KR100326859B1 - Method of Fabricating Barrier Rib for Plasma Display Panel - Google Patents
Method of Fabricating Barrier Rib for Plasma Display Panel Download PDFInfo
- Publication number
- KR100326859B1 KR100326859B1 KR1019990029146A KR19990029146A KR100326859B1 KR 100326859 B1 KR100326859 B1 KR 100326859B1 KR 1019990029146 A KR1019990029146 A KR 1019990029146A KR 19990029146 A KR19990029146 A KR 19990029146A KR 100326859 B1 KR100326859 B1 KR 100326859B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sacrificial layer
- laminated structure
- layer
- partition
- partition wall
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 43
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
- B66C—CRANES; LOAD-ENGAGING ELEMENTS OR DEVICES FOR CRANES, CAPSTANS, WINCHES, OR TACKLES
- B66C13/00—Other constructional features or details
- B66C13/12—Arrangements of means for transmitting pneumatic, hydraulic, or electric power to movable parts of devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60L—PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; SUPPLYING ELECTRIC POWER FOR AUXILIARY EQUIPMENT OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; ELECTRODYNAMIC BRAKE SYSTEMS FOR VEHICLES IN GENERAL; MAGNETIC SUSPENSION OR LEVITATION FOR VEHICLES; MONITORING OPERATING VARIABLES OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; ELECTRIC SAFETY DEVICES FOR ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES
- B60L5/00—Current collectors for power supply lines of electrically-propelled vehicles
- B60L5/04—Current collectors for power supply lines of electrically-propelled vehicles using rollers or sliding shoes in contact with trolley wire
- B60L5/10—Devices preventing the collector from jumping off
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
- B66C—CRANES; LOAD-ENGAGING ELEMENTS OR DEVICES FOR CRANES, CAPSTANS, WINCHES, OR TACKLES
- B66C13/00—Other constructional features or details
- B66C13/18—Control systems or devices
- B66C13/40—Applications of devices for transmitting control pulses; Applications of remote control devices
- B66C13/44—Electrical transmitters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Transportation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
본 발명은 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a partition wall for a plasma display device.
본 발명의 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법은 격벽재료층과 희생층을 교번적으로 적층하여 적층구조물 편을 형성하는 단계와, 적층구조물 편을 하부기판의 상부에 정렬시키는 단계와, 적층구조물 편의 격벽층을 하부기판에 접합시키는 단계와, 적층구조물 편의 희생층만을 제거하는 단계를 포함한다.The method for manufacturing a partition wall for a plasma display device according to the present invention comprises the steps of alternately stacking a partition material layer and a sacrificial layer to form a laminated structure piece, aligning the laminated structure piece on an upper portion of a lower substrate, and partitioning a partitioned structure piece partition wall. Bonding the layer to the lower substrate, and removing only the sacrificial layer on the laminate structure side.
이러한 격벽 제조방법에 의해 제조공정을 단순화함과 아울러, 고종횡비를 갖는 격벽을 형성하게 된다.Such a partition wall manufacturing method simplifies the manufacturing process and forms a partition wall having a high aspect ratio.
Description
본 발명은 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a partition wall for a plasma display device.
최근, 액정표시장치(Liquid Crystal Display; 이하 'LCD'라 함), 전계방출 표시장치(Field Emission Display; 이하 'FED'라 함) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; 이하 'PDP'라 함)등의 평면 표시장치가 활발히 개발되고 있으며, 이들 중 PDP는 단순구조에 의한 제작의 용이성, 휘도 및 발광 효율의 우수, 메모리 기능 및 160。 이상의 광시야각을 갖는 점과 아울러 40 인치 이상의 대화면을 구현할 수 있는 장점을 가지고 있다.Recently, liquid crystal displays (hereinafter referred to as 'LCD'), field emission displays (hereinafter referred to as 'FED') and plasma display panels (hereinafter referred to as 'PDP') Flat display devices such as PDP have been actively developed, and among these, PDP can realize a large screen of 40 inches or more as well as ease of fabrication due to its simple structure, excellent brightness and luminous efficiency, a memory function and a wide viewing angle of 160 ° or more. Has the advantage.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 PDP는 어드레스 전극(2)을 실장한 하부유리기판(14)과, 하부 유리기판(14)의 상부에 소정의 두께로 도포되어 벽전하(Wall Charge)를 형성하는 유전체층(18)과, 유전체층(18)의 상부에 형성되어 각각의 방전셀을 분할하는 격벽(8)과, 플라즈마 방전으로 발생된 빛에 의해 여기되어 발광하는 형광체(6)와, 상부유리기판(16)의 상부에 형성된 투명전극(4)과, 상부유리기판(16) 및 투명전극(4)의 상부에 소정의 두께로 도포되어 벽전하를 형성하는 유전체층(12)과, 유전체층(12)의 상부에 도포된 방전에 의한 스퍼터링으로부터 유전체층(12)을 보호하는 보호막(10)을 구비한다. 어드레스전극(2) 및 투명전극(4)에 소정의 구동전압(예를들어 200V)이 인가되면, 방전셀의 내부에는 어드레스전극(2)에서 방출된 전자에 의해 플라즈마 방전이 일어나게 된다. 이를 상세히 설명하면, 전극에서 방출된 전자가 방전셀에 봉입된 He+Xe 가스 또는 Ne+Xe 가스의 원자와 충돌하여 가스의 원자들을 이온화시켜면서 2차 전자의 방출이 일어나며 이때의 2차전자는 가스의 원자들과 충돌을 반복하면서 차례로 원자를 이온화 해간다. 즉, 전자와 이온이 배로 증가하는 애벌런치(Avalanche)과정에 들어간다. 애벌런치 과정에서 발생된 빛이 적색(Red; 이하 'R'라 함), 녹색(Green; 이하 'G'라 함), 청색(Blue;이하 'B'라 함)의 형광체(6)를 여기 발광하게 되며 형광체(6)에서 발광된 R,G,B의 빛은 보호막(10), 유전체층(12) 및 투명전극(4)을 경유하여 상부유리기판(16)으로 진행되어 문자 또는 그래픽을 표시하게 된다. 한편, 격벽(8)은 스트라이프(stripe) 형상으로 형성되어 각각의 방전셀을 분할함과 아울러, 형광체(6)에서 발광된 빛을 상부유리판(16) 쪽으로 반사시키게 된다.Referring to FIG. 1, the PDP according to the related art is coated on the lower glass substrate 14 on which the address electrode 2 is mounted and the upper portion of the lower glass substrate 14 to have a predetermined thickness to provide wall charge. A dielectric layer 18 to be formed, a partition wall 8 formed on the dielectric layer 18 to divide each discharge cell, a phosphor 6 excited and emitted by light generated by plasma discharge, and an upper glass A transparent electrode 4 formed on the substrate 16, a dielectric layer 12 that is applied to a predetermined thickness on the upper glass substrate 16 and the transparent electrode 4 to form wall charges, and the dielectric layer 12 The protective film 10 which protects the dielectric layer 12 from sputtering by the discharge | coating apply | coated on the upper part of () is provided. When a predetermined driving voltage (for example, 200V) is applied to the address electrode 2 and the transparent electrode 4, plasma discharge is caused by electrons emitted from the address electrode 2 inside the discharge cell. In detail, the electrons emitted from the electrode collide with the atoms of the He + Xe gas or the Ne + Xe gas encapsulated in the discharge cell to ionize the atoms of the gas to generate secondary electrons. Repeated collisions with atoms in the gas, ionizing atoms in turn. In other words, they enter the avalanche process, where electrons and ions double. The light generated during the avalanche is excited by the phosphor 6 of red (hereinafter referred to as 'R'), green (hereinafter referred to as 'G') and blue (hereinafter referred to as 'B'). The R, G, and B light emitted from the phosphor 6 passes through the protective film 10, the dielectric layer 12, and the transparent electrode 4 to the upper glass substrate 16 to display characters or graphics. Done. Meanwhile, the partition wall 8 is formed in a stripe shape to divide each discharge cell and reflect the light emitted from the phosphor 6 toward the upper glass plate 16.
