KR100727049B1 - 마이크로전자 디바이스들의 제조시 최적의 공정 목표들을결정하는 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (37)
- 공정 단계에서 워크피스를 공정하는 단계와;상기 공정 단계에서 상기 워크피스 상에서 수행된 공정의 특징 파라미터를 측정하는 단계와;상기 특징 파라미터의 측정에 응답하여 특징 파라미터 모델링 프로세스를 수행하는 단계와;상기 특징 파라미터 모델링 프로세스에 기초하여 출력 신호를 형성하는 단계와; 그리고상기 출력 신호에 기초하여, 상기 공정 단계에서 수행된 공정에 대한 피드백으로서 목표값을 정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 특징 파라미터를 측정하는 단계는 트랜지스터의 웨이퍼 전기 테스트(WET) 파라미터 값을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 측정된 특징 파라미터에 대응하는 출력 신호를 형성하는 단계는, 상기 측정된 WET 파라미터 값을 트랜지스터 모델에 대한 입력으로서 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 출력 신호에 기초하여 상기 공정 단계에서 수행된 공정에 대한 목표값을 정하는 단계는, 상기 측정된 WET 파라미터 값이 사양 값의 범위 내에 있도록 하는 데에 필요한 상기 공정 단계에서 수행되는 공정에 있어서의 변경을 정의하기 위해 상기 트랜지스터 모델을 반전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 공정 단계에서 수행되는 공정에 있어서의 변경을 정의하기 위해 상기 트랜지스터 모델을 반전시키는 단계는, 상기 측정된 WET 파라미터값이 사양 값의 범위 내에 있도록 하는 데에 필요한 상기 공정 단계에서 형성되는 특징부(feature)의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 공정 단계에서 형성되는 특징부의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 폴리 게이트 라인 폭의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 공정 단계에서 형성되는 특징부의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 구초층 및 소스/드레인 영역의 접합 깊이의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 공정 단계에서 수행되는 공정에 있어서의 변경을 정의하기 위해 상기 트랜지스터 모델을 반전시키는 단계는, 상기 측정된 WET 파라미터 값이 사양 값의 범위 내에 있도록 하는 데에 필요한 상기 공정 단계에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 공정 단계에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 공정 단계에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 저 도핑 드레인(LDD) 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 1, 2 공정 단계에서 워크피스를 공정하는 단계와;상기 제 1, 2 공정 단계에서 상기 워크피스 상에서 수행된 공정의 특징 파라미터들을 측정하는 단계와;상기 특징 파라미터들의 측정에 응답하여 특징 파라미터 모델링 프로세스를 수행하는 단계와;상기 특징 파라미터 모델링 프로세스에 기초하여 출력 신호를 형성하는 단계와; 그리고상기 출력 신호에 기초하여, 상기 제 1, 2 공정 단계중 적어도 하나에서 수행된 공정에 대한 목표값을 정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 특징 파라미터들을 측정하는 단계는 트랜지스터의 적어도 1개의 웨이퍼 전기 테스트(WET) 파라미터 값을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 측정된 특징 파라미터들에 대응하는 출력 신호를 형성하는 단계는, 측정된 적어도 1개의 WET 파라미터 값을 트랜지스터 모델에 대한 입력으로서 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 출력 신호에 기초하여 상기 제 1, 2 공정 단계중 적어도 하나에서 수행되는 공정에 대한 목표값을 정하는 단계는, 상기 측정된 적어도 1개의 WET 파라미터 값이 사양 값의 범위 내에 있도록 하는 데에 필요한 상기 제 1,2 공정 단계중 적어도 하나에서 수행되는 공정에 있어서의 변경을 정의하기 위해 상기 트랜지스터 모델을 반전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1, 2 공정 단계중 적어도 하나에서 수행되는 공정에 있어서의 변경을 정의하기 위해 상기 트랜지스터 모델을 반전시키는 단계는, 상기 측정된 적어도 1개의 WET 파라미터값이 사양 값의 범위 내에 있도록 하는 데에 필요한 상기 제 1, 2 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 임계 치수 및 도핑 레벨중 하나의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 복수의 공정 단계들에서 워크피스를 공정하는 단계와;상기 워크피스가 완전히 공정된 후, 상기 복수의 공정 단계들에서 상기 워크피스 상에서 수행된 공정의 특징 파라미터들을 측정하는 단계와;상기 특징 파라미터들의 측정에 응답하여 특징 파라미터 모델링 프로세스를 수행하는 단계와;상기 