와 같은 "B"부분을 제거하는 방법으로서는 본 발명의 기술분야에서 사용할 수 있는 것이면 제한없이 사용될 수 있으며, 그 일예로서 블레이드법 즉, 미세한 날로 "B"부분과 제3전극(121)을 깍아내어 제거할 수 있다.In the stripe-type partition wall 140a formed through the firing process, the portion “B” may not be removed, but in this case, the vacuum conductivity of the discharge space is increased due to the influence of the partition wall 140a in the manufacturing process. It is relatively low, the discharge of discharge space is not smoothed, and impurities remaining in the "B" region reduce the purity of the plasma forming gas and degrade the image quality of the plasma display panel, thereby removing the "B" portion. As shown in the drawing, a method of removing the "B" portion may be used without limitation as long as it can be used in the art, and as an example, the blade method, that is, the fine "B" portion and the third electrode 121 may be used. It can be removed and removed.

또한, 포토레지스트(150)를 도포하는 단계에서, 격벽재료 페이스트의 "B"부분에 마스크(170)의 차광부(170b)를 배치함으로써, 상기 "B"부분에 격벽이 형성되지 않게 할 수도 있다.In addition, in the applying of the photoresist 150, the light blocking portion 170b of the mask 170 may be disposed on the “B” portion of the barrier material paste, so that the barrier rib may not be formed on the “B” portion. .

도11은 도10에서 "B"부분을 제거한 상태를 도시한 것이며, 도12는 본 발명의 일실시예로서 플라즈마 디스플레이용 격벽이 기판에 완성된 상태를 도시한 사시도이다.FIG. 11 is a view illustrating a state in which a portion “B” is removed from FIG. 10, and FIG. 12 is a perspective view showing a state in which a plasma display partition wall is completed on a substrate as an embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, Y방향에서 스트라이프 타입의 격벽(140a)이 그 중앙부(C)에서 분리되는 구조가 된다.Referring to the drawing, the stripe-type partition wall 140a in the Y direction is separated from the central portion (C).

이와 같이, 격벽(135a)이 완성된 후에는 격벽과 유전체층(130)위에 형광체층(미도시)을 도포하여 배면기판을 제조하고, 공통전극 및 주사전극, 유전체층 및 보호막 등이 형성된 전면기판을 배면기판과 조립하여 플라즈마 디스플레이소자(도1참조)를 제조한다. 그리고, 이와 같이 Y방향으로 양분된 전극구조를 가지는 패널은 분할구동방식으로 동작된다.As such, after the barrier rib 135a is completed, a phosphor layer (not shown) is coated on the barrier rib and the dielectric layer 130 to fabricate a back substrate, and the front substrate on which the common electrode, the scan electrode, the dielectric layer, and the protective layer are formed is formed on the back surface. A plasma display device (see FIG. 1) is manufactured by assembling with a substrate. In addition, the panel having the electrode structure divided in the Y direction is operated in a split driving method.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조 방법에 의하면, 샌드 블라스팅시에 정전기에 의한 유전체층이 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 샌드 블라스팅시에 분할된 전극사이에서 전하의 축적이 분사되어 제거되 때문에 샌드블라스팅 공정에 의한 격벽 형성의 불량이 방지될 수 있게 된다.According to the method of manufacturing a partition wall of the plasma display device according to the present invention, it is possible to prevent the dielectric layer from being damaged by static electricity during sand blasting, and to accumulate charges between the electrodes divided during sand blasting. Defects of the partition wall formed by the blasting process can be prevented.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, it is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Could be. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined only by the appended claims.

Claims (6)

가열부를 사이에 두고 제1전극과 제2전극이 소정간격 이격되는 소정 패턴의 전극을 기판에 형성하는 전극형성단계;An electrode forming step of forming an electrode having a predetermined pattern on the substrate such that the first electrode and the second electrode are spaced apart from each other by a heating portion; 상기 제1전극과 상기 제2전극이 형성된 기판위에 유전체층을 형성하는 유전체층형성단계;A dielectric layer forming step of forming a dielectric layer on the substrate on which the first electrode and the second electrode are formed; 상기 가열부에 열을 전달시킬수 있는 가열수단을 구비하여 가열하는 가열단계;A heating step of heating the heating unit having heating means capable of transferring heat; 상기 유전체층이 형성된 기판위에 격벽재료의 페이스트를 도포 및 건조시킴으로써 격벽 적층부를 형성하는 단계;Forming a barrier layer stack by applying and drying a paste of barrier material on a substrate on which the dielectric layer is formed; 상기 격벽 적층부상에 포토레지스트 재료를 도포 및 건조시키는 단계;Applying and drying a photoresist material on the partition stack; 상기 포토레지스트 재료에 격벽에 상응하는 소정 형상의 패턴으로 형성된 노광마스크를 씌워 노광하는 단계;Exposing the photoresist material with an exposure mask formed in a pattern having a predetermined shape corresponding to the partition wall; 상기 포토레지스트에 샌드블라스팅을 하는 단계;Sandblasting the photoresist; 상기 포토레지스트를 제거하는 단계; 및Removing the photoresist; And 상기 격벽 재료 페이스트를 소성하여 격벽을 형성하는 단계;를 구비하는 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조방법.Calcining the barrier material paste to form a barrier rib; and a barrier rib manufacturing method of a plasma display device. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열부의 격벽을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조방법.Removing the partition wall of the heating unit; The partition wall manufacturing method of the plasma display device further comprising. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열부에는 격벽이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조방법.A partition wall manufacturing method of a plasma display device, characterized in that no partition wall is formed in the heating unit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열수단은 샌드블라스팅을 하는 동안 상기 가열부를 가열하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조방법.And the heating means heats the heating part during sandblasting. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열수단은 레이저인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조방법.The heating means is a partition wall manufacturing method of the plasma display element, characterized in that the laser.
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