도 2 내지 도 5를 참조하여 종래기술에 따른 격벽의 제조방법에 대해서 설명하기로 한다. 격벽은 페이스트(Paste) 또는 슬러리(Slurry)를 유전체층이 형성된 유리기판상에 스크린 프린터법, 샌드블라스트법, 첨가법 및 몰드법 등에 의해 제조되어진다. 이하, 상기 방법들에 대해서 살펴보기로 한다.A method of manufacturing a partition wall according to the prior art will be described with reference to FIGS. 2 to 5. The partition wall is made of a paste or slurry on a glass substrate on which a dielectric layer is formed by a screen printer method, a sand blast method, an addition method and a mold method. Hereinafter, the methods will be described.
도 2를 참조하면, 스크린 프린트법(Screen Print Method)에 따른 격벽 제조방법이 도시되어 있다.Referring to FIG. 2, a barrier rib manufacturing method according to a screen print method is illustrated.
유리기판(14)의 상부에 스크린(도시되지 않음)을 정위치시킨다. (제1 단계) 유전체후막(18)이 형성된 유리기판(14)에 패턴을 형성하기 위해 스크린(도시되지 않음)을 정위치시킨다. 페이스트(20)를 소정의 두께로 유리기판(14)에 도포한후, 소정시간 건조시킨다. (제2 단계) 스크린의 상부에 페이스트(20)를 위치시킨후 롤러(도시되지 않음) 등을 이용하여 페이스트(20)를 유리기판(14)의 상부에 소정의 두께로 도포한 후, 건조시킨다. 이 경우, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 소정의 높이를 갖는 페이스트(20)가 형성되어 있다. 제1 및 제2 단계를 반복 수행하여 소정의 두께를 갖는 격벽(8)을 형성한다. (제3 단계) 제1 및 제2 단계를 반복적으로 수행함에 의해 도 2의 (b),(c)에 도시된 바와 같이 격벽(8)의 높이가 증가하게 된다. 이에 따라, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이 소정의 두께(예를 들어, 150 - 200㎛)를 갖는 격벽을 형성하게 된다. 스크린 프린트법은 공정이 간단하고 제조단가가 낮은 장점이 있으나, 스크린과 기판의 위치조정을 하고 인쇄와 건조를 수회 되풀이하는 공정이 필요로 하게 되어 제조시간이 많이 소요될 뿐만 아니라 반복작업시 스크린과 기판의 위치가 어긋나 격벽의 형상정도가 저하되므로 고해상도의 격벽을 제작하는데 어려움이 있다.A screen (not shown) is placed on top of the glass substrate 14. (First Step) A screen (not shown) is positioned in order to form a pattern on the glass substrate 14 on which the dielectric thick film 18 is formed. The paste 20 is applied to the glass substrate 14 to a predetermined thickness and then dried for a predetermined time. (Second Step) After placing the paste 20 on the upper part of the screen, apply the paste 20 to the upper part of the glass substrate 14 by using a roller (not shown) or the like, and then dry it. . In this case, as shown in Fig. 2A, a paste 20 having a predetermined height is formed. The first and second steps are repeated to form the partition wall 8 having a predetermined thickness. (Third Step) By repeatedly performing the first and second steps, the height of the partition wall 8 is increased as shown in FIGS. 2B and 2C. As a result, as shown in FIG. 2 (d), a partition wall having a predetermined thickness (eg, 150 to 200 μm) is formed. The screen printing method has the advantages of simple process and low manufacturing cost, but it requires a process of adjusting screen and substrate position and repeating printing and drying several times. Since the position of is shifted and the shape of the partition is deteriorated, it is difficult to produce a high resolution partition.
도 3을 참조하면, 샌드 블라스트법(Sand Blast Method)에 따른 격벽 제조방법이 도시되어 있다.Referring to FIG. 3, a method of manufacturing a partition wall according to a sand blast method is illustrated.
유리기판(14)의 상부에 페이스트(20), 라미네이트(24)를 순차적으로 도포한다 (제11 단계) 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 유리기판(14)의 상부에 소정두께(예를들어, 150 - 200㎛)로 페이스트(20)를 도포한다. 이어서, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 페이스트(20)의 상부에 라미네이트(24)를 적층한다. 이 때, 라미네이트(24)는 포토 레지스트 또는 슬러리에 유기물 또는 무기물을 소정비율로 첨가하여 테이프(Tape)의 형태로 제작된 것을 의미하며, 유기물 또는 무기물의 조성에 의해 감광성을 가지게 된다. 사진식각법에 의해 패턴을 형성한다. (제12 단계) 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 라미네이트(24)의 상부에 마스크(22)를 정위치시킨후 패턴을 형성한다. 이어서, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이 사진식각법에 의한 패턴의 불필요한 부분을 식각한다. 패턴에 연마제를 분사하여 패턴이 형성되지 않은 부분의 페이스트(20)를 제거시킨다. (제13 단계) 도 3의 (e)에 도시된 바와같이 연마제를 분사하여 불필요한 부분의 페이스트(20)를 제거시킨다. 페이스트(20) 상부의 라미네이트(24)를 제거한다. (제14 단계) 도 3의 (f)에 도시된 바와 같이 페이스트(20) 상부의 라미네이트(24)를 제거하여 격벽(8)을 형성한다. 샌드 블라스트법은 대면적의 기판에 격벽을 용이하게 형성할수 있는 장점이 있으나, 고속으로 날아가는 연마제는 방향성이 약하여 격벽의 측면을 연마시키게 되므로 격벽의 높이가 제한되는 문제점이 도출되고 있다.The paste 20 and the laminate 24 are sequentially applied on the glass substrate 14 (step 11). As shown in FIG. 3A, a predetermined thickness (eg, an upper portion of the glass substrate 14) is applied. For example, the paste 20 is applied at 150-200 mu m). Subsequently, as shown in FIG. 3B, the laminate 24 is laminated on the paste 20. In this case, the laminate 24 means that the organic or inorganic material is added to the photoresist or slurry in a predetermined ratio, and is manufactured in the form of a tape. The laminate 24 has photosensitivity by the composition of the organic or inorganic material. The pattern is formed by photolithography. (Twelfth Step) As shown in FIG. 3C, the mask 22 is positioned on the laminate 24 to form a pattern. Subsequently, as shown in FIG. 3D, unnecessary portions of the pattern by the photolithography method are etched. An abrasive is sprayed on the pattern to remove the paste 20 in the portion where the pattern is not formed. (Thirteenth Step) As shown in Fig. 3E, the abrasive is sprayed to remove the unnecessary portion of the paste 20. The laminate 24 on the paste 20 is removed. (Step 14) As shown in FIG. 3F, the laminate 24 on the paste 20 is removed to form the partition wall 8. The sand blasting method has an advantage of easily forming a partition on a large-area substrate. However, the abrasive flying at a high speed has a weak direction and thus polishes the side surface of the partition, thereby limiting the height of the partition.