특징 파라미터 모델링 프로세스에 기초하여 출력 신호를 형성하는 단계와; 그리고상기 출력 신호에 기초하여, 상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 수행된 공정에 대한 목표값을 정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 특징 파라미터들을 측정하는 단계는 트랜지스터의 웨이퍼 전기 테스트(WET) 파라미터 값을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 측정된 특징 파라미터들에 대응하는 출력 신호를 형성하는 단계는, 상기 측정된 WET 파라미터 값을 트랜지스터 모델에 대한 입력으로서 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 출력 신호에 기초하여 상기 공정 단계에서 수행되는 공정에 대한 목표값을 정하는 단계는, 상기 측정된 WET 파라미터 값들이 각각의 사양 값의 범위 내에 있도록 하는 데에 필요한 상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 수행되는 공정에 있어서의 변경을 정의하기 위해 상기 트랜지스터 모델을 반전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계들중 적어도 하나에서 수행되는 공정에 있어서의 변경을 정의하기 위해 상기 트랜지스터 모델을 반전시키는 단계는, 상기 측정된 WET 파라미터 값들이 각각의 사양 값의 범위 내에 있도록 하는 데에 필요한 상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 폴리 게이트 라인 폭의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 20 항에 있어서상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 구초층 및 소스/드레인 영역의 접합 깊이의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 수행되는 공정에 있어서의 변경을 정의하기 위해 상기 트랜지스터 모델을 반전시키는 단계는, 상기 측정된 WET 파라미터 값들이 각각의 사양 값의 범위 내에 있도록 하는 데에 필요한 상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 저 도핑 드레인(LDD) 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계들중 적어도 하나에서 수행되는 공정에 있어서의 변경을 정의하기 위해 상기 트랜지스터 모델을 반전시키는 단계는, 상기 측정된 WET 파라미터값들이 각각의 사양 값의 범위 내에 있도록 하는 데에 필요한 상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 폴리 게이트 라인 폭의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 구초층 및 소스/드레인 영역의 접합 깊이의 임계 치수에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 저 도핑 드레인(LDD) 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 저 도핑 드레인(LDD) 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 복수의 공정 단계중 적어도 하나에서 형성되는 특징부의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계는, MOS 트랜지스터의 저 도핑 드레인(LDD) 영역의 도핑 레벨에 있어서의 변경을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 컴퓨터에 의해 실행될 때,공정 단계에서 워크피스를 공정하는 단계와;상기 공정 단계에서 상기 워크피스 상에서 수행된 공정의 특징 파라미터를 측정하는 단계와;상기 특징 파라미터의 측정에 응답하여, 특징 파라미터 모델링 프로세스를 수행하는 단계와;상기 특징 파라미터 모델링 프로세스에 기초하여 출력 신호를 형성하는 단계와; 그리고상기 출력 신호에 기초하여, 상기 공정 단계에서 수행된 공정에 대한 목표값을 정하는 단계를 포함하는 워크피스 제조 방법을 수행하는 명령들로 코드화되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 프로그램 저장 디바이스.
- 공정 단계에서 워크피스를 공정하는 단계와;상기 공정 단계에서 상기 워크피스 상에서 수행된 공정의 특징 파라미터를 측정하는 단계와;상기 특징 파라미터의 측정에 응답하여, 특징 파라미터 모델링 프로세스를 수행하는 단계와;상기 특징 파라미터 모델링 프로세스에 기초하여 출력 신호를 형성하는 단계와; 그리고상기 출력 신호에 기초하여, 상기 공정 단계에서 수행된 공정에 대한 목표값을 정하는 단계를 포함하는 제조 방법을 수행하도록 프로그램된 컴퓨터.
- 공정 단계에서 워크피스를 공정하기 위한 수단과;상기 공정 단계에서 상기 워크피스 상에서 수행된 공정의 특징 파라미터를 측정하기 위한 수단과;상기 특징 파라미터의 측정에 응답하여, 특징 파라미터 모델링 프로세스를 수행하기 위한 수단과;상기 특징 파라미터 모델링 프로세스에 기초하여 출력 신호를 형성하기 위한 수단과; 그리고상기 출력 신호에 기초하여, 상기 공정 단계에서 수행된 공정에 대한 피드백으로서 목표값을 정하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
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