도 4를 참조하면, 첨가법(Additive Method)에 따른 격벽 제조방법이 도시되어 있다.Referring to FIG. 4, a barrier rib manufacturing method according to an additive method is illustrated.
유리기판(14)의 상부에 라미네이트(24)를 적층한다. (제21 단계) 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 유리기판(14)의 상부에 소정의 두께를 갖는 라미네이트(24)를 적층한다. 이때, 라미네이트(24)는 포토 레지스트 또는 슬러리에 유기물 또는 무기물을 소정비율로 첨가하여 테이프(Tape)의 형태로 제작된 것을 의미하며, 유기물 또는 무기물의 조성에 의해 감광성을 가지게 된다. 사진식각법에 의해 패턴을 형성한다. (제22 단계) 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 라미네이트(24)의 상부에 마스크(22)를 이용하여 패턴을 형성한다. 이어서, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이 사진식각법에 의해 형성된 패턴의 불필요한 부분을 식각한다. 라미네이트(24)가 제거된 부분에 페이스트(20)를 도포한 후, 페이스트(20)와 인접한 라미네이트(24)를 제거한다. (제23 단계) 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이 라미네이트(24)가 제거된 부분에 소정의 두께로 페이스트(20)를 도포한다. 제21 내지 제23 단계를 반복수행하여 소정의 두께(예를 들어, 150 - 200㎛)를 갖는 격벽(8)을 형성하게 된다. (제24 단계) 제21 내지 제23 단계를 반복 수행함에 의해 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이 소정의 두께를 갖는 격벽(8)을 형성하게 된다. 첨가법(Additive)은 미세한 형상의 격벽형성이 가능하고 대면적의 기판제작에 적합한 장점이 있으나, 격벽의 높이가 100㎛ 이상의 패턴을 도포할 경우 제조시간이 길게 소요될 뿐만 아니라 격벽용 페이스트와 감광성 페이스트의 완전한 분리가 어려워 찌꺼기가 남게 되는 문제점이 있다. 또한, 형성된 패턴이 허물어지거나 소성시에 격벽에 균열이 발생하는 문제점들이 도출되고 있다.The laminate 24 is laminated on the glass substrate 14. (Step 21) A laminate 24 having a predetermined thickness is laminated on the glass substrate 14 as shown in Fig. 4A. At this time, the laminate 24 is added to the photoresist or slurry in the form of a tape (Tape) by adding an organic or inorganic material in a predetermined ratio, and has a photosensitivity by the composition of the organic or inorganic material. The pattern is formed by photolithography. (Step 22) As shown in FIG. 4B, a pattern is formed on the upper part of the laminate 24 using the mask 22. Subsequently, unnecessary portions of the pattern formed by the photolithography method are etched as shown in FIG. 4C. After the paste 20 is applied to the portion where the laminate 24 is removed, the laminate 24 adjacent to the paste 20 is removed. (Step 23) As shown in Fig. 4D, the paste 20 is applied to a portion where the laminate 24 is removed to a predetermined thickness. The twenty-first to twenty-third steps are repeated to form the partition wall 8 having a predetermined thickness (for example, 150 to 200 μm). (Step 24) By repeatedly performing steps 21 through 23, a partition 8 having a predetermined thickness is formed as shown in FIG. 4E. Additive method has the advantage of being able to form a partition of fine shape and suitable for the manufacture of a large area substrate.However, when the pattern of the partition has a height of 100 μm or more, the manufacturing time is long, and the partition paste and the photosensitive paste are used. There is a problem in that it is difficult to completely separate the residues. In addition, problems have arisen in that the formed pattern is torn down or cracks are generated in the barrier rib during firing.
도 5를 참조하면, 몰드를 이용한 격벽 제조방법이 도시되어있다.Referring to FIG. 5, a method of manufacturing a partition wall using a mold is illustrated.
하부기판(14)의 상부에 전극패턴(28)을 형성한다. (제31 단계) 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 하부기판(14)의 상부에 전극패턴(28)을 형성한다. 이 경우, 전극패턴(28)은 방전공간의 하부에 위치하도록 배치되어 있다. 하부기판(14)의 상부에 격벽형상의 홈을 갖는 몰드(26)를 접합시킨다. (제32 단계) 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 하부기판(14)의 상부에 접합층(27)을 부착시킨다. 이어서, 접합층(27)의 상부에 몰드(26)를 정위치시킨후 접합층(27)에 부착시킨다. 이에 따라, 하부기판(14)에 몰드(26)가 밀착 고정되어진다. 몰드(26)의 격벽형상의 홈에 격벽재를 충진시킨다. (제33 단계) 하부기판(14)이 부착된 몰드(26)를 격벽재(20')에 침전시킴에 의해 몰드(26)의 격벽형상의 홈에는 격벽재(20')가 충진되게 된다. 몰드(26)를 제거한후, 격벽을 형성한다. (제34 단계) 몰드(26) 및 격벽재(20')를 소정의 온도로 소성하여 몰드(26)를 제거할수 있게 된다. 이때, 몰드(26)와 하부기판(14)이 분리되므로 격벽(8)을 형성하게 된다. 몰드법은 몰드에 격벽재를 충진할 경우 격벽재가 몰드에 균일하게 충진되기 어려울 뿐만 아니라 소성시에 몰드의 잔류물이 격벽과 하부기판상에 잔존하게 되는 문제점이 도출되고 있다.An electrode pattern 28 is formed on the lower substrate 14. (Step 31) An electrode pattern 28 is formed on the lower substrate 14 as shown in FIG. In this case, the electrode pattern 28 is disposed below the discharge space. A mold 26 having a partition-shaped groove is bonded to an upper portion of the lower substrate 14. (Step 32) The bonding layer 27 is attached to the upper portion of the lower substrate 14 as shown in FIG. Subsequently, the mold 26 is placed on the bonding layer 27 and then attached to the bonding layer 27. As a result, the mold 26 is tightly fixed to the lower substrate 14. The partition wall member is filled into the partition wall groove of the mold 26. (Step 33) By depositing the mold 26 with the lower substrate 14 on the partition wall 20 ', the partition wall 20' is filled in the partition wall groove of the mold 26. After the mold 26 is removed, the partition wall is formed. (Step 34) The mold 26 and the partition wall material 20 'are baked at a predetermined temperature so that the mold 26 can be removed. At this time, since the mold 26 and the lower substrate 14 are separated, the partition 8 is formed. In the mold method, when the partition wall material is filled into the mold, the partition wall material is difficult to be uniformly filled in the mold, and a problem that residues of the mold remain on the partition wall and the lower substrate during firing is derived.
따라서, 본 발명의 목적은 고종횡비를 갖는 격벽을 형성하는 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법을 제공 하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a partition wall for a plasma display device for forming a partition wall having a high aspect ratio.
도 1은 종래의 플라즈마 표시장치의 구조를 도시한 사시도.1 is a perspective view showing the structure of a conventional plasma display device.
도 2는 스크린 프린트법에 의한 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.Figure 2 is a view showing a partition wall manufacturing method by the screen printing method in accordance with the procedure.
도 3은 샌드 블라스트법에 의한 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.3 is a view illustrating a method of manufacturing a partition wall by a sand blasting method according to a procedure.
도 4는 첨가법에 의한 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.Figure 4 is a view showing a partition wall manufacturing method by the addition method in accordance with the procedure.
도 5는 몰드법에 의한 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.5 is a view showing a partition wall manufacturing method by a mold method according to a procedure;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.6 is a diagram illustrating a method of manufacturing a partition wall for a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.FIG. 7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a partition wall for a plasma display device according to another embodiment of the present invention.
도 8은 격벽층과 희생층의 입자 결합상태를 모식적으로 나타낸 도면.8 is a view schematically showing a particle bonding state of the partition layer and the sacrificial layer.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
2,28 : 어드레스 전극 4 : 투명전극2,28: address electrode 4: transparent electrode
6 : 형광체 8,38 : 격벽6: phosphor 8,38: partition wall
10 : 보호층 12,18 : 유전체층10: protective layer 12, 18: dielectric layer
14,34 : 하부유리기판 16 : 상부유리기판14,34: lower glass substrate 16: upper glass substrate
20 : 페이스트 22 : 마스크20: paste 22: mask
24 : 라미네이트 26 : 몰드24: laminate 26: mold
30,30' : 희생층 32 : 격벽층30,30 ': sacrificial layer 32: partition wall
36 : 감광재 40,40' : 적층구조물 편36: photosensitive material 40,40 ': laminated structure
42 : 측면지지편 44 : 얼라인 키42: side support 44: alignment key
50,50' : 적층구조물50,50 ': Laminated Structure
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법은 격벽재료층과 희생층을 교번적으로 적층하여 적층구조물 편을 형성하는 단계와, 적층구조물 편을 하부기판의 상부에 정렬시키는 단계와, 적층구조물 편의 격벽층을 하부기판에 접합시키는 단계와, 적층구조물 편의 희생층만을 제거하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a partition wall for a plasma display device according to the present invention includes alternately stacking a partition material layer and a sacrificial layer to form a laminated structure piece, and aligning the laminated structure piece on an upper portion of a lower substrate. And bonding the barrier rib layer of the laminated structure piece to the lower substrate, and removing only the sacrificial layer of the laminated structure piece.
상기 목적외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention other than the above object will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.
도 6 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명 하기로 한다.Referring to Figures 6 to 8 will be described a preferred embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법을 설명하기 위한 도면이 도시되어 있다.Referring to FIG. 6, a diagram illustrating a method of manufacturing a partition wall for a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention is illustrated.
격벽재료층(32)과 희생층(30)을 교번적으로 적층하여 적층구조물 편(40)을 형성한다. (제41 단계) 격벽재료층(32)은 저온소결체 그린시트를 사용하게 되고 희생층(30)은 고온소결체 그린시트를 사용하게 된다. 이때, 저온소결체 그린시트 및 고온소결체 그린시트는 닥터 블레이드법에 의해 형성되게 된다. 이를 상세히 설명하면, 저온소결체 그린시트는 세라믹분말과 유기 바인더가 소정의 비율로 혼합한 슬러리를 닥터 블레이드법을 이용하여 얇은막의 형태로 제작된다. 이 경우, 세라믹 분말로는 SiO2, PbO, CdO, B2O3, ZnO 또는 Al2O3등이 사용된다. 또한, 고온소결체 그린시트는 금속분말을 소정의 비율로 혼합한 슬러리를 닥터 블레이드법을 이용하여 얇은막의 형태로 제작된다. 이 경우, 금속분말로는 융점(Melting Point)이 3382℃인 텅스텐(W), 융점이 1668℃인 타이타늄(Ti), 융점이 1453℃인 니켈(Ni), 융점이 2610℃인 몰리브데늄(Mo) 및 융점이 1852℃인 지르코늄(Zr) 등이 사용될 수 있다. 통상적으로, 소성온도는 융점의 2/3 정도의 온도에 해당하므로 고온소결체 그린시트의 재료로 니켈(Ni)을 사용할 경우 그 소성온도는 900∼100℃가 된다. 한편, 희생층(30)의 재질로는 격벽재료층(32)과 서로 다른 재질이고 제거하기 용이한 재질이 바람직하다. 이들 격벽재료층(32)과 희생층(30)을 교번적으로 적층함에 의해 도 6의 (a)에 도시된 바와 같은 적층구조물(50)을 형성하게 된다. 이 경우, 격벽재료층(32)의 두께는 격벽의 폭(Barrier rib width;Bw)에 해당하며, 희생층(30)의 두께는 방전공간의 폭(Discharge Space width;Dw)에 해당된다.The partition material layer 32 and the sacrificial layer 30 are alternately stacked to form a laminated structure piece 40. (Step 41) The partition material layer 32 uses a low temperature sintered green sheet, and the sacrificial layer 30 uses a high temperature sintered green sheet. At this time, the low-temperature sintered green sheet and the high-temperature sintered green sheet are formed by the doctor blade method. In detail, the low-temperature sintered green sheet is manufactured in the form of a thin film using a doctor blade method of a slurry in which ceramic powder and an organic binder are mixed at a predetermined ratio. In this case, SiO 2 , PbO, CdO, B 2 O 3 , ZnO, Al 2 O 3, or the like is used as the ceramic powder. In addition, the high-temperature sintered green sheet is produced in the form of a thin film using a doctor blade method of a slurry in which metal powder is mixed at a predetermined ratio. In this case, the metal powder includes tungsten (W) having a melting point of 3382 ° C, titanium (Ti) having a melting point of 1668 ° C, nickel (Ni) having a melting point of 1453 ° C, and molybdenum (Mo) having a melting point of 2610 ° C. And zirconium (Zr) having a melting point of 1852 ° C. may be used. Typically, since the firing temperature corresponds to a temperature of about 2/3 of the melting point, when the nickel (Ni) is used as the material of the high-temperature sintered green sheet, the firing temperature is 900 to 100 ° C. On the other hand, the material of the sacrificial layer 30 is preferably a material different from the partition material layer 32 and easy to remove. By alternately stacking these barrier material layers 32 and the sacrificial layer 30, a laminated structure 50 as shown in FIG. 6A is formed. In this case, the thickness of the barrier material layer 32 corresponds to a barrier rib width (Bw), and the thickness of the sacrificial layer 30 corresponds to a discharge space width (Dw).
한편, 적층구조물(50)을 길이방향으로 소정의 두께로 절단하여 적층구조물 편(40)을 형성한다. 도 6의 (b)에 도시된 바와같이 적층구조물(50)의 길이 방향으로 소정의 두께(예를 들면, 0.5 - 5㎜)로 점선을 따라 절단하여 제1 내지 제n 적층구조물 편(401내지 40n)을 형성하게 된다. 이 경우, 길이방향의 절단 두께는 격벽 높이에 대응하게 되므로, 설계자의 의도에 따라 격벽의 높이(예를 들면, 0.5 - 5㎜)를 조절할 수 있게 된다. 이에 따라, 종래의 격벽 높이가 200㎛ 이하로 제한되는데 반하여 본 발명에 의하면 수㎜의 높이를 갖는 격벽을 형성하는 것이 가능해진다. 이때, 소정의 폭을 갖도록 절단된 제1 내지 제n 적층구조물 편(401내지 40n)이 도 6의 (c)에 도시되어 있다.On the other hand, the laminated structure 50 is cut to a predetermined thickness in the longitudinal direction to form a laminated structure piece 40. As shown in (b) of FIG. 6, the first to nth stacked structure pieces 40 1 may be cut along a dotted line at a predetermined thickness (for example, 0.5 to 5 mm) in the longitudinal direction of the stacked structure 50. To 40 n ). In this case, since the cutting thickness in the longitudinal direction corresponds to the height of the partition wall, the height of the partition wall (for example, 0.5-5 mm) can be adjusted according to the designer's intention. As a result, the height of the conventional bulkhead is limited to 200 µm or less, while according to the present invention, it is possible to form a partition having a height of several mm. In this case, the first to nth stacked structure pieces 40 1 to 40 n cut to have a predetermined width are shown in FIG. 6C.
적층구조물 편(40)을 하부기판(34)의 상부에 정렬시킨다. (제42 단계) 먼저, 하부기판(34) 상의 격벽재료층(30)에 대면되는 위치에 스트라이프 형태로 프릿 글래스(Frit glass : 도시하지 않음)를 도포한다. 이어서, 하부기판(34)에 적층구조물 편(40)의 정확히 정렬될 수 있도록 얼라인키(Align Key;44)를 마련한다. 적층구조물 편(40)을 하부기판(34)의 상부에 정렬한다. 이때, 얼라인키(44)는 프릿 글래스로 이루어지며 하부기판(34) 위에 단속적으로 돌출되는 돌기 형태로 형성될수도 있을 것이다. 도 6의 (d)에 도시된 바와 같이 하부기판(34) 상에 형성된 얼라인키(44)를 이용하여 적층구조물 편(40)을 정확하게 정렬시킴에 의해 격벽재료층(32)이 스트라이프 형상의 프릿 글래스(도시되지 않음)의 상부에 위치하게 된다. 또한, 도 6의 (e)에 도시된 바와같이 하부기판(34)의 상부에 정렬된 적층구조물 편(40)의 길이방향에 대향되는 양 측면에는 측면지지편(42)을 정렬시키게 된다. 이때, 측면지지편(42)은 격벽재료층(32)과 희생층(30)이 교번적으로 적층되어 형성되게 된다.The stacked structure piece 40 is aligned with the upper portion of the lower substrate 34. (Step 42) First, frit glass (not shown) is applied in a stripe form at a position facing the partition material layer 30 on the lower substrate 34. Subsequently, an alignment key 44 is provided on the lower substrate 34 so that the laminated structure piece 40 may be aligned correctly. The stacked structure piece 40 is aligned with the upper portion of the lower substrate 34. In this case, the alignment key 44 may be formed of a frit glass and may be formed in the form of a protrusion intermittently projecting on the lower substrate 34. As shown in FIG. 6 (d), the partition material layer 32 is stripe-shaped by accurately aligning the stacked structure pieces 40 using the alignment key 44 formed on the lower substrate 34. It is located on top of the glass (not shown). In addition, as shown in (e) of FIG. 6, the side support pieces 42 are aligned on both side surfaces of the laminated structure piece 40 aligned on the upper portion of the lower substrate 34. At this time, the side support piece 42 is formed by alternately stacking the partition material layer 32 and the sacrificial layer 30.
적층구조물 편(40)의 격벽층(32)을 하부기판에 접합시킨다. (제43 단계) 하부기판(34)의 상부에 고착된 적층구조물 편(40) 및 측면지지편(42)들간의 밀착성을 높이기 위해 도 6의 (f)에 도시된 바와 같이 4면에 일정한 힘을 인가한다. 이와 동시에 소정의 온도(예를 들면, 400 - 600℃)로 적층구조물 편(40) 및 측면지지편(42)을 소성시키게 된다. 이 경우, 소성온도는 프릿 글래스의 용융온도와 동일하거나 크며 희생층(30)의 소성온도 이하의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 격벽재료층(32)은 소결이 완료되어 격벽층(32)이 형성된다. 또한, 격벽층(32)과 프릿 글래스의 접합이 이루어져 적층구조물 편(40)의 격벽층(32)이 하부기판(34)에 부착된다. 이때, 희생층(30)은 유기물성분만 제거되고 부분소성이 일어나게 된다. 이 경우, A부분에서의 격벽층(32) 입자의 결합상태와 희생층(30) 입자의 결합상태가 도 8에 도시되어 있다. 도 8에 도시된 바와 같이 격벽층(32)은 격벽재료층이 완전 소결됨에 의해 입자간의 결합력이 강하게 형성된다. 반면에, 희생층(30)은 부분 소결됨에 의해 입자간의 결합력이 약한 상태를 유지하게 된다.The partition layer 32 of the laminated structure piece 40 is bonded to the lower substrate. (Step 43) In order to increase the adhesion between the laminated structure piece 40 and the side support piece 42 fixed to the upper portion of the lower substrate 34, a constant force on four sides as shown in Figure 6 (f) Is applied. At the same time, the laminated structure piece 40 and the side support piece 42 are fired at a predetermined temperature (for example, 400 to 600 ° C.). In this case, the firing temperature is preferably equal to or larger than the melting temperature of the frit glass and set within a range below the firing temperature of the sacrificial layer 30. As a result, the partition material layer 32 is sintered to form the partition layer 32. In addition, the partition layer 32 and the frit glass are bonded to each other so that the partition layer 32 of the laminated structure piece 40 is attached to the lower substrate 34. At this time, the sacrificial layer 30 is removed only the organic component and partial baking occurs. In this case, the bonding state of the partition layer 32 particles in the portion A and the bonding state of the sacrificial layer 30 particles are shown in FIG. 8. As shown in FIG. 8, the partition layer 32 has a strong bonding force between particles by completely sintering the partition material layer. On the other hand, the sacrificial layer 30 is partially sintered to maintain a weak bonding force between the particles.
한편, 격벽층(32)과 프릿 글래스는 진공상태, 질소분위기 소성 또는 환원 분위기에서 소성된다. 이를 상세히 설명하면, 진공소성은 유리기판(34)을 진공챔버 (Vacuum chamber)내에 넣은 후, 진공챔버 내의 공기를 빼내어 기압을 대략 10-2Torr 이하로 하여 프릿글래스의 용융온도로 유리기판(34)을 가열하게 된다. 이 경우, 진공챔버 내에 산소가 거의 존재하지 않기 때문에 희생층(30)은 산화되지 않는다. 질소분위기 소성은 노(furnace) 내에 유리기판(34)을 장착한 다음, 노 내로 질소를 주입하면서 프릿글래스의 용융온도로 가열하여 격벽층(32)과 플릿글래스가 부착된다. 이와 같은 질소분위기 소성은 산소와 희생층(30)의 접촉을 차단하기 때문에 적층구조물(40) 및 측면지지편(42)의 희생층(30)이 산화되는 것을 방지하게 된다. 환원 분위기 소성은 노 내부를 수소 등을 주입하여 환원 분위기로 유지시켜 희생층(30)의 산화를 방지하게 된다. 이와 같이 진공상태, 질소 분위기 또는 환원 분위기를 유지하는 진공챔버 또는 노 내부에 유리기판(34)을 넣어 두고 소정의 온도로 열을 가하게 된다. 이 과정에서, 프릿 글래스가 용융되어 적층구조물 편(40) 및 측면지지편의 격벽층(32)이 유리기판(34)에 부착된다. 여기에서, 격벽층(32)과 프릿글래스의 합착공정은 저온 공정에 의해 이루어 지므로 고온에 의한 유리기판(34)의 손상 또는 변형을 방지하게 된다. 또한, 희생층(30)은 고온소결체 이므로 도 8에 도시된 바와같이 소결이 완료되지 않아 입자간의 결합력이 약해 부스러지기 쉬운 상태로 남게 되어 이후의 공정에서 제거하기가 용이해진다. 또한, 측면지지편(42)들이 적층구조물 편(40)의 양측에서 격벽층(32)과 연접되도록 유리기판(34) 상에 부착된다.On the other hand, the partition layer 32 and the frit glass are fired in a vacuum state, nitrogen atmosphere firing or reducing atmosphere. In detail, the vacuum firing puts the glass substrate 34 into the vacuum chamber, and then extracts air from the vacuum chamber to bring the air pressure to about 10 -2 Torr or less and the glass substrate 34 at the melting temperature of the frit glass. ) Will heat up. In this case, since little oxygen is present in the vacuum chamber, the sacrificial layer 30 is not oxidized. Nitrogen atmosphere firing is carried out by mounting the glass substrate 34 in the furnace (furnace), and then heated to the melting temperature of the frit glass while injecting nitrogen into the furnace to attach the partition layer 32 and the fleet glass. Since the nitrogen atmosphere firing blocks the contact between the oxygen and the sacrificial layer 30, the nitrogen structure of the laminated structure 40 and the side support piece 42 is prevented from being oxidized. In reducing atmosphere firing, hydrogen is injected into the furnace to maintain a reducing atmosphere to prevent oxidation of the sacrificial layer 30. As such, the glass substrate 34 is placed in a vacuum chamber or a furnace maintaining a vacuum state, a nitrogen atmosphere, or a reducing atmosphere, and heated at a predetermined temperature. In this process, the frit glass is melted to attach the laminated structure piece 40 and the partition layer 32 of the side support piece to the glass substrate 34. Here, the process of bonding the partition layer 32 and the frit glass is performed by a low temperature process, thereby preventing damage or deformation of the glass substrate 34 due to high temperature. In addition, since the sacrificial layer 30 is a high-temperature sintered body, as shown in FIG. 8, since the sintering is not completed, the bonding force between the particles is weak, and thus the fragile layer remains fragile. In addition, the side support pieces 42 are attached on the glass substrate 34 to be in contact with the partition layer 32 on both sides of the laminated structure piece 40.
희생층(30)을 제거한다. (제44 단계) 도 6의 (g)에 도시된 바와 같이 격벽(38)의 상부에 감광재(36)를 사용한 패턴을 형성한후, 소성되지 않은 희생층(30)을 제거하게 된다. 희생층(30)은 결합력이 약해져 있는 상태이므로 부스러지기 쉬워 압축공기나 고압의 수류를 가하면 소결이 완료된 격벽재료층(32)만 남고 희생층(30)은 제거된다. 다른 방법으로는 희생층(30)을 폴리머(Polymer)등을 사용한 경우에는 솔벤트등의 용제로 희생층(30)만을 제거할수도 있다. 또 다른 방법으로는 희생층(30)만을 선택적으로 에칭하는 방법도 가능하다. 일례로, 희생층(30)을 선택적으로 에칭하는 방법에 대하여 상세히 설명하면, 유리기판(34)을 금속재료만이 에칭(etching)되는 에칭용액에 침전시켜 희생층(32)을 제거시키게 된다. 에칭용액은 금속재료만을 선택적으로 에칭시키는 어떠한 용액으로도 가능하다. 이러한 에칭용액의 한 예로는 과산화수소(H2O2)를 포함한 액칭용액에 금속재료를 침전시켜 에칭시키게 되면 아래의 화학식1과 같이 산화과정을 통하여 금속재료가 에칭된다.The sacrificial layer 30 is removed. (Step 44) As shown in FIG. 6G, after the pattern using the photosensitive material 36 is formed on the partition wall 38, the unfired sacrificial layer 30 is removed. Since the sacrificial layer 30 is in a state in which the bonding force is weakened, the sacrificial layer 30 is easily brittle, and when the compressed air or high pressure water flow is applied, only the partition material layer 32 sintered is left, and the sacrificial layer 30 is removed. Alternatively, when the sacrificial layer 30 is made of polymer or the like, only the sacrificial layer 30 may be removed with a solvent such as a solvent. Alternatively, a method of selectively etching only the sacrificial layer 30 may be possible. For example, a method of selectively etching the sacrificial layer 30 will be described in detail. The glass substrate 34 is precipitated in an etching solution in which only a metal material is etched to remove the sacrificial layer 32. The etching solution may be any solution which selectively etches only the metallic material. As an example of such an etching solution, when the metal material is etched by etching the immersion solution containing hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), the metal material is etched through an oxidation process as shown in Formula 1 below.
상기 화학식 1에 나타난 바와같이, 희생층(30)은 산화과정을 통하여 에칭되므로 이미 산화된 산화물에는 에칭이 잘 되지 않게 된다. 이에 따라, 저온소성과정에서 희생층(30)이 산화되지 않도록 진공상태, 환원 분위기 또는 질소 분위기를 유지하는 것이 바람직하다. 이러한 에칭과정에서 격벽층(32)은 SiO2, PbO, CdO, B2O3, ZnO 또는 Al2O3등의 혼합 파우더로 이루어 지므로 과산화수소(H2O2)에 대한 에칭속도가 금속재료에 비하여 현저하게 떨어지게 된다. 이로인해, 에칭시 희생층(32)만이 선택적으로 에칭된다. 에칭과정에 의해 희생층(32)이 제거되면 도 6의 (h)에서와 같이 유리기판(34) 상에 격벽(38)이 완성된다.As shown in Formula 1, since the sacrificial layer 30 is etched through the oxidation process, the oxidized oxide is not easily etched. Accordingly, it is preferable to maintain the vacuum state, the reducing atmosphere or the nitrogen atmosphere so that the sacrificial layer 30 is not oxidized during the low temperature baking process. In this etching process, the barrier layer 32 is formed of a mixed powder of SiO 2 , PbO, CdO, B 2 O 3 , ZnO, or Al 2 O 3 , so that the etching rate for hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is increased to the metal material. Compared to the fall significantly. As a result, only the sacrificial layer 32 is selectively etched during etching. When the sacrificial layer 32 is removed by the etching process, the partition wall 38 is completed on the glass substrate 34 as shown in FIG.
상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법은 별도로 형성된 적층구조물 편을 하부기판(34) 상에 정렬 및 고착시킨 후 소정의 온도로 소성하고 희생층을 선택적으로 제거함에 의해 공정을 단순화함과 아울러, 고종횡비(High Aspect Ratio)를 갖는 격벽을 형성하게 된다.As described above, the method for manufacturing a partition wall for a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention aligns and attaches a laminated structure piece separately formed on a lower substrate 34, calcinates to a predetermined temperature, and selectively removes a sacrificial layer. By simplifying the process, the partition wall having a high aspect ratio is formed.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법을 설명하기 위한 도면이 도시되어 있다.Referring to FIG. 7, a diagram for describing a method of manufacturing a partition wall for a plasma display device according to another exemplary embodiment of the present invention is illustrated.
소결 완료된 격벽층(32')과 부분 소결된 희생층(30')을 교번적으로 적층하여 적층구조물 편(40')을 형성한다. (제51 단계) 격벽층(32')은 저온소결체 그린시트를 사용하게 되고 희생층(30')은 고온소결체 그린시트를 사용하게 된다. 이때, 저온소결체 그린시트 및 고온소결체 그린시트는 닥터 블레이드법에 의해 형성되게 된다. 저온소결체 그린시트와 고온 소결체 그린시트를 소정의 온도(예를들면 400 - 600℃)로 소결한다. 이 경우, 저온소결체 그린시트는 소결이 완료된 격벽층(32')이 되고 고온소결체 그린시트는 부분소결된 희생층(30')이 되게 된다. 상기 저온소결체 그린시트 및 고온소결체 그린시트의 재질은 제1 실시예에서 충분히 설명하였으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.The sintered barrier rib layer 32 'and the partially sintered sacrificial layer 30' are alternately stacked to form a laminated structure piece 40 '. (Step 51) The partition layer 32 'uses a low temperature sintered green sheet and the sacrificial layer 30' uses a high temperature sintered green sheet. At this time, the low-temperature sintered green sheet and the high-temperature sintered green sheet are formed by the doctor blade method. The low temperature sintered green sheet and the high temperature sintered green sheet are sintered at a predetermined temperature (for example, 400 to 600 ° C). In this case, the low-temperature sintered green sheet becomes the partition layer 32 'that is sintered and the high-temperature sintered green sheet becomes the partially sintered sacrificial layer 30'. Materials of the low-temperature sintered green sheet and the high-temperature sintered green sheet have been sufficiently described in the first embodiment, and thus detailed description thereof will be omitted.
한편, 격벽층(32')과 희생층(30')을 교번적으로 적층함에 의해 도 7의 (a)에 도시된 바와 같은 적층구조물(50')을 형성하게 된다. 이 경우, 격벽층(32')의 두께는 격벽의 폭에 해당하며, 희생층(30')의 두께는 방전공간에 해당된다. 또한, 설계자의 의도에 따라 격벽층(32')만 소성시키고 희생재 그린시트와 교번적으로 적층하여 적층구조물(50')을 형성할수도 있을 것이다. 적층구조물(50')의 A부분을 도 8을 결부하여 살펴보기로 한다. 도 8에 도시된 바와 같이 격벽층(32')은 저온소결체 그린시트가 완전 소결됨에 의해 입자간의 결합력이 강하게 형성된다. 반면에, 희생층(30')은 고온소결체 그린시트가 부분 소결됨에 의해 입자간의 결합력이 약한상태를 유지하므로 외부의 충격에 의해 쉽게 분리될수 있다.Meanwhile, by stacking the partition layer 32 'and the sacrificial layer 30' alternately, the stacked structure 50 'as shown in FIG. 7A is formed. In this case, the thickness of the partition layer 32 'corresponds to the width of the partition wall, and the thickness of the sacrificial layer 30' corresponds to the discharge space. In addition, according to the designer's intention, only the partition layer 32 'may be fired and alternately laminated with the sacrificial material green sheet to form the stacked structure 50'. A portion of the stacked structure 50 ′ will be described with reference to FIG. 8. As shown in FIG. 8, the partition layer 32 ′ has a strong bonding force between particles by completely sintering the low-temperature sintered green sheet. On the other hand, the sacrificial layer 30 ′ may be easily separated by external impact since the high temperature sintered green sheet is partially sintered to maintain a weak bonding force between the particles.
한편, 적층구조물(50')을 길이방향으로 소정의 두께로 절단하여 적층구조물 편(40')을 형성한다. 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 적층구조물(50')의 길이 방향으로 소정의 두께(예를 들면, 0.5 - 5㎜)로 점선을 따라 절단하여 제1 내지 제n 적층구조물 편(40'1내지 40'n)을 형성하게 된다. 이 경우, 길이방향의 절단 두께는 격벽 높이에 대응하게 되므로, 설계자의 의도에 따라 격벽의 높이(예를 들면, 0.5 - 5㎜)를 조절할수 있게 된다. 이때, 소정의 폭을 갖도록 절단된 제1 내지 제n 적층구조물 편(40'1내지 40'n)이 도 7의 (c)에 도시되어 있다.Meanwhile, the laminated structure 50 'is cut to a predetermined thickness in the longitudinal direction to form the laminated structure piece 40'. As shown in FIG. 7B, the first to nth stacked structure pieces 40 may be cut along a dotted line at a predetermined thickness (for example, 0.5 to 5 mm) in the longitudinal direction of the stacked structure 50 ′. ' 1 to 40' n ). In this case, since the cutting thickness in the longitudinal direction corresponds to the height of the partition wall, the height of the partition wall (for example, 0.5-5 mm) can be adjusted according to the designer's intention. At this time, the first to n-th stacked structure pieces 40 ' 1 to 40' n cut to have a predetermined width are shown in FIG.
적층구조물 편(40')을 하부기판(34)의 상부에 정렬시킨다. (제52 단계) 먼저, 하부기판(34)에 격벽층(30')에 대면되는 위치에 스트라이프 형태로 프릿 글래스(Frit glass : 도시하지 않음)를 도포한다. 이어서, 하부기판(34)에 적층구조물 편(40')의 정확히 정렬될 수 있도록 얼라인키(Align Key;44')를 마련한다. 다음으로, 적층구조물 편(40')을 하부기판(34)의 상부에 정렬한다. 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이 하부기판(34)의 얼라인키(44')를 참조하여 적층구조물 편(40')을 정확하게 정렬시킴에 의해 격벽재 그린시트(30')가 스트라이프 형상의 프릿 글래스(도시되지 않음)의 상부에 위치하게 된다. 또한, 도 7의 (e)에 도시된 바와 같이 하부기판(34)의 상부에 정렬된 적층구조물 편(40')의 길이방향에 대향되는 양 측면에는 측면지지편(42')을 정렬시키게 된다. 이때, 측면지지편(42')은 격벽층(32')과 희생층(30')이 교번적으로 적층되어 형성되게 된다.The laminated structure piece 40 ′ is aligned with the upper portion of the lower substrate 34. (Step 52) First, frit glass (not shown) is applied to the lower substrate 34 in a stripe form at a position facing the partition layer 30 '. Subsequently, an alignment key 44 'is provided on the lower substrate 34 so that the laminated structure piece 40' can be aligned correctly. Next, the stacked structure piece 40 'is aligned on the upper portion of the lower substrate 34. As shown in FIG. 7D, the partition green sheet 30 ′ has a stripe shape by accurately aligning the stacked structure pieces 40 ′ with reference to the alignment key 44 ′ of the lower substrate 34. It is located on top of the frit glass (not shown). In addition, as shown in (e) of FIG. 7, the side support pieces 42 'are aligned on both side surfaces of the laminated structure piece 40' aligned on the upper portion of the lower substrate 34 in the lengthwise direction. . At this time, the side support piece 42 'is formed by alternately stacking the partition layer 32' and the sacrificial layer 30 '.
적층구조물 편(40')을 하부기판(34)에 접합시킨다. (제53 단계) 하부기판(34)의 상부에 고착된 적층구조물 편(40') 및 측면지지편(42')들간의 밀착성을 높이기위해 도 7의 (f)에 도시된 바와같이 4면에 일정한 힘을 인가한다. 이와 동시에 소정의 온도(예를 들면, 400 - 600℃)로 적층구조물 편(40') 및 측면지지편(42')을 소성시키게 된다. 이 경우, 소성온도는 프릿 글래스의 용융온도와 동일하거나 크며 희생층(30')의 소성온도 이하의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 격벽층(32')과 프릿 글래스의 접합이 이루어지며 희생층(30')은 유기물성분만 제거되어 부분 소성이 일어나게 되어 도 8에 도시된 바와 같은 입자상태를 가지게 된다.The laminated structure piece 40 ′ is bonded to the lower substrate 34. (Step 53) In order to increase the adhesion between the laminated structure piece 40 'and the side support piece 42' fixed to the upper portion of the lower substrate 34, as shown in (f) of FIG. Apply a constant force. At the same time, the laminated structure piece 40 'and the side support piece 42' are fired at a predetermined temperature (for example, 400-600 占 폚). In this case, the firing temperature is preferably equal to or larger than the melting temperature of the frit glass and set within a range below the firing temperature of the sacrificial layer 30 '. Accordingly, the partition layer 32 ′ and the frit glass are bonded to each other, and the sacrificial layer 30 ′ has only the organic component removed to cause partial firing to have a particle state as shown in FIG. 8.
희생층(30')을 제거한다. (제54 단계) 도 7의 (g)에 도시된 바와 같이 격벽(38)의 상부에 감광재(36)를 사용한 패턴을 형성한후, 소성되지 않은 희생층(30')을 제거하게 된다. 희생층(30') 제거 과정은 제1 실시예에서 층분히 설명하였으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 희생층(30')이 제거되면 도 7의 (h)에서와 같이 유리기판(34) 상에 격벽(38)이 완성된다.The sacrificial layer 30 'is removed. (Step 54) As shown in FIG. 7G, after the pattern using the photosensitive material 36 is formed on the partition 38, the sacrificial layer 30 ′ that is not fired is removed. Since the process of removing the sacrificial layer 30 'has been described in detail in the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted. When the sacrificial layer 30 'is removed, the partition 38 is completed on the glass substrate 34 as shown in FIG.
상기와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법은 별도로 형성된 적층구조물 편(40')을 하부기판(34)상에 정렬 및 고착시킨후 소정의 온도로 소성하고 희생층(30')을 제거하여 공정을 단순화함과 아울러, 고종횡비(High Aspect Ratio)를 갖는 격벽(38)을 형성하게 된다.As described above, in the method of manufacturing a partition wall for a plasma display device according to another exemplary embodiment of the present invention, the stacked structure piece 40 'is separately aligned and fixed on the lower substrate 34, and then fired at a predetermined temperature and then sacrificial layer. By removing the 30 ', the process is simplified, and the partition 38 having a high aspect ratio is formed.
상술한 바와같이, 본 발명의 격벽 제조방법은 공정을 단순화함과 아울러, 고종횡비(High Aspect Ratio)를 갖는 격벽을 형성할수 있는 장점이 있다.As described above, the barrier rib manufacturing method of the present invention has the advantage of simplifying the process and forming a barrier rib having a high aspect ratio.
이상 설명한 내용을 통해 당업자 라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
Claims (15)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990029146A KR100326859B1 (en) | 1998-12-02 | 1999-07-19 | Method of Fabricating Barrier Rib for Plasma Display Panel |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19980052578 | 1998-12-02 | ||
| KR1019980052578 | 1998-12-02 | ||
| KR1019990009553 | 1999-03-20 | ||
| KR19990009553 | 1999-03-20 | ||
| KR1019990029146A KR100326859B1 (en) | 1998-12-02 | 1999-07-19 | Method of Fabricating Barrier Rib for Plasma Display Panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000047439A KR20000047439A (en) | 2000-07-25 |
| KR100326859B1 true KR100326859B1 (en) | 2002-03-13 |
Family
ID=27349859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990029146A KR100326859B1 (en) | 1998-12-02 | 1999-07-19 | Method of Fabricating Barrier Rib for Plasma Display Panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100326859B1 (en) |
-
1999
- 1999-07-19 KR KR1019990029146A patent/KR100326859B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000047439A (en) | 2000-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1770745A2 (en) | Surface-discharge type display device with reduced power consumption | |
| JP3803256B2 (en) | Plasma display panel and plasma display panel display device | |
| KR100295112B1 (en) | Lower substrate for plasma display device | |
| KR100326859B1 (en) | Method of Fabricating Barrier Rib for Plasma Display Panel | |
| KR100333413B1 (en) | Method of Fabricating Plasma Display Panel Device | |
| KR100612511B1 (en) | Plasma Display Panel Device with Barrier Rib Electrode and Method of Fabricating Thereof | |
| JP3472415B2 (en) | Plasma display panel | |
| KR100414055B1 (en) | Structure for top plate of plasma display panel device and fabricating method thereof | |
| KR100335464B1 (en) | Method of Fabricating Barrier Rib for Plasma Display Panel | |
| KR100326532B1 (en) | Method of Fabricating A Spacer Member For Flat Display Panel | |
| KR100293512B1 (en) | Manufacturing method of bulkhead for plasma display device | |
| KR100453171B1 (en) | Method of Fabricating Rib of Plasma Display Panel | |
| JP3057891B2 (en) | Plasma display panel and method of manufacturing the same | |
| KR100433220B1 (en) | Method of Fabricating Back Plate in Plasma Display Panel | |
| KR100444514B1 (en) | Back Plate of Plasma Display Panel and Method of Fabricating The same | |
| KR100444501B1 (en) | Back Plate of Plasma Display Panel and Method of Fabricating Thereof | |
| JP3988826B2 (en) | Method for manufacturing panel assembly for PDP | |
| KR100672294B1 (en) | Method of Fabricating Barrier Rib for Plasma Display Panel | |
| KR100582199B1 (en) | Back Plate of Plasma Display Panel and Method of Fabricating The same | |
| KR100749164B1 (en) | Barrier rib manufacturing method of display panel using discharge | |
| KR19980067852A (en) | Bulkhead of Plasma Display Panel and Manufacturing Method | |
| KR20000055634A (en) | Fabricating Method of Barrier Rib for Plasma Display Panel | |
| WO2007086105A1 (en) | Method for manufacturing plasma display panel | |
| KR20000003384A (en) | Method of fabricating partition wall for plasma display panel and plasma display panel device using thereof | |
| KR19990019754A (en) | Manufacturing method of partition wall for plasma display panel |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070130 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |